Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5

Диссертация: Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Механизмы рассеяния электронов в эпитаксиальных слоях изучались методом поляризационно-зависимых магнитоиндуцированных баллистических фотоэффектов. Использование этих эффектов дает возможность исследовать рассеяние импульса электронов как на поверхности, так и на границе эпитаксиального слоя с подложкой. Встроенные электрические поля определялись методами спектроскопии фототока и фотоотражения… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ И ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ПОЛУПЮВОДНИКОВБ1Х СТРУКТУР
    • 1. 1. Фотоэлектрическая спектроскопия полупроводниковых структур
    • 1. 2. Спектроскопия фотоотражения
    • 1. 3. Спектроскопия анизотропного отражения
    • 1. 4. Фотоэлектронная спектроскопия

Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В современной физике полупроводников тонкослойные эпитаксиальные структуры, в том числе дельта-легированные слои, сверхрешетки и упруго-напряженные псевдоморфные слои на несогласованных подложках, являются важным объектом научных исследований и базой для создания новых приборов [1]. Электронные свойства таких структур в значительной мере определяются поверхностью и границами раздела между слоями. Исследование электронных свойств полупроводниковых границ включает, с одной стороны, выяснение природы и энергетического спектра локализованных поверхностных и интерфейсных электронных состояний, и с другой стороны, решение задачи о рассеянии электронов на границах. Поверхностные и интерфейсные электронные состояния определяют заряд на границах и величину встроенных электрических полей. Встроенные поля можно экспериментально определять по периоду осцилляций Франца-Келдыша, которые наблюдаются в электрооптических спектрах. Наиболее эффективным бесконтактным электрооптическим методом является спектроскопия фотоотражения. Актуальная задача метода фотоотражения состоит в разделении спектральных вкладов от поверхности и внутренних границ раздела тонкослойных эпитаксиальных структур. Решение этой задачи позволит получать информацию о локализованных электронных состояниях на границах раздела и восстанавливать энергетические зонные диаграммы эпитаксиальных структур.

Несмотря на интенсивные теоретические и экспериментальные исследования, вопрос о природе поверхностных состояний (ПС) в ОаАэ и других соединениях А3В5 до сих пор остается предметом дискуссий. Согласно теории, свойства ПС должны существенно зависеть от химической природы адсорбата, степени покрытия и атомной структуры границы раздела [2,3]. Вместе с тем, в литературе долгое время доминировала модель универсальных поверхностных состояний, обусловленных собственными дефектами поверхности [4]. Согласно [4], собственные дефекты возникают за счет энергии, выделяемой при адсорбции, независимо от химической природы адсорбата. Эта модель позволяла объяснить наблюдавшееся во многих случаях закрепление уровня Ферми на поверхности полупроводников вблизи середины запрещенной зоны. Вопрос о природе электронных состояний на границе.

3 5 полупроводников, А В с адсорбатами для ряда систем представляет не только академический, но и практический интерес. В частности, актуальность границы раздела СаА8(Сз, 0) обусловлена широким использованием фотокатодов с отрицательным электронным сродством (ОЭС) в фотоэлектронных приборах и в качестве источников ультрахолодных и спин-поляризованных электронов. Более глубокое понимание природы электронных состояний на этой границе необходимо для улучшения параметров традиционных СаАз (С8,0) фотокатодов и разработки новых типов фото катодов с ОЭС.

Поверхностное и интерфейсное рассеяние представляет большой интерес в связи с созданием полупроводниковых микроструктур и приборов, в которых перенос носителей заряда осуществляется в баллистическом режиме, а релаксация импульса и энергии происходит, в основном, на границах между слоями. Ранее в [5,6] был предложен спектроскопический метод изучения рассеяния импульса электронов в объеме и на поверхности полупроводника с помощью баллистического поверхностного фототока (ПФТ), возникающего благодаря явлению оптического выстраивания импульсов при возбуждении поляризованным светом [7,8]. Однако, из-за наложения эффектов диффузного рассеяния электронов на поверхности и внутренней границе эпитаксиальной структуры, метод ПФТ неприменим для слоев с толщиной, меньшей длины свободного пробега по импульсу. В связи с этим, актуален поиск новых баллистических фотоэффектов, которые позволяют исследовать рассеяние как на поверхности, так и на внутренних границах раздела тонкослойных эпитаксиальных структур.

Цель данной работы заключалась в развитии оптических и фотоэлектрических методов модуляционной спектроскопии и в исследовании электронных свойств поверхности и границ раздела эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5. Конкретные задачи состояли в исследовании процессов рассеяния импульса и энергии электронов на границахвыяснении природы локализованных поверхностных и интерфейсных состоянийопределении встроенных электрических полей на границах раздела и построении энергетических зонных диаграмм эпитаксиальных структурразработке оптических методов диагностики электронных свойств и структурного совершенства границповышении квантового выхода, стабильности и спиновой поляризации полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством.

Объекты и методы решения. В качестве объектов исследования использовались эпитаксиальные структуры на основе соединений А3В5, в том числе чистые эпитаксиальные слои арсенида галлия, структуры со специальным профилем легирования, дельта-легированные ваАв и композиционные А1АзЛЗаАз сверхрешетки, а также псевдоморфные слои твердых растворов 1пваР и 1пСаАэР на подложках ваАз. Большая часть этих структур была выращена в Институте физики полупроводников СО РАН методами газофазной, жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии.

Механизмы рассеяния электронов в эпитаксиальных слоях изучались методом поляризационно-зависимых магнитоиндуцированных баллистических фотоэффектов. Использование этих эффектов дает возможность исследовать рассеяние импульса электронов как на поверхности, так и на границе эпитаксиального слоя с подложкой. Встроенные электрические поля определялись методами спектроскопии фототока и фотоотражения. Для разделения различных компонент спектров фотоотражения, обусловленных поверхностными электрическими полями и полями на внутренних границах раздела, применялись методики фазового подавления и Фурье-анализа осцилляций Франца-Келдыша. Электронные свойства границы раздела 0аАз (Сз, 0) в сверхвысоком вакууме, а также фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе ОаАз и твердых растворов ЫОаАэР, изучались с помощью методов спектроскопии фотоотражения, фототока, фотолюминесценции, поляризационного анизотропного отражения, квантового выхода фотоэмиссии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Экспериментально обнаружен новый фотоэффект — баллистический поверхностный фототок, индуцированный магнитным полем. Этот эффект позволил впервые определить диффузность рассеяния на границе эпитаксиального слоя арсенида галлия с полуизолирующей подложкой как функцию энергии электронов.

2. Предложены и развиты методы фазового подавления и Фурье-анализа осцилляций Франца-Келдыша, позволяющие разделять вклады в спектры фотоотражения от поверхности и внутренних границ раздела и восстанавливать энергетические зонные диаграммы тонкослойных эпитаксиальных структур.

3. Обнаружены транспортные резонансы фототока, обусловленные туннелированием электронов из контактной области на уровни Ванье-Штарка сверхрешеток АЬ^з/ОаАв, а также междолинным Г-Х рассеянием электронов на гетерограницах. Предложена методика оценки шероховатостей гетерограниц по спектрам ванье-штарковских состояний в электрическом поле.

4. Обнаружены и исследованы обратимые изменения электронных свойств поверхности р-С&АБ при поочередной адсорбции цезия и кислорода при комнатной температуре, свидетельствующие о доминирующей роли поверхностных состояний, индуцированных адатомами.

5. Предложен новый тип фотоэмиттеров для источников спин-поляризованных электронов на основе псевдоморфных напряженных слоев твердых растворов 1пОаР и 1пОаА8Р. Обнаружены и объяснены нелинейности в зависимостях сдвига и расщепления валентной зоны напряженных слоев от величины деформации.

Научная и практическая значимость работы обусловлена важной ролью поверхности и границ раздела в формировании электронных свойств современных тонкослойных эпитаксиальных структур и приборов на их основе. Разработанные методы фазового и Фурье анализа позволяют определять встроенные электрические поля на поверхности и внутренних границах раздела и, таким образом, восстанавливать зонные диаграммы различных эпитаксиальных структур. В частности, эти методы используются для бесконтактного определения встроенных полей в структурах для арсенид-галлиевых полевых транзисторов на диодах Шоттки, транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероперехода ОаАз/АЮаАэ, инжекционных гетеролазеров и электрооптических модуляторов света. Обнаруженный в работе магнитоиндуцированный баллистический фототок может быть использован для исследования рассеяния импульса электронов в объеме, на поверхности и внутренних границах раздела эпитаксиальных структур. Результаты по обратимым изменениям электронных свойств р-ваАз при адсорбции цезия и кислорода позволяют пересмотреть представления о природе поверхностных состояний и механизмах закрепления уровня Ферми на поверхности полупроводников А3В5. Работа по исследованию свойств и совершенствованию параметров фотокатодов на основе напряженных твердых растворов 1пОаАзР послужила научной основой для использования таких фотокатодов в качестве эффективных источников спин-поляризованных электронов. Для ГпваАзР фотокатодов получены рекордные значения параметра качества — произведения квантового выхода фотоэмиссии на квадрат спиновой поляризации электронов. В настоящее время такие фотокатоды уже используются для получения пучков поляризованных электронов в Университете Майнца (ФРГ) и в Институте ядерной физики Амстердама (Нидерланды). Планируется использование таких фотокатодов в ряде других научных центров.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. Развитые в работе методы оптической спектроскопии, использующие явление оптического выстраивания импульсов электронов при возбуждении поляризованным светом, фазовый и Фурье-анализ электрооптических спектров, позволяют изучать механизмы поверхностного и интерфейсного рассеяния электронов, определять встроенные электрические поля на поверхности и внутренних границах раздела и восстанавливать энергетические зонные диаграммы полупроводниковых эпитаксиальных структур.

