Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
Диссертация
Результаты, представленные в диссертации, получены на основе многократно повторенных экспериментов, проведенных на современном научном оборудовании с использованием современных методов обработки экспериментальных данных. Экспериментальные данные подтверждены теоретическими расчетами, основанными на адекватно выбранных физических моделях анализируемых процессов, а также не противоречат результатам… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Литературный обзор
- 1. 1. Основы сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии
- 1. 2. Исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1 / fa
- 1. 3. Изучение локальной плотности состояний в присутствии примесных атомов и дефектов поверхности
- 1. 4. Атомарно-чистая поверхность скола (110) полупроводниковых соединений типа А3В
- 1. 5. Краткие
- выводы
- Глава 2. Исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1 /fa на поверхности скола кристалла In As (НО) методом СТМ/СТС
- 2. 1. Экспериментальная установка
- 2. 2. Методы получения чистой поверхности (110)
- 2. 3. Система для скалывания образцов in situ
- 2. 4. Результаты эксперимента
- 2. 5. Краткие
- выводы
- Глава 3. Теоретическое исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1 /fa при туннелировании через зарядовые локализованные состояния
- 3. 1. Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через одно зарядовое локализованное состояние в области туннельного контакта
- 3. 2. Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния в области туннельного контакта
- 3. 3. Сопоставление теоретических расчетов с результатами эксперимента
- 3. 4. Краткие
- выводы
- Глава 4. Теоретическое исследование спектральной плотности туннельного тока в широком диапазоне частот при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния
- 4. 1. Формирование высокочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через зарядовые локализованные состояния
- 4. 2. Сдвиг низкочастотной сингулярной особенности в спектре туннельного тока в высокочастотную область при туннелировании через зарядовые локализованные состояния
- 4. 3. Краткие
- выводы
- Глава 5. Исследование пространственного распределения локальной плотности на поверхности полупроводниковых кристаллов в присутствии локализованных состояний
- 5. 1. Изменение локальной плотности поверхностных состояний под действием локализованного состояния, образованного примесным атомом
- 5. 2. Туннельная спектроскопия в окрестности примесных атомов
- 5. 3. Влияние потенциала доменной стенки, на локальную плотность поверхностных состояний
- 5. 4. Краткие
- выводы
Список литературы
- Ebert P. Nano-scale properties of defects in compound semiconductor surfaces // Surf. Sci. Rep. — 1999, — Vol. 33. — Pp. 121−303.
- Ebert P., Zhang Т., Kluge F., Simon M., Zhang Z., Urban K. Importance of Many-Body Effects in the Clustering of Charged Zn Dopant Atoms in GaAs // Phys. Rev. Lett. 1999, — Vol. 83, no. 4, — Pp. 757−760.
- Madhavan V., Chen W., Jamneala Т., Crommie M. F. Wingreen N. S. Local spectroscopy of a Kondo impurity: Co on Au (lll) // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64, no. 16. — P. 165 412.
- Inglesfield J., Boon M. H., Crampin S. Nature of Friedel oscillations around Si dopants in the GaAs (110) accumulation layer // Condens. Matter. 2001. — Vol. 12. — Pp. L489-L496.
- Bena C. Effect of a single localized impurity on the local density of states in monolayer and bilayer graphene // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol. 100.- P. 76 601.
- Binnig G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta.- 1982. Vol. 55, no. 6. — Pp. 726−735.
- Tromp M. Spectroscopy with the scanning tunneling microscope: a critical review 11 Condens. Matter.— 1989,-Vol. 1,—Pp. 10 211−10 228.
- Lang N. D. Spectroscopy of single atoms in the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. В. — 1986.-Vol. 34.- Pp. 5947−5958.
- Келдыш Л. В. Диаграммная техника для неравновесных процессов // ЖЭТФ. 1964. — № 47. — С. 1515−1527.
- Johnson J. B. The Schottky Effect in Low Frequency Circuits // Phys. Rev. 1925. — Vol. 26, no. 1. — Pp. 71−85.
- Schottky W. Small-Shot Effect and Flicker Effect // Phys. Rev. — 1926. — Vol. 28, no. 6, — P. 1331.
