Способы уменьшения интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте
В сложной электромагнитной обстановке на входе усилителя могут оказаться помехи с уровнем, превышающим верхнюю границу динамического диапазона, ведущие к возникновению нелинейных эффектов в усилителях на НВТ. Однако на практике наблюдается высокая линейность усилителей на НВТ, не смотря на то, что зависимости тока базы и тока коллектора от напряжений база-эмиттер и база-коллектор… Читать ещё >
Содержание
- Список используемых сокращений
Глава 1. Анализ нелинейных эффектов, расчет и измерений характеристик ЭМС МШУ на биполярном транзисторе с гетеропереходом.
1.1. Анализ формирования нелинейных эффектов третьего порядка в МШУ на НВТ.
1.2. Расчет параметров эквивалентной схемы нелинейной модели НВТ с помощью модели Гуммеля — Пуна.
1.3. Моделирование и экспериментальное измерение ЭМС характеристик МШУ.
1.3.1. Схемы МШУ на биполярном транзисторе с гетеропереходом, линейные характеристики.
1.3.2. Характеристики блокирования и компрессии МШУ.
1.3.3. Интермодуляционные характеристики МШУ.
1.3.4. Выбор оптимальной по интермодуляционным характеристикам схемы смещения транзистора МШУ.
Глава 2. Уменьшение интермодуляционных искажений в перестраиваемых полосовых фильтрах.
2.1. Способы уменьшения интермодуляционных искажений.
2.2. Результаты моделирования и эксперимента.
2.3. Встречно-параллельные диоды в цепях управляющих напряжений.
Глава 3. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте.
3.1. Минимизация интермодуляционных продуктов входного тракта радиоприемника.
3.2. Смесители.
3.2.1. Балансный диодный смеситель.
3.2.2. Двойной балансный диодный смеситель.
3.2.3. Двойной балансный смеситель на полевых транзисторах.
3.2.4. Активный смеситель на SiGe НВТ.
3.3. Определение фазовых соотношений в тракте МШУ—смеситель.
3.4. Оптимизация структуры входного тракта радиоприёмника.
Глава 4. Автоматизированный измерительный комплекс.
4.1. Измерение АЧХ, коэффициента усиления.
4.2. Измерение характеристик блокирования и компрессии.
4.3. Измерение интермодуляционных характеристик.
4.4. Автоматизация измерений.
Список литературы
- Владимиров В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем / В. И. Владимиров, А. Л. Докторов, Ф. В. Елизаров М.: Радио и связь, 1985. — 272 с.
- Петровский В.И. ЭМС радиоэлектронных средств / В. И. Петровский, Ю. Е. Седельников -М.: Радио и связь, 1986. 216 с.
- Бабанов Ю.Н. Проблема взаимных помех при совместной работе радиосистем: Учебное пособие / Ю. Н. Бабанов, А. В. Силин ГГУ, 1975.
- Калашников Н.И. Основы расчёта электромагнитной совместимости систем связи через ИСЗ / Н. И. Калашников М.: Связь, 1970. — 160 с.
- Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приёмопередающем тракте аппаратуры связи на транзисторах / Э. Б. Грибов М.: Связь, 1971. — 264 с.
- Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи. Сост. Д.Р. Ж. Уайт. Вып.1. Общие вопросы ЭМС. Межсистемные помехи / Сокращ. пер. с англ. Под ред. А. И. Сапгира. М.: Сов. радио, 1977. — 352 с.
- Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств / А. Д. Князев М.: Радио и связь, 1984. — 336 с.
- Богданович Б.М. Радиоприемные устройства с большим динамическим диапазоном / Б. М. Богданович М.: Радио и связь, 1984. — 176 с.
- Шахнович И. Твердотельные СВЧ приборы и технологии. Невоспетые герои беспроводной революции. / И. Шахнович // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2005. — № 4. — С. 12−18.
