Методология повышения эффективности технологических процессов микроэлектронного производства и надежности изделий микроэлектронной техники на базе спецвоздействий
Диссертация
К надежности современной электронной аппаратуры предъявляются серьезные требования. В условиях перехода на элементную базу, которая обусловит создание функционально сложных узлов на одном кристалле, проблема качества встает особенно остро. Насущной проблемой сегоняшнего дня стала необходимость учета требований контроля уже на этапе проектирования изделий. Дальнейший прогресс в области электронной… Читать ещё >
Содержание
- ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
- Актуальность темы. ф Цель работы
- Научная новизна
- Практическая ценность
- Положения, выносимые на защиту
- Публикации
- Личный вклад
- ГЛАВА. ОСНОВЫ ОРГАНИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВА НАДЕЖНЫХ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
- 1. 1. Основные факторы ненадежности интегральных микросхем
- 1. 1. 1. Дефекты окисла при изготовлении микросхем
- 1. 1. 2. Поверхностные эффекты в кремниевых элементах
- 1. 1. 3. Дефекты металлизации. ф 1.1.4.Отказы резисторов микросхем
- 1. 1. 5. 0. тказы емкостных элементов микросхем
- 1. 1. 6. Механизмы отказов в МДП — транзисторах
- 1. 1. 7. Влияние корпуса на отказы микросхем
- 1. 2. Повышение надежности электронной аппаратуры за счет новых технологий
- 1. 3. Надежность резервированных объектов
- 1. 4. Использование корректирующих кодов для повышения: эксплуатационной надежности ЭВА
- 1. 5. Основные методы контроля изделий электронной техники
- 1. 6. Испытания микроэлектронных изделий
- 1. 7. Прогнозирование надежности микроэлектронных изделий. ф
- 1. 9. Выводы
- 1. 1. Основные факторы ненадежности интегральных микросхем
- Глава. УСКОРЕННЫЕ ИСПЫТАНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИЭТ
- 2. 1. Основные направления ускоренных испытаний
- 2. 2. Воздействие повышенных температур и напряжений на МОП ЗУ
- 2. 3. Выбор методики ускоренных испытаний БИС ЗУ 565РУ
- 2. 4. Выбор и обоснование температуры испытаний
- 2. 5. Выбор превышающего напряжения и способа его
- приложения
- 2. 6. Обоснование времени проведения ускоренных испытаний
- 2. 7. Требования к стенду для ускоренных испытаний микросхем типа 565РУ
- 2. 8. Контроль работоспособности 565РУ1. ф
- 2. 9. Пример разработки стенда для ускоренных испытаний 565РУ
- 2. 10. Анализ результатов исследования микросхем 565РУ
- 2. 11. Пример разработки стенда для ускоренных, испытаний микросхем 565РУ5 и 565РУ
- 2. 12. Методика ускоренных испытаний ПЗУ 556 серии
- 2. 13. Выводы
- Глава. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
- 3. 1. Радиационные дефекты в кремнии
- 3. 2. Радиационные эффекты в кремниевых транзисторах
- 3. 3. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванных радиацией
- 3. 4. Выводы
- Глава. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И КОНСТРУКТИВНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ИХ РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТ
- 4. 1. Технологические особенности исследованных интегральных транзисторов, источники излучений и методика облучения
- 4. 2. Влияние радиации на кремниевые биполярные транзисторы
- 4. 3. Влияние рентгеновского излучения на коэффициент усиления по току транзисторов
- 4. 4. Влияние электронного облучения на коэффициент усиления по току транзисторов
- 4. 5. Влияние у- излучения на коэффициент усиления по току транзисторов
- 4. 6. Влияние у -нейтронного облучения на коэффициент усиления по току транзисторов
- 4. 7. Влияние облучения протонами на коэффициент усиления по току транзисторов
- 4. 8. Сравнение различных видов излучений по воздецствию на транзисторы
- 4. 9. Влияние облучения на обратные токи переходов и токи утечки транзисторов микросхем
- 4. 10. Влияние облучения на напряжения пробоя
- 4. 11. Влияние облучения на h'-параметры транзисторов микросхем
- 4. 12. Выводы
- Глава. РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ. 134 .5.1. Влияние гамма-облучения на МОП транзисторы интегральных микросхем (ИМС)
- 5. 2. Радиационная стойкость микросхем 564 серии к гамма- облучению
- 5. 3. Радиационная стойкость интегральных микросхем серии
- 5. 4. Исследование микросхем памяти для оценки их радиационной стойкости
- 5. 5. Выводы
- ГЛАВА. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИСПЫТАНИЙ И СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДОВ ИСПЫТАНИЙ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ОЦЕНКИ ИХ
- РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ
- 6. 1. Последовательность испытаний ИМС для определения их радиационной стойкости
- 6. 2. 0. пределение аналогов микросхем по радиационной стойкости
- 6. 3. Классификация ИМС по радиационной стойкости
- 6. 4. Моделирование гамма-импульсного воздействия электронным импульсным воздействием
- 6. 5. Выводы
- 6. 1. Последовательность испытаний ИМС для определения их радиационной стойкости
- Глава. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ В
- ПРОИЗВОДСТВЕ ИМС
- 7. 1. Влияние гамма-облучения и отжига на критериальные параметры ИМС
- 564. ЛЕ
- 7. 2. 0. тбраковка потенциально дефектных ИМС на пластинах
- 7. 3. Отбраковка потенциально дефектных ИМС методом повышения температуры и подачи превышающего импульсного напряжения по шине питания
- 7. 4. Выводы
Список литературы
- Сыноров В.Ф. и др. Физические основы надежности интегральных схем. /Под ред. Ю. Г. Миллера. М.: Советское радио, 1976. -320с.
