Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии

Диссертация: Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Известно, что при замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуется либо до-норный, либо акцепторный уровень, способный при изменении положения уровня Ферми отдавать (принимать) один электрон («одноэлектронные» центры). Однако существуют дефекты, способные при взаимодействии с кристаллической решеткой отдавать (принимать) два электрона… Читать ещё >

Содержание

  • 1. МЕССБАУЭРОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 1. 1. Мессбауэровская спектроскопия
      • 1. 1. 1. Параметры мессбауэровских спектров
    • 1. 2. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия
      • 1. 2. 1. Время жизни метастабильных состояний атомов в твердых телах
      • 1. 2. 2. Формы стабилизации многозарядных атомов в твердых телах

Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

3.2. Расчет атомов отдачи 62.

3.3. Объекты исследования 65.

3.4. Материнские атомы Штт8п 65.

3.4.1. Сульфид свинца РЬЭ 65.

3.4.2. Селенид свинца РЬБе 69.

3.4.3. Обсуждение результатов 72.

3.5. Материнские атомы Ш8Ь 73.

3.6. Материнские атомы 119тТе 76.

3.7. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (РЬ1×8пх)121п2Те 78.

3.8. Выводы 83.

4. МЕССБАУЭРОВСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ ЖЕЛЕЗА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ 85.

4.1.

Введение

85.

4.2. Объекты исследования 86.

4.3. Идентификация нейтральных и ионизованных центров железа 88.

4.3.1. Приповерхностная область 89.

4.3.2. Объемная область 92.

4.4. Электронный обмен между нейтральными и ионизован- 96 4 ными центрами железа.

4.4.1. Объемная область 96.

4.4.2. Приповерхностная область 103.

4.5.

Заключение

105.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 106.

Литература

109.

Список работ, опубликованных по теме диссертации 116.

Настоящая работа посвящена исследованию методом эмиссионной мес-сбауэровской спектроскопии на изотопах П9тт8п (119т8п), 1198Ь (1,9т8п) и П9тТе (,|9т8п) двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в РЬ8 и РЬ8е, а также исследованию методом эмиссионной еч с"? мессбауэровской спектроскопии на изотопе Со (Ре) одноэлектронных центров железа в ОаАэ.

В первой главе рассмотрены основные параметры мессбауэровских спектров, особенности эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, и проведен анализ литературных данных по исследованию двухэлектронной примеси олова в халькогенидах свинца и одноэлектронной примеси железа в соединениях А3В5. Вторая глава посвящена описанию методик экспериментальных исследований. Третья глава посвящена исследованию двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца. В четвертой главе возможности эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со (57тРе) используются для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов железа в приповерхностной и объемной частях СаАэ, а также для наблюдения быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа в объемной части СаАБ. Основные результаты диссертационной работы излагаются в последнем разделе. Актуальность работы.

Известно, что при замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуется либо до-норный, либо акцепторный уровень, способный при изменении положения уровня Ферми отдавать (принимать) один электрон («одноэлектронные» центры). Однако существуют дефекты, способные при взаимодействии с кристаллической решеткой отдавать (принимать) два электрона («двухэлектронные центры»). В запрещенной зоне полупроводников в этом случае образу-V ются две полосы локализованных состояний, разделенных на величину корреляционной энергии (энергии Хаббарда) [1] и = Е2-Еь где Е1 и Е2 — первая и вторая энергии ионизации центра.

Если и < 0, то возникает схема уровней, которой приписан термин «двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией» (или «1Г центры»). Существенной особенностью 1 Г центров является неустойчивость их однократно ионизованного зарядового состояния. Каждой паре однократно ионизованных центров энергетически выгодно распасться на один нейтральный и один двукратно ионизованный центры.

Указанные представления были использованы Андерсеном [2] для объяснения свойств аморфных материалов, Адлер с сотр. [3] применили их для описания свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников, Драб кин и Мойжес рассмотрели возможность стабилизации Ц" центров в полупроводниках типа А4В6 [4], а также попытались связать явление сверхпроводимости с появлением таких центров в сверхпроводящем материале [5]. Возможность обнаружения парноэлектронных процессов локализации-делокализации в конденсированных средах рассмотрел Ионов [6]. С ТТ центрами отождествляются также А4В6 резонансные состояния примеси индия [7] и таллия [8,9] в полупроводниках А4В6.