- M. Rudolph. An HBT noise model valid up to transit frequency. / M. Rudolph, R. Doerner, L. Klapproth, P. Heymann // IEEE electron device letters. 1999. — vol. 20. -№ 1. — P. 24−26.
- James Chingwei Li. Predictive modeling of InGaP/GaAs HBT noise parameters from DC and SParameter data for wireless power amplifier design / James Chingwei Li, Peter J. Zampardi, and Van Pho // International conference ot compound semiconductor. 2003.
- Matthias Rudolph. The influence of microwave two-port noise on residual phase noise in GaAs-HBTs. / Matthias Rudolph, Peter Heymann. -34 European Microwave Conference. Amsterdam. — 2004. — P. 945 948.
- M. Rudolph. Noise modelling and measurements of GalnP/GaAs-HBT / M. Rudolph, R. Doerner, P. Heymann // International Workshop of the German IEEE MTT/AP Chapter «RF and Microwave Noise». 1996. -№ 10, — 7 p.
- Kenneth H. K. Yau. Modeling and extraction of SiGe HBT noise parameters from measured Y-Parameters and accounting for noise correlation. / Kenneth H. K. Yau, Sorin P. Voinigescu — Toronto. University of Toronto. — 2005. — 4 p.
- Qingqing Liang. Systematic analysis and optimization of broadband noise and linearity in silicon germanium heterojunction bipolar transistors / Qingqing Liang School of Electrical and Computer Engineering Georgia Institute of Technology, 2002. — 133 p.
- Xizhen Tian. Noise analysis of a photoreceiver using a P-I-N and GaAs HBT distributed amplifier combination / Xizhen Tian, A. P. Freundorfer, 1. ngis Roy // IEEE microwave and wireless components letters. — 2003. -vol. 43. -№ 13.-P. 208−210.
- Guofu Niu. Noise modeling and SiGe profile design tradeoffs for RF applications / Guofu Niu at all // IEEE transactions on electron devices. -2000.- vol. 47.-№ 11. P. 2037−2044.
- Голубев В. H. Эффективная избирательность радиоприемных устройств / В. Н. Голубев М.: Связь, 1978. — 240 с.
- Богданович Б. М. Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах / Б. М. Богданович М.: Связь, 1980. — 280 с.
- Голубев В. Н. Оптимизация главного тракта приема радиоприемного устройства / В. Н. Голубев. М.: Радио и связь, 1982. — 144 с.
- Бокк О.Ф. Предельные возможности линеаризации усилителей радиочастоты / О. Ф. Бокк // Радиотехника. 1976. — Т.31, № 6. — С. 6772.
- Бокк О.Ф. Динамический диапазон транзисторных каскадов радиоприемных устройств / О. Ф. Бокк, Э. Б. Грибов, В. П. Чернолихова // Радиотехника. 1974. — Т. 29. — С. 65−70.
- Челышев В.Д. Приемные радиоцентры: Основы теории и расчета высокочастотных трактов. / В. Д. Челышев М.: Связь, 1975. — 264 с.
- Хотунцев Ю.Л. Интермодуляционные искажения в приемных и передающих СВЧ полупроводниковых устройствах / Ю. Л. Хотунцев // Известия вузов. Радиоэлектроника. 1983. — № 10. — С. 28−38.
- Анисимов E.H. Нелинейный четырехполюсник при многочастотном воздействии / E.H. Анисимов // Радиотехника и электроника. 1988. -Т. XXXIII. — Вып.9 — С. 2003−2006.
- Моругин С.Л. Расчет нелинейных многочастотных режимов на биполярных транзисторах / С. Л. Моругин, М. В. Ширяев // Радиотехника. -1988.-№ 7.-С. 22−23.
- Бирюк H.Д. Анализ нелинейных радиоцепей итерациями на основе метода комплексных амплитуд / Н. Д. Бирюк, В. Н. Дамгов // Радиотехника и электроника. 1993. — Т. 38. — Вып. З — С. 481−486.
