О роли примесей в формировании электронных свойств и пиннинга дислокаций в кремнии
Диссертация
Кремний является основой современной микроэлектроники и солнечной энергетики и такая ситуация сохранится еще как минимум 10 лет. Бурное развитие кремниевой микроэлектроники во многом обеспечивается успехами в области «инженерии дефектов» в кремнии, основанной на понимании процессов генерации, диффузии и взаимодействия различных собственных и примесных дефектов. Современная «инженерия дефектов… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
- 1. 1. Дислокации в кремнии и роль примесей в формировании их свойств
- 1. 1. 1. Особенности использования DLTS-спектроскопии для исследования дислокаций в кремнии
- 1. 1. 2. Захват и эмиссия носителей заряда на протяженных дефектах: эффект кулоновского барьера и туннелирования между состояниями
- 1. 1. 3. Качественные критерии для определения типа состояний по поведению DLTS-спектров
- 1. 1. 4. Экспериментальные результаты изучения дислокационных уровней при помощи метода DLTS
- 1. 1. 5. Излучательная рекомбинация носителей в пластически деформированном кремнии («дислокационная люминесценция»)
- 1. 1. 6. Влияние дислокационной предыстории на электронные свойства дислокаций
- 1. 2. Роль спиновой подсистемы при взаимодействии структурных дефектов в твердых телах (спин-зависимые реакции дефектов)
- 1. 2. 1. Общие принципы протекания спин-зависимых реакций
- 1. 2. 2. Обзор результатов по «магнито-пластическим эффектам»
- 1. 3. Подвижность и стартовые напряжения для движения дислокаций в кремнии
- 1. 4. Выводы и постановка задачи
- 1. 1. Дислокации в кремнии и роль примесей в формировании их свойств
- ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
- 2. 1. Исходные характеристики образцов использованных в работе
- 2. 2. Измерения подвижности и стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций
- 2. 3. Приготовление образцов с высокой плотноситью дислокаций для исследования методами DLTS и люминесценции. Проведение алюминиевого и фосфорного гетерирования и водородной пассивации
- 2. 4. Измерения DLTS
- 2. 5. Измерения люминесценции и LBIC
- ГЛАВА 3. ИЗУЧЕНИЕ СПИН-ЗАВИСИМЫХ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ С КИСЛОРОДОМ В КРЕМНИИ
- 3. 1. Влияние постоянного магнитного поля на стартовые напряжения для движения индивидуальных дислокаций
- 3. 2. Влияние термической предыстории дислокаций на величину эффекта изменения стартовых напряжений дислокаций после действия магнитного поля
- 3. 3. Совместное влияние постоянного и микроволнового магнитных полей на величину стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций в Cz-S
- 3. 4. Интерпретация экспериментальных результатов представленных в главе 3
- ГЛАВА 4. РОЛЬ ПРИМЕСИ В ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ И БЕЗИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ НА ДИСЛОКАЦИЯХ
- 4. 1. Изменение концентрации глубоких уровней и интенсивности люминесценции после гетерирования алюминием пластически деформированного кремния
- 4. 2. Влияние на фотолюминесценцию декорированием дислокаций примесью N
- 4. 3. Влияние водородного пассивирования и фосфорного гетерирования на квантовую эффективность дислокационной люминисценции и спектры DLTS дислокаций
- 4. 4. 1. Исследование электролюминесценции в дислокационных р-п структурах
- 4. 4. 2. Спектры излучения, эффективность, характерное время отклика и спектры оптического поглощения наших дислокационных светодиодов
- 4. 5. Обсуждение результатов представленных в главе 4
Список литературы
- H.Alexander, «Dislocations» in Material Science and Technology (Eds. R.W.Cahn, P. Haasen, E.J.Kramer), vol.4: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, VCH Weinheim, 1991
- S. Marklund, Energy levels of intrinsic and extrinsic stacking faults // Phys.Stat.Sol.(b), 108, 97 (1981)
- H. Teichler // Inst.Phys.Conf.Ser. 104, 57 (1989)
- B.A. Гражулис, B.B. Кведер, В. Ю. Мухина, Ю. А. Осипьян, Исследование высокочастотной проводимости дислокаций в кремнии // Письма в ЖЭТФ, 24, 164(1976)
- M.Brohl, M. Dressel, H.W.Helberg, H. Alexander, Microwave conductivity investigations of plastically deformed silicon // Phil.Mag. B61, 97 (1990)
