Кинетические, магнитные свойства и квантовые осцилляционные эффекты в монокристаллах (Bi1-x Sb x) 2 Te3, легированных Ag, Sn и Fe
Диссертация
Слоистые кристаллы типа теллурида висмута легко легируются. Для сохранения стехиометрического состава примеси вводят в виде соединенийнапример, Cd и In вводятся в подрешетку висмута ЕНгТез в виде СсЬТез или 1п2Тез, S — в подрешетку Те в виде Bi2S3, и так далее. При смешивании ЕН2Тез и Sb2Te3 в пропорции (1-х)/х получается смешанный кристалл (Bii.xSbx)2Te3. Аналогично можно получить смешанный… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Структура и свойства кристаллов (BiixSbx)2Te
- 1. 1. Кристаллическая структура и энергетический спектр
- 1. 2. Роль точечных дефектов
- 1. 3. Влияние легирующих примесей
- 1. 4. Гальваномагнитные и термоэлектрические свойства
- 1. 5. Свойства смешанных кристаллов на основе Е^Тез, ЗЬгТез
- Глава 2. Экспериментальная часть
- 2. 1. Методики измерений
- A. Температурные зависимости сопротивления
- B. Эффект Холла
- C. Эффект Шубникова — де Гааза
- D. Коэффициент Зеебека
- 2. 2. Образцы
- 3. 1. Гальваномагнитные свойства
- 3. 2. Эффект Шубникова — де Гааза
- A. Результаты измерений
- B. Угловые зависимости сечений поверхности Ферми
- C. Вычисление значений концентраций дырок и энергий Ферми
- 3. 3. Термоэлектрические свойства
- 4. 1. Температурные зависимости сопротивления и коэффициента Холла
- 4. 2. Зависимости коэффициента Холла от магнитного поля
- 4. 3. Эффект Шубникова-де Гааза
- 4. 4. Квантованный эффект Холла
- 4. 5. Термоэлектрические свойства
- 5. 1. Разбавленные магнитные полупроводники
- 5. 3 Магнитная восприимчивость и намагниченность
- 5. 4. Эффекты де Гааза — ван Альфена и Шубникова-де Гааза
- 5. 5. Термоэлектрические свойства
Список литературы
- Голыдман Б.М., Кудинов В. А., Смирнов И. А Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. Москва, Наука, 1972, 320 с.
- Kohler H., Nonparabolicity of the highest valence band of Bi2Te3 from Shubnikov-de Haas effect. Phys. Stat. Sol. B, 1976, 74, p. 591−600.
- Волоцкий М.П., Гудкин Т. С., Дашевский З. М., Кайданов В. И., Сгибнев И. В., Исследование сложной структуры краев зон и механизма рассеяния носителей в монокристаллах системы Bi-Sb-Te. ФТП, 1974, 8(5), с. 1044−1047.
- Смирнов И. А., Андреев А. А., Кутасов В. А, Влияние сложной валентной зоны на тепловые и электрические свойства Sb2Te3. ФТТ, 1968, 10(6), с. 1782−1787.
- Житинская M.K., Немов С. А., Иванова Л. Д., Эффекты Нернста-Эттингсгаузена, Зеебека и Холла в монокристаллах Sb2Te3. ФТТ, 2002, 44(1), с. 4146.
- Kohler Н., Freudenberger A., Investigation of the highest valence band in (Bij.xSb^2Te3 crystals. Phys. Stat. Sol. B, 1977, 84(1), p. 195−203.
- Kulbachinskii V.A., Brandt N.B., Cheremnykh P.A., Azou S.A., Horak J., Lostak P., Magnetoresistance and Hall effect in Bi2Te3 in ultrahigh magnetic fielgs and under pressure. Phys. Stat. Sol. (b), 1988, 150(1), p. 237−243
- Кульбачинский В.А., Клокова H.E., Хорак Я., Лоштяк П., Азоу С. А., Миронова Г. А., Влияние давления на энергетический спектрр-Вг2Те3. ФТТ, 1989, 31(1), с. 205 208.
- Олешко. Е.В., Королышин В. Н., Квазирелятивистский зонный спектр селенпда висмута. ФТП, 1985, 19(10), с. 1839−1841.
- Олешко. Е.В., Королышин В. Н., Электронные свойства слоистых полупроводниковых кристаллов группы А2ВР. Украинский физический журнал, 1986, 31(6), с. 1839−1841.