В литературе практически отсутствуют экспериментальные наблюдения двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Исключение составляют лишь примесные атомы олова в халькогенидах свинца и их твердых растворах, для которых методом мессбауэровской спектроско-^ пии на изотопе 1198п такие центры были идентифицированы в большом числе работ [10−23],. предложена модель двухэлектронных донорных центров с отрицательной корреляционной энергией [24] и на ее основе объяснены все И имеющиеся экспериментальные данные по электрическим и оптическим свойствам халькогенидов свинца, легированных оловом [25−39].

Эти исследования были выполнены в абсорбционном варианте мессбау-эровской спектроскопии. Предельная чувствительность абсорбционной мес-сбауэровской спектроскопии по концентрации изотопа 1198п в халькогенидах свинца не превышает 1 ат%, однако, предполагается, что наиболее драматичные изменения в энергетическом спектре примесных атомов олова в халькогенидах свинца происходят при концентрациях олова гораздо меньших 0.5 ат% [25−39]. В этом случае предпочтительно использовать эмиссионный вариант мессбауэровской спектроскопии, чувствительность которой может достигать ~ 10″ ат% [41]. Эмиссионный вариант спектроскопии был использован уже в первых работах, посвященных мессбауэровским исследованиям примесных атомов 57Ре в таких классических полупроводниках как Ое [42],.

3 5.

43], соединениях, А В [44,45]. В частности, были сделаны попытки связать параметры мессбауэровских спектров с положением уровня химического потенциала в запрещенной зоне материала. Однако они оказались неудачными, что объясняется недостатками в постановке эксперимента [46,47].

При использовании эмиссионной мессбауэровской спектроскопии следует иметь в виду, что два обстоятельства. Во-первых, образованию мессбау-эровского уровня всегда предшествует ядерное превращение материнского изотопа, что может привести к смещению его из нормальных узлов решетки. Во-вторых, предполагается, что тонкая структура мессбауэровских спектров в случае электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами должна зависеть не только от частоты электронного об-^ мена, но и от использованного варианта мессбауэровской спектроскопии.

47].

Настоящая работа посвящена изучению возможностей эмиссионной мес-сбауэровской спектроскопии на изотопах 57тРе (с материнскими атомами 57Со) и 1 19ш8п (с материнскими атомами 119тт8п, П98Ь и 119тТе) для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов, образующих однои двухэлектронные уровни в запрещенной зоне полупроводников. В качестве объектов исследования были выбраны арсенид галлия ваАБ, легированный 57Со (результаты исследований опубликованы в [146]), и халькогениды свинца (РЬБ, РЬБе), легированные 119тт8п, 119БЬ и 119тТе (результаты исследований опубликованы в [147−149]). Использовались эмиссионный [57Со (57тРе), 119тт8п (119т8п), 1198Ь (119т8п) и, 19тТе (119т8п)] и абсорбционный [п98п] варианты мессбауэровской спектроскопии.

Цель работы:

1. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии наизотопах * 119тт8п (П9т8п), П98Ь (П9т8п) и П9тТе (, 9т8п) провести идентификацию двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией, вводимых в РЬ8 и РЬ8е методом ядерной трансмутации, а также провести обнаружение процессов электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами олова в частично компенсированном материале (когда уровень химического потенциала стабилизируется в энергетической полосе, образованной примесными атомами).

2. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со (57тРе) провести идентификацию одноэлектронных центров железа, вводимых в ОаАБ методом ядерной трансмутации, а также провести исследование процессов электронного обмена между нейтральными и иониф зованными примесными центрами железа в частично компенсированном материале.

Положения, выносимые на защиту:

1. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке РЬБ и РЬ8е после ядерного распада изотопов П98Ь и 119тТе, не зависит от положения уровня химического потенциала, тогда как центр олова, образующийся после ядерного распада изотопов 119тт8п, 1198Ь и 119тТе в катионной подрешетке РЬ8 и РЬБе, представляет собой двухэлек-тронный донорный центр с отрицательной корреляционной энергией (нейтральному состоянию центра [Бп]0 соответствует ион Бп24″, а двукратно ионизованному состоянию [8п]2+ соответствует ион Бп4*).

