Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
Диссертация
Проведены оценки пороговых энергий ионизации в объемных изотипных и анизотипных гетероструктурах II типа М-ОаЗЬ/ЬГ-АЮаАзЗЬ/пЛпОаАзЗЬ, 1Ч-Оа8Ь/п-IгЮаАзЗЬ/Р-АЮаАз8Ь с большой энергией скачка потенциала АЕс в зоне проводимости на гетерогранице. Показано, что наблюдаемая суперлинейная зависимость интенсивности электролюминесценции и оптической мощности от тока накачки может быть объяснена вкладом… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Светодиоды для средней ИК-области спектра 1.6 — 5 мкм (обзор)
- 1. 1. Узкозонные полупроводниковые материалы А3В5 для светоизлучающих структур, работающих в диапазоне 1.6−5 мкм
- 1. 1. 1. Бинарные соединения Оа8Ь и 1пАз
- 1. 1. 2. Многокомпонентные твердые растворы на основе ваБ
- 1. 1. 3. Многокомпонентные твердые растворы на основе 1пАз
- 1. 2. Особенности зонных энергетических диаграмм гетеропереходов I и II типа на основе узкозонных полупроводников А3В
- 1. 3. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в гетеропереходах I и II типа
- 1. 4. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе гетероструктур СаЫАзЗЬ/АЮаАвЗЬ (1.6−2.4 мкм)
- 1. 5. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе гетероструктур 1пАз8Ь/1пА58ЬР (3−5 мкм)
- 1. 6. Способы повышения оптической мощности светодиодов на основе узкозонных гетероструктур А3В
- 1. 7. Выводы к главе 1
- 1. 1. Узкозонные полупроводниковые материалы А3В5 для светоизлучающих структур, работающих в диапазоне 1.6−5 мкм
- Глава 2. Методика создания и исследования светодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов в системе СавЬ-ТпАв
- 2. 1. Особенности технологии жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) гетероструктур на основе твердого раствора Оа1пАз
- 2. 2. Особенности технологии газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) гетероструктур на основе 1пАз/1пА58Ь (Р)
- 2. 3. Постростовая обработка светодиодных гетероструктур
- 2. 4. Методика исследования вольт-амперных и люминесцентных характеристик светодиодных гетероструктур
- 2. 5. Выводы к главе 2
- Глава 3. Новые подходы к созданию высокоэффективных спонтанных источников излучения для среднего ИК диапазона (1.6 — 5 мкм) на основе объемных гетероструктур А3В
- 3. 1. Исследование электролюминесценции в объемных гетероструктурах I типа на основе 1пАз/1пА58Ь (Р)
- 3. 2. Исследование электролюминесценции в объемных изотопных и анизотипных гетероструктурах II типа на основе ОаБЬ с высокими потенциальными барьерами
- 3. 2. 1. Исследование электролюминесценции в изотипной гетероструктуре
- 3. 2. 2. Исследование электролюминесценции в анизотипных гетероструктурах на основе ОаБ
- 3. 3. Выводы к главе 3
- 4. 1. Создание и характеризация квантово-размерных гетероструктур на основе ОаБЬ с глубокой квантовой ямой А1(А8)8Ь/1пАз8Ь/А1(Аз)8Ь, выращенных методом МОГФЭ
- 4. 2. Обнаружение и исследование эффекта сверхлинейной зависимости интенсивности люминесценции и оптической мощности от тока накачки в гетероструктурах с глубокой квантовой ямой
- 4. 3. Теоретические оценки процесса ударной ионизации в глубокой квантовой яме и сопоставление с экспериментом
- 4. 4. Выводы к главе 4
- 5. 1. Исследование поглощения воды и нефти с помощью светодиодов, излучающих в диапазоне 1.6−2.3 мкм
- 5. 2. Разработка оптической ячейки на основе светодиодной матрицы портативного анализатора воды в нефти с учетом особенностей поглощения водонефтяной эмульсии
- 5. 3. Определение калибровочной кривой анализатора воды в нефти
- 5. 4. Вывод к главе 5
Список литературы
- Н.Д. Стоянов, Б. Е. Журтанов, А. П. Астахова, A.H. Именков, Ю. П. Яковлев, «Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6−2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга"// ФТП. 2003. — т. 37, в.8. — С. 996 — 1009.