- Бережной В.П., Дубицкий Л. Г. Выявление причин отказов. М.: Радио и связь, 1983.-232с.
- Глудкин О.П., Черняев В. Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. -М.: Энергия, 1980.-360с.
- ВоротинскийВ. А, ТемниковЕ. С, АхулковС.Е.Надежность интегральных схем.-Зарубежная радиоэлектроника,№ 11, 1981, с.48−59.
- Попо Р. А. Эксплуатационная надежность микроэлектронной техники. Учебное пособие МИРЭА, ч.1, 2005.- 57с.
- Бородин Г. А. и др. Методы расчета надежности ЗУ МСВТ на БИС. -М.: Центральный отраслевой орган НТИ «ЭКОС», 1985.-ЗЗс.
- Бородин Г. А. и др. Оценка избыточных кодов, обнаруживающих и исправляющих однонапрвленные ошибки.- Радиотехника, 1984, № 10,с.63−65.
- Бородин Г. А. и др. Избыточность кодов, используемых в полупроводниковых ЗУ.- Л.: ЛДНТП (Материалы семинара «Микропроцессорные системы для управления техническими процессами»), 1985, с.62−63.
- Гафаров П.М. и др. ЗУ емкостью 4096 бит на однотранзисторных ячейках памяти. Электронная промышленность, 1978, № 8, с.5−11.
- Горнев А.В., Орлов Б. В. Функциональный контроль полупроводниковых запоминающих устройств. Электронная промышленность, 1980, № 6, с.3−21.
- И. Берниковский Е. А. и др. БИС обнаружения и исправления ошибок для системы памяти. Зарубежная электронная техника, 1983, № 9, с.3−32.
- Борисов B.C. Обнаружение и исправление ошибок ЗУ. -Зарубежная радилоэлектроника, 1984, № 10, с.24−43.
- Гнеденко Б.В.и др. Математические методы в теории надежности. -Физматгиз, 1965.
- Алексанян И.Т. Методологические основы имитационного направления в теории надежности высоконадежных изделий. Электронная техника, сер.8, 1981, вып.4 (90), с.7−10.
- Алексанян И.Т., Кривошапко В. М. Моделирование параметрических отказов и изучение надежности интегральных схем. -Электронная техника, сер.8, вып.4, 1981, с. 150−156.
- Данилин Н.С. и др. Обеспечение качества РЭА методами диагностики и прогнозирования. М.: Стандарты, 1983. 224с.
- Карташов Г. Д. Основы теории форсированных испытаний. М.: Знание, 1977.
- Карташов Г. Д. Методы форсированных испытаний. В кн.: В помощь слушателям семинара по надежности и прогрессивным методам контроля качества продукции. М.: Знание, 1979.
- Карташов Г. Д. Предварительные исследования в теории Ф форсированных испытаний. В кн.: В помощь слушателям семинара понадежности и прогрессивным методам контроля качества продукции. М.: Знание, 1980, с.62−106.
- Карташов Г. Д. Форсированные испытания аппаратуры. -Надежность и контроль качества, 1985, № 1, с. 18−24.
- Перроте А.И., Карташов Г. Д., Цветаев К. Н. Основы ускоренных испытаний радиоэлементов на надежность.-М.:Советское радио, 1968.-224с.
- Воротинский В.А., Дадерко Н. К. Ускоренные испытания полупроводниковых приборов и интегральных схем на надежность. -Зарубежная радиоэлектроника, 1978, № 7, с.50−65.
- Куликов В.В. Проверка правильности выбора форсированных режимов. Труды МВТУ им. Н. Э. Баумана, 1983, № 396, с.57−67.
- Пешее А.Я., Степанова М. Д. Модели ускоренных испытаний. -Изв. АН СССР. Техническая кибернетика, 1969, № 3.
- Лаймен Д., Розенблат А. Качество и надежность (обзор). -Электроника 1981, № 10, с.27−61.
