Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3

Диссертация: Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что в монокристаллах InS в интервале температур 160*400 К преобладает перескоковый механизм рассеяния. Выше 400 К электроны рассеиваются на полярных колебаниях кристаллической решетки, а в ]f-In2 S3 в интервале температур 77*200 К подвижность ограничивается, в основном, рассеянием на ионах примеси, цри Т> 200 К — на полярных колебаниях решетки. Цель работы. Целью настоящей работы… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. КРАТКИЕ СВЕДЕНИЯ О СИСТЕМЕ In-S
    • I. Диаграмма состояния систеш In-S
    • 2. Кристаллическая структура соединений InS
    • I. n6 S 7, In 2 S
    • 3. Литературный обзор по физическим свойствам сульфида индия
  • ГЛАВА 2. СИНТЕЗ И ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ InS. и /
    • I. Синтезирование соединений InS и
  • Г-1П&
    • 2. Получение монокристаллов соединения InS
  • ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГМШНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ СОВДИНЕНИЙ InS и f-In2Ss
    • I. Методика измерения
    • 2. Температурная зависимость электропроводности и коэффициента Холла монокристаллов соединения InS
    • 3. Механизм рассеяния электронов в InS
    • 4. Исследование гальваномагнитных свойств монокристаллов соединения р- In2 S$
    • 5. Температурная зависимость подвижности электронов в соединении f-In2S$
    • 6. Температурная завмь термо-э.д соединения j" - In2S$. <
    • 7. Вольтамперная характеристика (ВАХ) моно1фисталлов соединения InS
  • ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЛШИНЕСЦЕНТЕЗЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ InS И f-In2S
    • I. Фотопроводимость монокристаллов соеди нений InS и f-In2S
    • 2. Люкс-амперная характеристика (ЛАХ) монокристаллов соединений InS и f-In
    • 3. Кинетика собственной проводимости в
    • I. nS и f-In2S3. ПО
    • 4. Термостимулированная проводимость (ТСП) монокристаллов InS и f~In2 $ 3. ^
    • 5. Спектральное распределение стационарной фотопроводимости в монокристаллах InS и jf-In2S
    • 6. Осцилляция собственной фотопроводимости в InS И f-In2S
    • 7. Фотолюминесценция монокристаллов соединений
    • I. nS и f-In2S

Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность теш. Бурное развитие современной техники выдвигает новые повышенные требования к полупроводниковым материалам и приборам на их основе. Для их удовлетворения стало необходимым существенно повысить параметры применяемых в настоящее время полупроводниковых материалов. Вместе с тем для решения ряда проблем перед полупроводниковой физикой и электроникой ставятся важные задачи: изыскание новых и исследование малоизвестных полупроводниковых соединений, разработка методов их синтеза, очистки, легирования и получения совершенных кристаллов высокой чистоты. В последние годы уделяется большое внимание к полупроводниковым соединениям типа и А^Вд1, обладающими разнообразными интересными физическими свойствами. Среди этих соединений InS является малоизученным, a f-In2S3 вообще не изучено. Это связано с трудностями технологии получения однородных кристаллов сульфидов индия достаточных размеров с заданными электрическими параметрами.

Как известно, соединения сульфидов индия кристаллизуются в дефектных структурах и имеют большие стехиометрические вакансии от о поряцка ~10 см. Такие дефекты нарушают периодичность потенциала кристаллической решетки и в зацрещенной зоне появляются разрешенные локальные оостояния, которые участвуют в процессах генерации и рекомбинации неравновесных носителей тока и имеют важное значение при разработке материалов и приборов с заданными характеристиками. В одних случаях такие центры придают полупроводнику и полуцроводниковой структуре желаемые, а в другихнежелаемые свойства. С целью объяснения фотоэлектрических свойств и управления скоростью рекомбинации носителей в полуцроводнике необходимо получать полную информацию об энергетическом спектре локализованных состояний в запрещенной зоне кристалла. Однако, до настоящего времени в литературе не имеются сведения о параметрах этих уровней в монокристаллах сульфидов индия. Поэтому определение параметров локальных центров и построение рекомбина-ционной картины представляет большой интерес.

Цель работы. Целью настоящей работы является синтезирование и выращивание моновристаллов InS и tf-In2S3, изучение их физических свойств, установление энергетического спектра локализованных состояний и построение картины рекомбинационных процессов носителей тока, а также выяснение возможностей практического использования этих *фисталлов.

Для достижения цели были поставлены следующие основные за дачи:

1. Выбор подходящего метода и подбор оптимального режима синтеза и выращивания монокристаллов InS и. Подтверждение структуры полученных соединений термографическим и рентгенографическим анализом.

2. Изучение электрических и гальваномагнитных свойств монокристаллов InS и f-In^S3 и выяснение механизмов рассеяния носителей заряда, ограничивающих их подвижность.