- Moller R., Esslinger A., Koslowski B. Noise in vacuum tunneling: Application for a novel scanning microscope // Appl. Phys. Lett. — 1989.— Vol. 55, no. 22. Pp. 2360−2362.
- Koslowski B., Baur C. New potentiometry method in scanning tunneling microscopy: Exploiting the correlation of fluctuations //J. Appl. Phys. — 1995. — Vol. 77, no. 1. Pp. 28−33.
- Maeda K., Siguta S., Kurita H. e. Spatial variation of 1// current noise in scanning tunneling microscopes // J. Vac. Technol. B. — 1994. — Vol. 12, no. 3. — Pp. 2140−2143.
- Lozano M., Tringides M. Surface diffusion measurements for STM tunneling current fluctuations // Europhys. Lett. — 1995. — Vol. 30, no. 9. — Pp. 537−543.
- Nauen A., Hapke-Wurst I., Hohls F., Zeitler U., Haug R. J., Pierz K. Shot noise in self-assembled In As quantum dots / / Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, no. 16. P. 161 303.
- Nauen A., Hohls F., Konemann Haug R. J. Shot noise in resonant tunneling through a zero-dimensional state with a complex energy spectrum // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69, no. 11. — P. 113 316.
- Nauen A., Hohls F., Maire N., Pierz K., Haug R. J. Shot noise in tunneling through a single quantum dot // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 70, no. 3. — P. 33 305.
- Philipp J. B., Alff L., Marx A., Gross R. Low-frequency 1// noise in doped manganite grain-boundary junctions // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, no. 22. P. 224 417.
- Chen Y., Webb R. A. Full shot noise in mesoscopic tunnel barriers // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 73. — P. 35 424.
- Vandersypen L. M., Elzerman J. M., Schouten R. N.- Willems van Bev-eren L. H., Hanson R., Kouwenhoven L. P. Real-time detection of single electron tunneling using a quantum point contact // Appl. Phys. Lett.— 2004. Vol. 85, no. 19. — Pp. 4394−4396.
- Safonov S. S., Savchenko A. K., Bagrets D. A., Jouravlev O. N., Nazarov Y. V., Linfield E. H., Ritchie D. A. Enhanced Shot Noise in Resonant Tunneling via Interacting Localized States // Phys. Rev. Lett. —2003. Vol. 91, no. 13. — P. 136 801.
- Gramespacher T., Buttiker M. Quantum Shot Noise at Local Tunneling Contacts on Mesoscopic Multiprobe Conductors // Phys. Rev. Lett. — 1998. — Vol. 81, no. 13.- Pp. 2763−2766.
- Galperin Y. M., Chao K. A. Resonant tunneling in the presence of a two-level fluctuator: Low-frequency noise // Phys. Rev. B. — 1995. — Vol. 52, no. 16, — Pp. 12 126−12 134.
- Burin A. L., Shklovskii B. I., Kozub V. I., Galperin Y. M., Vinokur V. Many electron theory of 1 // noise in hopping conductivity // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 74. — P. 75 205.
- Altshuler B. L., Levitov L. S., Yakovets A. Y. Nonequilibrium noise in a mesoscopic conductor: A mesoscopic analysis // JETP Lett. — 1994. — Vol. 59, no. 12. Pp. 857−862.
- Gutman D. B., Gefen Y. Shot noise in disordered junctions: Interaction corrections 11 Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64, no. 20. — P. 205 317.
- Hamasaki M. Effect of electron correlation on current and current noise for the single- and the two-impurity Anderson model // Phys. Rev. B. —2004,-Vol. 69, no. 11, — P. 115 313.
- Lopez R., Aguado R., Platero G. Shot noise in strongly correlated double quantum dots // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, no. 23. — P. 235 305.
- Dong B., Cui H. L., Lei X. L., Horing N. J. M. Shot noise of inelastic tunneling through quantum dot systems // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71, no. 4. — P. 45 331.
- Weyrnann I., Barnas J. Shot noise and tunnel magnetoresistance in multilevel quantum dots: effects of cotunneling // Phys. Rev. B. — 2008. — Vol. 77. P. 75 305.
- Thielmann A., Hettler M., Konig J.- Scgon G. Cotunneling current and shot noise in quantum dots // Phys. Rev. Lett. — 2005. — Vol. 95. — P. 146 806.
