Инжекционная деградация и модификация структур металл-диэлектрик-полупроводник при сильнополевых и радиационных воздействиях
Диссертация
Установлено, что при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов в МДП-структурах с термической пленкой SiC>2, пассивированной ФСС (концентрация фосфора в пленке ФСС от 0,6 до 2%), плотность накапливаемого отрицательного заряда увеличивается с возрастанием концентрации фосфора в пленке ФСС. Показано, что в пленке ФСС значительно снижается интенсивность процесса генерации положительного… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Деградация и модификация МДП-структур при сильнополевых и радиационных воздействиях
- 1. 1. Зарядовая структура и дефекты термических плёнок SiC> на кремнии
- 1. 2. Воздействие сильных электрических полей на кремниевые МДП-структуры
- 1. 3. Влияние радиационных и плазменных воздействий на характеристики МДП-структур
- 1. 4. Методы инжекции заряда в подзатворный диэлектрик
- МДП-структур
- Выводы к г л, а в е I
- Глава II. Метод управляемой токовой нагрузки для исследования МДП-структур
- 2. 1. Основы метода управляемой токовой нагрузки
- 2. 2. Использование метода управляемой токовой нагрузки для исследования процессов генерации и релаксации положительного заряда в МДП-структурах
- 2. 3. Совместное использование методов управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации
- 2. 4. Способы оперативного контроля параметров МДП-структур в рамках метода управляемой токовой нагрузки
- 2. 5. Установки для реализации метода управляемой токовой нагрузки и его совместного использования с методом ТСД
- Выводы к г л, а в е II
- Глава III. Модификация МДП-структур сильнополевой инжекцией, протонным облучением и плазменными обработками
- 3. 1. Инжекционная модификация МДП структур в сильных электрических полях
- 3. 2. Влияние параметров пленки фосфорно-силикатного стекла на модификацию МДП-структур
- 3. 3. Инжекционная обработка МДП-структур с термической пленкой двуокиси кремния
- 3. 4. Модификация МДП-структур плазмоструйной и высокочастотной плазменными обработками
- 3. 5. Протонная модификация МДП-структур
- 3. 6. Модель сильнополевой инжекционной модификации и деградации МДП-структур
- 3. 7. Моделирование процессов инжекционной модификации и деградации МДП-структур
- Выводы к г л, а в е III
- Глава IV. Исследование инжекционной деградации МДП-структур при воздействии сильных электрических полей
- 4. 1. Деградация МДП-структур с термической SiC>2 при инжекции электронов в сильных электрических полях
- 4. 2. Зарядовая деградация МДП-структур с термической Si02, пассивированной фосфорно-силикатным стеклом в сильных электрических полях
- 4. 3. Особенности зарядовой деградации МДП-структур с различными электродами и при инжекции электронов из металлического электрода
- 4. 4. Генерация и релаксация положительного заряда в МДП-структурах с термической пленкой Si02 при сильнополевой инжекции электронов
- 4. 5. Послеинжекционная релаксация зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой Si (>2 пассивированной
- Выводы к главе IV
- Глава V. Деградация МДП-структур при протонных и плазменных воздействиях
- 5. 1. Зарядовая деградация МДП-структур при протонных облучениях
- 5. 2. Релаксация зарядового состояния МДП-структур после протонного облучения
- 5. 3. Влияние плазмоструйной обработки на изменение зарядового состояния МДП-структур
- 5. 4. Изменение зарядового состояния МДП-структур после воздействия ВЧ плазмы
- 5. 5. Метод имитационных инжекционных испытаний радиационной стойкости МДП-структур
- Выводы к главе У
- Глава VI. Применение метода управляемой токовой нагрузки и результатов исследования инжекционной деградации и модификации МДП-структур в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов
- 6. 1. Автоматизированная установка контроля качества МДП-структур, реализующая метод управляемой токовой нагрузки
- 6. 2. Использование метода управляемой токовой нагрузки в производственных условиях
- 6. 3. Корректировка и контроль технологических режимов получения подзатворного диэлектрика МДП-БИС
- 6. 4. Влияние технологических факторов на зарядовую дефектность МДП-структур
- 6. 5. Контроль инжекционной стойкости МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки
- 6. 6. Полупроводниковые приборы с инжекционной модификацией параметров
- Выводы к главе VI
Список литературы
- Барабан А.П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии,— Л.: ЛГУ, 1988.-304 с.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн.1/ Пер. с англ. Под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984. — 456 с.
- Першенков B.C., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.-М.: Энергоатомиздат, 1988.- 256 с.
- Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах. Минск: Наука и техника, 1986.-240 с.
- Масловский В.М. Долговременные нестационарные процессы в МДП-структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния/ Дисс. док. физ.-мат. наук. 05.27.01 -М., 1996.
- Столяров А.А. Высокополевая туннельная инжекция в системах металл-диэлектрик-полупроводник и разработка методов их контроля / Дисс. док. техн. наук. 01.04.07 -М., 1998.
- Носов Ю.Р., Шилин В. А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1982. — 320 с.
- Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах. Новосибирск. Наука, 1993.280 с.
- Arnold D., Cartier Е., DiMaria D.J. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxide // Phys. Rev. B. 1994. Vol.49. № 15. P.10 278−10 297.
- DiMaria D.J., Cartier E., Buchanan D.A. Anode hole injection and trapping in silicon dioxide// J. Appl. Phys. 1996. Vol.80. № 1. P.304−317.
- Fischetti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalanch and tunnel electron injection // J.Appl.Phys.-1985, v.57, no. 8, p.2860−2879.
- Gadiyak G.V. Hydrogen redistribution in thin silicon dioxide films under electron injection in high field // J. Appl. Phys, 1997, v. 82, no. 11, p.5573−5579.
- Al-kofahi I. S., Zhang J. F., Groeseneken G. Continuing degradation of the Si02 /Si interface after hot hole stress// J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.2686−2692.
- Khosru Q. D. M., Yasuda N., Taniguchi K., Hamaguchi C. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure// J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.4494−4503.
- МОП-СБИС. Моделирование элементови технологических процессов / Под ред. П. Антонетти и др.: Пер. с англ. М. Радио и связь. 1988. 496 с.
- Литовченко В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев. Наукова думка, 1978. 316с.
- Вертопрахов В.Н., Кучумов Б. М., Сальман Е. Г. Строение и свойства структур Si-Si02-Me. Новосибирск.: Наука. 1981. 94 с.
- Емельянов A.M. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии // Микроэлектроника,-1986.-Т. 15, — Вып. 5.-С. 434−442.
