Электрический транспорт в упорядоченных и неупорядоченных поверхностных системах Si (III) /Cr, Si (III) /Fe и Si (III) /Mg
Диссертация
Исследования эффекта Холла при формировании атомарно-чистой поверхности кремния 81(111)7×7 показали, что высокотемпературный отжиг при температуре 1250 °C приводит к образованию встроенного р-п перехода на поверхности кремния п-типа проводимости и смене знака холловского напряжения, а на поверхности кремния р-типа проводимости образуется обогащенный дырками слой. Подложки п-типа с тонким… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Электрическая проводимость по поверхности кремния и системе металлкремний
- 1. 1. Поверхностные сверхструктуры и двумерные электронные системы. Поверхностные энергетические зоны
- 1. 2. Формирование упорядоченных поверхностных фаз Cr, Fe и Mg на Si (l 11)
- 1. 3. Влияние поверхностных фаз Ag и Аи на проводимость по поверхности кремния
- Выводы
- Глава 2. Методы исследования, аппаратура и методики
- 2. 1. Методы исследования
- 2. 1. 1. Электронная оже-спектроскопия
- 2. 1. 2. Дифракция медленных электронов
- 2. 1. 3. Методы электрофизических измерений
- 2. 1. 4. Дифференциальная отражательная спектроскопия
- 2. 2. Экспериментальная аппаратура
- 2. 2. 1. Сверхвысоковакуумная установка с автоматизированной приставкой для измерения эффекта Холла
- 2. 2. 2. Сверхвысоковакуумная установка VARIAN
- 2. 3. Методики и схемы экспериментов
- 2. 3. 1. Подготовка образцов и источников
- 2. 3. 2. Схемы экспериментов
- 2. 3. 3. Расчет параметров пленок с учетом шунтирующего влияния подложки
- 2. 1. Методы исследования
- 3. 1. Проводимость на окисленных и атомарно-чистых поверхностях кремния п- и р-типа
- 3. 2. Формирование и проводимость неупорядоченных слоев Ре на Si (l 11) п- и р-типа
- 3. 3. Электрический транспорт неупорядоченных слоев Сг на Si (l 11) п- и р-типа
- 3. 4. Начальные стадии роста и проводимость магния на Si (l 11)
- 4. 1. Механизмы проводимости в кремнии с атомарно-чистой поверхностью
- 4. 2. Влияние поверхностной фазы 81(111)7×7-Сг на проводимость атомарно-чистого кремния
- 4. 3. Механизм проводимости в поверхностной фазе 81(11 1) а/Зхл/3/30°-Сг
- 4. 4. Механизм проводимости в поверхностной фазе 81(111)2×2-Ре
- 4. 5. Влияние поверхностной фазы 81(111)3×1-Mg и (2/3 V 3×2/3 «73)/3 0° -Mg на проводимость атомарно-чистого кремния
Список литературы
- S.P. Murarka, Silicides for VLSI Applications (Academic Press, New York, 1983).
- V.E. Borisenko, P.J. Hesketh, Solid State Rapid Thermal Processing of Semiconductors, 1. Plenum, New York, 1997).
- Гельд O.B., Сидоренко Ф. А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.:1. Металлургия, 1971. 584 с.
- Гершинский А.Е., Ржанов А. В., Черепов Е. И. Тонкопленочные силициды вмикроэлектронике//Микроэлектроника, 1982. Т. II, Вып. 2. С. 83−94.
- Semiconducting silicides. Ed. By V.E. Borisenko (Springer-Verlag, Berlin, 2000, 362 p.).
- R.W. Fathauer, P.J. Grunthaner, T.L. Lin, K.T. Chang, J.H. Mazur, Nucleation and growth of
- CrSi2 on Si (lll), in: Heteroepitaxy in Silicon: Fundamentals, Structures, Devices, edited by H.K. Choi, H. Ishiwara, R. Hull, R.J. Nemanich (MRS, Pittsburgh, PA, 1988), pp. 453−458.
- J.E. Mahan, V. Le Thanh, J. Chevrier, I. Berbezier, J. Derrien, R.G. Long, Surface electrondiffraction patterns of P-FeSii films epitaxially grown on silicon, J. Appl. Phys. 74(3), 17 471 761 (1993).