- Cresti A., Parravicini G. Dephasing effects and shot noise in quantum Hall wires: Green’s function formalism // Phys. Rev. B. — 2008. — Vol. 78. — P. 115 313.
- Yao J., Chen Y.-C., Ventra M. D., Yang Z. Q. Effect of atomic geometry on shot noise in aluminum quantum point contacts // Phys. Rev. B. — 2006. Vol. 73. — P. 233 407.
- Chen Y.-C., Di Ventra M. Shot noise in nanoscale conductors from first principles // Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 67, no. 15.- P. 153 304.
- Yurke B., Kochanski G. P. Momentum noise in vacuum tunneling transducers // Phys. Rev. B. 1990. — Vol. 41, no. 12. — Pp. 8184−8194.
- Lesovik G. B. Exsess quantum noise in 2d ballistic point contacts // JETP Lett. 1989. — Vol. 49, no. 9. — Pp. 592−594.
- Engel H.-A., Loss D. Asymmetric Quantum Shot Noise in Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 93, no. 13, — P. 136 602.
- Rothstein E. A., Entin- Wohlman O., Aharony A. Noise spectra of a biased quantum dot // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 79. — P. 75 307.
- Kiesslich G., Wacker A., Seholl E. Shot noise of coupled semiconductor quantum dots // Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 68, no. 12. — P. 125 320.
- Levitov L. S., Lesovik G. B. Charge distribution in quantum shot noise 11 JETP Lett. 1993. — Vol. 58, no. 3. — Pp. 230−235.
- Korotkov A. N., Likharev К. K. Shot noise suppression at one-dimensional hopping // Phys. Rev. B. 2000. — Vol. 61, no. 23.- Pp. 15 975−15 987.
- Rogers С. Т., Buhrman R. A. Composition of 1/f Noise in Metal-Insulator-Metal Tunnel Junctions // Phys. Rev. Lett. 1984, — Vol. 53, no. 13. — Pp. 1272−1275.
- Butta P., Horn P. M. Low-frequency fluctuations in solids: 1/f noise // Rev. Mod. Phys.- 1981, — Vol. 53, no. 3, — Pp. 497−516.
- Weissman M. B. 1/f noise and other slow, nonexponential kinetics in condensed matter // Rev. Mod. Phys. — 1988. — Vol. 60, no. 2. — Pp. 53 7571.
- Fermi-edge singularity in resonant tunneling / A. K. Geim, P. C. Main, N. La Scala, L. Eaves, T. J. Foster, P. H. Beton, J. W. Sakai, F. W. Sheard, M. Henini et al. // Phys. Rev. Lett. — 1994. — Vol. 72, no. 13. Pp. 20 612 064.
- Aleshkin V. Y., Reggiani L. Electron transport and shot noise in double-barrier resonant diodes: The role of Pauli and Coulomb correlations // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64, no. 24. — P. 245 333.
- Matveev K. A., Larkin A. I. Interaction-induced threshold singularities in tunneling via localized levels // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 46, no. 23. — Pp. 15 337−15 347.
- Mahan G. B. Excitons in Degenerate Semiconductors // Phys. Rev. — 1967.-Vol. 153, no. 3.- Pp. 882−889.
- Arseyev P. I., Maslova N. S., Panov V. I., Savinov S. V. Coulomb singularity effects in tunnelling spectroscopy of individual impurities // JETP Lett. 2002. — Vol. 76, no. 5. — Pp. 345−348.
- Вольф Э. JI. Принципы электронной туннельной спектроскопии. — Киев: Наукова Думка, 1990. — 453 с.
- Zheng J. F., Liu X., Newman N., Weber E. R., Ogletree D. F., Salmeron M. Scanning tunneling microscopy studies of Si donors (sica) in GaAs // Phys. Rev. Lett. 1994. — Vol. 72, no. 10, — Pp. 1490−1493.
- Zheng J. F., Salmeron M., Weber E. R. Empty state and filled state image of (zriGa) acceptor in GaAs studied by scanning tunneling micposcope // Appl. Phys. Lett 1994. — Vol. 64. — Pp. 1836−1838.
- Loth S. and Wenderoth M., Ulbrich R. G. Asymmetry of acceptor wave functions caused by surface-related strain and electric field in InAs // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 77. — P. 115 334.