- Давыдов Э.Т. Использование метода равных вероятностей при форсированных испытаниях аппаратуры на надежность. Надежность и контроль качества, 1985, № 1, с.39−42.
- Карташов Г. Д., Козлов В. М. Оценка и контроль стойкости изделий ф к кратковременным перегрузкам. Надежность и контроль качества, 1982,10.
- Попо Р. А, Рыбаков И. М., Смирнов Р. В. Воздействие повышенных температур и напряжений на МОП ЗУ. М.:ЦНИИ ТЭИ приборостроения, 1985 /деп.
- Попо Р.А., Рыбаков И. М., Смирнов Р. В. Методика увеличения надежности БИС путем воздействующих импульсов повышенного напряжения по шине питания. Материалы всес. конф. «Развитие теории и техники хранения информации», Пенза, 1983, с.82−85.
- Попо Р.А., Рыбаков И. М., Смирнов Р. В. Выбор методики ускоренных испытаний БИС ЗУ.- М.: ЦНИИ ТЭИ приборостроения, 1985 /деп.
- Попо Р.А. Форсированные испытания с целью повышенияь ф надежности мини ЭВМ. — Кишинев: Материалы 2 респ. НТК «Управляющиемини- и микро- ЭВМ и их применение в народном хозяйстве», 1986, с. 119−120.
- Армстронг. Исследование надежности ЗУПВ емкостью 4Кпотребителями этих приборов. Электроника, 1976, № 5,с.66−69.
- Р.А. Попо, И. М. Рыбаков, Р. В. Смирнов. Методика изучения надежности микросхем.-М.:ЦНИИ ТЭИ приборостроения,!985/деп.
- Попо Р.А., Рыбаков И. М., Смирнов Р. В. А.С. № 1 292 459. Способ испытаний на надежность п-канальных МДП-цифровых интегральных схем. -М.: ЦНИИГПЭ, 1986.
- Попо Р.А., Рыбаков И. М., Смирнов Р. В. Повышение надежности ЗУ на МДП БИС путем отбраковки микросхем памяти со скрытыми дефектами. -Надежность и контроль качества, 1987, № 7, с.47−52.
- Попо Р.А., Рыбаков И. М., Смирнов Р. В. А.С. № 1 403 876. Способ и устройство повышения надежности микросхем полупроводниковой памяти с пережигаемыми нихромовыми перемычками, 1986.
- Д. Поса. Прогноз развития техники и технологии динамических ЗУПВ большой и сверхбольшой емкости. -Электроника, 1980, № 12, с.24−40.
- Радиоэлектроника (состояние и тенденции развития). Обзор по материалам иностранной печати. -М.: НИИЭИР, 1983, -48с.
- Разработка полупроводникового оперативного запоминающего устройства на п-канальных МДП- структурах емкостью 4096 бит (аналог 2107А). Отчет об ОКР, №У25 144. -ЦНИИ «Электроника», 1976. -103с.
- В.Н. Сретенский, Ю. З. Веденеев и др. Об одном методе ускоренных испытаний на сохраняемость. Электронная техника, сер. 8, 1972, вып.1, с.43−49.
- Тескин О.И., Плеханов В. Ш. Планирование утяжеленных испытаний в условиях ограниченной априорной информации.-Надежность и контроль качества, 1985, № 1, с. 3−9.
- Тимонин В.И. Математические методы в теории ускоренных испытаний. Зарубежная радиоэлектроника, 1981, № 1, с.51−57.44. 45. Электронные явления на поверхности полупроводников. /Под ред. В. И. Ляшенко. Киев: Наукова думка, 1968. -400с.
- Л. Юнг. Анодные окисные пленки. Пер. с англ. М.:Энергия, 1967.311с.
- Яковлев С.А. О прогнозировании ресурса изделий. Надежность и контроль качества, 1985, № 1, с.25−30.
- Кривошапко В.М. Прогнозирование индивидуальной надежности высоконадежных изделий по наблюдениям деградации их параметров. -Надежность и контроль качества, 1984, № 4, с.20−26.
- Малиновский Л.Г. Прогнозирование работоспособности изделий радиоэлектроники методами многомерного статического анализа. Надежность и контроль качества, 1985, № 1, с.31−38.
- Вербицкий О.Г.и др. Методы индивидуального прогнозирования надежности в системе контроля качества изделий электронной техники. М.: ЦНИИ «Электроника», 1983, вып.5, с.З.
- Е. Philofsky. Intermetalic formation in gold aluminium system. — «Sol. St. Electr.»., 1970, 19, № 10, pp. 1391−1399.
- T.J. Novak. Reliability physics for microelectronics. In: Proc. Annual Sympos. Reliab., Boston, Massac., 1968. pp. 193−200.