- Avni Е., Shappir J. Modeling of charge-injection effects in metal-oxide-semiconductor structures // J. Appl. Phys, 1988, v. 64, no. 2, p.734−742.
- Balk P., Eldridge J.M. Phosphosilicate glass stabilization of FET devices//Proc.IEEE. 1969. Vol.57. P. 1558−1563.
- Зайцев H.A., Козлов A.M., Неустроев C.A. Влияние термообработки структур Si-Si02 в атмосфере РС13 на их элекотрофизические характеристики // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника,-1977.-Вып.б.-С. 18−23.
- Михайловский И.П., Эпов А. Е. Зарядовая нестабильность кремниевых МДП-структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника. 1985. — Т.14. — Вып.2. — С.173−176.
- Mikhailovskii I.P., Potapov P.V., Epov А.Е. Sign of the charge accumulated in thermal Si02 films of silicon MIS structures under high electric field condition// Phys. Stat. Sol.(a). 1986. Vol.94. P.679−685.
- Технология СБИС. В 2х кн., кн. 2/ Под ред. Зи С. М. -М.: Мир, 1986,-С. 404.26. ОСТ 1120.9903−86.
- Измерения и контроль в микроэлектронике/Под ред. А. А. Сазонова. -М.: Высшая школа, 1984.-367 с.
- Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность. Отраслевой руководящий документ РД 11 0755−90.
- Управление качеством электронных средств / Под ред. О.П. Глуд-кина. М.: Высшая школа, 1992. — 414 с.
- Корзо В.Ф., Черняев В. Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. — 368с.
- Воробьев Г. А., Мухачев В. А. Пробой тонких диэлектрических пленок.-М.: Сов. Радио, 1977. 72 с.
- Физические основы надежности интегральных схем / Под ред. М.Миллера. М.: Сов. радио, 1976. — 320 с.
- Джоветт Ч.Е. Статическое электричество в электронике. -М.: Энергия, 1980. 136 с.
- Масловский В.М., Личманов Ю. О., Семанович Е. В. Влияние протяженных дефектов на пробой тонкопленочных МДП-структур // Письма в ЖТФ. 1993. — Т. 19.-Вып. 24. — С. 11−16.
- Kimura., Mitsuhashi J., Kogama H. Si/Si02 interface states and neutral oxide traps induced bu surface microroughness // J. Appl. Phys.-1995.-Vol. 77.-№ 4. P. 1569−1575.
- Гадияк Г. В., Stathis J. Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/Si02-CTpyKTypbi при отжиге в вакууме // ФТП, 1998, т. 32, № 9, с. 1079−1082.
- Гадияк Г. В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках Si02 в сильных электрических полях // ФТП.-1997.-Т.31.-№ 3.-С.257−263.
- DiMaria D.J., Buchanan D.A., Stathis J.H. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface// J. Appl. Phys, 1995, v.77, no. 5, p.2032−2040.
- Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface // D.J. DiMaria, D.A. Buchanan, J.H. Stathis et al. J.Appl. Phys. 1995. Vol.77. № 5. P. 2032−2040.
- Гуртов B.A., Назаров A.M., Травков И. В. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении// ФТП. 1990. Т.24. Вып.6. С.969−977.
- Knoll М., Brauning D., Fahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semiconductor structures // J. Appl. Phys. 1982. Vol.53. No.10. P.6946−6952.
- Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers // J. Appl. Phys.-1985,-Vol.57,-№ 8.-P. 2830−2839.
- Ricco В., Fischetti M.V. Temperature dependence of the current in Si02 in the high field tunneling regimme // J.Appl. Phys.-1984.-Vol. 55.- № 12. -P.2557−2562.
- Solomon P., Klein N. Impact ionization in silicon dioxide at fields in breakdown range // Solid State Communications. 1975. Vol.17. No.ll. P. 13 971 400.
- Fischetti M.V. Model for the generation of positive charge at the Si-Si02 interface based on hot-hole injection from the anode // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 31. N. 4. P. 2099−2106.
- Нагин А.П., Тюлькин B.M. О механизме генерации положительного заряда в структуре Si- Si02 в сильных полях // Письма ЖТФ.-1982.-Т.8.-Вып.23.-С. 1423−1427.
- Holand S., Ни S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 // J. Electrochem. Soc.-1986.-Vol.133.- № 8. P.1705−1712.
- Efimov V.M., Meerson E.E., Evtukh A.A. Study of tunnel currents of electrons and holes in thermal Si02 with charge accumulation in the dielectric// Phys. Stat. Sol. (a). -1985, — Vol.91.- P.693−703.
- Chen C., Wu C. A characterization model for constant current stressed voltage-time characteristics of thin thermal oxides grown on silicon substrate // J. Appl. Phys. 1986. Vol.60. No.ll. P.3926−3944.
- Chen C.F., Wu C.Y. A characterization model for rampvoltage-stressed I-V charactiristics of thin thermal oxides grown silicon substrate // Solid State Electronics. 1986. Vol. 29. — № 10. — P. l059−1068.
- Avni E., Sonnenblick Y., Nissan-Cohen Y. The effect of gate material on oxide degradation due to charge-injection in metal-oxide-semiconductor capacitors // Solid State Electronics.-1988.-Vol.31.-№> 2.-P.245−250.
- Электронный захват в МДП-структурах с термическим оксидом кремния при туннельной инжекции / В. С. Солдатов, Н. В. Соболев, И.Б. Вар-лашов и др. // Изв. вузов. Физика,-1989.-№ 12.-С.82−84.
- Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид
- МДП-структуры / В. С. Солдатов, А. Г. Воеводин, И. Б. Варлашов и др. // ФТП.-1990.-Т.24.-Вып.9.-С.1611−1615.
- Влияние пассивации на динамику накопления заряда в МДП-структурах при туннельной инжекции / В. С. Солдатов, Н. В. Соболев, И. Б. Варлашов, О. В. Сопов, А. А. Смотраков // Электронная техника. Сер.2 Полупроводниковые приборы.-1987.-Вып.6. -С.25−28.
- Солдатов B.C., Воеводин А. Г., Коляда В. А. Модель генерации поверхностных состояний в МДП-структурах при туннельной инжекции // Поверхность. Физика, химия, механика.-1990.-№ 7.-С.92−97.
- Михайловский И.П., Овсюк В. Н., Эпов А. Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях// Письма в ЖТФ.-1983.-Т. 9.-Вып. 17.-С. 1051−1054.
- Зайцев Н.А. Влияние неконтролируемых примесей на однородность свойств системы Si-Si02 / Электроника и информатика 97: II Всерос. научно-техн. конф. с международным участием.-М., МИЭТ, 1997.-С. 133.
