Электронные неустойчивости в соединениях переходных металлов
Диссертация
Научная новизна результатов исследования заключается в следующем. В отличие от предшествующих работ по электронным неустойчивостям в соединениях переходных металлов, где изучались отдельные оксиды в узком диапазоне изменения внешних условий, в настоящей работе проблема изучается на широком круге объектов, представительных по своему строению и свойствам для всего класса соединений переходных… Читать ещё >
Содержание
- 1. ЭФФЕКТ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
- 1. 1. Краткий обзор современного состояния исследований эффектов электронного переключения
- 1. 2. Методика эксперимента
- 1. 2. 1. Получение опытных образцов
- 1. 2. 2. Методики электрофизических и структурных исследований
- 1. 3. Экспериментальные результаты исследования эффекта переключения
- 1. 3. 1. Закономерности переключения в структурах У-У02-металл
- 1. 3. 2. Температурные зависимости пороговых параметров и фазовый состав каналов переключения MOM структур на основе оксидов переходных металлов
- 1. 3. 3. Закономерности переключения в импульсном режиме
- 1. 3. 4. Переключение в V02 в сильном электрическом поле
- 1. 4. Электронное управление переходом металл-изолятор при контролируемой инжекции носителей заряда
- 1. 5. Обсуждение результатов
- 2. ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ СОЕДИНЕНИЙ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
- 2. 1. S- и N-образные вольт-амперные характеристики структур на основе полуторного оксида ванадия (VixCrx)
- 2. 2. Переключение в сульфиде никеля NiS2-xSex
- 2. 3. Переключение в тиошпинели CuIr2S4xSex
- 2. 4. Электрические неустойчивости в ВТСП
- 3. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В КОМПОЗИТНЫХ ПОЛИМЕРОПОДОБНЫХ МАТЕРИАЛАХ НА ОСНОВЕ ПЕНТАОКСИДА ВАНАДИЯ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
- 3. 1. Условия получения, строение и свойства пленок гидратированного пентаоксидаванадия
- 3. 2. Экспериментальные результаты исследования электроформовки и переключения в сэндвич структурах на основе V2O5 геля
- 3. 3. Модификация электрических и оптических свойств V2O5 геля под влиянием внешних воздействий
- 3. 3. 1. Термообработка на воздухе
- 3. 3. 2. Термообработка в вакууме
- 3. 3. 3. Обработка в СВЧ водородной плазме
- 3. 3. 4. Электрополевая модификация. Внутренний электрохромныйэффект
- 4. 1. Анализ состояния вопроса о механизмах перехода металл-изолятор
- 4. 2. Механизмы перехода металл-изолятор в диоксиде ванадия
- 4. 2. 1. Существующие модельные представления о переходе металл-изолятор в VO
- 4. 2. 2. Критерий Мотта и длина когерентности
- 4. 2. 3. Модель перехода металл-изолятор в диоксиде ванадия
- 4. 3. Эффект переключения как фазовый переход металл-изолятор в электрическом поле
- 5. 1. Основные направления практического использования результатов исследования
- 5. 2. Применение эффекта переключения в сенсорной технике
- 5. 3. Электронно-лучевая модификация оксидов переходных металлов
Список литературы
- Мотт Н. Ф. Переходы металл-изолятор, М.: Наука, 1977. 344 с.
- Imada М., Fujimori A., Tokura Y. «Metal-Insulator Transitions» Rev. Mod. Phys. 1998, v.70, n.4, p. 1059−1263.
- Edwards P. P., Ramakrishnan Т. V., Rao C. N. «The metal-nonmetal transitions: A global perspectives» J. Phys. Chem. 1995, v.99, p.5228−5239.
- Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. JL: Наука, 1979. 183 с.
- Зайцев Р. О., Кузьмин Е. В., Овчинников С. Г. «Основные представления о переходах металл-изолятор в соединениях 3d-nepexo, HHbix металлов» УФН, 1986, т. 148, N4, с.603−636.
- Лосева Г. В., Овчинников С. Г., Петраковский Г. А. Переход металл-диэлектрик в сульфидах 3d-Memamoe. Новосибирск: Наука, 1983. 144 с.
- Сох P. A. Transition Metal Oxides. An Introduction to their Electronic Structure and Properties, Oxford: Clarendon Press, 1992.
- Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978, 471 с.
- Rao С. N. R. «Transition metal oxides» Аппи. Rev. Phys. Chem. 1989, v.40, p.291−326.
- Rao C. N. R., Raveau B. Transition Metal Oxides: Structure, Properties and Synthesis of Ceramics Oxedes, New-York: Wiley VCH, 1998 — 873 p.
- П.Ханин С. Д. «Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков» Обзоры по электронной технике. Сер.5. М.: ЦНИИ «Электроника», 1990, вып. 1(1524). 58 с.
- Chopra К. L. «Avalanche-induced negative resistance in thin oxide films» J. Appl. Phys. 1965, v.36, p.184−187.
- Меден А., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников. M.: Мир, 1991, -670 с.
- Костылев С. А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. 203 с.
- Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1999. 264с. (1-е изд. — М.: Сов. Радио, 1980).
- МОТТ Н. Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. -в 2-х т. М.: Мир, 1982. 663 с.
- Сандомирский В. Б., Суханов А. А. «Явления электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках» Зарубежная радиоэлектроника, 1976, N 9, с. 68−101.
- Adler D., Shur M. S., Silver M., Ovshinsky S. R. «Threshold switching in chalcogenide glass thin films». J. Appl. Phys. 1980, v.51, n.6, p.3289.
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. Цэндина К. Д., СПб Наука, 1996, 483 с.
- Цэндин К. Д., Лебедев Э. А., Шмелькин А. Б. «Неустойчивости с S- и N-образными вольт-амперными характеристиками и фазовые переходы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и полимерах» ФТТ, 2005, Т.47, в. З, с.427−432.
- Гинзбург В. JI. «О некоторых успехах физики и астрономии за последние три года» УФН, 2002, т.172, в.2, с.213−219.
- Проблема высокотемпературной сверхпроводимости (под ред. Гинзбурга В. Л. и Киржница Д. А.), М.: Наука, 1977. 400 с.
- Haghiri-Gosnet А.-М., Renard J.-P. «CMR manganites: physics, thin films and devices» J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, v.36, n.8, p. R127-R150
- Белявский В. И., Копаев Ю. В. «Обобщающий взгляд на природу высокотемпературной сверхпроводимости» УФН, 2004, т. 174, в.4, с.457−465.
- Гантмахер В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах М.: Физматлит, 2003. -176 с.
- Wentzcovitch R. М., Schultz W. W., Allen Р. В. «V02: Peierls or Mott-Hubbard? A view from band theory» Phys. Rev. Lett. 1994, v.72, p.3389.
- Biermann S., Poteryaev A., Lichtenstein A. I., Georges A. «Dynamical singlets and correlation-assisted Perierls transition in V02» Phys. Rev. Lett., 2005, v.94, p.26 404−26 407.
- Liebsch A., Ishida H., Bihlmayer G. «Coulomb correlations and orbital polarization in the metal insulator transition of V02» Phys. Rev. B, 2005, v.71, p.85 109−85 114.