- E.I. Rashba, V.I. Sheka, Electric-Dipole Spin Resonances in «Landau Level Spectroscopy» (Edited by G. Landwehr, E.I.Rashba), Elsevier Science Publishers B.V., 1991
- V. Kveder, T. Sekiguchi, K. Sumino, Electronic states associated with dislocations in p-type silicon studied by means of electric-dipole spin resonance and deep-level transient spectroscopy // Phys. Rev. B, 51(23) 16721(1995)
- Баженов A.B., Красильникова Л. Л., Поглощение света в поле упругих напряжений дислокаций в кремнии и арсениде галлия // ФТТ, т. 28 (1), 235 (1986)
- D.V. Lang, J. Appl. Phys., Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // 45 (7), 3014 (1974)
- L.C. Kimerling, J.R. Patel, Defect states associated with dislocations in silicon // Appl. Phys. Lett., v. 34, 73 (1979)
- V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth, On the energy spectrum of dislocations in silicon // Phys. Stat. Sol. (a), 72, 701 (1982)
- W. Schroter, J. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel and M. Seibt, Bandlike and localized states at extended defects in silicon // Phys. Rev. В 52, 13 726 (1995)152
- W. Schroter, H. Hedemann, V. Kveder, F. Riedel, Measurements of energy spectra of extended defects // J. Phys.: Condens. Matter 14, 13 047−13 059 (2002)
- V.Kveder, W. Schroter, M. Seibt, A. Sattler, Electrical Activity of Dislocations in Si Decorated by Ni // Solid State Phenomena 82−84, 361−366 (2002)
- H. Hedemann, W. Schroter, Deep-level transient-spectroscopy for localized states at extended defects in semiconductors // J. Phys. Ill France 7, 1389 (1997)
- H. Hedemann, W. Schroter, Influence of electric field-enhanced emission on deep level transient spectra of bandlike extended defects: NiSi2-precipitates in silicon // Solid State Phenomena, 57−58, 293 (1997)
- A. Sattler, H. Hedeman, A. Istratov, M. Seibt, W. Schroter, The nature of the electronic states of Cu3Si-precipitates in silicon // Solid State Phenomena, 63−64, 369 (1998)
- F. Riedel, W. Schroter, Electrical and structural properties of nanoscale NiSi2 precipitates in silicon // Phys. Rev. B, 62, 7150 (2000)
- P. Omling, E.R. Weber, L. Montelius, H. Alexander, J. Michel, Electrical properties of dislocations and point defects in plastically deformed silicon // Phys. Rev. B, v. 32 (10), 6571 (1985)
- C. Kisielowski, J. Palm, B. Boiling, H. Alexander, Inhomogeneities in plastically deformed silicon single crystals. I. ESR and photo-ESR investigations of p- and n- doped silicon // Phys. Rev. В 44, 1588 (1991)
- С. Kisielowski, E.R. Weber, Inhomogeneities in plastically deformed silicon single crystals. II. Deep-level transient spectroscopy investigations of p- and n-doped silicon // Phys. Rev. В 44,1600 (1991)
- H.A. Дроздов, A.A. Патрин, В. Д. Ткачев, Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в ЖЭТФ, т. 23, вып. 11, 651 (1976)
- N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.D. Tkachev, On the nature of the dislocation luminescence in silicon // Phys. Stat. Sol. (b) 83, K137 (1977)
- M. Suezawa, K. Sumino, The nature of photoluminescence from plastically ^ deformed silicon // Phys. Stat. Sol. (a), 78, 639 (1983)
- H. Alexander, С. Kisielowski-Kemmerich, E.R. Weber // Physica В, 116, 583 (1983)
- R.H. Uebbing, P. Wagner, H. Baumgart, H.J. Queisser, Luminescence in slipped and dislocation-free laser-annealed silicon // Appl. Phys. Lett. 37, 1078 (1980)
- A.H. Изотов, Э. А. Штейнман, Поляризация линий дислокационной люминесценции в кремнии // ФТТ, т.28 (4), 1015 (1986)
- К. Weronek, Thesis Stuttgart (1992)
- Yu.S. Lelikov, Yu.T. Rebane, S. Ruvimov, A.A. Sitnikova, D.V. Tarhin, Yu.G. Shreter // Phys. Stat. Sol (b), 172, 53 (1992)
- R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.-H. Kusters, H. Alexander, Dislocation-related luminescence in silicon // Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)
- M. Suezawa, K. Sumino, Photoluminescence from dislocated silicon crystals // J. Physique, 44, C4−133 (1983)
