Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов соединений А3В5, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Диссертация
Узкозонные твердые растворы А3 В?\, 2, изопериодные подложкам 1п8Ь, 1пАз и ваБЬ, перспективны в качестве высокочувствительной базы фотодетекторов в инфракрасной области спектра. Широкозонные гетероструктуры на основе арсенида-фосфида галлия необходимы для создания высокоэффективных оптоэлектронных приборов, работающих в видимом диапазоне. В тоже время существующие методы получения… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
- 1. 1. Многокомпонентные твердые растворы на основе 1п8Ь, ваБЬ, 1пА и ваР
- 1. 2. Эпитаксиальные структуры, полученные с использованием висмута в качестве растворителя
- 1. 3. Легирование твердых растворов на основе соединений, А В висмутом
- 1. 4. Твердые растворы замещения на основе соединений А3 В с участием висмута
- 1. 5. Постановка задачи исследования
- ВЫВОДЫ
- ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ РАВНОВЕСИЙ В ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ А3В
- 2. 1. Закономерности изменения основных свойств твердых растворов замещения на основе соединений А3В
- 2. 2. Термодинамическое описание фазовых диаграмм изоморфных многокомпонентных твердых растворов (МТР)
- 2. 3. Определение термодинамических параметров для анализа висмутсодержащих МТР
- 2. 4. Анализ фазовых равновесий в висмутсодержащих гетеросистемах на примере систем 1п-Аз-8Ь-В1 и Оа-1п-Аз-8Ь-В
- 2. 5. Термодинамические ограничения и устойчивость висмутсодержащих МТР
- 2. 6. Ограничение по плавкости
- ВЫВОДЫ
- ГЛАВА 3. ТЕХНИКА ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ Вь
- СОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУРЫ
- 3. 1. Аппаратурное оформление ЗПГТ и специального оборудования для анализа кинетики роста полупроводниковых гетероструктур
- 3. 2. Анализ существующих и разработка новых технологических кассет для получения пленочных и многослойных гетероструктур
- 3. 3. Формирование транспортных раствор-расплавных зон, подготовка исходных материалов и гетерокомпозиций
- 3. 4. Анализ источников погрешностей эксперимента
- ВЫВОДЫ
- ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ РОСТА МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ Bi-СОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
- 4. 1. Морфология эпитаксиальных слоев Bi-содержащих гетероструктур
- 4. 2. Зависимости кинетических характеристик от геометрических, термодинамических параметров и состава жидкой зоны
- 4. 3. Влияние высокотемпературного отжига жидкой зоны на скорость ее движения
- 4. 4. Распределение компонентов в твердых растворах GaAsxPi"x
- 4. 5. Особенности кристаллизации, структурное совершенство и состав 140 МТР InAsSbBi/InSb, InGaAsSbBi/InSb и InGaAs tfnAs
- ВЫВОДЫ
- ГЛАВА 5. СВОЙСТВА ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И ПУТИ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ В ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
- 5. 1. Расчет спектров поглощения и отражения многослойных Bi-содержащих гетероструктур
- 5. 2. Расчет зависимости ширины запретной зоны от состава многокомпонентных висмутсодержащих твердых растворов на основе соединений А3В
- 5. 3. Фотодетекторы на основе многослойных гетероструктур InSbi. xBix/InSb и светоизлучающие диоды на основе 165 пленок GaAs,.xPx/GaP
- 5. 4. Электрофизические и фотолюминесцентные характеристики многослойных гетероструктур InSbi. xBix/InSb и GaSbj. xBix/GaSb
- 5. 5. Анализ спектров фоточувствительности датчиков ИК излучения с помощью искусственных нейросетей
- ВЫВОДЫ
Список литературы
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AIIIBV. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: издательство РГУ, 1992.
- Марончук И.Е., Шутов С. В., Кулюткина Т. Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута//Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. т.31, № 12., С.1520−1522.
- Акчурин Р.Х., Жегалин В. А., Сахарова Т. В., Серегин С. В. Получение многослойныхгетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмутида индия методом «капиллярной» жидкофазной эпитаксии. Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № 7. С. 51−55.
- Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent system. III.-«Phys.Rev.», B, 1973, vol. 7, p. 1479.
- Кузнецов B.B., Москвин П. П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. 1991. 176 с.
- Акчурин Р.Х., Акимов О.Я//Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры
- Asi.x-ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров // ФТП, 1995, т. 29, вып. 2, с. 362−369.
- Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К. Д. и др. Получение твердых растворов
- GaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs // ЖПХ. -1994.Т. 67. В12. С.1951 1956.
- Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent system. I.-«Phys.Rev.», 1969, vol. 182, p.891.
- Акчурин P.X., Сахарова Т.В.//Получение узкозонных твердых растворов InAsi.x.ySbx
- Biy методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1992, Т. 18. В.10. С. 16−20.
- Зиновьев В.Г., Моргун А. И., Уфимцев В. Б. Поведение висмута в эпитаксиальных слоях GaSb // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1993. Т.29. № 2. С.177−180.
- Уфимцев В.Б., Зиновьев В. Г., Раухман М.Р.//Гетерогенные равновесия в системе In-Sb-Bi и жидкофазная эпитаксия твердых растворов на основе InSb // Известия АН СССР. Неорганические материалы, т. 15, № 10,1979, с. 1740−1743.
- KJeganathan, S. Saravanan, P. Ramasamy, J.Kumar. Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga-As-Bi meMJournal of Crystal Growth 200 (1999). P. 341−347.
- Hwa-MokKim, Jae-Nyeon Leem, Tae-Won Kang. Gao.97Mn0.03As epitaxial layers grown from Ga-Mn-As-Bi solutions by liquid-phase epitaxy//Materials Letters 52 (2002). P. 43−46.
- Gladkov P., Monova E" Weber J. Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi melts. // J. Cryst. Growth. 146. (1995). Pp.319−325.
- Osbourn G.C. J. Vac. Sci. Technol. Bl, 2, 379 (1983).
- RogalskiA. InAsi-xSbx Infrared Detectors // Prog. Quant. Electr. 1989. V.13. P. 191−231.
- G.C.Osborn. J. Appl. Phys., 53,158a6 (1982).
- Hilsum C. Rees H. D. Tree — level accillator: a new for of transferred — electron device. Electron letters, 1970, V. 6. № 9. P. 277 278.
- А.Берг, П. Дин. Светодиоды. Пер. с англ. Под ред. А. Э. Юновича. М.: Мир, 1979.
- Максимов С.К. Формирование диссипативных структур при кристаллизации эпитаксиальных слоев многокомпонентных соединений A1 Bv и аморфных пленок Ta-Si Кристаллография. 1994. Т.39. № 2. С. 315−321.
- Стрельченко С.С., Лебедев В. В. Соединения АЗВ5: Справочник. М: Металлургия, 1984. — 144 с.
- Долгинов JI.M., Дружинина JI.B., Мильвидский М. Г. и др. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов соединений АЗВ5// Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 240.
- Долгинов Л.М., Елисеев П. Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. М.: Итоги науки и техники, серия радиотехника, 1980. — С. 3−116.
- Лунин Л.С., Лунина ОД., Сысоев И. А. и др. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 в фотоэлектронике// Тез. Докл. II Всесоюзн. Науч. Конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 196−197.
- Kawanishi Н, Suzuki Г. Liquid phase epitaxial growth of A1ZGai ZXInxAsyP i y pentanary on (100) GaAs substrate using two-phase solution technique. Appl. Phys. Lett., 1984, V.45, № 5, P. 560−562.
- Лозовский B.H., Лунин Л. С., Аскарян Т. А. Физико-химические равновесия в пятикомпонентных полупроводниковых системах из соединений A3 В 5// Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1989, — Т.25, № 11 — с. 1778−1786.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Благин A.B. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. — Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003.376 е.: ил.
- Кузнецов В.В., Лунин Л. С., Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АЗВ5- Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 е.: ил.
- Лунин Л.С., Лунина ОД., Сысоев И. А. и др. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 в фотоэлектронике// Тез. Докл. П Всесоюзн. Науч. Конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 196−197.
- Лунин Л.С., Аскарян Т.А, Овчинников В. А. Исследование полупроводниковых гетероструктур InAlGaAsSb/GaSb // Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. Науки. 1991. № з. с. 39−43.
- Лунин Л.С., Овчинников В. А., Гапоненко В. Н. Выращивание пятикомпонентных твердых растворов на подложках антимонида галлия.// Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. Сб., НПИ, 1991. С. 77−85.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Лунина ОД., Овчинников В. А., Аскарян Т.А, Сысоев И. А. Выращивание пяти- и шестикомпонентных твердых растворов АЗВ5 в поле температурного градиента//Тез. докл. конф. по электронным материалам. Новосибирск, 1992. С. 103−104.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Казаков В. В., Шевченко А. Г. Физико-химические основы технологии на основе соединений АЗВ5. Тез. докл российской науч.-техн. конф. Технол. процессы и материалы приборостроения и микроэлектроники. Москва, 1994. С. 7.