2. Для частично компенсированного РЬБе частота процесса двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными центрами олова в катионной подрешетке растет с ростом температуры.

3. Примесные атомы железа, возникающие вследствие ядерного распада изотопа 57Со в ваАБ, образуют в запрещенной зоне СаАэ одноэлектронные акцепторные уровни (нейтральному состоянию центра [Те]0 соответствует ион Бе3*, а ионизованному состоянию (Те]" соответствует ион Ре2+).

4. В частично компенсированном ваАэ при температуре 295 К протекает процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа через валентную зону.

5. Информация эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для случая примесных атомов в полупроводниках тождественная информации абсорбционной спектроскопии, однако эмиссионный вариант спектроскопии дает возможность реализовать вхождение примесных атомов в необычные (антиструктурные) положения решетки.

Научная новизна:

1. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах.

I 10тт 110 11 От л.

Бп, БЬ и Те идентифицированы нейтральные [Бп] (им соответствуют ионы 8п2+) и ионизованные [8п]2+ (им соответствуют ионы 8п4+) состояния примесных атомов олова в катионной подрешетке РЬБ и РЬБе.

2. Показано, что примесные атомы олова в катионной подрешетке РЬБ и РЬБе являются двухэлектронными донорными центрами с отрицательной корреляционной энергией Хаббарда, причем энергетические уровни олова лежат в нижней половине запрещенной зоны в РЬБ и на фоне валентной зоны в РЬБе.

3. Продемонстрирован процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами олова в частично компенсированном РЬБе.

4. Зарядовое состояние атомов олова, образующегося в анионной подрешетке РЬ8 и РЬБе после ядерного распада изотопов Ш8Ь и 119тТе, не зависит от положения уровня химического потенциала, и они образуют электрически неактивные антиструктурные дефекты.

5. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со идентифицированы нейтральные (Ре]0 (им соответствуют ионы Ре3+) и иоч I низованные [Те]' (им соответствуют ионы Бе) состояния примесных атомов железа в объемной части ОаАэ. Показано, что указанные примесные атомы железа образуют в запрещенной зоне ваАБ одноэлектронные акцепторные уровни.

6. Обнаружен процесс быстрого одноэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в частично компенсированном ваАБ (время жизни центров [Ре]° и [Ре]" при температуре 295К не превышает 10″ 9 с).

7. Продемонстрировано, что в приповерхностной области ваЛв примесные атомы железа, образующиеся после ядерного превращения 57Со, входят в состав электрически активных ассоциатов с вакансиями решетки, причем при температуре 295 К не наблюдается процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа.

Научная и практическая важность работы.

Полученные результаты могут иметь важное значение при создании теории двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в полупроводниках, а также для реализации новых технологий получения полупроводниковых материалов с необходимым комплексом свойств. Апробация работы.

Результаты исследований докладывались на XI Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и качество образования и науки» (СПб, 2004 г.), а также на семинарах кафедры Прикладной физики и оптики твердого тела Радио-физического факультета СПбГПУ (СПб) и на семинаре лаборатории физико-химических свойств полупроводников ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. Публикации.

По теме диссертации опубликовано 4 работы, включая 3 журнальных статьи [146−148]. Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы. Полный объем работы 117 страниц машинопе-чатного текста, в том числе 14 рисунков, 3 таблицы. Библиография составляет 149 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Продемонстрирована тождественность информации, получаемой методами эмиссионной и абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119ттзп («19т3п) для случая медленного электронного обмена между нейтральными и ионизованными двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца (РЬБ и РЬБе), что свидетельствует о принципиальной возможности использования эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для исследования процессов бозе-конденсации куперовских пар в конденсированных средах.

2. Олово в решетках РЬБ и РЬБе играет роль глубокого двухэлектронного донора с отрицательной корреляционной энергией: энергетические уровни центра олова лежат в нижней половине запрещенной зоны РЬБ и на фоне валентной зоны РЬБенейтральному состоянию центра [Бп]0 соответствует ион Бп, а двукратно ионизованному состоянию [Бп] соответствует ион 8п4+.

