Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества

Диссертация: Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты работы были использованы при выполнении проектов № 2.1.1/2503 и 2.1.1/10 269 «Развитие теории полупроводниковых наноструктур и разработка новых методов их диагностики» аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы (2009;2011 г.)» — гос. контрактов № 8943р/14 023 от 19.04.2011 и № 10 482р/16 907 от 08.06.2012 на выполнение НИОКР «Разработка… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Неразрушающие методы анализа полупроводниковых гетероструктур (обзор литературы)
    • 1. 1. Нитрид галлия и гетероструктуры на его основе
    • 1. 2. Адмиттансные методы исследования полупроводниковых гетероструктур
    • 1. 3. Оптические и фотоэлектрические методы исследования гетероструктур
  • 2. Экспериментальная установка и методика исследований
    • 2. 1. Измерение адмиттанса полупроводниковых гетероструктур
    • 2. 2. Исследования фотоэлектрических характеристик гетероструктур 1пОаМЛЗаК
    • 2. 3. Исследуемые образцы
  • 3. Адмиттанс гетероструктур 1пОаЫ/СаК с множественными квантовыми ямами
    • 3. 1. Исследование вольт-фарадных характеристик
    • 3. 2. Статическая теория барьерной емкости
    • 3. 3. Динамическая теория адмиттанса полупроводниковых барьерных структур
  • 4. Фотоэлектрические характеристики гетероструктур 1пОаК/ОаЫ с множественными квантовыми ямами
    • 4. 1. Экспериментальные исследования фототока
    • 4. 2. Теория фототока в структурах с квантовыми ямами
    • 4. 3. Разработка методики экспресс-анализа гетероструктур 1п0а]Ч/0аЫ с множественными квантовыми ямами

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Гетероструктуры 1гЮаМ/ОаМ с множественными квантовыми ямами (МКЯ) в настоящее время широко используются в качестве активной области светодио-дов, а также полупроводниковых лазеров, излучающих в сине-зеленой области спектра. Их свойства во многом определяют параметры производимых приборов. К ним относятся спектр излучения, мощность и эффективность. Производство ге-тероструктур 1пСаЫ/СаК связано с преодолением ряда технологических трудностей, таких как создание эпитаксиальной структуры на чужеродных подложках (нитрид галлия на сапфире), а также рост слоев ОаК и 1пОаИ, сильно рассогласованных по периоду кристаллической решетки. Это отражается на качестве создаваемых структур, что в свою очередь влияет и на параметры приборов.

В этой связи исследование и диагностика квантово-размерных структур 1пОа1ЧЛлаК в последнее время становится особенно актуальным и востребованным направлением. Помимо заинтересованности производителей в повышении эффективности излучателей, данное направление представляет также определенный научный интерес. Он обусловлен тем, что к настоящему моменту не существует ясного представления о многих физических процессах в активной области излучающих структур, в частности, о механизмах транспорта носителей заряда и механизмах их излучательной и безызлучательной рекомбинации.

Диагностические методы, применяемые для исследования квантово-размерных структур, должны обладать высоким пространственным разрешением для обеспечения возможности анализа электрофизических свойств отдельных слоев. Но не менее важным требованием является неразрушающий характер внешнего воздействия на диагностируемый объект. Это позволяет проводить различные исследования на одном образце, тем самым получая наиболее полную информацию о его структуре, свойствах и механизмах тех или иных процессов.

В области неразрушающей диагностики полупроводниковых наногетеро-структур свою эффективность доказал метод вольт-фарадного профилирования. В рамках настоящей диссертационной работы проводятся исследования как вольт-фарадных, так и фотоэлектрических характеристик гетероструктур InGaN/GaN с МТСЯ. Результатом этих исследований явилась разработка нового неразрушающе-го фотоэлектрического метода диагностики таких структур, основанного на исследовании зависимости фототока от обратного напряжения. По сравнению с вольт-фарадным профилированием, данный метод обладает большим быстродействием и более высокой чувствительностью. Всё вышесказанное подчеркивает актуальность темы диссертационной работы.