- R.Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander, Dissociation-width-dependent radiative recombination of electrons and holes at widely split dislocations in silicon // Phys. Rev. Letters 57, 1472 (1986)
- K. Wessel, H. Alexander, On the mobility of partial dislocations in Si // Phil. Mag. 35, 1523 (1977)
- B.B. Кведер, А. И. Шалынин, Э. А. Штейнман, A.H. Изотов, Влияние расщепления дислокаций на величину g-фактора дырок в одномерной дислокационной зоне // ЖЭТФ, 110,1497 (1996)
- Т. Sekiguchi, К. Sumino, Cathodoluminescence study on dislocations in silicon // J. Appl. Phys. 79, 3253 (1996)
- V. Higgs, E.C. Lightowlers, S. Tajbakhsh, P.J. Wright, Cathodoluminescence imaging and spectroscopy of dislocations in Si and Sii. xGex alloys // Appl. Phys. Lett. 61 (9), 1087 (1992)
- A.T. Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, T. Frauenheim, Dislocation related photoluminescence in silicon // Phys. Rev. Lett. 87, 187 404 (2001)
- R. Jines, B.J. Coomer, J.P. Goss, S. Oeberg, P.R. Briddon, Intrinsic defects and the D1 to D4 optical bands detected in plastically deformed Si // Phys. Stat. Sol. (b), 222, 133 (2000)
- S. Pizzini, M. Acciarri, E. Leoni, A. Le Donne, About the D1 and D2 dislocation luminescence and its correlation with oxygen segregation // Phys. Stat. Sol. (b), 222, 141 (2000)
- A. Kenyon, E. Steinman, C. Pitt, D. Hole, V. Vdovin, The origin of the 0.78 eV luminescence band in dislocated silicon // J. Phys.: Condens. Matter, 16, S2843 (2004)
- Э.А. Штейнман, Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода // ФТТ, т.47 (1), 9 (2005)
- V.V. Kveder, Е.А. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss, Dislocation-related electroluminescence at room temperature in plastically deformed silicon // Phys. Rev. B, 51(16), 10520(1995)
- L. Pavesi, Will silicon be the photonic material of the third millenium? // J. Phys.: Condens. Mater. 15, R1169 (2003)
- E.O. Sveinbjornsson, J. Weber, Room temperature electroluminescence from dislocation-rich silicon // Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
- В.Г. Еременко, В. И. Никитенко, Е. Б. Якимов, Н. А. Ярыкин, Донорное действие дислокаций в монокристаллах n-Si, ФТП // т. 12(2), 273 (1978)
- O.V. Kononchuk, V.I. Nikitenko, V.I. Orlov, E.B. Yakimov, Effect of dislocation loop size on the deep level transient spectrum in Si // Phys. Stat. Sol. (a), 145, K5 (1994)
- S. Martinuzzi, I. Perichaud, J.J. Simon, External gettering by aluminium-silicon alloying observed from carrier recombination at dislocations in float zone silicon wafers // Appl. Phys. Lett. 70, 2744, (1997)
- J.J. Simon, I. Perichaud, N. Burle, M. Pasquinelli, and S. Martinuzzi, Influence of phosphorus diffusion on the recombination strength of dislocations in float zone silicon wafers // J. Appl. Phys. 80, 4921 (1996)
- V.Kveder, W. Schroter, A. Sattler, M. Seibt, Simulation of A1 and phosphorus-diffusion gettering in Si I I Materials Science&Engineering B71, 175−181 (2000)
- V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter, Recombination activity of contaminated dislocations in silicon: A model describing electron-beam-induced current contrast behavior // Phys. Rev. B, 63, 115 208 (2001)
- M.H. Золотухин, B.B. Кведер, Ю. А. Осипьян, Влияние водорода на дислокационные донорные и акцепторные состояния // ЖЭТФ, т. 82, вып. 6, 2068 (1982)
- Ю.А. Осипьян, A.M. Ртищев, Э. А. Штейнман, Е. Б. Якимов, Н. А. Ярыкин, Взаимодействие дислокаций с водородом и кислородом в кремнии // ЖЭТФ, т. 82 (2), 509 (1982)
- V.V. Kveder, R. Labusch, Yu. A. Ossipyan, The exodiffiision of hydrogen in dislocated crystalline silicon//Phys. Stat. Sol. (a), 84, 149 (1984)
- V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, I.R. Sagdeev, A.I. Shalynin, M.N. Zolotukhin, The effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon // Phys. Stat. Sol. (a), 87, 657 (1985)
- V. Higgs, M. Kittler, Influence of hydrogen on the electrical and optical activity of misfit dislocations in Si/SiGe epilayers // Appl. Phys. Lett., 65, 2804 (1994)
- V. Higgs, M. Goulding, A. Brinklow, P. Kightley, Characterization of epitaxial and oxidation-induced stacking faults in silicon: The influence of transition-metal contamination// Appl. Phys. Lett., 60, 1369 (1992)