- Зайцев Н.А., Шурчков И. О. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-Si02. М.: Радио и связь, 1993.-192 с.
- Красников Г. Я., Зайцев Н. А., Матюшкин И. В. Зависимость эффективной величины барьера при туннелировании в МОП-структурах от структурно-примесного состава переходного слоя на границе Si-Si02 // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. № 5. С. 369−376.
- Зайцев Н.А., Красников Г. Я., Неустроев С. А. Воздействие паров РС13 на свойства структур Si-Si02 // Изв. АН СССР: Неорган, материалы.-1989.-Т.25.-№ 3.-С.403−405.
- Nature of efforts in P and В dope Si02 / Offenberg M., Maier M., Balk P. // J. Vacuum Sci and Tachnel.-1986. -Vol.4.-№ 3.-P. 1009−1012.
- Oldham T.R., McCaarrity J.M. Ionization of Si02 by heavy charged particles // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1981. Vol. NS-28. N6. P.3975−3980.
- Климов И.В., Листопадов Ю. М., Назаров А. И. Деградация межфазной границы раздела Si-Si02 при полевых и радиационных воздействиях//Письма в ЖТФ.-1995.-Т. 21.-Вып. 10.-С. 1−4.
- Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах/ М. Н. Левин, С. Г. Кадминский, А. В. Татаринцев и др.// Микроэлектроника.-1992.-Т. 21.-Вып. 2.-С. 34−41.
- Влияние электронного облучения на характеристики МДП-структур при исследовании в растровом электронном микроскопе М.Г. Кар-тамышев, А. Н. Невзоров, А. А. Обухов и др. // Микроэлектроника. 1990. — Т. 19.-Вып. 1.-С. 22−30.
- Altken J.M., Yuong D.R. Electron trapping by radiation induced positive charge in Si02 // J. Appl. Phys. 1976. — Vol. 47.-P. 1196−1201.
- Altken J.M., Yuong D.R., Pan K. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02 // J. Appl. Phys. 1978. — Vol. 49. — P. 3386−3391,
- Гуртов В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов / Обзоры по электроной технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1978. Вып.4. С.3−31.
- Першенков B.C., Согоян А. В., Черепко С. В. Водородно-электронная модель формирования поверхностных состояний в облученных МОП-приборах //ВАНТ. 1998. Вып. 1−2. С.70−73.
- Zhang J. F., Zhao С. Z., Groeseneken G., Degraeve R., Ellis J. N., Beech C.D. Hydrogen induced positive charge generation in gate oxides// J. Appl. Phys. 2001. Vol.90. No.4. P.1911−1919.
- Zhang J. F., Al-kofahi I. S., Groeseneken G. Behavior of hot hole stressed Si02/Si interface at elevated temperature// J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.843−850.
- Левин M.H., Кадменский С. Г., Гитлин B.P. Рентгеновская технология корректировки пороговых напряжений МДП-приборов и интегральных схем // Радиационная физика твердого тела. Труды VIII Межнационального совещания. Москва, 1998. С.444−447.
- Способ изготовления МДП-транзисторов / Авторское свидетельство СССР № 1 176 777, кл. H01L 21/268. 1984.
- Способ изготовления МДП-транзисторов / Авторское свидетельство СССР № 1 464 797, кл. H01L 21/268. 1987.
- Способ изготовления МДП-транзисторов / В. Р. Вахтель, В. Р. Гитлин, И. И. Евсеев и др. // Авторское свидетельство СССР № 1 419 418, кл. H01L 21/268. 1987.
- Козловский В.В., Козлов В. А. Модифицирование полупроводников пучками протонов: легирование радиационными дефектами // Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл. XXX Междун. конф. М.: Изд-во МГУ, 2000. С. 126.
- Коррекция характеристик кремниевых pin- фотодиодов с помощью имплантации протонов и термообработки / В. П. Астахов, С. А. Бедняков, Д. А. Гиндин и др. // Радиационная физика твердого тела. Труды VIII Меж-нац. Совещания. М., 1998. С. 109−113.
- Кузнецов Н.В., Соловьев Г. Г. Радиационная стойкость кремния. М., Энергоатомиздат, 1989.
- Назаров А.Н., Лысенко B.C. ВЧ плазменная обработка как метод радиационно-термического наводораживания микроэлектронных кремниевых структур // Микроэлектроника. 1994. Т.23. № 4. С.45−65.
- Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1987. 469 с.
- Ma Т.Р., Ma W.H.-L. The Effect of RF Annealing Upon Electron-Beam Irradiated MlS-structures // Solid State Electron. 1979. V.22. P.663−666.
- Барабан А.П., Коноров П. П., Кручинин A.A. Электролюминисцен-ция и особенности электронного токопереноса в слоях двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях. Вестн. Ленингр. Ун-та, 1984.-№ 16.-С. 23−28.
- Барабан А.П., Коноров П. П., Кручинин А. А. Электронные процессы в структурах Si-Si02 в сильных электрических полях // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника,-1985.-№ 7.-С.43−48
- DeKeersmaecker R.F., DiMaria D.J. Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted SiC>2 layers // J. Appl. Phys.-1980.-Vol.51. -№ 2. P.1085−1101.
- DiMaria D.J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroid from photocurrent-voltage characteristics of MOS structures // J. Appl. Phys.-1976.-Vol.47.-№ 6.-P.2354−2360.
- Young D.R. Electron current injected into Si02 from p-type Si depletion regions//J. Appl. Phys.-1976.-Vol.47.-№ 5.-P.1575−1581.
- Nicollian E.N., Berglund C.N. Avalanche injection of electrons into insulation Si02 using MOS structures // J. Appl. Phys.-1970.-Vol.41.-№ 7.-P.3052−3057.
- Nicollian E.N., Berglund C.N., Schmidt P.F. Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron current // J. Appl. Phys.-1971.-Vol.42.-№ 13.-P.5654−5664.
- Nicollian E.N., Goetzberger A., Berglund C.N. Avalanche injection currents and charging phenomena in thermal Si02 // Appl. Phys. Lett.-1969.-Vol.15.-№ 6.-P.758−764.
- Roblin P., Samman A., Bibyk S. Simullation of hot electron trapping and aging of nMOSFET’s // IEEE Trans. Electron Devices.-1988.-Vol.35.-№ 12.-P.2229−2237.
- Chen Y., Tang T. Numerical simulation of avalanche hot-carrier injection in shot-channel MOSFET’s // IEEE Trans. Electron Devices.-1988.-Vol.35.-№ 12.-P.2180−2188.