- Pecheur P., Toussaint G., Electronic structure and bonding in bismuth telluride. Phys. Lett. A, 1998, 135(3), p. 223−226.
- Mishra S.K., Satpathy S., Jepsen O, Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide. J. Condens. Matter, 1997, 9, p. 461−470.
- Larson P., Mahanti S.D., Kanatzidis M.G., Electronic structure and transport of Bi2Te3 and Bi2BiTe3. Phys. Rev. B, 1999, 61(12), p. 8162−8171.
- Youn S.J., Freeman A.J., First-principles electronic structure and its relation to thermoelectric properties ofBi2Te3. Phys. Rev. B, 2001, 63, p. 85 112 (1−4).
- Larson P., Greanya V.A., Tonjes W.C., Rong Liu, Mahanti S.D., Olson C.G.,
- Electronic structure of Bi2X3 (X=S, Se, T) compounds: Comparison of theoretical calculations withphotoemission studies. Phys. Rev. B, 2002,. 65, p. 85 108 (1−11).
- Королышин B. H,, Товстюк К. Д., Свойства симметрии энергетических зон кристаллов ромбоэдрической сингонии. Украинский физический журнал, 1972, 17(11), с. 1819−1826.
- Shigetomi S., Mori S., J. Phys. Soc. Jap., Electrical’properties of Bi2Te1956, 11(9), p. 915−919.
- Satterwaite C. B, Ure R.W., Electrical and thermal properties of Bi2Te3. Phys. Rev., 1957, 108(5), p. 1164−1170.
- Harman T.C., Paris В., Miller S.E., Goering H.L., Preparation and some physical properties of Bi2Te3, Sb2Te3, andAs2Te3. J. Phys. Chem. Solids, 1957, 2, p. 181−190.
- Black J., Conwell E.M., Seigle L., Spencer C.W., Electrical and optical properties of some M"2v-b N"3v'-b semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1957, 2, p. 240−251.
- Sehr R., Testardi L.R., The optical properties of p-type Bi2Te} Sb2Te3 alloys between 2−15 microns. J. Phys. Chem. Solids, 1962, 23, p. 1219−1224.
- Thomas G.A., Rapkine D.H., Van Dover R.B., Mattheiss L.F., Sunder W.A., Schneemeyer L.F., Waszczak J.Y., Large electronic-density increase on cooling a layered metal: DopedBi2Te3. Phys.Rev. B, 1992, 46(3), p. 1553−1556.
- Шутов С.Д.,. Соболев В. В,. Смешливый Л. И, Полупроводниковые соединения и их твердые растворы, под ред. С. И. Радауцана. Кишинев, 1970, 155 с.
- Gobreht Н., Seeck S., Klose Т., Der Einflub der freien Ladungstrager auf die optischen Konstanten des Bi2Se3im Wellenlcingengebiet von 2 bis 23 /ion. Z. Phys., 1966, 190(4), p. 427−443.
- Kohler H., Hartmann J., Burstein shift of the absorption edge of n-Bi2Se3. Phys. Stat. Sol. (b) 1974, 63(1), p. 171−176.
- Fujita Т., Kurita K., Takiyama K., Oda Т., The fundamental absorption edge and. electronic structure in Sb2S3. J. Phys. Soc. Jap., 1987, 56(10), p. 3734−3739.
- Brandt N.B., Kulbachinskii V.A., Pressure spectroscopy of impurity states and band structure of bismuth telluride. Semicond. Sci. Technol., 1992, 7(7), p. 907−911.
- Funagai K., Miyahara Y., Cteaki H., Kulbachinskii Y.A., Tunneling spectroscopy of Band Edge Structures of Bi2Te3 and Sb2Te%. Proceedings of International Conference on Thermoelectrics, Chief ed. T. Caillat (Pasadena, USA, March 1996), p. 408−411.
- Drabble J. R, Wolfe R., Anisotropic galvanomagnetic effects in semiconductors. Proc. Phys. Soc., 1956, 69(11), section B, p. 1101−1108.
- Кульбачинский В. А Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. Физический факультет МГУ, 1998, 164 с.
- Horak J., Tichy L., Lostak P., Vasko A. Lattice defects in iodine doped Sb2Te3 and Bi2Te3 crystals. Crystal Lattice Defects, 1976, 6, p. 223−227.