- H. von Kanel, R. Stalder, H. Sirringhaus, N. Onda, J. Henz, Epitaxial silicides with the fluoritestructure, Appl. Surf Sci. 53,196−205 (1991).
- Галкин Н.Г., Лифшиц В. Г. и Плюснин Н.И. Упорядоченные поверхностные фазы всистеме Cr-Si (l 11).// Поверхность. Физика, химия и механика. 1987. № 12. С. 50−58.
- Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G., Churusov
- B.K., Galkin N.G. and Plusnin N.I. Electrophysical properties of the surface phases of In andCr on Si (l 11).//Vacuum/1990." V. 4N 4−6. P. 1207−1210.
- Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Стат. физика М. Мир.:1976.-вып.1.-584.
- Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные прцессы на поверхности кремния.1. М. Наука. 1985 с. 200.
- Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и процессы на-поверхности кремния // В кн.
- Современные процессы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск. Наука, 1989. с.5−43.
- Нестеренко Б.А., Ляпин Б. Г. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках. Киев Наукова думка. 1988 с. 96.
- V.G. Lifshits, A. A. Sarahin, A.V. Zotov, Surface phases in silicon. Preparation structure andproperties. John Wiley and sons, 1994.
- B.B. Новиков. Теоретические основы микроэлектроники. Высшая школа М 1972 с. 292.
- S. Hasegawa, X. Tong, S. Takeda, N. Sato, Т. Nagao, Structures and electronic transport onsilicon surface, Progress in Surface Science, v.60 No. 5−8, pp. 89−257.
- V.A. Gasparov, K.R. Nikolaev In-situ investigations of electron transport properties of Si (lll)-Pb-(V3xV3)/30° surface phases and ultrathin films. Phys. Low-Dim. Struct. '/2 1996 53.
- S.Heike, S. Watanabe, Y. Wada, T. Hashizume, Electron Conduction through Surface Statesof the Si (l 11)-(7×7) Surface, Phys. Rev. Lett. 81 (1998) 890.
- J. Viernov, M. Henzler, W.L. O’Brien, F.K. Men, F.M. Fliebsle, D.Y. Petrovykh, J.L. Lin,
- FJ. Himpsel, Unoccupied surface states on Si (lll) (V3xV3)-Ag, Phys. Rev. B, 1998, V. 57, P. 2321−2330.
- T. Yokotsuka, S. Kono, S. Suzuki, T. Sagawa, Study of Ag/Si (l 11) submonolayer interface I.
- Electronic structure by angle-resolved UPS, Surf Sci 127 (1983) 35.
- E.Luo, S. Heun, M. Kennedy, J. Wollschager, M. Henzler, Surface roughness and conductivityof thin Ag films, Phys. Rev. B7 v.49 (1994) 4858−4865.
- B.B. Новиков. Теоретические основы микроэлектроники. Высшая школа М 1972 с. 292.
- Persson B.N.J. Electronic conductivity of Si (l 11)7×7, Phys.Rev.B 34 (1986) p. 5916−5917.
- Y.Hasegawa, I.W. Lyo, Ph. Avouris, Measurement of surface state conductance using STMpoint contacts, Surf. Sci. 358 (1996) 32.
- N.I.Plusnin, N.G.Galkin, V.G.Lifshits, S.A.Lobachev, Formation of interfaces and templatesin the Si (l 11)-Cr system, Surf. Rev. and Lett, v.2 4 (1995) 439−449.
- N.G. Gallon, T.V. Velichko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev, Semiconducting and structuralproperties of CrSi2 A-type epitaxial films on Si (l 11), Thin Solid Films 280 (1996) 211 -220.
- Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G., Galkin N.G.,
- Plusnin N.I., Electron transport in the Si (l 1 l)-Cr (V3xV3)/30°a-Si surface phase and in epitaxial films of CrSi, CrSi2 on Si (l 11), Surf. Sci. 292 <1993) 298−304.
- T. Urano, T. Kanaji, Structures of iron films deposited on Si (l 11)7×7 surface studied by
- ED, Appl. Surf. Sci. 33−34,68 (1988). ~
- X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. NisG. Dalmai, Electron spectroscopy study of the Fe/Si (lll)interface formation and reactivity annealing, Appl. Surf. Sei. 56−58, 427 (1992).