- F. Vaccaro. Reliability physics on assesment In: Proc. Annual Sympos. On Reliab., New Yore., 1970, pp.348−363.
- Дяченко В. Я, Сазоненко C.A. Комплексный контроль качества создаваемых изделий Надежность и контроль качества, 1985, № 2, с 17−18
- Лапидус В.А. Контроль качества продукции на основе принципа распределения приоритетов. Надежность и контроль качества, 1984, № 6, с. 1723.
- Марков Б.Ф. О планировании испытаний с учетом информации об интервале значений вероятности отказа. Надежность и контроль качества, 1984, № 6, с.30−34.
- Переверзев Е. С, Фалько Л. В. Обоснование объемов испытаний на надежность при наличии априорной информации о законе распределения наработки до отказа. Надежность и контроль качества, 1984, № 6, с. 24.
- Ройлян Г. В. Оценка достоверности метода массового функционального контроля БИС. Надежность и контроль качества, 1984, № 6, с.53−58.
- Ройлян Г. В. Вопросы практической реализации метода массового функционального контроля БИС. -Надежность и контроль качества, 1985, № 2, с.24−29.
- Веденеев Ю.З., Мгебрян Р. Г. Ускоренные испытания на сохраняемость полупроводниковых приборов. -Электронная техника, сер.2, 1974, вып.6, с.98−111.
- Воронов И.К. Методика отбраковки транзисторов со скрытым дефектом столбиковых выводов. М.: ЦНИИ «Электроника», 1983, вып.5, с. 12.
- Карташов Г. Д, Козлов В. М. Оценка и контроль стойкости изделий к кратковременным перегрузкам. Надежность и контроль качества, 1982, № 10.
- Иванов Г. А, Карташов Г. Д. Проверка гипотез о влиянии цикличности нагружения на надежность изделий, Надежность и контроль качества, 1985, № 2, с.35−39.
- Шор Я. Б. Статические методы анализа и контроля качества и надежности. М.: Советское радио, 1962.
- Бонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния. Пер. с англ./Под ред. В. Б. Сандомирского. М.: Мир, 1970.-176с.
- Борисенко В.Е. и др. Повышение радиационной стойкости биполярных интегральных микросхем. Зарубежная электронная техника, 1975, № 22.
- Брюгановскя Г. В. и др. Действия излучений на неогранические стекла. М.: Атомиздат, 1968.-242с.
- Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем. Пер. с англ./Под ред. В. Н. Быкова и С. П. Соловьева. М.: Автомиздат, 1967.-427с.
- Вавилов B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Автомиздат, 1969.-301с.
- Келли Б. Радиационные повреждения твердых тел. Пер. с англ./Под ред. Ю. А. Осипьяна. М.: Атомиздат, 1970.-240с.
- Ф 71. Действие излучений на материалы./Под ред. С. Т. Конобеевского.1. М.: АН СССР, 1962.-384с.
- Коршунов Ф.П. и др. Радиационные эффекты в полупроводниковых * приборах. Минск: Наука и техника, 1978.
- Радиационная физика неметаллических кристаллов./Под ред. И.Д. и Конозенко. Киев: Наукова думка, 1967, -451с.
- Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. /Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Советское радио, 1980.-224с.
- Колосов А.А., Горбунов Ю. И., Наумов Ю. Е. Полупроводниковые твердые схемы. М.: Советское радио, 1965.-502с.
- Ли Д. Е. Действие радиации на живые клетки. Пер. с англ./Под ред. Н. П. Дубинина и Н. И. Шапиро. М.: Атомиздат, 1963.-288с.
- Литовченко В.Г. Докторская диссертация «Исследование Ф электронных неравновесных процессов на поверхности полупроводников и вобласти пространственного заряда». Киев: ИП АН УССР, 1970.
- Митчел Д., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1970.-94с.
- Нечаев A.M., Синкевич В. Ф. Методы диагностирования мощных полевых и биполярных транзисторов. -Электронная техника. Сер. Управлениекачеством, стандартизация, метрология, испытания. М.: ЦНИИ «Электроника», 1985, вып. З, с.З.
- Найман М.Б. Атомная энергия и ее применение. М.: АН СССР, 1961.-144с.
- Новиков С.Р., Коноплева Р. Ф. Образование областей нарушений в ф кремнии при облучении. ФТП, 1968, № 4, с. 592−593.
- Пфистер Д., Барух Р. Увеличение диффузии в кремнии под влиянием облучения. Пер. с англ. № 1309. Л., 1963.
- Попо Р.А. Влияние рентгеновского и у излучений на эпитаксиально — планарные кремневые диоды. — В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов, том III, часть 2. Под ред. И. Д. Конозенко. — Киев, Наукова думка, 1971, с.205−208.