- Abrikosov N.Kh., Bankina V.F., Poretskaya L.V., Shelimova L.E., Skudnova E.V. SemiconductingIl-iV, iV-Vi and V-VI Compounds, Ch. III. Plenum Press, New York, 1969
- Brebrick R.F. Homogeneity ranges and Te2 pressure along the three-phase curves for Bi2Te} and a 55−58 at.% Те, peritetic phase. J. Phys. Chem. Solids 1969, 30(3), p. 719 731.
- Кудинов В.А., О возможной причине сложной структуры энергетических зон в ряде полупроводников и их твердых растворах. ФТП, 1974, 8(10), с. 2057−2058.
- Caywood L.P., Miller G.R., Anisotropy of the constant-energy surfaces in n-type Bi2Te3and Bi2Se3 from galvanomagnetic coefficients. Phys. Rev. B, 1970, 2(8), p. 32 093 220.
- Fleurial J.-P., Gailliard L., Triboulet R., Scherrer H., Schererer S., Thermal properties of high quality single crystals of bismuth telluride-part 1: experimental characterization. J. Phys. Chem. Sol., 1988, 49, p. 1249−1257.
- Житинская M.K., Немов С. А., Свечникова Т. Е., Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена. ФТП, 1997, 31(4), с. 441−443.
- Miller G.R., Che-Yu-Li, Evidence for the existence of antistructure defects in bismuth telluride by density measurements. J. Phys., Chem. Sol., 1965, 26, p. 173−177.
- Horak J., Lostak P., Transport in Verbindungshalbleitern 1981. Martin-Luther Universitat, Halle-Wittenberg, 1982, p. 130.
- Horak J., Lostak P., Benes L., Suppression of antistructural defects in crystals by an increased polarization of bonds. Phil. Mag. B, 1984, 50(6), p. 665−671.
- Lostak P., Horak J., Koudelka L., Some physical properties and point defects in Bi2JnxTe3 mixed crystals. Phys. Stat. Sol. A, 1983, 76(1), K71-K75.
- Soonpaa H.H., Correlation of unit cell angle with transport properties in Bi2Te3. J. Phys. Chem. Sol., 1964, 25, p. 1107−1112.
- Карпов В.Г., Шик А.Я., Шкловский Б. И., К теории эффекта Холла в слоучайно-неоднородных полупроводниках. ФТП, 1982, 16(8), с. 1406−1410.
- Кульбачинский В. А, Клокова Н. Е., Скипидаров С. Я., Горак Я., Лоштяк П., Азоу С. А., Аномальная зависимость ЭДС Холла и термоЭДС от магнитного поля в p-Bi2Te3. Вест. Моск. Ун-та, сер. 3, физика, астрономия, 1989, 30(3), с. 68−74.
- Житинская М.К., Немов С. А., Свечникова Т. Е., Особенности легирования Bi2Te3 примесью Sn. ФТТ, 1998, 40(8), с. 1428−1432.
- Алексеева Г. Т., Константинов П. П., Кутасов В. А., Лукьянова Л. Н., Равич Ю. И., Неизовалентные замещения атомов в катионной подрешетке теллурида висмута. ФТТ, 1996, 38, с. 2998−3004.
- Kulbachinskii V.A., Negishi Н., Sasaki М., Giman Y., Inoue M., Lostak P., Horak J., Thermoelectric Power and Scattering of Carriers in Bi2. xSnxTe3 with Layered Structure. Phys. Stat. Sol. (b), 1997, 199, p. 505−513.
- Кайданов В.И., Равич Ю. И., Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа А4В6. УФН, 1985, 145(1), с. 51−86.
- Житинская М.К., Немов С. А., Свечникова Т. Е., Влияние резонансных состояний Sn на электрическую однородность монокристаллов Bi2Te3. ФТП, 2000, 34(12), с. 1417−1419.
- Karamazov S., Horak J., Lostak P., Kuzel R., Point defects in Bi2JnxTe3 single crystals. Phys. Stat. Sol. A, 1995,148, p. 229.
- Tichy L., Horak J., Vasko A., Frumar M., Electrical properties of germanium-doped Sb2Te3 crystals. Phys. Stat. Sol. A, 1973, 20(2), p. 717−724.
- Predota M., Benes L., Horak J., On the incorporation of germanium atoms into the Bi2Te3crystal lattice. Phys. Stat. Sol. A, 1987, 100(2), p. 401−404.
