Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка

Диссертация: Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Использованная в данной работе концепция при реализации предусматривает возможность начала регулирования примесного состава уже на стадии синтеза с его продолжением на стадии глубокой очистки веществ. Регулирование достигается за счет использования влияния химических и физико-химических факторов воздействия на примесный состав вещества. Для изучения механизма воздействия этих факторов было… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Методы синтеза алкильных элементоорганических соединений
    • 1. 2. Методы определения концентрации микропримесей в алкильных элементоорганических со единениях
      • 1. 2. 1. Газохроматографический анализ элементоорганических соединений
      • 1. 2. 2. Масс-спектрометрический анализ элементоорганических соединений
      • 1. 2. 3. Определение концентрации примесей металлов в алкильных элементоорганических соединениях
    • 1. 3. Глубокая очистка элементоорганических соединений
      • 1. 3. 1. Очистка элементоорганических соединений в процессе синтеза
      • 1. 3. 2. Очистка элементоорганических соединений дистилляционными методами
        • 1. 3. 2. 1. Равновесие жидкость — пар в системах, образованных элементоорганическими соединениями с примесями органических и элементоорганических веществ
        • 1. 3. 2. 2. Ректификационная очистка элементоорганических соединений
      • 1. 3. 3. Адсорбционные методы глубокой очистки элементоорганических соединений
      • 1. 3. 4. Химические методы очистки алкилметаллов
    • 1. 4. Методы синтеза моносилана и хлорсиланов
      • 1. 4. 1. Силицидный метод синтеза
      • 1. 4. 2. Реакции гидрирования галогенидов кремния
      • 1. 4. 3. Реакции диспропорционирования
      • 1. 4. 4. Синтез дихлорсилана
      • 1. 4. 5. Синтез трихлорсилана
      • 1. 4. 6. Синтез тетрахлорида кремния
    • 1. 5. Методы анализа моносилана и хлорсиланов
    • 1. 6. Глубокая очистка хлоридов кремния и моносилана
      • 1. 6. 1. Химические методы очистки
      • 1. 6. 2. Методы с использованием частичного гидролиза и экстракции
      • 1. 6. 3. Физико-химические методы очистки
  • 2. Получение высокочистого диэтилтеллурида
    • 2. 1. Синтез диэтилтеллурида
      • 2. 1. 1. Синтез диэтилтеллурида с использованием реактива Гриньяра и через теллуриды щелочных металлов
      • 2. 1. 2. Электрохимический метод синтеза диэтилтеллурида
      • 2. 1. 3. Синтез диэтилтеллурида по реакции теллурида алюминия с диэтиловым эфиром
    • 2. 2. Анализ диэтилтеллурида
    • 2. 3. Глубокая очистка диэтилтеллурида
      • 2. 3. 1. Фазовое равновесие жидкость — пар в системах, образованных диэтилтеллуридом с микропримесями органических веществ
      • 2. 3. 2. Глубокая очистка диэтилтеллурида дистилляционными методами
      • 2. 3. 3. Автоматизированный комплекс для глубокой очистки диэтилтеллурида
  • 3. Получение высокочистого диметилкадмия и диэтилцинка
    • 3. 1. Синтез диметилкадмия и диэтилцинка
      • 3. 1. 1. Синтез диметилкадмия с использованием реактива Гриньяра
  • 4. 3.1.2 Синтез диметилкадмия алкилированием кадмия метилйодидом
    • 3. 1. 3. Синтез диэтилцинка алкилированием цинка этилбромидом
  • 3. ? Анализ диметилкадмия
    • 3. 2. 1. Газохроматографический анализ диметилкадмия
    • 3. 2. 2. Определение содержания примесей металлов в диметилкадмии спектральным методом
    • 3. 3. Глубокая очистка диметилкадмия и диэтилцинка
    • 3. 3. 1. Фазовое равновесие расплав — кристалл в системах, образованных диметилкадмием и диэтилцинком с микропримесями органических и элементоорганических веществ
    • 3. 3. 2. Очистка диметилкадмия и диэтилцинка дистилляционными методами
      • 3. 3. 2. 1. Фазовое равновесие жидкость — пар в системах, образованных диметилкадмием и диэтилцинком с микропримесями органических и элементоорганических веществ
      • 3. 3. 2. 2. Определение эффективности ректификации при глубокой очистке диметилкадмия
      • 3. 3. 2. 3. Технологическая схема получения высокочистого диметилкадмия
      • 3. 3. 2. 4. Глубокая очистка диэтилцинка ректификацией
  • 4. Получение высокочистого моносилана
    • 4. 1. Синтез моносилана по реакции каталитического диспропорционирования трихлорсилана
      • 4. 1. 1. Каталитическая активность анионообменных смол в реакции диспропорционирования трихлорсилана
      • 4. 1. 2. Синтез моносилана в реакционно-ректификационном аппарате
    • 4. 2. Газохроматографическое определение концентрации микропримесей постоянных газов, углеводородов и хлорсиланов в высокочистом моносилане
  • 5. Получение высокочистого дихлорсилана и тетрахлорида кремния
    • 5. 1. Ректификационное выделение дихлорсилана из смеси хлорсиланов, полученной при диспропорционировании трихлорсилана
    • 5. 2. Идентификация и определение концентрации примесей в дихлорсилане, трихлорсилане и тетрахлориде кремния
    • 5. 3. Глубокая очистка дихлорсилана и тетрахлорида кремния
  • 6. Комплексная схема получения высокочистого моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния
    • 6. 1. Генезис примесей в моносилане, дихлорсилане и терахлориде кремния, полученных по реакции каталитического диспропорционирования трихлорсилана
    • 6. 2. Определение коэффициентов разделения жидкость — пар в системах, образованных трихлорсиланом с микропримесями органических веществ
    • 6. 3. Структура и технологическая схема комплекса для получения высокочистого моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния
  • Выводы

Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Современная опто-, микрои наноэлектроника тесно связаны с широким использованием летучих соединений элементов, входящих в состав простых и сложных полупроводниковых материалов. В качестве летучих соединений наиболее часто применяют гидриды и хлориды полупроводниковых элементов, а также алкильные элементоорганические соединения. Среди полупроводниковых элементов безусловным лидером по применению стал кремний, а из его летучих соединений наиболее широко используют моносилан, дихлорсилан, трихлорсилан и тетрахлорид кремния. Эти соединения применяют в производстве кремния для солнечной энергетики, высокоомного полупроводникового кремния и эпитаксиальных кремниевых структур. Кремниевая эпитаксиальная технология в настоящее время является основой производства интегральных схем и наноразмерных структур квантовой электроники. Большинство эпитаксиальных структур кремния производится методом водородного восстановления тетрахлорида кремния, трихлорсилана или дихлорсилана, а также пиролизом моносилана. Выбор кремнийсодержащего вещества обусловлен требованиями, предъявляемыми к готовым изделиям микроэлектроники по стоимости сырья, содержанию лимитируемых микропримесей и совершенству структуры. Эти требования постоянно повышаются, что является движущей силой развития работ в области получения летучих соединений кремния для электроники [1 — 4].

Требования касаются в первую очередь повышения чистоты соединений при снижении энергоемкости и повышения технологичности процессов синтеза и глубокой очистки. Кроме того, целесообразно внедрение технологически и экологически безопасных процессов, что приводит к экономии на природоохранных мероприятиях и ресурсосбережению.

Подобные требования предъявляются не только к летучим соединениям кремния, по и практически ко всем газам и летучим веществам для микроэлектроники. Например, к получившим сравнительно недавно широкое распространение в оптоэлектронике сложным полупроводниковым соединениям типа AllBVI [5−10].

Требования к чистоте исходных материалов для формирования полупроводниковых структур представлены в отечественных (ГОСТ) и международных (SEMI) стандартах. Эти требования обусловлены влиянием чистоты исходных материалов на электрофизические и структурные свойства полупроводников [11 — 18].

Следует отметить, что проблема повышения чистоты летучих веществ для микроэлектроники не нова и уже несколько десятилетий решается с помощью достижений науки и техники.

Практика получения вначале особо чистых, а затем высокочистых веществ базировалась на развитии и совершенствовании методов глубокой очистки [19]. Это связано с тем, что традиционно для получения высокочистого вещества использовали исходный продукт реактивной чистоты, полученный либо наиболее распространенным, либо промышленным методом. Например, моносилан получали силицидным методом, а алкильные элементоорганические соединения — по обменной реакции с цинк-, алюминийили магнийорганическими соединениями. Рост требований к чистоте продукта влек за собой увеличение количества стадий и усложнение процесса глубокой очистки. Кроме того, многостадийная очистка приводила к увеличению объема отходов и затрат на их утилизацию. Все это повышало технологическую и экологическую опасность производства.

Однако удовлетворение возрастающих требований к чистоте летучих веществ возможно также за счет концептуального изменения подхода к решению проблемы получения высокочистых веществ.

Новая концепция основана на расширении представлений о формировании примесного состава не только на стадии глубокой очистки веществ, но также и на стадии синтеза, где формируется первоначальный примесный состав веществ и закладывается энергоемкость последующих стадий их глубокой очистки. Новая концепция позволяет проводить синтез вещества так, чтобы обеспечить при последующей его глубокой очистке минимальные затраты материальных ресурсов, а также минимизацию токсичных отходов, повышенную экологическую и промышленную безопасность всего процесса получения высокочистого вещества.

Использованная в данной работе концепция при реализации предусматривает возможность начала регулирования примесного состава уже на стадии синтеза с его продолжением на стадии глубокой очистки веществ. Регулирование достигается за счет использования влияния химических и физико-химических факторов воздействия на примесный состав вещества. Для изучения механизма воздействия этих факторов было проведено изучение поведения примесей на различных стадиях получения высокочистого вещества. При этом особое внимание уделяли проблемам достижения высокого уровня чистоты веществ при обеспечении ресурсосбережения, технологической и экологической безопасности процессов.

Подобный подход был реализован при получении летучих гидридов и хлоридов кремния, а также летучих алкильных соединений цинка, кадмия и теллура.