3. Изучение стационарных характеристик и кинетики фотопроводимости и термостимулированной проводимости, определение параметров локальных уровней в InS и •

4. Исследование осцилляции собственной фотоцроводимости в монокристаллах InS и f~InzS3 и выяснение механизма их возникновения и исчезновения.

5. Изучение фотолюминесцентных свойств кристаллов InS и f-In2Sj и выяснение природы центров свечения.

Научная новизна: Выяснены особенности температурной зависимости коэффициента Холла в монокристаллах InS и f~Inz •

Установлены механизмы рассеяния носителей тока в различных температурных интервалах.

Показано, что рекомбинация основных носителей в InS и происходит го двум каналам: быстрому S — и медленному Z с участием tуровней прилипания. Оцределены параметры этих центров. Построены схемы рекомбинации.

Обнаружена и исследована осцилляция фотопроводимости в области собственного поглощения. Выяснен механизм возникновения и исчезновения осцилляций фотопроводимости.

Обнаружена примесная полоса на спектрах фотолюминесценции InS и f-In2 S3. Предположено, что центрами свечения являются собственные дефекты.

Практическая ценность. Разработаны режимы синтеза и выращивания сульфидов индия и впервые получены монокристаллы f-In2S3 что было подтверждено термографическим и рентгенографическим анализами. Термической обработкой кристаллов в парах серы получены образцы с заданными электрическими параметрами.

Показано, что монокристаллы InS и f~Tn2 обладают высокой фоточувстштельностью в области собственного поглощения и могут быть использованы для изготовления фотоприемников.

S ~ образная вольтамперная характеристика InS дает возможность для изготовления на их основе стабилизаторов напряжения и переключателей.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены и обсуждены на семинарах кафедры физики полупроводников физического факультета АзГосуниверситета им. С. М. Кирова, на семинаре лаборатории «Электронных полупроводников» физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР, на республиканских (3) научных конференциях и научных конференциях (4) профессорско-цреподаватель-ского состава и аспирантов Азербайджанского политехнического института им. Ч.Ильдрыма.

Публикации. По результатам проведенных исследований опубликовано 9 научных статей.

Объем и структура. Диссертационная работа изложена на 144 страницах машинописного текста, состоит из введения, четырех глав, заключения и основных выводов. В работе 46 рисунков и I таблица.

Список литературы

содержит 147 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

Диссертационная работа посвящена получению и исследованию физических свойств монокристаллов InS и f-In2S3 * определению фундаментальных параметров, характеризующих указанные материалы и установлению возможных областей их практического использования.

Полученные результаты позволяют сделать следующие основные выводы.

1. Разработаны режимы синтеза и выращивания сульфидов индия. Впервые получено f-In2S3 методом закалки, что было подтверждено термографическим и рентгенографическим анализами.

2. Исследованы электропроводность и эффект Холла в электронных монокристаллах InS и f-In2S3 и выяснены их особенности. Особенности температурной зависимости коэффициента Холла в этих кристаллах объясняются в рамках двухзонной модели.

3. Установлено, что в монокристаллах InS в интервале температур 160*400 К преобладает перескоковый механизм рассеяния. Выше 400 К электроны рассеиваются на полярных колебаниях кристаллической решетки, а в ]f-In2 S3 в интервале температур 77*200 К подвижность ограничивается, в основном, рассеянием на ионах примеси, цри Т> 200 К — на полярных колебаниях решетки.

4. Вольт-амперная характеристика InS имеет Sобразный вид. Установлено, что эффект переключения в InS является не запоминающим и сопровождается шнурованием тока. Показано, что соединение InS может быть использовано в схемах стабилизации напряжения и в качестве переключателей.

5. Исследованы стационарные и кинетические характеристики собственной фотопроводимости в монокристаллах InS и Y-In2S3

Установлено, что рекомбинация основных носителей происходит по двум центрам: быстрому S — и медленному Z -, с участием tуровней прилипания. Определены параметры этих центров.

6. Методами термостимулированной проводимости установлено наличие в InS и f-In2S3 медленных уровней прилипания с глубиной залегания 0,09 эВ и 0,055 эВ, соответственно. Определены концентрации и сечения захвата этих уровней.

7. Исследованы спектральные распределения фотопроводимости монокристаллов InS и f-In2 ДРП различных температурах. Определены ширины запрещенных зон и термические коэффициенты их.

Установлено, что эти кристаллы обладают высокой фоточувствительностью, (f — 1 $т±/В-лмдля InS и SUT— 5-Ю6 шк/В-лмдля инт" ин f-In2 S3, в области собственного поглощения. Показано, что на их основе можно разработать эффективные фотоприемники, работающие в области собственного поглощения при температурах 100* 200 К.

8. Впервые обнаружены и исследованы осцилляции собственной фотопроводимости в InS и f-Inz S3, обусловленные испусканием продольных оптических фононов свободными носителями. Определены периоды осцилляции, равные энергиям цродольных оптических фононов Ьсо0 =30 мэВ для InS и 50 мэВ для In2 S3. Показа

77 о но, что при высоких концентрациях Г)} 10 см осцилляции исчезают, что объясняется преобладанием электрон-электронного взаимодействия. Глубина осцилляций уменьшается с увеличением напряженности электрического поля и температуры, что связано с разогревом электронов.