- Marczinowski M. C., Wiebe JHashimoto K., Meier, Wiesendanger R. Effect of charge manipulation on scanning tunneling spectra of single Mn acceptors in InAs // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 77. — P. 115 318.
- Kanisawa K., Butcher M. JTokura Y., Yamaguchi H., Hirayama Y. Local Density of States in Zero-Dimensional Semiconductor Structures // Phys. Rev. Lett. 2001. — Vol. 87, no. 19. — P. 196 804.
- Meyer C., Klijn J., Morgenstern M., Wiesendanger R. Direct Measurement of the Local Density of States of a Disordered One-Dimensional Conductor // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 91, no. 7. — P. 76 803.
- Suzuki K., Kanisawa K., Janer C., Perraud S., Takashina K., Fuji-sawa T., Hirayama Y. Spatial imaging of two-dimensional electronic states in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. Lett. — 2007. — Vol. 98. — P. 136 802.
- Bombrowski R., Wittneven C., Morgenstern M., Wiesendanger R. Landau level quantization measured by scanning tunneling spectroscopy onn-InAs (110) // Physica Status Solidi B. — 1998. — Vol. 210, no. 2. — Pp. 845−851.
- Mahieu G., Grandidier B., Deresmes D., Nys J. P., Stievenard D., Ebert P. Direct Evidence for Shallow Acceptor States with Nonspheri-cal Symmetry in GaAs // Phys. Rev. Lett. — 2005.— Vol. 94, no. 2, — P. 26 407.
- Sullivan</span> J. M., Boishin G. /., Whitman L. J., Hanbicki A. T., Jonker B. T., Erwin S. C. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of Mn-doped GaAs: Theory and experiment // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, no. 23. P. 235 324.
- Lu J. Q., Johnson H. T., Dasika V. D., Goldman R. S. Moments-based tight-binding calculations of local electronic structure in InAs/GaAs quantum dots for comparison to experimental measurements // Appl. Phys. Lett. — 2006. Vol. 88, no. 5. — Pp. 1−3.
- Capaz R. B., Cho K., Joannopoulos J. D. Signatures of Bulk and Surface Arsenic Antisite Defects in GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett. ~ 1995. Vol. 75, no. 9. Pp. 1811−1814.
- Feenstra R. M. Electronic states of metal atoms on the GaAs (llO) surface studied by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. — 1989. — Vol. 63, no. 13. Pp. 1412−1415.
- Maslova N. S., Panov V. I., Savinov S. V., Depuyt A., van Haesendonk C. Scanning tunneling spectroscopy of charge effects on semiconductor surfaces and atomic clusters // JETP Lett.— 1998.— Vol. 67, no. 2, — Pp. 130−135.
- Feenstra R. M., Meyer G., Moresco F., Rieder K. H. Low-temperature scanning tunneling spectroscopy of n-type GaAs (llO) surfaces // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 66, no. 16. — P. 165 204.
- McEuen P. L., Foxman E. B., Meirav U., Kastner M. A., Meir Y., Wingreen N. S., Wind S. J. Transport spectroscopy of a Coulomb island in the quantum Hall regime // Phys. Rev. Lett. — 1991.— Vol. 66, no. 14. — Pp. 1926−1929.
- Foxman E. B., McEuen P. L., Meirav U., Wingreen N. S., Meir Y., Belk P. A., Belk N. R., Kastner M. A., Wind S. J. Effects of quantum levels on transport through a Coulomb island // Phys. Rev. B. — 1993. — Vol. 47, no. 15. Pp. 10 020−10 023.
- Nakatsuji K., Takagi Y., Kornori F., Kusuhara I J., Ishii A. Electronic states of the clean Ge (001) surface near Fermi energy // Phys. Rev. B.— 2005. Vol. 72, no. 24. — P. 241 308.
- Sagisaka K., Fujita D. Standing waves on Si (100) and Ge (100) surfaces observed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B.— 2005.— Vol. 72, no. 23. P. 235 327.
- Chadi D. J. Stabilities of single-layer and bilayer steps on Si (001) surfaces // Phys. Rev. Lett. 1987, — Vol. 59, no. 15, — Pp. 1691−1694.
- Pereira V., Nilsson J., Castro-Neto A. H. Coulomb impurity problem in graphene // Phys. Rev. Lett. — 2007. — Vol. 99.-P. 166 802.