Таким образом, концепция предусматривает формирование комплекса синтез — глубокая очистка, в котором стадия глубокой очистки направлена на удаление примесей, наличие которых обусловлено методом синтеза, ответственного за формирование прогнозируемого примесного состава веществ.

Комплексный подход заключается в выборе или разработке селективного метода синтеза, использование которого позволяет исключить загрязнение целевого продукта примесями, содержание которых ограничено при применении в микроэлектронике (лимитируемые) и трудноудалимыми (лимитирующие) примесями. Селективный метод синтеза предусматривает разработку под него технологической схемы глубокой очистки с минимальным количеством стадий и максимальной эффективностью, позволяющей уменьшить количество или ликвидировать опасные отходы. Очевидно, что разработка комплекса синтез — глубокая очистка связана с всесторонней научной разработкой как химических и физико-химических основ процесса синтеза, включающих и химическую трансформацию примесных веществ, так и физико-химических основ процессов глубокой очистки. Поэтому развитие комплексного подхода к проблеме получения высокочистых веществ, разработка селективных методов синтеза летучих веществ и создание оптимальных технологических схем синтез — глубокая очистка является весьма актуальным научным направлением, имеющим широкие перспективы для практического использования полученных результатов.

Кроме того, комплексное решение проблемы предусматривает разработку и использование высокочувствительных методов и методик анализа для экспериментального изучения поведения примесей в процессах синтеза, концентрирования и глубокой очистки.

В настоящее время гидриды и хлориды кремния являются самыми востребованными продуктами для микроэлектроники на мировом рынке. А летучие алкильные соединения элементов — наиболее применимы при выращивании эпитаксиальных структур сложных полупроводниковых материалов. Однако комплексный подход к получению высокочистых веществ практически не реализован при получении дихлорсилана, тетрахлорида кремния и всех летучих алкильных элементоорганических соединений. Следует отметить, что промышленное производство моносилана, дихлорсилана, тетрахлорида кремния и летучих алкильных соединений элементов II и VI групп в России отсутствовало.

Целью настоящей работы является разработка химических и физико-химических основ синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния и алкильных элементоорганических соединений для микроэлектроники, что обеспечивает практическое применение комплексного подхода к решению проблемы получения высокочистых моносилана, дихлорсилана, тетрахлорида кремния, диметилкадмия, диэтилтеллура и диэтилцинка.

В работе представлены оригинальные методы и методики синтеза диэтилтеллура, диметилкадмия, а также моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния. Рассмотрен вопрос о генезисе примесей в процессе синтеза и показана высокая селективность методов и методик синтеза, исключающая попадание в целевой продукт лимитируемых и лимитирующих примесей.

Для обоснования выбора методов и методик глубокой очистки было экспериментально определены и теоретически рассчитаны коэффициенты разделения жидкость — пар и расплав — кристалл в системах на основе диэтилтеллура, диметилкадмия, диэтилцинка и дихлорсилана. На основе полученных результатов показана высокая эффективность ректификации при концентрировании и глубокой очистке всех перечисленных продуктов. Разработана математическая модель и проведен расчет кинетики ректификационной очистки термически неустойчивых веществ на примере диэтилтеллура, диметилкадмия и диэтилцинка. Экспериментальное изучение процесса ректификации показало хорошее совпадение расчетных и экспериментальных данных. Разработана математическая модель и проведен расчет кинетики синтеза моносилана по реакции диспропорционирования трихлорсилана в реакционно-ректификационном реакторе, а также кинетики ректификационного концентрирования дихлорсилана из реакционной смеси, полученной в этом же реакторе.

Были разработаны методы газохроматографического анализа диэтилтеллура, диметилкадмия, моносилана и дихлорсилана. Эти методы использовались для количественного определения примесного состава продуктов синтеза, экспериментального определения коэффициентов разделения и эффективности процессов глубокой очистки, а также для контроля чистоты получаемых продуктов.

На примере химически активного, фотои термолабильного диметилкадмия было изучено модифицирование его примесного состава при хранении в различных видах тары и при различных условиях. Разработана тара и определены условия хранения вещества, позволяющие максимально сохранить уровень его чистоты.

На основе полученных результатов были разработаны технологические схемы производства высокочистых диметилкадмия, диэтилтеллура и диэтилцинка. Эти схемы в виде исходных данных для проектирования промышленных установок переданы в ФГУП «ИРЕА» .

Также была разработана комплексная технологическая схема получения высокочистого моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния. Технологический комплекс реализован в виде действующих укрупненных установок на филиале кафедры ФТМКЭТ Нижегородского технического университета в ООО «Фирма Хорст» .

Схема была удостоена Золотой медали на выставке в «VIII Московском международном салоне инноваций и инвестиций, 3−6 Марта 2008 г. Москва» .

1. Литературный обзор

В этой главе представлены литературные данные, посвященные вопросам синтеза, анализа и глубокой очистки алкильных элементоорганических соединений, а также моносилана и хлорсиланов.

Выводы.

1. Впервые реализовано алкилирование теллурида алюминия парообразным диэтиловым эфиром. Синтез включает две стадии: первая стадия — реакция диэтилового эфира с теллуридом алюминия, а вторая — пиролиз промежуточного продукта до теллурида алюминия, который возвращается в рецикл. В результате выход реакции по диэтилтеллуриду достигает 80%.

2. Впервые осуществлен синтез диметилкадмия алкилированием элементного кадмия метилйодидом в присутствии катализатора, содержащего йодид метилкадмия и йодид меди (I). Найденный катализатор обеспечивал активацию металлического кадмия и протекание реакции при температуре 50 °C, за счет чего подавляется реакция Вюрца и синтезируется с выходом до 85% йодид метилкадмия, при диспропорционировании которого получается диметилкадмий с выходом, близким к 100%.

3. Разработан метод синтеза моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния с использованием комбинированного реакционно-ректификационного реактора непрерывного действия, позволяющего получить целевые продукты с выходом близким к 100%.

4. Найдена температурная зависимость константы скорости прямой и обратной реакции диспропорционирования трихлорсилана в присутствии катализатора на основе винилпиридиновой ионообменной смолы. Значения энергии активации прямой обратной реакции равны 28±2 и 11±3 кДж/моль, соответственно. Относительно низкие значения энергии активации обусловлены тем, что реакции контролируются десорбцией продукта реакции с активного центра катализатора. Предложен механизм диспропорционирования, включающий ионизацию молекул хлорсиланов на активных центрах катализатора и обмен анионов хлора с гидрид-ионом.

5. Разработана физико-химическая модель процесса диспропорционирования хлорсиланов и проведена оценка влияния температуры реактора, температуры и давления в парциальном конденсаторе, а также эффективности разделительной секции на скорость синтеза моносилана и хлорсиланов в реакционно-ректификационном реакторе. Установлено, что зависимость скорости синтеза от температуры и давления имеет экстремальный характер, что обусловлено влиянием температуры и давления на растворимость водородсодержащих хлорсиланов в конденсате.

6. Впервые экспериментально и расчетными методами получены значения коэффициента разделения жидкость — пар и расплав — кристалл для микропримесей диэтилового эфира, галоидалкилов, углеводородов и элементоорганических соединений в диметилкадмии, диэтилтеллуриде, диэтилцинке и дихлорсилане. Расчет коэффициента активности примеси по обобщенной теории свободного объема и регулярных растворов позволил получить значение расчетных величин согласующихся с экспериментальными данными с относительной погрешностью не более 50%.

Показано, что во всех системах значение коэффициента разделения жидкость — пар значительно отличается от единицы, что позволяет применить дистилляционные методы очистки как при пониженном, так и при повышенном давлении.

7. Предложена физико-химическая модель для описания ректификационной очистки термолабильных веществ. Проведен расчет зависимости скорости процесса очистки для алкильных соединений цинка, кадмия и теллура от температуры, степени отбора и количества очищаемого вещества.

Установлено, что эти зависимости имеют экстремальный вид, обусловленный двойственным характером влияния температуры и количества очищаемого вещества на массообменные характеристики и скорость очистки.

8. Разработана физико-химическая модель для расчета кинетики концентрирования и глубокой очистки дихлорсилана методом периодической ректификации в колонне со средним питающим резервуаром, в которой процесс ректификации представлен как диссипативная система, стремящаяся перейти от неравновесного нестационарного состояния к неравновесному стационарному состоянию.

Расчет показал, что чередующиеся отборы из верхней и нижней точки колонны со средним питающим резервуаром позволяют повысить скорость концентрирования дихлорсилана вдвое. Результаты расчета подтверждены экспериментальными данными.

9. Разработаны методы газохроматографического и химико-спектрального анализа диэтилтеллурида, диметилкадмия, моносилана и дихлорсилана, позволяющие проводить контроль примесей в высокочистых продуктах на уровне концентрации 10″ 4 — 10″ 8 мольн.%.

10. На основе полученных данных разработаны комплексные технологические схемы получения высокочистых алкильных соединений теллура, кадмия, цинка, а также моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния для микроэлектроники.

Разработанные исходные данные для проектирования промышленных установок и регламенты получения высокочистого диэтилтеллурида, диметилкадмия и диэтилцинка переданы в ФГУП «ИРЕА», а комплексные технологические схемы реализованы в виде действующих укрупненных установок в ООО «Фирма Хорст» .

