Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs

Диссертация: Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Полупроводниковые структуры на основе соединений АШВУ находят широкое применение в оптоэлектронике, микроэлектронике, особенно в СВЧ электронике. Тенденциями в развитии этих прикладных областей являются достижение предельных характеристик приборов, снижение энергопотребления, увеличение быстродействия. В связи с этим ужесточаются требования к качеству полупроводникового материала, к содержанию… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Разработка спектрометра глубоких уровней
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Физические основы метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней и способы его реализации
    • 1. 3. Разработка спектрометра глубоких уровней
    • 1. 4. Метод релаксации напряжения в РСГУ по проводимости
    • 1. 4. Результаты и
  • выводы
  • Глава 2. Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в п-СаАв, полученном, методом жидкофазной эпи-таксии
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Методика эксперимента
    • 2. 3. Глубокие уровни в п-СаАвгБЬ, выращенном методом жидкофазной эпитаксии из расплава галлия
    • 2. 4. Глубокие уровни в п-ваАв^Ь, выращенном методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута
    • 2. 5. Обсуяедение результатов

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

3.2. Особенности структур на полуизолирующей подложке.71.

3.3. Исследование электрически активных примесей и структурных дефектов в многослойных структурах СаАв.76.

3.3.1 Исследование активных и контактных слоев структур.76.

3.3.2 Исследование буферных слоев и границы раздела пленка-подложка.80.

3.4. Влияние глубокого уровня Н1 на шумовые и усилительные характеристики ПТШ СВЧ диапазона.88.

3.5. Метод выявления некомпенсированных акцепторов в буферных слоях готовых ПТШ с субмикронным затвором.92.

3.6. Результаты и выводы.97.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.98.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

101.

ЛИТЕРАТУРА

102.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ:

БС — буферный слой многослойных структур БШ — барьер Шоттки ГУ — глубокие уровни ГФЭ — газофазная эпитаксия ЖФЭ — жидкофазная эпитаксия ИВП — изовалентная примесь МЛЭ — молекулярно-лучевая эпитаксия ОПЗ — область пространственного заряда ПТШ — полевых транзисторов с барьером Шоттки РСГУ — спектроскопии глубоких уровней СВЧ — сверх высокая частота ЭОУ — эффект обратного управления.

С — емкость.

С3 — емкость затвора транзистора еп — скорость эмиссии электронов ер — скорость эмиссии дырок Ее — энергия дна зоны проводимости Еу+Ет — энергетическое положением уровня в Ес-Ет — энергетическое положением уровня в Еу — энергия потолка валентной зоны АЕ, А ~ энергия ионизации глубокого уровня.

— проводимость затвора транзистора к — постоянная Больцмана запрещенной зоне (акцепторного) запрещенной зоне (донорного).

N0 — плотность состояний в зоне проводимости.

N0 — концентрация донорных уровней.

N1 — концентрация глубоких центров.

Ыу — плотность состояний в валентной зоне.

Кг — концентрацией глубоких уровней.

— концентрация незаполненных глубоких уровней.

Ыд — концентрация акцепторных уровней п — концентрация свободных электронов п — концентрация электронов, измеренная С-У методом.

— концентрацией мелких уровней р — концентрация свободных дырок в валентной зоне.

Я — сопротивление и — напряжения.

Тм — температуре хЛ — глубина, измеренная С-У методом й — частота уп — коэффициент захвата электронов глубоким центром ур — коэффициент захвата дырок глубокими центрами ап — сечение захвата электронов на уровни стр — сечение захвата дырок на уровни т — постоянная времени релаксации.

Полупроводниковые структуры на основе соединений АШВУ находят широкое применение в оптоэлектронике, микроэлектронике, особенно в СВЧ электронике. Тенденциями в развитии этих прикладных областей являются достижение предельных характеристик приборов, снижение энергопотребления, увеличение быстродействия. В связи с этим ужесточаются требования к качеству полупроводникового материала, к содержанию примесей и дефектов с глубокими уровнями (ГУ) в запрещенной зоне. Наличие ГУ может приводить как к полезным, так и к крайне нежелательным эффектам в полупроводниковых приборах, даже если их концентрация на несколько порядков меньше концентрации основной легирующей примеси. Поэтому необходимо иметь представление о природе ГУ, знать их основные параметры для того, чтобы минимизировать отрицательное, и максимально эффективно использовать положительное влияние их на функциональные характеристики приборов.