3. Для частично компенсированного РЬБе частота процесса двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными центрами олова в катионной подрешетке растет с ростом температуры.

4. Место локализации примесных атомов сурьмы в решетках РЬ8 и РЬ8е зависит от типа проводимости материала: в электронных образцах сурьма локализуется преимущественно в анионной подрешетке, а в дырочных — преимущественно в катионной подрешетке.

5. Значительная величина энергии отдачи атомов 1198Ь после радиоактивного.

1 10 т * распада материнских атомов Те приводит к появлению заметной доли смещенных атомов 119ш8п, однако большая часть атомов 119т8п после распада 119шТе -*¦ 1198Ь П9т8п остается в анионной подрешетке, играя роль антиструктурных дефектов.

6. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного распада атомов, 19Sb и 119mTe, не зависит от положения уровня Ферми, тогда как центр олова в катионной подрешетке представляет собой двухэлектронный центр с отрицательной корреляционной энергией (в электронный образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра, а в дырочных — двукратно ионизованному состоянию этого центра). f.

7. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn не обнаружено изменений ни локальной симметрии узлов, ни электронной структуры атомов олова в твердых растворах (PbixSnx)izInzTe при переводе их в сверхпроводящее состояние.

8. Локальная структура примесных центров железа, образующихся после ядерного превращения Со различна для приповерхностной и объемной областей кристалла — в приповерхностной области они входят в состав ас-, социатов с вакансиями решетки, тогда как в объемной области — в виде изолированной примеси замещения).

9. Продемонстрирована зависимость зарядового состояния примесных атомов железа в GaAs от положения уровня Ферми в запрещенной зоне, идентифицированы нейтральные и ионизованные акцепторные состояния примесных атомов как в приповерхностной, так и в объемной областях материала (в дырочных материалах железо стабилизируется с электронной конфигурацией 3d5, а в электронных — с электронной конфигурацией 3d6).

10.Для частично компенсированных образцов GaAs в объемной области ма-. териала в области температур 78 — 295 К обнаружен процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными акцепторными центрами железа, осуществляемый дырками через валентную зону.

Автор выражает глубокую благодарность своим научным руководителям: доктору физико-математических наук, профессору С. А. Немову и доктору физико-математических наук, профессору П. П. Серегину, по инициативе которых были начаты исследования, ставшие основой настоящей диссертационной работы.

Автор благодарен сотрудникам кафедры Прикладной физики и оптики твердого тела Радиофизического факультета за постоянный интерес к настоящей диссертационной работе, творческие дискуссии с которыми принесли огромную пользу в работе над диссертацией.

Автор благодарен сотрудникам кафедры Информационных машиностроительных технологий Механико-Машиностроительного факультета за постоянный интерес к работе, позволивший преодолеть различные организационные трудности, возникавшие в процессе оформления диссертации .