- P.3. Сагдеев, T.B. Лешина, M.A. Камха // Изв. АН СССР. Сер. хим. 9, 2128 (1972)
- Р.З. Сагдеев, К. М. Салихов, Т. В. Лешина, М. А. Камха, С. М. Шейн, Ю. Н. Молин, Влияние магнитного поля на радикальные реакции // Письма в ЖЭТФ 16, 7, 599 (1972)
- И.А. Соколик, Е. Л. Франкевич, Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах // УФН 111, 2,261 (1973)
- Я.Б. Зельдович, A.JI. Бучаченко, E.JI. Франкевич, Молекулярно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике //УФН 155, 1,3 (1988)
- A.JI. Бучаченко, Р. З. Сагдеев, К. М. Салихов. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Наука, Новосибирск (1978). 296 с
- A.L. Buchachenko, MIE versus CIE: Comparative Analysis of Magnetic and Classical Isotope Effects // Chem. Rev. 95, 7, 2507 (1995)
- B. Brocklehurst//Nature 221, 921 (1969)
- R. Kaptein, J.L. Oosterhoff, Chemically induced dynamic nuclear polarization II: (Relation with anomalous ESR spectra) // Chem. Phys. Lett. 4, 4, 195 (1969)
- U.E. Steiner. T. Ulrich, Magnetic field effects in chemical kinetics and related phenomena//Chem. Rev. 89,1, 51 (1989)
- A.L. Buchachenko, V.L. Berdindky, Spin catalysis of chemical reactions // J. Phys. Chem. 100,47, 18 292 (1996)
- JI.A. Чеботкевич, A.A. Урусовская, B.B. Ветер, А. Д. Ершов, Взаимодействие Блоховских стенок с дислокациями в слабых полях // ФТТ 9, 1093 (1967)
- S. Hayashi, S. Takahashi, М. Yamamoto //. Phys. Lett. A 42, 171 (1972)
- В.Я. Кравченко, О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций//Письма в ЖЭТФ 12, 11,551 (1970)
- В.П. Лебедев, B.C. Крыловский, Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнитном поле // ФТТ 27, 5, 1285 (1985)
- J.M. Galligan, P.D. Goldman, L. Motowidlo, J. Pellegrino, Electron dislocation drag at low temperatures // J. Appl. Phys. 59, 3747 (1986)
- J.M. Galligan, T.N. Lin, C.S. Pang, Electron-Dislocation Interaction in Copper // Phys. Rev. Lett. 38, 8, 405 (1977)
- A.M. Гришин, E.A. Канер, Е. П. Фельдман, Электронное торможение дислокаций в магнитном поле // ЖЭТФ 70, 4, 1445 (1976)
- М.И. Каганов, В. Я. Кравченко, В. Д. Нацик, Электронное торможение дислокаций в металлах // УФН 111,4, 655 (1973)
- В.И. Альшиц, Е. В. Даринская, Т. М. Перекалина, А. А. Урусовская, О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ 29,2, 467 (1987)
- В.И. Альшиц, Е. В. Даринская, O.JI. Казакова, Е. Ю. Михина, Е. А. Петржик, Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация парамагнитный центр // Письма в ЖЭТФ 63, 8, 628 (1996)
- В.И. Альшиц, Е. В. Даринская, Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов // Письма в ЖЭТФ 70, 11, 749(1999)
- Е.В. Даринская, Е. А. Петржик, С. А. Ерофеева, В. П. Кисель, Магнитопластический эффект в InSb // Письма в ЖЭТФ 70, 4, 298 (1999)
- Yu. I. Golovin, R. В. Morgunov, and S. E. Zhulikov, The Role of Internal Mechanical Stresses in Dislocation Motion Stimulated by Magnetic Field // Crystallography Reports, Vol. 43, No. 4, 640 (1998)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, C.E. Жуликов, Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля //Изв. РАН. Сер. физ. 61, 5, 965 (1997)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, С. Е. Жуликов, В. А. Киперман, Д. В. Лопатин, Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ 39, 4, 634 (1997)
- Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, A.V. Tyutyunnik, The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on dislocation dynamics in ionic crystals // Phys. Stat. Sol. (b) 189, 1, 75 (1995)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, B.E. Иванов, In situ исследования влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах КС1: Са // ФТТ 39,4, 630 (1997)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ 61,7, 583(1995)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, С. Е. Жуликов, A.M. Карякин, Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. РАН. Сер. физ. 60, 9, 1 731 996)
- А.А. Урусовская, В. И. Альшиц, А. Е. Смирнов, Н. Н. Беккауэр, О влиянии магнитного поля на предел текучести и кинетику макропластичности кристаллов LiF // Письма в ЖЭТФ 65, 6, 470 (1997)