Цель работы заключалась в исследовании фотоэлектрических явлений в гетероструктурах ТпОаМАЗаК с множественными квантовыми ямами и разработка нового неразрушающего фотоэлектрического метода их диагностики. Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Разработка и создание автоматизированной установки, позволяющей измерять адмиттанс и фототок в полупроводниковых гетероструктурах в широком диапазоне температур, частот и обратных смещений.

2. Разработка программного обеспечения для автоматизации процесса измерений характеристик гетероструктур, обработки экспериментальных данных и расчета параметров исследуемых образцов.

3. Исследование зависимостей дифференциальных емкости и проводимости от прикладываемого обратного смещения в структурах 1пОа1Ч/ОаК с МКЯ.

4. Развитие динамической теории адмиттанса полупроводниковых барьерных структур с квантовыми ямами, основанной на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона.

5. Исследование фототока в гетероструктурах 1пОаЫ/ОаК с МКЯ и его зависимости от прикладываемого обратного напряжения при различных температурах и длинах волн оптического возбуждения.

6. Развитие теории фототока в полупроводниковых барьерных структурах, содержащих одиночные н множественные квантовые ямы.

7. Разработка методики экспресс-контроля качества гетероструктур 1пСа1Ч/СаН с множественными квантовыми ямами по их фотоэлектрическим характеристикам.

Научная новизна работы.

1. Впервые развита микроскопическая динамическая теория адмиттанса барьера Шоттки с квантовой ямой, основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона.

2. В рамках данной теории впервые описана зависимость дифференциальной проводимости от прикладываемого обратного смещения. Показано, что экспериментально наблюдаемые ступеньки в данной зависимости обусловлены соответствующими особенностями барьерной емкости.

3. Экспериментально обнаружено, что зависимость фототока от обратного напряжения в структурах 1пОа1Ч/ОаК с множественными квантовыми ямами имеет ступенчатый характер. Показано, что ступеньки в фототоке обусловлены последовательным прохождением границы области объемного заряда р-п-перехода через квантовые ямы.

4. В структурах ТпСаЫ/ОаЫ с МКЯ обнаружены области отрицательной дифференциальной проводимости. Они возникают при возбуждении светом с длиной волны, соответствующей краю оптического поглощения материала квантовых ям. Показано, что данное явление связано со сдвигом края собственного поглощения, обусловленного компенсацией пьезоэлектрического поля квантовых ям полем р-п-перехода.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных методом вольт-фарадного профилирования и фотоэлектрическим методом, результатами теоретических расчетов, а также имеющимися литературными данными.

Научная и практическая значимость работы сводится к следующему:

1. Разработана автоматизированная установка, позволяющая исследовать адмиттанс и фотоэлектрические характеристики полупроводниковых квантово-размерных структур в области температур от 8 до 400 К, в диапазоне частот от 30 Гц до 1 МГц, при обратных смещениях до 60 В.

2. Разработано и зарегистрировано программное обеспечение для автоматизации процесса измерений характеристик полупроводниковых гетероструктур, обработки и анализа экспериментальных данных, расчета наблюдаемого профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре по вольт-фарадным характеристикам.

3. Развитая теория адмиттанса позволила описать множество явлений, наблюдаемых экспериментально, в частности, зависимость дифференциальной проводимости от обратного смещения в гетероструктурах с квантовыми ямами.

4. Обнаружены ранее неизвестные особенности в фотоэлектрических характеристиках гетероструктур ГпОаШЗаК с МКЯ: ступенчатый характер зависимости фототока от обратного смещения, области отрицательной дифференциальной проводимости. Исследование данных особеностей может использоваться для анализа свойств данных гетероструктур.

5. Предложен новый фотоэлектрический метод исследования гетероструктур 1пСа>1/ОаК с множественными квантовыми ямами, основанный на анализе зависимости фототока от приложенного обратного смещения.

