Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
Диссертация
Решение задач оптимального проектирования СПП, анализа эксплуатационных характеристик приборов в сложных динамических режимах работы /4−7/ требует построения универсальных, обладающих достаточной общностью моделей, описывающих переходные процессы при произвольном начальном состоянии структуры и произвольных режимах переключения с учетом совокупного влияния основных нелинейных, а в некоторых… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
- 1. 1. Переходный процесс включения тиристоров
- 1. 2. Переходный процесс выключения тиристоров
- 1. 3. Переходные характеристики силовых диодных и тиристорных структур на основе арсенида галлия
- 1. 4. Моделирование переходных процессов в СПП
- 1. 5. Задачи исследований
- ГЛАВА 2. НЕЛИНЕЙНАЯ, НЕИЗОТЕРМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА ВКЛЮЧЕНИЯ Р-П-Р-П-СТРУШРЫ
- 2. 1. Основные доцущения и исходные уравнения
- 2. 1. 1. Постановка задачи
- 2. 1. 2. Учет Оже-рекомбинации
- 2. 1. 3. Постановка тепловой части задачи
- 2. 2. Нахождение переходных характеристик включения
- 2. 2. 1. Решение линеаризованного уравнения непрерывности
- 2. 2. 2. Рекуррентные соотношения
- 2. 2. 3. Начальное распределение носителей
- 2. 3. Обсуждение результатов расчетов
- 2. 3. 1. Краткая характеристика программы
- 2. 3. 2. Процесс включения в модели р-п-р-п-структуры с постоянными электрофизическими параметрами
- 2. 3. 3. Влияние Оже-рекомб инации
- 2. 3. 4. Анализ неизотермической модели
- 2. 3. 5. Эксперимент
- 2. 4. Выводы
- 2. 1. Основные доцущения и исходные уравнения
- ГЛАВА 3. НЕЛИНЕЙНАЯ МОДЕЛЬ ПЕРЕХОДНОГО ПРОЦЕССА ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-П-Р-П-СТРУКТУР
- 3. 1. Постановка задачи
- 3. 2. Анализ процессов на этапе прохождения прямого тока и первом этапе выключения
- 3. 2. 1. Решение уравнений непрерывности
- 3. 2. 2. Краткое описание алгоритма численного решения интегрального уравнения и нахождения нестационарных концентраций носителей
- 3. 2. 3. Обсуждение результатов расчетов
- 3. 3. Анализ второго этапа выключения. ЮЗ
- 3. 3. 1. Нахождение нестационарных концентраций носителей и переходного обратного тока. ЮЗ
- 3. 3. 2. Результаты расчетов и обсуждение. Ю
- 3. 4. Анализ переходных характеристик и времени выключения в реальных режимах коммутации. III
- 3. 4. 1. Эксперимент. П
- 3. 5. Анализ влияния формирования обедненной области на процесс восстановления
- 3. 5. 1. Постановка задачи и вывод рекуррентных соотношений
- 3. 5. 2. Анализ результатов расчетов и сравнение с экспериментом
- 3. 6. Выводы
- 4. 1. Постановка задачи
- 4. 2. Нахождение нестационарных распределений носителей и переходных характеристик
- 4. 3. Анализ комбинированного выключения
- 4. 4. Эксперимент
- 4. 5. Выводы
- 5. 1. Моделирование переходных процессов в СПП на основе арсенида галлия
- 5. 2. Анализ переходных процессов установления в силовых диодных и тиристорных структурах
- 5. 2. 1. Установление стационарного состояния в диодах
- 5. 2. 2. Процесс включения тиристоров на этапе установления
- 5. 3. Переходные процессы обратного восстановления силовых диодов и выключения силовых тиристоров
- 5. 3. 1. Обратное восстановление диодов
- 5. 3. 2. Выключение тиристоров
- 5. 4. Выводы
Список литературы
- Тучкевич В.М. Силовая полупроводниковая преобразовательная техника. — ФТП, 1977, т.1., № ц, с.2065−2071.
- Грехов И.В. Состояние и перспективы развития сильноточной электроники на основе кремния. Материалы У Всесоюзного координационного совещания секции АН СССР «Полупроводниковые гетероструктуры», Таллин, 1979, с.16−19.
- Алферов Ж.И., Ашкинази Г. А., Корольков В. И., Челноков В. Е. Силовые высокочастотные высокотемпературные приборы на основе новых полупроводниковых материалов. Электротехника, 1979, № 3,с. 4−7.
- Кузьмин В.А. Математическое моделирование силовых полупроводниковых приборов (СПП). Преобразовательная техника, 1979, № 10, с.3−6.