- Kamocsai R.L., Porod W. Hot electrons and traps in a-Si02 // Solid-State Electronics.-1989.-Vol.32.-№ 12.-P. 1825−1829.
- Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures // J. Appl. Phys.-1982.-Vol.53. № 7. — P.5052−5056.
- Weinberg Z.A., Harstein A. Effect of silicon orientation and hydrogen anneling on tunneling from Si into Si02 // J.Appl. Phys.-1983.-Vol. 54.-№ 5.-P. 2517−2521.
- Lenzlinger M., Snow E.H. Fowler-Nordheim tunneling in to thermally grown Si02 // J.Appl. Phys.-1969.-Vol.-40.-№ l.-P. 278−286.
- Av-Ron M., Shatzkes M., Di Stefako Т.Н., Gdula R.A. Electron tunneling at Al-Si02 interfaces //J.Appl. Phys.-1981. -Vol. 52.-№ 4.-P. 2897−2894.
- Лашевский P.A., Филаретов Г. А., Шапиро Л. А. Исследование надёжности затворного диэлектрика МДП-структур // Микроэлектроника.-1980.-Т.9.-Вып. 4.-С. 347−354.
- Урицкий В .Я., Гуртов В. А., Листопадов Ю. М. Захват зарядов в окисле ПДП-систем Si-Si02 с поликремниевым затвором // Микроэлектроника, — 1990.-Т. 19.-Вып. 3 .-С. 263−268.
- Solomon P. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys.-1977.-Vol.48. № 9. — P. 3843−3849.
- Бабенко E.H., Боханкевич В. И., Гахов Ю. Д. Информационно-измерительный комплекс для диагностирования качества диэлектрических слоев БИС // Электронная промышленность,-1989.-Вып. 2.-С. 14−15.
- Lou L.F., Tettemer G.L. Characterization of metal-oxidesemiconductors capacitors with a fast-ramp technique // J. Appl. Phys.-1988,-Vol.63.-№ 11.-P.5398−5464.
- Перелыгин А.И., Холомина Т. А., Лактюшкин O.H. Электрофизические методы исследования и контроля параметров МДП-систем. Рязань, РРТИ, 1983.-64 с.
- Ning T.N. Thermal reemission of trapped electrons in Si02 // J. Appl. Phys.-1978.-Vol.49.-№ 12.-P.5997−6003.
- Holand S., Hu S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 //J. Electrochem. Soc. 1986. Vol.133. No.8.P.1705−1712.
- Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. Measurement of Fowler-Nordheim tunnelling currents in MOS structures under charge trapping conditions // Solid-State Electronics.-1985.-Vol.7.-№ 8.-P.756−761.
- Шмидт T.B., Гуртов В. А., Лалеко В. А. Временные характеристики пробоя пленок двуокиси и нитрида кремния // Микроэлектроника.-1988.-Т. 17. Вып.З. — С.244−247.
- Андреев В.В., Барышев В. Г. Особенности определения параметров МДП-структуры при заряде её импульсом постоянного тока // Труды МГТУ № 569, 1997. С.67−71.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Метод постоянного тока в контроле МДП-структур // Петербургский журнал электроники. 1997. № 3. С.69−72.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Ин-жекционный метод исследования зарядовых характеристик систем металл-диэлектрик-полупроводник // Перспективные материалы. 1998. № 4. С.61−65.
- Bondarenko G.G., Andreev V.V., Loskutov S.A., Stolyarov А.А. The method of the MIS structure interface analysis // Surface and Interface Analysis. 1999. V. 28. P.142−145.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Шахнов В. А. Исследование зарядовой деградации МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки // Микроэлектроника. 2000. Т.29. № 2. С. 105−112.
- Nafr’ya М., Sun’e J., Y’elamos D., Aymerich X. Degradation and breakdown of thin silicon dioxide films under dynamic electrical stress //IEEE Transactions on electron devices. 1996. Vol. 43. No. 12. P.2215−2226.
- Андреев B.B., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Лоскутов С.A. Метод исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях// Физика и химия обработки материалов. 2001. № 2. С.53−58.
- Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. -М.: Наука, 1981. 176 с.
- Fleetwood D.M., Reber R.A., Jr., Winokur P. S. Effect of bias on thermally stimulated current (TSC) in irradiated MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. V.38. N.6. P.1066−1077.
- Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M., Winokur P. S.,
- Montague S. Electron and hole trepping in doped oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995. V.42, N. 6. P. 1731−1739.
- Садофьев Ю.Г. Исследование причин нестабильности параметров МДП-структур / Дисс. на соиск. уч. ст. канд. физ.-мат. наук. Рязань, 1977,186 с.
- Андреев В.В. Контроль МДП-структур методами управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации // Перспективные материалы. 2000. № 4. С.91−96.
- Андреев В.В. Контроль параметров облученных МДП-структур методами управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации // Труды 10 Межнационального совещания «Радиационная физика твёрдого тела». Москва, 2000. С.499−503.
- Барышев В.Г., Столяров А. А., Андреев В. В. Исследование особенностей накопления и растекания отрицательного заряда в тонкопленочном диэлектрике// Электронная техника. Сер.6. 1986. Вып.4. С.45−48.
- Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov А.А. Instability of the Parameters of Dielectric Layers Under Conditions of High-Field Injection Stresses // J. Advanced Materials. 1995. V.2. № 6. P.451−457.
- А. с. СССР № 767 673 Устройство для неразрушающего контроля и измерения напряжения микропробоя в диэлектрике МПД-структур/ В. Г. Барышев, В. И. Боханкевич, А. А. Столяров, Л. Г. Цветков.-Опубл. в Б.И. 1980, № 36.
- А. с. СССР № 1 342 252 Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. Г. Барышев, В. Е. Каменцев, А. А. Столяров. -1987. ДСП.
- А. с. СССР № 1 409 007 Устройство для измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. Г. Барышев, В. Е. Каменцев, А. А. Столяров. 1988
- Боханкевич В.И. Исследование изолирующих свойств подзатворного диэлектрика по вольт-амперным характеристикам МДП-структур // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1980. № 6. С. 50−54.
- А.с. СССР № 699 454. Способ определения параметров МДП-структур / В. И. Боханкевич Опубл. в Б.И., 1980, № 43.
- Инициирование микропробоя МДП-структур на основе кремния со сверхтонкими диэлектрическими слоями /Н.С. Мукаилов, А. А. Суханов, Г. В. Степанов и др. //Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 6. С.544−548.