- Alvarez J., Vazquez de Parga A.L., Hinarejos J.J., de la Figuera J., Michel E.G., Ocal C.,
- Miranda R., Initial stages of the growth of Fe on Si (l 11)7×7 Phys.Rev.B 47 (1993) p. 16 048−16 051.
- F.Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi, Electron states of interface iron silicides on Si (l 11)7×7, Phys. Rev. B v.49 16 (1994) p. l 1134−11 143.
- J.J.Hinarejos, G.R. Castro, P. Segovia, J. Alvarez, E.G. Michel, R. Miranda, A. A. Roborigues
- Marco, D. Sanchez-Portal, E. Artacho, F. Yndurain, Surface electronic structure of metastable FeSi (CsCl)(lll) epitaxially grown on Si (lll), Phys. Rev. B v.55 24 (1997) p. R16065-R16068.
- X.Wallart, J.P.Nys, C. Tetelin, Growth of ultrathin iron silicide films: Observation of the y
- FeSi2 phase by eiectron spectroscopies, Phys. Rev. B, v. 49 8 (1994) p.5714−5717.
- K.Radermacher, R. Carius, S. Mantl, Nuclear Inst, and Meth. in Phys. Research B 84 (1994)163.167.
- Vandre D., Incoccia L., Kaindl G., Structural studies of the Mg/Si (lll) interfacs formation,
- Surf.Sci. 225 (1990) p. 233−241.
- Quinn J., Jona F., New results on the reaction of Si (l 11) with Mg, Surf.Sci. 249 (1991) p.1.07-L311.
- Wigren C., Andersen J.N., Nyholm R., Karlsson U.O., Epitaxial silicide formation in the
- Mg/Si (l 11) system, Surf.Sci. 289 (1993) p. 290−298.
- An K.S., Park R.J., Kim J.S., Park C.Y., Kim C.Y., Chung J.W., Kinoshita T., Kakizaki A.,
- Photoemission study for Mg/Si (l 11)1×1 surface, J.Electr.Spect.Relat.Phenom. 80 (1996) p. 165−168.
- O.Kubo, A.A. Saranin, A.V. Zotov, J.-T. Ryu, H. Tani, T. Harada, M. Katayama, V.G. Vifshits, K. Oura, Mg induced Si (l 1 l)-(3×2) reconstruction studied by scanning tunneling microscopy, Surf. Sei. 415 (1998) L971-L975.
- R.G. Morris, R.D. Redin, G.C. Danielson, Semiconducting properties of Mg2Si single crystals, Phys. Rev. 109(6), 1909−1915 (1958).
- RJ.LaBotz, D.R.Mason, The thermal conductivities of Mg2Si and Mg2Ge, J.Electrochem. Soc. 110(2), 121−126 (1963).
- S.Bose, H.N.Acharya, H.D.Banerjee, Electrical, thermal, thermoelectric and related propertiesof magnesium silicide semiconductor prepared from rice husk, J.Mater. Sci. 28(20), 54 615 468 (1993).
- G.LeLay, Physics and electronics of the noble-metal/elemental semicondactor interface formation: a status report, Surf. Sci. 132 (1983) 169.
- Gotoh Y., Ino S. Surface structures of Ag on Si (l 11) surface investigated by RHEED, Japan
- J.Appl.Phys. 17 (1978) p. 2097−2109.
- Wan K.J., Lin X.F., Nogami J. Surface reconstructions in the Ag/Si (l 11) system, Phys.Rev.B47 (1993) p. 13 700−13 712.
- Samsavar A., Miller T., Chiang T.-C. Correlation between surface core levels and surfacestates in Si (lll) -(7×7) probed by Ag adsorption, Phys.Rev.B 42 (1990) p. 9245−9247.
- D.Stauffer, A. Aharony Introduction to Percolation Theory, Taylor and Francis, London (1992).
- Nagao T., Hasegawa S., Tsuchie K., Ino S., Voges C., Klos G., Pfnur H., Henzler M.
- Structural phase transitions of Si (lll)-(V3xV3)/30° -Au: Phase transitions in domain-wall configurations, Phys.Rev.B 57 (1998) p. 10 100−10 109.