- Попо Р.А. Влияние рентгеновского и у излучений на Ф эпитаксиально — планарные кремниевые триоды. — В кн.: Тезисы докладов4 научно методической конференции по проблемам микроэлектроники. — М.:1. МИЭТ, 1970.
- Попо Р.А. Влияние ионизирующих излучений и нейтронов на планарные транзисторы. В кн.: Тезисы докладов всесоюзной конференции «Физические явления в р-п-переходах и полупроводниках». Одесса 1970.
- Попо Р.А. Влияние некоторых факторов на h' параметры Ф интегральных транзисторов. В кн.: Материалы докладов НТК КПИ. — Кишинев, 1972, с.124−125.
- Сноу Е.Х., Гроув А. С., Фитцджеральд Д. Д. Действие ионизирующей радиации на окисленную поверхность кремния и планарные приборы. ТИИЭР, том 55, № 7, 1967, с.53−71.
- Санитарные правила работы с радиоактивными веществами и источниками ионизирующих излучений. М.: Атомиздат, 1960.-118с.
- Ф 92. Стародубцев С. В. Некоторые вопросы образования стабильныхрадиационных нарушений в твердых телах. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Под ред. И. Д. Конозенко. — Киев: Наукова думка, 1967, с. 19−25.
- Синкевич В.Ф., Соловьев В. Н. Физические механизмы деградации полупроводниковых приборов. Зарубежная электронная техника, 1984, № 2, с.3−46.
- Ткачев В.Д. Исследование процессов образования устойчивыхрадиационных нарушений в кремнии. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Под ред. И. Д. Конозенко. — Киев: Наукова думка, 1967, с. 112−118.
- Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: ф Советское радио, 1969.
- Чернышев А.А. и др. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем. Зарубежная электронная техника, 1979, № 5, с. 3−25.
- Ширшев Л.Г. Ионизирующие излучения и электроника. М.: Советское радио, 1969.-192с.
- О влиянии условий ядерного взрыва на работу электронных систем военного назначения. Экспресс — информация: Радиоэлектроника за рубежом, 1985, вып.9, с.10−13.
- Радиационно-стойкие микропроцессоры и микро ЭВМ. -Радиоэлектроника за рубежом, 1985, вып. 15, с.2−3.
- Dozier С.М., Brown D.B. The use of low energy X rays for devil ь • testing — a comparison with Co60 radiation. — IEEE. Nuc. Sci., 1984, 30, № 6, p.43 824 387.
- Darley H. M. and t.o. Total dose radiation effects on silicon MESFETcircuits. IEEE., 1983, 30,№ 6, p.4277.
- Fantini F. Reliabity problems with VLSI. Microelectron and Reliab., 1984, 24, № 2, p.275−296.
- Knopp A.N. and Stickler R. The structure and perfection of thermally v grown oxide on silicon. Electrochem Technology, 1967, v.5, № 1−2, p.37−42.
- Millea M.F. The effect of heavy doping on diffusion of impurities in с silicon. J. Phys. Chem. Sol., 1966, v.27, p.315−325.
- Messenger G.S., Spratt J.P. The effects of neutron irradiation on germanium and silicon. Proc. IRE, 1958, v.46, p. 1038−1044.
- Nelson D.L. and Sweet R.J. Mechanisms of Ionizing radiation surface effects on transistors. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1966, № 5−13, p. 197.
- Riddel J.D. and t.o. Ionization induced breakdown and conductivity of satellite dielectrics. — IEEE Trans on Nucl. Sci., 1982, 29, № 6, p. 1754−1759.
- Spratt J.P., Schnable G.L., Standeven J.D. Impact of the radiation Ф environment on integrated circuit technology. IEEE J. of Solid — State Circuits, v.1. SC-5, № 1, 1970, p. 14−23.
- Stanley A.C. Effect of electron irradiation on metal oxide -semiconductor transistors. — Proceedings of IEEE, 1965, 53, p.627−628.
- Snow E.H., Grove A.S. and t.o. Ion transport phenomena in insulating films. J. Appl. Phys., 1965, 36, p. 1664.
- Tigner J.E. and t.o. CXR testing of box IEMP effects due to charge transfer. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1983, 30, № 6, p.4421−4426.
- Winocur P. S. and t.o. Predicting CMOS inviter response in nuclear and space einvironments. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1983, 30, № 6, p.4226−4232.
- Wood G.M. and t.o. A radiation hardened gate array family using an advanced DI bipolar technology. IEEE Trans on Nucl. Sci., 1983, 30 № 6, p. 4187• 4191.117.
- Першенков B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.- М.:Энергоатомиздат, 1988.- 256с.
- Валиев К.А. Физика субмикронной литографии.- М.: Наука, 1990.528с.
- Аствацатурьян Е.Р., Беляев В. А., Зайцев В Л. Остаточные радиационные эффекты в цифровых БИС. Зарубежная электронная техника, 1986, № 2, сс.62−99.