- Прогнозирование надежности подзатворного диэлектрика / Е. Н. Бабенко, В. И. Боханкевич, Ю. Д. Гахов и др. // Электронная промышленность." 1989.-№ 2.-С. 9−10.
- Автоматизированная установка для операционного контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев МДП-БИС/ В. Г. Барышев, В. И. Боханкевич, А. А. Столяров и др. // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника, — 1982.-Вып. 4.-С. 62−64.
- А.С. 1 637 603 СССР. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров. 1991.
- А.С. 1 637 604 СССР. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур/ В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров. 1991.
- Патент РФ 1 829 787 от 27.11.2001. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров.
- Емельянов A.M., Дворников Б. Д., Кунин В. Я. Зарядовые явления в термических пленках Si02 при лавинной инжекции электронов // Микроэлектроника.-1985.-Т. 14.-Вып.6.-С.525−528.
- Столяров А.А. Расширение возможностей операционного контроля инжекционностойкого подзатворного диэлектрика в производстве МДП-БИС // Перспективные материалы. 1999. № 1. С.84−88.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Повышение зарядовой стабильности диэлектрических пленок МДП-систем // Перспективные материалы. 1999. № 2. С.26−31.
- Бондаренко Г. Г., Андреев В. В., Столяров А. А., Чухраев И. В., Тка-ченко A.JI. Зарядовая дефектность диэлектрических слоев МДП-структур// Физика и химия обработки материалов. 2001. № 4. С.94−99.
- А.С. 1 632 189 СССР. Способ контроля полупроводниковых приборов с МДП-структурой / В. Г. Барышев, А. А. Столяров, В. В. Андреев. 1990.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Сидоров Ю. А., Столяров А. А. Влияние концентрации фосфора в пленках Si02 на характеристики МДП-систем// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1993. Вып.З. С.56−59.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Влияние параметров фосфорно-силикатного стекла на электрофизические характеристики МДП-структур Si-Si02−0CC-Al//Труды МГТУ. № 564, 1994. С.86−94.
- Андреев В.В. Плазменная и инжекционная модификация электрофизических характеристик МДП-структур // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 6. С.47−53.
- Андреев В.В. Корректировка параметров МДП-приборов ин-жекцией электронов в сильных электрических полях // Труды МГТУ. № 577. 2000. С.3−12.
- Adams А.С., Murarka S.P. Measuring the phosphorus concentration in deposited phosporosilicate films // J. Electrochem. Soc.- 1979.- Vol.126, — № 2, — P.334−340.
- Chow K., Garrison M. Phosphorus concentration of chemical vapor deposited phosphosilicate glass//J. Electrochem. Soc.- 1977.- Vol.124, — № 7.-P.l 133−1136.
- Андреев B.B., Барышев В. Г., Сидоров Ю. А. Столяров А.А. Инжекция тока в диэлектрик как метод оценки качества МДП-структур // Электронная техника. Сер. 6, Материалы. 1990. Вып.2. С.64−66.
- Синягин О.В., Балац Б. М., Багрий И. П. Плазменная обработка кремниевых пластин при атмосферном давлении // Электронная промышленность. 1994. № 6. С.27−30.
- Maslovsky V.M., Pavlov G.Ya. Effect of electronic arc plasma jet treatment on MOS-structure reliability // Proceedings of MRS Symp. 1995. V.391. P.139−143.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М., Столяров А. А. Исследование электронных ловушек в МОП-структурах, созданных плазмоструйной обработкой // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 5. С.43−47.
- Андреев В.В., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М., Столяров А. А. Влияние плазмоструйной обработки на модификацию МОП структур // Материалы IV Международной конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь. 2001. С.57−59.
- Andreev V.V., Lichmanov J.О., Maslovsky V.M., Pavlov G.Ya. The influence of arc plasma jet treatment on charge state of MOS structure // Abstract E-MRS'98 spring meeting. Strasbourg (France), Symposium N, 1998. N-IV/P6.
- Andreev V.V., Bondarenko G.G., Maslovsky V.M., Stolyarov A.A. The effect of arc plasma jet treatment upon MOS structure modification // Abstract of contributed papers International Conference on Physics of Plasma. Quebec city, Canada. 2000. P. 154.
- Janni J.F. Proton Range-Energy // Atomic Data and Nucl. Data Tables. 1982. V.27. P.147−529.
- Bhattacharya A.B., Manchande L., Vase J. Electron traps in Si02 grown in the presence of thrichlorethylene // J. Electrochem. Sos.-1982.-Vol. 129.-№ 12.-P.2772−2778.
- Improvement of oxide quality by rapid thermal annealing/ H. Wendt, A. Spitzer, W. Bensch et al. // J.Appl. Phys.-1990.-Vol.67.-№ 12.-P.7531−7535.
- Касумов Ю.Н., Козлов C.H. Изменение электрофизических параметров системы 8ь8Ю2-металл при инжекционной деградации// Микроэлектроника, — 1993.- Т.22.- Вып.2.- С.20−26.
- Mazerjian J., Zamani N. Behavior at Si-Si02 interface abserved by Fowler-Nordheim tunneling // J.Appl. Phys.-1982. -Vol. 53.-№ 1.-P.559−563.
- Krieger G., Swanson R.M. Fowler-Nordheim electron tunneling in thin Si-Si02-Al structures // J.Appl. Phys.-1981. -Vol. 52.-№ 9.-P. 5710−5715.
- Samanta P., Sarkar C.K. Coupled charge trapping dynamics in thin Si02 gate oxide under Fowler-Nordheim stress at low electron fluence // J. Appl. Phys. 1998. Vol.83. No.5. P.2662−2669.
- Hebert K.J., Irene E.A. Fowler-Nordheim tunneling current oscillation at metal/oxide/Si interfaces //J. Appl. Phys. 1997. V.82. № 1. P. 293−296.
- Hiroshi Nakatsuji, Yasuhisa Omura. An improved theory for direct-tunneling current characterization in metal-oxide-semiconductor system with nanometer-thick silicon dioxide film // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. № 2A. P. 424−431.
- Harrell W.R., Frey J. Observation of Poole-Frenkel effect saturation in Si02 and other insulating films. Thin Solid Films. 1999, 352, p. 195−204.
- Aymerich-Humet X., Campabadal F., Serra-Mestres F. Oxide thickness determition in Cr-Si02-Si structures by dc current-voltage pairs // Vacuum.-1987.-Vol. 37.-№ 5.-P. 403−405.
- Calligaro R.B., Iterative determination of oxide thickness in MOS structures from one DC current/voltage pair // Electron Lett.-1984.-Vol. 20.-№ 2.-C. 70−72.