- Абакумов В.Н., Перель В. И., Яссиевич И. Н. «Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках», С.-Петербург: Изд-во Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН. 1997,376 с.
- R.D. Schaller, V.I. Klimov «High efficiency carrier multiplication in PbSe nanocrystals: implications for soler energyconversion» // Phys.Rev.Lett. 2004. — V.92, N 18. — P. 186 601.
- F. Capasso in: Semicond. and Semimetals. Vol.22. Part D. Photodetectors. Chapter 1. (1982).
- Wu, M. C. and С. C. Chen, «Photoluminescence of high-quality GaSb grown from Ga-and Sb-rich solutions by liquid-phase epitaxy» // J. Appl. Phys. 1992. — V.72, N 9. — P. 42 754 280.
- Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, and G.B. Stringfellow «Photoluminescence of InSb, InAs, and InAsSb grown by organometallic vapor phase epitaxy» // J. Appl. Phys. 1990. — V.67, N 11. — P. 7034−7039.
- Корицкий Ю.В., Пасынков B.B., Тареев Б. М. «Справочник по электротехническим материалам». Т. 3, Л.: Энергоатомиздат. 1988, 728 с.
- Heller, М. W. and R. G. Hamerly, «Hole transport in gallium antimonide"// J. Appi. Phys. 1985. — V.57, N 10. — P. 4626−4632.
- Т.Н. Данилова, Б. Е. Журтанов, A.H. Именков, Ю. П. Яковлев «Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6−4.4 мкм. Обзор"//ФТП.-2005.-Т.39. В.11. С.1281−1311.
- M.P.Mikhailova, A.N.Titkov «Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system» // Semicond. Sci. Technol. 1994. — V.9. — P.1279−1295.
- Handbook Series on Semiconductor Parameters. V.2. M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, ed., World Scientific, London. 1999, P. 180−205.
- Воронина Т.И., Джуртанов Б. Е., Лагунова T.C., Сиповская М. А., Шерстнев В. В. и Яковлев Ю.П. «Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава» // ФТП. 1998. -Т.32. В.З. — С.278.
- Воронина Т.И., Лагунова Т. С., Михайлова М. П., Сиповская М. А., Шерстнев В. В. и Яковлев Ю.П. «Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GalnSbAsrMn» // ФТП. 1991. — Т.25. В.2. — С.276−282.
- M.P.Mikhailova, A.A.Rogachev, and I.N.Yassievich «Impact ionization and Auger Recombination in InAs» // Sov. Phys. Semicon. 1976. — V.10. — P.866.
- M.P. Mikhailova, I.A. Andreev «High-speed avalanche photodiodes for the 2−5 jim Spectral Range» in «Mid-infrared semiconductor optoelectronics» ed. by A. Krier, Springer. -2006. P.547−592.
- И.А. Андреев, М. П. Михайлова, C.B. Мельников, Ю. П. Сморчкова, Ю. П. Яковлев «Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GalnAsSb» // ФТП. — 1991. — Т.25. В.8. С.1429−1436.
- Vurgaftmana, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan «Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys"// J. Appi. Phys. 2001. — V.89. N11.- P.5815−5875.
- Алферов Ж.И. «Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе» // «Физика и жизнь», С.-Петербург: изд. «Наука». 2000, 255 с.
- Kroemer Н. and Griffiths G Electron Device Lett. 1983. — V.4. — P. 20.
- Wilson B. «Carrier dynamics and recombination mechanisms in staggered-alignment heterostructures» // IEEE J. Quantum Electron. 1988. — V.24. -P.1763−1777.
- Melnikova Yu. S. Fiz.Tekh.Poluprovodn. 1980. — V.14. — P.1763.
- Dohler G. «Electron-hole subbands at the GaSb-InAs interface» // Surf.Sci. 1980. -V.98. — P.108−116.