- Аствацатурьян Е.Р., Васильев А. В., Зайцев B.JI. Влияние макротопологии БИС и устройств на их основе на PC к остаточным эффектам. -Спецэлектроника. сер. З, 1986, в.1, сс. 100−105.
- Аствацатурьян Е.Р. и др. Переходные ионизационные процессы в Ф цифровых ИМС. Зарубежная электронная техника, 1983, № 9, сс.36−72.
- Барышев В.Г., Столяров А. А. Зарядовая нестабильность > диэлектрика в области предпробойных токов. Электронная техника, 1985,? сер.6, в.7, сс.60−64.
- Баюков А.В., Лезжов Ю. Ф., Хаустов В. В. Физические аспекты ^ надежности изделий полупроводниковой электроники при работе врадиационных полях. Электронная техника, сер.8, 1985, в.6, сс. 19−22.
- Бердичевский Б.Е., Маджарова Т. Б. Переход некоторых типов ИС ф при воздействии ионизирующих излучений с большой мощностью дозы врежим защелки. Зарубежная радиоэлектроника, 1986, № 7, сс.76−73.
- Боханкевич В.И. Комплексная оценка качества МДП структур по и напряжению микропробоя.-Электронная промышленность, 1985, № 3, с. 34.
- Бржезинский В.А. Докторская диссертация «Радиационная эффекты < и надежность полупроводниковых приборов». НИИП, 1981.
- Бродуай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.-196с.
- Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупродниках. М.: Наука, 1981. -368с.
- Горюнов Н.Н., Ладыгин Е. А., Паничкин Н. В. Исследование поверхностных состояний в кремниевых МДП транзисторах. — Электронная техника, сер.8, 1985, в.6, сс.39−41.
- Гуминов В.Н., Попо Р. А., Теленков В. В. Некоторые вопросы определения PC ИМС.- Материалы научно технического семинара «Проектирование МЭИ: проблемы и перспективы», 1988.
- Данилин Н.С. и др. Обеспечение качества РЭА методами диагностики и прогнозирования. М.: Стандарты, 1983. -224с.
- Киллиани Д.М. Радиационные эффекты в кремниевых ПЗУ/В кн.:
- Приборы с зарядовой связью. М.: Мир, 1982, сс. 198−236.
- Коршунов Ф.П., Гатальский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978. -232с.
- Коршунов Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на ИМС. Минск: Наука и техника, 1986. — 254с.
- Кейджан Г. А. Прогнозирование надежности МЭИ на основе БИС.-М.:Радио и связь, 1987.-152с.
- Prediction in Space Onviromonto.- IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-43,6,р.3182−3188,1996.
- Першенков B.C. The Simulation of Lov Dose-Rate Radiation Effect inф Bipolar Devices.-Abstracts of the 4 European Symposium
- Effects on Coponents and Systems>, September 1997, Cannes, Franse, ppA23-A24.
- Попо P.А. Влияние радиации на микроэлектронныем полупроводниковые транзисторы/Тезисы докладов II Всесоюзной конференции
- Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев, 1986, ч.2, сс.172−173.
- Попо Р.А. Моделирование гамма импульсного воздействия импульсным электронным воздействием. — Материалы научно — технического семинара «Проектирование МЭИ: проблемы и перспективы», 1987.
- Пролейко В.М., Абрамов В. А., Брюнин В. Н. Системы управления качеством изделий микроэлектроники. М.: Советское радио, 1976. — 224с.
- Пью Э. У. Оценка перспективности технологий. ТИИЭР, 1985, № 12, с. 69.ф 145. Патент США № 3 769 693. Способ ядерного упрочненияполупроводниковых приборов и микросхем.
- Патент США № 4 238 694. Способ устранения радиационных дефектов в полупроводниках.
- Патент США № 4 247 862. МОП структура, устойчивая к радиации.
- Румак Н.В. Система кремний двуокись кремния в МОП -структурах. — Минск: Наука и техника, 1986. — 240с.
- Стародубцев С.В., Романов A.M. Взаимодействие гамма
- Физика окисных пленок. /Тезисы докладов II Всесоюзной научной конференции. Петрозаводск, 1987.
- Чернышев А.А. и др. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых ИМС при воздействии ионизирующих излучений. Зарубежнаяэлектронная техника, 1986, № 7, сс.3−157.
- Чернышев А.А. и др. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и ИС. Зарубежная электронная техника, 1979, № 5, сс. 3−25.
- Чернышев А.А. и др. PC ИС, применяемых в специализированных ЭВМ. Зарубежная электронная техника, 1984, № 8, сс.87−112.
- Чистяков Ю.Д., Пейзус И. В. Дефектообразование при локальном окислении кремния. Зарубежная электронная техника, 1986, № 5, сс.39.