Показать весь текст

Список литературы

  1. Habbard J. Proc.Roy.Soc. ИМИ.- c.237 (1964).
  2. Anderson P.W.//Phys.Rev.Lett.- 34.- c.953 (1976).
  3. Adler D., Yoffa E.J.// Phys. Rev. Lett.-237.- c. l 197 (1976).
  4. И.А., Мойжес Б. Я. //ФТП.- 15.-c.625 (1981).
  5. .Я., Драбкин И. А. //ФТТ. 25.-c.1974 (1983).
  6. Ионов С.П.// Известия АН СССР (серия физ.). 49.- 310 (1985).
  7. В.И., Равич Ю.И.//УФН. 145, 51 (1985).
  8. В.И., Немов С. А., Равич Ю. И. //ФТП. 26, 201 (1992).
  9. С.А., Равич Ю. И. // УФН. 168. 817 (1998).
  10. Ю.Прокофьева Л. В., Зарубо C.B., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. //Письма в ЖЭТФ. 33,14(1981).
  11. И.Прокофьева Л. В., Насрединов Ф. С., Никулин Ю. А., Серегин П. П. //ФТТ. 24,1630(1982)
  12. Ф.С., Прокофьева J1.B., Зарубо C.B., Курмантаев А. Н., Серегин П.П.// Письма в ЖЭТФ. 38.20 (1983).
  13. Ф.С., Прокофьева Л. В., Серегин П. П. //ЖЭТФ. 87, 951 (1984)
  14. Ф.С., Прокофьева Л. В., Курмантаев А. Н., Серегин П.П.: //ФТТ. 26.- 862 (1984).
  15. Nasredinov F.S., Prokofieva L.V., Seregin P.P., Zarubo S.V., Ermolaev A.V., Kurmantaev A.N.// Phys.stat.sol.(b). 130.- 727 (1985).
  16. НасрединовФ.С., Прокофьева Л. В., Ф. П. Кесаманлы, А. А. Агзамов, Уразбаева К. Т., Серегин П. П. //ФТТ. 30.- 1848 (1988).
  17. Nasredinov F.S., Turaev E.Yu., Seregin P.P., Rakhmatullaev H.B., Bakhadirkhanov M.K.// Phys.stat.sol.(a). 121.-571 (1990).
  18. В.Ф., НасрединовФ.С., Немов С. А., Серегин ПЛ. // ФТП, 30. 840(1996).
  19. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. //ФТП. 30. 884 (1996).
  20. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П., Серегин Н. П. //ФТП. 33. 789 (1999).
  21. С.А., Мастеров В. Ф., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. // Термоэлектрики и их применения.-Доклады пятого межгосударственного семинара. СПб. 1997. с. 42.
  22. В.Ф., НасрединовФ.С., Немов С. А., Ермолаев A.B., Иркаев С. М. //ФТП. 31. 381 (1997).
  23. Ф.С., Немов С. А., Мастеров В. Ф., Серегин П. П. //ФТТ. 41. 1897(1999).
  24. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. //ФТП.31. 291 (1997).
  25. Л.В., М.Н.Виноградова, Зарубо C.B. //ФТП 14,2201 (1980). 26.3арубо C.B., Ю. А. Никулин, Е. А. Гуриева, Прокофьева JI.B., Равич Ю. И.,
  26. М.Н., Жукова Т.Б.//ФТП. 16,1892(1982).
  27. Л.В., Зарубо C.B., Виноградова М. Н., Никулин Ю. А., Гарцман К. Г. //ФТП. 16, 2136 (1982).
  28. А.Н., Гуриева Е. А., Нефедов О. Г., Прокофьева JI.B. //ФТП. 18, 1723 (1984).
  29. Е.А., Прокофьева Л. В., Равич Ю. И., Зарубо C.B., Гарцман К. Г. //ФТП. 19, 1746(1985).
  30. А.Н., Прокофьева Л. В. //ФТП. 20, 160 (1986).
  31. Л.В., Вейс А. Н. //ФТП. 20. 941 (1986).
  32. Л.В., Жумаксанов Ш. М., Майлина Х. Р. //ФТП. 21,310 (1987).
  33. A.H., Прокофьева Л. В. //ФТП. 21, 743 (1987).
  34. Ю.И., Константинов П. П., Майлина Х. Р., Прокофьева Л. В. //ФТП. 23, 1576(1989).
  35. Г. Т., Земсков Б. Г., Константинов П. П., Прокофьева Л. В., Уразбаева К. Т. //ФТП. 26, 358 (1992).