- Андреев B.B., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Зарядовая деградация МОП-структур при туннельной инжекции электронов из кремния // Перспективные материалы. 2000. № 3. С.49−53.
- Барышев В.Г., Столяров А. А., Андреев В. В. Зарядовая нестабильность тонкопленочного диэлектрика в системе Si-Si02-OCC-Al при инжекции электронов из А1-электрода // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.4. С.59−61.
- Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А. Г. Кадменский, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин и др. // Письма в ЖТФ.-1993,-Т.19.-Вып.З.-С.41−45.
- Гергель В.А., Старикова Т. Н., Тишин Ю. А. Релаксационные процессы в МДП-структурах при больших напряжениях // Микроэлектроника.-1979,-Т. 8,-Вып.-С. 351−356.
- Барабан А.П., Тарантов Ю. А. Особенности релаксации неравновесной емкости структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника, — 1979.- Т. 8, — Вып. 4, — С. 376−378.
- Сальман Е.Г., Вертопрахов В. Н., Перов Г. В. К модели растекания заряда в элементах памяти в режиме хранения // Микроэлектроника.-1988.-Т. 17,-Вып. 1.-С. 72−74.
- Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron in silicon devices: is there a shortcut? // J.Appl.-Phys.-1995.-Vol.78.-№ 2.-P.1058−1087.
- DiMaria D.I., Cartier E., Arnold D. Impact ionization, trap creation, degradation and breakdown in silicon dioxide films on silicon // J. Appl.Phys.-1993.-Vol.73.-№ 7.-P.3367−3383.
- Theory of high-field electron transport in silicon dioxide / M.V.Fischetti, D.I.DiMaria, S.D.Brorson et al. // Physical Review B.-1985.-Vol.-31.-№ 12.-P. 8124−8142.
- Buchanan D.A., Fischetti M.V., DiMaria D.I. Coulombic and neutral trapping, centers in silicon dioxide // Physical Review B.-1991.-Vol.43.-№ 2.-P.1471−1485.
- DiMaria D.I., Fischetti M.V. Vacuum emission of not electrons from silicon dioxide at low temperatures // J. Appl.Phys.-1988.-Vol.64.-№ 9.-P.4684−4690.
- DiMaria D.I. Temperature dependence of trap creation in silicon dioxide//J. Appl.Phys.-1990.-Vol. 68.-№ 10.-P.5234−5246.
- DiMaria D.I., Stasiak I.W. Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons // J. Appl.Phys.-1989.-Vol. 65.-№ 6.-P.2342−2356.
- DiMaria D.J. Dependence on gate work function of oxide charging, defect generation, and hole currents in metal-oxide-semiconductor structures // J. Applied physics. 1997. Vol.81. No.7. P.3220−3228.
- DiMaria D.J., Stathis J.H. Explanation for the oxide thickness dependence of breakdown characteristics of metal-oxide-semiconductor structures// Applied physics letters. 1997. Vol.70. No.20. P.2708−2715.
- DiMaria D.J., Stathis J.H. Ultimate limit for defect generation in ultra-thin silicon dioxide // Applied physics letters. 1997. Vol.71. No.22. P.3230-.
- DiMaria D.J. Electron energy dependence of metal-oxide-semiconductor degradation // Applied physics letters. 1999. Vol.75. No. 16.1. Р.2427−2434.
- Fleetwood D.M. Fast and slow border traps in MOS devices// IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3. P.779−786.
- Fleetwood D.M., Reber R.A. Jr., Winokur P. S. Effects of bias on thermally stimulated current (TSC) in irradiated MOS devices // IEEE Transactions on nuclear science. 1991. V.38. No.6. P.1066−1077.
- Paccagnella A., Ceschia M., Verzellesi G. Forward and Reverse Characteristics of Irradiated MOSFETs // IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3. P.798−804.
- Alurralde M., Victoria M., Caro D., Gavillet D. Nuclear and damage effects in Si produced by irradiations with medium energy protons // IEEE Transactions on nuclear science. 1991. V.38. No.6. P.1210−1215.
- Emelianov V.V., Zebrev G.I., Ulimov V.N. Reversible Positive Charge Annealing in MOS Transistor During Variety of electrical and Thermal Stresses // IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3 June P.805−809.
- Masataka Kato, Kikuo Watanabe Takeaki Okabe Ac-bias annealing effects on radiation-induced interface traps // IEEE Transactions on nuclear science 1991. V.38. No.6. P.1094−1100.
- Villard Patrick, Kielbasa Richard A MOSFET Model Including Total Dose Effects // IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3. P.810−816.
- Burke Edward A. Energy dependence of proton-induce displacement damage in silicon // IEEE Transactions on nuclear science. 1986. V. NS-33. No.6. P.1276−1281.
- Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M., Winokur P. S., Montague S. Electron and Hole Trapping in Doped Oxides // IEEE Transactions on nuclear science. 1995. V.42. No.6. P.1731−1739.
- Mrstik B.J., Rendell R.W. Si-Si02 interface state generation during Xrays irradiation and during post-irradiation exposure to a hydrogen ambient // IEEE Transactions on nuclear science. 1991. V.38. No.6. P. l 101−1109.
- S’cwank J.R., Winokur P. S., Sexton F.W., Fleetwood D.M. Radiation-induced interface-state generation in MOS devices // IEEE Transactions on nuclear science. 1986. V. Ns-33. No.6. PI 179−1184.
- Андреев B.B., Бедняков A.A., Бондаренко Г. Г., Кузнецов Н. В., Новиков Л. С., Соловьев Г. Г., Столяров А. А., Лоскутов С. А. Влияние протонного облучения на электрофизические параметры МДП-структур // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 3. С.5−11.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Нестабильность параметров диэлектрических слоев в условиях высокополевых инжекционных нагрузок // Перспективные материалы. 1996. № 6. С.39−45.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Влияние режимов высокополевой инжекции заряда на зарядовую деградацию МДП-систем // Перспективные материалы. 1999. № 1. С.28−32.
- Andreev V.V., Barychev V.G., Bondarenko G.G., Stolyrov А.А. Instability of the parameters of dielectric layers under conditions of high-field injection stresses // J. Advanced Materials. 1999. V.5. N.l. P.25−29.
- Андреев В.В. Модификация МДП-структур высокочастотной плазменной обработкой // Труды 11 Межнационального совещания «Радиационная физика твёрдого тела». Москва, 2001. С.538−542.
- Андреев В.В. Влияние высокочастотной плазменной обработки на зарядовое состояние МДП-структур // Материалы Международной науч-но-техн.конф. «Приборостроение -99». Ялта, 1999. С. 294.