- В.И. Альшиц, Н. Н. Беккауэр, А. Е. Смирнов, А. А. Урусовская, Влияние магнитного поля на предел текучести NaCl // ЖЭТФ 115, 3, 951 (1999)
- Б.И. Смирнов, Н. Н. Песчанская, В. И. Николаев, Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaN02 // ФТТ 43, 12, 2154 (2001)
- Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Под ред. Ю.А. Г Осипьяна. Эдиториал УРСС, М. (2000). 320 с
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, М. В. Бадылевич, С. З. Шмурак, Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ 39, 8,13 891 997)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, А. А. Дмитриевский, С. З. Шмурак, Влияние света на магнитостимулированную релаксацию внутренних напряжений в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер. физ. 62, 7, 1296 (1998)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, С. Е. Жуликов, А. А. Дмитриевский, Смещение максимума оптического гашения магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl вызванное старением // Кристаллография 45, 4, 738 (2000)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, А. А. Баскаков, М. В. Бадылевич, С. З. Шмурак, Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS 11 Письма в ЖЭТФ 69, 2, 114 (1999)
- В.И. Алыииц, Е. В. Даринская, Е. Ю. Михина, Е. А. Петржик, О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллахNaCl // ФТТ35, 5,1397(1993)
- В.И. Алыпиц, Е. В. Даринская, Е. Ю. Михина, Е. А. Петржик, Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле // ФТТ 38, 8,2426(1996)
- V. I. Alshits, Е. V. Darinskaya, О. L. Kazakova, Е. Yu. Mikhina and Е. А. Petrzhik, Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction // Journal of Alloys and Compounds V. 211−212, 548 (1994)
- A.A. Урусовская, В. И. Алыпиц, H.H. Беккауэр, А. Е. Смирнов, Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей // ФТТ 42, 2,267 (2000)
- В.А. Макара, Л. П. Стебленко, Н. Я. Горидько, В. М. Кравченко, А. Н. Коломиец, О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ 43, 3, 462 (2001)
- А.А. Скворцов, Л. И. Гончар, A.M. Орлов, Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // ФТТ 45, 4, 613 (2003)
- А.А. Скворцов, A.M. Орлов, В. А. Фролов, Л. И. Гончар, О. В. Литвиненко, Влияние магнитного поля на акустическую эмиссию в дислокационном кремнии при токовых воздействиях // ФТТ 42, 10, 1814 (2000)
- Е.Л. Франкевич, Е. И. Балабанов, Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ 1, 6, 33 (1965)
- V.I. Lesin, V.P. Sakun, A.I. Pristupa, E.L. Frankevich, Reaction yield detected magnetic resonance spectra of intermediate pairs of triplet exitons // Phys. Stat. Sol. В 84, 2,513(1977)
- E.L. Frankevich, M.M. Tribel, I.A. Sokolik, A.I. Pristupa, Magnetic-resonant modulation of photoconductivity of crystalline charge transfer complexes. Antracene-tetracyanbenzene//Phys. Stat. Sol. В 87, 1, 373 (1978)
- ЕЛ. Франкевич, А. И. Приступа, В. М. Кобрянский, Новый эффект магиито-резонансиого изменения сопротивления органического полупроводника: слабо легированный полиацителен // Письма в ЖЭТФ 40, 1, 13 (1984)
- R.C. Johnson, R.E. Merrifield, P. Avakian, R.B. Flippen, Effects of magnetic fields on the mutual annihilation of triplet excitons in molecular crystals // Phys. Rev. Lett. 19, 5, 285 (1967)
- B.A. Гражулис, B.B. Кведер, Ю. А. Осипьян, Влияние спинового состояния дислокаций на проводимость кристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ, 21 (12), 708−711, (1975)
- В.В. Кведер, Ю. А. Осипьян, А. И. Шалынин, Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // ЖЭТФ, 83(2), 699−714 (1982)
- В.В. Кведер, Ю. А. Осипьян, А. И. Шалынин, Спин-зависимое изменение высокочастотной фотопроводимости кристаллов кремния с дислокациями // ЖЭТФ, 88(1), 309−317, (1985)
- И.А. Коломиец, JI.C. Мима, В. И. Стриха, О. В. Третьяк, Спин-зависимый перенос тока в пластически деформированном кремнии // ФТП. 13,427 (1979)
- V.V.Kveder, P. Omling, H.G.Grimmeiss, Yu.A.Osipian, Optically detected magnetic resonance of dislocations in silicon // Phys.Rev.B, 43(8), 6569−6572, (1991).