- Schneider I., Struck A., Bortz M., Eggert S. Local density of states for individual energy levels in finite quantum wires // Phys. Rev. Lett. — 2008. Vol. 101. — P. 206 401.
- Sivan N., Wingreen N. S. Single-impurity Anderson model out of equilibrium // Phys. Rev. B.— 1996.-Vol. 54, no. 16. Pp. 11 622−11 629.
- Wingreen N. S., Jauho A.-P., Meir Y. Time-dependent transport through a mesoscopic structure // Phys. Rev. B.— 1993.— Vol. 48, no. 11.— Pp. 8487−8490.
- Zheng-zhong Li Y. R., Xiao M., Hu A. Microscopic study of impurity resonance and tunneling magnetoresistance of nanoscale junctions // Phys. Rev. B. 2007. — Vol. 75. — P. 54 420.
- Duke C. B., Paton A., Kahn A.} Bonapace C. R. Dynamical analysis of low-energy electron-diffraction intensities from InAs (110) // Phys. Rev. B. 1983. — Vol. 27, no. 10. — Pp. 6189−6198.
- Lubinsky A. R., Duke C. B., Lee B. W., Mark P. Semiconductor surface reconstruction: The rippled geometry of GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett.— 1976, — Vol. 36, no. 17.-Pp. 1058−1061.
- Kahn A. Semiconductor surface structures // Surf. Sci. Rep. — 1983.— Vol. 3. Pp. 193−300.
- Puga M. W., Xu G., Tong S. Y. The surface geometry of GaAs (110) // Surf. Sci. 1985. — Vol. 164. — Pp. 789 796.
- Falter C., Ludwig W., Selmke M. Charge transfer and chemical shifts in zincblend compounds // Solid. St. Comrnuun.— 1985.— Vol. 54.— Pp. 321−325.
- Phillips J. C. Ionicity of the chemical bond in crystals // Rev. Mod. Phys. 1970. — Vol. 42, no. 3. — Pp. 317−356.
- Feenstra R. M., Fein A. P. Surface morphology of GaAs (llO) by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. .985.— Vol. 32, no. 2.— Pp. 1394−1396.
- Feenstra R. M., Stroscio J. A., Tersoff J., Fein A. P. Atom-selective imaging of the GaAs (llO) surface // Phys. Rev. Lett. — 1987, — Vol. 58, no. 12.-Pp. 1192−1195.
- Whitman L. J., Stroscio J. A., Dragoset R. A., Celotta R. J. Scanning-tunneling-microscopy study of InSb (llO) // Phys. Rev. B.— 1990.— Vol. 42, no. 11, — Pp. 7288−7291.
- Ebert P., Urban K., Lag ally M. G. Charge state dependent structural relaxation around anion vacancies on InP (llO) and GaP (llO) surfaces // Phys. Rev. Lett. 1994. — Vol. 72, no. 6. — Pp. 840−843.
- Sorba L., Hinkel VMiddelmann H. U., Horn K. Bulk and surface electronic bands of InP (llO) determined by angle-resolved photoemission // Phys. Rev. B. 1987. — Vol. 36, no. 15. — Pp. 8075−8081.
- Chadi D. J. (110) surface atomic structures of covalent and ionic semiconductors // Phys. Rev. B. 1979. — Vol. 19, no. 4. — Pp. 2074−2082.
- Miller D. J., Haneman D. Wave functions and (110) surface structure of III-V compounds // J. Vac. Sei. Technol. 1978. — Vol. 15. — Pp. 12 671 273.
- Goddard W. A., Barton J. J., Retondo A., McGill T. C. Theoretical studies of Si and GaAs surfaces and initial steps in the oxidation // J. Vac. Sei. Technol. 1978. — Vol. 15. — Pp. 1274−1286.
- Mailhiot C., Duke C. B., Chadi D. J. Calculation of the atomic geometries of the (110) surfaces of III-V compound semiconductors // Surf. Sei.— 1985. Vol. 149. — Pp. 366−380.
- Feenstra R. M. Tunneling spectroscopy of the (110) surface of direct-gap III-V semiconductors // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 50, no. 7. — Pp. 4561−4570.