- Кульбачинский B.A., Азоу C.A., Ковалюк З. Д., Пырля М. Н., Скипидаров С. Я., Влияние интеркалирования атомами металлов на энергетический спектр Bi2Te3. ФТТ, 1991, 33(3), с. 812−816.
- Ефимова Б.А., Коренблит И. Я., Новиков В. И., Остроумов А. Г., Анизотропия галъваномагнитных свойствp-Bi2Te3. ФТТ, 1961, 3(9), с. 2746−2760.
- Ефимова Б.А., Новиков В. И., Остроумов А. Г., Анизотропия галъваномагнитных свойств n-Bi2Te. ФТТ, 1962, 4(1), с. 302−304.
- Коноров П.П., Электрические свойства теллурида висмута. ЖТФ, 1956, 26(7), с. 1400−1405.
- Delves R.T., Bowley A.E., Hazelden D.W., Goldsmid H.J., Anisotropy of the electrical conductivity in bismuth telluride. Proc. Phys. Soc., 1961, 78(4), p. 838−844.
- Drabble J.R., Groves R.D., Woife R., Galvanomagnetic effects in n-type bismuth telluride. Proc. Phys. Soc., 1958, 71(3), p. 430−443.
- Drabble J R., Galvanomagnetic effects in p-type bismuth telluride. Proc. Phys. Soc., 1958, 72(3), p. 380−390.
- Mansfield R., Williams W., The electrical properties of bismuth telluride. Proc. Phys. Soc., 1958, 72(4), p. 733−741.
- Wright D.A., Some phisical properties of bismuth telluride. Semicond. Phosphors, 1958, p. 477−479.
- Yates В., The electrical conductivity and Hall coefficient of bismuth telluride. J. Electr. And Control, 1959, 6(1), p. 26−38.
- Goldsmid H.J., Materials Used in Semiconductor Devices (C.A. Hogarth, ed.). New York, 1964.
- Житинская M.K., Немов C.A., Иванова Л. Д., Эффекты Нернста-Эттингсгаузена, Зеебека и Холла в монокристаллах Sh2Te3. ФТТ, 2002, 44(1), с. 4146.
- Верещагин Л.Ф., Атабаева Э. Я., Бенделияни Н. А., Исследование фазовой диаграммы Bi2Te3 при высоких давлениях и температурах. ФТТ, 1971,13(8), с. 24 522 454.
- Кульбачинский В.А., Щенников В. В., Лостак П., Хорак Я., Особенности термоэдс Bi2Te3 и InxBi2.xTe3 при давлениях до 20 Гпа. ФТТ, 1994, 36(2), с. 526−530.
- Mahan G.D., Figure of merit for thermoelectrics. J. Appl. Phys., 1989, 65(4), p. 15 781 583.
- Smirous K., Stourac L., Solid solutions of Bi2Te3 and Sb2Te3 as p-type working substanses for semiconductor thermoelements. Z. Naturforsch., 1959, 14a (9), p. 848−848
- Kohler H., Ossau W., Magneto-Seebek and Shubnikov-De Haas effect in n-type (Bii.?bJ2Te3. Phys. Stat. Sol. B, 1978, 90(2), p.509−515.
- Kohler H., Haigis W., von Middendorff A., Shubnikov-de Haas investigations on n-type Bi2(SexTe, J3. Phys. Stat. Sol. B, 1976, 78(2), p. 637−642.
- Kohler H., Weidner R., Electronic properties of n-type (Bii.xSbJ2Te3 from magneto quantum oscillations. Phys. Stat. Sol. B, 1979, 95, p. 635−641.
- Ерофеев P.С., Овечкина B.H., Особенности энергетического спектра твердых растворов системы Bi2Te3-Sb2Te3. Неорг. Матер., 1981, 17(10), с. 1780−1784.
- Гайдукова B.C., Ерофеев Р. С., Овечкина В. Н., Особенности энергетического спектра твердых растворов в системе Sb2Te3-Bi2Te3. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1981, 17(2), с. 244−247.
- Lostak P., Karamazov S., Horak J., Antisite defects in BiSbTe3 crystals doped with indium atoms. Phys. Stat. Sol. A, 1994, 143, p. 271−276.
- Stary Z., Horak J., Stordeur M., Stolzer M., Antisite defects in Sb2. xBixTe3 mixed crystals. J. Phys. Chem. Sol., 1988, 49(1), p. 29−34.
- Horak J., Lostak P., Stary Z., Pancir J., Antisite defects in Sb2. JnxTe3. J. Phys. Chem. Sol., 1988, 49(2), p. 191−198.