2. Обнаруженные магнитоиндуцированные поляризационно-зависимые фотоэффекты обусловлены оптическим выстраиванием и циклотронным поворотом импульсов фотоэлектронов в тангенциальном магнитном поле, а также рассеянием на границах полупроводника. При низких температурах фотоэлектроны с энергией ~30 мэВ пересекают сравнительно толстые (~10 мкм) эпитаксиальные слои ваАв в баллистическом режиме и диффузно рассеиваются на границе с подложкой.

3.В структурах с модулированным легированием тонкая структура спектров фотоотражения вблизи ширины запрещенной зоны обусловлена не квантово-размерными оптическими переходами в потенциале дельта-слоев и дельта-легированных пА-рА сверхрешеток, как считалось ранее, а осцилляциями Франца-Келдыша во встроенных электрических полях границ раздела буферных областей с подложками. Встроенное поле на границе с подложкой возникает благодаря закреплению уровня Ферми состояниями дефектов, возникающих на начальных стадиях молекулярно-лучевой эпитаксии.

4. Явление локализации Ванье-Штарка позволяет оценивать степень гладкости гетерограниц в полупроводниковых сверхрешетках. В сверхрешетках ЛЬАв/ваАз, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, границы являются псевдогладкими, то есть наряду с монотонным изменением толщины слоев по площади, присутствуют шероховатости гетерограниц высотой в один монослой и характерным латеральным размером не превышающим 10 нм.

5. Свойства границы раздела р-ваАБ с адсорбированными при комнатной температуре слоями цезия и кислорода определяются электронными состояниями, индуцированными адатомами, а не собственными дефектами поверхности.

6. Фотокатоды на основе упруго-напряженных псевдоморфных слоев ГгЮаАзР/ОаАз перспективны для использования в источниках спин-поляризованных электронов, поскольку обладают, по сравнению с арсенид-галлиевыми фотокатодами, более высокими квантовым выходом, стабильностью фотоэмиссии и параметром качества — произведением квантового выхода на квадрат спиновой поляризации.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения. Объем работы составляет 28: страниц, включая 92 рисунка и 3 таблицы. Список цитированной литературы содержит 261 наименование.

Основные результаты и выводы диссертационной работы.

1. Развита методика спектроскопии поляризационно-зависимых баллистических фототоков, позволяющая исследовать процессы рассеяния электронов на поверхности и на границе полупроводникового слоя с подложкой. Предложены и реализованы методы Фурье-анализа и фазового подавления спектров фотоотражения, позволяющие раздельно определять встроенные электрические поля на поверхности и на внутренних границах раздела тонкослойных полупроводниковых структур.

2. Обнаружен и исследован новый баллистический фотоэффектмагнитоиндуцированный поверхностный фототок, обусловленный циклотронным поворотом оптически выстроенных фотоэлектронов в тангенциальном магнитном поле и релаксацией импульса на границах слоя. Обнаружены баллистические компоненты поверхностной фотоэдс и фотопроводимости в ваАБ, индуцированные магнитным полем. Сравнение экспериментов с выполненными расчетами позволило определить энергетические зависимости длины свободного пробега и коэффициентов диффузности рассеяния электронов на поверхности и границе раздела эпитаксиального слоя с подложкой. Экспериментально показано, что при низких температурах фотоэлектроны пересекают сравнительно толстые (-10 мкм) эпитаксиальные слои ваАв в баллистическом режиме, рассеиваясь на границе с подложкой.

3. Исследованы электронные свойства структур с одиночными дельта-слоями и дельта-легированных п-1-р-1 сверхрешеток. По периоду осцилляций Франца-Келдыша в спектрах фотоотражения и по форме длинноволнового крыла поглощения определены встроенные электрические поля на поверхности, в объеме структур и на границе раздела буферного слоя с подложкой. Построены энергетические зонные диаграммы структур. Показано, что тонкая структура спектров фотоотражения, наблюдающаяся вблизи порога межзонных переходов, обусловлена встроенными электрическими полями в буферной области и на границе с полуизолирующей подложкой, а не размерным квантованием энергий электронов в потенциале дельтаслоев. Установлено, что на границе раздела с подложкой может происходить закрепление уровня Ферми состояниями дефектов, возникающих на начальных стадиях молекулярно-лучевой эпитаксии.

4. Изучены оптические переходы на уровни Ванье-Штарка и транспорт электронов в короткопериодных сверхрешетках АЬА^ЛлаАз. В зависимостях фототока от величины электрического поля обнаружены резонансы, обусловленные туннелированием фотоэлектронов из контактной области на уровни размерного квантования в ваАэ ямах. Явление локализации Ванье-Штарка использовано для выяснения характера шероховатостей гетерограниц в сверхрешетках. Показано, что даже в лучших из исследованных структур, наряду с монотонным изменением толщины слоев по площади, присутствуют шероховатости гетерограниц высотой в один монослой и характерным латеральным размером, не превышающим 10 нм.

5. Экспериментально исследовано влияние адсорбции цезия и кислорода на электронные свойства поверхности арсенида галлия. Обнаружены многократные обратимые изменения изгиба зон, фотоэдс и скорости рекомбинации электронов на поверхности р-ваАз при поочередной адсорбции цезия и кислорода при комнатной температуре. Показано, что обратимые изменения наблюдаются при различных способах приготовления атомарно чистой поверхности, на эпитаксиальных слоях, выращенных различными методами, а также на поверхности скола ОаАэСПО). Установлено, что в процессе активирования поверхности р-СаАв цезием и кислородом до состояния с отрицательным электронным сродством происходят существенные немонотонные изменения изгиба зон (примерно вдвое) и фотоэдс (на два порядка). Полученные результаты свидетельствуют о том, что на границе раздела />-0аАз (С8,0) доминирующую роль играют поверхностные состояния, индуцированные адатомами, а не собственными дефектами поверхности, как считалось ранее.

6. В спектрах анизотропного отражения света от границы раздела С8/ОаАз (001) обнаружен эффект сужения линии, связанной с оптическими переходами в галлиевых димерах, при отжиге слоя цезия, нанесенного на поверхность ОаАз (001) при низкой температуре Т=90 К. Этот эффект свидетельствует о диффузии и упорядочении адатомов цезия. Определена энергия активации диффузии адатомов цезия на поверхности СаАз (001) ??"0.7 эВ.

7. Показано, что фото катоды с отрицательным электронным сродством на основе широкозонных твердых растворов 1пСаР и 1пОаАзР обладают большим квантовым выходом и лучшей стабильностью по сравнению с арсенид-галлиевыми фотокатодами. Исследованы свойства упруго-напряженных псевдоморфных эпитаксиальных слоев 1пОаР и 1пОаА8Р/ОаАз (111). В измеренных зависимостях сдвига и расщепления валентной зоны от величины деформации обнаружены нелинейные поправки, обусловленные эффектами взаимодействия зон. На основе напряженных слоев 1пОаР и ТпОаАэР созданы фотокатоды с рекордным параметром качества — произведения квантового выхода на квадрат спиновой поляризации.

Апробация работы.