- Pandey C. Atomic and electronic structure of semiconductor surfaces // J. Vac. Sei. Technol. 1978. — Vol. 15. — Pp. 440−447.
- Chelikowsky J. R., Louie S. G., Cohen M. L. Relaxation effects on the (110) surface of GaAs // Phys. Rev. B.— 1976, — Vol. 14, no. 10.— Pp. 4724−4726.
- Meie E. J., Joannopoulos J. D. Electronic states at unrelaxed and relaxed GaAs (110) surfaces // Phys. Rev. B. 1978. — Vol. 17, no. 4. — Pp. 18 161 827.
- Kahn A. Atomic geometries of zincblend compound semiconductor surfaces: Silmilarities in surface rehybritizations // Surf. Sei. — 1986. — Vol. 168. Pp. 1−3.
- Lengel G., Wilkins R., Brown G., Weimer M., Gryko J., Allen R. E. Geometry and electronic structure of the arsenic vacancy on GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett. 1994.- Vol. 72, no. 6. — Pp. 836−839.
- Chao K.-J., Smith A. R., Shih C.-K. Dircct determination of exact charge states of surface point defects using scanning tunneling microscopy: As vacancies on GaAs (110) // Phys. Rev. В.— 1996.— Vol. 53, no. 11.— Pp. 6935−6938.
- Ebert P., Chen X., Heinrich M., Simon M., Urban K., Lagally M. G. Direct determination of the Interaction between vacancies on InP (110) surfaces // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76, no. 12. — Pp. 2089−2092.
- Lengel G., Harper J., Weimer M. Charge Injection and STM-Induced Vacancy Migration on GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett. — 1996. —Vol. 76, no. 25. Pp. 4725−4728.
- Barth C., Henry C. R. Atomic Resolution Imaging of the (001) Surface of UHV Cleaved MgO by Dynamic Scanning Force Microscopy // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 91, no. 19. — P. 196 102.
- Зырянов Г. К. Низковольтная электронография. — JL: Ленинградский университет, 1986. — 188 с.
- Barth СClayes С., Henry С. R. Surface preparation of hard ionic crystals by ultra high vacuum cleavage // Rev. Sci. Instr. — 2005. — Vol. 76, no. 8, — Pp. 1−7.
- Oreshkin A. I., Muzychenko B. A., Radchenko I. V., Mancevich V. N Panov V. I., Oreshkin S. I. Crystal cleavage mechanism for uhv scanning tunneling microscopy // Rev. Sci. Instr. — Vol. 77, no. 11. — P. 116 116.
- Ebert P., Urban К. Phosphorous vacancies and adatoms on GaP (110) surfaces studied by scanning tunneling microscopy // Ultramicroscopy. — 1993. Vol. 49. — Pp. 344−353.
- Oreshkin A. I., Mancevich V. N., Maslova N. S., Muzychenko B. A., Oreshkin S. I., Panov V. I., Savinov S. V., Oreshkin S. I., Arseev P. I.147 I
- The influence of different impurity atoms on 1 / fa tunneling current noise characteristics on InAs (110) surface // JETP Lett — 2007.— Vol. 85, no. 1. Pp. 40−45.
- Mantsevich V. N., Maslova N. S. The influence of localized state charging on 1 /fa tunneling current noise spectrum // Solid. St. Commun2008. Vol. 147. — Pp. 278−283.
- Chen C. J. Tunneling matrix elements in three-dimensional space: The derivative rule and the sum rule // Phys. Rev. B.— 1990.— Vol. 42, no. 14. Pp. 8841−8857.
- Chen C. J. Origin of atomic resolution on metal surfaces in scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. — 1990. — Vol. 65, no. 4. — Pp. 448−451.
- Mantsevich V. N., Maslova N. S. Tuning of tunneling current noise spectra singularities by localized states charging // JETP Lett. — 2009. — Vol. 89, no. 1, — Pp. 24−29.
- Mantsevich V. N., Maslova N. S. Spatial distribution of local density of states in vicinity of impurity on semiconductor surface // JETP Lett.—2009. — Vol. 89, no. 12. Pp. 609−613.
- Feenstra R. M., Meyer G., Moresco F., Rieder K. H. Low-temperature scanning tunneling spectroscopy of n-type gaas (HO) surfaces // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 66, no. 16. — P. 165 204.