- Андреев В.В. Моделирование зарядовой деградации МДП-структур при сильнополевых, плазменных и радиационных воздействиях // Материалы Международной научно-техн.конф. «Приборостроение 2000». Винница-Семииз, 2000. С. 428.
- Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987, — С. 239.
- Боханкевич В.И. Комлексная оценка качества МДП-структур по напряжению микропробоя // Электронная промышленность.-1985.-Вып. 3.-С. 34−38.
- Барышев В.Г., Столяров А. А. Исследование дефектности тонкопленочного диэлектрика методом микропробоя // Электронная техника, сер.6. Материалы. -1983, — Вып.9.- С. 72−74.
- Сравнительная оценка методов контроля дефектности диэлектрических пленок / В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров и др. // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1990.-№ 1.-С.72−76.
- Лукичев А.В. Проблема загрязненности технологических сред микрочастицами в современной микроэлектронике // Электронная промышленность. 1988.-№ 3. — С. 41−46.
- Броудай Ч., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. -М.: Мир, 1985.-496 с.
- Таруи Я. Основы технологии сверх больших интегральных схем. -М.: Радио и связь, 1985. 480 с.
- Глудкин О.П., Черняев В. Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. М.: Энергия, 1980. — 360 с.
- Ленков С.В., Зубарев В. В., Тариелашвили Г. Т. Физико-технический анализ причин отказов электрорадиоизделий в составе радиоэлектронной аппаратуры // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1997. — № 3. — С. 31−34.
- Гриценко Н.И., Кучеров С. И. Контроль дефектности поверхности кремния нематическими жидкими кристаллами // Микроэлектроника. 1997. -Т. 26. — № 5. — С.389−391.
- Лашевский Р.А., Филаретов Г. А., Шапиро А. А. Исследование надежности затворного диэлектрика МДП-структур // Микроэлектроника.-1980. Т. 9. — Вып. 4. — С. 347−354.
- Андреев В.В. Зарядовая деградация МДП-структур с термической двуокисью кремния при туннельной инжекции электронов // Труды МГТУ. № 573. 1999. С. 52−58.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Гурбич А. Ф., Истомин И. В., Столяров А. А. Исследование поверхности пленочного диэлектрика после сканирования ртутным зондом // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.1988. Вып.4. С.66−68.
- Andreev V.V., Baryshev V.G., Bondarenko G.G., Stoliarov A.A. The increase of charge stability of dielectric films of MDS-systems // J. Advanced Materials. 2000. V.5. N.2. P.27−33.
- Столяров A.A. Повышение качества диэлектрических слоев на основе исследования дефектности изоляции и зарядовой стабильности// J. Advanced Materials.- 1997.- № 6.
- Барышев В.Г., Столяров А. А., Сидоров Ю. А. Исследование неоднородности зарядового состояния тонкопленочного диэлектрика SiCVOCC в партии полупроводниковых пластин // Электронная техника. Сер.6. Мате-риалы.-1986.-Вып. 1 .-С. 76−78.
- Столяров А.А. Исследование влияния ионной имплантации на дефектность пленок двуокиси кремния, пассивированных фосфорно-силикатным стеклом // Физика и химия обработки материалов,-1998.-№ 2.
- Барышев В.Г., Столяров А. А., Сидоров Ю. А. Прогнозирование выхода годных схем по дефектности тонкопленочного диэлектрика // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1985.- Вып. 1.-С. 68−70.
- Прогнозирование выхода годных БИС по анализу дефектности / В. Т. Гаврилков, В. Н. Дерюгин, В. А. Казинов и др. // Электронная промышленность.-1989,-Вып. 8.-С. 47−48.
- Адлер Ю.П., Маркова Е. В., Грановская Ю. В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. М.: Наука, 1976. 279 с.
- Моделирование выхода годных микросхем по дефектности подза-творного диэлектрика/ В. Г. Барышев, О. Д. Парфенов, А. А. Столяров и др.//
- Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1992.- № 2.- С. 57−58.
- Исследование начального несобственного пробоя и дефектов в диэлектрике МОП-структур на основе кремния / Г. Н. Демидова,
- H.И.Гаврилин, О. П. Глудкин и др.// Микроэлектроника. 1983. — Т. 12. — Вып.1.-С. 24−28.
- Osburn С.М., Weitzman E.J. Electrical conduction and dielectric breakdown in silicon dioxide fields on silicon // J. Electrochem.-1972.-Vol.119-№ 5.-P. 603−610.
- Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС. Новосибирск, Наука, 1980.-С. 256.
- Литвиненко С.А., Цыганков И. Н. Исследование влияния фазовых переходов в окисле на зарядовые и механические свойства системы кремний окисел //Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № 5. — С. 73−75.
- Литвиненко С.А., Митрофанов В. В., Соколов В. И. Процессы, протекающие при формировании системы кремний-окисел, и их влияние на свойства кремниевых планарных структур // Электронная техника. Сер: 2. Полупроводниковые приборы. 1983. — Вып. 1. — С. 50−60.
- Денисюк В.А., Попов В. М. Влияние дефектов с аномально высокой скоростью генерации на характеристики МДП-транзисторов // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1980. — Вып. 1. — С. 82−86.
- Красников Г. Я., Родионов А. А. Стабильность параметров МДП-ИС при термических и токовых воздействиях // Электронная промышлен-ность.-1988. № 4. — С.43−44.
- Жарких Ю.С., Пятницкий В. В., Третьяк О. В. Локализация заряда на гидрофобной и гидрофильной поверхности кремния и в окисной пленки // Микроэлектроника.-1997.-Т. 26.-Вып. 6.-С. 464−469.
- Greeuw G., Bakker S., Verwey J.F. Influence of annual temperature on the mobile ion concentration in MOS structures // Solid State Electron.-1984.-Vol.-27. № l.-P. 77−81.
- Андрушко А.Ф., Зелеленов В. И., Устинов В. Ф. Влияние дефектности кремния и эффективного периметра МДП-структур на электрическую прочность подзатворного диэлектрика // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1980. — Вып. 1. — С. 48−51.
- Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. А. В. Ржанова.-М.: Наука, 1976.- 219 с.
- Панасюк В.Н., Кузин С. М., Петрова А. Г. Тенденции развития методов и системы операционного контроля технологии СБИС // Электронная промышленность. 1994.- № 3. — С.38−44.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А., Ткаченко А. Л. Исследование влияния характеристик локальных неоднородностей МДП-систем на максимальную токовую нагрузку при туннельной инжекции // Труды МГТУ. № 573. 1999. С. 59−65.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Лоскутов С. А., Чухраев И. В. Влияние ионной имплантации на дефектность МДП-структур // Материалы III Международной конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, 1999. С.89−91.