Результаты исследований, вошедших в диссертацию, были представлены на Всесоюзных и Всероссийских конференциях по физике полупроводников (Кишинев 1988, Киев 1990, Нижний Новгород, 1993, Зеленогорск 1996, Москва 1997), 3-ем Всесоюзном семинаре по электронным процессам в двумерных системах (Новосибирск 1989), Всесоюзном семинаре по горячим электронам в полупроводниковых структурах пониженной размерности (Звенигород 1990), 20-ой и 23-ей Международных конференциях по физике полупроводников (Салоники 1990, Берлин 1996), 5-ой и 6-ой Международных конференциях по сверхрешеткам и микроструктурам (Берлин 1990, Ксиан 1992), Международном симпозиуме по аналогиям в оптике и микроэлектронике (Эйндховен 1991), 5-ой и 6-ой Международных конференциях по модулированным полупроводниковым структурам (Нара 1991, Гармиш-Партенкирхен 1993), на 1-ой и 2-ой Международных конференциях по физике низкоразмерных структур (Черноголовка 1993, Дубна 1995), на 14-ой Европейской конференции по поверхности (Лейпциг 1994), Европейско-американском семинаре по оптическим методам исследования электронных материалов (Галле 1994), 5-ой Международной конференции по формированию полупроводниковых интерфейсов (Принстон 1995), на 10-ом и 12-ом Международных симпозиумах по спиновой физике высоких энергий (Нагоя 1992, Амстердам 1996) и других конференциях. Результаты работы докладывались также на семинарах в ИФП СО РАН (Новосибирск), ФТИ им А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Московском Госуниверситете, Фриц-Хабер Институте и Ган-Майтнер Институте (Берлин), Национальном Институте Стандартов и Технологии (Гейзерсбург), Политехнической школе (Палезо), Техническом и Свободном Университетах Берлина, а также в университетах Майнца, Бонна, Эрлангена и Нью-Йорка.

Личный вклад автора в выполненную работу.

Автор диссертации принимал самое активное участие в постановке задач, подготовке и проведении экспериментов, анализе и интерпретации полученных данных, построении физической картины исследуемых явлений, а также в подготовке публикаций и докладов на конференциях. Автором лично разработан и изготовлен электрооптический модулятор поляризации на основе силиката висмутаобъяснена природа магнитоиндуцированного баллистического фотоэффектапредложены методы разделения компонент в спектрах фотоотражения с помощью фазового и Фурье-анализаинициированы исследования оптических свойств и транспорта электронов в короткоперйодных сверхрешетках в условиях локализации Ванье-Штаркапредложено объяснение поведения уровня Ферми на границе раздела СаАз (Сз, 0) и природы адатом-индуцированных электронных состоянийвыполнены эксперименты по фотоэлектронной спектроскопии границы раздела (1Ю)0аАз (Сз, 0) и предложено объяснение результатов в рамках модели Мотта-Хаббардапредложена и реализована методика исследования процессов диффузии и упорядочения адатомов на поверхности полупроводников с помощью спектроскопии анизотропного отражения.

Большая часть результатов, изложенных в диссертации, получена совместно с авторами опубликованных работ, в том числе с к.ф.-м.н. А. Г. Паулишем и к.ф.-м.н. А. С. Ярошевичем, в диссертационных работах которых автор являлся научным руководителем. Автор является также руководителем аспиранта Г. Э. Шайблера, которому принадлежит разработка комплекса компьютерных программ для Фурье-анализа спектров фотоотражения. Г. Э. Шайблером выполнена большая часть экспериментов по определению встроенных полей и построению энергетических зонных диаграмм модельных 1ЛЧ+ структуррезультаты этих экспериментов приведены в § 3.1.

Эпитаксиальные структуры, исследованные в данной работе, выращивались в Институте физики полупроводников Ю. Б. Болховитяновым, Н. С. Рудой и Н. А. Якушевой (методом жидкофазной эпитаксии), В. М. Залетиным и А. С. Тороповым (методом газофазной эпитаксии), В. П. Мигалем, Д. И. Лубышевым, В. В. Преображенским, Б. Р. Семягиным, А. С. Тороповым, Н. Т. Мошеговым и А. К. Калагиным (методом молекулярно-лучевой эпитаксии). В. А. Ткаченко и О. А. Ткаченко выполнили расчеты энергетического спектра композиционных сверхрешеток (§§ 4.2, 4.3 и 6.4). Алгоритм и компьютерная программа для расчета магнитоиндуцированного поверхностного фототока создана А. О. Минаевым. Большая часть работы по автоматизации эксперимента выполнена С. П. Мощенко, А. О. Минаевым, Г. Э. Шайблером и А.СЛрошевичем. Работа по созданию и модернизации сверхвысоковакуумной установки, на которой проводились эксперименты по исследованию свойств границы раздела СаАз (Сз, 0) и фотокатодов с ОЭС, выполнена С. В. Шевелевым. Рентгеноструктурные исследования напряженных слоев твердых растворов проводились Е. М. Трухановым, Н. В. Номероцким и М. А. Ревенко. Возможность измерения спектров фотолюминесценции твердых растворов 1пваР (п. 6.3.1) была предоставлена К. С. Журавлевым и Т. С. Шамирзаевым.

Благодарности.

Автор выражает признательность заведующему лабораторией неравновесных явлений в полупроводниках ИФП СО РАН, профессору, д.ф.-м.н. А. С. Терехову, благодаря постоянному вниманию, организационной поддержке и активному творческому участию которого стало возможным выполнение данного цикла исследований. Я благодарен сотрудникам Института, предоставившим для исследований выращенные ими эпитаксиальные структуры. Хочется особо поблагодарить за интересное и плодотворное сотрудничество Ю. Б. Болховитянова, А. С. Ярошевича, А. Г. Паулиша, А. О. Минаева, Г. Э. Шайблера, В. А. Ткаченко, совместно с которыми были получены основные результаты, а также всех сотрудников лаборатории за повседневную поддержку и помощь в работе. Выражаю благодарность за полезные дискуссии, предложения и замечания М. В. Энтину, В. И. Белиничеру, А. В. Чаплику, З. Д. Квону и другим сотрудникам ИФП СО РАН, а также всем, кто принимал участие в обсуждении данной работы на семинарах и конференциях.