- Лабунцов В.А., Тутов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. М.: Энергия, 1977. — 192 с.
- Дерменжи П.Г., Кузьмин В. А., Крюкова Н. Н., Мамонов В. И., Павлик В. Я. Расчет силовых полупроводниковых приборов. Под ред. Кузьмина В. А. М.: Энергия, 1980. — 184 с.
- Юрков С.Н. Исследование физических процессов в кремниевых многослойных структурах, разработка математических моделей и пакета программ для автоматизации проектирования силовыхтиристоров. Диссканд.техн.наук. — Москва, ВЭИ им. 1. В. И. Ленина, 1982.
- Shockley W., Sparks М., Teal G.K. Junction transistors. -Physical Ееview, 1952, v. 83, N 6, p. 151−167.
- Moll J.L., Tanenbaum M., Goldey J.M., Holonyak N. P-n-p-n junction transistors switches. Proc. of the IEE, 1965″ v. 44, N 9, p. 1174−1182.
- Лебедев А.А., Уваров А. И. Включение симметричной р-п-р-п-структуры при учете зависимости коэффициентов усиления от тока. Радиотехника и электроника, 1967, с. 12, № 5,с.895−903.
- Лебедев А.А., Попова М. В., Уваров А. И., Челноков В. Е. Исследование процесса накопления заряда при включении тиристоров. Радиотехника и электроника, 1967, с. 12, № 10, с. 1803−1807.
- Уваров А.И. Критический заряд включения тиристора. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1969, с. I5I-I6I.
- Уваров А.И. Условие включения тиристора посредством кратковременных токов управления. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1969, с. 194−201.
- Аязян Р.Э., Горбатюк А. В., Паламарчук А. И. Условие включения р-п-р-п-структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. Радиотехника и электроника, 1978, т. 23, № 5, с. I039−1045.
- Тогатов В.В. Условие включения р-п-р-п-структуры с варизон-ными базами в нестационарном режиме. ФТП, 1980, т.14,10, с. 2007−2014.
- Гущина Н.А. Расчет процесса включения р-п-р-п-структуры с учетом сопротивления растекания баз. ФТП, 1972, т. 6,5, с. 843−852.
- Горбатюк А.В. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п-структур в неодномерном приближении. ФТП, 1980, т.14, № 7, с. 1364−1370.
- Горбатюк А.В. Исследование неодномерных нестационарных процессов в многослойных полупроводниковых структурах. Дис. канд.физ.-мат.наук. Л., ФТИ, им. А. Ф. Иоффе, 1980.
- McDuffie G-.E., Chadwell W.L. Dynamic switching Properties of 4-layer diodes. IEEE Trans. Commun. and Electron., 1960, v. 47, p. 50−55.
- Кузьмин В.А., Бражников В.A. 0 динамических свойствах приборов типа р-п-р-п-. Радиотехника и электроника, 1963, т.8, № 7, с. II93-II98.
- Somos I. Switching characteristic of silicon power controlled rectifiers. IEEE Trans. Commun. und Electron., 1964, CE-83, N 75, p. 861−871.
- Anwander E. Das Spannungs verhalten des Thyristors. -Brown Boveri Mitteilungen, 1966, N 10, 607−612.
- Джентри Ф., Гутцвиллер Ф., Голоньяк Н., фон Застров Э. Управляемые полупроводниковые вентили. Пер. под ред. 1учкеви-ча В.М. М.: Мир, 1967. — 456 с.
- Ваширов A.M., Бурханов Ш. Д., Гаршенин В. В., Горохов В. А., Родов В. И. 0 включении тиристоров при помощи эффекта dU/dt.-Радиотехника и электроника, 1969, т.14, № 2, с. 374−375.
- Белов А.Ф., Волле В. Н., Воронков В. Б., Грехов И. В. К вопросу о переключении тиристоров эффектом dU/dt. Радиотехника и электроника, 1971, т.16, № 9, с. 1736−1738.
- Дерменжи П.Г., Евсеев Ю. А., Конюхов А. В. Эффект dU/dt в реальных р-п-р-п-структурах. Радиотехника и электроника, 1972, т.17, № II, с. 2374−2378.
- Кузьмин В.А. Теория эффекта dU/dt в тиристорах. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1969, с. I06-II2.
- Тогатов В.В. Методы теоретического и экспериментального исследования процесса восстановления р-п-р-п-структуры. Дис.. канд.техн.наук. — Л., ЛИТМ0, 1971.
- Тогатов В.В. О включении тиристоров «эффектом dv/dt «.- Elektrotechnickjf ffasopis, Bratislava, 1975, 26, N 9, S. 675−685.