Рассматривая проблему ГУ с научной точки зрения, следует отметить, что до сих пор не существует единой теории глубоких центров, позволяющей предсказывать истинное энергетическое положение ГУ в запрещенной зоне полупроводника,. Знания о природе глубоких уровней, о свойствах материала, содержащего ГУ, в основном, носят эмпирический характер. Природа большинства ГУ в полупроводниках АШВУ установлена не однозначно. Очевидно, что для получения информации о природе ГУ, закономерностях образования дефектов с ГУ необходимо воздействовать на систему примесных и собственных дефектов в процессе выращивания полупроводника. В качестве такого воздействия нами предложено легирование полупроводников изовалентными примесями (ИВП). Предпочтительность именно такого воздействия обусловлена тем, что сами ИВП не должны приводить к образованию новых локальных уровней в запрещенной зоне. Теоретические работы предсказывают образование резонансных уровней при изовалентном легировании и исключают возможность образования ГУ в запрещенной зоне. Однако, можно предположить, что замена одного из атомов основной решетки на изовалентный атом в каком-либо структурном дефекте или комплексе может повлиять на энергетический спектр ГУ или даже привести к образованию новых уровней.

Для исследований энергетического спектра, свойств и природы ГУ наиболее подходящим является метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ). Данный метод обладает высокой чувствительностью и информативностью. Он позволяет определить энергию ионизации, концентрацию, сечения захвата электронов и дырок, а также зависимость сечений захвата от электрического поля для каждого глубокого центра в отдельности.

К моменту начала данной работы в мире отсутствовали серийные спектрометры РСГУ. За рубежом установки РСГУ создавали на основе серийных приборов. В нашей стране серийного оборудования, необходимого для реализации метода, не выпускалось. Кроме того, создаваемые из серийного оборудования установки имели ограниченные функциональные возможности. В связи с этим разработка автоматизированного спектрометра РСГУ, пригодного для решения широкого круга, как фундаментальных, так и практических проблем являлась актуальной задачей, которая также решалась в данной работе.

Цель работы заключалась в исследовании влияния легирования ОаАэ изовалентной примесью ЭЪ на энергетический спектр глубоких уровнейвыяснении влияния электрически активных дефектов с ГУ на характеристики малошумящих полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) СВЧ диапазона.

Достижение поставленной цели включало следующие этапы: ¦ Создание высокочувствительной установки РСГУ, реализующей метод релаксации напряжения в широком диапазоне скоростей эмиссии (еп>р = 5 105 -г-101 с" 1).

Исследование влияния легирования изовалентной примесью Sb на энергетический спектр ГУ в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) из расплава Ga (рост с отклонением от стехиометрического соотношения элементов в сторону обогащения элементом III группы).

Исследование влияния изовалентного легирования сурьмой на энергетический спектр ГУ в GaAs, выращенном методом ЖФЭ из расплава Bi (рост с отклонением от стехиометрического соотношения элементов в сторону обогащения элементом V группы).

Анализ возможных физических причин и механизмов воздействия изовалентной примеси Sb на систему электрически активных дефектов в слоях GaAs.

Исследование влияния электрически активных дефектов с ГУ на шумовые и усилительные характеристики малошумящих полевых транзисторов СВЧ диапазона.

Объекты и методы исследования. Исследовались эпитаксиальные слои GaAs, выращенные на п+ - подложках методом ЖФЭ из расплава Ga и расплава Bi, а также структуры для полевых транзисторов с барьером Шоттки на полуизолирующих подложках GaAs, полученных методами газофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве изовалентной примеси была выбрана сурьма. Свойства слоев исследовались с помощью широкого набора экспериментальных методов, обеспечивающих максимально полную и достоверную информацию: релаксационной спектроскопии глубоких уровней, методы вольтфарадных характеристик, измерения вольт-амперных характеристик и температурной зависимости проводимости и др.

Научная новизна работы состоит в следующем: Впервые выполнены систематические исследования электрически активных дефектов с ГУ в слоях ОаАэ, полученных методом ЖФЭ и легированных изовалентной примесью (БЬ). При этом обнаружены и идентифицированы новые глубокие уровни (А7 и ЕЬБЬ) вводимые сурьмой.

Обнаружено, что температурные зависимости сечений захвата носителей заряда на ГУ, вводимые БЬ (А7 и ЕГ^Ь), и на уровни, связанные с собственными дефектами (А и ЕЬ2, соответственно), совпадают.

Показано, что спектр ГУ в ваАв зависит от соотношения в растворе-расплаве суммарных концентраций элементов III (ва) и У (Аз, ЕН) групп. При отклонении соотношения элементов в растворе-расплаве от стехиометрического в сторону обогащения элементом V группы, легирование БЬ приводит к образованию дефекта с электронной ловушкой (ЕЬБЬ) — при отклонении в сторону обогащения элементом III группы — к образованию дефекта с дырочной ловушкой (А7).