- Стефанович Г. Б. «Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов»: Дисс. докт. физ.-мат. наук. // Санкт-Петербург, 1997.-360 с.
- Cavalleri A., Toth С., Siders С. W., Squier J. A., Raksi F., Forget P., Kieffer J. C. «Femtosecond structural dynamics in V02 during an ultrafast solid-solid phase transition» Phys. Rev. Lett. 2001, v.87, p.237 401.
- Continenza A., Massidd S., Posternak M. «Self-energy corrections in V02 within a model GWscheme» Phys. Rev. В 1999, v.60, n.23, p. 15 699−15 704.
- Guelfucci M. F. «Electronic calculations on rutile V02 by the LMTO-ASA method» J. Phys. Chem. Solids 2001, v.62, n. ll, p. 1961−1966.
- Шадрин E. Б., Ильинский А. В. «О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия» Ф7Т2000, т.42, N 6, с. 1092−1099.
- Ильинский А. В., Климов В. А., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б. «Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл», Изв. РГПУ Физика, 2006, № 6(15), с. 100−119.
- Forrest S. R. «Organic-inorganic semiconductor devices and 3, 4, 9, 10 perylenetetra-carboxylicdianhydrid: an early history of organic electronics» J. Phys. Condens. Matter, 2003, v.15, n.38, p. S2599-S2610.
- Tsukagoshi K., Yoneya N., Uryu S., Aoyagi Y., Kanada A., Ootuka Y., Alphenaar B. W. «Carbon nanotube devices for nanoelectronics» Physica B, 2002, v.323, n.1−4, p.107−114.
- Meixner M., Rodin P., Scholl E., Wacker A. «Lateral current density fronts in globally coupled bistable semiconductors with S- or Z-shaped current voltage characteristics «Eur. Phys. J. B, 2000, v.13, p.157−168.
- Ray A. K., Hogarth C. A. «A critical review of the observed electrical properties of MIM devices showing VCNR"J"i. J. Electronics, 1984, v.51, n. l, p. 1−78-
- Pagnia H. «Prospects for metal/non-metal microsystems: sensors, sourses, and switches» Int. J. Electronics 1992, v.72, n.5, p.819−825.
- Рожков В. А., Свердлов A. M. «Эффекты отрицательного сопротивления, переключения и генерации в МОП структурах с плёнками оксидов редкоземельных элементов» Письма вЖТФ, 1981, т.7, в.6, с.335−339.
- Fors R., Khartsev S. I., Grishin A. M. «Giant resistance switching in metal-insulator-manganite junctions: Evidence for Mott transition» Phys. Rev. B, 2005, v.71, p.45 305−45 315.
- Tang W. H., Каш T. L., Li L. H., Gao J. «Switching phenomena in Ьа^Са^МпОз/ ЕигСиО^аг/зСа^МпОз ramp-type junctions» J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v. 16, p.3133−3138.
- Хирный В. Ф., Козловский А. А. «Нелинейные эффекты и доменная неустойчивость в оксидной керамике» УФН2003, т.173, в.6, с.679−685.
- Tulina N. A., Ionov А. М., Chaika А. М. «Reversible electrical switching at the Bi2Sr2CaCu208+y surface in the normal metal- Bi2Sr2CaCu208+y single crystal heterojunction» Physica C, 2001, v.366, p.23−30.
- Thurstans R. E., Oxley D. P. «The electroformed metal-insulator-metal structure: a comprehensive model» J. Phys. D: Appl. Phys. 2002, v.35, n.8, p.802−809.
- Zhou X., Chen H., Zhong-can O.-Y. «Can electric field induced energy gaps in metallic carbon nanotubes?», J. Phys.: Condens. Matter 2001, v.13, p. L635-L640.
- Owen A. E., Le Comber P. G., Hajto J., Rose M. J., Snell A. J. «Switching in amorphous devices». Int. J. Electronics 1992 v.73, n.5, p.897−906.
- Walsh P. J., Hall J. E., Nicolaides R. et al. «Experimental results in amorphous semiconductors switching behaviour». J. Non-Cryst. Solids, 1970, v.2, p. 107−124.
- Morgan D. V., Howes M. J., Pollard R. D., Waters D. G. P. «Electroforming and dielectric breakdown in thin aluminium oxide films» Thin Solid Films 1973, v.15, p.123−131.
- Сандомирский В. Б., Суханов А. А., Ждан А. Г. «Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в полупроводниках» ЖЭТФ 1970, т.58, в.5, с.1683−1694.
- Чабан И. А. «Эффект переключения в халькогенидных стеклах» ФТТ 2007, т.49, в. З, с.405−410.
- Vezzoli G. С., Walsh P. J., Shoga М. A. «Interpretation of recent transient on-state data in thin chalcogenide glass and Nb02 threshold switching material» Phil. Mag. В 1991, v.63, n.3, p.739−755.
- Hickmott T. W., Hiatt W. R. «Electrode effects and bistable switching of amorphous Nb205 diodes» Solid-State Electronics, 1970, v.13, n.7, p.1033−1038.
- Lalevic В., Fuschillo N., Slusark W. «Switching in Nb-Nb205-Nb devices with doped Nb205 amorphous films» IEEE Trans. Electron. Dev. 1975, v. ED-22, p.965−967.
- Vezzoli G. C. «Recovery curve for threshold-switching Nb02» J. Appl. Phys. 1979, v.50, p.6390−6395.
- Shin S. H., Halperin T., Raccah P. M. «High-speed high-current field switching of Nb02» J. Appl. Phys. 1977, v.48, p.3150−3153.
- Morris R. С., Christopher J. Е., Coleman R. V. «Conduction phenomena in thin layers of iron oxide» Phys. Rev. 1969, v. 184, n.2, p.565−570.
- Fuschillo N., Lalevic В., Leung B. «High-field transport in NiO and Nii^Li^O thin films» Solid-State Electronics, 1976, v.19, n.3, p.209−219.
- Beck A., Bednorz J. G., Gerber C., Rossel C., Widmer D. «Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications» Appl. Phys. Lett. 2000, v.77, n. l, p.139−141.
- Nadkarni G. S., Shirodkar V. S. «Experiment and theory for switching in A1/V205/A1 devices» Thin Solid Films 1983, v.105, p. l 15−129.
- Herrell D. J., Park К. C. «The electrical properties of bistable niobium pentoxide films» J. Non-Crystalline Solids 1972, v.8−10, p.449−454.
- Park К. C., Basavaiah S. «Switching in Zr-Zr02-Au». J. Non-Crystalline Solids 1970, v.2, p.274−279.
- Jouve G. «Electrical conduction mechanisms in electrochemically formed amorphous films of Nb205» Phil. Mag. B, 1991, v.64, n.2, p.207−215.
- Loser W., Mattheck C., Haubenreisser W. «Influence of the intrinsic termistor effect in V02 coplanar switching devices» Phys. Status Solidi (a), 1974, v.21, N2, p.487−496.
- Jankowski B. «Preparation and electrical properties of Ti-Ti02-metal thin film structures» Thin Solid Films, 1976, v.34, n. l, p.69−72.
- Юнг Л. Анодные окисные плёнки. Л.: Энергия, 1967. 232 с.