- Lostak P., Horak J., Stary Z., Optical and transport properties of the Sb2-xlnxTe3 single crystals. Physica Scripta, 1988, 37(5), p. 812−815.
- Швангирадзе P.P., Бигвава А. Д., Кунчулия Э. Д., Коробов В. К., Сабо В. Е., Структура и свойства сплавов (Bio, 25Sb0 75)2.xGexТе3+у. Неорг. матер., 1988, 24(11), с. 1802−1804.
- На Н.Р., Cho Y.W., Byun J.Y., Shim J.D. The effect of excess tellurium on the thermoelectric properties of Bi2Te3-Sb2Te3 solid solutions. J. Phys. Chem. Solids 1994, 55(11), p. 1233−1238.
- Кутасов В.А., Лукьянова Л. Н., Константинов П. П., Влияние анизотропии поверхности постоянной энергии на термоэлектрическую эффективность твердых растворов n-Bi2(Te, Se, S)3. ФТТ, 1999, 41(2), с. 187−192.
- Кутасов В.А., Лукьянова Л. Н., Константинов П. П., Алексеева Т. Т., Подвижность носителей заряда в твердых растворах n-Bi2Te3.xSex нгстехиометрического состава. ФТТ, 1997, 39(3), с. 483−487.
- Алиев С.А., Исмаилов Ш. С., Тагиев И. Г., О непараболичности спектра электронов в Bi2Te3 и в твердом растворе BioT^Seoj. ФТТ, 1995, 37(9), с. 28 512 855.
- Равич Ю.И., О температурной зависимости эффективной массы и влиянии двухфононных процессов на подвижность в полупроводниках с узкой запрещенной зоной. ФТТ, 1965, 7(6), с. 1821−1831.
- Кутасов В.А., Лукьянова Л. Н., Определение параметра анизотропии эффекта Холла в твердых растворах Bi2Te3.JSex. ФТТ, 1978, 20(1), с. 3065−3069.
- Horak J., Lostak P., Koudelka L., Novotny R., Inversion of conductivity type inBi2Te3. XSX crystals. Solid St. Commun., 1985, 55(11), p. 1031 -1034.
- Lostak P., Horak J., Koudelka L., Some physical properties and point defects in Bi2Te3. xSx mixed crystals. Phys. Stat. Sol. A, 1984, 84(2), K143-K147.
- Horak J., Stary Z., Votiusky J., Point defects in the mixed chalcogenides Bi2Te3Xx (X=S, Se). Phil. Mag. B, 1994, 69(1), c. 31−38.
- Кутасов В.А., Лукьянова Л. Н., Термоэлектрические свойства многокомпонентных твердых растворов на основе теллурида висмута. ФТТ, 1996, 38(8), с. 2366−2371.
- Carle М., Pierrat P., Lahalle-Gravier С., Scherrer S., Scherrer Н., Transport properties of n-type Bi2(Te1.xSeJ3 single crystal solid solutions. J. Phys. Chem. Sol., 1995, 56(2), p. 201−209.
- Кутасов В.А., Свечникова Т. Е., Чижевская С. Н., Анизотропия свойств монокристалловBi2Te3.xSex. ФТТ, 1987, 29(10), с. 3008−3011.
- Свечникова Т.Е., Коржуев М. А., Максимова Н. М., Константинов П. П., Алексеева Г.Т, Анизотропия коэффициента Холпа и электросопротивления монокристаллов Bi2Te2>g5Se0j5, легированных германием. ФТП, 1996, 30(7), с. 11 531 161.
- Kim H.C., Oh T.S., Hyun D.B., Thrmoelectric propertiesof the p-type Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3 alloys fabricated by mechanical alloying and hot pressing. J. Phys. and Chem. Sol., 2000, 61, p. 743−749.
- Иванова Л.Д., Гранаткина Ю. В., Поликарпова H.B., Смирнова Е. И., Легирование селеном монокристаллов твердого раствора системы Bi2Te3-Sb2Te3. Неорг. матер., 1997, 33(6), с. 669−673.
- Yamashita О., Tomiyoshi Sh., Makita К., Bismuth telluride compounds with high thermoelectric figures of merit .J. Appl. Phys., 2003, 93(1), p. 368−374.
- Polvani D.A., Meng J. F, Chandra Shekar N.Y., Sharp J., Badding J.V., Largeimprovement in thermoelectric properties in pressure-tuned p-type Bio. sSb}jTe3. Chem. Matter., 2001, 13, p. 2068−2071.