6. Разработано и запатентовано устройство, реализующее экспресс-контроль качества полупроводниковых структур с квантовыми ямами путем измерения и последующего анализа их фотоэлектрических характеристик.

Положения, выносимые на защиту:

1. В барьерных структурах с квантовыми ямами ступенчатый характер зависимости дифференциальной проводимости от обратного смещения обусловлен соответствующими особенностями барьерной емкости.

2. В гетероструктурах 1пОаК/ОаК с квантовыми ямами зависимость фототока от обратного смещения имеет вид ступенек, что обусловлено расширением области объемного заряда и последовательным прохождением ее границы через квантовые ямы.

3. Эффект отрицательной дифференциальной фотопроводимости в структурах 1пОа>1/ОаМ с множественными квантовыми ямами обусловлен сдвигом края собственного поглощения материала квантовых ям вследствие компенсации внутреннего пьезоэлектрического поля полем р-п-перехода.

4. Исследование зависимости фототока от обратного смещения в гетероструктурах 1пОа1ГЛЗаК с множественными квантовыми ямами позволяет определить расстояние между ямами, а также оценить качество гетероинтерфейсов.

Результаты работы были использованы при выполнении проектов № 2.1.1/2503 и 2.1.1/10 269 «Развитие теории полупроводниковых наноструктур и разработка новых методов их диагностики» аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы (2009;2011 г.)" — гос. контрактов № 8943р/14 023 от 19.04.2011 и № 10 482р/16 907 от 08.06.2012 на выполнение НИОКР «Разработка автоматизированной установки для неразруша-ющего контроля качества полупроводниковых наногетероструктур» по программе «У.М.Н.И.К.» Фонда содействию развития малых форм предприятий в научно-технической сфере.

Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях: 11−14 Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптои наноэлектронике, СПб, 2009;2012 гг.- Российской молодежной конференции по физике и астрономии «Физика.СПб», СПб, 2012 г.- 12-й научной молодежной школе по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наносистем», СПб, 2009 г.- 62−66 научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ, СПб, 2009;2013.

Публикации: основные результаты исследований, изложенных в диссертации, опубликованы в 15 работах, среди которых 3 публикации в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в перечне ВАК, 1 патент на полезную модель, 3 свидетельства о государственной регистрации программ для ЭВМ, 1 публикация в журнале, не входящем в перечень ВАК, 7 публикаций в трудах научно-технических конференций (в т.ч. 5 всероссийских).

Структура диссертации: Диссертация состоит из введения, четырех глав (в сумме 12 параграфов) и заключения. Она изложена на 146 страницах машинописного текста, включает 71 рисунок, 2 таблицы, список литературы из 91 наименования.

Основные результаты настоящей диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Разработана автоматизированная установка для исследования адмиттанса и фотоэлектрических характеристик полупроводниковых наногетероструктур в широком диапазоне температур и частот. В среде Lab VIEW разработано программное обеспечение для автоматизации процесса измерений, обработки экспериментальных данных, расчета концентрационных профилей носителей заряда.

2. Исследованы дифференциальные емкость и проводимость гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц, в области температур от 10 до 300 К. На вольт-фарадных характеристиках наблюдались ярко выраженные плато, обусловленные последовательным опустошением квантовых ям при расширении области объемного заряда р-п-перехода.

3. Проанализированы профили концентрации носителей заряда в гетерострук-турах InGaN/GaN, рассчитанные по вольт-фарадным характеристикам. Ярко выраженные концентрационные пики соответствовали электронам, локализованным в квантовых ямах InGaN. Определены расстояния между ямами, оценено качество гетероинтерфейсов.

4. На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона развита динамическая теория адмиттанса барьера Шоттки, содержащего квантовые ямы. В рамках данной теории впервые рассчитана зависимость дифференциальной проводимости структур с квантовыми ямами от обратного напряжения.