9. Обнаружена примесная полоса на спектрах фотолюминесценции монокристаллов InS (/1^=1,2 мкм) и S3 {Am =0,88 мкм). Предполагается, что центрами свечения являются собственные дефекты.

Материалы диссертации были доложены и обсуждены на: ШП, ШШ, ХХХ1У, ХХХУ научных конференциях профессорско-преподавательского состава и аспирантов (Баку, 1981, 1982, 1983, 1984) — Республиканской научно-технической конференции «Достижения радиотехники, электроники и связи — в народное хозяйство» (Баку, 1981), Республиканской научно-технической конференции «Достижения и перспективы развития радиотехники, электротехники и связи в республике» (Баку, 1982), П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982), П науч-но-црактической конференции молодых ученых по проблемам социально-экономического развития г. Баку в XI пятилетке и в перспективе (Баку, 1983), на научных семинарах кафедры физики полупроводников физического факультета Азгосуниверситета им. С. М. Кирова, на семинаре лаборатории «Электронных полупроводников» физико-технического института им. А .Ф.Иоффе АН СССР и опубликованы в следующих работах.

1. Исмаилов И. М., Курбанов Э. М., Тагиров В. И. Термостиму-лированная проводимость (ТСП) в соединении InS. ФШ, 1980, т.14, 9, с 1783—1785.

2. Тагиров В. И., Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Осцилляции фотопроводимости монокристаллов соединения InS. В сб.: Электромагнитные и оптические явления в твердых телах. Изд. АГУ им. С. М. Кирова, Баку, 1981, с 21−26.

3. Тагиров В. И., Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Глубокие уровни в соединении InS. Материалы Республиканской научно-технической конференции «Достижения радиотехники, электроники и связи — в народное хозяйство». Изд. АзПИ им. Ч.Ильдрыма, Баку, 1981, с 42−43.

4. Тагиров В. И., Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Фоточувствительность монокристаллов соединения InS. В сб.: Электронные явления в твердых телах и газах. Изд. АГУ им. С. М. Кирова, Баку, 1982, с 19−22.

5. Курбанов Э. М., Исмаилов И. М. Эффект переклшения монокристаллов соединения InS. Материалы Республиканской научно-технической конференции «Достижения и перспективы развития радиотехники, электротехники и связи в республике». Изд. АзШ им. Ч.Иль-дрыма, Баку, 1982, с 74−75.

6. Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Электрические свойства монокристаллов соединения 1п2. Материалы Республиканской научно-технической конференции «Достижения и перспективы развития радиотехники, электротехники и связи в республике». Изд. АзПИ им. Ч. Ильдрыма, Баку, 1982, с 75−76.

7. Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Осцилляция собственной фотопроводимости (СФП) монокристаллов соединения InS и 1п2 $з Тезисы докладов П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Киев, «Наукова Думка», 1982, с. 130.

8. Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Некоторые фотоэлектрические свойства монокристаллов соединения In2. В сб.: Неравновесные цроцессы в твердотельных и газовых плазмах. Изд.

АГ им. С. М. Кирова, Баку, 1983, с 86−89.

9. Исмаилов И. М., Курбанов Э. М. Фотолюминесценция моно1фи-сталлов соединения f-In2S3. В сб.: Электрические и оптические свойства вещества. Изд. АТУ им. С. М. Кирова, Баку, 1984, с 11−13.