- Грилихес С. Я., Тихонов К. И. Электролитические и химические покрытия: теория и практика. Л.: Химия, 1990. 288 с.
- Пергамент А. Л. «Эффект переключения в оксидах переходных металлов»: Дисс. канд. физ.-мат. наук // Петрозаводск, 1994. 212с.
- Мирзоев Р. А., Давыдов А. Д. Диэлектрические анодные плёнки на металлах: Итоги науки и техники. Коррозия и защита от коррозии. М.: ВИНИТИ, 1990, т. 16, с.89−143.
- Одынец Л. Л., Орлов В. М. Анодные оксидные плёнки. Л: Наука, 1990. 200 с.
- Аверьянов Е. Е. Справочник по анодированию. М: Машиностроение, 1988.- 224 с.
- Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов М.: Мир. — 1975. — 396 с.
- Фетгер К. Электрохимическая кинетика. М.: Химия, 1967. 856 с.
- Малиненко В. П., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. «Фазовый переход металл-полупроводник в структурно разупорядоченном VO2». Письма в ЖТФ 1983, т.9, в.12, с.754−756.
- Mackintosh W. D., Plattner H. H. «The anodic oxidation of vanadium: Transport numbers of metal and oxygen and the metal/oxygen ratio in the oxide film» J. Electrochem. Soc. 1976, v.123, n.4, p.523−527.
- Lewis M. В., Perkins R. A. «The source of oxygen in the anodization of vanadium» J. Electrochem. Soc. 1979, v. 126, n.4, p.544−547.
- Keil R. G., Solomon R. E. «Anodization of vanadium in acetic acid solutions» J. Electrochem. Soc. 1968, v.115, n.6, p.628−633.
- Hornkjol S., Hornkjol I. M., «Anodic behaviour of vanadium in acid solutions» Electrochimica Acta 1991, v.36, n.3−4, p.577−580.
- Al-Kharafi F. M., Badawy W. A. «Electrochemical behaviour of vanadium in aqueous solutions of different pH» Electrochimica Acta 1997, v.42, n.4, p. 5 79−5 86.
- Schreckenbach J. P., Witke K., Butte D., Marx G. «Characterization of thin metastable vanadium oxide films by Raman spectroscopy» Fresenius J. Anal. Chem. 1999, v.363,p.211−214.
- Alonzo V., Darchen A., Le Fur E., Pivan J. Y. «Electrosynthesis of vanadophosphate by anodic oxidation of vanadium in phosphoric acid solutions» Electrochem. Comm. 2002, v.4, n. l 1, p.877−880.
- Ameer M. A. M., Ghoneam A. A. «Electrochemical oxidation of vanadium as studied by ESR spectroscopy» J. Electrochem. Soc. 1995, v.142, n.12, p.4082−4084.
- Ellis В. H., Hopper M. A., De Smet D. J. «Electrochemical oxidation of vanadium as studied by ESR spectroscopy» J. Electrochem. Soc. 1971, v. l 18, p.860−864.
- Keil R. G., Ludwig K. J. Electrochem. Soc. 1971, v. l 18, p.864−866.
- Pelleg J. «A microsectioning technique for vanadium» J. Lees-Common Metals 1974, v.35, p.299−304.
- Stefanovich G. В., Pergament A. L., Velichko A. A., Stefanovich L. A. «Anodic oxidation of vanadium and properties of vanadium oxide films» J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v.16, n.23, p.4013−4024.
- Chudnovskii F. A., Malinenko V. P., Pergament A. L., Stefanovich G. B. «Electrochemical oxidation of Y-Ba-Cu-O high-Tc superconductors», Electrochimica Acta, 1998, v.43, n.12−13, p.1779−1784.
- Pergament A. L., Malinenko V. P., Tulubaeva О. I., Aleshina L. A. «Electroforming and switching effects in yttrium oxide» Phys. Stat. Solidi (a), 2004, v.201, No.7, p.1543−1550.
- Hurlen Т., Gulbrandsen E «Growth of anodic films on valve metals» Electrochim. Acta 1994, v.39, n.14, p.2169−2172.
- Pergament A. L., Stefanovich G. B. «Phase composition of anodic oxide films on transition metals: a thermodynamic approach», Thin Solid Films 1998, v.322, n.1−2, p.33−36.
- Рябин В. А., Остроумов M. А., Свит Т. Ф. Термодинамические свойства веществ. Справочник. JL: Химия, 1977. 390 с.
- Шилов А. Е. «Фиксация азота в растворах в присутствии комплексов переходных металлов» Успехи химии, 1974, т.43, в.5, с. 863.
- Лилин С. А., Григорьев В. П., Оше Е. К. и др. «Изучение формирования анодных оксидных пленок на металлах подгруппы ванадия методами фотоэлектрической поляризации и импеданса» Электрохимия, 1996, т.32, в. 12, с.1461−1465.
- Бондаренко В. М. «Кинетические явления в кислородсодержащих ванадиевых соединениях»: Дисс. докт. физ.-мат. наук. // Вильнюс, 1991. 305 с.
- Berglund С. N., Jayaraman A. «Electric properties of V02 near the semiconductor-metal transition» Phys. Rev 1969, v.185, n.3, p.1022−1039.
- Андреев В. H., Тимощенко Н. Е., Черненко И. М., Чудновский Ф. А. «Механизм формирования переключающих ванадатно-фосфатных стекол» ЖТФ 1981, т.51, в.8, с.1685−1689.
- Higgins J. К., Temple В. К., Lewis J. Е. «Electrical properties of vanadate-glass threshold switches» J. Non-Cryst. Solids, 1977, v.23, p.187−215.
- Zhang J. G., Eklund P. C. «The switching mechanism in V205 gel films» J. Appl. Phys., 1988, v.64, n.2, p.729−733.
- Bullot J., Gallias O., Gauthier M., Livage J. «Threshold switching in V205 layers deposited from gels». Phys. Status Solidi (a), 1982, v.71, n. l, p. Kl-K4.
- Ivon A. I., Kolbunov V. R., Chernenko I. M. «Voltage-current characteristics of vanadium dioxide based ceramics» J. Eur. Ceram. Soc., 2003, v.23, n.12, p.2113−2118.
- Волженский Д. С., Савицкий В. Г., Котлярчук Б. К. «Механизм переключения в монокристаллах У205» ФТТ, 1977, т. 19, в.9, с. 1552−1554.
- Бойко Б.Т., Копач В. Р., Поздеев Ю. Л., Скатков И. Б., Юхно И. А. «Природа электрической формовки аморфных плёнок Nb205>> Укр. Физ. Журн., 1981, т.26, N 11, с.1892−1897.
- Юркинский В. П., Морачевский А. П., Фирсова Е. Г. «Изучение механизма и кинетики образования оксидов тантала и вольфрама в нитратных расплавах» Физика окисных плёнок. Тез. докл. 2-й Всесоюз. науч. конф., Петрозаводск, 1987, ч.2, с.71−72.
- Коллонг Р. Нестехиометрия М.: Мир, 1974. 288 с.
- Ханин С. Д. «Структурная неоднородность и электронные свойства неупорядоченных диэлектриков» Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004'): Материалы 10-й Международной конференции. СПб.: издательство РГПУ им. А. И. Герцена, 2004, с. 50−52.
