Туннельный диод (диод Шоттки)

В сильнолегированных ри //-структурах вблизи их границы раздела возникает туннельный эффект. Туннельный эффект состоит в способности заряженной частицы проникнуть за потенциальный барьер, создаваемый встречным электрическим полем, даже в том случае, если ее кинетическая энергия ниже потенциального барьера. В сильных электрических полях вблизи границы раздела ри л-областей может образоваться тонкий потенциальный барьер, через который с определенной вероятностью электроны проходят без изменения собственной энергии благодаря туннельному эффекту. В связи с этим туннельный диод (диод Шоттки) имеет А-образную вольт-амперную характеристику (см. кривую 2 на рис. 3.19, в). Особенность этой характеристики состоит в наличии участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением 7? д = dU/dl. Кроме того, при обратном напряжении туннельный диод хорошо пропускает ток. Благодаря такой ВАХ туннельный диод используют в усилителях, генераторах и импульсных схемах.

Светодиод излучает свет при прохождении через него прямого инжекционного тока. Этот ток называется инжекционньш, так как при нем происходит инъекция электронов из л-области в р-область. Излучение света связано с возбуждением валентных электронов атомов p-области инжекционным током через р — л-переход.

Фотодиоды создаются на p — i—п-полупроводниковых структурах. В средней части такой структуры находится полупроводник без примесей, обладающий слабой собственной проводимостью. Однако его проводимость резко возрастает под действием света, и при подаче прямого напряжения на фотодиод возникает ток, пропорциональный интенсивности света.