- Лифшиц И.М., Об аномалиях электронных характеристик металла в области больших давлений. ЖЭТФ, 1960, 38(5), с. 1569−1576.
- Брандт Н.Б., Пономарев Я. Г., Электронные переходы в сплавах висмут-сурьма, висмут-олово, висмут-свинец, висмут-суръма-свинец под действием давления. ЖЭТФ, 1968, 55(4), с. 1215−1237.
- Navratil J., Klichova I., Karamazov S., Sramkova J., Horak J., Behavior of Ag Admixture in Sb2Te3 andBi2Te3 Single Crystals. J. Sol. St. Chem., 1998, 140, p. 29−37.
- Kulbachinskii V.A., Miura N., Nakagawa H., Drasar C., Lostak P., Influence of Ti doping on galvanomagnetic properties and valence band energy spectrum of Sb2. xTixTe3 single crystals. J. Phys. Condens. Matter, 1999, 11, p. 5273−5282.
- Кульбачинский В.А., Каминский А. Ю., Кытин В. Г., Лостак П., Драшар Ч., де Виссер А., Влияние серебра на галъваномагнитные свойства и энергетическитй спектр смешанных кристаллов (Bij.xSbJ2Te3. ЖЭТФ, 2000,117, с. 1242−1250.
- Miyajima N., Sasaki М., Negishi Н., Kulbachinskii V.A., Kaminsky A.Yu., Suga К., Possible Mechanism of a New Type of Three-Dimensional Quantized Hall Effect in Layered Semiconductors Bi2. J>nxTe3. Journal of Low Temp. Phys., 2001, 123(¾), p. 219 238.
- Furdina J.K., Diluted magnetic semiconductors. J. Appl. Phys. 64, R29-R64 (1988).
- Brandt N.B., Moshchalkov V.V., Semimagnetic Semiconductors. Advances in Physics, 1984, 33, p. 193−256.
- Ляпилин И.И., Цидильковский И. М., Узкощелевые полумагнитные полупроводники. УФН, 1985, 146, с. 35−72.
- Брандт Н.Б., Мощалков В. В., Скрбек Л., Талденков А. Н., Чудинов С. М., Переход в спиновое стекло и аномалии температурной зависимости коэффициента Холла у бесщелевого полупроводника Hgi.xMnxTe. Письма в ЖЭТФ, 1982, 35, с. 326 329.
- Брандт Н.Б., Мощалков В. В., Орлов А. О., Скрбек Л., Цидильковский И. М., Чудинов С. М., Исследование электрических и магнитных свойств бесщелевых полупроводников Hgj.jMnxTe при низких и сверхнизких температурах. ЖЭТФ, 1983, 84, с. 1059−1074.
- Mycielski A., Rigaux С., Menant М., Dietl Т., Otto М., Spin Glass Transition in Hgl.^4nkTel.xSex semimagnetic semiconductor. Sol. State Commun., 1984, 50, p. 257−260.
- Брандт Н.Б., Исмаилов Ж. Т., Кульбачинский В А., Чудинов С. М., Гавалешко Н. П., Марьянчук П. Д., Магнитная фазовая диаграмма Hgi.xMnxSe. ФНТ, 1986, 12, с. 215−217.
- Kulbachinskii V.A., Maryanchuk P.D., Churilov LA., Inoue M., Sasaki M., Negishi H., Нага Y., Electronic and magnetic properties of the diluted magnetic semiconductor Hgi.MnxTei.ySey. Semicond. Sci. Technol., 1995, 10, p. 463−468.
- Story Т., Galazka R.R., Frankel R.B., Wolff P.A., Carrier-concentration-indused ferromagnetism in PbSnMnTe. Phys. Rev. Lett., 1986, 56(7), p. 777−779.
- Munekata H., Ohno H., von Molnar S., Armin Segmuller, Chang L.L., Esaki L., Diluted magnetic III-Vsemiconductors. Phys. Rev. Lett., 1989, 63(17), p. 1849−1852.
- Ohno H., Munekata H., Penny Т., von Molnar S., Chang L.L., Magnetotransport properties of p-type (In.Mn)As Diluted Magnetic Semiconductors. Phys. Rev. Lett. 1992, 68(17), p. 2664−2667.