- Rogers D. В., Shannon R. D., Sleight A. W., Gillson J. L. «Crystal Chemistry of Metal Dioxides with Rutile-Related Structures» Inorg. Chem., 1969, v. 8, p.841−849.
- Goto К. «On the mechanism of phase transitions of UO2.25» Solid State Comm. 1968, v.6, n.9, p.653−655.
- Березовский Г. А., Лукащук E. И. Термодинамические свойства диоксида ванадия в интервале 6−360 К. Новосибирск, 1990.- 20 с. (Препринт/ Ин-т неорг. химии СО АН: 90−04).
- Андреев В. Н., Аронов А. Г., Чудновский Ф. А. «Фазовый переход в электрическом поле в V203 и эффект переключения» ФТТ, 1970, т. 12, в.5, с.1557−1559.
- Величко А. А. «Переключение в тонкопленочных микро- и наноструктурах на основе оксидов переходных металлов»: Дисс. канд. физ-мат. наук // Петрозаводск, 2002 155 с.
- Борисков П. П., Величко А. А., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Стефанович Д. Г. «Влияние электрического поля на переход металл-изолятор в диоксиде ванадия» Письма в ЖТФ, 2002, т.28, в. 10, с. 13−18.
- Валиев К. А., Капаев Ю. В., Мокеров В. Г., Раков А. В. «Электронная структура и фазовые переходы в низких окислах ванадия в электрическом поле» ЖЭТФ, 1971, т.60, в.6, с.2175−2185.
- Mansingh A., Singh R., Sayer M. «Dilectrical propertied of vanadium dioxide.» Phys. Status Solidi (a) 1978, v.49, p.773.
- Gavini A., Kwan С. C. Y. «Optical properties of semiconducting V02 films» Phys. Rev. B, 1972, v.5, n.8, p.3138−3143.
- Von Schulthess G., Wachter P., «First observation of photoconductivity in the semiconducting phase of V02» Solid State Comm., 1974, v. 15, p. 1645−1649.
- Molenda J., Stoklosa A. «Electronic structure and electrochemical properties of V02» Solid State Ionics, 1989, v.36, N1−2, p.43−52.
- Мокеров В. Г., Бегишев А. Р., Игнатьев Д. С. «Локализация «^"-электронов в твердых растворах V02-Ar» ФТТ, 1981, т.23, в.4, с.983−989.
- Теруков Е. И., Уферт К.-Д., Чудновский Ф. А. «Исследование электрических свойств пленок двуокиси ванадия» ФТТ, 1976, т. 18, в.8, с.2479−2482
- Chudnovskii F. A., Stefanovich G. В. «Metal-insulator phase transition in disordered V02» J. Solid State Chem. 1992, v.98, p.137−145.
- Борисков П. П., Величко А. А., Стефанович Г. Б. «Влияние электрического поля на переход металл-изолятор с образованием сверхструктуры» ФТТ, 2004, т.46, в.5, с.895−898
- Honig J. М. «Electrical transitions in metal, oxides» J. Solid State Chem. 1982, v.45, p.1−13.
- Джоншер А. К., Хилл P. M. «Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок» в кн.: Физика тонких пленок, т.8 (под ред. Т. Хасса, М. Франкомба, Р. Гофмана), М.: Мир, 1978, с.180−263. <
- Марч Н., Паринелло М. Коллективные эффекты в твёрдых телах и.Лжидкостях. М.: Мир, 1986. 320с.
- Мокроусов В. В., Корнетов В. Н. «Полевые эффекты в пленках двуокиси ванадия» ФТТ, 1974, т. 16, N10, с.3106−3107. <
- Васильев Г. П., Сербинов И. А., Рябова J1. А. «Переключение в системе V02-диэлектрик-полупроводник», Письма в ЖТФ, 1977, т. З, N8, с.342−344.
- Кокин А. А. «Фазовый переход металл-диэлектрик в электрическом поле» ФТТ, 1975, т. 17, в.5, с. 1317−1326. <
- Бугаев А. А., Гудялис В. В., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. «Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл-полупроводник в VO2 при инициировании его пикосекундными импульсами» Письма в ЖЭТФ. 1981, т.34, N8, с.452−455.
- Fisher В. «Moving boundaries and travelling domains during switching of V02 single crystals» J. Phys. C: Solid State Phys.1915, v.8, p.2072−2076.
- Афанасьев В. П., Мельников Б. Н., Минина Е. В. «Свойства пленок диоксидаванадия на сегнетоэлектрических подложках» Физика окисных плёнок. Тезисыдокладов 2 Всес. конф., Петрозаводск, 1987, часть 1 с. 10
- Kotliar G. «The Mott transition in V2O3 and NiSexS2.x: Insights from dynamical mean field theory» Physica B, 1999, v.259−261, p.711−717.
- Andreev V. N., Chudnovskiy F. A., Perooly S., Honig J. M. «Electrical conductivity of CuIr2S4» PAys. Stat. Sol. (b), 2002, v.234, n.2, p.623−627.
- Денисов Д. В., Цэндин К. Д. «Полупроводниковая проводимость в недодопированных образцах системы YBaCuO» Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов П1 Международной конференции. Санкт-Петербург, изд. СПбГПУ, 2002, с. 1915
- Алешина JI. А., Подгорный В. И., Стефанович Г. Б., Фофанов А. Д. «Исследование распыления шунгитов с помощью дугового разряда» ЖТФ, 2004, т.74, в.9, с.43−46. ,
- Елецкий А. В. «Поглощение УФ излучения в межзвездной среде обусловлено онионами», Перспективные технологии, 2003, т.10, в.13−14, с.3−4- Phys. Rev. Lett. 2003, v.90, p.155 504.
- Meenakshi V., Subramanyam S. V. «Effect of disorder on the electrical properties of amorphous conducting carbon films: Observance of field, induced metal-insulator transition?» Int. J. Modern Phys. В 2000, v. 14, n.2, p.224−229,
- Metcalf P. A., Honig J. M. Curr. Top. Crystal Growth Res. 1995, v.2, p.445- Yao X., Honig J. M. Mater. Res. Bull, 1992, v.29, p.709.
- Limelette P., Georges A., Jerrome D., Wzietek P., Ivietcalf P., Honig J. M. «Universality and Critical Behavior at the Mott Transition» Science, 2003, v.32, p.89−91.
- Yao X., Kuo Y.-K., Powell D. K., Brill J. W., Honig J. M. «Magnetic susceptibility and heat-capacity studies of NiS2. xSex single crystals: A study of transition at nonzero temperature» Phys. Rev. B, 1997, v.56, p.7129.
- Ибрагимов X. О., Алиев К. М., Камилов И. К., Абакарова Н. С. «Рекомбинационная неустойчивость и двойное S-переключение в p-Ge(Au)» Письма вЖТФ, 2003, т.29, в. З, с.82−85. <
- Ummarino G. A., Gonnelli R. S., Daghero D. «Eliashberg Equations and the Phenomenology of Field-Effect-Doped Сбо» Int. J. Modern Phys. B: Condens. Matter Phys., 2002, v.16, n. l 1/12, p.1539−1547.
