Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I, III групп на поверхности кремния
Диссертация
На сверхвысоковакуумной установке Riber DEL-300, оснащенной устройствами для исследования поверхности методом дифракции медленных электронов и четырехзондовым методом измерения электрической проводимости было проведено исследование электрической проводимости подложек кремния с различными поверхностными фазами, нанопроволоками меди и островками, а также исследовано влияние величины стабильности… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Наноструктуры на поверхности кремния и их влияние на электрические свойства образца
- 1. 1. Кристаллические и электронные свойства Si (l 11)7×7 и Si (100)2xl
- 1. 1. 1. Si (l 11)7x
- 1. 1. 2. Si (100)2xl
- 1. 2. Исследования электрической проводимости нанообъектов на поверхности
- 1. 2. 1. Электрическая проводимость поверхностных фаз на кремнии
- 1. 2. 2. Электрическая проводимость при различных перестройках структуры поверхности. Зависимость электрической проводимости от температуры
- 1. 2. 3. Электрическая проводимость при наличии дефектов на поверхности
- 1. 2. 4. Проблема сохранения поверхностных фаз при внешних воздействиях
- 1. 2. 5. Анизотропия электрической проводимости структур на поверхности
- 1. 2. 6. Электрическая проводимость нанообъектов на поверхности
- 1. 1. Кристаллические и электронные свойства Si (l 11)7×7 и Si (100)2xl
- 2. 1. Экспериментальная установка
- 2. 1. 1. Сверхвысоковакуумная камера, термопара и источники
- 2. 1. 2. Приготовление образцов
- 2. 2. Методы исследования
- 2. 2. 1. Метод дифракции медленных электронов
- 2. 2. 2. Четырехзондовый метод измерения электрической проводимости
- 2. 2. 3. Другие методы исследования: ДОБЭ, СТМ
- 3. 1. Исследование электрической проводимости поверхностных фаз в системе Ag-Si (l 11) при низкой температуре
- 3. 2. Зависимость электрической проводимости от наличия на поверхности центров рассеяния носителей заряда
- 4. 1. Анизотропия электрической проводимости поверхностных фаз индий-кремний (111) при низкой температуре
- 4. 2. Исследование анизотропии электрической проводимости в системе Cu/Si (l 11)
- 5. 1. Влияние состава поверхностных фаз на их стабильность- Ю
- 5. 2. Электрическая проводимость захороненных поверхностных фаз. Ю
Список литературы
- Allen F.G., Gobeli G.W. Work Function, Photoelectric Threshold, and Surface States of Atomically Clean Silicon // Phis. Rev. — 1962. — V. 127. — P.150 — 158.
- Bauerlle F., Monch W., Henzler M. Correlation of Electronic Surface Properties and Surface Structure on cleaned Silicon Surfaces // J. Appl. Phys. -1972.-V. 43. P.3917 — 3919.
- Takashima A., Hirayama H., Takayanagi K. Formation and healing of defects at the Si (l 11)7×7 surface under low-energy ion bombardment // Phis. Rev. В — 1998. V. 57. — P. 7292 — 7298.
- Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. Structure analysis of Si (l 11)7×7 reconstructed surface by transmission electron diffraction // Surf.Sci. — 1985.-V. 164.-P. 367−392.
- Hasegawa S., Tong X., Takeda S., Sato N., Nagao T. Structures and electronic transport on silicon surfaces // Progress in Surface Science. 1999. — V. 60 — P. 89 — 257.
- Tanikawa Т.,, Matsuda I., Hobara R., Hasegawa S. Variable Micro-Four-Point Probe Method for Surface Electrical Conductivity Measurements in Ultrahigh Vacuum // e J. Surf. Sci. Nanotech. — 2003. — V. 1 — P. 50 — 56.
- Gasparov V.A., Nikolaev K.R. In situ investigations of electrical transport properties of Si (lll) — Pb (V3xV3)R300 surface phases and ultrathin films // Phys. Low — Dim. Struct. — 1996. — V. ½ — P. 53 — 60.