Предложены методы контроля качества внутренних нелегированных (буферных) слоев многослойных структур в исходных структурах и готовых ПТШ.

Установлены количественные соотношения между концентрацией нескомпенсированных акцепторов (Еу+0,2 эВ) в буферных слоях структур для ПТШ и ухудшением СВЧ-характеристик малошумящих ПТШ (увеличению коэффициента шума и снижению коэффициента усиления).

На защиту выносятся;

1. Изовалентное легирование (Sb) эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, вызывает изменение состава и концентрации электрически активных дефектов с ГУ: в пленки, выращенные из расплава Ga, вводится новый для GaAs глубокий центр А7 (Ev + 0,52эВ) — в пленках, выращенных из расплава Bi, вводится центр ELSb (Ее — 0,54эВ) — в пленках, выращенных из расплава Bi, уменьшается концентрация центра EL5 л.

Ее — 0,41 эВ) более, чем в 10 раз при уровне легирования Sb ~ 1%.

2. Изменения в спектре ГУ GaAs: Sb зависят от стехиометрии раствора-расплава: дырочная ловушка А7 формируется только в пленках, выращенных в условиях обогащения элементом III группы (Ga), в которых всегда присутствует дырочная ловушка Аэлектронная ловушка ELSb вводится только в пленки, выращенные в условиях обогащения элементом V группы (As, Bi), в которых всегда присутствует электронная ловушка EL2.

3. Температурные зависимости сечений захвата носителей заряда на ГУ, вводимые легированием сурьмой (А7 и ELSb), и на уровни, связанные с собственными дефектами (А и EL2, соответственно), практически совпадают.

4. Особенности формирования и свойства ГУ в пленках GaAs: Sb свидетельствуют о том, что: структуры центров А' и ELSb отличаются от структур центров, А и EL2, соответственно, только заменой атома мышьяка на изовалентный атом сурьмызамещение атомов мышьяка в подрешетке As атомами сурьмы не образует ГУ в GaAs.

5. Повышенный коэффициент шума и низкий коэффициент усиления малошумящих ПТШ в диапазоне частот 4^-36 ГГц обусловлен р-типом проводимости буферных слоев многослойных структур, которая контролируется глубоким уровнем (Еу+0,2 эВ) с концентрацией Кд = Ю15 см" 3.-ь1016 см" 3.

Практическая значимость работы.

Разработана универсальная установка для релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках, в которой впервые реализован метод релаксации напряжения в широком диапазоне постоянных времени перезарядки ГУ (т = 2−10″ 5 101с) с высокой чувствительностью по концентрации < 5 10″ 6.

Спектрометр экспонировался на выставках «Сибприбор-80», «Наука и техника народному хозяйству» и успешно используется в следующих организациях: ИФП РАН (г. Новосибирск), НИПП (г. Томск), НИИ «Автоматика» (г. Москва).

Предложен метод контроля качества внутренних нелегированных слоев многослойных структур по особенностям С-У зависимостей в области отсечки, а в полевых транзисторах по зависимостям высокочастотных емкости и проводимости затвора ПТШ от напряжения смещения на затворе. С помощью данного метода установлена корреляция между качеством буферных слоев структур и высокочастотными параметрами изготовленных из них приборов (коэффициентом шума и коэффициентом усиления в диапазоне частот 4 -36 ГГц). В НИИ «Сатурн» (г. Киев) на основе разработанных методов организован 100% входной контроль буферных слоев структур для изготовления ПТШ СВЧ диапазона.

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах:

1. Самойлов В. А., Принц В. Я. Емкостный спектрометр глубоких уровней. — ПТЭ, 1985, вып. 5, с. 178.

2. Принц В. Я.,. Хайри Е. Х, Самойлов В. А., Болховитянов Ю. Б. Глубокий уровень вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb. — ФТП, 1986, т. 20, в. 8, с. 1392 -1395.

3. Принц В .Я., Самойлов В. А. О контроле емкостными методами эпитаксиальных структур GaAs, предназначенных для изготовления ИС и ПТШ. — Микроэлектроника 1989, т. 18, Вып. 5, с. 416- 420.

4. Принц В. Я., Речкунов С. Н., Самойлов В. А. Исследование свойств буферных слоев в многослойных структурах арсенида галлия для ИС и ПТШ. — В кн.: Физические основы твердотельной электроники. I — Всесоюзная конференция, г. Ленинград, 1989, с. 147.