- Livage J. «Optical and electrical properties of vanadium oxides synthesized fromalkoxide» Coordination Chemistry Reviews. 1999, v.190−192, p.39103.
- Волков В. JI. Фазы внедрения на основе оксидов ванадия. Свердловск: УНЦ АН СССР, 1987.- 180с. ., v
- Livage J., Ganguli D. «Sol-gel electrochromic coatings and devices: A review»
- Solar Energy Materials & Solar Cells. 2001, v.68, p.365−381- Aegerter M. A., Avellandera С. O., Pawlica A., Atic M. «Electrochromism in Materials Prepared by the Sol-Gel Process» Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1997, v.8, p.689−696
- Фаунен Б. В., Крэнделл Р. С. «Электрохромные дисплеи на основе W03» В кн.Дисплеи (под ред. Панкова Ж.) М.: Мир, 1982. — 320с,
- Казакова Е. JI. «Электронные и ионные процессы в гидратированномпентаоксиде ванадия»: Дисс. канд. физ-мат. наук, Петрозаводск, 2003 152 е.
- Ивановский A. JI. «Неуглеродные нанотрубки: синтез и моделирование» Успехи Химии. 2002, т.71, N 3, с.203−224.
- Inzelt G., Pineri M., Schultze J. W., Vorotyntsev M. A. «Electron and proton conducting polymers: recent developments and prospects» El^ctrochimica Acta 2000, v.45, p.2403−2421.
- Barboux P., Baffler N., Morineau R., Livage J. «Diffusion protonique dans les xerogels de pentoxyde de vanadium» Solid State Ionics. 1983, v.9−10, p.1073−1080.
- Aldebert P., Baffler N., Charbi N., Livage J. «Layered structure of vanadiumpentoxide gels» Mat. Res. Bull. 1981, v. 16, N 6, p.669 676.
- Livage J., Pelletier О., Davidson P. «Vanadium pentoxide sol and gel mesophases» J. Sol Gel Science and Technology. 2000, v. 19, p:275 — 278.
- Плетнёв P. H., Ивакин А. А., Клещеев Д. Г., Денисова Т. А., Бурмистров В.
- А. Гидратированные оксиды элементов IVи Vгрупп, М.: Наука, 1986.-160 с.
- Bullot J., Gourier D., Gallais О., Gauthier M., Livage J. «Thin layers deposited from V205 gels. 1. A conductivity study» J. Non-Cryst. Solids. 1984, v.68, № 1, p. 123 -134.
- Alonco В., Livage J. «Synthesis of vanadium oxide gels irom peroxovanadic acid solutions: A 51 V NMR study» J. Solid St. Chem. 1999, v.148, p.16 19.
- Livage J., Guzman G., Beteile F., Davidson P. «Optical properties of sol gel derived vanadium oxide films» J. Sol — Gel Science and Technology. — 1997 — V. 8. -P. 857 — 865. <
- Gharbi N., R' Kha C., Ballutand D. et al. «A new vanadium pentoxide amorphous phase» J. Non-Cryst. Solids. 1981. — V. 46. — № 3. — P. 247 — 257.
- Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1966. 411с. <
- Спектроскопические методы в химии комплексных соединений / под ред. В. М. Вдовенко. M., JL: Химия, 1964. — 268с.
- Григорьев А. И. Введение в колебательную спектроскопию неорганических соединений. М.: Изд во Моск. ун — та, 1977. — 87с.
- Abello L., Husson Е., Repelin Y., Lucazeau G. «Structural study of gel of V205: vibrational spectra of xerogel» J. Sol. St. Chem. 1985. — V. 56. — P. 379 — 389.
- Surca A., Orel B. «IR spectroscopy of crystalline of У205 films in different stages of lithiation» Electrochimica Acta. 1999 — V. 44. — P. 3051 — 3057.
- Ozer N., Lampert С. M. «Electrochromic performance of sol-gel deposited W03-V205 films» Thin Solid Films 1999. — У. 349. — P. 205 — 211.
- Vandenborre M. Т., Prost R., Huard E., Livage J. «Etude par spectroscopic infrasrouge de l’eau adsorbee sur un xerogel d’oxyde de vanadium» Mat. Res. Bull. 1983. -V. 18.-№ 9.-P. 1133 — 1142.
- Березин JI. Я., Малиненко В. П., Фадеев В. Н. «Исследование состояния воды в электрохромных пленках триоксида вольфрама методом ИК спектроскопии» В межвуз. сб. науч. трудов: Физика окисных пленок. — Петрозаводск, 1988. — с. 15 -19.
- Валеев А. С. «Определение оптических постоянных тонких слабопоглощающих слоев» Оптика и спектроскопия. 1963. — Т.15. — Вып.4. -С.500 — 511. <
- Ramana С. V., Naidi В. S., Hussain О. М., Pinto R. «Low-temperature growth of vanadium pentoxide thin films produced by pulsed laser ablation» J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. — V. 34. — P. L335 — L339.
- Поплавко Ю. M. Физика диэлектриков. Киев: Вища Щкола, 1980. 400 с.
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.
- Ufert D.-K. «Stress induced switching in V02 thin films». Phys. Stat. Solidi (a) 1976, v.34, p. K83-K86
- Rakotoniaina J. C., Mokrani-Tamellin R., Gavarri J. R. et^al. «The thermochromic vanadium dioxide. I. Role of stresses and substitution on switching properties». J.
- Solid State Chem. 1993, v.103, n. l, p.81−94.
- Muraoka Y., Ueda Y., Hiroi Z. «Large modification of «the metal-insulator transition temperature in strained V02 films grown on T}, 02 substrates» J. Phys. Chem. Sol., 2002, v.63, n.6−8, p.965−967.
- Bowman R. M., Gregg J. M. «V02 thin films: growth and the effect of applied strain on their resistance» J. Mater. Sci. 1998, v.9, p. 187−191.
- Сандомирский В. Б., Суханов А. А., Ждан А. Г. «Феноменологическаятеория концентрационной неустойчивости в полупроводниках» ЖЭТФ 1970, т.58, в.5, с.1683−1694.
- Mansingh A., Singh R. «The mechanism of electrical threshold switching in V02 crystals». J. of Phys. C. 1980, v.13, n.33, p.5725−5733.
- Jackson J. L., Shaw M. P. «The form and stability of current-voltage characteristics for ideal thermal switching» Appl. Phys. Lett. 1974 — V. 25. — N. 11-P. 666−668.
- Коломиец Б. Т., Лебедев Э. А., Цэндин К. Д. «Влияние ТОГО на тепловой 4 пробой» ФТП, 1971, т.5, в.8, с.1568−1572. <
- Гаврилюк А. И., Рейнов Н. М., Чудновский Ф. А. «Фото- и термохромизм в аморфных пленках V205» Письма в ЖТФ. 1979. — Т. 5. — в. 20. — С. 1227 — 1230.
- Zuli Liu, Guojia Fang, Youqing Wang, Yandong Bai, Kai-Lun Yao. «Laser- ч induced coloration of V205 «J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. -
- El Mandouh Z. S., Selim M. S. «Physical properties of vanadium pentoxide sol gel films» Thin Solid Films 2000, v.371, p.259−261.