  36. Г. Т., Гуриева Е. А., Константинов П. П., Максимова Н. В., Прокофьева Л. В. //ФТП 29. 1388 (1995)
  37. А.Н., Суворова H.A. //ФТП. 29, 278 (1995).
  38. А.Н., Суворова H.A. //ФТП 30, 2089 (1996).
  39. А.Н., Суворова H.A. //ФТП 32, 445 (1998). '
  40. П.П., Тураев Э. Ю. Применение эффекта Мессбауэра в физике аморфных полупроводников.// ФАН. Ташкент. 1989.
  41. И.В., Серегин П. П. Применение эмиссионной мессбауэровской спектроскопии в физике полупроводников. // Кишинев. Штиница. 1982.
  42. Norem P.C., Wertheim G.K. J.Phys.Chem.Sol.// 23, 1111 (1962).
  43. Bemskii G., Fernandes J.C. Phys.Lett.A. //131, 231 (1970).
  44. Bemskii G., Fernandes J.C. Phys.Lett.// 6,10 (1963).
  45. Г. Н., Немилов Ю. А., Томилов С. Б. //ФТТ. 7, 3607 (1965).
  46. И.В. Диффузионное распределение примесных атомов в кремнии и германии и некоторые аспекты их миграции под влиянием подпо-рогового облучения.// Канд. диссерт.ф.-м.н. ИПН АН МССР. (1978).
  47. Ф.С. Исследование электронной структуры примесных атомов железа, олова, золота и платины в кристаллических и аморфных материалах. // Канд. диссерт.ф.-м.н. ЛПИ им. М. И. Калинина. (1980).
  48. С.И., Мурин А. Н., Серегин П.П.// Успехи химии. 40, 95 (1971).
  49. Seregin P.P., Nasredinov F.S., Vasilev L.N. Phys. Stat. Sol. //A45,11 (1978).
  50. А.Н., Серегин П. П. //Радиохимия. 28, 673 (1986).
  51. Wertheim GK. II Phys.Rev. 124,764 (1961).
  52. Triftshauser W., Craig P.P.// Phys. Rev. Letters. 16, 1161 (1966).
  53. Mullen J, K., Okk H.N.// Phys. Rev. Letters, 17, 287 (1966).
  54. Triftshauser W., Craig P.P.// Phys.Rev.162,274 (1967).
  55. A.H., Лурье Б. Г., Серегин П. П. //ФТТ. 10, 1254 (1968).
  56. А.Н., Лурье В .Г., Серегин П. П. //ФТТ. 10, 2624 (1968).
  57. Wertheim G.K., Guggenheim H.J.//Chem.Phys. 42, 3873 (1965)
  58. R., Pasquali G. // Phys.Letters. 15,262 (1965).
  59. R., Coston C.J., Pasquali G., Driukamer H.G. //J.Chem.Phys. 45, 1057(1966).
  60. Micklitz H., Barrett P.H.// Phys. Rev. Letters. 28, 1547 (1972).
  61. Bonville P., Garcin C., Gerard A.// Phys. Rev. B23, 4300 (1981).
  62. Кох P., Реало Э. //Письма в ЖЭТФ. 30,716 (1979).
  63. Ноу G.R., Wintersteiner W. //Phys. Rev. Letters. 28, 877 (1972).
  64. П.П., Регель A.P. //ФТП. 18,1153 (1984).
  65. Friedt J.M., Vogl W.// Phys. Stat. Sol.(a). 24, 265 (1974).
  66. Llabador Y., Friedt J.M.// J. Inorg. Nucl. Chem. 35, 2351 (1973).
  67. Sanchez J.P., Llabador Y., Friedt J.M.// J. Inorg. Nucl. Chem. 35,3557 (1973).'
  68. С.И., Тарасов B.A. Радиохимия. 14, 102 (1972).
  69. А.Н., Бондаревский С. И., Джурша В. В., Тарасов В.А.// ХВЭ. 6, 494 (1972).
  70. Н.Е., Бондаревский С.И.// Радиохимия. 15, 465 (1973).
  71. Н.Е., Бондаревский С. И. //ЖВЭ. 1975, 9, 174 (1975).
  72. Mul len J.G. //Phys.Rev.131,1410 (1963).
  73. А.Н., Лурье В. Г., Серегин П. П. //ФТТ. 9,1424 (1967).
  74. V.G., Shenoy G.K. //Phys.Rev. 143А, 309 (1966).