Работа была выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты 93−02−15 177, 96−02−19 060), Программы «Университеты России» (грант ЗН-354) и Государственной программы «Поверхностные атомные структуры» (грант 95−2.8). Эксперименты, результаты которых изложены в п. 5.1.4, 5.2, 6.3.2 и 5.3, выполнялись при поддержке Общества Макса Планка, Немецкого физического общества и Министерства науки и образования Францииавтор выражает благодарность К. Хорну (Фриц-Хабер-Институт, Берлин), Э. Райхерту (Университет Гутенберга, Майнц) и Д. Паже (Политехническая школа, Палезо) за предоставленные возможности проведения этих экспериментов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Молекулярная эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л. Ченга и К.Плога. — М.: Мир, 1989. — 582 с.
  2. BeehstedtF., SchefflerM. Alkali adsorption on GaAs (llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles. Surf. Sci. Rep., 1993, v. 18, p. 145−198.
  3. M6nchW. Semiconductor surfaces and interfaces. Springer-Verlag, Berlin, 1993. -366 p.
  4. Spicer W.E., ChyeP.W., SkeathP.R., SuC.Y., Lindau I. New and unified model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. J. Vac. Sci. Technol., 1979, v.16, N 5, p.1422−1432.
  5. В.Л., Белиничер В. И., Новиков B.H., Терехов A.C. Поверхностный фотогальванический эффект в арсениде галлия. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в. 10, с.581−584
  6. В.Л., Белиничер В. И., Гусев Г. М., Новиков В. Н., Терехов А. С. Длина свободного пробега и диффузность рассеяния электронов в арсениде галлия. -Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, в.8, с.437−440.
  7. В.Д., Дьяконов М. И., Перель В. И. Анизотропия импульсного распределения фотовозбужденных электронов и поляризация горячей люминесценции в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6, с.2373−2380.
  8. .П., МирлинД.Н., Перель В. И., РешинаИ.И. Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках. УФН, 1982, т. 136, N 1, с. 459−499.
  9. В.Л., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Электрооптический модулятор с большой апертурой для поляризационной модуляционной спектроскопии. Оптика и спектроскопия, 1988, т.65, в.6, с. 1352−1356.
  10. В.Л., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Установка для поляризационной модуляционной спектроскопии полупроводников. Приборы и техника эксперимента, 1988, № 4, с. 172−174.
  11. B.JI., Минаев A.O., Терехов A.C. Магнитоиндуцированная поляризационно-зависимая баллистическая фотоэдс в структуре полупроводник-металл. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.49, в.1, с. 19−21.
  12. В.Л., Минаев А. О., Терехов А. С. Баллистический перенос электронов через эпитаксиальные слои GaAs в эффекте магнитоиндуцированного поверхностного фототока. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.49, в.11, с.610−612.
  13. Alperovich V.L., Minaev А.О., Terekhov A.S. Ballistic photocurrents in GaAs layers: momentum relaxation on the surface and interface. Proc. 20th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors, Thessaloniki, Greece, August 6−10, 1990, p.2487−2490.
  14. В.Л., Минаев A.O., Рудая H.C., Терехов A.C. Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости. ФТТ, 1990, т.32, в.7, с.2152−2154.
  15. В.Л., ЛубышевД.И., МигальВ.П., СемягинБ.Р., ЯрошевичА.С. Спектры фототока дельта-легированных GaAs сверхрешеток n-i-p-i. ФТП, 1990, т.24, в. З, с.451−455.
  16. Alperovich V.L., Minaev А.О., Terekhov A.S. Ballistic electron spectroscopy in GaAs: momentum and energy relaxation on the surface and interfaces. Abstracts of the Ballistic Electron Emission Microscopy Workshop, Pasadena, USA, 1991.
  17. В.Л., Минаев А. О., Терехов А. С. Рассеяние баллистических электронов на границах эпитаксиального GaAs. Тез. докл. Всес. сем. «Горячие электроны в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью», Звенигород, 1990, стр. 35.
  18. В.Л., Минаев А. О., Терехов А. С. Баллистические электроны в слоях GaAs: релаксация импульса и энергии на поверхности и границах раздела. Тез. докл. 12-ой Всес. конф. по физике полупроводников, Киев, 1990, т.1, стр. 22.
  19. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Lubyshev D.I., MigalV.P., Preobrazhenskii V.V., Semyagin B.R. Photocurrent and photoreflectance spectra of GaAs sawtooth doping superlattices. Superlattices and Microstructures, 1991, v. 10, № 131, p. 131−134.
  20. Alperovich V.L., Jaroshevich A. S., Lubyshev D.I., MigalV.P. Tunneling-assisted optical transitions in GaAs delta-doped superlattices. Physica B, 1991, v. 175, p. 153 157.
  21. Alperovich V.L., HaislerV.A., Jaroshevich A.S., Moshegov N.T., Terekhov A.S., Toropov A.I., Tkachenko V.A. Electron and hole tunneling resonances of Wannier-Stark states in GaAs/AlAs superlattices. Surf. Sci., 1992, v.267, p.541−544.
  22. В.Л., Паулиш А. Г., Терехов A.C., Ярошевич А. С. Отсутствие закрепления уровня Ферми на поверхности p-GaAs(lOO) при адсорбции цезия и кислорода. Письма в ЖЭТФ, 1992, т.55, в.5, с.289−292.
  23. Альперович B. JL, Болховитянов Ю. Б., Паулиш А. Г., Терехов А. С. Использование эпитаксиальных слоев InGaAsP для фотоэмиссионных источников электронов. -Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, в.22, с.67−71.
  24. Alperovich V.L., Bolkhovitaynov Yu.B., Jaroshevich A.S., Paulish A.G., Terekhov A.S. InGaAsP as a promising material for a polarized electron source. Proc. 10th Intern. Symp. on High Energy Spin Physics, Nagoya, Japan, November, 9−14, 1992, p.853 856.
  25. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Elucidation of photoreflectance mechanisms by phase resolution spectroscopy: application to delta-doped GaAs. Phys. Stat. Sol. (b), 1993, v.175, № 1, p. K35-K38.
  26. Alperovich V.L., Bolkhovitaynov Yu.B., Paulish A.G., Terekhov A.S. New material for photoemission electron source: semiconductor alloy InGaAsP grown on GaAs substrate. Nuclear Instrum. and Methods A, 1994, v.340, p.429−435.
  27. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler H.E., TerekhovA.S. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance. Solid State Electronics, 1994, v.37, № 4−6, p.657−660.
  28. Alperovich V.L., Paulish A.G., TerekhovA.S. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs (Cs, 0) at room temperature. Phys. Rev. B, 1994, v.50, № 8, p.5480−5483.
  29. Alperovich V.L., Paulish A.G., Scheibler H.E., TerekhovA.S. Evolution of electronic properties at p-GaAs (Cs, 0) surface during negative electron affinity state formation. -Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, № 16, p.2122−2124.
  30. Alperovich V.L., Paulish A.G., TerekhovA.S. Unpinned behavior of electronic properties of p-GaAs (Cs, 0) surface at room temperature. Surf. Sci., 1995, v.331−333, p.1250−1255.
  31. B.JI., КузаевВ.Н., Терехов A.C., Шевелев C.B. Исследование обратимых изменений изгиба зон на поверхности p-GaAs (Cs, 0) при комнатной температуре методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. ФТТ, 1995, т.37, в.2, с.344−350.
  32. Scheibler H.E., Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Terekhov A.S. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 152, № 1, p. 113−122.
  33. Alperovich V.L., Bolkhovityanov Yu.B., Jaroshevich A.S., KatkovA.V., Revenko M.A., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Shifts and splitting of energy bands in elastically strained InGaP/GaAs (lll)B epitaxial films. J. Appl. Phys., 1997, v.82, p.1214−1219.
  34. B.JI., Мошегов H.T., Попов B.B., Терехов A.C., Ткаченко B.A., Торопов А. И., Ярошевич A.C. Определение шероховатостей гетерограниц по спектрам фототока короткопериодных сверхрешеток AlAs/GaAs. ФТТ, 1997, т.39, в. 11, с.2085−2089.
  35. Alperovich V.L., Paget D. Diffusion and ordering of Cs adatoms on GaAs (OOl) studied by reflectance anisotropy spectroscopy. Phys. Rev. B, 1997, v.56, № 24, p. R15565-R15568.
  36. Kamiya I., Aspnes D.E., Florez L.T., Harbison J.P. Reflectance difference spectroscopy of (OOl)GaAs surface in ultrahigh vacuum. Phys. Rev. B, 1992, v.46 № 24, p.15 894−15 904.
  37. Resch U., Scholz S.M., Rossow U., Mtiller A.B., Richter W., Forster A. Thermal desorption of amorphous caps from GaAs (lOO) monitored by reflection anisotropy spectroscopy. Appl. Surf. Sci., 1993, v.63, № 1, p.106−110.
  38. C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. -496 с.
  39. Marfaing Y. Photoconductivity, photoelectric effects. Handbook on Semiconductors. -Amsterdam, 1980, v.2, p.417−495.