- Лунин Л.С., Овчинников В. А., Благин A.B. Получение и исследование пятикомпонентных гетероструктур InGaAsSbBi на подложках антимонида индия. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996.-С. 30−34.
- Ратушный В.И., Благин A.B. Фотоприемники дальней ИК области на основе гетероструктур InGaAsSbBi/InSb, полученных из жидкой фазы в поле температурного градиента//Тр. докл. Третьей Всерос. Конф. с междунар. участием, Таганрог, 1996. С. 26.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т. В., Тарасов A.B., Уфимцев В. Б. Эпитаксиальный рост InAsi-x.y SbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов // Изв. РАН. Неорганическиематериалы. Т.28. 1992. С.502−506.
- Акчурин Р.Х., Зиновьев В. Г., Кузьмичева Г. М., Уфимцев В. Б. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях ЖФЭ // Кристаллография. 1982. Т.27. Вып. 3. С. 561−565.
- Марьев В.Б. Зонная плавка с градиентом температуры в системах GaP и GaAsP:
- Дис. .канд. ф.-м. наук, Новочеркасск, 1974.
- Хансен М., Андерко К Структуры двойных сплавов. Т.П. М., Металлургиздат, 1962,910 с.
- Rao М. V., Tiller W. A. The system In-Ga: thermodynamics and computed phase equilibria. J. Mater. Sei, 1972, V. 7, № 1, p. и -18.
- Милъвидский М.Г., Пелевин O.B., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., «Металлургия», 1974. 41 с.
- Blom G. М., Plaskett Т. S. Indium gallium — antimony ternary phase diagram. J. Electrochem. Soc., 1971, V. 118, № 11, P. 1831 -1834.
- Гаврилюк Ю.Н., Барба В. И., Круковский С. И. и др.//Тез. докл. V Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Калуга, 1990. Т. 1.1. С. 167−168.
- Андреев В.М., Конников С. Г., Ларионов В. Р. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 5. С. 533−537.
- Андреев В.М., Минтаиров A.M., Смекалин К. Е. и др.// Тез. докл. V Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Калуга, 1990. Т. II. С. 27−28.
- В.П.Кладъко, Г. Н. Семенов, Т. Г. Крыштаб, С. И. Круковский. Слои AlxGai. xAs в системе Ga-Bi-A 1 -GaAsZ/ЖТФ. Т. 64, Вып. 5. 1994.
- Fujimoto III Jap. J. Appl. Phys. 1984. Vol. 23. № 5. P. L287-L289.
- Krukovski S., Bobitski Ya. V. // Cryst. Growth. Pt 2. Trans, Tech. Publ. Switzerland -Germany-USA, 1991. P. 369−379.
- Якушева H.A., Чикичев С. И. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. № 10. С. 1607−1609.
- Lideikis Т., Freideris G. // J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 96. N 5. P. 790−794.
- Бирюлин Ю.Ф., Воробьева B.B., Голубев В. Г. и др. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 12. С. 2201−2209.
- Nishizawa J., Оуата Y" Tadano Н. et al. Observations of defects in LPE GaAs Revealed by New Chemical Etchant//J. Crist Growth. 1979.V.47.№ 3.P.434−436.
- Литвин А.А., Марончук И. Е. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев из органического объема раствора-расплава//Кристаллография. 1997.Т.22.№ 2.С.425−428.
- Марончук Ю.Е., Рудая Н. С., Якушева Н. А. Кратковременная жидкофазная эпитаксия арсенида галлия из висмутового расплава//Изв. АН СССР. Неорган, материалы.1986.T.22.№ 3.C.367−370.
- Вальковская М.И., Пушкаш Б. М., Марончук Э. Е. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. Кишинев: Штиница, 1984.С.107.
- Маллинз В., Секерка Р. Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации разбавленного бинарного сплава//Проблемы роста кристаллов. М.:Мир, 1968.С.406−426.
- Литвак A.M., Чарыков Н. А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1991. Т.27. № 2. С.225−230.
- Казаков А.И., Мокрицкий В. А., Романенко В. Н., ХитоваЛ. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. -М.: Металлургия, 1987.
- Френкель Я. К Кинетическая теория жидкостей. / Собр. избран, тр. JI.: Наука, 1975.
- Чалмерс Б. Теория затвердевания. / пер. с англ. В. А. Алексеева, под ред. д.т.н.