  75. K.J., Kundig W., Constabaris G., Linquist R.H. //J.Phys.Chem.Sol. 28, 2291 (1967).
  76. Siegwarth J ХУЛ Phys.Rev. 155, 285 (1967).
  77. V.G., Bhasin H.C. //Phys.Rev. 159, 586 (1967)
  78. J.K. //Phys. Rev. 131,1415 (1963).
  79. K., Meisel W., Schnorr R. //Phys. Stat. Sol. 13, K9 (1966).
  80. HennigK., Meisel W., Schnorr H.// Phys. Stat. Sol. 15,199 (1966)
  81. D.H., Debrunner P.Q. //Phys. Rev. 146, 199 (1966).
  82. A.H., Лурье Б. Г., Серегин П. П., Черезов Н. К. //ФТТ. 8, 3291 (1966).
  83. А.Н., Лурье Б. Г., Серегин П. П. //ФТТ. 9, 2428 (1967).
  84. А. Н. Лурье Б.Г., Серегин П. П. //ФТТ. 10, 923 (1968).
  85. Hennig К., Kim Yung, Skorchev B.S. //Phys. Stat. Sol. 27, K161 (1968).
  86. DeCoster M., Amelinckx S. // Phys. Letters. 1,245 (1962).
  87. G., Fernandes J.C. //Phys. Letters. 6,10 (1963).
  88. Г. Н., Гусев И. А., Немилов Ю. А., Шведчиков A.B. //ФТТ. 8, 2112(1966).
  89. Г. Н., Немилов Ю. А., Томилов С. Б., Шведчиков A.B. //ФТТ. 8,604 (1966).
  90. Г. Н., Немилов Ю. А., Толкачев С. С. //ФТТ. 8,451 (1966).
  91. Г. Н., Мурин А. Н., Немилов Ю. А. //ФТТ. 7,1254 (1965).
  92. G.K., Kingston W.R., Herber R.H. // J.Chem.Phys. 37, 687 (1962).
  93. G.K., Herber R.H. // J.Chem.Phys. 37, 552 (1962).
  94. A., Friedt J.M. // Phys. Stat. Sol. (b). 633 (1971).
  95. A., Friedt J.M. // Phys. Stat. Sol. (b). 42, 655 (1969).
  96. J.M., Shenoy G., Abstreiter G., Poinsot R. // J. Chem. Phys. 59, 3831 (1973).
  97. J., Olsen J. // J.Chem.Soc.Dalton Trans. 31 (1974).
  98. Baggio-Zaitovitch E., Friedt J.M., Danon J. // J.Chem.Phys.56,1269 (1972).
  99. E., Gutlich P., Link R. // Chem.Phys.Letters. 15, 302 (1972).
  100. Wei-Ho-Hsiang. // J.Chin.Chem.Soc.Scr.2, 20, 227 (1973).
  101. J.P., Asch L., Friedt J. M. // Chem.Phys.Letters. 18, 250 (1973).
  102. М.И., Перфильев Ю. Д., Бабешкин A.M. ЖВЭ. 9, 283 (1975).
  103. М.И., Перфильев Ю. Д., Бабешкин A.M. // Вестник МГУ. Сер: Химия. 16,749(1975).
  104. Friedt J.M., De Jesus F.,.Sanchez J.P. // Phys.Stat.Sol. (b). 102, 373 (1980).
  105. De Jesus F., Sanchez J.P., Friedt J.M. // Phys.Stat.Sol. (b).102, 545 (1980).
  106. Sanchez J.P., Friedt J.M., De Jesus F. // Phys.Stat.Sol.(b). 103, 311 (1981).
  107. Ю7.Куликов JI.А., Бугаенко JI.T., Перфильев Ю. Д., Бабешкин A.M. // Вестник МГУ. Сер.Химия. 13, 347 (1972).
  108. Ю8.Бондаревский С. И., Тарасов В. А., Щербаков Е. Е. // Радиохимия., 15, 895 (1973).
  109. M.I., Nagy S., Perfiliev Yu.D. // Radiochem.Radianal.Letters.23, 181 (1975).
  110. Yu.D., Kulikov L.A., Bugaenko L.I. // J.Inorg.Nucl.Chem. 38, 2145 (1976).
  111. Я.М., Перфильев Ю. Д., Бабешкин A.M. // ЖВЭ. 12, 272 (1978).
  112. J.K., Horvath D., Molnar В., Nagy D. // Nucl.Instrum. Meth.Phys.Res. 199,277 (1982).
  113. С.И., Изотов В. И., Озерной A.H. //Радиохимия. 15, 891 (1973).
  114. Н.Е., Бондаревский С. И. // ХВЭ. 7, 546 (1973).
  115. Н.Е., Бондаревский С. И. // Радиохимия. 15, 889 (1973).