- Rhyne G.W. Analysis of nonlinear circuits driven by multi-tone signals using generalized power series / G.W. Rhyne, M.B. Steer, B.D. Bates // IEEE MTT-S Int. Symp. Circuits System Digest, N.Y. -1987. P. 903−906.
- Gilmore R.J. Circuit design to reduce third order intermodulation distortion in FET amplifiers / R.J. Gilmore, R. Kiehne, F.J. Rosenbaum // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, N.Y. 1985. -P.413−416.
- Epstein B.R. Large-signal MESFET characterization using harmonic balance / B.R. Epstein, S. Perlow, D. Rhodes // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, N.Y. 1988. — P. 1045−1048.
- Асович П.Jl. Расширение возможностей применения функциональных рядов при анализе существенно нелинейных систем / П. Л. Асович, А. А. Соловьев // Радиотехника и электроника. 1988. — T. XXXIIL -Вып.б-С.1198−1206.
- Ляпунов В.Г. Интермодуляционные искажения в СВЧ усилителях на биполярных транзисторах / В. Г. Ляпунов, Л. А. Могилевская, Ю.Л. Хотунцев//Радиотехника. -1988.-№ 9.-С. 35−36.
- Maas S. Modeling GaAs MESFETs for intermodulation analysis / S. Maas, D. Neilson//Microwave J. 1991. № 5. — P. 295−300.
- Волков E.A. Устранение эффекта блокирования в каскадах радиоприемных устройств при минимизации их интермодуляционных искажений / Е. А. Волков, Д. Н. Говорухин // Радиотехника. 1990. — № 4. -С. 27−31.
- Дедовская В.И. Оптимизация динамического диапазона по интермодуляции третьего порядка / В. И. Дедовская, В. Ф. Шульгин // Радиотехника. 1985. — № 2. — С. 30−32.
- Дыбой А.В. Оптимизация электрофизических и геометрических параметров полевых транзисторов в нелинейном режиме работы мало-шумящих усилителей СВЧ диапазона: Дис. канд. физ.-мат. наук. — Воронеж, 1998.- 160с.
- Аверина Л.И. Нелинейное взаимодействие многочастотных и шумовых сигналов в СВЧ усилителях на полевых транзисторах: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1998. — 145с.
- Mark. P. van der Heijden. On the optimum biasing and input out-of-band terminations of linear and power efficient Class-AB bipolar RF amplifiers / M. P. van der Heijden at al // IEEE BCTM 2.1. 2005. — P. 44 — 47.
- Steer M.B. Relationship of Volterra series and generalized power series / M.B. Steer, P.J. Khan, R.S. Tucker // Proc. IEEE. 1983. — № 12. -P.1453−1454.
- Maas S.A. Analysis and optimization of nonlinear microwave circuits by Volterra series analysis / S.A. Maas // Microwave J. 1990. — № 4. -P.245−251.
- Buisman K. «Distortion-Free» Varactor Diode Topologies for RF Adaptiv-ity / K. Buisman, L. C. N. de Vreede, L.E. Larson, M. Spirito, A. Akh-noukh, T.L.M. Scholtes, L. K. Nanver // IEEE MTT-S Int. Dig., Long Beach, CA Jun. 2005. — P. 389−392.
- Buisman K. Varactor Topologies for RF Adaptivity with Improved Power Handling and Linearity / K. Buisman, C. Huang, A. Akhnoukh, M. Mar-chetti, L.C.N, de Vreede, L.E. Larson, L.K. Nanver // IEEE MTT-S Int. Dig., Honolulu, HI Jun. 2007. — P. 319−322.
- Joonwoo Lee. Intermodulation mechanism and linearization of Al-GaAs/GaAs HBT’s / Joonwoo Lee at al // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 1997. — vol.45. — № 12. — P. 2065−2072.