5. Показано, что экспериментально наблюдаемые ступеньки в зависимости дифференциальной проводимости структур с квантовыми ямами от обратного смещения обусловлены соответствующими особенностями барьерной емкости.

6. Исследованы зависимости фототока от обратного напряжения в структурах InGaN/GaN с МКЯ в диапазоне длин волн от 400 до 520 нм в области температур от 10 до 300 К. Обнаружено, что данная зависимость имеет ступенчатый характер, что обусловлено последовательным прохождением границы области объемного заряда через квантовые ямы.

7. Впервые обнаружено, что в структурах 1гЮаМ/Оа]Ч с квантовыми ямами при оптическом возбуждении вблизи края собственного поглощения материала квантовых ям при определенных обратных смещениях возникает эффект отрицательной дифференциальной проводимости. Показано, что данное явление обусловлено сдвигом края собственного поглощения вследствие компенсации внутреннего пьезоэлектрического поля квантовых ям полем р-п-перехода.

8. Показано, что ступеньки в зависимости фототока от обратного смещения наиболее ярко выражены при комнатной температуре. В области низких температур данные особенности размываются. Это связано со снижением вероятности теплового выброса из квантовых ям носителей заряда, генерируемых светом.

9. Развита теория фототока в полупроводниковых барьерных структурах с квантовыми ямами. Результаты расчетов, выполненных в рамках данной теории, хорошо согласуются с экспериментальными данными.