5. Самойлов В. А., Речкунов С. Н., .Принц В. Я Особенности перекрытия канала ПТШ связанные с границей раздела активный слой — буферный слой. — В кн.: Физические основы твердотельной электроники. I — Всесоюзная конференция, г. Ленинград, 1989, с. 287.

6. Принц В. Я., Самойлов В. А., Речкунов С. Н., Иващук A.B., Иваницкий О. П. Влияние свойств исходного материала на характеристики полевых транзисторов Шоттки с субмикронным затвором. — Труды Всесоюзного совещания по проблемам СВЧэлектроники, Львов, 1990.

7. Самойлов В. А., Якушева H.A., Принц В. Я. Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. -В кн. Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников, Киев, 1990, ч. 1, с. 275−276.

8. Самойлов В. А., Якушева H.A., Принц В. Я. Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. — Полупроводники, Сборник научных трудов ИФП, Отв. ред. чл.- корр. РАН И. Г. Неизвестный, Новосибирск -" Наука", 1993, с. 196−197.

9. Речкунов С. Н., Самойлов В. А, Принц В. Я. Исследование глубоких уровней в буферных слоях эпитаксиальных структур арсенида галлия, предназначенных для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки и интегральных схем. — Полупроводники, Сборник научных трудов ИФП, Отв. ред. чл.- корр. РАН И. Г. Неизвестный, Новосибирск -" Наука", 1993, с.28−30.

10. Самойлов В. А., Принц В. Я., Якушева H.A. Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. — ФТП, 1994, т.28, в.9, с. 1617−1623.

11. Prinz V.Ya., Buldygin A.F., Rechkunov S.N., Samoylov V.A., New methods for microwave nondestructive characterization of the multilayer structures grown on SI substrates. — Semi-insulating III-V materials. Edited by M. Godlewski, Wold Scientific, 1994, p. 159−163.

12. Босый В. И., Иващук A.B., Принц В. Я., Самойлов В. А., Влияние параметров буферного слоя на шумовые характеристики ПТШ на основе GaAs. — Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94 — Российская конференция, Звенигород, 1994, с.325−326.

13. Принц В. Я., БулдыгинА. Ф, Речкунов С. Н., Самойлов В. А Неразрушающий контроль эффекта обратного управления в полупроводниковых структурах А3В5 Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94 -Российская конференция, Звенигород, 1994, ч.1, с.195−196.

14. Осадчий В. М, Принц В. Я., Самойлов В. А. Измерение и моделирование C-V профиляспособ для диагностики и оптимизации НЕМТ структур Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94 — Российская конференция, Звенигород, 1994, ч.2, с.403−404.

15. Речкунов С. Н., Самойлов В. А., Принц В. Я., Исследование глубоких уровней в буферных слоях эпитаксиальных структур арсенида галлия, предназначенных для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки и интегральных схем. — Микроэлектроника, 1995, т.24, с. З89−392.

16. Принц В. Я., Булдыгин А. Ф., Речкунов С. Н Самойлов В. А. Новые методы неразрушающего СВЧ контроля многослойных структур на полуизолирующей подложке.

— Полупроводники, Сборник научных трудов ИФП, Отв. ред. чл.- корр. РАН Неизвестный И. Г., Новосибирск: «Наука», 1995, с.29−33.

17. Prinz V.Ya., Rechkunov S.N. and Samoylov V.A. «Correlation between high-speed device performance and defects in multilayer structures recognized by nondestructive microwave methods. — Abstracts DRIP VII 7th Internatinal Conference, Berlin, 1997, PI0.1.

18. Prinz V.Ya., Rechkunov S.N. and Samoylov V.A. Correlation between high-speed device performance and defects in multilayer structures recognized by nondestructive microwave methods.- Inst. Phys. Conf., Ser. No 160,1997, p. 487−490.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Работа выполнена в лаборатории физических и материаловедческих основ микрои нано-электроники Института физики полупроводников СО РАН под руководством к.ф.-м.н. В. Я. Принца. Автор выражает искреннюю признательность научному руководителю к.ф.-м.н. В. Я. Принцу, как вдохновителю и руководителю работы, приложившему много усилий для ее завершения, а также всем сотрудникам лаборатории, оказывавшим поддержку в работе.

Настоящая работа была выполнена благодаря помощи многих людей, как сотрудников ИФП СО РАН, так и других организаций:

— эпитаксиальные из расплава Ga были выращены д.ф.-м.н. Ю. Б. Болховитяновым, и н.с. Е. Х Хайри;

— эпитаксиальные из расплава Bi были выращены к.ф.-м.н. H.A. Якушевой, которая в значительной мере была вдохновителем работ;

— данные об измерениях шумовых и усилительных характеристиках в СВЧ диапазоне предоставили A.B. Иващук, и О. П. Иваницкий (г. Киев).