- Woonyun Kim. The effects of Cbc on the linearity of AlGaAs/GaAs power HBTs / Woonyun Kim at al // IEEE transactions on microwave theory and techniques. -2001. vol.49. -№ 7. — P. 1270−1276.
- Woonyun Kim. Analysis of nonlinear behavior of power HBTs / Woonyun Kim at al // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 2002. — vol.50. — № 7. — P. 1714−1722.
- Pingxi Ma. InGaP/GaAs HBT failure mechanism investigation and reliability enhancement / Pingxi Ma, Liyang Zhang, M. F. Chang Los Angeles: University of California. — 4 p.
- Junxiong Deng. Linearity analysis of SiGe HBT amplifiers using a power-dependent coefficient volterra technique / Junxiong Deng, Prasad S. Gudem, Lawrence E. Larson // IEEE. 2004. — P. 479−482.
- Onno W. Purbo. A unified model of Early voltage for bipolar transistors at low temperatures / Onno W. Purbo Bandung: Inter University Center on Microelectronics Institute of Technology Bandung. — 6 p.
- Mani Vaidyanathan. A theory of high-frequency distortion in bipolar transistors / Mani Vaidyanathan at al // IEEE transactions on microwave theory and techniques.-2003.-vol.51.-№ 2. P. 448−461.
- Gunther Palfinger. Modelling the Heterojunction Bipolar Transistor with VBIC / Gunther Palfinger Institute for Solid State Physics Technical University Graz. — 2000. — 154 p.
- Gunnar Malm B. High frequency characterization and modeling of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors: Doctoral Thesis / B. Gunnar Malm. Stockholm: Royal Institute of Technology, — 2002. — 72 p.
- Michael Schroter. HICUM. A scalable physics-based compact bipolar transistor model: Description of model version 2.1 / Michael Schroter. -2000.- 180 p.
- Pulfrey D. L. Compact modeling of high frequency small dimension bipolar transistors / D. L. Pulfrey, A. R. St. Denis, M. Vaidyanathan // IEEE COMMAD. 1998. — 5 p.
- Anssi Hovinen. Process development and device modelling of gallium arsenide heterojunction bipolar transistors: Dissertation for the degree of doctor of science in technology / Anssi Hovinen Helsinki University of Technology. — 2001. — 148 p.
- Onur Esame. Performance comparison of state-of-the-art heterojunction bipolar devices (HBT) based on AlGaAs/GaAs, Si/SiGe and InGaAs/InP / Onur Esame et al. // Microelectronics Journal. 2004. — № 35. — P. 901−908.
- Fujiang Lin. Extraction of VBIC model for SiGe HBTs made easy by going through Gummel-Poon model / Fujiang Lin et al. Singapore, National University of Singapore. — 2000. — 10 p.
- Zhang Q.M. A new large signal HBT model / Q.M. Zhang et al // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 1996. — vol. 44. — № 11. -P.2001−2009.
- Rudolph M. Direct extraction of HBT equivalent-circuit elements / M. Rudolph, R. Doerner, and P. Heymann // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 1999. — vol. 47. — № 1. — P. 82−98.
- Rudolph M. Scalable GalnP/GaAs HBT large-signal model / Matthias Rudolph, Ralf Doerner, Klaus Beilenhoff, Peter Heymann // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 2000. — vol. 48. — № 12. — P. 2370−2376.
- Rudolph M. Unified model for collector charge in heterojunction bipolar transistors / Matthias Rudolph, Ralf Doerner, Klaus Beilenhoff, Peter Heymann // IEEE transactions on microwave theory and techniques. -2002. vol. 50. — № 7. — P. 1747−1751.
- Sheinman B. A Peeling algorithm for extraction of the HBT small-signal equivalent circuit / B. Sheinman et al // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 2002. — vol. 50. — № 12. — P. 2804−2810.