  40. B.JT., Мощенко С. П., Терехов A.C. Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия-металл. Проявление в спектрах фотоэдс. ФТТ, 1984, т.26, в.12, с.3532−3536.
  41. В.И., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, т. 130, в. З, с.415−458.
  42. В.М., Попов Б. Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках. УФН, 1978, т.126, в.4, с.657−671.
  43. Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989, 264с.
  44. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. — Л., 1980, с.275−293.
  45. С.М., Ярошецкий И. Д. Увлечение электронов фотонами в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. — Л., 1980, с. 173−185.
  46. В.Л., Белиничер В. И., Новиков В. Н., Терехов А. С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. Теория и эксперимент для межзонных переходов в арсениде галлия. ЖЭТФ, 1981, т.80, N6, с.2298−2312.
  47. Jl.И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в пленках. ФТТ, 1979, т.21, в.5, с.1280−1286.
  48. В.И., Новиков В. Н. Поверхностные фототоки в твердых телах. -Препринт ИАЭ СОАН СССР № 127, Новосибирск, 1980. -6 с.
  49. М.П., Грачев А. И. Объемные фотогальванические эффекты в кристаллах типа силленита. ФТТ, 1980, т.22, в.6, с.1671−1675.
  50. А.А., Захарченя Б. П., Рогачев А. А., ТкачукМ.Н., ФлейшерВ.Г. Обнаружение поверхностного фототока, обусловленного оптической ориентацией электронов в полупроводнике. Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, в.11, с.464−466.
  51. В.Л., Иванцов Л. Ф., Киселев В. А., Макаренко И. В., Минашвили Т. А., СафаровВ.И. Поляризационные спектры оптических переходов на чистой поверхности GaAs (llO). Письма в ЖЭТФ, 1985, т.41, в.11, с.453−455.
  52. В.В., Потапов В. Т., ШпилевскийР.В. Волоконно-оптический датчик электрического поля на основе Bij2SiO20- ЖТФ, 1985, т.55, в.7, с.1370−1376.
  53. Ю.Л., Кравченко В. Б., КучаВ.В., Сидоренко B.C., ЧикинаЛ.О. Электрооптическая модуляция света в кристаллах Bi 12^1020- Радиотехника и электроника, 1986, т.31, в. З, с.593−601.
  54. В.В., Потапов В. Т., Горчаков В. К. Дисперсия электрооптических констант в силикате висмута. ФТТ, 1986, т.28, в.6, с. 1778−1782.
  55. В.И., Скориков В. М. Электрооптические явления в германате и силикате висмута. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т. 19, в.2, с.259−264.
  56. Рез И.С., Мейснер Л. Б., Сафонов А. П., Барышев С. А., Плотинская Т. А., Клюев В. П. Оптические свойства монокристаллов силленита. Кристаллография, 1970, т.15, в.6, с.1168−1170.
  57. Bottka N., Gaskill D.K., Sillmon R.S., Henry R., GlosserR. Elelectronic material characterization by electromodulation spectroscopy. Journal of Electronic Materials, 1988, v.17, № 2, p.161−170.
  58. Pollak F.H. and Shen H. Photoreflectance characterization of semiconductors and semiconductor heterostructures. Journal of Electronic Materials, 1990, v. 19, № 5, p.399−406.
  59. B.A., Снитко O.B. Электроотражение света в полупроводниках. Киев: Наук, думка, 1980. -304 с.
  60. Aspnes D.E. Modulation spectroscopy: Electric field effects on the dielectric function of semiconductors. In: Handbook on Semiconductors. — Ed. by Moss T.S.Amsterdam: North-Holland.- 1980.- v.2, p. 109−154.
  61. Shen H., Dutta M. Franz-Keldysh oscillations in modulation spectroscopy. J. Appl. Phys., 1995, v.78, № 4, p.2151−2176.
  62. И.Г., ОвсюкН.Н., Синюков М. П. Многоосцилляционные спектры электроотражения германия. Письма ЖЭТФ, 1976, т.24, № 7, с.393−397.
  63. Van Hoof С., Deneffe К., De Boek J., Arent D.J., Borghs G. Franz-Keldysh oscillations originating from well-controled electric field in GaAs depletion region. Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, № 7, p.608−610.
  64. Handler P., Jasperson S., Koeppen S. Interference of light- and heavy-hole contributions to the electroreflectance spectrum of germanium. Phys. Rev. Lett., 1969, v.23, № 24, p.1387−1391.
  65. Lu C.R., Anderson J.R., Stone D.R., Beard W.T., Wilson R.A. Photoreflectance study of the electric fields at the n-type GaAs surface and across the n-type GaAs/substrate interface. Superlattices and Microstructures, 1990, v.8, № 2, p.155−157.
  66. Shen H., Pollak F.H., Woodall J.M., Sacks R.N. Photoreflectance study of electric field distributions in semiconductor heterostructures grown on semi-insulating substrates. -Journal of Electronic Materials, 1990, v.19, № 3, p.283−286.
  67. Bottka N., Gaskill D.K., Wright P.D., Kaliski R.W., Williams D.A. Qualification of OMVPE AlGaAs/GaAs НТВ structures using nondestructive photoreflectance spectroscopy. J. Cryst. Growth, 1991, v. 107, p.893−897.
  68. Sydor M., Badakhshan A., Engholm J.R. Differential photoreflectance from delta-doped structures and GaAs/n-GaAs interfaces. J. Appl. Phys., 1991, v.59, № 6, p.677−679.
  69. Марпл-мл. C.JI. Цифровой спектральный анализ и его применения. М.: Мир, 1990. 584 с.
  70. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler Н.Е., Terekhov A.S., ToberR.L. Fourier transform analysis of electromodulation spectra: effects of the modulation amplitude. -Appl. Phys. Lett., 1997, v.71, № 19, p.2788−2790.
  71. A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников.- М: Наука, 1971.- 480с.
  72. ОвсюкВ.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда.- Новосибирск: Наука, 1984. 254с.
  73. Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища шк., 1984, — 214с.
  74. Yin X., Chen Н.-М., PollakF.H., Chan Y., Montano P.A., Kirchner P.D., Pettit G.P., WoodalJ.M. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (100)GaAs surfaces/interfaces. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, № 3, p.260−262.
  75. Kanata Т., Matsunaga M., Takakura H., Hamakawa Y, Nishino T. Deep-level characterization of n-type GaAs by photoreflectance spectroscopy. J. Appl. Phys., 1991, v.69, № 6, p.3691−3695.
  76. Chen H., Hang Z., Pan S.H., Pollak F.H. Dependence of the photoreflectance of semi-insulating GaAs on temperature and pump chopping frequency. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, № 24, p.2058−2060.
  77. SeebauerE.G. Oxidation and annealing of GaAs (lOO) studied by photoreflectance. J. Appl. Phys., 1989, v.66, № 10, p.4963−4972.
  78. Shen H, Pollak F.H., Woodall J.M., Sacks R.N. Photoreflectance study of electric field distributions in semiconductor heterostructures grown on semi-insulating substrates. J. Electronic Materials, 1990, v. 19, № 3, 283−286.
  79. ВеселоваТ.В., Черкасов A.C., Широков В. И. Флуорометрический способ регистрации индивидуальных спектров систем, содержащих центры свечения двух типов. Оптика и спектроскопия, 1970, т.29, с. 1155−1156.
  80. Lakowicz J.R. Principles of Fluorescent Spectroscopy. New York: Plenum Press, 1983.
  81. Aspnes D.E. Above-Bandgap Optical Anisotropics in Cubic Semiconductors: A Visible-Near Ultraviolet Probe of Surfaces J. Vac. Sei. Technol. B, 1985, v.3, № 5, p. 1498.
  82. B.JI., Макаренко И. В., Минашвили T.A., СафаровВ.И. Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников, обусловленная поверхностным изгибом зон. ФТП, 1986, т.20, в.6, с. 1037−1041.
  83. DrathenP., Ranke W., Jacobi К. Composition and structure of differently prepared GaAs (lOO) surfaces studied by LEED and ATS. Surf. Sei., 1978, v.77, № 1, p. L162-L166.
  84. Pashley M.D. Electron counting model and its application to island structures on molecular-beam epitaxy grown GaAs (OOl) and ZnSe (OOl). Phys. Rev. B, 1989, v.40, № 15, p.10 481−10 487.
  85. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., Swartz L.-E. Surface reconstructions of GaAs (100) observed by scanning tunneling microscopy Phys. Rev. B, 1990, v.41, № 9, p.5701−5706.
  86. Berkovits V.L., Paget D. Optical study of surface dimers on sulfur-passivated (OOl)GaAs Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, № 5, p.1835−1839.
  87. Esser N., Shkrebtii A.I., Resch-Esser U., Springer C., Richter W., Schmidt W.G., Bechstedt F., Del Sole R. Atomic structure of the Sb-stabilized GaAs (100)-(2×4) surface. Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, № 21, p.4402−4405.
  88. Gusev A.O., Paget D., Aristov V.Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-Mieg V. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopies of Cs/GaAs (001) interface formation. J. Vac. Sei. Technol. A, 1997, v.15, № 1, p.192−195.
  89. В.М., Гинзбург B.JI. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии. М.: Наука, 1979. 432 с.