Показать весь текст

Список литературы

  1. Chiang J. S. Silicon epitaxial growth via dichlorosilane in a barrel reactor / Chiang J. S. // RCA Review. 1977. V. 38. P. 500 — 502.
  2. Bathey B. R. Review. Solar grade silicon/ B. R. Bathey, M.C. Cretella // Journal of Material Science 2005. V.17. № 11. P. 3877−3896.
  3. А. Ю. Кинетика роста автоэпитаксиальных слоев кремния в условиях газофазного разложения моносилана/ Малинин А. Ю., Афанасович В. Ф., Шачнев В. И. // Электронная техника. Серия Материалы. 1973. Вып. 10. С. 27−31.
  4. А.Н. Тенденции развития оборудования для газофазной эпитаксии кремния / А. Н. Семченко, Ю. П. Районова, Ю. Д. Чистяков // Обзоры по электронной технике. Сер.7. Вып.8 (1455). М.: ЦНИИ ЭЛЕКТРОНИКА, 1989. 42 с.
  5. Н.Н. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. А2Вб / Н. Н. Берченко, В. Е. Кревс, В. Г. Средин.// М.: Военн. Издат., 1982.-208 с.
  6. Tompson J. The growth of CdHgTe by MOCVD at reduced temperatures / Tompson J., Mackett P., Smith L.M. // J. Crist. Growth, 1988, V. 86, pp. 233−239.
  7. Физические основы полупроводниковой нанотехнологии электронный ресурс. http://www.issep.rssi.ru/sejstr/ST594.htm
  8. Алмазоподобные полупроводники электронный ресурс. http.//www. referat. star-info .ru/?n= 13 019.
  9. С.М. Исследование структурного совершенства MOCVD-слоев (Ш)В CdTe на сапфире./ С. М. Батманов, А. Н. Моисеев, A.B. Голубев,
  10. B.C. Красильников. // Высокочистые вещества. 1995. — № 2. — С. 124−128.
  11. С.М. Получение эпитаксиальных слоев теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия по реакции диметилкадмия с дизопропилтеллуром./ С. М. Батманов, А. Н. Моисеев.// Высокочистые вещества. 1995. -№ 4.-С.37−39.
  12. С.Н. Дефекты и примеси в гетероструктурах на основе КРТ, выращенных из металлоорганических соединений плазмостимулированным осаждением./ С. Н. Ершов, Т. И. Бенюшис, JI.A. Бовина, В. И. Стафеев.// Прикладная физика. 2000. — № 1. — С.79−81.
  13. , JI. В. Электроматериаловедение: учеб. пособие. / JI. В. Журавлева. — 2-е изд., стер. — М.: Издательский центр Академия, 2003. 312 с.
  14. , В. Ю. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы / В. Ю. Киреев, А. А Столяров // М: Техносфера., 2006. 192 с.
  15. Аморфные и поликристаллические полупроводники. / Под ред. В. Хейванга, пер. с нем. М. В. Акуленок, под ред. проф. доктора техн. наук Ю. Д. Чистякова // М. «Мир» 1987.
  16. Аморфный кремний и родственные материалы. / Под редакцией Х. Фрицше // М.: Мир, 1991.-544 с.
  17. Г. Г. Введение в теорию глубокой очистки веществ. /Девятых Г. Г., Еллиев Ю. Е. // М.: Наука. 1981. 319 с.
  18. Н.И. Методы элементоорганической химии. Цинк, кадмий. / Шавердина Н. И., Кочешков К. А. Под общей редакцией А. Н. Несмеянова, К.А. Кочешкова//М.: Наука, 1964, С.13- 18, 148−149.
  19. Smit Comelis J. Process for the preparation of di-alkyl compounds of group 2B metals./ Smit Cornelis J., Van Mier, Gerardus P. M., Duijghuisen Henricus P. B. // United States Patent 5,245,065 September 14, 1993.
  20. Morrison Robert C. Preparation of organometallic and organobimetallic compounds. / Morrison Robert C., Rathman Terry L. // United States Patent 5,141,667 August 25, 1992.
  21. И.А. Способ получения диметилцинка./ Фещенко И.А.- Циновой Ю.Н.- Емельянов А.А.- Сидоров Ю.В.- Молянов А.Н.// Патент RU 2 117 009С1.
  22. Г. Г. Способ получения диэтилцинка./ Г. Г. Девятых, С. М. Данов, И. В. Еремеев, В.М. Поляков// Авторское свидетельство СССР SU1293184A1.
  23. И.В. Способ получения диэтицинка высокой чистоты./ И. В. Еремеев, С. М. Данов, С. А. Гордеев, В.Р. Сахипов// Авторское свидетельство СССР SU177555403A1.
  24. Н.Н. Химия и технология алюминийорганических соединений. / Корнеев Н. Н. // Москва, Химия, 1979 г. с. 132−133, 239−245.
  25. Eidt Scott Н. Preparation of dimethylzinc / Eidt Scott H.// Пат. США 5 245 065, МПК7 C07F3/06 (US) — Deavenport dennis ltexas alkyls inc.
  26. Krafft Тепу. Method for the synthesis of metal alkyls and metal aryls / Krafft Terry. //United States Patent 5,380,895 January 10, 1995.
  27. Blitzer S.M. Mettallo organic compounds / Blitzer S.M., Pearson T.V. // United States Patent 2 969 381, 12.12.1961.
  28. Habeeb J.J. Electrochemical preparation of neutral organocadmium halides. / Habeeb J.J., Tuck D.G. // J. Org. Met. Chem. 1978. V.146. PP.213−219.
  29. Higa Kelvin T. Synthesis of diorgano tellurides / Higa Kelvin Т., Hams Daniel C. // United States Patent 5,075,500 December 24, 1991.
  30. Cole-Hamilton David J. Preparation of dialkyl tellurium and dialkyl selenium / Cole-Hamilton David J., McQueen Ewan // United States Patent 5,442,112 August 15, 1995.
  31. Higa Kelvin T. Diallyltelluride / Higa Kelvin Т., Harris Daniel C. // United States Patent 5,043,476 August 27, 1991.
  32. Higa Kelvin T. Preparation of ditretiarybutyltelluride /Higa Kelvin T. // United States Patent 4,946,994 August 7, 1990.
  33. B.A. Способ получения диалкилтеллуридов / B.A. Потапов, Т. Н. Рахматулина, Е. Н. Каратаев, Н. К. Гусарова, С. В. Амосова // Авторское свидетельство СССР SU1410460A1.
  34. М.Г. Способ получения несимметричных диалкилмонотеллуридов / Воронков М.Г.- Дерягина Э.Н.- Подкуйко П.А.- Корчевин Н.А.- Станкевич В.К.- Романенко JI. C // Авторское свидетельство СССР SU (11) 1 460 932 (13) А1.
  35. Mullin John В. Method for preparation of dialkyl tellurium and dialkyl selenium / Mullin John В., Cole-Hamilton David J., Shenai-Khatkhate Deodatta V., Webb Paul.//United States Patent 5,091,570 February 25, 1992.
  36. E. E. Получение метилпроизводных селена и теллура меченых радиоактивными изотопами / Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. Е., Морозов В. И., Васильева Л. В. // Радиохимия, 1985, № 5, с. 688−689.
  37. Е. Е. Поведение примесей серы и селена при получении триметилгаллия / Гринберг Е. Е., В. Я. Егурнов, А. А. Ефремов, Н. А. Потолоков, В. П. Потепалов // Электронная техника. Сер. материалы. 1974. Вып. 7. С. 56−61.
  38. В. П. Технология особо чистых алкилметаллов / Красавин
  39. B. П., Ефремов А. А., Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. Е. // В сб. «Технология особо чистых веществ», Труды ИРЕА, 1987, с. 97 106.
  40. В. П. Поведение примесей в процессе синтеза триметилсурьмы. / Красавин В. П., Гринберг Е. Е., Ефремов А. А. // В сб. «Технология особо чистых веществ», Тр. ИРЕА. Вып. 46. М.- 1984. С 38−42.
  41. К. А. Методы элементоорганической химии. Сурьма, висмут. / Кочешков К. А., Сколдинов А. П., Землянский Н. И. // М.: Наука, 1976.1. C. 483.
  42. Ю. Химия металлоорганических соединений. / Рохов Ю., Херд Д., Льюис Р. // М.: Изд-во иностр. лит., 1963. С. 359.
  43. Weingarten Н. Exchange of Parts between Molecules at Equilibrium. IX. Kinetics and Mechanism for the Scrambling of Two Substituents on a Central Atom. / Weingarten H., Water J. B. // J. Amer. Chem. Soc. 1966. V. 88. P. 2700.
  44. Е.Е. Исследование поведения примесей (генезис и превращения кремнийорганических соединений) / Гринберг Е. Е., Чжао Чжо,
  45. М.В. // Вестник Международной Академии системных исследований. Т. 7, ч. Ш, М., 2004, с.28−31.
  46. Г. Н. Газохроматографическое определение металлоорганических соединений алюминия и галлия. / Бортников Г. Н., Вязанкин Н. С, Гладышев Е. М., Андреичев В. С. // Завод, лаб. 1969. Т. 35. С. 1445.
  47. В. А. Газовая хроматография. / Черноплекова В. А.// М.: НИИТЭхим. 1970. Вып. 13. С. 50.
  48. А. Д. Анализ диметилртути методами газовой хроматографии и масс-спектрометрии. / Зорин А. Д., Карабанов Я. Г., Агафонов И. Л., Шушунов Н. В., Ветрова З. П., Сидоров Ю. В., Фещенко И. А, Циновой Ю. Н. // Журн. аналит. химии. 1983. Т. 38. С. 293.
  49. Л. Г. Химия элементоорганических соединений. / Новоторова Л. Г. Агафонов И. Л. Смирнова Г. Д.// Межвуз. сб. Горький: Гос. унт, 1982. С. 95.
  50. Г. Н. Газовая хроматография этильных производных кремния, германия и олова. / Бортников Г. Н., Вязанкин Я. С, Никулин Я. П., Яшин Я. И. // Изв. АН СССР. Сер. хим. 1973. № 1. С. 21.
  51. В. А. Методы анализа веществ особой чистоты. / Федоров В. А., Ефремов Е. А., Макаренко В. Г. // Обзор инф. ЦНИИ Электроника. 1978. 46 с.
  52. Н. П. Тр. по химии и хим. технологии. / Кузнецова Н. П. Федоров В. А. //Горький: Гос. ун-т. 1975. Вып. 1. С. 71.