- Avouris Ph., Lyo I — W., Hasegawa Y., in: Rosei R. (Ed.) Chemical, Structural and Electronic Analysis of Heterogeneous Surfaces on Nanometer Scale. Kluwer, Dordrecht, 1997.-P. 1.
- Heike S., Watanabe S., Wada Y., Hashizume T. Electron Conduction through Surface States of the Si (l 1 l)-(Vx7) Surface // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 81 — P. 890 — 893.
- Himpsel F. J., Hollinger G., Pollak R. A. Determination of the Fermi-level pinning position at Si (lll) surfaces // Phys. Rev. B. 1983. — V. 28 — P. 7014 -7018.
- Viernow J., Henzler M., O’Brien W. L., Men F. K., Leisele F. M., Petrvykh D. Y., Lin J. L., Himpsel F. J. Unoccupied surface states on Si (l 1 l) V3>W3-Ag // Phys. Rev. B. 1998. — V. 57 — P.2321 — 2326.
- Yoo K., Weitering H. Surface conductance of Si (l00)2×1 and Si (l 11)7×7 // Surf. Sci. 2001. — V. 482 — 485 — P. 482 — 487
- Hoeven A. J., Lenssink J. M., Dijkkamp D., van Loenen E. J., Dieleman J. Scanning-tunneling-microscopy study of single-domain Si (100) surfaces grown by molecular-beam epitaxy // Phys. Rev. Lett. 1989. — V. 63 -P. 1830 — 1832.
- Redondo A., Goddard W.A. Electronic correlation and the Si (100) surface: Buckling versus nonbuckling // J.Vac.Sci.Technol. 1982. — V. 21 — P. 344 — 350.
- L. S. O. Johansson, R. I. G. Uhrberg, P. Martensson, G. V. Hansson, Phys. Rev. B. 42(1990) 1305.
- Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G. Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si (100) // Phys. Low-Dim. Struct. -1998.-V. 7−8-P. 109−116.
- Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G. Surface conductivity of ultra-thin Na and Au films on Si (100) // Phys. Low-Dim.Struct. 1998. — V. 7−8 — P. 1 -6.
- Tsoukanov D.A., Ryzhkov S.V., Gruznev D.V., Lifshits V.G. The role of the surface phases in surface conductivity // Appl.Surf.Sci. — 2000. V. 162−163 — P. 168−171.
- Tanikawa Т., Yoo K., Matsuda I., Hasegawa S. Nonmetallic transport property of the Si (l 11)7×7 surface // Rhys. Rev. B. 2003. V. 68 — P. 113 303 -113 304.
- Ryjkov S. V., Nagao Т., Lifshits V. G., Hasegawa S. Phase transition and stability of Si (l 1 l)-8×2-In surface phase at low temperatures // Surf. Sci. 2001. V. 488 -P.15 — 22.
- Kanagawa Т., Hobara R., Matsuda I., Tanikawa Т., Natori A., Hasegawa S. Anisotropy in conductance of a quasi-one-dimensional metallic surface state measured by a square micro-four-point probe method // Phys. Rev. Lett. 2003. — V. 91-P. 36 805−36 806.
- Okino H., Matsuda I., Hobara R., Hosomura Y., Hasegawa S. In situ resistance measurements of epitaxial cobalt silicide nanowires on Si (110) // Appl. Phys. Lett.-2005.-V. 86−233 108−3.
- Jiang Ch Sh., Hasegawa S., Ino S. Surface conductivity for Au or Ag on Si (l 11)//Phys. Rev. B. — 1996. — V. 54-P. 10 389- 10 392.
- Kono S., Higashiyama K., Kinoshita Т., Kato H., Oshawa H., Enta Y. Surface and bulk core-level shifts of the Si (l 1 l) V3x3-Ag surface. Evidence for a charged V3xV3 layer// Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 58 — P. 1555 — 1558.
- Johansson L. S. O., Landemark E., Karlsson C. J., Urberg R. I. G. Structure of the (V3xV3)R30 Ag/Si (l 11) surface from 1st principles calculations. Comment and Reply // Phys. Rev. Lett. — 1992. — V. 69 — P. 2451 — 2452.