- Андреев В.В. Исследование высокополевой зарядовой деградации МДП-систем n-Si-Si02^CC-Al при 295 и 77 К // Тез. докл. научнотехн. конф. с международным участием «Приборостроение-96″. Часть 2. Судак, 1996. С. 71.
- Андреев В.В., Бондаренко Г. Г., Лоскутов С. А. Влияние магне-тронного напыления алюминия на дефектность МДП-структур // Материалы шестой научно-техн. конф. „Вакуумная наука и техника“. Гурзуф, 1999. С.58−59.
- Андреев В.В. Совместное использование методов инжекции заряда импульсом постоянного тока и ТСД для контроля нестабильности заряда в МДП-системах // Тез.докл. научно-техн. конф. с международным участием „Приборостроение-95″. Винница-Львов, 1995. С. 69.
- Столяров А.А. Исследование МДП-структур в условиях туннельной инжекции в неравновесном режиме// Радиационная физика твердого тела: Материалы VII Межнац. совещания.- Севастополь, 1998.
- Столяров А.А. Исследование характеристик МДП-структур с зарядовыми дефектами/ Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Сб. статей.- М.: МГТУ, 1997.- С. 71−76.
- Столяров А.А. Зарядовая нестабильность параметров МДП-структур при неравномерном распределении тока туннельной инжекции// Известия вузов. Электроника.-1997.-№ 6.-С. 29−36.
- Усиков В.Д. Влияние неоднородностей на динамические вольт-амперные характеристики МДП-структур // Микроэлектроника.-1989.-Т. 18.-Вып. 5.-С. 447−455.
- Hokari Y. Dielectric breakdown wearout limitation of thermally-grown thin-gate oxides // Solid-State Electron. -1990, — Vol.33.- P.75−78.
- Fukuda Y., Kadama H. Retention characteristics hole-injection-type EEPROM //Trans. ElectronDevices.-1980.-Vol. 27.-№ 1 l.-P. 2080−2084.
- Cottrell P., Troutman R., Ning H. Hot-electron emission in N-Channel IGFET’s // J. Solid State ircuits.-1979.-Vol. 14.-№ 2.-P. 442−454.
- Андреев В.В. Сильнополевая зарядовая деградация МДПструктур Si-SiC)2-OCC-Al при высоких плотностях туннельного тока // Тез. докл. 3 Международной конференции по электромеханике и электротехнологии. Россия, Клязьма, 1998. С. 59.
- Piyas Samanta, Sarcar C.K. Coupled charge trapping dynamics in thin Si02 gate oxide under Fowler- Nordheim stress at low electrical fluence // J. Appl. Phys. 1998. V.83. No.5. P.2662−2669.
- Miranda E., Redin G., Faigon A. An effective-field approach for the Fowler-Nordheim tunneling current hrough a metal-oxide-semiconductor charged barrier//J. Appl. Phys. 1997. V.82. No.3. P. 1262−1265.
- Lee S.M., Cahill David G. Heat transport in thin dielectric films // J. Appl. Phys. 1997. V.81. No.6. P.2591−2595.
- Chen Chun, Wilson William L., Smayling Michael Tunneling induced charge generation in Si02 thin films // J. Appl. Phys. 1998. V.83. No.7. P.3898−3905.
- Lenahan P.M., Conley J.F.Jr, Wallase B.D. A model of hole trapping in Si02 films on silicon//J. Appl. Phys. 1997. V. 81. No. 10. P.6822−6824.
- Umeda Kazunori, Tanigchi Kenji. Hot-electron-induced quasibreak-down of thin gate oxide // J. Appl. Phys. 1997. V.81. No.l. P.297−302.
- Cai Jin, Sah Chih-Tang. Theory of Thermally stimulated charge in metai-oxide-semiconductor gate oxide // J. Appl. Phys. 1998. V.83. No.2. P.851−857.
- Kim Jong-Hyun, Sanchez Julian J., DeMassa Thomas A., Quddus Surface plasmons and breakdown in thin silicon dioxide films on silicon // J. Appl. Phys. 1998.V.84. No.3. P.1430−1438.
- Briere О., Cottin P., Straboni A. Comparison of rapid ramp voltage and tunneling injection stress experiments for the characterization of thin MOS gate oxides// J. of Non-Cryst. Solids. 1995. Vol.187. P.190−194.
- Андреев В.В. Контроль инжекционной стойкости структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях // Перспективные материалы. 2002. № 2. С.89−93.
- Андреев B.B., Барышев В. Г., Столяров А. А. Коррекция режимов термического отжига подзатворного диэлектрика КМДП-ИС // Тез.докл. Третьей международной научно-технич. конф.“ Микроэлектроника и информатика». Москва, Зеленоград, 1997. С. 19.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Контроль качества диэлектрических пленок по их стойкости к высокополевым инжекцион-ным нагрузкам // Труды МГТУ. № 567, 1995. С.54−58.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Исследование модели зарядового состояния системы Si-Si02−0CC-Al // Труды МГТУ. № 571. 1998. С.22−29.
- Андреев В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Модель зарядового состояния системы Si-Si02-CC-Al в условиях сильных электрических полей и интенсивных токовых нагрузок // Труды МГТУ. № 571. 1998. С.30−37.
- Прогнозирование технико-экономических параметров производства кристаллов ИС на пластине / И. В. Журавлева, С. А. Остапчук, А. А. Радаев и др.// Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника,-1990.-Вып. 4.-С. 42−51.
- Андреев В.В. Использование МДП-структур Si-Si02-OCC-Al в качестве высокостабильных элементов памяти // Сборник трудов Международной научно-техн. конф. «Приборостроение 98». Винница-Симферополь, 1998. С. 249.
- Грехов И.В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой р-п перехода в полупроводниках. -Л.: Энергия. 1980.- 152 с.
- Белоусов И.И., Ефимов В. М., Духанова Т. Г. Электропроводность слоев фосфоросиликатного стекла, полученных при низких температурах // Микроэлектроника,-1990.-Т.19.-Вып.6. -С.604−607.
- Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Исследование влияния легирования двуокиси кремния фосфором на зарядовую нестабильность МДП-структур в условиях туннельной инжекции // Физика и химия обработки материалов.- 1997.- № 3.- С.22−26.337
- Bondarenko G.G., Andreev V.V., Stolyarov A.A., Tkachenko A.L. Modification of metal-oxide-semiconductor devices by electron injection in high-fields// Vacuum. 2002. Vol. 67/3−4. P.507−511.