  53. В. Г. Газохроматографическое разделение металлоорганических соединений. / Макаренко В. Г., Федоров В. А., Ефремов Е. А., Орлов В. Ю., Филиппов Э. П. // Журн. аналит. химии 1975. Т. 30. С. 1183.
  54. В. Г. Газохроматографическое определение примесей в алкильных соединениях некоторых элементов / Макаренко В. Г., Ефремов Е. А.,
  55. В. Ю., Федоров В. А., Филиппов Э. П. // Журн. аналит. химии. 1976. Т. 31. С. 606−607.
  56. Ю.Н. Способ определения органических примесей в алкильных соединениях цинка. / Новоторов Ю. Н., Новоторова Л. Г., Циновой Ю. Н. // Авторское свидетельство СССР 1 113 739, бюлл. изобр. 1984 № 34. С. 132.
  57. Н. П. Газохроматографическое определение органических примесей в триметилмышьяке. / Кузнецова Н. П., Федоров В. А., Юшкин А. А. // Журн. аналит. химии. 1972. Т. 27. С. 821−822.
  58. В. А. Получение и анализ веществ особой чистоты / Федоров В. А., Крутиков В. А., Ефремов Е. А. // Межвуз. сб. Горький: Гос. ун-т, 1974. С. 83.
  59. О.Н. Труды по химии и химической технологии. / Дружков О. Н., Галлиулина Р. Ф., Постников Т. Г. // Горький, 1974. Вып. 4. С.134−135.
  60. В.И. Масс-спектрометрическое определение йодистого метила в диметилкадмии. / Фаерман В. И., Гришнова Н. Д. // Высокочистые вещества. 1990. № 5. С. 189−191.
  61. Гордеев A.M. VIII Всесоюз. конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ. / Гордеев A.M., Дуринов И. В., Шишов В. Н. // Горький. 1988. Тез. докл. Ч. III. С. 52.
  62. В.Н. Химико-спектральный анализ высокочистых летучих неорганических гидридов, галидов и элементоорганических соединений / В. Н. Шишов // Высокочистые вещества.- 1991.- № 4.- С. 33−46.
  63. Е.В. Анализ высокочистых триметилалюминия и триметилгаллия на содержание примесей металлов и кремния / Шарвадзе Е. В., Гринберг Е. Е., Сухановская А. И. Красильщик В.З., Ефремов A.A.// Высокочистые вещества, 1990. № 4. С. 56−58.
  64. . Г. О поведении микропримесей при синтезе металлоорганических соединений. / Грибов Б. Г., Козыркин Б. И., Федоров В. А. // Докл. АН СССР. 1973. Т. 208. С. 906−909.
  65. B.C. Получение и анализ веществ особой чистоты. / Соломатин B.C., Захарова Т. Н., Джупий Л. С. // М.: Наука. 1978. С. 240−247.
  66. Е.В. О методах глубокой очистки и анализа диметилкадмия и тетраэтилолова / Е. В. Шарвадзе, Е. А. Басистов, Т. Б. Демент, В. А. Ефремов // Тез. Всесоюзного совещания по методам элементоорганической химии, 1991, Рига, с. 52.
  67. В.Н. Химико-спектральный анализ высокочистых летучих неорганических гидридов, галидов и элементоорганических веществ / Шишов В. Н. // Высокочистые вещества. 1990. № 4. С.33−47.
  68. Г. И. V Всесоюз. конф. по получению и анализу веществ особой чистоты / Журавлев Г. И., Токарев Л. В. // Тез. докл. М.: Наука, 1976. С. 168.
  69. Е. А. Люминесцентный анализ неорганических веществ. / Божевольнов Е. А. // М.: Химия. 1966. С. 415.
  70. Tamari Yuzo О. Separation of Selenide Constituents from Selenide Samples Containing Elemental Selenium/ / Tamari Yuzo O., Huraki Keizo, Nishikawa Yasuhary. // Bull. Chem. Soc. Japan. 1982. V. 55. N. 1. P. 101−103.
  71. И. И. Аналитическая химия селена и теллура. // Назаренко И. И., Ермаков А. Н. // М.: Наука., 1971. С. 251.
  72. Е. А. Определение теллура и свинца в полупроводниковых материалах низкотемпературным люминесцентным методом / Соловьев Е. А., Саввина Л. П., Головина А. П., Грановский Ю. В. // Журн. аналит. химии. 1975. Т. 30. С. 103.
  73. О. А. Низкотемпературный метод определения селена по структурным спектрам люминисценции. / Факеева О. А., Смирнова Т. П., Соловьев Е. А., Васильева Л. В., Беляева H.A. // Журн. аналит. химии. 1984. Т. 34. С. 1086.
  74. Е. В. Определение микропримеси серы в высокочистых триметилалюминии и триметилгаллии люминесцентным методом / Шарвадзе Е. В., Гринберг Е. Е., Факеева O.A., Ефремов A.A., Васильева Л. В. // Высокочистые вещества. 1988. № 1. С. 194−197.
  75. Методы анализа чистых химических реактивов / Под ред. Чупахина М. С. // М.: Химия. 1984. 280 с.
  76. Е. А. Способ определения хлоридов / Соловьев Е. А., Комлева В. И. // Авторское свидетельство СССР 1 191 824, бюлл. изобр. № 42. 1985.
  77. Е. Е. Способ подготовки образца пирофорных алкильных соединений элементов для определения в них микропримесей / Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. В. Факеева О. А. // Авторское свидетельство СССР 1 197 708 от 02.04.86. Бюлл. изобр. № 5.
  78. Г. Г. Тр. VII Всесоюз. конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ. /Девятых Г. Г. // Горький: Гос. ун-т, 1985. С. 3.
  79. A.A. Химия и хим. технология особо чистых веществ. / Ефремов A.A., Зельвенский Я. Д. // М.: МХТИ, 1977. С. 11.
  80. Г. Г. Современное состояние проблемы получения высокочистых веществ. / Девятых Г. Г., Чурбанов М. Ф. // Журн. Всесоюзн. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева. 1984. Т. 29, № 6. С. 606−614.
  81. А. А. Равновесие жидкость пар бинарных систем на основе триметилгаллия, диметилалюминийхлорида и н-гептана. / Ефремов А. А., Федоров В. А., Ефремов Е. А. // Деп. в ВИНИТИ от 28.02.1973, № 5503−73 Деп., М, 1973, 11 с.
  82. А. А. Способ получения триалкилгаллия или триакилиндия. / Ефремов А. А., Фалалеев В. А. Гринберг Е. Е. // Авторское свидетельство СССР 417 429, Бюлл. изобр. № 8. 1974.
  83. А. А. Равновесие систем на основе триметилгаллия, диметилалюминийхлорида и н-гептана. / Ефремов А. А., Ефремов Е. А., Гринберг Е. Е., Федоров В. А. //Журн. физ. химии. 1973. № 6. С. 1615−1616.
  84. В. П. Равновесие жидкость-пар в бинарных систем триметилалюминия с метальными производными цинка, галлия олова и свинца / Красавин В. П., Гринберг Е. Е., Ефремов А. А., Фетисов Ю. М., Егурнов В. Я. // Тр. ИРЕА. М., 1979. Т. 41. С. 69−73.
  85. В.П. Равновесие бинарных систем жидкость пар, образованных триметилалюминием с н-гептаном и изооктаном / Красавин В. П., Синельников В. П., Ефремов A.A., Фетисов Ю. М. // Тр. ВНИИ хим. реактивов и особочистых хим. веществ. 1977. Т. 39. с. 95.
  86. А. А. Материалы Всесоюзного совещания по методам получения особо чистых веществ. / Ефремов А. А., Зельвенский Я. Д. // М.: НИИТЭхим, 1967. С. 24.
  87. Ц.С. Равновесное распределение примесей цинка, кадмия и олова в триметилгаллии между жидкостью и паром / Баланевская Ц. С., Ефремов A.A., Фетисов Ю. М., Рябенко Е. А. // Реактивы и особо чистые вещества, Тр. ИРЕА, вып 46, М., 1976, с 95 99.
  88. А. А. Равновесие жидкость-пар бинарных систем на основе триметилгаллия, диметилалюминийхлорида и н-гептана. / Ефремов А. А., Федоров В. А., Гринберг Е. Е. // Электронная техника. Сер. материалы. 1973. Вып. 6. С. 59−63.
  89. В. А. Получение и анализ алкильных соединений галлия особой чистоты. / Федоров В. А., Ефремов А. А., Крутиков В. А. // Межвуз. сб. Горький: Гос. ун-т, 1974. С. 83.
  90. Е.Е. Особо чистые элементоорганические соединения для новой техники. / Гринберг Е. Е. // Хим. пром., № 10, 1996, с.627−630.
  91. В. П. Ректификационная очистка триметилалюминия / Красавин В. П., Гринберг Е. Е., Ефремов А. А. //Электронная техника. Сер. материалы. 1978. Вып. 5. С. 78−84.
  92. А. А. Металлоорганические соединения особой чистоты. / Красавин В. П., Гринберг Е. Е., Ефремов А. А. // М.: НИИТЭхим, 1982. 45 с.
  93. А. А. Методы глубокой очистки жидких химических веществ для новых областей техники. / Ефремов А. А., Блюм Г. 3., Гринберг Е. Е. //Журн. Всесоюз. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева. 1984. Т. 29. № 6. С. 37.
  94. В. А. О поведении примесей в процессах синтеза и ректификации триметилгаллия / Федоров В. А., Ефремов А. А., Ефремов Е. А. //Журн. прикл. химии. 1975. № 8. С. 1810−1814.
  95. Д. Р. Таблицы давления паров индивидуальных веществ. / Стелл Д. Р. // М.: Наука, 1949.
  96. В.А. Гидриды, галлиды и металлоорганические соединения особой чистоты. / Умилин В. А. // М.: Наука. 1976, с 134−148.
  97. A.A. Проблемы технологии особо чистых элементоорганических соединений / Ефремов A.A., Гринберг Е. Е., Федоров В. А. // Материалы Секции Реактивов АН СССР, май 1983, С. 5.
  98. В. Д. Труды по химии и химической технологии. / Федоров В. Д., Макаренко В. Г. // Горький: Гос. ун-т, 1975. Вып. 1. С. 71.