- Katayama M., Williams R.S., Kato M., Nomura E., Aono M. Structure analysis of the Si (l 11)^3x3 R30-Ag surface // Rhys. Rev. Lett. 1991. — V. 66 -P. 2762 — 2765.
- Yokotsuka Т., Kono S., Suzuki S., Sagawa T. Study of Ag/Si (lll) submonolayer interface I. Electronic structure by angle-resolved UPS // Surf. Sci. — 1983.-V. 127-P. 35 -47.
- Hansson G. V., Urberg R. I. G. X-ray photoelectron diffraction study of the atomic geometry of the Si (l 11)^3x3 R30-Ag surface // Surf. Sci. 1986. — V. 165 -P. 21 -36.
- Ito M., Ro K., Yoneyama S., Ito Y., Uyama H., Mates Т., Ledinsky M., Luterova K., Fojtik P., Stuchlikova H., Fejfar A., Kocka J. Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures // Thin Solid Films 2003. — V. 442 -P. 163- 166.
- Yamazaki S., Matsuda I., Okino H., Morikawa H., Hasegawa S. Electrical Conduction on Various Au/Si (lll) Surface Superstructures // e J. Surf. Sci. Nanotech. — 2005. — V. 3 — P. 497 — 502.
- Zhang H. M., Balasubramanian Т., Urberg R. I. G. Surface electronic structure study of Au/Si (lll) reconstruction: Observation of crystal-to-glass transition // Rhys. Rev. B. 2002. -V. 66 — P. 165 402 — 6.
- Abukawa Т., Sasaki M., Hisamatsu F., Goto Т., Kinoshita Т., Kakizaki A., Kono S. Surface electronic structure of a single-domain Si (l 1 l)4xl-In surface: a synchrotron radiation photoemission study // Surf. Sci. 1995. — V. 325 — P. 33 -44.
- Nakajima Y., Takeda S., Nagao Т., Hasegawa S., Tong X. Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si (lll)V3xV3 -Ag// Rhys. Rev. B. 1997. — V. 56 — P. 6782 — 6787.
- Ryjkov S. V., Nagao Т., Lifshits V. G., Hasegawa S. Surface roughness and electrical resistance on Si (100)2×3-Na surface // Surf. Sci. 2001. — V. 493 — P. 619−625.
- Matsuda I., Ueno M., Hobara R., Lui C., Hasegawa S. Electrical resistance of a monoatomic step on a crystal surface // Phys. Rev. Lett. 2004. — V. 93 — P. 236 801 -4.
- Okino H., Hobara R., Matsuda I., Kanagawa Т., Hasegawa S., Okabayashi J., Toyoda S., Oshima M., Ono K. Nonmetallic transport of a quasi-one-dimensional metallic Si (557)-Au surface // Phys. Rev. B. 2004. — V. 70 — P. 113 404 — 4.
- Бонн Бруевич В. JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1990. — 685 с.
- Цуканов Д.А. Влияние поверхностных фаз Si-Au, Si-Na, Si-In, на электрическую проводимость кремния (100), диссертация на соисканиенаучной степени кандидата физико-математических наук. — Владивосток, 2000. 140 с.
- Headrick R.L., Feldman L.C., Robinson L.K. Stability of boron- and gallium-induced surface structures on Si (111) during deposition and epitaxial growth of silicon //Appl. Phys. Lett. 1989. — V. 55 — P. 442 — 444.
- Headrick R.L., Weir B.E., Levi A.F.J., Eaglesham D.J., Feldman L.C. Buried, ordered structures: boron in Si (lll) and Si (100) // J.Cryst. Growth 1991. V. 111 — P. 838 — 842.
- Zotov A.V., Lifshits V.G., Ditina Z. Z, Kalinin P.A. Formation and electrical characterization of buried Si (lll)-Sb and Si (100)-Sb surface phases // Surf.Sci. -1992. V. 273 — P. L453 — L456.
- Headrick R.L., Robinson I.K., Vlieg E., Feldman L.C. Structure determination of Si (lll):B V3xV3 R30 surface. Subsurface substitutional doping // Phys. Rev. Lett. 1989.-V. 63-P.1253 — 1256.