- М.В. Приданцева. — М.: Металлургия, 1968.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т. В., Жегалин В. А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi-x-ySbxBiy/InSb методом ЖФЭ// Известия РАН. Неорганические материалы, 1995. Т. 31, № 11, с. 1434−1436.
- Физико-химические свойства элементов. Справочник/под ред. чл.-корр. АН УССР Г. В. Самсонова. Киев: Наукова думка, 1985. 806 с.
- Глазов В. М, Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники.1. М.: Наука, 1967.
- Волошин А.Э., Вермке А., и др. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твёрдого раствора, образующегося в слоях InSb //Изв. РАН. Неорганические материалы. 1991.1.21. № 3. С.451156.
- Orders P.J., Usher B.F. Determination of critical layer thickness in InxGaj. xAs/GaAs heterostructures by X-ray diffraction. // Appl. Phys. Lett. 1987. V.50. № 15. P.980−982.
- Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т.32. № 1. С. 3−19.
- Фальковский JT.A. Физические свойства висмута. // УФН. 1968. Т.94. № 1. С. 3—41.
- Акчурин Р.Х., Комаров Д. В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии. I. Теоретические аспекты проблемы и расчетная модель. // ЖТФ. 1997. Т.67. № 7. С.42−50.
- Дейбук В. Г" ВаклюкЯ. К, Раренко И. М. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi// ФТП. 1999. Т.ЗЗ. Вып.З. С.289−292.
- Lee J. J., KimJ.D., Razeghi M. Room temperature operation of 8−12 jjm InSbBi infrared photodetectors on GaAs substrates//J.Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. № 5. P.30.
- Wu M.C. and Chen C.C. J. Applied Phys. 72, 9 (1992) 4275−4280.
- Coderre W.M., WoolleyJ.C. Canadian J. of Appl. Phys. 47. 1969. № 22, P. 2553−2564.
- Миргаловская M.C., Стрельникова И. А., Тимошин A.C., Уфимцев В.Б. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. 4.2. Новосибирск: Наука, 1975, с. 196−200.
- Евгеньев С.Б. Тепловые эффекты фазовых превращений в системах Ga—Sb—Bi и In— Sb—Bi//H3B. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1988. Т.24. № 4. С. 877−879.
- G.C.Osborn. J.Vac. Sci. Technol. B2,176 (1984).
- Акчурин P.X., Жегалин В. А., Сахарова T.B. Анализ фазовых равновесий в системе 1п-As-Sb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворов InAsi.x.ySbxBiy // Изв. вузов. Сер.Цв. Металлургия. 1995. № 7.
- Clusters of atoms and molecules. // Springer Series in Chemical Physics, Berlin, Heidelberg, Springer Verlag, 1994. V.52.
- В.Г. Дейбук, Я. И Виклюк, И. М. Раренко. ФТП, 33, 289 (1998).
- Jean-Louis A.M., Ayrault В., Vargas J. Properiete des alliages InSbi. xBix// Phys. St. Sol. 1969. V.34.P.341.
- Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г. Дефектообразование в твердых растворах InAsj.xSbx//Известия РАН. Неорганические материалы. 1995. Т. 31. 3. С.304−307.
- Kurtz S.R., Dawson L.R., Zipperian Т.Е. and Whaley R.D. II High-detectivity (1*1010 cm Hz/W) InAsSb strained-layer superlattice photovoltaic infrared detector // IEEE Electron Device Lett. 1990, v. 11, N 1, p. 54−56.
- Osbourn G.C. J. Vac. Sci. Technol. B2,2, 176 (1984).
- КурнаковН.С. Введение в физико-химический анализ. М.: — JL: Изд-во АН СССР, 1990.-420 с.
- Глазов В.М., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники. М. Наука, 1967.
- Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. М. Мир 1977
- ВолА.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М: Физматгиз, 1962
- ПолингЛ. Общая химия М. Мир, 1974
- Хансен М&bdquo- Андерко К. Структуры двойных сплавов. T. l М.: Металлургиздат, 1962.608 с.
- Py6ifoe Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов В. В. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов А3 В. // ЖФХ. 1997.Т.71.1. З.С. 415−420.
- Рубцов Э.Р., Кузнецов В. В., Лебедев О. А. Фазовые равновесия пятерных систем из А3В5 // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1998. — т.34. — № 5. — с. 525 — 530.
- Селин А.А., Ханин В. А. Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз в многокомпонентных полупроводниковых системах // ЖФХ. 1979.Т. 53.11. С. 2734−2740.