Личный вклад соискателя диссертационной работы состоит в создании оригинального прибора для релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниковых структурах, в подготовке и проведению экспериментов по исследованию глубоких уровней в GaAs: Sb, подготовке и проведению экспериментов по исследованию глубоких уровней в многослойных структурах, разработке метода для выявления ГУ в буферных слоях по зависимостям высокочастотных емкости и проводимости затвора от напряжения смещения в готовых ПТШ.

Анализ, интерпретация полученных экспериментальных данных, разработка других методов и написание статей были выполнены совместно с научным руководителем и другими сотрудниками лаборатории.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. — J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p. 3023.
  2. Lang D. V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centers in GaP p-n junctions. J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p. 3014.
  3. Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. Capacitance transient spectroscopy. Ann. Rev. Mater. Sci., 1977, p. 377.
  4. А. Ф., Принц В. Я. Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. Изв. вузов. Физика, 1980, № 1, с. 52.
  5. Shockley W., Read W.T. Statistics of the recombinations of Holes and Electrons. Jr. Phys. Rev., 1952, v.87, p. 835.
  6. Misrashi S. Peaker A.R. Hamilton B. A high sensitivity bridge for measurement of deep states in semiconductors. J. Phys. E: Sci. Inst, v.13,1980, p.1055−1060.
  7. Breitenstein O. A Capasitence Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scaning DLTS Aplication. Phys. Stat. Sol.(a), 1982, v.71, p.159.
  8. Miller G.L., Ramizer J.V. and Robinson D. A. H. Correlation method for semiconductor transient signal measurement. J. Appl. Phys., 1975, v.46, № 6, p. 2638.
  9. Kimerling C.K. New developments in defect studies in semiconductors. IEEE Trans, on Nucl. Sci., 1976, v. NS-23, p. 1497−1505.
  10. Lefevre H. and Schulz M. Double correlation technique (DDLTS) for analysis of deep level profiles in semiconductors. Appl. Phys., 1977, v.12, p. 45−53.
  11. Wang C.D. and Lin H.C. Deep-level transient spectroscopy system using a spectrum analyzer. -J. Appl. Phys., 1981, v.52, p. 546−5 492 638.
  12. Zilbershtejn A., Bert G. and Nuzillat G. Hole traps and their effects in GaAs mesfets. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 45: Chapter 4, 1979, p.315.
  13. Hawkins I.D. and Peaker A.R. capacitance and conductanse deep-level transient spectroscopyin field effect transistors. Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, № 3, p. 227−229.
  14. Maracas G.N., Lading W.D. and Wittman H.R. Electrical characterization of the GaAs/AlxGai-xAs interface by conductance DLTS. J. Vac. Sci. and Technol., 1984, v. B2, No.3, p. 599−603.
  15. Farmer J.W., Lamp C.D. and Meese J.M. Charge transient spectroscopy. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, p. 1063−1065.
  16. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников Л., «Наука», 1972.
  17. Л.С., А.А. Лебедев Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. -Л., «Наука», 1981.
  18. Goto G., Yanagisowa S., WadaO., Takanaski H. An improved method of determining deep impurity levels and profiles in semiconductor Jap. J. Appl. Phys., 1974, v. 13, № 7, p. 1127.
  19. Pals J.A. Properties of Au, Pt, Pd and Rh levels in Silicon measured with a constant capacitance technique. Solid-State Electronics, 1984, v. 17, p. 1139.
  20. В. Я., Орлов О. М. Способ контроля глубоких в полупроводниках и устройство для его реализации. А. с. № 843 642,-Опубл. в Б. И., 1982, № 12, с. 293.
  21. DeJule R. Y., Haase M. A., Ruby D.S., Stillman G. E. Constant capacitance DLTS circuit for measuring high purity semiconductors. Solid-State Electronics, 1985, v.28, No 6, p. 639.
  22. В. Я., Булатецкий К. Г. Спектроскопия глубоких примесных уровней компенсационным методом ПТЭ, 1979, № 4, с. 255.