- Caine E.Y., Subbana H., Kroemer H., Metz Y.L. and Cho A.Y. «Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable below-gap radiation: Experimental verification» // Appl.Phys.Lett. 1984. V.45. — P. l 123.
- Титков А.Н., Чебан В. Н., Баранов А. Н., Гусейнов А. А. и Яковлев Ю.П. «Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II типа GalnAsSb/GaSb» // ФТП. -1990. Т.24. — С. 1056−1061.
- Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р., Rogachev A.A., Titkov A.N. and Yakovlev Yu.P. «Staggered-lineup heterojunction in the system of GaSb-InAs» // Superlatt. Microstruct. 1990. — V.8. N 4. — P.375.
- Баранов A.H., Джуртанов Б. Е., Именков A.H., Рогачев А. А., Шерняков Ю. П. и Яковлев Ю.П. «Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе» // ФТП. 1986. — Т.20. В.12. — С.2217−2221.
- Андаспаева А., Баранов А. Н., Гусейнов А. А., Именков А. Н., Литвак A.M., Филаретова Г. М. и Яковлев Ю.П. «Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (1=2.2 мкм, Г|=4%, Т=300 К)» // Письма в ЖТФ. 1988. — Т.14. В.9. — С.845−849.
- Mebarki М., Kadri A. and Mani Н. «Electrical characteristics and energy-band offsets in n-InAso.89Sbo.11/n-GaSb heterojunctions grown by liquid phase epitaxy technique» // Solid State Commun. 1989. — V.72. — P.795−798.
- S. Maimona, G. W. Wicks «nBn detector, an infrared detector with reduced dark current and higher operating temperature» // Appl.Phys.Lett. 2006. -V. 89. — P. 151 109−01 -151 109−03.
- Dowson P., Wilson B.A., Tu C.W. and Miller R.C. «Staggered band alignments in AlGaAs heterojunctions and the determination of valence-band offsets» // Appl.Phys.Lett. -1986. V.48. — P.541−543.
- Lugagne-Delpon E., Voisin P., Voos M. and Andre Y.P. «Observation of laser emission in an InP-AUnAs type II superlattice» // Appl.Phys.Lett. 1992. -V.60. — P.3087.
- Ohno H., Esaki L. and Mendez E.E. «Optoelectronic devices based on type II polytype tunnel heterostructures» // Appl.Phys.Lett. 1992. — V.60. — P.3153.
- Liu L., Lee G.S. and Marshak A.H. «Band structure of InAsSb strained-layer superlattices» // J. Appl.Phys. 1992. — V.71. — P. l842−1845.
- Афраилов M.A., Баранов A.H., Дмитриев А. П., Михайлова М. П., Сморчкова Ю. П., Тимченко И. Н., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П. и Ясиевич И.Н. «Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs» // ФТП. 1990. — Т.24. В.8. — С.1397−1406.
- J. В. Rodriguez, E. Plis, G. Bishop, Y. D. Sharma, H. Kim, L. R. Dawson, and S. Krishna «nBn structure based on InAs/GaSb type-II strained layer superlattices"// Appl.Phys.Lett.-2007.-V.91. P. 43 514−01 -43 514−02.
- Krijn M. «Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys» // Semicond. Sci.Technol. 1991. — V.6. — P.27−31.
- Nakao M., Yoshida S., and Gonda S. «Heterojunction band discontinuities of quaternary semiconductor alloys» // Solid State Commun. 1984. — V.49. N 7. — P.663.
- Баранов A.H., Гусейнов A.H., Рогачев A.A., Титков А. Н., Чебан В. Н. и Яковлев Ю.П. «Локализация электронов на гетерогранице II типа» // Письма в ЖЭТФ. 1988. -Т.48. В.6. — С.342.
- A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, V.N. Cheban, «Spontaneousluminescence in a type II GalnAsSb/GaSb heterojunction» // Proc. SPIE. 1990. -V. 1361. — P.669−676.
- Бреслер M.C., Гусев O.B., Титков A.H., Чебан В. Н. и Яковлев Ю.П. «Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II типа n-GalnAsSb/N-GaSb» // ФТП. -1993. — Т.27. В.4. С. 615.