  99. Е.Е. Об адсорбции триметилгаллия на активном угле БАУ и цеолите NaA. / Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. В., Ефремов A.A. // Журн. физ. химии. 1984. Т. 56. № 6. С. 1528.
  100. Е.Е. Об адсорбции диметилсульфида / Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. В., Смирнов A.B. // Журн. физ. химии. 1986. Т. 60. № 2. С. 506.
  101. Е.Е. Тезисы докладов I Всесоюзной конференции по получению химических реактивов. / Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. В., Ефремов A.A.//Уфа, 1985. С. 47.
  102. Е.Е. Об адсорбции триметилалюминия / Гринберг Е. Е., Шарвадзе Е. В., Ефремов A.A. // Высокочистые вещества. 1987. № 2. С. 210.
  103. A.M. О возможностях расчета равновесных характеристик адсорбции бинарных смесей веществ на микропористых сорбентах. / Толмачев A.M., Трубников И. Б. // Докл. АН СССР. 1982. Т. 264. № 1. с. 116.
  104. Е.П. Тезисы докладов VII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ. / Егоров Е. П. Журавлев O.E., Трубников И. В. // Горький, 1985. Т. 2. С. 61.
  105. Д. А. Активные угли. / Колышкин Д. А., Михайлов К. К. //Л.: Химия, 1972. С. 57.
  106. Е.В. Сорбционная очистка алкилметаллов. / Шарвадзе Е. В., Ефремов A.A., Гринберг Е. Е., Омиадзе А. П. // Тез.1 Всесоюзного совещания по химическим реактивам, Уфа, 1985, с. 47.
  107. Е.В. Получение диметилсульфида, меченого серой-35. / Шарвадзе Е. В., Гринберг Е. Е., Морозов В. И. // Радиохимия. 1985. Т. 27 № 5, С. 684−685.
  108. Л.А. Тезисы докладов V Всесоюзной конференции по получению и анализу веществ особой чистоты. / Нисельсон Л. А., Титов A.A. // М.: Наука, 1976. С. 34.
  109. A.A. Получение особо чистого тетрабутоксититана. Сообщение 3. Глубокая очистка тетрабутоксититана / Ефремов A.A., Самсонов Д. П., Федоров В. А. // Высокочистые вещества. 1994. № 6. С. 17−25.
  110. A.A. Способ очистки триалкилгаллия / Ефремов A.A., Гринберг Е. Е., Фетисов Ю. И. // Авторское свидетельство СССР 546 617, Бюлл. изобр. № 6. 1977.
  111. Mullin John В. Method for purification of tellurium and selenium alkyls / Mullin John В., Cole-Hamilton David J., Shenai-Khatkhate Deodatta V., Webb Paul // United States Patent 5,117,021 May 26, 1992.
  112. Mullin John B. Preparation of Group II metal alkyls / Mullin John В., Hamilton John C., Orrell- Elisabeth D., Jacobs- Philip R., Shenai-Khatkhate Deodattta V. // United States Patent 4,812,586 March 14, 1989.
  113. Ohsaki Hiromi. Method for purifying organometal compound / Ohsaki Hiromi, Ishihara Toshinobu, Asakura Kazuyuki, Kaneko Isao, Satou Kouhei // United States Patent 5,783,717 July 21, 1998.
  114. Shimada Takashi. Process for purification of gaseous organometallic compound. / Shimada Takashi, Iwata Keiichi, Yasuda Masako // United States Patent 5,470,555 November 28, 1995.
  115. Vergani. Process for the purification of organometallic compounds or heteroatomic organic compounds with hydrogenated getter alloys / Vergani // United States Patent 6,797,182 September 28, 2004.
  116. Kadokura Hidekimi. Purification of organometallic compounds / Kadokura Hidekimi, Sawara Kenichi, Yako Tadaaki // United States Patent 4,797,500 January 10, 1989.
  117. Harada Junzo. Process for production of silane / Harada Junzo // United States Patent 4,704,264 November 3, 1987.
  118. Ю.К. Способ получения моносилана и дисилана / Кварацхели Ю. К., Жирков М. С., Фадеев Л. Л., Филинов В. Т. // Пат. РФ 2 160 706 N° 99 113 530/12, заявл. 21.06.99- опубл. 20.12.00.
  119. Gordon R. Reduction of compounds having a reducible electronegative functionality using an alkali metal hydride / Gordon R. // Пат. Бельгия 890 356, Publ. 01.1982 Chemical Abstracts V. 96. № 19 9887e.
  120. Д. Применение смеси хлоргидридов алюминия в сольватных системах для восстановительных реакций с хлорсиланами/ Гофман Д., Бэк Р. //
  121. Пат. 3 926 833 США. Опубл. журнал изобретения в СССР и за рубежом. 1976. Т. 941. № 17. Вып. 23.
  122. Ивао Тацуя. Получение силана из четыреххлористого кремния / Ивао Тацуя, Хираи Рэйдзи, Асида Йосинори // Заявка 57−209 817, Япония. Опубл. 23.12.1982. Реферативный журнал «Химия». 1984. № 3.
  123. Franklin Robert Е. Process for the production of silane / Franklin Robert E., Francis Arthur W., Tarancon Gregorio //United States Patent 4,041,136 August 9, 1977.
  124. A.A. Способ получения моносилана из тетрахлорида кремния / Камарзин А. А., Лаврентьев В. И., Подойницин C.B., Бычков С. И., Мухин В. В., Муратов Е. П., Рожков В. В., Снопков Ю. В. // Пат. РФ 2 173 297 № 99 104 692/12, заявл. 10.03.99- опубл. 10.09.01.
  125. Lefrancois Philip A. Production of silane / Lefrancois Philip A. //United States Patent 4,374,111 February 15, 1983.
  126. Burgie Richard A. Process for hydrogenation of tetrachlorosilane / Burgie Richard A., Harder- Patrick J., Sawyer David H. // United States Patent 5,422,088 June 6, 1995.
  127. Sarma Kalluri R. Process for the hydrogenation of silicon tetrachloride / Sarma Kalluri R., Chanley Charles S. // United States Patent 4,542,004 September 17, 1985.
  128. Sarma Kalluri R. High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride / Sarma Kalluri R., Rice, Jr.- M. John // United States Patent 4,309,259 January 5, 1982.
  129. Е.П. Способ получения моносилана высокой чистоты / Белов Е. П., Ефимов Н. К., Лебедев Е. Н., Рябенко Е. А., Стороженко П. А. // Пат. РФ 21 214 362. № 2 002 119 212/12, заявл. 19. 07. 02- опубл. 20.10.03.
  130. Е.П. Способ получения моносилана высокой чистоты / Белов Е. П., Герливанов В. Г., Заддэ В. В., Клещевникова С. И., Корнеев Н. Н., Лебедев
  131. Е.Н., Пинов А. Б., Тсуо Саймон, Рябенко Е. А., Стребков Д. С., Чернышев Е. А. // Пат. РФ 2 129 984 № 98 112 202/25, заявл.25.06.98- опубл. 10.05.99.
  132. Muller Dirk. Method and facility for producing silane / Muller Dirk, Ronge Georg, Schafer Johannes-Peter, Leimkuhler Hans-Joachim, Strauss Ulrike, Block Hans-Dieter// United States Patent 6,942,844 September 13, 2005.
  133. Block Hans-Dieter Method and system for producing silane / Block HansDieter, Leimkuhler Hans-Joachim, Muller Dirk, Schafer Johannes-Peter, Ronge Georg // United States Patent 6,905,576 June 14, 2005.
  134. Tachikawa Mamoru. Process for the production of silanes / Tachikawa Mamoru, Takatsuna Kazutoshi, Shiozawa Kouji, Okumura Yoshiharu, Koyama Takeo // United States Patent 4,725,420 February 16, 1988.
  135. Breneman William C. High purity silane and silicon production / Breneman William C. // United States Patent 4,676,967 June 30, 1987.
  136. Bakay Carl. James Process for making silane / Bakay Carl James // United States Patent 3,968,199 July 6, 1976.
  137. Inoue Kaoru. Process for disproportionating silanes / Inoue Kaoru, Miyagawa Hiroharu, Itoh- Masayoshi, Abe Tomohiro, Koizumi Kyogo, Yanagawa Noriyuki // United States Patent 4,667,048 May 19, 1987.
  138. Morimoto Shiro. Process for the disproportionation of chlorosilanes / Morimoto Shiro // United States Patent 4,613,489 September 23, 1986.
  139. Lepage Jean-Luc Process for the disproportionation of silanes / Lepage Jean-Luc, Soula Gerard // United States Patent 4,548,917 October 22, 1985.
  140. Seth Kishankumar K. Chlorosilane disproportionation process / Seth Kishankumar K. // United States Patent 4,395,389 July 26, 1983.
  141. Litteral Carl J. Disproportionation of chlorosilane / Litteral Carl J. // United States Patent 4,113,845 September 12, 1978.
  142. Jung N. Hydrogenation catalyst and methods for its preparation and use to convert silicon tetrachloride to chlorosilane and silane / Jung N., Cho Ко D., Lim John C., Yoo Bok-Ryul // United States Patent 4,701,430 October 20, 1987.
  143. А.Д. Синтез кремнийорганических мономеров / А. Д. Петров, В. Ф. Миронов, В. А Пономаренко // М.: Изд. АН СССР. 1961. 243 с.
  144. Baily. Disproportions of chlorosilanes emploging nitrile catalysts / Baily, Shafer, Wagner // Пат. США 2 732 282 C07 °F 7/08 №. 2,732,282, заявл. 23.01.1955- опубл. 24.01.56.
  145. Lepard J. Procede de fabrication de silane a parfir de methyldichlorosilane et de chlorosilanes. / Lepard J., Sonla G. // Заявка 2 552 434 Франция. Publ. 29.03.85, РЖХ, 1986. № 2. H70n.