  90. Paget D., Berkovits V.L., Gusev A.O. Reflectance anisotropy spectroscopy: a probe for surface chemistry the case ofNa2S and (NH^S-passivated (OOl)GaAs — J. Vac. Sei. Technol. A, 1995, v. 13, p.2368−2373.
  91. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д., Сиха М. П. М.: Мир, 1987. — 600 с.
  92. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. — 564 с.
  93. В.Ф., ЛевинсонИ.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М: Наука, 1984. 352 с.
  94. Оптическая ориентация. Под ред. Захарчени Б. П., Майера Ф. Л.: Наука, 1989. -408 с.
  95. Н.Л., ЛяшенкоВ.И., Терещенко А. К. Влияние света на работу выхода монокристаллов GaAs при низких температурах. УФЖ, 1972, т. 17, в.8, с. 13 561 358.
  96. В.Л., Кравченко А. Ф., Паханов H.A., Терехов A.C. Влияние осциллирующей ЭДС Дембера на спектры фотоэде арсенида галлия. ФТП, 1980, т. 14, в.9, с.1768−1771.
  97. A.B., ЭнтинМ.В. Поведение ЭДС Дембера на горячих электронах в слабом магнитном поле. ФТП, 1988, т.22, в. З, с.386−389.
  98. В.И., Браславец A.B., Терехов A.C. Механизмы поляризационной зависимости фотопроводимости в кубических полупроводниках. ФТТ, 1988, т. ЗО, в.2, с.342−347.
  99. В.Л., Белиничер В. И., Браславец A.B., Ефанов A.B., МощенкоС.П., Терехов A.C., ЭнтинМ.В. Поляризационно-зависимая баллистическая фотоэде в структуре металл-полупроводник. Письма в ЖЭТФ, 1985, т.41, в.10, с.413−415.
  100. В.Л., Белиничер В. И., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Баллистический фотогальванический эффект на межзонных переходах в арсениде галлия. ФТТ, 1988, т.30, в. 10, с.3111−3117.
  101. HechtM.H. Role of photocurrent in low-temperature photoemission of Schottky-barrier formation. Phys. Rev. В., 1990, v.41, № 11, p.7918−7921.
  102. А.Ф., ОвсюкВ.Н., Паханов H.A. Осциллирующая поверхностная фотоэдс на горячих электронах. Письма ЖЭТФ, 1981, т.34, в. З, с.129−132.
  103. Альперович B. JL, Мощенко С. П., Терехов А. С. Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия-металл. Проявление в спектрах фотоэдс. ФТТ, 1984, т.26, в. 12, с.3532−3536.
  104. М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. — 240 с.
  105. OrmeC., Johnson M.D., Sudijono J.L., Leung К.Т., OrrB.G. Large scale surface structure formed during GaAs (OOl) homoepitaxy. Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, № 7, p.860−862.
  106. PloogK. Delta-doping in MBE-grown GaAs: concept and device application. J. Cryst. Growth, 1987, v.81, p.304−313.
  107. Schubert E.F., Stark J.B., Ullrich В., Cunningham J.E. Spatial localization of impurities in delta-doped GaAs. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, № 18, p.1508−1510.
  108. Wagner J., Ramsteiner M., Stolz W., Hauser M. Ploog K. Incorporation of Si in delta-doped GaAs studied by local vibrational mode spectroscopy. Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 10, p.978−980.
  109. Perry C.H., Lee K.S., ZhouW., WorlockJ.M., ZrennerA., KochF., Ploog K. Magneto-optical studies of a silicon delta-doped layer in n-GaAs Surface Science, 1988, v.196, p.677−682.
  110. Wagner J., Fischer A., Ploog K. Photoluminescence from the quasi-two-dimensional electron gas at a single silicon delta-doped layer in GaAs Phys. Rev. B, 1990, v.42, № 11, p.7280−7283.
  111. Bernussi A.A., Iikawa F., Motisuke P., Basmaji P., Li M.S., Hipolito O. Photoreflectance measurements on Si delta-doped GaAs samples grown by molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., 1990, v.61, № 9, p.4149−4151.
  112. Zhou W., Perry C.H., MaL., Lee K.S., WorlockJ.M., ZrennerA., KochF., PloogK. Photoreflectance studies of GaAs containing a Si-5-doping layer Appl. Phys. Lett., 1991, v.69, № 7, p.4075−4079.
  113. Mendoca C.A.C., Scolfaro L.M.R., PlenzF., Meneses E.A., Oliveira Jr. A.T., Rodrigues R., Guimaraes P. S.S., Bezerra J.C., Dias I.F.L., Oliveira A.G. Hot electrons in delta-doped GaAs (Si) layers. Solid State Commun., 1990, v.75, № 9, p.707−710.
  114. B.JI., Журавлев K.C., ЛубышевД.И., МигальВ.П., СемягинБ.Р. Излучательная рекомбинация фотодырок, локализованных в потенциале 5-легированных n-i-n-i-сверхрешеток. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, в.11, с.476−478.
  115. Basmaji P., Ceschin A.M., Li M.S., Hipolito О., Bernussi A.A., Iikawa F., Motisuke P. MBE growth and characterization of 5-doping in GaAs and GaAs/Si. Surf. Sci., 1990, v.228, p.356−358.
  116. Bernussi A.A., Brum J.A., Motisuke P., Basmaji P., Li M.S., Hipolito O. Continuous to bound interband transitions in 8-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 1990, v.8, № 2, p.205−208.
  117. Schubert E.F., Stark J.B., ChiuT.H., TellB. Diffusion of atomic silicon in gallium arsenide. Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, № 4, p.293−295.
  118. Э. Физика поверхности.- M: Мир, 1990.- 536с.
  119. Look D.C., Evans K.R., Stutz С.Е. Effects of a buffer layer on free-carrier depletion in и-type GaAs. IEEE Transactions on electron devices, 1991, v.38, № 6, p. 1280−1284.
  120. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. IBM J. Res. Develop., 1970, v.14, p.61−65.
  121. Ovsyannikov M.I., Romanov Yu.A., Shabanov V.N., LoginovaR.G. Periodic semiconductor structures. Soviet Phys.-Semicond., 1971, v.4, p. 1919−1924.
  122. Dohler G.H. Electron states in crystal with «nipi-superstructures». Phys. Stat. Sol. B, 1972, v.52, p.79−92.
  123. Dohler G.H., PloogK. Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors. Advances in Physics, 1983, v.32, № 3, p.285−359.
  124. Schubert E.F., Harris T.D., Cunningham J.E. Minimization of dopant-induced random potential fluctuations in sawtooth doping superlattice. Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, № 22, p.2208−2210.
  125. Schubert E.F., Ullrich В., Harris T.D., Cunningham J.E. Quantum-confined interband absorption in GaAs sawtooth doping superlattice. Phys. Rev. B, 1988, v.38, № 12, p.8305−8308.
  126. Shen X.C., ShenH., Parayanthal P., PollakF.H., Schulman J.N., SmirlA.L., McFarlane R.M. D’Haenens I. Photoreflectance of GaAs doping superlattices. -Superlattices and Microstructures, 1986, v.2, № 4, p.513−516.
  127. Tang Y., Wang В., Jiang D., ZhuangW., Liang J. Photoreflectance spectroscopy of GaAs doping superlattices. Sol. State Commun., 1987, v.63, № 9, p.793−796.
  128. Thorn A.P., Klipstein P.C., Glew R.W. Electro-optical modulation properties of n-i-p-i superlattices. IEEE Proceedings, 1989, v.136, p.38−41.
  129. Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in semiconductors: The excitionic absorption edge. Phys. Rev. B, 1970, v. l, № 8, p.3358−3371.
  130. Blossey D.F. Wannier exciton in electric field. Optical absorption by bound and continuum states. Phys. Rev. B, 1970, v.2, № 10, p.3976−3990
  131. Merkulov I.A., Perel V. L Effects of electron-hole interaction on electroabsorption in semiconductors. Phys. Lett. A, 1973, v.45, № 2, p.83−84.
  132. И.А. Влияние экситонного эффекта на электропоглощение в полупроводниках. ЖЭТФ, 1974, т.66, № 6, с.2314−2324.
  133. Ralph H.I. On the theory of Franz-Keldysh effect. J.Phys.C: Solid State Phys., ser.2, 1968, v. l, № 2, p.378−386.
  134. Ullrich В., Zhang С., Fronius H., v. KlitzingK. Photocurrent spectroscopy in a sawtooth doping superlattice. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, № 23, p. 1967−1969.
  135. Reeder A.A., McCombe B.D., Chambers F.A., Devane G.P. Confinement effects on Be acceptors in GaAs/AlGaAs multi-quantum well structures. Superlattices and Microstructures, 1988, v.4, № 3, p.381−383.
  136. Schubert E.F., KuoJ.M., Kopf R.F., LuftmanH.S., Hopkins L.C., SauerN.J. Beryllium 8-doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1990, v.67, № 4, p.1969−1979.
  137. Sibille A., Palmier J.F., Wang H., Mollot F. Observation of Esaki-Tsu negative differential velocity in GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. Lett., 1990, v.64, № 1, p.52−55.
  138. Bar-Joseph I., GoossenK.W., KuoJ. M, Kopf R. F, Miller D.A.B, ChemlaD.S. Room-temperature electroabsorption and switching in a GaAs/AlGaAs superlattice. -Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 4, p.340−342.
  139. Schneider H, FujiwaraK, Grahn H. T, Klitzing K.v., PloogK. Electro-optical multistability in GaAs/AlAs superlattices at room temperature. Appl. Phys. Lett, 1990, v.56, № 7, p.605−607.
  140. MendezE.E, Agullo-RuedaF, HongJ.M. Stark localization in GaAs-GaAlAs superlattices under an electric field. Phys. Rev. Lett, 1988, v.60, № 23, p.2426−2429.