- Lu S., Hou L., Gan F. «Surfase analysis and phase transition of gel derived V02 ч thin films» Thin Solid Films. 1999, v.353, p.40 — 44. <
- Dachuan Y., Niankan X., Jingyu Z. et al. «Vanadium dioxide films with good electrical switching properties» J. Phys. D: Appl. Phys., 1996, v.29, p. 1051−1057.
- Волькенштейн Ф. Ф., Горбаль A. H., Соколов В. А. Радикало-рекомбинационная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1976 — 282 с.
- Анисимов В. В., Демкин В. П.- Квинт И. А. и др. «Микролегирование приповерхност-ных слоев арсенида галлия ионами водорода» ЖТФ 2000, т.70, N2, с.118 120.
- Martinson L. S., Schweitzer J. W., Baenziger N. С. «Metal-insulator transition in BaCoixNixS2-y» Phys. Rev.Lett. 1993, v.71, n. l, p.125−128.
- Нагаев Э. JI. «Переход Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках» ФТТ, 1998, т.40, в. З, с. 433−437.
- Valla Т., Jonson P. D., Yosof Z., Wellst В., Li Q., Loureiro S. M., Cava R. J. et. el. «Coherence-incoherence and dimensional crossover in layered strongly correlated metals» Nature 2002, v.417, N 6889, p.627 630.
- Lin C. R., Chou S. L., Lin S. T. «The metal-insulator transition in quasicrystals» J. 4 Phys.: Condens. Matter 1996, v.8, p. L725. <
- Гаврилюк И. А., Чудновский Ф. А. «Электрохромизм в пленках V2O5» Письма в ЖТФ. 1977. -Т. 3. — N 4. — С. 174 — 177.
- Chain Е. Е. «Optical properties of vanadium dioxide and vanadium pentoxide thin films» Appl. Optics. 1991. -V. 30. -N 19. — P. 2782−278?.
- Гаврилюк А. И., Ланская Т. Г. «Фотохромизм в тонких слоях V2O5,, полученных с помощью «золь-гель» технологии» Письма в ЖТФ. 1994. — Т.20.-N6.-С. 12−16.
- Ozer N. «Electrochemical properties of sol gel deposited vanadium pentoxide films» Thin Solid Films. — 1997. — V. 305. — P. 80 — 87.
- Mohseni M., James P. F., Wright P. V. «Vanadium-based organic-inorganic hybrid materials prepared by a sol-gel method» J. Sol-Gel Sci. Technol, V.13, 1998, p.495−497.
- Burcham L. J., Deo G., Gao X., Wachs I. E. «In situ IR, Raman, and UV-Vis DRS spectroscopy of supported vanadium oxide catalysts during methanol oxidation» Topics in Catalysis 2000 — V. l 1/12. — P.85−100.
- Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев.: Наукова Думка, 1987. 607 с.
- Shi Т. S., Xie L. М., Bai G. R., Qi М. W. «The nature of two intense Si-H IR stretching bands in FZ-Si:H» Phys Status Solidi (b) 1985. — V.131 — N 2. — P. 511 517.
- Sanches C., Livage J., J. Lucazeau J. «Infrared and Raman study of amorphous V205» J. Raman Spectroscopy. 1982. — V. 12. — № 1. — P. 68- 72.
- Пайерлс P. Квантовая теория твёрдого тела. М.: Изд. иностр. лит., 1956. -259 с.
- Куликов Н. И., Тугишев В. В. «Волны спиновой плотности и зонный антиферромагнетизм в металлах» УФН, 1984, т.144, в.4, с.643−677.
- Келдыш Л. В., Копаев Ю. В. Л «Возможная,. неустойчивостьполуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия»
- ФТТ, 1964, т.6, N9, с.2791−2799.
- Zittartz J. «Theory of the excitonic insulator in the presence of normal impurities» Phys. Rev. 1967, v.164, n.2, p.575−581.
- Kagoshima S. «Peierls phase transition» Jap. J. Appl. Phys. 1981, v.9, n.20, p.1617−1634. <
- Семенов A. JI. «Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводникахайерлсовского типа» Автореферат дисс. докт. физ.-мат. наук, Ульяновск, 2003.
- Семенов A. JI. «Индуцированная постоянным электрическим полем гетерофазная структура на поверхности пайерлсовского металла» ФТТ, 2000, т.42, в.6, с. 1125−1128.
- Семенов A. JI. «Фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл в системе Пайерлса» ЖЭТФ 2007 т. 131, в.1, с.77−84.
- Paquet D., Leroux-Hugon P. «Electron correlations and electron-lattice interactions in the metal-insulator, ferroelastic transition in У02: A thermodynamical study» Phys. Rev. B, 1980, v.22, n. l 1, p.5284−5301.
- Поклонский H. А., Вырко С. А., Забродский A. Г. «Электростатические модели концентрационных фазовых переходов изолятор-металл и металл-изолятор в кристаллах Ge и Si с водородоподобными примесями» ФТТ, 2004, т.46, в.6, с.1071−1075.
- Поклонский Н. А., Сягло А. И. «Об электростатических моделях фазового перехода диэлектрик-металл и металл-изолятор в кристаллическихполупроводниках с водородоподобными примесями» ФТТ, 1998, т.40, в.1, с. 147 151.
- Забродский А. Г., Зиновьева К. Н. «Низкотемпературная проводимость и переход металл-диэлекгрик в компенсированном n-Ge» ЖЭТФ, 1984, т.86, в.2, с.727−742.
- Казанин М. М., Каминский В. В., Соловьев С. М. «Аномальная термоэдс в моносульфиде самария» ЖТФ, 2000, т.70, в.5, с. 136−13 8.
- Каминский В. В., Васильев Л. Н., Романова М. В., Соловьев С. М. «Механизм возникновения электродвижущей силы при нагревании монокристаллов SmS» ФТТ, 2001, т.43, в.6, с.997−999. <
- Каминский В. В., Голубков А. В., Васильев JI. Н. «Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в SmS» ФТТ, 2002, т.44, в.8, с. 15 011 505. <
- Циок О. Б., Хвостанцев Л. Г., Смирнов И. А., Голубков А. В. «Электронная и решеточная стадии валентного перехода в SmTe при высоком гидростатическом давлении» ЖЭТФ 2005, т. 127, в.4, с.850−859.
- Смирнов И. А., Оскотский В. С. «Фазовый переход полупроводник-металл вредкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария)», УФН, 1978, т. 124, в.2, с.241−278.
- Шаренкова Н. В., Каминский В. В., Голубков А. В., Васильев Л. Н.,
- Каменская Г. А. «Особенности структуры металлической фазы, возникающейпод действием механической полировки образцов SmS» ФТТ, 2005, т.47, в.4, с.598−602.
- Kitagawa R., Takebe H., Morinaga К. «Photoinduced phase transition of metallic SmS thin films by a femtosecond laser» Appl. Phys. Lett. 2003, v.82, n.21, p.3641−3643. <
- Pergament A., Morak A. «Photoinduced metal-insulator transitions: Criticalconcentration and coherence length» J. Phys. A: Math. Gen. 2006, v.39, № 17,ip.4619−4623.