- Воронин К.Д., Дерменжи П. Г. Взаимосвязь стойкости р-п-р-п-структур к эффекту du/dt с их параметрами и величиной предварительного смещения прямой или обратной полярности.- Радиотехника и электроника, 1973, т.18, № 10, с.2123−2132.
- Воронин К.Д., Дерменжи П. Г., Якивчик Н. И. Стойкость к эффекту du/dt и время выключения р-п-р-п-структур с обоими зашунтированными эмиттерами. Электротехническая промышленность. Преобразовательная техника, 1974, № 7(54), с.3−5.
- Misawa Т. Turn-on transient of p-n-p-n triode. J. Electronics and Control, 1959, v. 7, p. 523−533.
- Лебедев А.А., Уваров А. И., Челноков B.E. Переходная характеристика р-п-р-п-структуры. Радиотехника и электроника, 1966, т. II, № 8, с. 1458−1466.
- Лебедев А.А. Исследование физических процессов полупроводниковых структур типа р-п-р-п. Автореф. Дис. канд. физ.-мат.наук. — Л., ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1967.
- Кузьмин В.А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971. — 184 с.
- Челноков В.Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973, — 280 с.
- Кузьмин В.А., Першенков B.C. О переходном процессе включения тиристора. Радиотехника и электроника, 1967, т.12,1. I, с. 70−75.
- Лебедев А.А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Влияние электрического поля на переходные процессы в р-п-р-п-с тру ктурах.-Радиотехника и электроника, 1967, т.12, № 8, с.1461−1468.
- Лебедев А.А., Уваров А. И. О длительности регенеративного этапа включения тиристоров. Радиотехника и электроника, 1971, т.16, с. I9I2-I9I6.
- Лебедев А.А., Уваров А. И. К теории процесса включения р-п-р-п-структуры. ФТП, 1967, т.1, № 2, с. 2II-2I6.
- Aldrich. E.W., Holonyak N. Multiterminal p-n-p-n-switches. -Proc. IEE, 1958, v. 46, N 6, p. 1236−1239.
- Гомонова А.И., Капцов Л. Н. Переходный процесс включения тиристора. Изв. вузов. Радиотехника, 1965, т.8, с.171−180.
- Кардо-Сысоев А.Ф., Шуман В. В. Исследование процесса включения тиристоров при больших токах и напряжениях. Радиотехника и электроника, 1970, т.15, № I, с. 162−165.
- Дерменжи П.Г., Евсеев Ю. А. О механизме аномально-быстрого включения р-п-р-п-структур. Радиотехника и электроника, 1970, т.15, № 9, с.1945−1951.
- Грехов И.В., Сергеев В. Г. О распространении включенного состояния в р-п-р-п-структуре. ФТП, 1970, т.4, № 7, с. 1397−1399.
- Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Исследование распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-струк-туры. ФТП, 1970, т.4, № II, с.2149−2156.
- Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. К вопросу о включении тиристора. ФТП, 1971, т.5, № I, с.180−183.
- Кардо-Сысоев А. Ф. Распределение потенциала в р-п-р-п-струк-турах во время переходного процесса включения. ФТП, 1971, т. 5, № 12, с. 2333−2335.
- Кузьмин В.А., Павлик В. Я. и др. Включение р-п-р-п-структуры при большой плотности тока. Радиотехника и электроника, 1973, т.18, № I, с. 158−165.
- Кузьмин В.А., Павлик В. Я., Шуман В. Б. 0 максимальной скорости включения р-п-р-п-структур. Радиотехника и электроника, 1981, т.26, № 6, с. I270−1274.
- Davies R.L., Petruzella J. p-n-p-n-charge dynamics. Proc. IEEE, 1967, v. 55, N 8, p. 1318−1330.
- Молибог Н.П., Родов В. И., Челноков B.E., Якивчик Н. И. 0 влиянии подвижных носителей заряда в коллекторном переходе р-п-р-п-структуры на процесс включения. Радиотехника и электроника, 1971, т. 16, № 6, с. 1039−1046.
- Кардо-Сысоев А.Ф., Чашников И. Г., Шуман В. Б. Лавинная ин-жекция в тиристорах. ФТП, 1974, т.8, № 6, с. II0I-II05.
- Гордеев Г. В., Кардо-Сысоев А.Ф., Чашников И. Г. Переходный процесс при лавинной инжекции в трехслойных структурах. -Радиотехника и электроника, 1975, т.20, № 8, с.1704−1709.
- Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Об однородном включении светом полупроводниковых структур большой площади ФТП, 1974, т.8, № 4, с. 672−678.
- Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Оценка некоторых новых возможностей быстрого включения р-п-р-п-структур большой площади. ФТП, 1976, т.10, № 2, с. 345−349.
- Adler M.S., Temple V.A.K. Thy dynamics of the thyristor turn-on process. IEEE Trans. Electron Devices, 1980, ED-27, N 2, p. 483−492.
- Гомонова А.И., Логинов А. С., Сенаторов К. Я. Исследование переходных процессов в четырехслойных полупроводниковых приборах при большом сигнале. Вестник Моск.гос.ун-та, 1965, сер. З, 1965, т.1, с. 47−54.
- Лебедев А.А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п-структуры. -Радиотехника и электроника, 1967, т.12, № 4, с.677−685.
- Кузьмин В.А., Першенков B.C. Этап модуляции проводимости базовых областей тиристора при включении. Радиотехника и электроника, 1968, т.13, № 9, с. 1654−1662.
- Тогатов В.В., Уваров А. И. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п-структуры в условиях высокого уровня инжекции в обеих базах. Радиотехника и электроника, 1971, т.16, № 6, с. I047−1057.
- Тогатов В.В. Исследование поведения носителей в базовых областях р-п-р-п-структуры после смещения коллекторного перехода в прямом направлении. Радиотехника и электроника, 1974, т.19, № I, с. I36-I4I.
- Mapham N. Overcoming turn-on effects in silicon controlled rectifiers. Electronics, 1962, v. 35, N 17, p. 50−54.
- Mapham N. The rating of silicon-controlled rectifiers when switching into high currents. IEEE Trans. Communication and Electronics, 1964, v. 83, N 9, p. 515−519.
- Dodson W.H., Longini B.L. Probed determination of turn-on spread of large area thyristors. IEEE Trans. Electron Devices, 1966, v. ED-13, N 5, p. 478−484.
- Dodson W.H., Longini B.L. Skip Turn-on thyristors. IEEE Trans. Electron Devices, 1966, v. ED-13, N 7, p. 598−604.
- Gerlach W. Untersuchungen Uber den Einschaltvorgang des Leistungsthyristors. Telefunken Zeitung, 1966, Bd. 39, N 3−4, S. 301−318.
- Ikeda S., Araki T. The di/dt capability of thyristors. -Proc. IEEE, 1967, v. 55, N 8, p. 1301−1307.
- Бурцев Э.Ф., Грехов И. В., Крюкова Н. Н., Сергеев В. Г. Исследование процесса включения р-п-р-п-структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения. ФТП, 1969, т. З, 1. II, с. I638−1645.
- Somos J., Piccone D.E. Plasma spread in high-power thyristors under dynamic and static conditions. IEEE Trans. Electron Devices, 1970, v. ED-17, N 9, p. 680−687.
- Дерменжи П.Г., Евсеев Ю. А. К вопросу о включении р-п-р-п-структур большой площади током управления. Радиотехника и электроника, 1970, т.15, № 8, с. 1478−1480.
- Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. 0 механизме распространения включенного состояния в р-п-р-п-структуре. -ФТП, 1972, т.6, № 9, с. I829-I83I.
- Молибог Н.П., Невзоров А. Н., Злобин В. А., Седов Н. Н., Челноков В. Е., Якивчик Н. И. Неодномерные процессы в р-п-р-п-структуре при включении током управления. Радиотехника и электроника, 1973, т.18, № 3, с. 605−616.
- Yamasaki Н. Experimental observation of the lateral plasma propagation in a thyristor. IEEE Trans. Electron Devices, 1975, v. ED-22, p. 65−70.
- Longini R.L., Melngailis J. Gated turn-on of four layer switch. IEEE Trans. Electron Devices, 1963, v. ED-13, N 3, p. 178−185.
- Ruhl H.J. Spreading velocity of the active area «boundary in a thyristor. IEEE Trans. Electron Devices, 1970, ED-17, p. 672−681.
- Bergman G.D. The gate-triggered turn-on process in thyristors. Solid State Electronics, 1965, v. 8, p. 757−765.
- Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Уваров А. И. Простая модель распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-структуры. ФТП, 1971, т.5, № б, с. IIII-III5.
- Дерменжи П.Г. Исследование неодномерных физических процессов при включении р-п-р-п-структур большой площади по управляющему электроду. Дис.. канд.физ.-мат.наук, М., ВЭИ им. В. И. Ленина, 1971.
- Дерменжи П.Г., Евсеев Ю. А. Распространение включенного состояния в р-п-р-п-структурах.- ФТП, 1973, т.7, № 2,с.360−364.