- Takahashi S., Tanishiro Y., Takayanagi K. Short range orders of an adsorbed layer: gold onthe Si (l 11)7×7 surface, Surf.Sci. 242 (1991) p. 73−80.
- Plass R., Marks L.D. Submonolayer Au on Si (lll) phase diagram, Surf.Sci. 380 (1997) p.497.506.
- S. Ino, in Reflection high-energy electron diffraction and reflection electron imaging of surface, P.K. Larson and P.J. Dobson, Plenum, New York (1988) p.3.
- T.Okuda, H. Diamon, S. Suga, Y. Tezuka, S. Ino, Surface electronic structure of ordered alkaliand noble metal-overlayers on Si (l 11), Apl. Surf. Sci. 121/122 (1997) 89.
- J.-J.Yeh, J. Hwang, K. Bertnes, DJ. Friedman, R. Cao, I. Lindau, Growth of the room temperature Au/Si (l 1 l)-7×7 interface, Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 3768.
- Endo A., Ino S. Observation of the Ag/Si (l ll) system using a high-resolution ultra-high vacuum scanning electron microscope, Surf.Sci. 293 (1993) p. 165−182.
- S. Hasegawa, C.-S. Jiang, X. Tong, Y. Nakajima, Adv. s Colloid and Int. Sci. 71/71, 1997, p. 125.
- E.G. Michel. Epitaxial iron silicides: geometry, electronic structure and application. Appl.
- Surf. Sci., 117/118,294(1997).
- K.L. Whiteaker, I.K. Robinson, C. Benson, D.M. Smilgies, N. Onda, and H. von Kanel.
- Disordered structure of cubic iron silicide films on Si (l 11) Phys. Rev. B, 51,9715 (1995).
- Иоши А., Дэвис JI., Палмберг П. Электронная спектроскопия. В кн.: Методы анализаповерхностей /Под ред. Зандерны А. М.:1979. — с.200−275.
- Handbook of Auger electron spectroscopy./Davic L.E., MacDonald N.C., Palmberg H.E.,
- Weber R.E.-Eden: Phy. Electron Indust.-1976.-p.252.
- Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами Оже-рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.-М.:Мир.-1976.-с.598.
- М.А. Van Hove, S.Y. Tong: Surface crystallography by LEED (Springer, Berlin, Heidelberg1979).
- K. Heinz, K. Muller: LEED intensities Experimental Progress and New Possibilities in
- Surface Structure Determination, in Springer Tracts in Mod.//Phys.-Vol.91 (Springer, Berlin, New York 1982) — pp.1−53.
- Вудраф Д., Делчар Т. Современнные методы исследования поверхности. М.:Мир, 1989.-c.568.
- Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю. Ф., Фридрихов С. А. и др. Спектроскопия и дифракцияэлектронов при исследовании поверхности твердых тел М., Наука, 1985 — с. 290.
- Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. Москва, «Советское радио», 1974 г.
- Lawrence E.D., McDonald N.C., Palmberg W.P. et al. Handbook of auger electron spectroscopy. Minnesota: Phys. Electron. Indust., 1976, p. 252.
- Malengreau et. al.// Surf. Sci. 310(1994). p.347−358.
- Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир. 1988.606 с.
- A.Many, Y. Goldshtein, N.B.Grover, Semiconductor surface (North Holland, Amsterdam, 1965.
- D.R. Frankl, Electrical properties of Semiconductor surface, Pergamon, NewYork, 1967.
- F.Bassani, G. Pastori Parravicinr, Electrical states and optical transitions in solids, Pergamon, 1. Oxford, 1975.
- H. Luth, Surface and interface of solid materials, Springer, Berlin, 1995.
- P.Chiaradia, R. Del Sole, Differential-reflectance spectroscopy and reflectance-anisotropyspectroscopy on semiconductor surface, Surf. Rev. and Lett., v.6, nos. 3&4 (1999) p.517−528.
- S. Neun, J. Bange, R. Schad and M. Henzler. J. Phys.: Condens. Matter., 5,2913 (1993)
- F. Jentzsch, H. Froitzheim, and R. Theile, In situ conductivity and Hall measurements ofultrathin nickel silicide layers on silicon (111), J. Appl. Phys., 66, 5901 (1989).