  141. Voisin P, Bleuse J, Bouche C, Gaillard S, Alibert C, Regreny A. Observation of the Wannier-Stark quantization in a semiconductor superlattice. Phys. Rev. Lett, 1988, v.61, № 14, p.1639−1642.
  142. FujiwaraK, Schneider H, Chingolani R, PloogK. Successive Wannier-Stark localization and excitonic enhancement of intersubband absorption in a short-period GaAs/AlAs superlattice. Sol. State Commun, 1989, v.72, № 9, p.935−939.
  143. Moshegov N.T., SokolovL.V., ToropovA.I., BakarovA.K., KalaginA.K., Tichomirov V.V. The influence of surface reconstructions on the GaAs/AlAs interface formation by MBE. Inst. Phys. Conf. Ser. 1996, № 145, Chapter 2, p.97−100.
  144. Agullo-Rueda F., BrumJ.A., MendezE.E., Hong J.M. Change in dimensionality of superlattice excitons induced by an electric field. Phys. Rev. B, 1990, v.41, p.1676−1679.
  145. Schneider H., GrahnH.T., Klitzing K.v., PloogK. Resonance-induced derealization of electrons in GaAs-AlAs superlattices. Phys. Rev. Lett., 1990, v.65, № 21 p.2720−2723.
  146. LeavittR.P., Little J.W. Stark ladders in strongly coupled superlattices and their interactions with embedded quantum wells. Phys. Rev. B, 1990, v.41, № 8, p.5174−5177.
  147. Tkachenko V.A., Tkachenko O.A., Kotkin G.L., Tupitsin V.G. Programs for modelling waves in quantum -size microstructures. Physica B, 1991, v. 175, № 1, p.75−79.
  148. Meynadier M.-H., NahoryR.E., WorlockJ.M., Tamargo M.C., de Miguel J.L., SturgeM.D. Inderect-direct anticrossing in GaAs-AlAs superlattices induced by an electric field: evidence of T-X mixing. Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, № 13, p.1338−1341.
  149. Herman M.A., BimbergD., Christen J. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: evaluation by photoluminescence techniques. J. Appl. Phys., 1991, v.70, R1-R20.
  150. TanakaM., Sakaki H. Atomistic models of interface structures of GaAs-AlxGaixAs (x=0.2-l) quantum wells grown by interrupted and uniterrupted MBE. J. of Crys. Growth, 1987, v.81, № 1, p.153−158.
  151. Regreny A., AuvrayP., ChometteA., DeveaudB., Dupas G., Emery J.Y. PoudoulecA. Growth and interface characterization of GaAs/AlGaAs superlattices. -Revue Phys. Appl., 1987, v.22, № 5, 273−278.
  152. Kopf R.F., Schubert E.F., Harris T.D., Becker R.S. Photoluminescence of GaAs quantum wells by molecular beam epitaxy with growth interruptions. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, № 6, p.631−633.
  153. Molinari Е., Baroni S., Giannozzi P., de Gironcoli S. Effect of disorder on the Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1992, v.45, № 8, p.4280−4288.
  154. B.A., ТеннеД.А., МошеговН.Т., ТороповА.И., ШебанинА.П., Яскин А. А. Фононный спектр сверхрешеток GaAs/AlAs: прямая и обратная спектральные задачи. ФТТ, 1996, т.38, № 7, 2242−2252.
  155. Pfeffer P., Zawadzki W. Five-level k-p model for the conduction and valence bands of GaAs and InP. Phys. Rev. B, 1996, v.53, № 19, p.12 813−12 828.
  156. Prietsch M., DomkeM., Laubschat C., Mandel Т., Xue С., Kaindl G. Photoemission study of alkali/GaAs (110) interfaces. Z. Phys. B, 1989, v.74, № 1, p.21−33.
  157. Whitman L.J., Stroscio J.A., Dragoset R.A., CelottaR.J. Geometric and electronic properties of Cs structures on III-V (110) surfaces: from ID and 2D insulators to 3D metal Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, № 10, p. 1338−1341.
  158. P.JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. М.: «Энергия», 1978, 192 с.
  159. Brillson L.J. Chemical mechanisms of Schottky barrier formation. J. Vac. Sci. Techno1., 1979, v. 16, № 5, p. l 137−1142.
  160. Freeouf J.L., Woodall J.M. Schottky barriers: An effective work function model. -Appl. Phys. Lett., 1981, v.39, № 9, p.727−729.о с
  161. Heine V. Theory of surface states. Phys. Rev., 1965, v.138, №A6, p. A1689-A1696.
  162. Tersoff J. Schottky barrier heights and the continuum of gap states. Phys. Rev. Lett., 1984, v.52, № 6, p.465−468.
  163. Spicer W.E., LindauL, SkeathP., Su C.Y., ChyeP. Unified mechanism for Schottky barrier formation and III-V oxide interface states. Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, № 6, p.420−423.
  164. Ф., ЭндерлайнР. Поверхности и границы раздела.- М.: Мир, 1990.-488с.
  165. Viturro R.E., Mailhiot C., ShawJ.L., Brillson L.J., LaGraffeD., Margaritondo G., Pettit G.D., Woodall J.M. Interface states and Schottky barrier farmation at metal/GaAs junctions. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v.7, № 3, p.855−860.
  166. Yablonovitch E., Sandroff C.J., BhatR., GmitterT. Nearly ideal electronic properties of sulfide coated GaAs surfaces. Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, № 6, p.439−441.
  167. SpindtC.J., Besser R.S., Cao R., Miyno K., Helms C.R., SpicerW.E. Photoemission study of the band bending and chemistry of sodium sulfide on GaAs (lOO). Appl. Phys. Lett, 1989, v.54, № 12, p. l 148−1150.
  168. Laubschat C, Prietsch M, DomkeM, Weschke E, Remmers E, Mandel T, Ortega E., Kaindl G. Switching of band bending at the nonreactive (Cs, 0)/GaAs (110) interface. Phys. Rev. Lett., 1989, v.62, № 11, p.1306−1309.
  169. Cao R, Miyano K, Kendelewicz T, Lindau I, Spicer W.E. Fermi level movement at the Cs/GaAs (l 10) interfaces. Appl. Phys. Lett, 1989, v.54, № 13, p. 1250−1252- On the aspects of GaAs initial stage band bending. — Physica Scripta, 1990, v.41, p.887−891.
  170. Петухов Б. В, Покровский В. JI, ЧапликА.В. Состояния электронов, локализованных у поверхностных зарядов. ФТТ, 1967, т.9, № 1, с.70−74.
  171. PenninoU, Salvarani В, CompanoR, PankratovO. Evidence of a bipolaronic, insulating state of Na submonolayer on GaAs (llO). Phys. Rev. B, 1995, v.52, № 15, p.10 717−10 720.
  172. Klepeis J. E, Harrison W.A. Coverage dependence of Schottky barrier formation. J. Vac. Sci. Technol. B, 1989, v.7, № 4, p.964−970.
  173. PashleyM.D, HaberernK. W, FeenstraR. M, KirchnerP.D. Different Fermi level behavior on n- and /"-type GaAs (OOl). Phys. Rev. B, 1993, v.52, № 7, p.4612−4615.
  174. Vasquez R. P, Lewis B. F, Grunthaner F.J. Cleaning chemistry of GaAs (100) and InSb (lOO) substrates for molecular beam epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1983, v. l, № 3,p.791−794.
  175. Ю.Г., Пошевнев В. И., Мансуров В. Г., Терехов А. С., Окорокова Л. Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах НС 1. Поверхность, 1989, № 4, с.147−150.
  176. W., Dumas М., Мао D., KahnA. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs (lOO) surfaces J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, v. 10, № 4, p.1886−1890.
  177. Wang Z., KwanS.L., Pearsall T.P., Booth J.L., Beard B.T., Johnson S.R. Real-time, noninvasive temperature control of wafer processing based on diffusive reflectance spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, v. 15, № 1, p. l 16−121.
  178. Pollak F.H., ShenH. Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation. Phys. Rev. B, 1990, v.42, № 11, p.7097−7002.
  179. А.Л., Смирнов С. Ю. Спектры поверхностной фотоэдс и поверхностные состояния GaAs(100) с субмоноатомными слоями цезия. ФТТ, 1994, т.36, № 1, с.9−19.
  180. Musatov A.L., Izraeljants K.R., Filippov S.L. Surface photovoltage spectra and surface states of InP (100)-Cs. Phys. Low-Dim. Struct., 1994, v.3, p.35−40.
  181. Rodway C.D., Allenson M.B. In situ surface study of the activating layer on GaAs (Cs, 0) photocathodes. J. Phys. D: Appl. Phys., 1986, v.19, p.1353−1371.
  182. Alperovich V.L., PaulishA.G., Scheibler H.E., TynnyiV.I., TerekhovA.S. Unpinned behavior of the Fermi level and photovoltage on p-(100)GaAs surface facilitated by deposition of cesium. Appl. Surf. Sci., 1996, v.104/105, p.228−233.
  183. Hasegawa H, Ishii H, Sawada T, Saitoh T, Konishi S, Liu Y, Ohno H. Control of Fermi level pinning and recombination process at GaAs surfaces by chemical and photochemical treatments. J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, v.6, № 4, p. 1184−1192.
  184. Лифшиц T. M, Мусатов А. Л, Коротких В. Л, Коринфский А. Д, Турчинский В. М. Эффективные фотоэмиттеры с отрицательным электронным сродством. Проблемы современной радиотехники и электроники /под ред. Котельникова В. А. — М: Наука, 1987.- с.195−217.
  185. Pankratov О, Scheffler М. Hubbard correlations and charge transfer at the GaAs (l 10) surface with alkali adsorbates. Phys. Rev. Lett, 1993, v.70, № 3, p.351−354.