- P.Omling, V. Kveder, B.K.Meyer, K. Oettinger, U. Kaufmann, O. Kordina, Optically detected magnetic-resonance observervation of spin-dependent interdefect electron transfer in GaP:(V, S) system // Phys.Rev.B 47(19), 1 252 712 531 (1993)
- B.C. Cavenett // Adv. Phys. 30, 4, 475 (1981)161
- П.Г. Баранов, Н. Г. Романов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 50, 2, 224 (1986)
- В.И. Альшиц, Е. В. Даринская, Е. А. Петржик, «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления//ФТТ 33, 10,3001 (1991)
- М.И. Молоцкий, Возможный механизм магнитопластического эффекта // ФТТ 33, 10,3112(1991)
- М. Molotskii, V. Fleurov // Phil. Mag. Lett. 73, 1, 11 (1996)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, В. Е. Иванов, С. Е. Жуликов, А. А. Дмитриевский, Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ 68, 5,400(1998)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, В. Е. Иванов, А. А. Дмитриевский, Радиочастотные спектры парамагнитного резонанса, детектируемые по смещению дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ 41, 10, 1778 (1999)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, В. Е. Иванов, А. А. Дмитриевский, Эффекты разупрочнения ионных кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний структурных дефектов в условиях парамагнитного резонанса // ЖЭТФ 117, 6, 1080 (2000)
- Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов, А. И. Тюрин, В. И. Иволгин, Магнитный резонанс в короткоживущих состояниях комплексов структурных дефектов, детектируемый по смещению дислокаций в кристаллах NaCl // Докл. АН 361, 3, 352 (1998)
- Е.Л. Франкевич, А. И. Приступа, Магнитный резонанс возбужденных комплексов с переносом заряда, регистрируемый по флуоресценции при комнатной температуре // Письма в ЖЭТФ 24, 7, 397 (1976)
- A.M. Орлов, А. А. Скворцов, Л. И. Гончар, Магнитосгимулированное изменение подвижности дислокаций в пластически деформированном кремнии п-типа // ФТТ 43, 7, 1207 (2001)
- A.M. Орлов, А. А. Скворцов, А. А. Соловьев, Поведение дислокаций в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // ЖЭТФ, 123, 590 (2003)
- М. Н. Левин, Б. А. Зон, Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si // ЖЭТФ 111, 1373 (1997)
- А. А. Скворцов, А. М. Орлов, Л. И. Гончар, Влияние слабого магнитного поля на подвижность дислокаций в кремнии // ЖЭТФ 120, 134 (2001)
- Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 599 с
- В.И. Никитенко, Подвижность дислокаций в потенциальном рельефе Пайерлса в кн. Динамика дислокаций, Киев: Наукова думка, 7 (1975)
- N.F. Mott, F.R. Nabarro, Dislocation theory and transient creep // Rep. Conf. Strength of Solids, London, p. l (1947)
- A.R. Chandhuri, J.P. Patel, L.G. Rubin, Velocities and densities of dislocations in germanium and other semiconductor crystals // J. Appl. Phys., 33(8), 2736(1962)
- T. Suzuki, H. Kojima, Dislocation motion in silicon crystals as measured by the Lang X-ray technique // Acta Met., 14(8), 913 (1966)
- В.И. Никитенко, B.H. Ерофеев, H.M. Надгорная, Исследование подвижности дислокаций в кремнии — в кн. Динамика дислокаций, Харьков: ФТИНТ АН УССР, 1968, с. 84
- N.V. Erofeev, V.I. Nikitenko, V.B. Osvenskii, Effect of impurities in individual dislocation mobility in silicon // Phys. Stat. Sol., 35(1), 79 (1969)
- B.H. Ерофеев, В. И. Никитенко, Подвижность дислокаций в кремнии, содержащем примеси замещения и внедрения // ФТТ, 13(1), 146 (1971)
- В.Н. Ерофеев, В. И. Никитенко, Сопоставление экспериментальных данных и теории подвижности дислокаций в кремнии // ЖЭТФ, 60 (5), 1780 (1971)
- V.C. Kannon, J. Washburn, Direct dislocation velocity measurements in silicon by X-ray topography //J. Appl. Phys., 41(9), 3589 (1970)
- A. George, С. Escaravage, G. Champier, W. Schroter, Velocities of screw and 60°-dislocations in silicon // Phys. Stat. Sol. (b), 53(2), 483(1972)
- J.R. Patel, F.E. Freeland, Change of dislocation velocity with Fermi level in silicon // Phys. Rev. Lett., 18(20), 833 (1967)
- J. Lothe, J.R. Hirth, Dislocation Dynamics at low temperatures // Phys. Rev. B, 115(3), 543(1959)
- A.T. Казанцев, В.JI. Покровский, Подвижность дислокаций в решетке с большими барьерами Пайерлса // ЖЭТФ, 58(2), 677 (1970)
- В.И. Рыбин, А. Н. Орлов, Подвижность дислокаций в кристаллах с высоким пайерлсовским рельефом // ФТТ, 11(12) 3605 (1969)