10. Предложен новый неразрушающий экспресс-метод диагностики гетеро-структур 1пОаМЛЗаМ с множественными квантовыми ямами, основанный на анализе их фотоэлектрических характеристик.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р.Х., Мармалюк А. А. Нитрид галлия перспективный материал электронной техники. Ч. 1. Фундаментальные свойства нитрида галлия. Материаловедение. 1999. № 9. С. 41.
  2. R. Dingle, D.D. Sell, S.E. Stokowski, and M. Ilegems. Absorption, reflectance, and luminescence of GaN epitaxial layers. Phys. Rev. В 4, 1211 (1971).
  3. В. Monemar. Fundamental energy gap of GaN from photoluminescence excitation spectra. Phys. Rev. В 10, 676 (1974).
  4. О. Ambacher. Growth and applications of group IH-nitrides. J. Phys. D: Appl. Phys. 31,2653 (1998).
  5. A. Munoz and K. Kunc. High-pressure phase of gallium nitride. Phys. Rev. В 44, 10372(1991).
  6. Т. Lei, T.D. Moustakas, R.J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz. Epitaxial growth and characterization of zincblende gallium nitride on (001) silicon. J. Appl. Phys. 71,4933 (1992).
  7. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten. IH-nitrides: growth, characterization, and properties. J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
  8. A.M. Царегородцев, A.H. Ефимов. Эпитаксиальные слои твердых растворов нитрид галлия нитрид алюминия: получение и исследование структурных характеристик. Письма в ЖТФ, 22, 86 (1996).
  9. Н. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an A1N buffer layer. Appl. Phys. Lett. 48,353 (1986).
  10. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh. In situ monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers. J. Appl. Phys. 71, 5543 (1992).
  11. S. Nakamura, Y. Harada, and M. Seno. Novel metalorganic chemical vapor deposition system for GaN growth. Appl. Phys. Lett. 58, 2021 (1991).
  12. M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies. Efficiency ofNH3 as nitrogen source for GaN molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 72, 350 (1998).
  13. А.М.Мизеров, В. Н. Жмерик, В. К. Кайбышев, Т. А. Комиссарова, С. А. Масалов, С. В. Иванов. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (000−1) при использовании различных способов активации азота. ФТП43, 1096 (2009).
  14. N. Grandjean and J. Massies. GaN and AlxGaixN molecular beam epitaxy monitored by reflection high-energy electron diffraction. Appl. Phys. Lett. 71, 1816 (1997).
  15. N.E. Christensen, I. Gorczyca. Optical and structural properties of III-V nitrides underpressure. Phys. Rev. В 50, 4397 (1994).
  16. Junqiao Wu. When group-Ill nitrides go infrared: New properties and perspectives. J. Appl. Phys. 106,11 101 (2009).
  17. S.J. Pearton, J.C. Zolper, RJ. Shul, and F. Ren. GaN: Processing, defects, and devices. J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
  18. H.B. Фомин, Д. В. Шанцев. Возникновение дислокации несоответствия на интерфейсе подложки и слоя твердого раствора конечной толщины. ФТТ 38, 76 (1996).
  19. В.П. Мацокин. Релаксация напряжений с образованием дислокаций и трещин при формировании контакта между разнородными кристаллами. ФТТ 35, 2455 (1993).
  20. S.Yu. Karpov and Yu.N. Makarov. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride. Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).
  21. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura. Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures. Appl. Phys. Lett. 69,4188(1996).
  22. Shih-Wei Feng, Tsung-Yi Tang, Yen-Cheng Lu, Shi-Jiun Liu, En-Chiang Lin,
  23. C.C. Yang, Kung-Jen Ma, Ching-Hsing Shen, L.C. Chen, K.H. Kim, J.Y. Lin, and H.X. Jiang. Cluster size and composition variations in yellow and red light-emitting InGaN thin films upon thermal annealing. J. Appl. Phys. 95, 5388 (2004).
  24. K.P. O’Donnell, R.W. Martin, and P.G. Middleton. Origin of Luminescence from InGaN Diodes. Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
  25. I.H. Brown, I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, W.W. Chow,
  26. D.P. Bour, and M. Kneissl. Determination of the piezoelectric field in InGaN quantum wells. Appl. Phys. Lett. 86, 131 108 (2005).
  27. P. Kiesel, F. Renner, M. Kneissl, N.M. Johnson, and G.H. Dohler. Electroabsorp-tion spectroscopy direct determination of the strong piezoelectric field in InGaN/GaN heterostructure diodes. Phys. Stat. Sol. (a) 188, 131 (2001).
  28. Н.И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ю.С. Ле-ликов, Ф. Е. Латышев, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов ростом тока. ФТП 44, 822 (2010).