  186. Plummer E. W, Wong T. M, DiNardoN.J. Semiconductor-to-metal transition in an ultrathin interface: Cs/GaAs (l 10). Phys. Rev. Lett, 1990, v.65, № 17, p.2177−2180.
  187. Allan G, Lannoo M. Negative-U character of the adsorption on semiconductor surfaces: application to metals on GaAs Phys. Rev. Lett, 1991, v.66, № 9, p.1209−1212.
  188. Bagraev N.T. Metastable surface defects in p-type GaAs. Material Science Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland), 1994, v.143−147, p.543−548.
  189. Bai C, Hashizume T, Jeon D. R, Sakurai T. Geometric and electronic structures of Na/GaAs. J. Vac. Sci. Technol. A, 1993, v. ll, № 3, p.525−528.
  190. Evans D. A, Lapeyre G. J, Horn K. Overlyer-induced valence states, and evidence for charge transfer in Na/GaP (l 10) and Na/GaAs (l 10): a comparative photoemission study. J. Vac. Sci.Technol. B, 1993, v. l 1, № 4, p.1492−1496.
  191. HeskettD, TangD, McLean A. B, Ludeke R, Prietsch M, Wong T. M, Plummer E. W, DiNardo N.J. Metal-induced states on the GaAs (l 10) surface probed by angle-resolved photoemission spectroscopy. Appl. Surf. Sci, 1991, v.48/49, p.260−263.
  192. Magnusson K.O., Reihl В. Surface electronic structure of submonolayer to full-monolayer coverages of alkali metals on GaAs (llO): К and Cs. Phys. Rev. B, 1989, v.40, № 11, p.7814−7818.
  193. Neuhold G., Chasse Т., Paggel J.J., Horn K. Observation of a Cs-induced state in the band gap of GaP (llO): alkali-metal bonding and Fermi-level pinning. Phys. Rev. B, 1996, v.54, № 12, p.8623−8626.
  194. К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968. — 232 с.
  195. Naumovets A.G., Vedula Yu.S. Surface diffusion of adsorbates Surf. Sci. Rep., 1885, v.4, p.365−434.
  196. Tsong T.T. Experimental studies of the behavior of single adsorbed atoms on solid surfaces. Rep. Prog. Phys., 1988, v.51, p.759−832.
  197. Westre E.D., Brown D.E., Kutzner J., George S.M. Surface diffusion of potassium on Ru (OOl). Surf. Sci. 1993, v.294, p.185−196.
  198. Milne R.H., AzimM., PersaudR., Venables J.A. Surface diffusion of Cs on Si (100)-2×1. Surf. Sci., 1995, v.336, № 1, p.63−75.
  199. Godstein B. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and O. Surf. Sci. 1975, v.47, № 1, p. 143−161.
  200. Thurmond C.D. The standard thermodynamic functions for the formation of electrons and holes in Ge, Si, GaAs, and GaP. J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, № 8, p.1133−1141.
  201. Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (111)B GaAs epitaxial layers. Surf. Sci., 1984, v.147, № 1, p.103−114.
  202. Kierren В., Paget D. Formation of the Cs/GaAs (001) interface: Work function, cesium sticking coefficient, and surface opnical anisotropy. J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, № 1, p.2074−2080.
  203. Kamaratos M., Bauer E. Interaction of Cs with the GaAs (lOO) surface. J. Appl. Phys., 1991, v.70, № 12, p.7564−7572.
  204. Yang Y.N., Luo Y.S., Weaver J.H., Florez L.T., Palmstrom C.J. Effects of annnealing on the surface morphologyof decapped GaAs (OOl). Appl. Phys. Lett. 1992, v.61, № 16, p.1930−1932.
  205. R.L., Spicer W.E. 3−5 compaund photocathodes: A new family of photoemitters with greatly improved performance. Proc. IEEE., 1970, v.58, p.1788−1802.
  206. Pierce D.T., Celotta R.J., Wang G.-G., Unertl W.N., Galejs A., Kuyatt C.E., Mielczarek S.R. GaAs spin polarized electron source. Rev. Sci. Instrum., 1980, v.51, № 4, p.478−499.
  207. Kolac U., Donath M., Ertl K., Liebl H., Dose V. High performance GaAs polarized electron source for use in inverse photoemission spectroscopy. Rev. Sci. Instrum., 1988, v.59, № 9, p.1933−1940.
  208. Lampel G., Weisbuch C. Proposal for an efficient source of polarized photoelectrons from semiconductors. Sol. State Commun., 1975, v.16, p.877−880.
  209. Drouhin H.-J., Hermann C., Lampel G. Photoemission from activated gallium arsenide. Very-high-resolution energy distribution curves. Phys. Rev. В., 1985, v.31, No.6, p.3859−3871.
  210. Sheer J.J., Van Laar J. GaAs-Cs: A new type of photoemitter. Solid State Commun., 1965, v.3, p.189−193.
  211. SuC.Y., Spicer W.E., Lindaul. Photoelectron spectroscopic determination of the structure of (Cs, 0) activated GaAs (110) surfaces. J. Appl. Phys., 1983, v.54, № 3, p.1413−1422.
  212. А.Д., Мусатов A.JI. Приповерхностный изгиб зон в GaAs с отрицательным электронным сродством. ФТП, 1986, т.20, в.2, с.330−332.
  213. Э.Л. Выход фотоэлектронов в вакуум из GaAs с рассеянием энергии в процессе тунелирования через потенциальный барьер, образованный активирующим слоем. ФТТ, 1989, т.31, в.11, с.225−232.
  214. Aspnes D.E. GaAs lower conduction-band minima: Ordering and properties. Phys. Rev. B, 1976, v.14, № 12, p.5331−5343.
  215. James L.W., Antypas G.A., Edgecumbe J., Moon R.L., Bell R.L. Dependence on crystalline face of the band bending in Cs O-activated GaAs. J. Appl. Phys., 1971, v.42, № 12, p.4976−4980.
  216. Herrera-Gomez A., Vergara G., Spicer W.E. Physics of high-intensity nanosecond electron source: Charge limit phenomenon in GaAs photocathodes. J. Appl. Phys. 1996, v.79, № 9, p.7318−7323.
  217. Bolkhovityanov Yu.B., Jaroshevich A.S., Nomerotsky N.V., Revenko M.A., Trukhanov E.M. Liquid phase epitaxy of highly strained InGaAsP/GaAs films in the 1.4−1.8 eV interval of band gaps. J. Crystal Growth, 1996, v.158, p.217−223.
  218. Nakanishi Т., Aoyagi H., HorinakaH., KamiyaY., Kato Т., Nakamura S., SakaT., Tsubata M. Large enhancement of spin polarization observed by photoelectrons from a strained GaAs layer. Phys. Lett. A, 1991, v.158, p.345−349.
  219. X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. 1981, М., Мир, т.2 -299с.
  220. Mamaev Yu.A., Yashin Yu.P., Subashiev A.V., Galactionov M.S., YavichB.S., Kovalenkov O.V., Vinokurov D.A., FaleevN.N. High polarization in electron photoemission from semiconductor heterostructures. Phys. Low-Dim. Struct., 1994, № 7, p.27−36.
  221. Maruyama Т., GarwinE.L., PrepostR., Zapalac G.H., Smith J.C., Walker J.D. Observation of strain-enhanced electron spin polarization in photoemission from InGaAs. Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, № 18, p.2376−2379.
  222. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. — 584 с.
  223. Chandrasekhar М., Pollak F.H. Effects of uniaxial stress on the electroreflectance spectrum of Ge and GaAs. Phys. Rev. B, 1977, v. 15, № 4, p.2127−2144.
  224. Adachi S. Material parameters of InixGaxAsyPiy and related binaries. J. Appl. Phys., 1982, v.53, № 12, p.8775−8792.
  225. Asai H., Oe K. GaxInixP liquid phase epitaxial growth on (001), (lll)A, and (lll)B GaAs substrates. J. Crys. Growth, 1983, v.62, № 1, p.67−84.
  226. Matthews J.W., Blakeslee А.Е. Defects in epitaxial multilayers. J. Crystal Growth, 1974, v.27,№l, p. l 18−125.
  227. CaridiE.A., Stark J.B. Strain tensor elements for misfit-strained hhk]-oriented cubic crystals. Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, p.1441−1443.
  228. Jain S.C., Willander M., Maes H. Stresses and strains in epilayers, stripes and quantum structures of III-V compound semiconductors. Semicond. Sci. Technol., 1996, v. ll, p.641−671- p.975.
  229. Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. M.: Наука, 1974, 752 с.
  230. Т.Е., Титков А. Н. Спиновая релаксация носителей при оптической ориентации в полупроводниках. В кн. Оптическая ориентация. Под ред. Захарчени Б. П., Майера Ф. — Л.: Наука, 1989, с.62−108.
  231. Onabe К. Immiscibility in type Aj. xBxCyDiy strictly regular quaternary solid solutions. Unstable region. Jap. J. Appl. Phys., 1983, v.22, № 4, p.663−673.
  232. Kurihara Y. et al. A polarization and high quantum efficiency photocathode using a GaAs-AlGaAs superlattice. KEK Preprint 94−59- SLAC-PUB-6530, 1994, p.1−14.
  233. Saka T. et al. New-type photocathode for polarized electron source with distributed Bragg reflector. Jpn. J. Appl. Phys, 1993, v.32, p. L1837-L1840.
  234. JI.В. О резонансном туннелировании электронов в кристаллах. -ЖЭТФ, 1964, т.47, в.1, с.270−277- Об ошибках в работах по резонансному туннелированию электронов в конечных сверхрешетках. Письма ЖТФ, 1987, т.13, в.18, с.1143−1146.
  235. Ткаченко В. А, Ткаченко О. А. Подавление переотражений электронов от краев одномерной полупроводниковой сверхрешетки. Письма ЖТФ, 1993, т. 19, в.24, с.36−41.
  236. Vanbesian О, Leroux Н, Lippens D. Maximally flat transmission windows in finite superlattices. Solid-St. Electron, 1992, v.35, № 5, p.665−669.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?