Б заключении считаю приятным долгом выразить благодарность научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору В. И. Тагирову за постоянный интерес, проявленный к работе, заботу и руководство. Хотелось бы с благодарностью отметить ту помощь, которую оказали, к.ф.-м.н., доценту И.М. Ис-маилову при обсуждении полученных экспериментальных результатов, а также всем сотрудникам кафедры физики полупроводников Азербайджанского государственного университета им. С. М. Кирова за дружескую помощь и творческую поддержу.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Thompson Д. 1, St и 38s M.F., Schuffle с7J., Duncan J.M. The 1.-InzS3 system Л Amez. Chem. Soc., 1953, v. 7b. mo 6, pp. mt.-ms.
  2. Thompson A. Z } St и 56s M. F,, Schu-fj-le JJ. Thezmo-olanamic о/ the In~In2S3 sostem. J. Amez. Chem. Soc., 195b t V. 76, MOZ, pp. 3U1 3h-3
  3. С. В. Абрамова В.Ф. Химия индия. Фрунзе, Изд. АН Киргизской ССР, 1958, 371 с.
  4. З.С. Халькогениды элементов Ш Б подгруппы периодической системы. М., «Наука», 1968, 216 с.
  5. Н. Х. Ванкина В.Ф. Поредкая Л. В. Сюшюва Е.В. Чижевская С. И. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М., «Наука», 1975, 219 с.
  6. А.С. Термодинамические свойства некоторых полупроводниковых веществ. Баку, «Элм», 1961, 87 с.
  7. .P. Агоронов Б. С. Лебедева Н.Н. Потопкая Н. Н. Получение и исследование некоторых электрических свойств нового полупроводникового соединения 1/?^ Ss. Уч.зап.Азерб.гос.ун-та, сер.физ.-мат. и хим. наук, 1965, М, с 57−60.
  8. Н.Е., Лебедева Н. Н., Мирзоев Б. Р. Шейнкман М.К. Получение и полупроводниковые свойства монокристаллов In^Ss . Изв. АН СССР, неорг. материалы, 1966, т.2, № II, с 1948—1952.
  9. SchuSezi К., Здьге ?.? G’unzet ?. Kzistatt-chemische encjeSnlsse an phasen a as В ебеmer? t. Шаг ix/Us. , 195*, V. 41, NO 19, p Ш.
  10. Hoofg J.H.C., tiuffin W.3. The czi/stat stzac-iuze of In6 S7. Ma Czystv 1967, V.23, N01>рр 111−11 $
  11. В. А. Лебедева Н.Н. Исследование спектрального распределения фоточувствительности монокристаллов Inu JV Укр.физ•журн., 1967, т.12, № 3, с 496−498.
  12. Р. С. Агаев К.А. Мамедов Х. С. В сб.: Исследования в области неорганической и физической химии. Баку, ЭЯМ, 1970, с 204−210.
  13. М. Андерко К. Структуры двойных сплавов. М., «Металлургиздат», 1962, т.2, 1488 с.
  14. А. А. Гулиев Т.Н. Короткова И. А. Определение размеров ячейки и пространственной группы bsSes . Изв. АН СССР, сер.неорг.материалы, 1966, т.2, № 3, с 574.
  15. Fitzgezatd Л.в., Thomas G¦ 8.?ectton mictos-соре o6set vat ion of twinning and phase itansjozma ~ iions in indium sulfide ctyst ats. Р/гг/s. Stat. Sot. > 1968, V, 25, N01, pp. 263 -271.
  16. М.И. Исследования в области химии сложных полупроводниковых халькогенидных систем на основе элементов Ш и У1 В подгрупп. Автореферат докт.дис., Баку, 1972.
  17. A.O. Коппел ХЛ. 0 диаграмме состояния системы In-S • Труда Института физики и астрономии АН Эст.ССР «Физичестт уткие цроцессы в соединениях» типа ААВ. Тарту, Изд. АН Эст.ССР, 1972, 41, с.166−170.
  18. Кристаллические структуры арсенидов, сульфидов, арсе-носульфидов и их аналогов (Сб. под ред. Бокия Г. Б.). -Новосибирск, Изд. СО АН СССР, 1964, 63 с.
  19. Banus М. З)., /iann в/пап R. E, К a fa las if.4., StzaassAO. Tetzoc/ona? phase of InS. So8. Stat. Res. Lincoln La8. Mass. InSt Techno5.} /963, A/02, pp. /5~-/6
  20. Такагаве /С. Watcamaza К., I to I. Pzessaze effect on the zesistance of InS Sot. Stat. Comm., /983, V- 46, A/02, pp. 2/5−2/6
  21. И/г an M, Klincffez IV. Оёег die xzistaSS stzuxtazeu ctes 1л2 S3 and In2. Z. anoggr.
  22. Chen?., /949, Bet. 260, H. G, S. 97−109.
  23. Steigmann GJ, SutheztandH.H. Goodyeaz X. The Czystat s hue tиге of fi-TnzS3 Acta Czyst., 1965 V.19, A/06,pp. 967−97/
  24. Kinf? G.S.&. Union соzSide eazopea/? zeseazch associates, s.a. 95, zue (fatti de gamond. //eta. Ci (/st /962, V. /5, A/05, p. 5/2.