  146. Одзаки Ясутака. Получение малогалоидированных силанов и моносилана / Одзаки Ясутака, Кога Синьитиро. // Заявка 60−60 915 Япония. Опубл. 08.04.85, РЖХ, 1986, № 9, Л52п.
  147. Одзаки Ясутака. Получение малогалоидированного силана или моносилана / Одзаки Ясутака, Кога Синьитиро. // Заявка 60−60 918 Япония. Опубл. 08.04.85, РЖХ, 1986, № 12, Л39п.
  148. .И. Получение дихлорсилана для эпитаксии кремния / Б. И. Козыркин, Б. Г. Грибов, В. А. Тверское // Сб. Электронная техника. Сер. Материалы. 1979. Вып. 10. С. 48−51.
  149. А. П. Механизм реакции кремния с хлористым водородом / А. П. Белый, А. И. Гобунов, Р. М. Флид, С. А. Голубцов // Журнал физической химии. 1969. Т. 43. № 5. С. 1144−1149.
  150. Г. Г. Селективность и механизм прямого синтеза гидридхлорсиланов / Г. Г. Филиппов, А. И. Горбунов, P.M. Флид // Журнал физической химии. 1972. Т. 46. № 2. С. 340−344.
  151. И.В. Сборник «Химия и практическое применение кремнийорганических соединений» / Трофимов И. В., Андрианов К. А., Голубцов С. А. // Л. 1958. Вып. 1. С. 34−38.
  152. В.Ф. О возможности получения дихлорсилана реакцией прямого синтеза / В. Ф. Попенко, С. А. Генералова, Е. А. Ефремов // Журнал прикладной химии. 1982. Т. 55. № 2. С. 389−395.
  153. В.Ф. Способ получения дихлорсилана / Попенко В. Ф., Ефремов Е. А., Дорогова Л. А. // Авторское свидетельство СССР 865 790. Опубл. 23.09.81.
  154. Glemser О. Neries Verfahren zur darstellung von SiHC13 und SiH2C12 / O. Glemser, W. Lohman// Z. furanorg allgem. Chemie. 1954. B. 275. S. 260−266
  155. Hard. D. Hydrogenation of halogensilanes / Hard. D. // Пат. США. 2 406 605. Publ.off. Gazet.-1946.- V.589.- № 4.
  156. Куратоми Тацуро. Получение моно-, ди- и трихлорсилана из тетрахлорида кремния / Куратоми Тацуро, Токке-Кохо // Пат. 75−17 035 Япония, 1975. № 2(1). С. 43(361).
  157. В.В. Исследование синтеза дихлорсилана/ В. В. Романов, Огирко Л. М. // Вестник Львовского политехнического института. 1982. № 163. С. 150−151.
  158. Blocher Jr. Process for silicon and trichlorosilane production / Blocher Jr., John M., Browning Melvin F. // United States Patent 4,117,094 September 26, 1978
  159. Bulan Andreas. Method for producing trichlorosilane / Bulan Andreas, Weber Rainer // United States Patent 7,056,484 June 6, 2006.
  160. Auner Norbert. Method for producing halosilanes by impinging microwave energy / Auner Norbert // United States Patent 7,265,235 September 4, 2007.
  161. Barker Jr. Process for preparing chlorosilanes from silicon and hydrogen chloride using an oxygen promoter / Barker Jr., Thomas H. // United States Patent 4,585,643 April 29, 1986.
  162. Sakata Kanji. Process for producing trichlorosilane / Sakata Kanji, Hirota Kenji // United States Patent 5,871,705 February 16, 1999.
  163. Э. П. Способ очистки хлоридов кремния / Э. П Бочкарев., Т. И. Сивошинская. // Пат. 354 659 СССР, опубл. 15.12.1956.
  164. Дж. Обработка элементарного кремния хлористым водородом / Вальтер Дж., Кетш Г-И., Валенсик Г-И. // Экспресс-информ. ВИНИТИ. Сер. Химия и технол. неорг. веществ, 1975, № 40, с. 6. Заявка 2 365 273, 1970 г. (ФРГ).
  165. Wiebke Gunter. Process for preparing silicon tetrachloride from silicon carbide with hydrogen chloride / Wiebke, Gunter, Johann. Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. //Пат. США 3 920 799. C01B 033/08 № 5,462,072. заявл. 18.04.74- опубл. 18.11.75.
  166. F. A. Pohe. Process for preparing silicon tetrachloride from silicon carbide with hydrogen chloride / F. A. Pohe, T. Hauskrecht // Пат. 2 739 041 США C01B 33/00 № 2,739,041. заявл. 20.08.55- опубл. 20.03.56.
  167. А.А. Неорганические хлориды / А. А. Фурман // Химическая Промышленность 1968. — № 5. — С. 369.
  168. И. И. Тетрахлорсилан и трихлорсилан / И. И. Лапидус, Л. А. Нисельсон // М.: Химия, 1970. 115 с.
  169. В.А. Анализ высокочистых летучих неорганических веществ / В. А. Крылов, В. М. Немец // Академия наук СССР. 1987. Т. 7. С. 206−219.
  170. С.Г. Химико-спектральный анализ высокочистых летучих хлоридов / С. Г. Краснова, О. Ф. Удалов, А. Н. Фатенков //Высокочистые вещества. 1988. № 5. С. 32−38.
  171. Cowles Daniel С. Methods of sampling halosilanes for metal analytes / Cowles Daniel C., Bollinger David S. // United States Patent 7,273,588 September 25, 2007.
  172. Cowles Harold R. Detection of boron impurities in chlorosilanes / Cowles Harold R., Kray William D. // United States Patent 4,529,707 July 16, 1985.
  173. Schmidt D. Process for the determination of the boron contents of pure halogensilanes / Schmidt Dietrich, Hofer Johann, Lang Winfried, Bildl Erich // United States Patent 4,042,331 August 16, 1977.
  174. ГОСТ 26 239.1 84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей.
  175. ГОСТ 26 239.2 84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора.
  176. ГОСТ 26 239.4 84 Дихлорсилан. Методы определения примесей.
  177. Г. А. Химико-спектральное определение примесей в легколетучих соединениях. Определение примесей в трихлорсилане / Г. А. Певцов, Т. Г. Манова // Методы анализа химических реактивов и препаратов. — 1964.-Вып. 8.-С. 27−31.
  178. В. Н. Определение микропримесей в некоторых неорганических хлоридах спектральным методом // В. Н. Шишов, Н. В. Ларин, В. А. Крылов // Получение и анализ веществ особой чистоты. 1978. — С. 220.
  179. Н. В. Спектральное определение микропримесей в тетрахлориде кремния // Н. В. Ларин, В. Н. Шишов, В. А. Крылов, Е. И. Мишина // Журнал аналитической химии. 1976. — № 11. — С. 2193 — 2197.
  180. Л. А. Межфазовые коэффициенты распределения. Равновесия кристалл — жидкость и жидкость — пар / Л. А. Нисельсон, А. Г, Ярошевский. — М.: Наука. 1992. — 390 с.
  181. Г. Г. Определение примесей в виде взвешенных частиц в летучих неорганических гидридах // Г. Г. Девятых, В. Н. Шишов, В. В, Балабанов, Н. В. Ларин, В. И. Зверева, В. И. Родченков // Журнал аналитической химии. 1977. -№ 8.-С. 1578- 1582.
  182. И. А. Исследование потерь примесей в процессе их дистилляционного концентрирования при химико-атомно-эмиссионном анализе высокочистых летучих хлоридов // И. А. Дряхлова, В. Н. Шишов // Высокочистые вещества. — 1987. — № 5. С. 166- 170.
  183. И. В. Пробоподготовка трихлорсилана и тетрахлорида кремния для определения микроэлементов бора, фосфора и мышьяка // И. В. Столярова, В. А. Орлова // Журнал аналитической химии. — 1995. — С. 142 — 146.
  184. В. А. Аналитические приборы. Аналитические автоклавы для пробоподготовки объектов редкометаллической и полупроводниковой промышленности //В. А. Орлова, И. В. Столярова // Журнал аналитической химии. 1988. — С. 373 — 377.
  185. Ю. А.Основы аналитической химии. В 2 кн. Кн. 2. Методы химического анализа / Ю. А. Золотов, Е. Н. Дорохова, В. И. Фадеева и др. М.: Высшая школа. 2002. — 494 с.
  186. И.В. Генезис примеси углерода в высокочистом поликристаллическом кремнии/ И. В. Гранков // Высокочистые вещества.- 1991.-№ 6.-С. 143−155.
  187. Г. Г. Газохроматографический анализ высокочистых летучих неорганических веществ/ Г. Г. Девятых, В. А. Крылов // Высокочистые вещества.- 1987.- № 3.- С. 35−48.
  188. Л.Г. Получение и анализ веществ особой чистоты/ Николаева Л. Г., Агафонов И. Л. //М.: Наука, 1978. С 168−175.
  189. С.Г. Исследование загрязняющего действия некоторых конструкционных материалов при их контакте с высокочистым трихлорсиланом/ С. Г. Краснова, A.B. Логинов, О. Ф. Удалов и др. // Высокочистые вещества.- 1988.- № 3.- С. 123−128.
  190. Н.Т. Газохроматографический анализ нестабильных и реакционно-способных -соединений / Н. Т. Иванова, Л. А. Франгулян. // М.: Химия, 1979. 232 с.
  191. Н.Х. Газохроматографическое определение примесей в трихлорсилане / Н. Х. Аглиулов, В. В. Лучинкин, Г. Г. Девятых // Журнал аналитической химии. 1968. Т. 23. № 6. С. 951−952.
  192. Ю.С. Газохроматографический анализ газов / Ю. С. Другов, Л. А. Конопелько. // М: Моимпекс, 1995. 464 с.
  193. В.А. Система дозирования агрессивных летучих веществ для высокочувствительного хроматографического определения примесей /
  194. B.А.Крылов, С. Г. Красотский, C.B. Яньков // Высокочистые вещества. 1994. № 6.1. C. 157−160.
  195. Н.Д. Устройство для дозирования реакционно-способных и нестабильных летучих веществ/ Н. Д. Гришнова, Ю. М. Салганский // Высокочистые вещества.- 1990.- № 2.- С. 226−229.