- Gibson J.M., Gossman H.-J., Benn J.C., Tung R.T., Feldman L.C. Preservation of a 7×7 periodicity at a buried amorphous-Si/Si (l 11) interface // Phys. Rev. Lett. 1986. — V. 56 — P. 355 — 358.
- Akimoto K., Mizuki J., Hirosawa I., Matsui J. Interfacial superstructures studied by grazing incidence X-ray diffraction // Appl. Surf.Sci. 1989. — V. 41 -42-P. 317−322.
- Стародубов А.Г., Медвецкий M.A., Шикин A.M., Прудникова Г. В., Адамчук В. К. Интеркаляция благородных металлов под монослой графита на поверхности Ni(l 11) // Физика твердого тела — 2002. том 44, вып. 4.
- Driskill-Smith A. A. G., Hasko D. G., Ahmed Н. The «nanotriode:» А nanoscale field-emission tube // Appl. Phys. Lett. 1999 — V. 75 — P. 2845 — 2847.
- Zotov A. V., Ryzhkov S. V., Lifshits V. G. Stability of surface reconstructions on silicon during RT deposition of Si submonolayers // Surf. Sci. 1995. V. 328 -P. 95- 104.
- Hedrick R. L., Weir В. E., Levi A. F. J., Eagleshan D. J., Feldman L.C. Buried, ordered structures: boron in Si (lll) and Si (100) // J. Cryst. Growth 1991. — V. Ill-P. 838−842.
- Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon: Preparation, structures and properties. — Chichester, John Wiley & Sons, 1994. — 450 p.
- Weir B.E., Eaglesham D.J., Feldman L.C., Luftman H.S., Headrick R.L. Electron microscopy of the ordered boron 2×1 structure buried in crystalline silicon // Appl.Surf.Sci. 1995. — V. 84 — P. 413 — 418.
- Zotov A.V., Lifshits V.G., Rupp Т., Eisele I. Electrical properties of buried B/Si surface phases // J.Appl.Phys. 1998. — V. 83 — P. 5865 — 5869.
- Zotov A.V., Lifshits V.G., Ditina Z.Z., Kalinin P.A. Formation and electrical characterization of buried Si (lll)-Sb and Si (100)-Sb surface phases // Surf.Sci. -1992. V. 273. — P. L453-L456.
- Zotov A.V., Wittmann F., Lechner J., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G., Eisele I. Formation of buried a-Si/Al/Si, a-Si/Sb/Si and a-Si/B/Si interfaces and their electrical properties // J.Cryst.Growth. 1995. — V. 157. — P. 344−348.
- White C.S., Woodruff D.P. Surface Reconstruction on Si (100) and the Effect of Hydrogen Adsorption // J. Phys. C: Sol. State Phys. 1976. — V.9 — P. 454.
- Devis J. H. The Physics of Low Dimensional Semiconductors. — Cambridge University Press, Cambridge, England, — 1998.
- Crain J. N., Kirakosian A., Altmann K. N., Bromberger C., Erwin S. C., MacChesney J. L., Lin J. — L., Himpsel F. J. Fractional Band Filling in an Atomic Chain Structure // Phys. Rev. Lett. 2003. — V. 90 — P. 176 805 — 4.
- Erwin S. Self-doping of gold chains on silicon: A new structural model for Si (l 1 l)-(5×2)-Au // Phys. Rev. Lett. 2003. — V. 91 — P. 206 101 — 4.
- Okino H., Matsuda I., Tanikawa Т., Hasegawa S. Formation of Facet Structures by Au Adsorption on Vicinal Si (lll) Surfaces // e J. Surf. Sci. Nanotech. — 2003. V. 1 — P. 84 — 90.
- Okino H., Matsuda I., Hobara R., Hosomura Y., Hasegawa S., Bennett P. A. In situ resistance measurements of epitaxial cobalt silicide nanowires on Si (l 10) // Appl. Phys. Lett. 2005. — V. 86 — P. 233 108 — 3.
- Duan X., Huang Y., Cui Y., Wang J., Lieber С. M. Indium Phosphide Nanowires as Building Blocks for Nanoscale Electronic and Optoelectronic Devices // Nature 2001. — V. 409 — P. 66 — 69.