- Б.В. Петухов, О влиянии точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса// ФТТ, 13(5), 1445 (1971)
- Б.В. Петухов, В. Л. Покровский, О влиянии заряженных примесей на подвижность дислокаций в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса // ФТТ, 13(12), 3679 (1971)
- H.L. Frisch, J.R. Patel, Chemical influence of holes and electrons on dislocation velocities in semiconductors // Phys. Rev. Lett, 18(12), 784 (1967)
- J.R. Patel, L.R. Testardi, P.E. Freeland, Electronic effects on dislocation velocities in heavily doped silicon // Phys. Rev. B, 13(8), 3548 (1976)
- P. Haasen, Kinkenbilung in geladenen Versetzungen // Phys. Stat. Sol. (a), 28(1), 145 (1975)
- В.И. Альшиц, В. Л. Инденбом, Динамика дислокаций — в кн. Проблемы современной кристаллографии, М.: Наука, 1975, с. 218
- J.R. Patel, P.E. Freeland, Burgers vector of dislocations generated for dislocation velocity measurements in semiconductors // J. Appl. Phys. 41(8), 2814 (1971)
- И.Е. Бондаренко, В. Г. Еременко, В. И. Никитенко, Электронно-микроскопическое исследование особенностей движения дислокаций всильнолегированных кристаллах кремния // Доклады АН СССР, т. 229 (5), 1087
- I.E. Bondarenko, V.J. Nikitenko, Effect of impurities on dislocation mobility in crystals with high peierls barriers // Acta cryst., v. A34, 242 (1978)
- Орлов A.H. Взаимодействие атомов примеси с перегибами на движущихся дислокациях // ФТТ, 22(12), 3580 (1980)
- Sun Z.C., Ке T.S. Interaction between a moving kink and the point defects migrating along the dislocation // Scr. Met., 15(7), 763 (1981)
- Петухов Б.В., Сухарев В. Я. О влиянии упругих полей точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе // ФТТ, 23(4), 1093(1981)
- Петухов Б.В. Об эффекте разупрочнения материалов примесями // Письма в ЖТФ, 8(14), 833 (1982)
- Петухов Б.В. О режимах движения дислокаций, контролируемых подвижностью солитонов // ФТТ, 25(6), 1822 (1983)
- Петухов Б.В. О стартовых напряжениях при движении дислокаций в потенциальном рельефе кристаллической решетки // ФТТ, 24(2), 439 (1982)
- Петухов Б.В., Влияние динамического старения дислокаций на деформационное поведение примесных полупроводников // ФТП, т 36 (2), 129 (2002)
- Петухов Б.В., Различные типы динамики дислокаций как следствие их динамического старения // ЖТФ, т. 73 (7), 82 (2003)
- Б.В. Петухов, Ю. Л. Иунин, В. И. Никитенко, Прочность идеального кристалла, дислокации и кинки // Известия РАН, сер. физическая, т. 67 (6), 759(2003)
- I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov // The effect of thermal treatment on electrical activity and mobility of dislocations in Si, Phys. Stat. Sol. (a), 60, 341 (1980)
- M.I. Heggie, R. Jones, A. Umerski, Ab initio total energy calculations of impurity pinning in silicon // Phys. Stat. Sol. (a) 138, 383 (1993)165
- К. Sumino // Impurity reaction with dislocations in semiconductors, Phys. Stat. Sol. (a), 171,111 (1999)
- K. Sumino, I. Yonenaga, Dislocation mobilities in c-Si // Properties of crystalline silicon, edited by R. Hull, INSPEC, London, UK, 113 (1999)
- S. Senkader, K. Jurkschat, D. Gambaro, R. Falster, P. Wilshaw, On the locking of dislocations by oxygen in silicon // Phil. Mag. A, 81 (3), 759 (2001)
- S. Senkader, P. Wilshaw, R. Falster Oxygen-dislocation interaction in silicon at temperatures below 700°C: Dislocation locking and oxygen diffusion // J. Appl. Phys., 89 (9), 4803 (2001)
- S. Senkader, A. Giannattasio, R. Falster, P. Wilshaw, On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures // J. Phys. Condens. Matter, 14, 13 141 (2002)
- A. Giannattasio, S. Senkader, S. Azam, R. Falster, P. Wilshaw, The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers // Microelectronic Engineering, 70, 125 (2003)
- A. Umerski, R. Jones, The interaction of oxygen with dislocation cores in silicon // Phil. Mag. A, 67, 905 (1993)
- K. Sumino, M. Imai // Phil. Mag. A, 47, 753 (1983)
- W. Schroter, M. Seibt, Solubility and diffusion of transition metal impurities in c-Si // Properties of crystalline silicon, edited by R. Hull, INSPEC, London, UK, 543 (1999)
- D.V. Pons, Determination of the free energy level of deep centers, with application to GaAs // Appl. Phys. Lett., v.37, 413−415 (1980)
- B.M. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер, Кислород в монокристаллах кремния, К.: Интерпресс ЛТД, 1997, 240с.