- Алексеев П. А., Миньо Ж.-М., Нефедова Е. В., Немковский К. С., Лазуков В. Н., Садиков И. П., Очиай А. «Природа спектра магнитных возбуждений (Sm, Y) S: эффекты КЭП или экситон?» Письма в ЖЭТФ, 2004, т.79, в.2, с.92−96.
- Batlogg В., Kaldis Е., Schlegel A., Wachter P. «Electronic structure of Sm monosulfides» Phys. Rev. В 1976, v.14, n.12, p.5503−5514.
- Cavalleri A, Chong H H W, Fourmaux S, Glover T E, Heimann P A, Kieffer J C,
- Mun В S, Padmore H A, Schoenlein R W «Picosecond soft X-ray absorptionmeasurement of the photoinduced insulator-to-metal transition in V02» Phys. Rev. B, 2004, v.69,p.l53106−153 109.
- Cavalleri A, Dekorsy Th., Chong H. H. W., Kieffer J. C., Schoenlein R. W. «Evidence for a structurally-driven insulator-to-metal transition in V02: A view from the ultrafast timescale» Phys. Rev. B 2004, v.70, p. l61102−161 105.
- Petrov G. I., Yakovlev V. V., Squier J. A. «Nonlinear optical microscopy analysis of ultrafast phase transformation in vanadium dioxide» Optics Lett. 2002, v.27, n.8, p.655−657.
- Sundaram S. K., Mazur E. «Inducing and probing non-thermal transitions in semiconductors using femtosecond laser pulses» Nature Materials 2002, v.l, p.217−224.
- Koshihara S., Ogawa Y., Ishikawa T., Takesada M., Oiwa A., Munekata H., Komori T., Yoshino J. «Photo-induced phase transitions in organic and inorganic materials» Current Applied Physics 2001, v.l, n. l, p.21−29.
- Nasu K., Ping H., Mizouchi H. «Photoinduced structural phase transitions and their dynamics» J. Phys.: Condens. Matter 2001, v. 13, n.35, p. R693-R721.
- Bennemann K. H. «Ultrafast dynamics in solids» J. Phys< Condens. Matter, 2004, v. 16, n.30, p. R995-R1056.
- Koopmans B., van Kampen M., de Jonge W. J. M. «Experimental access to femtosecond spin dynamics» J. Phys.: Condens. Matter 2003, v.15, p. S723-S736.
- Sokolowski-Tinten K., Bialkowski J, Boing M., Cavalleri A., von der Linde D. «Thermal and non-thermal melting of gallium arsenide after femtosecond laser excitation» Phys. Rev. B., 1998, v.58, n.18, p. Rl 1805-R11808.
- Zeiger H. J., Cheng T. K., Ippen E. P., Vidal J., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. «Femtosecond studies of the phase transition in Ti2C>3» Phys^ Rev. B 1996, v.54, n. l, p.105−123.
- Callan J. P., Kim A. M.-T., Roeser C. A. D., Mazur E. «Universal dynamics during and after ultrafast laser-induced semiconductor-to-metal transitions» Phys. Rev. В 2001, v.64, p.73 201−73 204.
- Мисочко О. В., Кайдашев Е. М., Георгиев Н., Декорси Т., Захарченко И. Н.
- Времяразрешеииое оптическое исследование перехода парамагнитныйдиэлектрик ферромагнитный металл в ЬаолСао. зМпОз» ЖЭТФ, 2003, т. 124, в.4(10), с.878−885.
- Mertelj Т., Mihailovic D., Jaglicic Z., Bosak A. A., Gorbenko O. Yu., Kaul A. R. «Ultrafast photoinduced reflectivity transients in (Ndo.5Sr0.5)Mn03» Phys. Rev. B, 2003, v.68, p.125 112−125 118. <
- Sambi M., Sangiovanni G., Granozzi G. «Growth and the structure of epitaxial V02 at the Ti02(l 10) surface» Phys. Rev. В 1997, v.55, n.12, p.7850−7858.
- Бугаев А. А., Гаврилюк А. И., Гурьянов А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. «Метастабильная металлическая фаза в пленках двуокиси ванадия» Письма в ЖТФ, 1978, т.4, в.2, с.65−69.
- Копаев Ю. В., Мокеров В. П. «Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана». ДАН, 1982, т.264, N6, с.1370−1376.
- Горячев Е. Г., Овчинников С. Г. «Электрические и магнитные свойства фаз Магнели V"Oni» ФТТ, 1978, т.20, N7, с.2201−2209.
- Chakraverty В. К. «Metal-insulator transition: nucleation of a conducting phase in amorphous semiconductors», J. Non-Cryst. Solids 1970, v.3, p.317−326.
- Gildart L. «Bistable switching and the Mott transition» J.{Non-Cryst. Solids 1970, v.2, p.240−249.i
- Mattis D. С. «Observation of dynamic Mott transition» /. Non-Cryst. Solids, 1970, v.4, p.536- idem, Phys. Rev. Lett, 1969, v.22, p.936.
- Криве И. В., Рожавский А. С. «Квазиодномерный паиерлсовский изолятор в постоянном электрическом поле» ЖЭТФ 1981, т.81, в.5(11), с.1811−1826.
- Taylor А. P., MacKinnon A. «The metal-insulator transition in disordered systems: a new approach to the critical behaviour» J. Phys.: Condens. Matter, 2002, v. 14, p.8663−8675.
- Abboudy S «A quasi-universal percolation approach of hopping activation energy and metal-nonmetal transition in semiconductors» PhysicaB, 1995, v.212, p.175−179.
- Seo S., Lee M. J., Seo D. H. et al «Reproducible resistance switching in polycrystalline NiO films''^/. Phys. Lett. 2004, v.85, n.23,
- Fogle W., Perlstein J. H. «Semiconductor-to-metal transition in the blue potassium molybdenum bronze K0.3M0O3- example of a possible excitonic insulator» Phys. Rev. В 1972, v.6, n.4, p.1402−1412.
- Ogawa N., Shiraga A., Kondo R., Kagoshima S., Miyano K. «Photocontrol of Dynamic Phase Transition in the Charge-Density Wave Material K0.3M0O3» Phys. Rev. Lett. 2001, v.87, p.256 401.
- Ogawa N., Miyano K. «Charge-density wave as an electro-optical switch and memory» Appl Phys. Lett., 2002, v.80, n.17, p.3225−3227.
- Sun J. R., Gao J., Kang L. «State switching in Bi-doper Lao.67Cao.33Mn03 and the effect of current» Appl. Phys. Lett., 2002, v.81, n.3, p.508−510.
- Камилов И. К., Алиев К. М., Ибрагимов1 X. О., Абакарова. Н. С. «N-образная
- ВАХ и колебания тока в манганите Smi. xSrxMn03» Письма в ЖЭТФ, 2003, т.78,в.8, с.957−959.
- Oshima Н., Miyano К., Konishi Y., Kawasaki М., Tokura Y. «Switching behavior of epitaxial perovskite manganite thin films» Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, n.10, p.1473−1475.
- Li Q., Gray К. E., Berger A., Mitchell J. F. «Electronically driven first-order metal-insulator transition in layered manganite Lai^Sr! 96Mn207 single crystals» Phys. Rev. B, 2003, v.67, p. 184 426−184 433.