- Tans S. J., Verschueren A. R. M., Dekker C. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube // Nature 1998. — V. 393 — P. 49 — 52.
- Preinesberger C., Vandre S., Kalka Y. S. R., Dahne-Priestch M. Formation of dysprosium silicide wires on Si (001) // J. Phys. D. 1998. — V. 31 — P. L43 — L45.
- Molares M. E. Т., Hohberger E. M., Schaeflein Ch., Blick R. H., Neumann R., Trautmann C. Electrical characterization of electrochemically grown single copper nanowires // Appl. Phys. Lett. 2003. — V. 82 — P. 2139 — 2141.
- J. C. Hensel, R. T. Tung, J. M. Poate, F. C. Unterwald, Phys. Rev. Lett. 54 (1985) 3458.66. von Kanel H. Growth and characterization of epitaxial Ni and Co silicides // Mater. Sci. Rep. 1992. — V. 8 — P. 193 — 269.
- Zimmerman N. M., Liddle J. A., White A. E., Short К. T. Transport in submicrometer buried mesotaxial cobalt silicide wires // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 62-P. 387 -389.
- Marzi G. D., Iacopino D., Quinn A. J., Redmond G. Probing intrinsic transport properties of single metal nanowires: Direct-write contact formation using a focused ion beam // J. Appl. Phys. 2004. — V. 96 — P. 3458 — 3462.
- Smith P. A., Nordquist C. D., Jackson T. N., Mayer T. S., Martin B. R., Mbindyo J., Mallouk Т. E. Electric-field assisted assembly and alignment of metallic nanowires // Appl. Phys. Lett. 2000. — V. 77 — P. 1399 — 1401.
- Wu Y., Xiang J., Yang C., Lu W., Lieber С. V. Single-crystal metallic nanowires and metal/semiconductor nanowire heterostructures // Nature (London) -2004.-V. 430-P. 61 -65.
- Preinesberger С., Becker S. К., Vandre S., Kalka Т., Dahne M. Structure of DySi2 nanowires on Si (OOl) // J. Appl. Phys. 2002. — V. 91 — P. 1695 — 1697.
- Chen Y., Ohlberg D. A. A., Medeiros-Riberiro G., Chang Y. A., Williams R. S. Nanowires of four epitaxial hexagonal silicides grown on Si (001) // J. Appl. Phys. 2002. — V. 91 — P. 3213 — 3218.
- Kavanagh K. L., Reuter M. C., Tromp R. M. High-temperature epitaxy of PtSi/Si (0 0 1) // J. Cryst. Growth 1997. -V. 173 — P. 393 — 401.
- He Z., Stevens M., Smith D. J., Bennett P. A. Epitaxial titanium silicide islands and nanowires // Surf. Sci. 2003. — V. 524 — P. 148 — 156.
- Bennett P. A., Ashcroft В., He Z., Tromp R. M. Growth dynamics of titanium silicide nanowires observed with low-energy electron microscopy // J. Vac. Sci. Technol. В 2002. — V. 20 — P. 2500 — 2504.
- McChesney J. L., Kirakosian A., Bennewitz R., Crain J. N., Lin J. L., Himpsel F. J. Gd disilicide nanowires attached to Si (lll) steps // Nanotechnology — 2002. — V. 13-P. 545 -547.
- Отчет о научно — исследовательской работе «Создание монослоёв на поверхности твердого тела», Владивосток, 2006, с. 111.
- Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. — М.: Металлургия, 1970. — 432 с.
- Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. — М.: Высшая школа, 1975. — 206 с.
- Насос магниторазрядный диодный типа НМД 0,4 — 1. Техническая документация. — 1990. — 28 с.
- Glander G. S., Webb М. В. Na adsorption on Si (100): Dosing results // Surf. Sci. 1989. — V. 222 — P. 64 — 83.
- LeLay G. Physics and electronics of the noble-metal/elemental-semiconductor interface formation: a status report // Surf. Sci. 1983. V. 132 — P. 169 — 204.
- Chambliss D. D., Rhodin T. N. Electronic and atomic structure of the Cu/Si (l 1 l) quasi- 5×5 overlayer // Phys. Rev. В 1990. — V. 42 — P. 1674 — 1683.