- M. Henzler, C. Adamski, and K. Ronner, Conductivity and mobility in very thin epitaxial
- NiSi2 layers, J. Vac. Sci. Technol. A, 5,2127 (1987).
- S. Hasegawa, and S. Ino, Correlation between atomic-scale structures and macroscopic electrical properties of metal-covered Si (lll) surfaces, Intern. J. Modern Phys. B, 7, 3817 (1993).
- S. Hasegawa, X. Tong, C.-S. Jiang, Y. Nakajima, and T. Nagao, Electrical conduction viasurface-state bands, Surf. Sci., 386,322 (1997).
- X. Tong, C.-S. Jiang, and S. Hasegawa, Electronic structure of the Si (l 11) — V21xV21-(Ag+Au)surface, Phys. Rev. B, 57, 9015 (1998).
- Галкин Н.Г., Иванов В. А., Конченко A.B., Горошко Д. Л. Установка для автоматизированных холловских измерений параметров двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума.// Приборы и техника эксперимента. 1999. N 2. С. 153−158.
- Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Enebish N. Coadsorption of Au and Ag atoms on the Si (l 11) surface//Surf.Sci.-1993.-V.297.-N.l.-P.345−352.
- Кораблев В.В. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела // Итоги яауки итехники. ВИНИТИ. Электроника и ее применение. 1980. т.12. С.3−24.
- Palmberg P.W. Quantitative analysis of solid surface by Auger electron spectroscopy // Anal.Chem. 1973. v.45, N6, p.549a.
- Плюснин Н.И. Поверхностные фазы и формирование границы раздела Сг и CrSi2 смонокристаллическим кремнием. Дисс.. канд. Физ. Мат. Наук. Владивосток 1986 200 с.
- А.Ф. Трутко Методы расчета транзисторов. М. Энергия, 1971, с. 19.
- Chang С.С. General information for quantative Auger analysis. Surface science, 1975 v. 481. Nlp.9−21. '
- Ибах X. Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности Рига. Зинантие 1980 с. 17−30.
- Weib W., Kutschera М., Starke U., Mozaffari M., Reshoft К., Kohler U., Heinz K. Development of structural phases of iron silicide films on Si (lll) studied by LEED, AES and STM, Surf. Sci. 377−379 (1997) p. 861−865.
- Ф. Линивег. Измерение температур в технике. М. Металлургия 1980 с. 520.
- L.N. Alexandrov, R.N. Lovyagin, Р.А. Simonov, I.S. Bzinkovskaya. p-n junction in the surface region of silicon obtained by evaporation of silicon in ultrahigh vacuum. Phys. stat. sol. (a) 45, 521, 1978 p.521−527.
- M. Liehr, M. Renier, R.A. Wachnik, G.S. Scilla. J. Appl. Phys., 61,4619 (1987).
- B.JI. Коньков. Вычисление постоянной Холла эпитаксиальных полупроводниковых пленок по результатам измерений зондовым методом. Заводская лаборатория, т.32, № 4, 1966.
- А.И. Емельянов, В. Л. Коньков. Влияние проводящего слоя полупроводниковых пленокна результаты зондовых измерений постоянной Холла. Заводская лаборатория, т. ЗЗ, № 7, 1968.
- В.В. Емцев, Т. В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981), с. 101.
- Sirotti F., DeSantis М., Jin X., Rossi G. Electronic states at the first stages of epitaxial growthof Fe silicides on Si (l 11)7×7, Appl.Surf.Sci. 65−66 (1993) p. 800−805.
- F.J. Himpsel, G. Hollinger, R.A. Pollak, Phys. Rev. B28, (1983) 7014.
- В.Л.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников Физика полупроводников М. Наука 1990.
- Suurmeijer E.P.Th.M., Benedictus R., Van der Stadt A., Klapwijk T.M. Surface conductivity of Si (l 11)7×7 with submonolayer Pb-coverages, Appl.Surf.Sci. 70−71 (1993) p. 452−455.
- Лифшиц В.Г., Плюснин Н. И. Электронное взаимодействие и силицидообразование в системе Cr-Si(l 11) на начальной стадии роста // Поверхность, 1984, № 8, С. 78−85.