- Б.Е. Журтанов, К. Д. Моисеев, М. П. Михайлова, Т. Н. Воронина, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев «Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb» // ФТП. 1999. — Т.ЗЗ. В.З. — С.357−361.
- Покровский Я.Е. (ред.) «Излучательная рекомбинация в полупроводниках», М: «Наука», 1972. 304 с.
- Зи С. «Физика полупроводниковых приборов». Кн.1, М.: «Мир», 1984. 456 с.
- Landsberg Р.Т., Beattie A.R. «Auger effect in semiconductors» // J.Phys.Chem.Sol. -1959.-V.8. N.l. P.73−75.
- Г. Г. Зегря, B.A. Харченко «Новый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах» // ЖЭТФ. 1992. — Т.10. В. 1. -С.327−343.
- Zegrya G.G. and Andreev A.D. «Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures» // Appl.Phys.Lett. 1995. — V.67. N.18. — P.2681−2683.
- Г. Г. Зегря, А. Д. Андреев «Механизм подавления процессов оже-рекомбинации в гетероструктурах II типа» // ЖЭТФ. 1996. — Т. 109. В. 2. — С. 615.
- Зегря Г. Г., Михайлова М. П., Данилова Т. Н., Именков А. Н., Моисеев К. Д., Шерстнев В. В. и Яковлев Ю.П. «Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GalnAsSb» // ФТП. 1999. — Т.ЗЗ. В.З.-С. 351−356.
- M.R. Murti, В. Grietens, С. Van Hoof, G.J. Borghs. «1.7−1.9 цш InxGai-xAs/InyA11-yAs light-emitting diodes lattice-mismatched grown on GaAs» // J. Appl. Phys. 1995. — V.78. N. 1. — P. 578.
- Berger P., Chang K., Bhattacharya P. and Singh J. «Role of strain and growth conditions on the growth front profile of InxGai. xAs on GaAs during the pseudomorphic growth regime» Appl.Phys.Lett. 1988. — V.53. — P.684−686.
- JI.M. Долгинов, JI.B. Дружинина, М. Г. Мильвидский, M. Мухитдинов, Э. С. Мусаев, В. М. Рожков, Е. Г. Шевченко. «Применение светодиодов на основе GalnAsSb для измерения влажности"// Измерительная техника. 1981. — В.6. — С.29−31.
- Андаспаева А.А., Баранов А. Н., Гусейнов А. А., Именков А. Н., Колчанова М. А., Яковлев Ю. П. «Природа спонтанной электролюминесценции в гетеропереходах на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1.8−2.4 мкм"// ФТП. 1990. — Т.24. В. 10. -С. 17 081 714.
- Попов А.А., Шерстнев В. В. и Яковлев Ю.П. «Светодиоды, излучающие на 1.94 мкм для измерения влажности» // Письма в ЖТФ. — 1997. — Т.23. С.19−24.
- Гельмонт Б.Л., Зегря Г. Г. «Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом»// ФТП. 1988. -Т.22. В.8. — С.1381−1386.
- Попов А.А., Степанов М. В., Шерстнев В. В. и Яковлев Ю.П. «Светодиоды, излучающие на 3.3 мкм для измерения метана» // Письма в ЖТФ. 1997. — Т.23. — С.24−31.
- Krier A., Gao Н.Н., Sherstnev V.V. and Yakovlev Yu.P., «High power 4.6 m light emitting diodes for CO detection» // J.Phys.D: Appl.Phys. 1999. — V. 32. — P. 3117−3121.
- Krier A. and Sherstnev V.V. «A novel LED module for the detection of H2S at 3.8 |im» // J.Phys.D: AppLPhys. 2000. V.33. — P.101−106.
- S. Desmond Smith, J. Graham Crowder, Harvey R. Hardaway «Recent developments in the applications of mid-infrared lasers, LEDs and other solid state sources to gas detection» // Proc. SPIE. 2002. V.4651. — P.157−172.
- Н.В. Зотова, Н. Д. Ильинская, C.A. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь «Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия. Обзор"// ФТП. 2008. — Т.42. В.6. -С.641−657.