  29. Gh. Alahyarizadeh, Z. Hassan, and F. K. Yam. Improvement of the performance characteristics of deep violet InGaN multi-quantum-well laser diodes using step-graded electron blocking layers and a delta barrier. J. Appl. Phys. 113, 123 108 (2013).
  30. В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 220 с.
  31. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко. М., «Энергия», 1973. 656 с.
  32. Н.К. Gummel and D.L. Scharfetter. Depletion-layer capacitance of p+n step junctions. J. Appl. Phys. 38, 2148 (1967).
  33. Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Изд-во «Наука», Ленингр. отд., Л., 1972. 104 с.
  34. Н. Kroemer, Wu-Yi Chien, J.S. Harris, and D.D. Edwall. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V profiling. Appl. Phys. Lett. 36,295 (1980).
  35. В.И. Зубков, M.A. Мельник, A.B. Соломонов. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода. ФТП 32, 61 (1998).
  36. В.И. Зубков. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGai xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции. ФТП 41, 331 (2007).
  37. М.М. Соболев, А. Р. Ковш, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А, Е. Жуков, Ю. Г. Мусихин. Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками. ФТП 33, 184 (1999).
  38. D.V. Lang. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
  39. D.L. Losee. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers. J. Appl. Phys. 46, 2204(1975).
  40. G. Vincent, D. Bois, and P. Pinard. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers. J. Appl. Phys. 46, 5173 (1975).
  41. N.D. Nguyen, M. Germain, M. Schmeits, B. Schineller and M. Heuken. Thermal admittance spectroscopy of Mg-doped GaN Schottky diodes. J. Appl. Phys. 90, 985 (2001).
  42. C.R. Moon, Byung-Doo Choe, S.D. Kwon, H.K. Shin, and H. Lim. Electron distribution and capacitance-voltage characteristics of n-doped quantum wells. J. Appl. Phys. 84, 2673 (1998).
  43. O.A. Солтанович, H.M. Шмидт, Е. Б. Якимов. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. ФТП 45, 226 (2011).
  44. А.Н. Петровская, В. И. Зубков. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 К. ФТП 43, 1368 (2009).
  45. V.I. Zubkov, С.М.А. Kapteyn, A.V. Solomonov and D. Bimberg. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots. J. Phys.: Condens. Matter 17, 2435 (2005).
  46. П.Н. Брунков, C.O. Усов, Ю. Г. Мусихин, A.E. Жуков, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, С. Г. Конников, Т. К. Расулова. Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs. ФТП 38,469 (2004).
  47. В.И. Зубков. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона. ФТП 40, 1236 (2006).
  48. S.D. Singh, V.K. Dixit, S.K. Khamari, R. Kumar, A.K. Srivastava, T. Ganguli, and S.M. Oak. Conduction band offset and quantum states probed by capacitance measurements for InP/GaAs type-II ultrathin quantum wells. J. Appl. Phys. 109, 73 702 (2011).
  49. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, and E.O. Tsvelev. Determination of band offsets in strained InxGai. xAs/GaAs quantum wells by capacitance-voltageprofiling and Schrodinger-Poisson self-consistent simulation. Phys. Rev. В 70, 75 312 (2004).
  50. В.И. Зубков, M.A. Мельник, A.B. Соломонов, A.H. Пихтин, Ф. Бугге. Определение величины разрыва валентной зоны и ее температурной зависимости в изотопных гетеропереходах p-A^Ga^As/p-A^Ga^ As из C-F-измерений. ФТП 33, 940(1999).
  51. О.В. Кучерова, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, Д. В. Давыдов. Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетер о структур ах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. ФТП 44, 352 (2010).
  52. A. Sellai, P. Kruszewski, A. Mesli, A.R. Peaker, М. Missous. Electrical characteristics of InAs self-assembled quantum dots embedded in GaAs using admittance spectroscopy. J. Nanophoton. 6, 63 502 (2012).
  53. M. Geller, A. Marent, E. Stock, D. Bimberg, V.I. Zubkov, I.S. Shulgunova, and A.V. Solomonov. Hole capture into self-organized InGaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett. 89, 232 105 (2006).
  54. A.H. Квантовая и оптическая электроника: Учебник. М.: «Абрис», 2012. 656 с.
  55. Г. Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: «Наука», 1965.448 с.
  56. К.Г. Золина, В. Е. Кудряшов, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетеро-структур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. ФТП 31, 1055 (1997).
  57. Martin F. Schubert, Qi Dai, Jiuru Xu, Jong Kyu Kim, and E. Fred Schubert. Electroluminescence induced by photoluminescence excitation in GalnN/GaN light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 95, 191 105 (2009).