  25. Z/aBez M. Suz Sa tza. rjsfozmatt077 ozatze -de'sozc/ze c/ans Inг Compt. Re not. f/cad. Set., /96/, V.253, A703, pp. 47/-473.
  26. Hatix/e6? И., Offezgettd G. f HezincKX c., CaKen&ezghe J.V. Miss enidence d’une ze’action d’oZc/onnance o/es ttacunes dans Svfyvze o7'e/?d/arr? Inz S3. Сотр. Rend. Head. Scz, 7061, V-252, N23, pp. 358S-3S88.
  27. Hatwettf //., OffetgeZd G., НеЬпсскх С., Ca-Ken6ez.(jfhe J-V- OSsez vation dizecte, Suz une pHatine Cha. nf-fa.nte, de Sa Reaction d’ozdonnance des? aci/nes dons te sdft/ted d’indium In2S3. Co/np. Rend J cad. Sci, /Щ V25S, Щ pp.583−385
  28. Москатига У-, Shi mojи pi. Tft ez mod и па mzc ptopezites of the molten that^i an? + teZSaziazns astem. Ttans- Fa tad’og soc1277! 1767, A/Of, pp. 127(7−7277
  29. Buck у or? P. Rontgfent opogt taphiscf? e and e6ec^zonenm ik t osKopt’sche unte zsuchc/ng c/et beat? st их tut von In2 S3 KZt’sta€?er?. J. /Jpp?. Czyst., 727S f 17.6, N01, pp. 1−8
  30. Г. Ш. Мамедов К.П. Сулейманов З. И. Исследование фазовых состояний в In2S3 рентгенографическими и термографическими методами. Изв. АН Азерб.ССР, Сер. физ-техн.и мат .наук., 1973, № 3, с 38−43.
  31. П. Г. Меликова З.Д. Мамедалиев Ф. Д. Исследование взаимодействия халькогенццов индия типа А^В^ с халькоге-нами. В сб.: Исследование материалов для новой техники? Тбилиси, «Мецниереба», 1971, с 158.
  32. Б. Т. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические свойства сульфида и селенида ивдия. ШФ, 1947, т.17, вып.9, с 987−992.
  33. М. Г. Мирзоев Б.Р. Электрические свойства полупроводникового InS . Уч.зап.АГУ им. С. М. Кирова, Сер.физ.-мат.наук, 1963, № 3, с 87−90.
  34. Н. Ф. Исмаилов И.М. Кочашш К. Ш. Исследование некоторых диэлектрических параметров InS . Уч.зап.АТУ им. С. М. Кирова, сер.физ.-мат.наук, 1976, $ 3, с 44−46.
  35. Nishino I, На/я а. к aw ос. W. Pzepazatton, а па/ pzopeziies of InS singe cz^stafs'- Japan. J. dpptf. Phys., /977, И /6, A/OS, pp. /291-/300
  36. И. М. Гахраманов Н.Ф. Ахундов Г. А. Фотопроводимость и фотолюминесценция монокристаллов в InS . Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.-техн.наук, 1975, Ж, с 16−18.
  37. Н.Ф. Получение монокристаллов соединения InS и исследования некоторых физических свойств. Автореф.канд.дис., Баку, 1976.43. /Vis/?г по Т. ctzozef? ес?сс7?се о/ I/7S. So?, Stat, С о/7?/77/976, 1/./9, А/03, рр ¦ 635−639
  38. В.В. Зоны и экситоны халькогенццов галлия, индия и таллия. Кишинев, «Штиинца», 1982, 272 с.
  39. В.М. Колебательные спектры некоторых полупроводников группы Автореферат кацц.дис., Баку, 1980.
  40. Fazao/e v I.E., Gasanty М.М.- Л/cr v tin ff. M, Mefn/xMM, Raman scattering in somme /Н-V/ t? o/yez Szngfe cz^sfa P/?ys. Stat. So?.(6), /97S, V. SS, МО/, pp.3S/-3S6.
  41. K.K. Керимов И. Г. Мехтиев М.И. Максимов Э. А. Теплоемкость, энтропия и энтальпия халькогенидов Ga и In цри низких температурах. Изв. АН СССР, сер.неорг.материалы, 1972, т.8, М2, с 2096—2098.
  42. А.Х. Получение монокристаллов соединения IneS7 и исследование их некоторых физических свойств. Автореферат канд. дис., Баку, 1978.
  43. В. И. Исмаилов И.М. Хусейн А. Х. Исследование термо-э.д.с. соединения 1п657. Уч.зап.АТУ им. С. М. Кщюва, сер физ.-мат. наук, 1978, Jfc 2, с II6-II8.
  44. В. И. Исмаилов И.М. Мурадова М. С. Термостиму-лированная проводимость (ТСП) в соединении 1п6 $ 7 • Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.-техн. и мат. наук, 1979, Н, с 65−68.
  45. В. И. Исмаилов И.М. Хусейн А. Х. Мурадова М.С. Исследование эффекта переключения и памяти в монокристаллах соединения In6S7 . Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.-техн.и мат. наук, 1979, М, с 57−62.
  46. Н. П. Кипа М.С. Савчук А. И. Симчук Р.Н. Фотоэлектрические свойства монокристаллов In6 S7 и In6 Se7 . ФТП, 1980, т.14, № 7, с I390−1391.