  196. Д.А. Получение высокочистого дихлорсилана / Д. А. Шамраков // Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук.- Горький. 1987.
  197. В.А. Газохроматографический анализ высокочистого трихлорсилана/ В. А. Крылов, В. Е. Макаров, Ю. М. Салганский // Журнал аналитической химии. 1984. Т. 39. № 5. С. 890−893.
  198. Г. Г. Газохроматографический анализ тетрахлорида кремния особой чистоты/ Г. Г. Девятых, В. А. Крылов, Ю. М. Салганский // Журнал аналитической химии. -1977.- Т. 32.- № 12. С. 2372−2375.
  199. В.Г. Химические методы в газовой хроматографии/ В. Г. Березкин. // М.: Химия, 1980. 256с.
  200. В.А. Высокочувствительное газохроматографическое определение примесей углерод- и водородсодержащих веществ в тетрахлориде кремния / В. А. Крылов, Ю. М. Салганский, О. Ю. Чернова // Журнал аналитической химии.- 2001.- Т. 56.- № 9. С. 956−961.
  201. Brink Robert G. Method for determining organoamines concentrations in chlorosilane / Brink Robert G., Muller David M., Reggio Guy L. //United States Patent 5,529,935 June 25, 1996.
  202. B.B. Материалы электронной техники / B.B. Пасынков, B.C. Сорокин // М.: Высшая школа, 1986. 370 с.
  203. С. Способ очистки хлорсиланов / Смиел С. // Заявка 2 852 598 (ФРГ) МКИ: С 01 В 33/08. Опубл. 07.06.79.
  204. Моторола Инк. Способ очистки материалов, содержащих кремний / Моторола Инк. // Пат. 4 374 110 США.
  205. Динамит Нобел. Способ очистки хлорсиланов / Динамит Нобел. // Заявка 3 139 803, ФРГ.
  206. Я. Д. Очистка хлорида кремния от примеси треххлористого фосфора/ Я. Д. Зельвенский, В. А. Шалыгин, Ю. В. Голубков // Химическая промышленность.- 1962.- Т. 38.- № 5. С. 347−352.
  207. Kray William D. Purification of chlorosilanes / Kray William D. // United States Patent 4,481,178 November 6, 1984.
  208. Tzou Ming-Shin. Phosphorous removal from chlorosilane / Tzou Ming-Shin. // United States Patent 5,723,644 March 3, 1998.
  209. Pohe F. A. Process for production purified silicon halogenide/ Pohe F. A., Hauskrecht Т. // Пат. 3 016 289 США. Publ. off. Gazet. 1962. V. 774. № 2.
  210. Kray William D. Purification of silicon halides / Kray William D., Razzano- John S. // United States Patent 4,755,370 July 5, 1988.
  211. Klein Stephan. Method for purifying trichlorosilane / Klein Stephan, Block Hans-Dieter, Leimkuhler Hans-Joachim, Dick Werner, Schafer Johannes-Peter // United States Patent 6,843,972 January 18, 2005.
  212. J. A. Radley. Verfahren zum Reinigen von Silicium tetrachloride, J. A. Radley, E. Foster, N. Jones /Auszuge aus den Patent. 1962. № 44.
  213. E. Sirtl. Verfahren zum Herstellen oder halbleitenden Elemente Silicium und Germanium. / E. Sirtl // Auszuge aus den Patent. Пат. 1 123 301 (ФРГ) 1962. № 6.
  214. Wacker-Chemitronic. Purification of halogensilanes and halogengermanes. / Wacker-Chemitronic // Пат. 1 556 830 (Англия). Publ. 28.11.79. MKI: С 01 В 33/04. 33/02. 33/08.
  215. Doornbos Richard S. Purification of chlorosilanes / Doornbos Richard S. // United States Patent 4,713,230 December 15, 1987.
  216. R. Darnell. Способ очистки материалов — источников кремния. / R. Darnell, W. Ingle //Пат. 4 409 195 (США). Опубл. 11.10.83. МКИ: С 01 В 33/107.
  217. G. Rosenberger. Verfahren zum Reinigen von Siliciumgalogenid. / G. Rosenberger//Пат. 955 415 (ФРГ). MKI. С 01 В 33/08. 1957.
  218. В.Н. Исследование экстракционной очистки тетрахлорида кремния / Черняев В. Н., Крапухин В. В., Чернуха Т. Д // Журнал прикладной химии. 1962. Т. 35. № 10. С. 2161−2165.
  219. F. Pohl. Verfahren zum Herstellung hochreiner, weitgehend borfreier und phosphorfreier Kieselsaure bzw Siliciumdioxyd. / F. Pohl, W. Bonseis // Auszuge aus den Patent. Пат. 1 043 301 (ФРГ). 1958. № 46.
  220. Я. Д. Очистка хлорида кремния от примеси треххлористого фосфора / Зельвенский Я. Д., Шалыгин В. А., Голубков Ю. В. // Химическая промышленность. 1962. Т. 38. № 5. С. 347−352.
  221. Ю.М. Адсорбируемость малорастворимых веществ / Мартынов Ю. М., Курляндская И. И. // Журнал физической химии. 1964. Т. 38. № 4. С. 1038−1041.
  222. И.И. Динамика адсорбции из растворов в линейной области / Курлянская И. И., Мартынов Ю. М. // Журнал физической химии. 1966. Т.40. № 6. С.1354−1358.
  223. Я. Д. Исследование адсорбционной очистки трихлорсилана от микропримесей фосфора / Зельвенский Я. Д., Ефремов А. А., Афанасьев О. П. //Журнал прикладной химии. 1965. Т. 38. № 5. С.987−992.
  224. В.Ф. Синтез и глубокая очистка дихлорсилана / Попенко В. Ф. // Диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук. Москва. 1984. 121 с.
  225. Nagamura Takashi. Method of producing ultra high purity monosilane and apparatus therefor / Nagamura Takashi, Tomita Shinji // United States Patent 5,617,740 April 8, 1997.
  226. Nagamura Takashi. Ultra-high purity monosilane producing process and unit / Nagamura Takashi, Tomita Shinji. // United States Patent 5,499,506 March 19, 1996.
  227. B.H. Изучение эффективности ректификационных колонок различного типа при очистке галогенидов кремния / Черняев В. Н., Нисельсон JI.A. // Известия Вузов. Цветные металлы. 1966. № 2. С. 135−142.
  228. Н.Х. Глубокая очистка трихлорсилана методом ректификации / Аглиулов Н. Х., Лучинкин В. В. // Труды по химии и химической технологии. 1973. Вып. 4. С. 28−29.
  229. Г. Л. Глубокая очистка тетрахлорида кремния и германия методом периодической ректификации в режиме эмульгирования / Мурский Г. Л. // Диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук. Горький. 1984.
  230. Sisler Н.Н. Phase studies of some group 4a tetrachloride aromatic Ether systems / Sisler H.H., Wilson W. J., Gibbins B.G. // J. Amer. Chem. Soc. 1948. V. 70. P. 3818−3821.
  231. E. Enk. Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von fleissigen Verbindungen aus denen Halbleitermaterial hergestellt wird. / E. Enk, J. Nickl. // Auszuge aus den Patent. Пат. 1 072 227 ФРГ. 1959. № 52.
  232. Roman P. Obtinerea siliciulur de mare puritate sub forma de bare prin reducerea trichlorsilanului cu hydrogen / Roman P., Nicolau F. // Revista de Chemie. 1962. V. 13. № 11. P. 653−660.
  233. В. Выделение трихлорсилана высокой степени чистоты из смеси хлорсиланов. / Монтевский В. // Пат. 94 331 (КНР). МКИ: С 01 В 33/08. 1977.
  234. Ю.М. К расчету процессов периодической ректификации разбавленных растворов / Фетисов Ю. М., Ефремов А. А, Фалин В. А. // Сборник: Труды МХТИ им. Менделеева. Москва. 1977. № 96. С. 62−73.
  235. В.И. Оптимизация дискретного отбора примеси при глубокой очистке веществ периодической ректификацией / Родченков В. И., Сорочкин A.M., Мурский Г. Л. // Высокочистые вещества. 1989. № 2. С. 130−134.
  236. Ю.Е., Щеплягин Е. М. Глубокая очистка веществ периодической ректификацией путем концентрирования примесей с дискретным отбором концентрата./ Еллиев Ю. Е., Щеплягин Е. М. // Сборник: Получение и анализ чистых веществ. Горький. ГГУ. 1980. С. 25−27.
  237. Я. Д. Ректификация разбавленных растворов. / Зельвенский Я. Д., Титов A.A., Шалыгин В. А. // Л.: Химия. 1974. 216 с.
  238. В.В. Основы массопередачи. / Кафаров В. В. // Издание 2-е. М.: «Высшая школа». 1962. 494 с.
  239. В.H. Расчет и конструирование контактных устройств ректификационных и абсорбционных аппаратов. / Стабников В. Н. // Киев. «Техника». 1970. 207 с.
  240. Браво X. J1. Сетчатые насад очные элементы для ректификационных колонн / Браво Х. Л., Роха Х. А., Фэйр Д. Р. // Нефть, газ и нефтехимия за рубежом. 1985. № 1. С. 76.- 80.
  241. Х.Л. Перепад давления на структурированных насадках / Браво Х. Л., Роха Х. А., Фэйр Д. Р. // Нефть, газ и нефтехимия за рубежом. 1986. № 4. С. 78 82.
  242. Fair R. James. Distillation columns containing structured Packing / Fair R. James, Bravo L. Jose // Chemical Engineering Progress. 1990. № 1. C. 19 29.
  243. Chen Gilbert K. Packed column internals / Chen Gilbert K. // Chemical Engineering 1984. № 3 C. 40 51.
  244. Dankworth David C. A macroscopic model for countercurrent gas-liquid flow in packed columns / Dankworth David C., Sundaresan S. //AI Che Journal. 1989. Vol. 35. № 8. C. 1282- 1292.
  245. Курс физической химии / под ред. Герасимова Я. И. // М: Химия, 1966. Т. 2, 655 с.
  246. Alfa Materials Catalog. Проспект фирмы Ventron Corporation. США, 1986.