  58. Menkovich E.A., Tarasov S.A., Lamkin I.A. Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides. Func. Mat. 19, 233 (2012).
  59. JI.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: «Высшая школа», 1987. 239 с.
  60. С.О. Усов, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Н. Н. Леденцов. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN. ФТП 42, 187 (2008).
  61. B.C. Сизов, В. В. Неплох, А. Ф. Цацульников, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. Е. Николаев, A.M. Минтаиров, J.L. Merz. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN. ФТП 44, 1615 (2010).
  62. R.J. Kaplar, S.R. Kurtz, D.D. Koleske, and A.J. Fisher. Electroreflectance studies of Stark shifts and polarization-induced electric fields in InGaN/GaN single quantum wells. J. Appl. Phys. 95, 4905 (2004).
  63. A.H. Пихтин, О. С. Комков, К. В. Базаров. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs. ФТП 40, 608 (2006).
  64. А.Н. Пихтин, М. Т. Тодоров. Фотоотражение арсенида галлия. ФТП 27, 1139 (1993).
  65. Komkov O.S., Glinskii G.F., Pikhtin A.N., Ramgolam Y.K. Excitonic effects and Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance of ultrapure GaAs epilayers. Phys. Stat. Sol. (a) 206, 842 (2009).
  66. O.C. Комков, A.H. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Фёдоров. Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения. Письма в ЖТФ 34, 81 (2008).
  67. L. Tarricone, С. Arena, A. Parisini, and F. Genova. Photovoltage and photocur-rent spectroscopy of p+in+ GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures. J. Appl. Phys. 72,3578(1992).
  68. И.А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, H.B. Байдусь, Л. М. Батукова, Б. Н. Звонков, С. М. Планкина. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой. ФТП 26, 1886 (1992).
  69. И.А. Карпович, Д. О. Филатов. Диагностика гетер о структур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс. ФТП 30, 1745 (1996).
  70. Д.С. Сизов, B.C. Сизов, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, Е. Е. Заварин, Н. Н. Леденцов. Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока. ФТП 39, 1350 (2005).
  71. G. Franssen, P. Perlin, and Т. Suski. Photocurrent spectroscopy as a tool for determining piezoelectric fields in InxGai"xN/GaN multiple quantum well light emitting diodes. Phys. Rev. В 69, 45 310 (2004).
  72. В.Л. Альперович, H.T. Мошегов, А. С. Терехов, В. А. Ткаченко, О.А. Ткачен-ко, А. И. Торопов, А. С. Ярошевич. Резонансы фототока в короткопериодных сверхрешетках AlAs/GaAs в электрическом поле. ФТТ 41, 159 (1999).
  73. М. В., Глинский Г. Ф. Исследование полупроводниковых гете-роструктур мето-дом вольт-фарадного профилирования . Тез. докл. 12-й научной молодежной школы «Физика и технология микро- и наносистем», г. Санкт-Петербург, 2009. С. 28.
  74. М.В. Барановский, Г. Ф. Глинский. Автоматизированная установка для исследования адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 4/2012, с. 3 (2012).
  75. М.В. Барановский, Г. Ф. Глинский. Расчет профиля концентрации носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2 011 617 125, 13.09.2011 г.
  76. М.В. Барановский, Г. Ф. Глинский. Комплексная диагностика полупроводниковых наноструктур. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2 011 617 779, 6.10.2011 г.
  77. С.С. Мамакин, А. Э. Юнович, А. Б. Ваттана, Ф. И. Маняхин. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами. ФТП 37, 1131 (2003).
  78. О.В. Кучерова, В. И. Зубков, Е. О. Цвелев, И. Н. Яковлев, A.B. Соломонов. Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом спектроскопии адмиттанса. Зав. Лаб. Диаг. 76, 24 (2010).
  79. М.В., Глинский Г. Ф., Миронова М. С. Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. ФТП 47, 60 (2013).
  80. М.В., Глинский Г. Ф. Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом. Письма в ЖТФ39, С. 22−28(2013).
  81. М.В., Глинский Г. Ф. Диагностика InGaN/GaN наноструктур с множественными квантовыми ямами. Петербургский журнал электроники. 2012. № 2(71). С. 27−40.
  82. М. В., Глинский Г. Ф. Фотопроводимость 1пОа1Ч/Оа.Ч гетероструктур с множественными квантовыми ямами. Тез. докл. Российской молодежной конференции по физике и астрономии «ФизикА.СПб», г. Санкт-Петербург, 2012 г, С. 146 (2012).
  83. М.В., Глинский Г. Ф. Экспресс-диагностика светодиодных структур: Свид-во о регистра-ции программы для ЭВМ. Рос. Федерация- заявитель и правообладатель СПбГЭТУ. № 2 011 617 126- выд. 13.09.2011.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?