- Н.П. Есина, Н. В. Зотова, Д. Н. Наследов «О механизме излучательной рекомбинации р-п переходов в арсениде индия» // ФТП. 1968. — В.2. Т.З. — С.370−373.
- О.А. Аллаберенов, Н. В. Зотова, Д. Н. Наследов, Л. Д. Неуймина «Фото-люминвстенция n-InAs"// ФТП 1970. — Т.4. В.10. — С.1939−1942.
- Н.П.Есина Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. И. Стусь, Г. Н. Талалакин, Т. Д. Абишев «Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAsSbP» // Письма в ЖТФ. 1983. — Т.9. В.7. — С.391 — 395.
- S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway «Recent developments in the applications of mid-infrared lasers, LEDs and other solid state sources to gas detection» // Proc. SPIE. 2002. -V.4651.-P.157−172.
- Н.Д.Стоянов, Б. Е. Журтанов, А. Н. Именков, А. П. Астахова, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев «Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n-GaSb/p-GaSb/n-GalnAsSb/P-AlGaAsSb» // ФТП. 2008. — Т.42. В.4. С. 468−472.
- A. Krier and V.V. Sherstnev «Powerful interface light emitting diodes for methane gas detection» // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. — T.33. — P.101−106.
- Данилов Л. В, Зегря Г. Г. «Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах» // ФТП. 2008. Т.42. В.5. — С.566−572.
- А.С.Головин, А. П. Астахова, С. С. Кижаев, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев «Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии СОг (к=4.3 мкм)» // Письма в ЖТФ. 2012. — Т.36. В. 1. — С. 105−110.
- J. Singh «Electronic and Optical Properties of Semiconductor Structures» // Cambridge Univ.Press. 2003.
- Е.А. Гребенщикова, Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев «InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии» // ФТП. 2001. — Т.71. В.9. — С. 58−60.
- Стоянов Н.Д. «Свето диоды и фото приемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs»: Дисс. канд. физ.-мат. наук / ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Глава 2. С.-Петербург, 2004. — 172 с.
- Н.А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов. «Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах"// ФТП 2003. Т.38. В.З. — С. 374.
- L. Esaki. «New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions» // Phys. Rev. -1958. — V.109. P.603−604.
- B.H. Rhoderick. Metal-Semiconductor Contacts. London Oxford, 1980.
- А. Берг, П. Дин «Светодиоды». М.: «Мир». Пер. с англ.: A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting diodes (Claredon Press, Oxford, 1980).
- J.R. Dixon, J.M. Ellis «Optical properties of n-type indium arsenide in the fundamental absorption edge region» // Phys. Rev. 1961. V. l24. — P. 1231.
- О.Аллаберенов, Н. В. Зотова, Д. Н. Наследов, Л. Д. Неуймина. «Фотолюминесценция n-InAs"// ФТП. 1970. Т.4. В. 10. — С. 1939−1942.
- M.J. Kane, G. Braitnwaite, М.Т. Emeny, D. Lee, Т. Martin, D.R. Wright. «Bulk and surface recombination in InAs/AIAso.i6Sbo.84 3.45 цт light emitting diodes» // Appl. Phys. Lett.- 2000. V.76. P.943.
- М.З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова Sov.Tech.Phys.Lett. 1980. Т.6. В.6. С. 376.
- К. Tanabe «Enhanced energy conversion efficiencies of solar cells by multiple carrier excitation» // El. Lett.- 2007. V.43. N18 P.998−999.
- P. Landsberg, H. Nussbaumer, G. Willeke «Band-band impact ionization and solar cell efficiency» // JAP. 1993. — V.74. N.2. — P. 1451−1452.
- J. Tauc, A. Abraham «The quantum efficiency of the internal photo-electric effect in indium antimonide» // Czech.J.Phys. 1959. — V.9. — P.95−100.
- A.B. Волков, B.B. Галаванов, A.A. Гуткин, O.B. Косогов, С. Е. Кумеков «Рассеяние энергии электронов в InSb вблизи порога ударной ионизации» // ФТП. 1973.- T.I. В.7. С. 95.