- Rudolph M. New GalnP/GaAs-HBT large-signal model for power applications / M. Rudolph, R. Doerner, P. Heymann // European Microwave Conference Digest. 1998. — P. 231−235.
- Rudolph M. Large-signal HBT model requirements to predict nonlinear behaviour / M. Rudolph, R. Doerner // IEEE MTT-S Digest. 2004. — № 4.-P. 43−46.
- Vuolevi J. Analysis, measurement and cancellation of the bandwidth and amplitude dependence of intermodulation distortion in RF power amplifiers / J. Vuolevi Oulu: Department of Electrical Engineering University of0ulu.-2001.-151 p.
- Dahlstrom M. Ultra high speed InP heterojunction bipolar transistors: Doctoral dissertation / M. Dahlstrom. Stockholm: Royal Institute of Technology. — 2003. — 180 p.
- Rheinfelder C. Nonlinear modelling of SiGe HBTs up to 50 GHZ / C. Rheinfelder et al. // IEEE MTT-S Digest. 1997. — № 6. — P. 11−14.
- Peniket N.A. GaAs HBT MMIC technology: a commercial reality / N.A. Peniket // GEC review. 1999. — vol .14. — № 2. — P. 95−102.
- Datta S. A Thermionic-emission-diffusion model for graded base pnp heterojunction bipolar transistors / S. Datta, K. P. Roenker, M. M. Cahay // Journal of applied physics. 1998. — vol. 83. — № 12. — P. 8036−8046.
- Rudolph M. Scaling of GalnP/GaAs HBT equivalent-circuit elements / M. Rudolph, R. Doerner, E. Richter, P. Heymann // European Gallium Arsenide, and Related Compounds, Application Symposium (GAAS 99) proceedings. 1999.-P. 113−116.
- Zhenqiang Ma A High-power and High-gain X-Band Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor / Zhenqiang Ma et al. // IEEE transactions on microwave theory and techniques. 2002. — vol. 50. — № 4. — P. 11 011 108.
- Rudolph M. Modeling emitter breakdown in GaAs-Based HBTs / M. Rudolph, F. Schnieder, W. Heinrich // IEEE MTT-S Digest. 2003. — № 6. -P. 651−654.
- Rudolph M. On the Gunn effect in GaAs HBTs / M. Rudolph, F. Schnieder, W. Heinrich // IEEE MTT-S Digest. 2001.
- Lenk F. New Extraction algorithm for GaAs-HBTsWith low intrinsic base resistance / F. Lenk, M. Rudolph. Berlin: Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstf. — 2002.
- Schott M. 38 GHz Push-Push GaAs-HBT MMIC oscillator / M. Schott et al. Berlin: Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstf. — 2002.
- Rudolph M. Towards a unified method to implement transit-time effects in pi-topology HBT compact models / M. Rudolph et al. Berlin: FerdinandBraun-Institut fur Hochstf. — 2002.
- Lenk F. Low phase-noise monolithic GalnP/GaAs-HBT VCO for 77 GHz / F. Lenk et al. Berlin: Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstf. — 2002.
- Heymann P. Low phase noise monolithic oscillators using GalnP/GaAs HBT-Technology / P. Heymann // IMS. 2003. — P. 1−42.
- Sischka F. Gummel poon bipolar model. Model description. Parameter extraction. / F. Sischka — Munich: Agilent Technologies. — 2001. — 1111. P
- Разедвиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 выпусках / В. Д. Разедвиг. -М.: Высш. школа, 1989.
- Разедвиг В.Д. Проектирование СВЧ устройств с помощью Microwave Office / В. Д. Разедвиг. М.: Солон, 1999 — 493 с.
- Разедвиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0. / В. Д. Разедвиг. М.: Солон, 1999 — 698 с.
- NPN silicon germanium RF transistor BFP620. Infineon technologies, 02/2000. Data Sheet.: http://ww.infmeon.com/dgdl/bfp620.pdf
- Малевич И.Ю. Оценка интермодуляционных параметров высоколинейных приемно-усилительных трактов / И. Ю. Малевич // Радиотехника. 1995. 6. — С. 19−21.