  47. В. И. Исмаилов И.М. Хусейн А. Х. Исследование края полосы поглощения InG S7 . ФТП, 1978, т. I2-- НО, с 2027—2028.я4, Виноградов Е. А. Гасанлы Н.М. Гахраманов Н. Ф. Ддавадов Б.М., Тагиров В. И. Инфракрасные спектры отражения монокристаллов
  48. Гпе$ 7. ФТТ, 1980, т.22, № 9, с. 2845−2848.
  49. М. С. Гавалешко Н.П. Получение и электрические свойства In6 &7 . Изв. АН СССР, сер.неорг.материалы, 1977, т. 13, Ш1, с 2110−21II.
  50. В. В. Крамарь В.М. Кипа М. С. Гавалешко Н.П. Спектры отражения IneSe7, In6 S7, In€Te7 . Укр.физ.журн. 1983, т.28, М, с 610−612.
  51. RehwaZa/ W-, Наьбеке G. 0/7 the conc/t/c/zo/? mecham’s/n in single clys/afs fi-inc/ii/m si/fyt'de I/?2 S^ J. Phys. Chem. Sot,
  52. PhjfS. Stdt. Sot. Jd 63} V.2,/m, p. к 73-к 77
  53. М. И. Мушинский В.П. Чеботарь. В. В. Зыоног М.С. Фо то э лектрические свойства легированных кристаллов 1лz S3. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков. Кишинев, «Штиинца», 1978, с 74−81.
  54. В. П. Амброс П. Исследование термостимулиро-ванной проводимости монокристаллов 1пг S3 и твердых растворов на его основе. Изв. ВУЗ-ов, Физика, 1972, № 9, с 145−146.
  55. В. П. Караман М.И. Оптические свойства халько-генидов галлия и индия. Кишинев, «Штиинца», 1973, 114 с.
  56. И.Я. Исследование физических свойств Автореферат кацц.дис., Кишинев, 1975.
  57. Gaz&'cxx О-Г. J., Spzingfozc/ А/., С/?есг пека /7-rTie infta-lec/ e/vissior? о/ inc/icrm sesqt/is'c/tp/rzWe. Pzoc. Pfys. Soc.} /963, У- #2, №О/, pp. /6−22.
  58. М. И. Мушинская K.M. Мушинский В. П. Чеботарь В.В. Исследование структуры края поглощения кристаллов халько-генидов галлия и индия методами модуляционной спектроскопии.
  59. В сб.: Физические процессы в полупроводниках. Кишинев,"Штиинца", 1977, с 54−66.
  60. В. П. Караман М.И. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства халькогенидов галлия и индия. Кишинев, «Штиинца», 1975, 79 с.
  61. С.И. Наджа&ов Ю.Б. ШариФов К. А. Синтез долу-проводниковых соединений с легколетучими компонентами. Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.-мат.техн.наук, 1981, № 6, с 51−54.
  62. В. И. Гахраманов П.Ф. Исмаилов И. М. Электрофизические свойства соединения InS . Научные труды АГУ им.
  63. С.М.Кирова, сер.физ.-шт.наук, 1979, № 6, с I5I-I55.
  64. Ф.Ф. Электропроводность полупроводников. M.-JL, Гостехиздат, 1947, 192 с.
  65. К. Физика полупроводников. М., «Мир», 1977, 615 с.
  66. Бонч-Бруевич Б.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., «Наука», 1977, 672 с.
  67. Дж. Статистика электронов в полупроводниках- М., «Мир», 1984, 392 с.
  68. К.В. Физика полупроводников. М., «Энергия», 1976, 415 с.
  69. Буш Г. Винклер У. Определение характеристических параметров полупроводников по электрическим, оптическим и магнитным измерениям. М., Изд.Ин.лист., 1959, 139 с.
  70. X. Ларк-Горович К. Электрические свойства ан-тимонида индия р-типа при низких температурах. Новые полупроводниковые материалы. М., Изд.ин.лит., 1958.
  71. I. М. } A/ccst/eotov, Sm eta я niко т Vt/.S-, Fe tits tan t It./?. %o/?oz J’evetts zn n-InSS, а яг/ theit ton isat ton in ot/ec tzic fioftit- P/ti/s- Stczt. j /969> V-36, A/02, pp. 747−7Ы.
  72. O.B. Лагунова Т. С. Наследов Д.Н. Примесная зона в кристаллах арсенида галлия р- и п-типа. ФТТ, 1961, т. З, Ж, с 198−203.
  73. Моде луне 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. М., «Мир», 1967, 477 с.
  74. Шик А. Я. Эффект Холла и подвшшость электронов в неоднородных полупроводниках. Письма в ЖЭТ&-, 1974, т.20, вып.1,с 14−16.
  75. .И. ЭФрос А.Л. Свойства легированных полупроводников. М., «Наука», 1979, 416 с. 81. dig zee it? Р Theozif of imp at //if Sanc/s with zanofomty c/istzi6utec7 centzezs. Physica1954, 1.20, А/ОП, pp. 975−987