- J. С. Jr. Mikkelsen // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59,19 (1986)
- M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece and M Gal, Efficient silicon light-emitting diodes // Nature 412, 805 (2001)
- W. Schroter, H. Cerva, Interaction of point defects with dislocations in silicon and germanium: electrical and optical effects // Solid State Phenomena 85−86, 67 (2002)
- W. Schroter, V. Kveder, H. Hedemann, Electrical effects of point defect clouds at dislocations in silicon, studied by deep level transient spectroscopy // Sol. St. Phenomena 82−84,213 (2002)
- M. Suezawa, Y. Sasaki, Y. Nishina, K. Sumino, Radiative recombination on dislocations in silicon crystals // Jpn. J. Appl. Phys. 20, L537 (1981)
- Weronek K., Weber J., and Queisser H.J. // Phys.St.Sol. (a) 137, 543 (1993)
- Steinman E.A. and Grimmeiss H.G., Dislocation-related luminescence properties of silicon // Semicond. Sci.Technol. 13, 124 (1998)
- O.A. Feklisova, A.L. Parakhonsky, E.B. Yakimov, J. Weber, Dissociation of iron-related centers in Si stimulated by hydrogen // Mat. Sci. Eng. B, v. 71, 268 (2000)
- A.L. Parakhonsky, E.B. Yakimov, D. Yang, Nitrogen effect on selfinterstitial generation in Czochralski silicon revealed by gold diffusion experiments // J. Appl. Phys., v. 90, 3642 (2001)
- Баженов A.B., Кведер B.B., Красильникова JI.JI., Шалынин А. И., Поглощение света глубокими дислокационными состояниями в кремнии // ФТТ, т. 28(1), 230(1986)
- Bahaa E.A.Saleh, Malvin Carl Teich, Fundamentals of Photonics (Chapter 12), John Wiley &Sons, INC. New York, 1991
- М. В. Бадылевич, Ю. J1. Иунин, В. В. Кведер, В. И. Орлов, Ю. А. Осипьян- Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии // ЖЭТФ, т. 124, вып. 3(9), с. 663 (2003)
- V.Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter- Room-Temperature Silicon Light Emitting Diodes Based on Dislocation Luminescence // Applied Physics Letters, v 84, N12, p. 2106 (2004)
- M. Badylevich, Yu. Iunin., V. Kveder, V. Orlov, Yu. Osipyan, Influence of Magnetic Field on the Critical Stress arid Dislocation Mobility in Silicon // Solid State Phenomena, Vols. 95−96, p. 433 (2004)
- V. Orlov, Yu.L. Iunin, M.V. Badylevich, O. Lysytskiy, H. Richter, Influence of Nitrogen on Dislocation Mobility in Czochralski Silicon // Solid State Phenomena, Vols. 95−96, p. 465 (2004)
- V. Kveder, M. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov, Silicon light-emitting diodes based on dislocation-related luminescence // Physica Status Solidi (a), 202, N5, p. 901 (2005)
- M.V. Badylevich, V.I. Orlov, V.V. Kveder, Yu.A. Ossipyan, Spin-Resonant Change of Unlocking Stress for Dislocations in Silicon // Physica Status Solidi ©, 2, N6, p. 1869(2005)