Маскирующие свойства SiC>2

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Маскирующие свойства SiC>2 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Способность слоя SiCb служить в качестве локального маскирующего покрытия при диффузии атомов легирующей примеси при повышенных температурах — очень важное свойство в производстве ИС. Для того, чтобы легирующая примесь не диффундировала через оксидную пленку в маскированных областях и не достигала поверхности кремния, необходимо, чтобы в ходе этапа высокотемпературной разгонки диффузия этой примеси в оксиде была достаточно медленной, но отношению к диффузии в кремнии. Нужное значение толщины устанавливается экспериментально при определенной температуре и времени диффузии. В процессе маскирования оксид превращается в стеклообразную фазу, так называемое примесносиликатное стекло.

Значение диффузионных констант для различных легирующих примесей в SiOi зависят от концентрации примеси, свойств и структуры SiCb.

В Таблице 2.1 приведены диффузионные константы для различных легирующих примесей.

Таблица 2.1.

Коэффициенты диффузии легирующих примесей в SiC>2.

Легирующая примесь.	Коэффициент диффузии при 1100 °C, см²/с
В (бор).	3,4−10'¹⁷… 2,04О'¹⁴
Ga (галлий).	5,3-ИГ" .
Р (фосфор).	2,9−10¹⁶. .2,0−10'¹³
As (мышьяк).	1,210'¹⁶…3,5−10¹³
Sb (сурьма).	9,9−10¹⁷

Чаще всего пленки оксида кремния в традиционной технологии производства п/п приборов имеют толщину 0,5… 0,7, ша/.

Показать весь текст

Заполнить форму текущей работой

Другие работы

Физико-статистический метод прогноза

Если установлено, что связь между предиктантом У и одним или несколькими Xj явно нелинейна, то уравнения регрессии составляются отдельно для нескольких границ изменения величин Xj. Задача прогноза существенно усложняется при увеличении количества предикторов Xj. Так, в простейшей ситуации, когда изучается связь между предиктантом и одним предиктором, ее можно графически изобразить в виде линии…

Реферат