- Урусов B.C. Энергетическая кристаллохимия. М., Наука, 1975.
- Phillips J.C. Dielectric definition of electronegativity//Phys.Rev.Lett. 1968. V.20.P.550.
- Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent system. II.-Phys.Rev. 1969. V. 187. P.1007.
- Кузнецов В.В. Исследование процессов эпитаксии фосфида галлия и твердых растворов на его основе с использованием изовалентных растворителей. Дис. .канд. ф.-м. наук, Ленинград, 1979
- Панши М.Б., Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V/ Материалы для оптоэлектроники, М.: Мир, 1976. С. 39 — 92.
- Stringfellow G.B.Hhoi Crystal Grow. -1974, v. 27, р.21/
- Martha F. Berding, A. Sher, andA.-B. Chen Structural Properties of Bismuth-bearing Semiconductor Alloys / NASA Contractor Report 4030 /Contract NAS1−18 180, December1986. 38 p.
- DeWinter J.C., PollackM.A. Liquidus measurement of Ga-Sb and In-As in the 375−650°C// J. Appl. Phys. 1986.V. 59. № 10. P. 3593 3595.
- Баранов A.H., Кузнецов B.B., Яковлев Ю. П. и др. Жидкофазная эпитаксия изопериодических гетероструктур GaxIni .хAsySb iу/GaSbZ/Известия АН СССР. Неорган, материалы. 1991. Т. 27. № 4. С. 684 687.
- Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968. 314с. m.J.M.Cahn, Acta Met. 10, 907,1962.
- Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.1. Наука, 1974.-384 с
- Bhattacharya Р.К., Strinivasa S. The role of lattice strain in the phase equilibria of III-V ternary and quaternary semiconductors// J.Appl.Phys. 1983/.V.54. № 9. P.5090−5095.
- Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III/V phase diagrams//J. of Crystal Growth 1974. V. 27. P.21−37.
- F.C. Larche and.M. Cahn, Acta Met. 26, 1579, 1978.
- Meijering J.L. Segregation in regular ternary solutions // Philips research reports. 1950. V. 5. №.5. P. 333−356.
- B.C. Сорокин, Э.Р. Py6ijoe/Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3 В // Известия РАН Неорг. материалы. 1993. Т. 29. № 1. С. 28 32.
- Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К. Д. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs/zOKHX. 1994. Т. 67. В.12. С. 1951 1956.
- Баранов А.Н., Гусейнов A.A., Литвак A.M. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb, изопериодных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ. 1990. -т. 16. — № 5. — с. 33 — 38.
- Благина Л. В. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AlInSbBi и AlGalnSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2001.
- Алфимова Д.Л. Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3В5, полученные в поле температурного градиента. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2000.
- Труфманов А.П. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов А3 В и А4В6, формируемых в поле температурного градиента. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2001.
- Севостьянов A.C. Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb и GaInSb для инжекционных излучателей ИК-диапазона. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2005.
- Shaw D. W. Inst, of Phisics, Bristol. Inst. Phis. Conf. Ser. 1982, № 7, p. 50.
- Григорьянц А.Г., Соколов A.A. Лазерная обработка неметаллических материалов.-М.: Высшая школа, 1988. 156с.
- Попов В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: Автореф. дис.. докт. техн. наук. Новочеркасск, 1987.
- Уманский В.Е. Исследование деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений AmBv с помощью электронного зонда: Автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук. Л., 1983.
- Андреев В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкофазная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. — М.: Советское радио. — 1975. 327 с.
- Уфимцев В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. — М.: Металлургия. 1983. — 222 с.
- Ethels R.D., Grinbergl, Nudd G.R. Development of a three dimensional circuit integration and computer architecture//Proc. SPIE., 1981. V. 282. № 1. P. 64−72.
- Lozovski V.N., Popov V.P. Temperature gradient zone melting//Prog. Cryst. Growth Charact. 1983. — V.6, № 1. — P. l — 23.
- Концевой Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов 3.A. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. — 1982. — 240 с.
- Справочник по электротехническим материалам/Под ред. Ю. В. Корицкого,
- B.В.Пасынкова, Б. М. Тареева. Т. 3. Л., Энергоатомиздат. — 1988. — 726 с.
- Finch A. J, Quarreil A.C./IProc. Phys. Soc. L. — 1934. — V. 48. — P. 148.
- Леденцов H.H., Устинов В. М., Щукин В. А. и др. 1998. Т.32, № 4.1. C. 385−407.