- Шарапов Ю.И. Преобразование частоты Fnq = Fr Fc при Fr > Fc и постоянной частоте гетеродина без заданных комбинационных составляющих / Ю. И. Шарапов // Радиотехника. — 1997. — № 12. — С.79−83.
- Шарапов Ю.И. Сравнительные характеристики разностных видов преобразования частоты / Ю. И. Шарапов // Радиотехника. 1986. — № 8. — С.66−70.
- ГОСТ 26.003−80. Система интерфейса для измерительных устройств с байт-последовательным, бит-параллельным обменом информацией. Требования к совместимости.
- Кузьминов А.Ю. Интерфейс RS232: Связь между компьютером и микроконтроллером: От DOS к WINDOWS98/XP. / А. Ю. Кузьминов -М.: Издательский дом «ДМКпресс», 2006. 320 с.
- Петросянц К.О. Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора / К. О. Петросянц, P.A. Торговников // Известия вузов. Электроника. 2006. — № 5. -С. 107−114.
- Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений / В. П. Тимошенков // Известия вузов. Электроника. -2006.-№ 5.-С. 13−18.
- Шварц Н.З. Полупроводниковые входные устройства СВЧ / Н. З. Шварц, B.C. Эткин, Ю. Л. Хотунцев и др.- под ред. B.C. Эткина. -М.: Сов. радио, 1975.
- Богданович Б.М. Основы теории и расчета малосигнальных электронных усилителей с контролируемыми нелинейными искажениями./ Б. М. Богданович Минск.: Высшая школа, 1974. — 219 с.
- Бобрешов A.M. Анализ нелинейных схем методом рядов Вольтерра : учебное пособие / A.M. Бобрешов, H.H. Мымрикова, A.A. Головкин Воронеж: Изд-во Воронеж. Ун-та, 2006. — 47 с.
- Алгазинов Э.К. Входные усилители СВЧ в свете требований электромагнитной совместимости / Э. К. Алгазинов, В. И. Мноян // Радиотехника. 1985. — № 8. — С.3−13.
- Алгазинов Э.К. Изменение шумов в усилителе на полевом транзисторе в нелинейном режиме / Э. К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, Л.И.
- Аверина // Радиотехника и электроника. 1996. — Т. 41 — № 11. — С. 1386- 1389.
- Алгазинов Э.К. Шумовые характеристики усилителя на НЕМТ транзисторе в нелинейном режиме / Э. К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, Л. И. Аверина, А. И. Лопатин // Известия ВУЗов. Электроника. -2001.-№ 2.-С. 66−70.
- Алгазинов Э.К. Характеристики нелинейного взаимодействия помехи и собственного шума в транзисторном усилителе / Э. К. Алгазинов,
- A.M. Бобрешов, Л. И. Аверина // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. 2001. — Вып. 1 (477) — С. 17−20.
- Алгазинов Э.К. Характеристики входного СВЧ усилителя, влияющие на помехозащищенность приемной системы / Э. К. Алгазинов,
- B.И. Мноян // Электронная техника, сер. Электроника СВЧ. 1981. -№ 2. — С. 3−7.
- Алгазинов Э.К. Электромагнитная совместимость радиоприемных устройств СВЧ. / Э. К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, A.M. Воробьев, Ю. Н. Нестеренко // Воронеж, ВГУ, 2003. 85 с.
- Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах / Н. З. Шварц -М.: Радио и связь, 1987. 200 с.
- Бобрешов A.M. Методика исследования характеристик ЭМС НВТ / A.M. Бобрешов, Л. И. Аверина, A.B. Хрипушин // Физика и технические приложения волновых процессов: VI Международ, науч.-техн. конф., 17−21 сент. 2007 г.: тр. конф. Казань — 2007. — С. 224−225.