- Ohno H., Shen A., Matsukura F., Oiwa A., Ando A., Katsumoto S., Iye Y., (Ga, Mn) As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs. Appl. Phys. Lett., 1996, 69(3), p. 363−365.
- Oiwa A., Katsumoto S., Endo A., Hirasawa M., Iye Y., Ohno H., Matsukura F., Shen
- A., Sugawara Y., Nonmetal-Metal-Nonmetal transition and Large Negative Magnetoresistance in (Ga, Mn) As/GaAs. Sol. State Com., 1997,103, p. 209−213.
- Dietl Т., Sawicki M., Le Van Khoi, Jaroszynski J., Kossacki P., Cibert }., Ferrand D., Tatarenko S., Wasiela A., Ferromagnetism in II-VI Compound. Phys. Stat. Sol B, 2002, 229, p. 665−672.
- Ohno H., Properties of ferromagnetic III-V semiconductors. J. Mag. Magn. Mater., 1999, 200, p. 110−129.
- Medvedkin G., Ishibashi Т., Nishi Т., Hayata K, Hasegawa Y., Sato K., Room Temperature Ferromagnetism in Novel Diluted Magnetic Semiconductor Cdi. JVtnxGeP2, Jpn. J. Appl. Phys., 2000, 39, L949-L951.
- Chien C.L., Westgate C.R., The Hall effect and its applications. Plenum, New York, 1980.
- Кульбачинский В.А., Каминский А. Ю., Киндо К., Нарюми Е., Суга К., Лостак П., Сванда П., Низкотемпературный ферромагнетизм в новом полумагнитном полупроводнике Bi2.xFexTe3. Письма в ЖЭТФ, 2001, 73(7), с. 396−400.
- Kulbachinskii V.A., Kaminsky A.Yu., Kindo К., Narumi Y., Suga K., Lostak P., Svanda P., Ferromagnetic transition in the new diluted magnetic semiconductor p-Bi2-xFexTe3. Phys. Lett. A, 2001, 285, c.173−176.
- Dyck J.S., Chen W., Hajek P., Lostak P., Uher C., Low temperature ferromagnetism and magnetic anisotropy in the novel diluted magnetic semiconductor Sb2. xVxTe3. Physica
- B, 2002, 312−313, p. 820−822.
- Dyck J.S., Hajek P., Lostak P., Uher C., Diluted magnetic semiconductors based on Sb2. xVxTe3(0.01
- Dyck J.S., Chen W., Uher C., Drasar C., Lostak P., Heat Transport in Sb2. xVxTe3 single crystal. Phys. Rev. B, 2002, 66, p. 125 206 (1−6).
- Biswas S., Bhattacharya R., Magnetic Properties of Single Crystals of Bismuth Telluride Doped with 0.2% Lead and Its Thermoelectric Power. Phys. Stat. Sol. B, 1990, 159, p. 851−860.
- Matsukara F., Ohno H., Shen A., Sugawara Y., Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga, Mn) As. Phys. Rev. B, 1998, 57(4), p. R2037- R2040.
- Dietl Т., Нашу A., Merle d’Aubigne Y., Free carrier-induced ferromagnetism in structures of diluted magnetic semiconductors. Phys. Rev. B, 1997, 55(6), p. R3347 R3350.
- Dietl Т., Ohno H., Matsukura F., Hole-mediated ferromagnetism in tetrahedrally coordinated semiconductors. Physical Review B, 2001, 63, p. 195 205-(1−21).
- Dietl Т., Ohno H., Matsukura F., Cibert J., Ferrand D., Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blend Magnetic Semiconductors. Science, 2000, 287, 1019−1022.
- Konig J., Lin Hsiu-Hau, MacDonald A.H., Theory of Diluted Magnetic Semiconductor Ferromagnetism. Phys. Rev. Lett., 2000, 84(24), p. 5628−5631.
- Кузнецов В.Г., Химическая связь в полупроводниках и твердых телах. Наука и техника, Минск, 1965, с. 311.
- Ohno Н., Chiba D., Matsukura F., Omlya Т., Abe E., Dietl Т., Ohno Y., Ohtanl K., Electric-field control of ferromagnetism. Nature, 2000, 408, p. 944−946.
- Kulbachinskii V.A., Kaminsky A.Yu., Kindo K., Narumi Y., Suga K., Lostak P., Svanda P, Ferromagnetism in new diluted magnetic semiconductor Bi2-xFexTe3. Physica В 2002, 311, p. 292−297.