  247. Э. Равновесие между жидкостью и паром. / Хала Э., Пик И., Фрид В., Вилим О. // М.: Изд. ин. лит. 1962. 437 с.
  248. Я.И. Термодинамика растворов. / Герасимов Я. И., Гейдрих В. А. // М.: МГУ. 1980. 180 с.
  249. В. П. Теплоты смешения жидкостей. / Белоусов В. П., Морачевский А. Г. // Л.: Химия, 1970. 256с.
  250. Г. М. Зависимость координационных чисел и коэффициентов диффузии жидкости от температуры / Панченко Г. М., Ерченков В. В. // Укр. физ. журн. 1962. Т. 7. № 8. С. 801.
  251. С. М. Тез. докл. VIII Всесоюз. конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ. / Данов С. М., Поляков В. М., Ефремов И. В., Квашенников А. И. // Горький, 1988. № 1. С. 36.
  252. А.А. Получение триметилгаллия особой чистоты / Ефремов А. А., Гринберг Е. Е., Федоров В. А., Ефремов Е. А., Потепалов В. П., Фетисов Ю. М. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1973. Вып. 9. С. 49−56.
  253. В. Я. Получение диэтилцинка особой чистоты / Егурнов В. Я., Гринберг Е. Е., Ефремов А. А., Фетисов Ю. М. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1978. Вып. 4. С. 36−40.
  254. А. А. Металлоорганические соединения особой чистоты для микроэлектроники / Ефремов А. А., Федоров В. А., Гринберг Е. Е. // Высокочистые вещества. 1988. № 3. С. 5.
  255. Я.Д. Исследование кинетики ректификации в колоннах с мелкой насадкой / Зельвенский Я. Д., Титов А. А., Шалыгин В. А. // Химическая промышленность. 1966. № 10. С. 771−776.
  256. Wilke C.R. Estimation of diffusion coefficients for liquids / Wilke C.R., Chang P. // AlChe J., N 1 1955 p.264.
  257. Padmanabban N. Liquid phase hold up in packed distillation column / Padmanabban N., Degaleesan T. E., Ladana G.S. // Indian. Chem. Eng. 1977. V. 17. № 3. P. 36.
  258. .Г. Высокочистые вещества из металлоорганических соединений. / Грибов Б. Г. // Успехи химии. 1973. Т.42. Вып. 11. с 1921—1942.
  259. A.A. Металлоорганические соединения особой чистоты / Ефремов A.A., Гринберг Е. Е., Красавин В. П., Фетисов Ю. М. // Реактивы и особо чистые вещества, Обзорная серия, М., НИИТЭХИМ, 1982.
  260. Н. Справочник по газовой хроматографии. / Пецев Н., Коцев Н. // М: Мир. 1987. 260 с.
  261. В. Насадочные колонки в газовой хроматографии. / Супина В.//М: Мир. 1977. 256 с.
  262. Ю.М. Газохроматографический анализ алкильных соединений металлов II III групп Периодической системы / Салганский Ю. М., Моисеев А. Н. // Высокочистые вещества. 1987. № 6, с.5−15.
  263. A.B. Адсорбционная газовая и жидкостная хроматография. / Киселев A.B., Яшин Я. И. // М: Химия. 1979. 288 с.
  264. В.А. Получение и анализ чистых веществ. / Дозоров В. А., Умилин В. А. // Горький. 1976. вып. 1. с 17−18.
  265. В.А., Умилин В. А. //Получение и анализ чистых веществ. / Дозоров В. А., Умилин В. А. // Горький. 1976. вып. 1. с 19−21.
  266. Edwall D.D. Material characteristics of Hgi. xCdxTe growth by organometallic vapor phase epitaxy / Edwall D.D., Gertner E.R., Bubulak L.O. // J. Cryst. Grouth. 1988. v. 86, pp 240−247.
  267. Myers Т.Н. Grouth of low dislocation density CdTe films on hydroplaned CdTe substrates by molecular beams epitaxy / Myers Т.Н., Schetzina J.F., Magee T.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. V. 2. N 2. PP. 423−426.
  268. Lin M-.S. Phisical properties of CdTe grown on Si by low pressure metalorganic chemical vapour deposition. / Lin M-S., Chou R-L., Chou R-L. // J. Crist. Growth. 1986. V 77. PP. 475−479.
  269. R. Srinivasa. Control of orientation of CdTe grown on clean GaAs and the reconstruction of the precursor surfaces. / R. Srinivasa, M.B. Panish, H. Temkin // Appl. Phis. Lett. 1987. V.50. N 2. p. 1441.
  270. JI.M. Реакционная способность цинк- и кадмийорганических соединений в реакциях разложения. / Дягилева Л. М., Александров Ю. А. // Успехи химии. 1986. Т. 55. № 11. с 1854—1859.
  271. Способ получения силана. Пат. 2 507 864 ФРГ, МКИ С 01 В 33/04.
  272. Способ диспропорционирования хлорсилана. Пат. 4 113 845 США, МКИ С 01 В 33/08.
  273. Способ получения продуктов диспропорционирования хлорсиланов. Пат. 2 162 537 ФРГ, МКИ С 01 В 33/08.
  274. Процесс дисмутации хлорсиланов. Пат. 2 118 725 Франция, МКИ С 01 В 33/08.
  275. Г. Г. Исследование анионообменных смол в качестве катализатора реакции диспропорционирования трихлорсилана / Девятых Г. Г., Панов Г. И., Харитонов А. С., Воротынцев В. М., Шамраков Д. А., Петрик А. Г. // ЖНХ. 1987 Т.32. № 4. С. 1002−1005.
  276. Диспропорционирование хлорсиланов. Пат. 4 395 389 США, МКИ С 01 В 33/08. С 01 В 33/107.
  277. Способ диспропорционирования хлорсиланов. Пат. 4 613 489 США, МКИ С 01 В 33/107.
  278. Л.Б. Синтетические ионообменные материалы. / Зубакова Л. Б., Тевлина A.C., Даванкова А. Б. // М: Химия, 1978. 184 с
  279. В.М. Хизико-химические основы получения высокочистого кремния из дихлорсилана / Воротынцев В. М., Балабанов В. В., Шамраков Д. А. // Высокочистые вещества. 1987. № 3. С. 74−78.
  280. Ионообменные материалы для процессов гидрометаллургии, очистки сточных вод и водоподготовки. // Справ. М.: ВНИИХТ. 1989. 150 с.
  281. Г. Введение в гетерогенный катализ. / Бремер Г., Вепдланд К. П. // М.: Мир. 1981. 160 с.
  282. Sharp K.G. Hazard Potential of Dichlorosilane / Sharp K.G., Arvidson A., Elvey T.C. // J. Electrochem. Soc. 1982. V. 129. N 10. P. 2346−2349.
  283. Г. К. Гетерогенный катализ. / Боресков Г. К. // M.: Наука, 1988. 304 с.
  284. Справочник химика. Том 1. Л.: Химия. 1964. 1072 с.
  285. Воротынцев В.М.: Получение и анализ чистых веществ. / Воротынцев В. М., Балабанов В. В., Мочалов Г. М. // Горький: ГГУД984. С.77−78.
  286. Я.Д. Определение гидравлических характеристик и ректифицирующей способности полимерной насадки для маломасштабных колонн / Зельвенский Я. Д., Райтман A.A., Тимашев А. П. // Химическая промышленность. 1970. № 8. С. 610−612.
  287. И.А. Влияние распределения орошения в насадочных адсорберах на эффективность массопередачи в жидкой фазе / Гильденблат И. А., Гурова М. М., Рамм В. М. // Химическая промышленность 1968. № 3. С. 219−223.
  288. Letsou A. Viscosity of Saturated Nonpolar Liquids at Elevated Pressures / Letsou A., L.I.Stiel // AIChE J. N19 1973 p.409.
  289. Рид P. Свойства газов и жидкостей. / Рид Р., Шервуд Т., Праусниц Г.// Перевод с англ. под ред. проф. В. Б. Когана. Л.: Химия. 1982. 614 с.
  290. Г. Г. Летучие неорганические гидриды особой чистоты. / Девятых Г. Г., Зорин А. Д. // М: Наука, 1972. 687 с.
  291. К. Статистика в аналитической химии. / Дерффель К. // М: Мир, 1994 г. 267 с.
  292. С.И. Кинетика многоступенчатых процессов разделения бинарных смесей. Скорость приближения к стационарному состоянию. / Бабков С. И., Жаворонков Н. М. // Докл. AIT СССР. 1956. Т. 106. № 5. С. 877.
  293. Г. Г. Влияние способа отбора обогащенного примесью дистиллята на эффективность процесса ректификации. / Девятых Г. Г., Родченков В. И, Мурский Г. Л. // Докл. АН СССР. 1983. Т. 273. № 2. С. 397.
  294. В.И. Влияние способа отбора дистиллята на эффективность ректификационной колонны. / Родченков В. И., Мурский Г. Л. Качемцев А.Н. // Получение и анализ чистых веществ. Сб. науч. тр. Горький. 1983. С. 65.
  295. В.М. Исследование зависимости давления пара дихлорсилана от температуры в области 290−350 К. / Воротынцев В. М., Балабанов В. В., Шамраков Д. А. // Журнал физической химии, 1986. Т. 60, № 1, с. 234−238.
  296. Рид Р. Свойства газов и жидкостей (определение и корреляция). / Рид Р., Шервуд Т. // Перевод с англ. под ред. проф. В. Б. Когана. Л.: Химия. 1971. 704 с.
  297. В.Б. Равновесие между жидкостью и паром. / Коган В. Б., Фридман В. М., Кафаров В. В. // М.: Наука. 1966. 640 с.
  298. Lepage Jean-Luc. Preparation of silane from methyldichlorosilane and chlorosilanes / Lepage Jean-Luc, Soula Gerard // United States Patent 4,605,543 August 12, 1986.
  299. Riedel L. Eine Erweiterung des Theorems der ubereinstimmenden Zustande Allgem. / Riedel L. // Warmetechnik. 1955, V. 6, N 11, pp. 230−233.
  300. Л.В. Расчет замкнутой схемы ректификации при любых концентрациях продукта / Стрельцов Л. В., Жаворонков Н. М., Зельвенский Я. Д. // Теоретические основы химической технологии. 1969. Т. 3. № 2. С. 302−305.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?