- Дьяконов М.И., Левинштейн М. Е. Теория распространения включенного состояния при наличии тока управления. ФТП, 1978, т.12, № 8, с. I674−1679.
- Левинштейн М.Е., Симин Г. С. К теории распространения включенного состояния в тиристоре. ФТП, 1978, т.12, № II, с. 2160−2167.
- Грехов И.В., Крюкова Н. Н. 0 включении тиристора с поперечным полем в эмиттере. ФТП, 1969, т. З, с. 221−225.
- Ашкинази Г. А., румма К.Я. К вопросу формирования начальной области включения в тиристорных структурах большой площади.-ФТП, 1976, т.10, Ш 3, с. 615−616.
- Ашкинази Г. А., Ковров A.M., Кузьмин В. Л., румма К.Я., Fy-хамкин В. М. Экспериментальные исследования включения тирис-' торов с регенеративным управлением. Радиотехника и электроника, 1976, т.21, № 4, с. 907−912.
- Adler M.S. Details of plasma spreading process in thyris-tors. IEEE Trans. Electron Devices, 1980, v. ED-27, N 2, p. 495−504.
- Ашкинази Г. A. Электро- и теплофизические процессы в силовых высокочастотных, быстродействующих и имцульсных полупроводниковых приборах и их разработка. Дис.докт.техн.наук. — Л., ФТИ игл. А. Ф. Иоффе, 1979.
- Askinazi G., Rumma К., Rabkin P. Investigation of interrelations of load and gate triggering characteristics and parameters for high speed power thyristors. Reports of 3rd Power Electronics Conference, Budapest, 1977.
- Ковров А., Ррша К., Бухамкин В. Динамика образования начальной области включения в мощных тиристорах. Известия АН ЭССР, серия физика-математика, 1981, т.30, № I, с.47−51.
- Рабинерсон А.А., Ашкинази Г.А.Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1976. — 296 с.
- Somos I., Piccone D.E. Behavior of thyristors under transient conditions. Proc. IEEE, 1967, v.55, N 8, p. 1306−1311.
- Saegusa M., Tanaka H., Masuda K. The di/dt rating of thyristors. Elec. Commun. Lab. Tech. J., 1967, v.16, p. 45−47.
- Lundstrom I. Temperature rise in thyristors during turn-on. -Int. J. Electronics, 1967, v. 23, p. 69−83.
- Ikeda S., Tsuda S., Waki J. The current pulse ratings of thyristors. IEEE Trans. Electron. Devices, 1970, v. ED-17, p. 690−695.
- Somos I.L. Current conditions for meaningful di/dt test. -В кн.: Тезисы докладов на Всемирном электротехническом конгрессе (г.Москва 21−25 июня, 1977 г.) М., 1977, доклад № 50.
- Кузьмин В.А., Сенаторов К. Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы. М.: Энергия, 1967.
- Baker А.И., Goldey J.M., Boss I.M., Recovery time of p-n-p-n diodes. Wescon Convent Rec., 1959, v.3, H 3, p. 43−48.
- Dyer R.E., Houghton G.H. Turn-off time characterization and measurement of silicon controlled rectifiers. Direct Current, 1962, v.7, N 6, p. 158−165.
- Melehy M.A. Minimum time for turn-off in four-layer diodes. Proc. IRE, 1961, v. 49, p. 1424−1432.
- Кузьмин В.А., Мочалкина O.P. Об одном методе уменьшения времени выключения в полупроводниковых приборах р-п-р-п-.- Радиотехника и электроника, 1963, т.8, № 7, с.1279−1281.
- Кузьмин В.А. 0 времени выключения приборов со структурой р-п-р-п-. Радиотехника и электроника, 1964, т. 9, № 8, с. I4I0-I4I3.
- Горохов В.А., Щедрин М. Б. Тиристоры в имгульсных схемах.- М.: Сов. радио, 1972.
- Лебедев А.А., Уваров А. И. Постоянная времени рассасывания заряда в р-п-р-п-структуре при выключении ее под действием обратного анодного напряжения. Радиотехника и электроника, 1967, т.12, № 4, с. 686−692.
- Лебедев А.А., Уваров А. И. Об одной возможности повышения частотных свойств тиристоров. ФТП, 1967, т.1, № 2, с. 463−464.
- Тогатов В.В. Исследование процесса восстановления р-п-р-п-структуры. Радиотехника и электроника, 1972, т.17, № 3, с. 587−591.
- Тогатов В.В. К теории процесса выключения р-п-р-п-структу-ры. Радиотехника и электроника, 1973, т.18, № I, с.166−170.