- Ван-дер-Мерве Дж. AV/Монокристаллические пленки: Сб. статей. -М.:Мир. 1966. С. 172−201.
- Благин A.B. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных гетеросистемах на основе антимонида индия: Автореф. дис. .канд. техн. наук. Новочеркасск, 1996.
- Кукушкин С.А., Осипов A.B. Рост, структура и морфологическая устойчивость зародышей, растущих из расплавов эвтектического состава. // ФТТ. 1997. Т.39. № 8. С. 1464−1469.
- Слезов В.В., Шмелъцер Ю.И Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава//ФТТ. 2001. Т.43. Вып.б. С.1101— 1109.
- Павлов В.В. О «кризисе» кинетической теории жидкости и затвердевания: (Необходимость изменения традиционной молекулярной модели жидкости и твердого тела)/ Урал. гос. горно-геол. акад. Екатеринбург: УТСТА, 1997. 391 с.
- Слезов В.В. Фазовые превращения в конденсированных средах при конечной скорости образования метастабильного состояния. // ФТТ. 2003. Т.45. Вып.2. С.317−320.
- Петухов Б.В. Кинетика распада метастабильных состояний разупорядоченной линейной системы // ФТТ. 1999. Т.41. Вып.11. С.1988−1993.
- Киреев Е.И. Исследование кинетики зонной плавки с градиентом температуры в системах кремний-золото, кремний-алюминий, кремний-алюминий-золото:
- Автореф. .дис. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1974.192 с.
- Благш A.B., Бараннж A.A., Киреев Е. И., Лунина M.JI. Особенности кинетики миграции жидких зон в процессах кристаллизации висмутсдержащих твердыхрастворов//Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. Науки. 2006. № 2. С. 55−58.
- Константинова Г. С., Лозовский В. Н. Метод зонной перекристаллизации для «получения твердых растворов электронной техники. Учебное пособие для студентов и аспирантов. Новочеркасск, изд-во НПИ, 1991.
- Бовин Л.Д., Александров C.B. Кинетика кристаллизации в двойных полупроводниковых системах. Санкт-Петебург-Киев. Наукова думка, 2002.216 с.
- Скрипов Н.П. Метастабильная жидкость. М., Наука, 1972.
- Попов А.И. Формирование структуры многокомпонентных твёрдых растворов замещения в гетеросистемах с резко различающимися ковалентными радиусами: Автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук. Ставрополь, 2004.
- Овчинников В.А. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InAlGaAsSb в поле температурного градиента: Автореф. дис. .канд. техн. наук. Новочеркасск, 1994.
- Лозовский В.Н., Маръев В. Б. Кинетика роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия при зонной перекристаллизации градиентом температуры // Изв. вузов. Физика. 1974. № 7. С.115−118.
- Кодин В.В. Получение варизонных твердых растворов InSbBi и InAsSbBi методом температурного градиента и исследование их свойств: Автореф. дис.. .канд. физ.-мат. наук. Ставрополь, 2004.
- Калинин A.A., Мшъвидский М. Г., Нуллер Т. А., Шленский Ф. Ф., Югова Т. Г. //Кристаллография. 1991. Т36. Вып.З. С.750−756.
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. М.: Наука, 1970.
- Лебедев В. К, Благин A.B., Драка O.E., Лунина М. Л. Расчет спектров отражения и пропускания многослойной структуры InSbi. xBix/InSb//M3B. вузов. Сев.- Кавк. регион. Техн. науки. 2004, спецвып., С. 63−64.
- Чесноков А.Д., Левченко Л. А. Электронные и оптические процессы в коллапсирующих квантово-размерных структурах и сверхрешетках/Тез. докл. Всесоюзн. конф. по физическим основам твердотельной электроники. Ленинград, 1989. ФТИ им. А. Ф. Иоффе. С. 230−231.
- Колмогоров А.Н. О представлении непрерывных функций нескольких переменных суперпозициями непрерывных функций меньшего числа переменных // Докл. АН СССР, том 108, с. 2,1956.
- Almeida L.B. A learning rule for asynchronous perceptrons with feedback in a combinatorial environment. Proc. 1st IEEE Intl. Conf. on Neural Networks, vol. 2, pp. 609 618, San Diego, CA, June 1987.
- Gilev S.E., Gorban A.N., Mirkes E.M. Several methods for acceleration the training process of neural networks in pattern recognition. USSR Academy of Sciences, Siberian Branch, Institute of Biophysics, Krasnoyarsk, 1990. Preprint N 146Б.