- А.А. Гуткин, Э. М. Магеррамов, Д. Н. Наследов, М. П. Михайлова «Спектры фоточувствительности InAs р-n переходов в области энергий фотонов 0.9−5.5 эВ» // ФТТ. -1966. Т.8. С. 2044.
- А.Р. Dmitriev, М.Р. Mikhailova, I.N.Yassievich «Impact ionization in A3B5 semiconductors in high electric field» // Phys.stat.sol. (b). 1987. V.140. P.9−37.
- М.П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Т. Н. Воронина, Т. С. Лагунова, Ю. П. Яковлев «Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GalnAsSMnAs (GaSb)» // ФТП. 2007. — Т.41. В.2. — С. 166.
- Н. Kroemer «The 6.1 Angstrom family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: a selective review» // Phys. E. 2004. — V.20. P. 196−203.
- D. Barate, R. Teissier, Y. Wang, and A.N. Baranov «Short wavelength intersubband emission from InAs/AlSb quantum cascade structures» // Appl. Phys. Lett. 2005. — V.87. -P.51 103.
- R. Teissier, D. Barate, Y. Devinson, A.N. Baranov, X. Marcadet, C. Bernard, and C. Sirtory // Inst. Phys. Confer. 2005. — V. l87. — P.307.
- S. Sasa, M. Nakai, M. Furukava, and M. Inoe // Inst. Phys. Confer. 2005. — V. l87. -P.363.
- Данилов Л.В., Зегря Г. Г. «Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb» // ФТП. 2008. — Т.42. В.5. — С. 573.
- A.F.M. Anwar and R.T. Webster // Solid-State Electron 1998. — V.42. — P.2101.
- V.A. Solovev, Ya.V. Terentev, A.A. Toropov, B.Ya. Meltser, A.N. Semenov, S.V. Ivanov, P. S. Kopev, and J.R. Meyer // J. Cryst. Growth. 2003. — V.251. — P.538.
- M.J. Yang, B.R. Bennett, M. Fatemi, P.J. Lin-Chung, W.J. Moore, and C.H. Yang «Photoluminescence of InAsl-xSbx/AlSb single quantum wells: Transition from type-II to type-I band alignment» // J. Appl. Phys. 2000. — V.87. — P.8192.
- G.G.Zegrya in: Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Sciense Publishers, Amsterdam) 1997.
- Г. Г. Зегря, A.C. Полковников «Механизмы оже-рекомбинации в квантовых ямах» //ЖЭТФ, — 1998. -Т.113. В.4.-С.1491−1521.
- F. Capasso, W.T. Tsang, A.L. Hutchinson, and G.F. Williams «Enhancement of electron impact ionization in a superlattice: A new avalanche photodiode with a large ionization rate ratio» // Appl. Phys. Lett. 1982. V.40. — P.38.
- И.А.Андреев, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев «Высокоэффективные фотодиоды на основе GalnAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9−2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки» // ФТП. 2003. -Т.37. В.8. — С.974−979.
- А.Н. Баранов, А. Н. Именков, А. И. Колесников, М. П. Михайлова, B.JI. Шутов, Ю. П. Яковлев, «Измерение влажности бумаги с помощью согласованнойоптоэлектронной пары излучатель-фотоприемник"// Бум. Промышленность. 1989. В.9. -С. 20−21.
- M.Maksjutenko, A. Maksyutenko, V. Tolstinskiy, M. Mikhailova, V. Sherstnev, A. Astakhova, N. Stoyanov and Yu.P.Yakovlev «Application of 3.23 LEDs in Portable Gas Analyser for CH4 detection» // Proceeding MIOMD III Aachen. 1999.
- N. Stoyanov «Laser and LED scanning systems for gas and liquid on-line monitoring» // LED & Semiconductor Lighting Seminar, Seoul, South Korea. 2005. — P.DIMS.
- Каталог HITRAN: www.cfa.harvard.edu/HITRAN
- B. Andrews «LED requirements for a downhole optical spectrometer» // Proceeding MIOMD VI. St-Petersburg. 2004. — P.88.