- Ягушкин Н.И., Пономарев В. Б., Самойлик А. В. Распределение электрического поля в диэлектрическом слое и в многослойных диэлектрических структурах. Электронная техника, сер.6, 1985, в.7, сс.56.
- Adams L.R., Sokel R.J. Neutron Irradiation for Prevention of Latchup in MOS Integrated Circuits. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1979, V. NS5−26, № 6, pp.5069−5073.
- Boesch H.E. Насыщение смещения порогового напряжения в1 полевых МОП транзисторах при большой поглощенной дозе. — IEEE Tr. Nucl.
- Sci., 1986, v. NS-33, № 6, pp.1191−1197.
- Burghard R.A., Gwyn C.W., Radiation Failure Modes in CMOS Integrated Circuits. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1973, v. NS-20, № 6, pp.300−306.
- Danchenko V., Brashears S.S., Fong P.H. Захват электронов в PC ИС фирмы RCA при электронном и гамма облучении. — IEEE Tr. Nucl. Sci., 1984, ф v. NS-31, № 6, pp.149-.
- Davis R.T. et al. High Performance MOS Resist Radiation. -Electronics, 1982, v.55, № 23, pp. 137−139.
- Derbenwick G.F., Gregori B.L. Process Optimization of Radiation
- Hardened CMOS Integrated Circuits. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1975, v. NS-22, № 6, pp.2151−2156.
- Mc. Garrity J.M. Considerations for Hardening MOS Devices and Circuits for Low Radiation Doses. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1980, v. NS-27, № 6, pp.1739−1744.
- Gibbon C.F. et al. A. radiation Hard Silicon Gate Bulk CMOS Cell Family. — IEEE Tr. Nucl. Sci., 1980, v. NS-27, № 6, pp.1712−1715.
- Hatano H., Shibuya M. Оптимальная конструкция стойких к облучению КМОП логических схем. Electronics Letters, 1983, v. 19, № 23,ф рр.977−979.
- Hatano Н. КМОП структуры, не чувствительные к защелке, для PC конструкций СБИС. — IEEE Tr. Nucl. Sci., 1986, v. NS-33, № 6, pp. 1505−1509.
- Hughes H.L. Radiation Hardness of LSI/VLSI Fabrication Process. -IEEE Tr. Nucl. Sci., 1979, № 6, pp.5053.
- London A et al. Establishment of a Radiation Hardened CMOS
- Manufacturing Process. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1977, № 6, pp.2056-.
- Lindmayer J. Radiation Hardness and Oxide Metal Interactions in MOS. — IEEE Tr. Nucl. Sci., 1971, № 6, pp. 91−99.
- Marks K, Measel P.R. Total Dose Test Results for the 8086 Microprocessor. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1982, № 6, pp. 1662−1664.
- Masacazu S. et al. Уменьшение дефектов в МОП структурах, # возникающих под воздействием электронного луча, с помощью 3-слойногорезиста с промежуточным слоем из тяжелого металла. Electrochem. Soc., 1984, № 6, pp. 1391−1395.
- Roeske S.B. et al. The Comparasion of Conventional Co60 Testing and Low Dose Accumulation Rate Exposure of Metal — gate CMOS IC’S. — IEEE Tr. Nucl. Sci., v. NS-31, 1984, № 6, pp.1582−1584.
- Ropiak S. et al. Total Dose Effects in the 54HC Family of Microcircuits. IEEE Tr. N. S., 1984, № 6, pp.1358.
- Picor A. Reiss E.M. Radiation Hardened CMOS Integrated Circuits. -Microelectronics, 1980, v. l 1, № 4, pp.27−30.
- Saks N.S. Генерация пограничных состояний ионизирующими излучением в очень тонких окислах МОП конденсаторов. — IEEE Tr. Nucl. v • Sci., 1986, v. NS-33, № 6, pp. 1178−1185.
- Schwank J.R. Генерация пограничных состояний, вызванныхизлучением, в МОП приборах. — IEEE Tr. N. S., 1986, № 6, p. 1185.
- Stanley T et al. The Effect of Operating Frequency in the Radiation, Induced Buildup of Trapped Holes and Interface States in MOS Devices. IEEE Tr.
- Nucl. Sci., 1985, v. NS-32, № 6, pp.3982−3987.
- Stassinopoulos E.G. et al. The Damage Equivalence of Electrons, Ф Protons, Alphas and Gamine Rays in Rad Hard MOS Devices. — IEEE Tr. Nucl.
- Sci., 1983, v. NS-30, № 6, pp.4363−4367.
- Suzuki K. et al. Bias Annealing of Radiation and Bias Induced Positive Charges in n and p- type MOS Capacitors. — IEEE Tr. N. S., 1982, № 6, pp.3911 .3914.