- Воронин К.Д., Дерменжи П. Г. Зависимость времени выключения р-п-р-п-структур от их параметров и режимов измерения. -Радиотехника и электроника, 1973, т.18, № II, с. 2364−2373.
- Грехов И.В., Костина Л. С., Сергеев В. Г. 0 новой возможности уменьшения времени выключения высоковольтных р-п-р-п-структур. ФТП, 1971, т.5, № 7, с. I408-I4I4.
- НО. Горбатюк А. В., Уваров А. И. Выключение тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при высоком уровне инжекции. Радиотехника и электроника, 1976, т.21, № 7, с. 1502−1506.
- Горбатюк А.В., Уваров А. И. Неоднородное рассасывание избыточного заряда в широкой базе тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. Радиотехника и электроника, 1977, т.22, № 8, с. 1755−1758.
- Горбатюк А.В., Уваров А. И. Влияние сопротивления растекания тонкой базы на быстродействие тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. Электронная техника, серия 4, 1979, № 3(72), с. 57−62.
- Горбатюк А.В. Усиление эффекта тангенциального рассасывания заряда в тиристорах с зонами повышенной рекомбинации. Электронная техника, серия 4, 1979, № 3(72), с. 63−66.
- Грехов И.В., Костина Л. С., Отблеск А. Е. Процесс выключения р-п-р-п-структуры при высоком уровне инжекции в базовых областях. ФТП, 1970, т.4, № 12, с. 2322−2330.
- Грехов И.В., Костина Л. С., Лебедев А. А. 0 восстановлении запирающей способности эмиттерных переходов при выключении р-п-р-п-структуры. ФТП, 1971, т.5, № 4, с. 767−771.
- Грехов И.В., Костина Л. С., Лебедев А. А. Процесс выключения р-п-р-п-структур при высоком уровне инжекции в базовых слоях. Радиотехника и электроника, 1972, т.17, № 4,с. 852−856.
- Benda Н., Spenke Е. Reverse recovery processes in silicon power rectifiers. Eroc. IEEE, 1967, v. 55, N 8, p. 1331−1354.
- Raderecht P. S. The development of a gate-assisted turn-off thyristor for use in high frequency applications. Int.J. Electronics, 1974, v. 36, H 3, p. 399−416.
- Schlegel E.S. Gate-assisted turn-off thyristors. IEEE Trans. Electron Devices, 1976, v. ED-23, p. 888−893.
- Булатов О.Г., Одынь С. В. Двухоперационные тиристоры с комбинированной коммутацией в режиме больших анодных токов. Электротехническая промышленность. Преобразовательная техника, 1976, № 7(78), с. 3−5.
- Аязян Р.Э., Булатов О. Г., Грехов И. В., Лабунцов В. А., Линийчук И. А., Одынь С. В., Паламарчук А. И., Шендерей С. В. Быстродействующий прибор ключевого типа комбинированно-выключаемый тиристор. — Электричество, 1977,№ 10,с.82−84.
- Аязян Р.Э., Грехов И. В., Линийчук И. А., Паламарчук А. И., Шендерей С. В. 0 физических процессах в р-п-р-п-структуре при комбинированном выключении. Радиотехника и электроника, 1978, т.23, № 8, с. 1692−1698.
- Грехов И.В., Горбатюк А. В., Костина Л. С. 0 возможности повышения быстродействия мощных тиристоров при выключении.-Радиотехника и электроника, 1979, т.24, № 3, с.606−614.
- Дерменжи П.Г. Переходный процесс в тиристорах при их выключении комбинированным способом. Радиотехника и электроника, 1983, т.28, № I, с. 173−180.
- Еремин С.А., Мокеев O.K., Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. М.: Советское радио, 1966. — 152 с.
- Тхорик Ю.А. Переходные процессы в импульсных полупроводниковых диодах. Киев: Техника, 1966. — 244 с.
- Носов Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968.
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. Пер. под ред. Рывкина С. М. М.: Мир, 1973.
- Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Советское радио, 1978.
- Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольтамперной характеристики диода. ЖТФ, 1958, т. 28, № 8, с. I63I-I64I.
- Алферов Ж.И. 0 возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p-i -п (р-п-п+, п-р-р+)-структуры с гетеропереходами. ФТП, 1967, т.1, № 2, с. 436−464.
- Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры. Автореф. Дис. .докт.физ.-мат.наук. — Л., ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1970.
- Алферов Ж.И., Андреев В. М., Корольков В. И., Никитин В. Г., Яковенко А. А. Р-п-р-п-структуры на основе GaAs и твердых растворов Ga1-xAlxAs . ФТП, 1970, т.4, № 3, с. 578−581.