- Аверина Л.И. Характеристики электромагнитной совместимости СВЧ смесителей / Л. И. Аверина, Ж. В. Шапошникова // Труды 8 Международного симпозиума по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии Санкт-Петербург — 2009. — С.294−297.
- Аверина Л.И. Многочастотные характеристики СВЧ смесителей / Л. И. Аверина, Ж. В. Шапошникова // Теория и техника радиосвязи. -2009.-№ 2.-С. 85−90.
- Surface Mount Frequency Mixer ADE-1. Mini-Circuits Data Sheet REV E.: http://www.minicircuits.com/pdfs/ADE-l .pdf
- Surface Mount Frequency Mixer ADE-1HW. Mini-Circuits Data Sheet REV E.: http://www.minicircuits.com/pdfs/ADE-lHW.pdf
- E-Series RF 1:4 Flux Coupled Step-up Transformer ETC4−1-2. M/A-COM. Data Sheet Rev V4.: http://www.macomtech.com/datasheets/DS-ETC4-l-2.pdf
- Рэд Э. Т. Схемотехника радиоприемников. Практическое пособие. /
- Т. Рэд // М:. Мир, — 1989. — 236 с.
- Аверина Л.И. Нелинейные характеристики пассивного смесителя на полевом транзисторе / Л. И. Аверина, Ж. В. Шапошникова, В. Ю. Дорошенко // Сб. трудов 16 междунар. н.-т.конф. «Радиолокация, навигация, связь» Воронеж — 2010. — Т. 1. — С. 434−440.
- Алгазинов Э.К. Коэффициент шума приёмника при наличии помех / Э. К. Алгазинов, A.M. Бобрешов // Радиотехника. 1980. -№ 6. — С. 35−36.
- Аверина Л. И. Анализ нелинейных эффектов и расчет характеристик ЭМС СВЧ усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом / Л. И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Хрипушин // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 2009. — № 4. — С. 3845.
- Генератор сигналов высокочастотный программируемый Г4−164. Техническое описание и инструкция по эксплуатации 3.260.020 ТО.
- Генератор сигналов высокочастотный Rohde&Schwarz SMV-03. Техническое описание и инструкция по эксплуатации.
- Вольтметр универсальный В7−53 (В7−53/1). Техническое описание и инструкция по эксплуатации.
- СК4-Белан 32. Анализатор спектра. Руководство по эксплуатации. ЕЛКБ.41 168.010РЭ.
- Precision Rail-to-Rail Input and Output Operational Amplifiers OP184/OP284/OP484. Analog Devices Data Sheet Rev 1: http://www.analog.com/static/imported-files/datasheets/1. OP 184 284 484. pdf
- Аверина Л.И. Применение метода рядов Вольтерры для многочастотного анализа СВЧ усилителей при больших входных воздействиях / Л. И. Аверина, A.B. Тагиев, A.B. Исаев // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. — № 1. — С. 58−62.
- Аверина Л.И. Уменьшение нелинейных эффектов во входном радиоприёмном тракте / Л. И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Исаев // Сб. трудов 15 междунар. н.-т.конф. «Радиолокация, навигация, связь». -Воронеж 2009. — Т. 2. — С. 971−976.
- Аверина Л.И. Уменьшение интермодуляционных искажений в перестраиваемых полосовых фильтрах / Л. И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Исаев // Сб. трудов 16 междунар. н.-т.конф. «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж — 2010. — Т. 1. — С. 493198.
- Бобрешов A.M. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте / A.M. Бобрешов, Л. И. Аверина, A.B. Исаев, Г. К. Усков // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. Киев — 2010. — Т. 53. — № 12 — С. 32−37.
- Бобрешов A.M. Интермодуляционные искажения в перестраиваемых полосовых фильтрах / A.M. Бобрешов, Л. И. Аверина, A.B. Исаев // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. Воронеж — 2010. — №. 2. — С. 11−16.