- Hirayama H., Baba S., Kinbara A. Electron energy loss measurements of In/Si (l 11) superstructures: Correlation of the spectra with surface superstructures // Appl. Surf. Sci.-1988.-V. 33 -34-P. 193 198.
- Ide Т., Nishimori Т., Ichinokawa T. Surface structures of Si (100)-Al phases // Surf. Sci. 1989. — V. 209 — P. 335 — 344.
- Allen F.G. Emissivity at 0.65 Micron of Silicon and Germanium at High Temperatures//J. Appl.Rhys. 1957. — V. 28. — P. 1510 — 1511.
- Luth H. Solid Surfaces, Interfaces and Thin Films. Berlin: Springer, 2001. -559 p.
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. — М.: Наука, 1978. — 792 с.
- Зотов А. В. Встроенные поверхностные фазы на кремнии, диссертация на соискание научной степени кандидата физико-математических наук. -Владивосток, 1987. — 127 с.
- Hata К., Kimura Т., Takeuchi О., Shigekawa Н. Origin, cause, and electronic structure of the symmetric dimers of Si (100) at 80 К // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. -V. 39-P. 3811 -3814.
- Joyce B. A., Dobson P. J., Neave J. H., Woodbridge K., Zhang J., Larsen P.
- K., Boelger B. RHEED studies of heterojunction and quantum well formationiduring MBE growth from multiple scattering to band offsets // Surf. Sci. — 1986. -V. 168-P. 423−438.
- Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. Tunneling through a controllable vacuum gap // Appl. Phys. Lett. 1982. — V. 40 — P. 178 — 180.
- Wiesendanger R., Giintherodt H. — J. Scanning Tunneling Microscopy III 2nd edn., Springer Ser. // Surf. Sci. 1996. — V. 29.
- Tersoff J., Hamann D. R. Theory of the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. В 1985.-V. 31 — P. 805 — 813.
- Persson B.N. Electronic conductivity of Si (l 1 l)-7×7 // Phys. Rev. B. 1986. — V. 34 — P. 5916- 5917.
- Demuth J. E., Persson B. N. J. Inelastic scattering of slow electrons from Si (lll) surfaces //Phys. Rev. B. 1984. -V. 30-P. 5968 — 5986.
- Stroscio J. A., Ho W. Long-Range Quasielastic Scattering of Low-Energy Electrons by Conduction-Band Surface Plasmons on Si (l 11)7×7 // Phys. Rev. Lett.- 1985.-V. 54-P. 1573 180.
- Shimizu N., Kitada H., Ueda O. Cluster-ordered array on the Si (100) surface formed by A1 deposition // Phys. Rev. В 1995. — V. 51 — P. 5550 — 5553.
- Shimizu N., Kitada H., Ueda О. A1 growth on Si (001) observed by scanning tunneling microscopy // J. Cryst. Growth 1995. — V. 150 — P. l 159 — 1163.
- Oshima Y., Hirata Т., Yokoyama Т., Hirayama H., Takayanagi K. Atomic structure of cluster-ordered array on the Si (001) surface induced by aluminum // Surf. Sci. 2000. V. 465 — P. 81 — 89.
- Ryjkov S.V., Nagao Т., Lifshits V.G. et al. Influence of surface structures on electrical conductivity // WE-Heraeus-Seminar: «2D Conductivity in Surfaces States and Monolayers» 2001. 5 — 8 March, Bad Honnef, Germany.
- Tsoukanov D.A., Ryzhkov S.V., Gruznev D.V., Lifshits V.G. The role of the surface phases in surface conductivity // Appl. Surf. Sci. 2000. — V. 162—163 — P. 168 — 171.
- Jiang C.-S., Hasegawa S., Ino S. Surface conductivity for Au or Ag on Si (l 11) // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54 — P. 10 389- 10 392.
- Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G. Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si (100) // Phys. Low Dim. Struct. — 1999-V. 7/8- P. 7- 16.
- Любезно предоставлено Рыжковым C.B.
- Любезно предоставлено Зотовым А.В.