  23. В.А., Принц В. Я. Емкостный спектрометр глубоких уровней. ПТЭ, 1985, вып. 5, с. 178.
  24. В. Я. Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней, использующийинжекцию дырок в контакте металл-полупроводник. В кн. Тез. докл, II Всес. совещание по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент, 1980, ч. I, с. 103−104.
  25. Auret F.D. and Nel М. Detection of minority-carrier defects by deep-level transient spectroscopy using Schottky barrier diodes. J. Appl. Phys., 1987, v. 61 (7), p. 2546.
  26. В. H., Мочальскич В. Б. Синхронный детектор для сверхпроводящего магнетометра. ПТЭ, 1972, № 2, с. 167.
  27. Plamen V. Kolev and М. J. Deen Constant resistance deep-level transient spectroscopy in submicron metall-oxide-semiconductor field-effect transistors J. Appl. Phys., 1998, v. 83, № 2, p. 820.
  28. E.B., Рытова H.C., Мильвидский М. Г., Ганина Н. В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями. (GaAs:Sb, GaAa: In). ФТП, 1981, т. 15, в. 11, с. 2141−2146.
  29. .В., Мильвидскнй М. Г. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании. ФТП, 1983, т. 17, в. 11 с. 2022−2024.
  30. А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. -ФТП, 1977, т. 11, в. 3, с. 425−455.
  31. В.К., Фистуль В. И. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. ФТП, 1984, т. 18, в.8, с. 1345−1362.
  32. Ю.Ф., Ганина Н. В., Чалдышев В. В. Фотолюминисценция твердых растворов GaAsi.xSbx (0<х<0,01). ФТП, 1981, т. 15, в. 9, с. 1849−1852.
  33. Ю.Ф., Ганина Н. В., Мильвидскнй М. Г., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. Фотолюминисценция твердых растворов GaAsixSbx и Gai.xInxAs (х<0,01).- ФТП, 1983, т. 17, в. 1, с. 108−114.
  34. В.К., Петухов А. Г., Соловьева Е. В. Резонансный уровень сурьмы в арсениде галлия. ФТП, 1981, т. 15, в. 4, с. 768−771.•2 с
  35. В.Б., Фистуль В. И. Изовалентное легирование соединений, А В Электроннаятехника., сер. Материалы, 1984, в. 9 (194), с. 42−49.
  36. Kalukhov V.A. and Chikichev S.I. The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide. Phys. St. Sol. (a.), 1985, v. 88, p. K59,
  37. Yakusheva N.A., Prinz V.Ya., Bolkhovityanov Yu.B. Discovery of Electron Traps in LPE GaAs Grown from a Bismuth Melt. Phys. St. Sol. (a.), 1986, v. 95, p. K43-K46.
  38. Zhan-Guo Wang, Ledebo L.A. and Grimmeiss H. G. Electronic properties of native deep-level defects in liquid-phase epitaxial GaAs. J. Phys. C: Solid State Phys., 1984, v. 17, p. 259−272.
  39. Mitonneau A., Martin G. M., Mircea A. Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. -Electron. Lett., 1977, v. 13, N 22, p. 666−667.
  40. K. Mallik and S. Dhar Dominant traps in liquid phase epitaxial GaAs studied by controlled doping with indium and antimony. Phys. St. Sol. (b), 1994, v. 184, p. 393−398.
  41. Lang D.V. and Logan R.A. A study of deep levels in GaAs by capacitance spectroscopy. -Journal of Electronic Materials, 1975, v.4, No. 5, p. 1053−1066.
  42. Ikoma Т., Takikawa M. and Okumura T. Invited: Deep Levels in GaAs and GaP. Japan J. Appl. Phys., 1976, v. 16, p. 223−232.
  43. Martin G.M., Mitonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. -Electron. Lett, 1977, v. 13, p. 191−192.
  44. Caldas M.G., Dabrovski J., Fassio A., and Scheffler M. Anion-Antisite-like Defects in III-V
  45. Compounds Phys. Rev. Lett., 1990, v. 65, p. 2046−2049.
  46. Zang S.B. and Chadi D.J. Cation Antisite Defects and Antisite-Inter Stitial Complex in Gallium Arsenide Phys. Rev. Lett., 1990, v. 64, p. 1789−1792.
  47. Ladowski J., Gatos Н.С., Parsey J.M., Wada К., Kaminska M. and Walukievicz W. Origin of the 0.82-eV electron trap in GaAs and annihilation by shallow donors. Appl. Phys. Lett, 1982, v. 40, No. 4, p. 342 -344.
  48. Wang W.L., Li S.S. and Lee D.H. On the physical origins of the EL2 center in GaAs J. Electrochem. Soc., 1986, v. 133, No. l, p.196−199.