  76. Hancf CS. Giassmar? J. R. Resistivity aval 17aft effect of germanium a/ fow te/npezati/zes Phi/s. Rev- 195S+, V-96, /70S, pp. 1226 72 Зв
  77. Лянь-Чжи-Чао. Наследов Д. Н. Влияние электрического поля на электропроводность, коэффициент Холла и магнитосопротивле-ниefnSS п -типа при низких температурах. ФТТ, т.2, Л5, с 7ЭЗ-798.
  78. Д.С. Физика полупроводников. М., «Высшая школа», 1969, 590с.
  79. Буш Г. Винклер У. Полупроводники в науке и технике. М.-Л., Изд. АН СССР, 1958, т.Н.
  80. В.И. Введение в физику полупроводников. М., «Высшая школа», 1984, 352 с.
  81. Н. М. Тагиров В.И. Сардарлы P.M. Хусейн А. Х. Длинноволновые оптические моды в In2 S3 и Ir?6 S7 . Уч.зап. АТУ им. С. М. Кирова, сер. физ.-мат.наук, 1976, .№ 5, с 63−68.
  82. Piпкmctn Та us J. Lattice vi Szat tor? of semicono/t/ctozs a c/efecit Zinc- Steaa/e stbt/c -Ше. Pht/s• Rev. Lett., 7973, V-31 >17 014, pp. 890−893
  83. А. С. Пушкарский А.С. Боровикова Р. П. Симонов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М., «Наука», 1974, 167 с.
  84. Riot’Ley В.К. Specific леграt/ye Zestste/rce it? So fiats- Pzoc • Phys. Soc., 7963, И82 ,/706, pp. 954−966
  85. M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М., «Мир», 1973, 416 с.• Милне А-' Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. ГЛ.,"Мир", 1977, 562 с.
  86. Бонч-Вруевич В. Д. Звягин И.П. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М., «Наука», 1972, 414 с.
  87. Р. Фотопроводимость твердых тел. X, Изд.ин.лит., 1962, 560 с.95* Рыбкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., «Физматгиз», 1963, 494 с.
  88. А. Основы теории фотопроводимости. М., «Мир», 1966, 192 с.
  89. А. В. Шейнкман М.К. Определение параметров центров прилипания в полупроводниках по температурной зависимости фототока. УФ Ж, 1973, т.18, И, с 133−139.
  90. В. Е. Любченко А.В. Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев, «Наукова Думка», 1981, 269 с.
  91. Pose /!¦ Recombination pzocespes zr? /nsc/tf -atozs and se/r?zconductors • PdfS. ftcV- j> V. 97-1. ЛЮ2} pp. 322−323
  92. Be/Se R. I/?/га tea/ ус/еле/tn (f а/?с/ a iл г/zed c/esczcpiior? a/ pho/ccona/i/e/i vi Zip pAело/пела гл с&а/л7ге//л voffic/e алс/ sefen/c/e. P/, ys. Rev., /965, К 90, А/04, pp. //05- //06
  93. Б. Е. Любченко А.В. Влияние добавочного быстрого канала рекомбинации на фономенологический выход фототока. ФТТ, 1963, т.5, № 2, с 426−433,
  94. В. К. Лгобченко А.В. Шейнкман М. К. Комплексное исследование кинетики процессов рекомбинации и инфракрасного гашения фототока в сульфиде кадмия. ФТТ, — 1965, т.7, № 6, с I7I7-I732.
  95. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью кинетики инфракрасного гашения фототока. Докл. АН СССР, 1965, т.161, J?6, с 1310—1312.
  96. В. Ф. Сысоев Б.И. Линник В. Д. Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках. Воронеж. Изд. Воронежского университета, 1982, 180 с.
  97. Ю9. Рывкин С. М. В сб.: Полупроводники в науке и технике. М., Изд. АН СССР, 1959, т.п.
  98. ПО. Литовченко П. Г. Устьянов В.И. Определение параметров прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. В сб.: Актуальные вопросы физики полупроводников и полупроводниковых приборов, Вильнюс, «Вайздас», 1969, с I53-I7I.
  99. ИЗ. Адшзович Э. И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М.-Л./ТИТТЯ", 1951, 351 с. 114. ttafyezin J-, Вza. nez АР. Eva^t/a^ionof thezmat activation enezyies J гол? у tow cazi/es Phys. Rev., i960, V. H7, A/02, pp. 408−4/5
  100. Boot/? А.И. SatcaSa iior? of efectzon tzop otepth -fzom thezmofamir? escence maxima. Canaot. X Chem., /954, к 32, A/02, pp. 2/4 -2/5
  101. В oh an A.? tied zone emz’se a tfazevna centzaии iontovych xzysta{y. Ce
  102. BuSe P.P. luminescence and tzappir? y гп zinc saffide phos, p/?ozs with and without coppez aciivatoz. Rhys. Rev., /950, l/.SO, //04-, pp. 655−666