- Алферов Ж.И., Корольков В. И., Никитин В. Г., Степанова М. И., Третьяков Д. Н. Мощные быстродействующие диоды на основе GaAs. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, № 5, с. 201−204.
- Корольков В.И., Никитин В. Г., Рахимов Н. Р. Тиристор на основе гетероструктур GaAs Al"Ga, As . Письма в ЖТФ, 1. A I ««Л1976, т.2, № 20, с. 941−942.
- Ашкинази Г. А., Золотаревский Л .Я., Рабкин П. Б., Тимофеев В. Н. и др. Силовые высокотемпературные высокочастотные приборы на основе арсенида галлия. Ученые записки Тартуского ун-та, вып. 466. — Тарту, 1978, с. I59-I6I.
- Ашкинази Г. А., Корольков В. И., Челноков В. Е. Силовые полупроводниковые приборы на основе новых материалов. Материалы У Всесоюзн.коорд.совещ.секции «Полупроводниковые ге-тероструктуры» АН СССР. — Таллин, 1979, с.5−15.
- Диакоцу И.И., Жиляев Ю. В., Негрескул В. В. Арсенид-галлие-вые силовые диоды, полученные газовой эпитаксией. Материалы У Всесоюзн.коорд.совещ.секции «Полупроводниковые ге-тероструктуры» АН СССР. — Таллин, 1979, с.20−24.
- Корольков В.И., Рахимов Н. Тиристоры на основе гетеропереходов в системе GaAs -AlAs . Материалы У Всесоюзн. коорд. совещ. секции «Полупроводниковые гетероструктуры»
- АН СССР. Таллин, 1979, с. 25−29.
- Ашкинази Г. А., Золотаревский Л. Я., Рабкин П. Б., Хамелис Я. Ш. Напряжение отсечки p±N-N- структур с варизонной N -базой. ФТП, 1976, т.10, № 2, с. 286−292.
- Милне А., Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. Пер. под ред. Вавилова B.C. М.: Мир, 1975.-432 с.
- Ашкинази Г. А., Рабкин П. Б. Инжекционные свойства изотипных гетеропереходов. Ученые записки Тартуского гос. ун-та, вып.466. — Тарту, 1978, с. 124−133.
- Корольков В.И., Коничева И. М., Юферев B.C., Яковенко А. А. Прямая ветвь вольтамперной характеристики высоковольтных диодов на основе прямых широкозонных материалов. ФТП, 1978, т.12, № 6, с. II49-II53.
- Алферов Ж.Й., Корольков В. И., Коничева И. М., Юферев B.C., Яковенко А. А. Эффективное управление модуляцией проводимости базовой области арсенид-галлиевых p±nQ-n+ структур. ФТП, 1979, т.13, № 2, с. 271−280.
- Корольков В.И., Романова Е. П., Юферев B.C., Яковенко А. А. Силовые диоды на основе гетеропереходов с базовой областью, модулируемой рекомбинационным излучением. ФТП, 1980, т.14, № 9, с. I689−1693.
- Ашкинази Г. А., Золотаревский Л. Я., Рабкин П. В., Тимофеев В. Н. и др. Электрофизические параметры р±п-п±структур на основе арсенида галлия. Ученые записки Тартуского гос. ун-та, вып.466. — Тарту, 1978, с. 134−144.
- Алферов Ж.И., Ашкинази Г. А., Корольков В. И., Падьюс А. Л., Тимофеев В. Н., Челноков В. Е., Шумилин В. Н. Модуляция проводимости слаболегированной N области p±N-N± структур на основе прямозонных полупроводников. — ФТП, 1978, т.12, № 7, с. I336-I34I.
- Ашкинази Г. А., Киви У. М., Тимофеев В. Н. 0 влиянии фотонной генерации на ПВ ВАХ арсенид-галлиевых р±п-п±структур. -ФТП, 1982, т.16, № 3, с. 493−495.
- Velmre Е., Freidin В., Udal A. Numerical analysis of the on-state of diode structures based on direct-gap semiconductors. Physica Scripta, 1981, v.24, p. 468−471.
- Bumke W.P. Spontaneous radiative recombination in semiconductors. Phys. Rev., 1957, v.105, N 1, p. 139−144.- 2П
- Kuriyama Т., Kamiya Т., Yanai Н. Effect of photon recycling on diffusion length and interval quantum efficiency in
- A1 Ga, As-GaAs heterostructures. Jap. J. Appl. Phys., 1. A I ««л1977, v. 16, p. 465−477.
- Mettler K. Effect of reabsorbed recombination radiation on luminescence and photoconductivity in semi-infinite direct-gap semiconductor. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 49, p. 163−168.