  49. Ю.Б., Принц В. Я., Хайри E.X. Энергетический спектр глубоких уровней в GaAs легированном Sb. В кн.: Тез. докл, II Всес. совещание по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент, 1980, ч. I, с. 73.-74.
  50. Nahory R.E., Pollack М.А., De Winter J.C., Williams K.M. Grows and properties of liquid-phase epitaxial GaAsi.xSbx.- J. Appl. Phys., 1977, v. 48, p. 1607−1614.
  51. В.И. А. с. СССР № 924 634, Б.И., вып. 6 (1982).
  52. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p. 3023.
  53. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. 2-е изд. и доп. — Москва: Мир, 1984. -с. 280.
  54. В. Я. Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней, использующий инжекцию дырок в контакте металл-полупроводник. В кн Тез. докл, II Всес. совещание по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент, 1980, ч. I, с. 103−104.
  55. Принц В.Я.,. Хайри Е. Х, Самойлов В. А., Болховитянов Ю. Б. Глубокий уровень вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb. ФТП, 1986, т. 20, в. 8, с. 1392−1395.
  56. Bolkhovityanov Yu.B. Bolkhovityanova R.I., Hairy E.H., Chikichev S.I., Yudaev V.l. A multipurpose graphite boat for LPE growth of multilayer heterostructures. Cryst. Res. Techn., 1982, v. 17, N 12, p. 1491−1499.
  57. Henry C.N. and Lang D.V. Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAs and GaP. — Phys. Rev. B, 1977, v.15, No. 2, p.989−1016.
  58. Mitonneau A., Mircea A. Martin G.M. and Pons D. Electron and hole capture cross-sections at deep centers in gallium arsenide. Rev. Phys. Appl., 1979, v 14, p 853−861.
  59. Fang Zhao-Qiang,. Schlesinger T. E,. Milnes A. G, Evidence for EL6 (Ec-0,35eV) acting as a dominant recombination center in n-type horizontal Bridgman GaAs. -J. Appl. Phys., 1987, v. 61, p. 5047−5051.
  60. Mitchel W.C., Yu P.W.J. An antimony-related electronic level in isovalently doped bulk GaAs.- Appl. Phys., 1987, v. 82, p. 4781−4784.
  61. Baemnler M., Fuchs F., Kaufmann U. Optical properties of the Sboa heteroantisite defect in GaAS: SB- Phys. Rev. B, 1989, v. 40, p. 8072.
  62. Omling P., Hofmann D.M., Kunzer M., Baeumler M. and Kaufmann U.- Magnetic circular dichroizm and optical detection of electron paramagnetic resonance of SbGa heteroantisite defect in GaAs: Sb. Phys. Rev. B, 1992, v. 45, p. 3349−3352.
  63. Omling P., Yang B.H., Samuelson L., Yakimova, R. Fornell J.O., Ledebo L. Electronic properties of the SbGa heteroantisite defect GaAs: Sb. Phys. Rev. B, 1991, v. 44, p. 13 398−13 402.
  64. .К. Квантовые процессы в полупроводниках Москва, Мир, 1986, с. 82
  65. Ю. Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов. Отв. ред. д.-р физ.- мат. Наук Матуленис А., Вильнюс: «Мокслас», 1985, с.7−9.
  66. М. Шур Современные приборы на основе арсенида галлия. Перевод с английского под ред. д.-ра физ.- мат. наук Левинштейна М. Е. и д.-ра техн. Наук Челнокова В. Е., М: «Мир», 1991, с. 291.
  67. Wojtowcz М., Lai R., Streit D.S., Block T.R., Tan K.L., Liu P.N., Freudenthal A.K. and Dia R.M. 0.10 Dm graded InGaAs cannel HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax. IEEE Electron. Dev. Letters., 1994. V. v.-15. № 11. p. 477 — 479.
  68. C.A., Прохоров Е. Ф., Уколов A.T. Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки (обзор) Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 7, с. 2 40.
  69. Kocot С., Stolte С. Backgating in GaAs MESFET’s. IEEE Trans.Electron.Devices, 1982, v. ED-29, N7, p. 1059.
  70. Кокс X.M.-ДиЛоренцо Дж.В. Полуизолирующие соединения АВ. Под ред. Риса Дж.У., перевод с англ. под ред. Мильвидского М. Г. М.: Металлургия, 1984. С. 43 — 55.
  71. М., Дуаемин Дж.П., Хубер A.M., Морилот Г. Полуизолирующие соединения АВ. Под ред. Риса Дж.У., перевод с англ. под ред. Мильвидского М. Г. М.: Металлургия, 1984. С. 63 — 72.
  72. П.Ф.Линдквист, У. М. Форд В кн. Полевые транзисторы на основе арсенида галлия. Под редакцией Ди Лоренцо Д. В., Канделуола Д. Д., пер. с англ. под ред. Петрова Г. В., М.: Радио и связь, 1988, с.ЗЗ.