  116. Н.Е., Бондаревский С. И. // Радиохимия. 15, 892 (1973).
  117. Н.Е., Бондаревский С. И., Кирин И. С. // ХВЭ.9, 363 (1975).
  118. Н.Е., Бондаревский С. И. // ХВЭ. 11, 76 (1977).
  119. Н.Е., Бондаревский С. И. // ХВЭ. 11, 285 (1977).
  120. G.K., Guggenheim H.J., Buchanan D. // J.Chem.Phys. 51, 19 311 969).
  121. Г. Н., Гусев Г. Н., Мурин А. Н., Немилов Ю.А.//ФТТ. 7, 4, 1254(1965).
  122. G., Fabri G., Lamborizio C., Musci M., Artalli I. // Nuovo Cimento. 350,146(1967).
  123. В.Я., Вейц Б. Н., Григалис В. Я., Лисин Ю. Д., Таксар И. М. //ФТТ. 10,2852(1968).
  124. .Н., Гуревич Г. Г., Лисин Ю. Н. // Приборы и техника эксперимента. № 2, 56 (1968).
  125. Nasledov D.N., Smetannikova Yu.S., Vinogradova K.I., Yarmarkin V.K.J/ Phys. Lett. A. 40,224 (1972).
  126. П.П., Болтакс Б. И., Ефимов А. А., Шипатов B.T. //ФТТ. 12, 20 041 970).
  127. П.П., Камолов А. К., Блашку А. И. //ФТТ. 16,2017 (1974).
  128. P.P., Nasredinov F.S., Bakhtiyarov A.Sh. // Phys. Stat. Sol. (b). 91, 35 (1979).
  129. Исаев-Иванов B.K., Мастеров В. Ф., Наследов Д. Н., Ярмаркин В. К. //ФТТ. 16,2068(1974).
  130. П.П. // Физические основы мессбауэровской спектроскопии. Изд.СПбГТУ. 2002.
  131. Shenoy Ed.G.K., Wagner F.E. Mossbauer Isomer Shifts. // North-Holland Publ.Company. Amsterdam-N-Y.-Oxford. 1978.132.1ngalls R. //Phys.Rev.131, 787 (1964).
  132. F., Ambe S. // J.Chem.Phys. 73, 2029 (1980).
  133. F., Ambe S. // J.Chem.Phys. 75, 2463 (1981).
  134. JI.E., Томашик B.H., Грыцив В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. //М., «Наука», 1991.
  135. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. // М., Наука. 1968.
  136. R.V., Shamshur D.V., Shakhov M.F. // J.Alloys Compd. 219, 313 (1995).
  137. Nemov S.A., Parfeniev R.V., Shamshur D.V., Konstantinov P.P., Safonchik M.O., D.I.Popov, Stepien-Damm J., Kaczorowski D. // Physica C. 333, 31 (2000).
  138. H.M., Наследов Д. Н., Талалакин Г. Н. //ФТП. 4, 134 (1970). НО. Ильменков Г. Б., Миронов И. Ф., Наследов Д. Н., Сметанникова Ю. С., Шустров Б. А., Ярмаркин В. К., //ФТТ 13, 1407 (1971).
  139. А.И. Автореферат кандидатской диссертации. // Кишиневский политехнический инстиут. Кишинев. 1973.
  140. В.И., Агеев A.M. //ФТТ. 7,3681 (1965).
  141. Wit М., Estle T.L. // Phys.Rev. 132,195 (1963).
  142. К.Т. // Phys.Rev. 9, 66 (1974).
  143. J. //J.Chem.Phys. 55, 141(1971).
  144. П.П., Степанова Т. Р., Кожанова Ю. В., Волков В. П. Мессбауэровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия // ФТП 2003.-Т.37 — Вып.8.- С.917- 921.
  145. С.А., Кожанова Ю. В., Серегин П. П., Серегин Н. П., Шамшур Д. В. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (РЬ^ПхЫпДе // ФТП.-2003.-Т.37.-Вып.9. С.1085−1086.
  146. С.А., Серегин П. П., Кожанова Ю. В., Серегин Н. П. Двухэлектрон-ные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений // ФТП.-2003.-Т.37 Вып.12 — С.1414−1419.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?