- Каминский В. В., Казанин М. М., Соловьев С. М., Ша^енкова Н. В., Володин Н. М. «Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок сульфида самария» ФТП 2006, т.40, в.6, с.672−675.
- Sachdev S., Sengupta К., Girvin S. М. «Mott transition in strong electric field» Phys. Rev. B, 2002, v.66, p.75 128−75 144.
- Inoue I. H. «Electrostatic carrier doping to perovskite transition-metal oxides» Semicond. Sci. Techno!.2005, v.20, No 4, p. Sl 12-S120.
- Zhou C., Newns D. M., Misewich J. A., Pattnaik P. C. «A field effect transistor based on the Mott transition in a molecular layer» Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, n.5, p.598−600. <
- Cepas O., McKenzie R. H. «Electric-field-induced Mott insulating states in organic field-effect transistors» Phys. Rev. B, 2002, v.66, p.214 528−214 537.
- Pokutnyi S. I., Туе M. H., Salejda W., Misiewicz J. «Two-dimensional Wannier-Mott exciton in a uniform electric field» ФТТ, 2001, т.43, в.5- c.888−891.
- Jerominek H., Picard F., Vincent D. «Vanadium oxide films for optical switching and detection», Optical Engineering 1993, v.32, n.9, p.2092−2099.
- McDonald D. J. «Superconducting electronics» Phys. Today, Feb. 1981, p.37-idem et. al., IEEE Trans. Electron. Devices, 1980, v. ED-27, p. 194^,
- Likharev K. «Superconductor Devices for Ultrafast Computing». In H. Weinstock, ed., Applications of Superconductivity. Kluwer, Dordrecht, 1999- (http://rsfql.physics.sunysb.edu/~likharev/personal/Worlds.pdQ.
- Keyes R. W. «The future of the transistor». Sci. American-(Spec. Issue: Solid State Century) 1998, v.8, n. l, p.46−52.
- Ramirez A. P. «Oxide Electronics Emerge» Science 2007, V. 315. no. 5817, p. 1377- 1378.
- Kwok K. S., Ellenbogen J. C. «Moletronics: future electronics» Materials Today, 2002, v.5, n.2, p.28.
- Rajendrakumar R. T., Karunagaran B., Mangalaraj D., Narayandass S. K., Manoravi P., Joseph M., Gopal V. «Study of a pulsed laser deposited vanadium oxide based micro-bolometer array» Smart Mater. Struct. 2003, v.12, p.188.
- Chen C., Yi X., Zhao X., Xiong B. «Characterizations of V02-based uncooled microbolometer linear array» Sensors and Actuators A: Physical 2001, v.90, n.3, p.212.
- Rozen J., Lopez R., Haglund (Jr.) R. F., Feldman L. C. «Two-dimensional current percolation in nanocrystalline vanadium dioxide films» Appl. Phys. Lett. 2006, v. 8 8, p.81 902−81 904.
- Wood R. A. «Use of vanadium oxide in microbolometer sensors». United States Patent 5,450,053 (1995).
- Grossman E. N., Reintsema C. D. «Method and apparatus for bias and readout of bolometers operated on a hysteretic metal-insulator transition» United States Patent 6,323,486(2001).
- Zheludev N. I., Richardson D. J., Dhanjal S. «Apparatus providing variablereflectivity to electromagnetic radiation» United States Patent 6,304,362 (2001).
- De Almeida L. A. L., Deep G. S., Lima A. M. N., Neff H. «Thermal dynamics of V02 films within the metal-insulator transition: Evidence for chaos near percolation threshold» Appl. Phys. Lett. 2000, v.77, n.26, p.4365−4367.
- Климов В. А., Тимофеева И. О., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б., Ильинский А. В, Сильва-Андраде Ф. «Трансформация параметров фазового перехода полупроводник-металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия» ФТП, 2003, т.37, в.4, с. З88−392.
- Valmalette J.-C., Gavarri J.-R. «High efficiency thermochromic V02® resulting from the irreversible transformation of V02(B)» Mater. Sci. Engin. B, 1998, v.54, p.168−173.
- Howard W. E. «Light-emitting organic materials offer brighter and more efficient displays than LEDs» Scientific American, 2004, n.2, p.64−69 я
- Scott J. C. «Is There an Immortal Memory?» Science, 2004, v.304, n.5667, p.62−63.
- Szot K., Speier W., Bihlmayer G., Waser R. «Switching the electrical resistance of individual dislocations in single-crystalline SrTi03» Naturg Materials, 2006, v.5, p.312−320.
- Kim D. C., Seo S., Ahn S. E. «Electrical observations of filamentary conduction for the resistive memory switching in NiO films» Appl. Phys/ Lett. 2006, v.88, p.202 102.
- Auciello O., Scott J. F., Ramesh R. «The physics of ferroelectric memory» Phys. Today, 1998, v.51, n.7, p.22−27.
- Al-Ramadhan F. A. S., Hogarth C. A. «Observation and compositional studies ofthe metallic conducting filaments in the ON-state of Si0/V205 thin films used asmemory elements» J. Mater. Sci. 1984, v. 19, p. 1939−1946.
- Redaelli A., Pirovano A., Pellizzer F., Lacaita A. L., Ielmini D., Bez R. «Electronic Switching Effect and Phase-Change Transition in Chalcogenide
- Materials» IEEE Electron Dev. Lett. 2004, v.25, N 10, p.684−686.
- Елинсон В. М., Покалякин В. И., Савицкая Я. С., Чугунова М. Е. «Переключение с «памятью» в гетероструктуре кремний-двуокись ванадия» ЖЭТФ, 1981,, т.81б с. 420 422.
- Busch-Vishniac I. J. «Trends in electromechanical transduction» Phys. Today 1998, v.51, n.17, p .28−34.
- Гордов A. H., Жагулло О. M., Иванова А. Г. Основы температурных измерений, М.: Энергоатомиздат, 1992. 303 с.
- Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM PC / Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера (пер. с англ.) М.: Мир, 1992. — 592 с.
- Гаман В. И., Дробот П. Н. «Термочувствительный элемент с частотным выходом на основе кремниевого осциллистора» Изв. ВУЗов. Физика, 1995, в.2, с.48−53.
- Моряков О. С., Вихров С. А. «Методы и средства измерения температуры в полупроводниковом производстве» Обзоры по электронной технике. Сер.2. М.: ЦНИИ «Электроника», 1987, вып. 4 38 с.
- Pescini L., Lorenz Н., Blick R. Н. «Mechanical gating of coupled nanoelectromechanical resonators operating at radio frequency». Appl. Phys. Lett., 2003, v.82, n.3, p352−354. .
- Van Zant P. Microchip Fabrication. 3rd ed. New York: McGraw-Hill Companies, 1997. -P.623.
- Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронныхприборов / Под ред. Дж.Р. Брюэра. (пер.с англ). М.: Радио и связь, 1984. — 343 301 ' '
- Никулин Е. И., Чудновский Ф. А., Шадрин Е. Б., Мясников Д. А. «Влияниеэлектронной бомбардировки на проводимость пленок УОг» ЖТФ, 1988, т.58, в. 12, с.2411−2413.