  73. Goronkin Н., Birrittella M.S., Seelbach W.C., Waitkus R.L. Backgating and light sensitivityin ionimplated GaAs integrated circuits. IEEE Trans. Electron. Devices, 1982, v. ED-29, N5, p.845.
  74. Л.В., Хучуа Н. П. Эффект управления по подложке в активных элементах ИС на основе арсенида галлия. Зарубежная электронная техника, 1987, № 9, с.69−94.
  75. Shockley W., Prim R.C. Space-charge limited emission in semiconductors. Phys. Rev., 1953, v. 90, p. 753.
  76. Eastman L.F., Shur M.S. Substrate current in GaAs MESFET’s. IEEE Trans. Electron. Devices, 1979, v. ED-26, N9, p. 1359−1361.
  77. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. T1 2-е перераб. и доп. изд. под ред. Суриса Р. А. — Москва: Мир, 1984, с. 327.
  78. Butlin R.S., Parker D., Crossley I., Turner J.- Gallium Arsenide and Related Compounds -Inst. Phys. Conf., 1977, Series No.33a, p.237.
  79. O.M., Принц В. Я., Скок. Э. М. Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, № 4, с. 256.
  80. В.И. А. с. СССР № 924 634, Б.И., 1982, № 6.
  81. Mori Y., and Watanabe N. A new etching solution system, H3PO4-H2O2-H2O, for GaAs and its kinetics. -J. Electrochem. Soc., 1978, V125, N9, p.1510−1514.
  82. В .Я., Самойлов В. А. О контроле емкостными методами эпитаксиальных структур GaAs, предназначенных для изготовления ИС и ПТШ. Микроэлектроника, 1989, т. 18., Вып. 5., с. 416- 420.
  83. Higgings J. A., Kuvas R. L., Eisen F. H. Determination of carrier distribution in epitaxial semiconducting films on insulating substrate by C-V and G-V analysis IEEE Trans. Electron. Dev., 1978., v. ED-25., № 6, p. 587−596.
  84. Lehovec K., Zuleeg R. Mobility, dopant and carrier distribution at the interface between semiconducting and semi- insulating gallium arsenide. Inst. Phys. Conf. Series No.24, 1975, p.292−306.
  85. Blood P., Orion J. W. The electrical characterisation of semiconductors- Rep. Prog. Phys., 1978., v. 41., p. 157−257.
  86. B.A., Речкунов C.H., .Принц В. Я. Исследование свойств буферных слоев в многослойных структурах арсенида галлия для ИС и ПТШ. В кн.: Физические основы твердотельной электроники. I — Всесоюзная конференция, г. Ленинград, 1989, с. 147.
  87. В.И., Иващук А. В., Принц В. Я., Самойлов В. А., Влияние параметров буферного слоя на шумовые характеристики ПТШ на основе GaAs. Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94 Российская конференция г. Звенигород 1994 с.325−326.
  88. В.Я., Самойлов В. А., Речкунов С. Н., Иващук А. В., Иваницкий О. П. Влияние свойств исходного материала на характеристики полевых транзисторов Шоттки с субмикронным затвором. Труды Всесоюзного совещания по проблемам СВЧ — электроники, Львов. 1990.
  89. V.Ya.Prinz, S.N.Rechkunov and V.A.Samoylov Correlation between high-speed device performance and defects in multilayer structures recognized by nondestructive microwave methods.- 1st. Phys. Conf., January, 1998, p. 487−490.
  90. Ван дер Зил А. Шумы затвора полевых транзисторов на относительно высоких частотах. -ТИИЭР, 1963, 51, с. 490- 496.
  91. Chen Т.Н., Shur M.S. Capacitance model of GaAs MESFETs. -. IEEE Trans. Electron. Dev., 1985, v. ED-32,№ 5, 883−891.
  92. Fukui H. Determination of the basic devise parameters of GaAs MESFET. Bell Syst. Tech. J., 1979, v. 58, 771−797.
  93. Fukui H. Optimum noise figure of microwave GaAs MESFETs. -.- IEEE Trans. Electron. Dev., 1979, v. ED-26, 1032−1037.
  94. B.H., Кушниренко А. И. Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М.: Радио исвязь, 1985, с. 47−53.
  95. В.А., Речкунов С. Н., Принц В. Я. Особенности перекрытия канала ПТШ связанные с границей раздела активный слой буферный слой. — В кн.: Физические основы твердотельной электроники. I — Всесоюзная конференция, г. Ленинград, 1989, с. 287−288.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?