- Kanagawa Т., Hobara R., Matsuda I., Tanikawa Т., Natori A., Hasegawa S. Anisotropy in conductance of a quasi-one-dimensional metallic surface state measured by a square micro-four-point probe method // Phys. Rev. Lett. — 2003. -V. 91 P. 36 805 -4
- Finney M.S., Norris C., Howes P.B., Van Silfhout R.G., Clark G.F., Thornton J.M.C. An X-ray diffraction study of the Si (l 1 l)(3×3)R30-indium reconstruction // Surf. Sci. 1993. — V. 291 — P. 99 — 109.
- Ahn J.R., Yeom H.W., Yoon H.S., Lyo I.-W. Metal-insulator transition in Au atomic chains on Si with two proximal bands // Phys. Rev. Lett. 2003. — V. 91 -P. 196 403−4.
- Crain J. N., McChesney J. L., Zheng Fan, Gallagher M. C., Snijders P. C., Bissen M., Gundelach C., Erwin S. C., Himpsel F. J. Chains of gold atoms with tailored electronic states // Phys. Rev. В 2004. — V. 69 — P. 125 401 — 10.
- Henzler M., Pfennigtorf O., Lang K., Luer Т., Moresco F., Hildebrandt T. Structure and electronic properties of epitaxial metallic monolayers // Surf. Sci. -1999. V. 438-P. 178- 184.
- Tegenkamp C., Pfnur H. Switching between one- and two-dimensional conductance: Coupled chains in the monolayer of Pb on Si (557) // Surf. Sci. — 2007. V. 601 — P. 2641 — 2646.
- Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G. Stability of surface reconstructions on silicon during RT deposition of Si submonolayers // Surf. Sci. 1995. — V. 328 -P. 95- 104.
- Huang H., Tong S.Y., Yang W.S., Shih H.D., Jona F. Atomic structure of Si (l 11)-(V3xV3)R30-Al studied by dynamical low-energy electron diffraction // Phys. Rev. B. 1990. — V. 42 — P.7483 — 7486.
- Nogami J., Park S., Quate C.F. Behavior of indium on the Si (l 11)7×7 surface at low-metal coverage // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. — V. 6 — P. 1479 -1482.
- Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada Т., Katayama M., Oura K. Ag-induced structural transformations on Si (l 11): quantitative investigation of the Si mass transport // Surf. Sci. 1999. — V. 429-P. 127- 132.
- Saranin A.A., Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada Т., Katayama M., Oura K. Si (100)2×3-Na surface phase: Formation and atomic arrangement // Phys. Rev. В — 1998. V. 58 — P. 4972 — 4976
- Redondo A., Goddard W.A. Electronic correlation and the Si (100) surface: Buckling versus nonbuckling // J. Vac. Sci. Technol. 1982. — V. 21 — P. 344 -350.
- Nogami J., Park S., Quate C.F. Behavior of indium on the Si (l 11)7×7 surface at low-metal coverage // J. Vac. Sci. Technol. В 1988. — V. 6 — P. 1479 -1482.
- Huang H., Tong S.Y., Yang W.S., Shih H.D., Jona F. Atomic structure of Si (lll)V3 x V3 R30 A1 studied by dynamical low-energy electron diffraction // Phys. Rev. B. — 1990. — V. 42 — P. 7483 — 7486.127
- Headrick R.L., Weir B.E., Levi A. F J., Eaglesham D.J., Feldman L.C. Buried, ordered structures: boron in Si (lll) and Si (100) // J. Cryst. Growth 1991. — V. Ill — P. 838 — 842.
- Tsoukanov D.A., Ryzhkov S.V., Gruznev D.V., Lifshits V.G. The role of the surface phases in surface conductivity // Appl. Surf. Sci. 2000. — V. 162−163. — P. 168−171.
- Hollinger G., Himpsel F.J. Oxygen chemisorption and oxide formation on Si (lll) and Si (100) surfaces // J. Vac. Sci. Technol. A 1983. — V. 1. — P. 640 -645.
- Постановление правительства Российской Федерации от 9 июня 2007 г. N 364 «О Правительственном совете по нанотехнологиям».
- Любезно предоставлено к.ф. — м.н. Утасом О.А.