- Schiff D. et al. A Comparision of Conventional Dose Rate and Low
- Dose Rate Co60 Testing of IDT Static Rams and FSC Multiplexes. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1985, v. NS -32, № 6, pp.4050−4055.
- Sexton F.W. et al. Radiation Testing of the CMOS 8085 Microprocessor Family. IEEE Tr. Nucl. Sci., v. NS-30, 1983, № 6, pp.4235−4239.
- Tallon R.W. Ionizing Radiation Effects on the Sperry Rand Nonvolatile 256 bit MNOS RAM Array (SR 2256). — IEEE Tr. N. S., 1978, № 6, p. 1176.
- Toyakawa F. Зависимость радиационных эффектов в МОП -Ф структурах от механического напряжения. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1986, v. NS-33,6, pp.1210- 1215.
- Watanabe К. Радиационные эффекты двухслойных диэлектрических пленок. IEEE Tr. N. S., 1986, № 6, pp. 1216−1222.
- Wrobel T.F., Evans D.C. Rapid Annealing in Advanced Dipolar Microcircuits. IEEE Tr. N. S., 1982, № 6, pp. 1721−1726.
- Wiswanathan C.R., Maseijian J. Model for Thickness Dependence of Radiation Charging in MOS Structures. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1976, v. NS-23, № 6, pp. 1540−1545.
- Wang S.T. et al. The Effect of Ion Implantation on Oxide Charge Storage in MOS Devices. IEEE Tr. Nucl. Sci., 1975, v. NS-22. № 6, pp.2163−2173.
- Попо P.A., Бондарева T.A., Захаров A.M. Разработка устройства # сопряжения ВУ ВС ЭВМ с ППЗУ. // Труды МЭИ, 1979, вып.430, сс449.
- Попо Р.А., Рыбаков И. М. Устройство сопряжения с НСМД ЕС-5050 // Труды МЭИ, 1979, вып.489, сс102−105.
- Попо Р.А. Возможности отбраковки потенциально дефектных МОП-структур по пробою окисных слоев.-Тезисы НТК «Физ. отказов», Чернигов, 1989, сс.63−64.
- Попо Р.А., Иванов М. Э. Разработка устройства предварительной обработки и анализа постоянной информации.. // Труды МЭИ, 1980, вып.489, сс 106−108.
- ПопоР.А, БезбородовВ. Н, ГайсинФ.Г.Исследование работоспособности КМОП ИС при совместном воздействии спецфактора и термоэлектрических нагрузок. Материалы НТК «Надежность и контрольu + качества ИЭТ», Севастополь, 1990, сс. 21−25.
- Попо Р. А. Методы обеспечения радиационной стойкости ИЭТ вv составе ЭА. Материалы НТК «Надежность и контроль качества ИЭТ», 1. Севастополь, 1991. с. 11.
- Попо Р. А. Выбор и обоснование методов расчета надежности БСВТ, работающих в условиях воздействия ИИ. Материалы НТК Компьютерные системы и технология", Кишинев, 1991, с 176.
- Попо Р. А. Методы отбора элементной базы с целью повышения радиационной стойкости БСВТ.-Материалы НТС"Проблемы построения перспективных УВК". Владивосток, 1991.С.111.
- Роро R.A. The Electronics Radiation Pulse Influence on the Features of Memory Elements. // Procedings of the Simposium on Electronics and Telecommunications.-Timisoara, Sept.29−30, 1994, pp. 17−21.
- Popo R.A. The Selection of Integrated Circuits with Dissimulated Errors using Irradiiation and Electrothemal Treatment.//Procedings of the Simposium on Electronics and Telecommunications.- Timisoara, Sept.26−27, 1996, pp.98−103.
- Попо Р.А. Некоторые методы повышения радиационной стойкости и эксплуатационной надежности МЭТ. // Электронная промышленность.- М.: 2002, № 1, сс.80−86.
- Попо Р.А. Исследование микросхем памяти для оценки их радиационной стойкости. // Успехи современной радиоэлектроники.- М.: 2002,№ 6,сс.45−49.
- Роро R.A. Rejection Potentially Defective KMOS CI. // Procedings of the Simposium «Stiinta si ingineria materialelor».- Iasi, mai, 23−27,2005,pp. 151−155.
- Попо Р.А. Отбраковка потенциально дефектных ИМС на технологической стадии производства и эксплуатации. // Сборник научных докладов 5-й международной конференции ЮНЕСКО.-М.:29 июня-Зиюля 2005, сс.167−168.
- Попо Р.А. Методы повышения экспериментальной надежности МЭТ. // Сборник докладов 54 НТК МИРЭА, ч.З.-М.: МИРЭА, 2005, сс.145−150.
- Попо Р. А. Эксплуатационная надежность микроэлектронной техники.- М.: Учебное пособие МИРЭА, ч.1 и ч.2,2005.-59с и 157с.