- Плюснин Н.И., Галкин ИТ., Каменев А. Н., Лифшиц В. Г., и Лобачев С.А. Атомное перемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi2.// Поверхность. Физика, химия и механика. 1989. № 9. С. 55−61.
- Galkin N.G., Goroshko D.L., Ivanov V.A. and Kosikov S.I. In situ Hall measurements of Si (lll)/Cr, Si (l 11)/Fe and Si (lll)Mg disordered systems at submonolayer coverages.// Applied Surface Science. 2001, V.175−176, N3, P. 223−229.
- N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.A. Ivanov, E.S. Zakharova and S.Ts. Krivoshchapov. In situ Hall measurements of Fe and Cr submonolayers on Si (lll) of n- and p-type of conductivity.// Surface Review and Letters. 2000. V. 7. N 3, P. 257−265.
- Dotsenko S.A., Galkin N.G., Lifshits Y.G. Optical and electrical properties of In surface phases.// Physics of Low-Dimensional Structures, 2001, V. 5/6, P. 139−150.
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Роута, К. Ту, Дж. Мейера. // Гл. 13. Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контактов металл полупроводник (Е. Николлиан, А. Синха) / Москва, Мир, 1982, 570 с.
- Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975,432 с.
- N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.A. Ivanov, E.S. Zakharova and S.Ts. Krivoshchapov. In situ HalL measurements of Fe and Cr submonolayers on Si (l 11) of n- and p-type of conductivity.// Surface Review and Letters. 2000. V. 7. N 3, P. 257−265.
- R. Alameh, Y. Borensztein, «Optical study of oxygen and silver adsorbed on Si (lll) surfaces» Appl. Surf. Sci. 56−58, pp. 535−541,1992.
- A. Cricenti, S. Selci, F. Ciccacci, A.C. Felici, C. Goletti, Zhu Yong, G. Chiarotti, «Determination of the complex dielectric function of Si (lll)2xl, GaAs (llO) and GaP (llO)» Physica Scripta 38, pp. 200−205,1988.
- Смит P. Полупроводники. M.: Мир, 1982. 558 с.
- J. Chevrier, V. Le Thanh, S. Nittsche and J. Derrien. Epitaxial growth of P-FeSi2 on silicon (111): a real-time RHEED analysis // Appl. Surf. Sci., 1992, V. 56−58, P. 438 443.
- L. Wang, M. Ostling, K. Yang, L. Qin, C. Lin, X. Chen, S. Zou, Y. Zheng, and Y. Qian, «Optical transitions in p-FeSi2 films,» Phys. rev. В 54, pp. R11126-R11128,1996.110
- Горбачев В.В., Спицына Л. Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1976,368 с.
- Kafader U., Wetzel P., Pirri С., Gewinner G. Si-rich p (2×2) surface reconstruction of epitaxial fluorite-type iron silicide layers on Si (lll), Appl.Surf.Sci. 70−71 (1993) p. 573 577.
- Alvarez J., Vazquez de Parga A.L., Hinarejos J.J., de la Figuera J., Michel E.G., Ocal C., Miranda R. Structural phase transition during heteroepitaxial growth of iron silicides on Si (l 11), Appl.Surf.Sci. 70−71 (1993) p. 578−582.
- Уханов Ю.А. Оптические свойства полупроводников. M.: Наука, 1977. 252 с.
- K.S. An, R. J. Park, J.S.Kim, C.Y.Park, C.Y.Kim, J.W. Chang, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii. Mg-induced Si (l 11)3×1 structure studied by photoelectron spectroscopy // Surface Science, 1995, V. 337, L789 L794.
- K.S.An, R.J. Park, J.S.Kim, S.B.Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakisaki, T. Ishii, Initial interface formation study of the Mg/Si (lll) system, J. Appl. Phys. 78(2), 1151−1155(1995).
- M.Y. Au-Yang, M.L. Cohen, Electronic structure and optical properties of Mg2Si, Mg2Ge, and Mg2Sn, Phys. Rev. 178(3), 1358−1364 (1969).
- W.J. Scouler, Optical properties of Mg2Si, Mg2Ge, and Mg2Sn from 0.6 to 11.0 eV at 77K, Phys. Rev. 178(3), 1353−57 (1969).