  103. Keating P. it. Thezma у stimulated emiss’ian and conductivity peaxs in the case af te/npezataze dependent tzappiny czoss S’ections. Pzoc. Ph
  104. Aticotfas P.P., Woods 5. The evaluation of etectzon tzappiny pazametezs fzom conatuctiyity yfow cuzwes in cadmium S’ut’phide. Bzit. X /fpp€. Phys1., /964, l//s, //07, pp.783−795
  105. В. И. Гасанлы Н.М. Исмаилов Н. М. Гахраманов Н.Ф. Решеточное отражение кристаллов InS . Изв. ВУЗ-ов, сер. физика, 1975, № 2, с 158.
  106. HaSeyyez M. d., Fan ft. Y. Oscittatozy intzinsic photoconductivity о/ 6aS6 and In St?. Phys. Pev. lett., 964, V.12, A/09-, pp. 99-/01
  107. Д. Н. Попов Ю.Г. Сметадникова Ю. С. Осцилляции собственной фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в п- типа InS6 . ФТТ, 1964, т.6, М2, с 3728—3730.
  108. Н.В. Осцилляции цримесной фотопроводимости в кремнии. ФТТД965, т.7, № 3, с 2551—2553.
  109. Д. Н. Негрескул В.В. Родауцан С. И., Слобод -чиков С.В. Осцилляция фотопроводимости в GaP. ФТТ, 1965, т.7, М2, с 3671—3673.
  110. Kovat/evskaya. G, G., /Vast/ее/о v j6. M, StoSad-chixov Sit. Photoconductivity oscillations in InP Phys. Stat. Sot., /96?j 1/23, ft02, pp. 755−760
  111. Pazx У. S., Chaztotte M.C. Intzisiny osciStations in photoconductivity о/ Z/?Se. Phys• Lett., /966 7 V. 126, ft/O, pp. Ш-Ш
  112. И. Л. Ормонт Н.Н. Остробородова В. В. О спектрах примесной фотопроводимости германия р-типа с примесями Ga, //у, fa и Ш .при низких температурах .ЖЗТФ, 1966, т.51, с 401−405.
  113. Н. Д. Вавилов B.C. Примесная фотопроводимость в германии р-типа с бериллием. ФТТ, 1965, т.7, М, с 1252—1254.
  114. И. М. Наследов Д.Н.Сметанникова Ю. С. Примесная фотопроводимость антимонида индия при низких температурах. ФТП. 1968, т.2, № 6, с 901−903.
  115. Ismaitov I.M., Nastedov J6. М Smeta пп iко т Yu.S. On the spec/za о/ impaziiy ptwtocondvctzvi tyо/ r? and p type indium ant imonide ot tow tempezatazes. Phys. Stat. Sot. j m9, V.3J, N02, pp. 499−505
  116. И. М. Наследов Д.Н. Сиповская М. А. Сметанни-кова Ю.С. Отрицательная фотопроводимость в р-1л
  117. StoCKez tt d., Кар tar? tt. Thezoy of osczt-taiozy pho/ocor?dactivity in Semicortdaciо ZS: Bottzmann eyt/a t ton app гоа с A?. Phys. Re V., /966,1. /50, A/02, pp 6/9−63/.
  118. B.E. Маныкин Э. А. 0 возможности осуществления отрицательной проводимости на неравновесных носителях тока в полупроводниках. Письма ЖЭТЭ?, 1966, т. З, М, с 26−31.
  119. Stannazd C.R., Stocxez dZ Oscittations in the intrinsic photoconductivity of In St. Bute. M Phys. Soc., к MM p. 47/
  120. Д. Н. Попов Ю.Г. Сметанникова Ю. С. Осцилляция собственной фотопроводимости и фотомагнитного эффекта вп- типе InSS . ФТТ, 1964, т.6, № 12, с 3728—3730.
  121. И.Н. Кинетическая теория фотоэлектрических и фотомагнитных явлений в полупроводниках. Автореферат дис.докт. физ.-мат.наук, М., 1975.
  122. Р. И. Наследов Д.Н. Попов Ю. Г. Яссиевич И.Н. Фотомагнитный эффект n~InS6 в случае разогрева электронов. Письма ЖЭТФ, IS67, т.6, № 9, с.845−849.
  123. Moozac/ior? /4., Fan МИ Reco/n Sina ttan {mission in In S3. P/?yS- Rev., 7956, V-74−8, N02, pp. 873-XS5.
  124. Ya.ma.sbita J1 low- temp e г a. ta ze etectzicat? Szeaxotown in yBzmaniam. J. Pt? ys Roc. Jap., /96/, V./6, A/04, pp. 720−732.
  125. Sto-ate к R.J. 7/ new t/?ezmat zeststivity max imam in si/рег conatc/ct iny aL7t? oy
  126. Mac tionatct IV. M.} Rosentffi/tt? 717.77. 5t? i/SK W Petfaxation of a sac tern of paztic7es wit/? con torn 6 intozactions. P/ji/s.Rev.,/957, 7./07, /702, pp. 350−363.
  127. Pines Я¦ 77 cottective c/iscztption of etectzom intezecction: /7 etectzon tntezocction z? metats. Rhys. Rev., 7953, 7.92^ /703, pp. 626−636
  128. B.H. Личушенко P.M. Яссиевич И. Н. Фотоэлектрические явления в вырожденных полупроводниках при разогреве электронов светом. ФТТ, 1968, т.10, МО, с 2920—2924.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?