- Ашкинази Г. А., Тогатов В. В. Анализ переходных процессов в р±п-п±гетерострук1уре с варизонной базой. ФТП, 1979, т.13, № 8, с. I475-I48I.
- Ашкинази Г. А., Тогатов В. В. Включение р-п-р-п-структуры с варизонными базовыми областями. ФТП, 1980, т.14, № 7, с. 1259−1265.
- Тогатов В.В. Анализ процесса переключения р±п-п±стргук|1у-ры с варизонной базой. Радиотехника и электроника, 1981, т.26, № 4, с. 810−816.
- Houston D.E., Adler M.S., Wolley E.D. Measurement and analysis of carrier distribution and lifetime in fast switching power rectifiers. IEEE Trans. Electron Devices, 1980, v. ED-27, II 7, p. 1217−1222.
- Велмре Э.Э., Фрейдин Б. П. Численное моделирование переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурах. -Известия вузов СССР. Радиоэлектроника, 1983, т.26, № 6,с. 93−95.
- Носов Ю.Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной схемотехники. М.: Советское радио, 1976, 304 с.
- Дёч Г. Руководство к практическому применению преобразований Лапласа. М.: Наука, 1965. — 288 с.
- Беллман P., Калаба Р. Квазилинеаризация и нелинейные краевые задачи. М.: Мир, 1968, — 184 с.
- Тогатов В.В. К нелинейной теории переходных процессов в диодах и тиристорах. Elektrotechnick^ Sasopis, Bratislava, 1974, 25, IT 7, S. 483−497.
- Тогатов В.В. Расчет процесса включения в квазилинейной модели р-п-р-п-структуры. Радиотехника и электроника, 1977, т.22, № 5, с. 1030−1037.
- Kokosa P.A. The potential and carrier distributions of a p-n-p-n device in the on-state. Proc. IEEE, 1967, v. 55, N 8, p. 1389−1400.
- Ашкинази Г., Золотаревский JI., Кузьмин В., Г^мма К., Хамелис Я. Распределение носителей в структуре реального диода и определение их времен жизни в сильнолегированных областях. Известия АН ЭССР, физика-математика, 1976, т. 25, № 3, с. 299−309.
- Кузьмин В.А., Мнацаканов Т. Т., Шуман В. Б. 0 влиянии электрон-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристик кремниевых многослойных структур при большой плотности тока. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № II, с. 689−693.
- Scharfetter D.L., Gummel H.K. Large signal analysis of a silicon Read diode oscilator. IEEE Trans. Electron Devices, 1969, v. ED-16, N 1, p. 64−77.
- Caughey D.M., Thomas R.E. Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and field. Troc. IEEE, 1967, v. 55, N 12, p. 2192−2193.
- Fletcher N.H. The high current limit for semiconductor junction devices. Proc. IRE, 1957, v.45, N 6, p.862−872.
- Математическая энциклопедия. Гл.ред. Виноградов И. М. М.: Советская энциклопедия, 1977, т.1, с. 752−753.
- Григорьев Б.И., Тогатов В. В. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях диодных и тиристорных структур при больших плотностях токов. Радиотехника и электроника, 1980, т.25, № 5, с. I063-I07I.
- Грехов И.В., Линийчук И. А. Тиристоры, выключаемые током управления. Л.: Энергоиздат, 1982, 96 с.
- Сакс П.Г., Тарма М. Я. 0 динамических параметрах разрабатываемых комбинированно-выключаемых тиристоров. В кн.: Полупроводниковые приборы. — Таллин: Валгус, 1982, с. I07-II0.
- Hall R.N. Recombination processes in semiconductor. -Proc. IEEE, 1959, v. ВЮ6, Suppl. 17, p. 923.
- Varshni Y.P. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI and III-V semiconductors (I). Phys. Stat. Solidi, 1967, v. 19, p. 459−514.
- Ашкинази Г. А. Распределение инжектированных носителей и прямая ветвь вольтамперной характеристики р± n- n+ -гете-роструктур с варизонной базой. Известия АН ЭССР, физика-математика, 1979, т.28, № 2, с. I24-I3I.
- Ашкинази Г. А., Киви У. М., Тимофеев В. Н. Эффективное время жизни ННЗ в слаболегированной и -области арсенид-галлие-вых F^-N -N+ -структур. ФТП, 1981, т.15, № 4, с.718−722.
- России В.В. Исследование эффекта переизлучения в структурах из GaAs с высоким внутренним квантовым выходом излучательной рекомбинации. Автореф. Дис.. канд.физ.-мат. наук. — Л. ЛПИ, 1983. — 140 с.