Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников

Диссертация: Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Выбор такого «обходного пути» продиктовал круг рассматриваемых в работе адсорбционных систем, а именно: Н/2п0, СЬ^пО и 02/ТЮ2. Дело в том, что для определения отношения Т|(0) необходимо иметь экспериментальные данные по зависимостям AG (0) и Лф (0), полученные1 в одной данной лаборатории на одних и тех же образцах в одно и: то же время одними и теми же методами. В результате поиска выяснилось… Читать ещё >

Содержание

  • Некоторые обозначения.'
  • Глава 1. Модели адсорбции, адсорбционные эффекты и поверхностные свойства оксидных полупроводников
    • 1. 1. Модели адсорбции на металлах и полупроводниках
    • 1. 2. Адсорбционные эффекты
    • 1. 3. Оксидные полупроводники
    • 1. 4. Постановка задачи
  • Глава 2. Изменение поверхностной проводимости полупроводниковой подложки, вызванное адсорбцией: общие соотношения
    • 2. 1. Наведенная адсорбцией поверхностная проводимость
    • 2. 2. Связь изменения поверхностной проводимости с работой выхода адсорбционной системы
    • 2. 3. Влияние неосновных носителей
    • 2. 4. Влияние поверхностного потенциала на поверхностную проводимость на примере
  • Краткие
  • выводы
  • Глава 3. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на поверхности ZnO и ТЮ
    • 3. 1. Адсорбция водорода на ХпО
    • 3. 2. Адсорбция кислорода на ZnO и ТЮг
    • 3. 3. Оценки зависимости поверхностной подвижности электронов от степени покрытия и температуры
  • Краткие
  • выводы
  • Глава 4. Модели поверхностной подвижности
    • 4. 1. Влияние поверхности на подвижность носителей в металлах и полупроводниках (основные положения)
    • 4. 2. Модель Шриффера
    • 4. 3. Учет связи поверхностной подвижности с изменением работы выхода в модели Шриффера
    • 4. 4. Эмпирический подход к оценке поверхностной подвижности: объемная" модель
  • Краткие
  • выводы

Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Внимание к изучению адсорбционных явлений обусловлено как практической ценностью получаемых результатов для технических и технологических приложений, так и возможностью получения информации о фундаментальных физико-химических процессах взаимодействия твердого тела с чужеродными атомами. Несомненный интерес представляют исследования влияния адсорбции на поверхностные свойства полупроводниковых подложек. Выяснение механизмов такого влияния необходимо1 для понимания процессов легирования полупроводниковых кристаллов в процессе их роста, пассивации примесей, поверхностной очистки и травлениякатализа [1−3]. В последнее время возрос интерес к исследованию влияния молекул" (атомов) газа на поверхностные свойства таких перспективных материалов, как полупроводниковые оксиды. Выяснение механизмов такого влияния необходимо, в частности, для разработки полупроводниковых газовых сенсоров [4−8].

Можно выделить два главных эффекта, вызываемых адсорбцией. Первый эффект — это изменение работы выхода адсорбционной системы Дф (ф — работа выхода «чистой» подложки), обусловленное^ обменом электронами между адатомом и подложкой. Такой обмен, естественно, приводит к изменению концентрации электронов в приповерхностной области.

Второй эффект — это изменение поверхностной проводимости подложки Дв (в — объемная проводимость). Причины этого эффекта двояки. Во-первых, как и в случае работы выхода, в приповерхностной области меняется концентрация электронов. Во-вторых, адчастицы представляют собой дополнительные центры рассеяния электронов, что изменяет подвижность последних. Именно выявлению механизмов влияния адсорбции на эти два фактора и посвящена настоящая работа.

Отметим, что в диссертации при получении всех теоретических результатов природа как адсорбата, так и полупроводникового субстрата не конкретизировалась. Так как, однако, экспериментальная проверка полученных результатов могла быть осуществлена только для адсорбции газов на полупроводниковых оксидах (см. ниже), именно этот тип систем фигурирует в названии работы.

Основная цель диссертационной работы — построение простой модели, позволяющей адекватно описать зависимость поверхностной проводимости Ав от концентрации адатомов. Так как, по определению, АС (0) = еп (0)|Д, (О), где степень, покрытия 0 есть относительная.

О и безразмерная) концентрация адатомов, а п§-(0) и ??8(@) есть, соответственно, концентрация и подвижность электронов в приповерхностной области, для решения проблемы в целом необходимо определить вызванные адсорбцией изменения:

1) концентрации электронов п5(0);

2) подвижности электронов (15 (0).

Первая из этих задач решается с помощью стандартной феноменологической теории полупроводников. Для реализации второй задачи требуется, вообще говоря, решение нелинейного кинетического уравнения Больцмана. В диссертации, однако, был избран некоторый «обходной путь», для которого потребовалось первоначально вычислить отношение Г|((c))=АО (0)/Аф (0). Для вычисления изменения работы выхода использовалась хорошо известная модель Андерсона-Ньюнса.

Выбор такого «обходного пути» продиктовал круг рассматриваемых в работе адсорбционных систем, а именно: Н/2п0, СЬ^пО и 02/ТЮ2. Дело в том, что для определения отношения Т|(0) необходимо иметь экспериментальные данные по зависимостям AG (0) и Лф (0), полученные1 в одной данной лаборатории на одних и тех же образцах в одно и: то же время одними и теми же методами. В результате поиска выяснилось, что" только перечисленные выше системы отвечают столь жестким требованиям: К счастью, интерес именно к таким адсорбционным системам «заметно растет в последние годы [9−16].

В ' главе 2 в, общем" виде рассматриваются наведенные адсорбцией изменения поверхностной проводимости ЛО (0) и устанавливается связь между AG (0) и изменением работы выхода системы Дф (0): вследствие адсорбции. В главе 3 анализируются конкретные адсорбционные системы: H/ZnO, OVZnd и О2/ТЮ2. Глава 4 посвящена изучению влияния адсорбции на подвижность электронов в приповерхностной области. Здесь известная модель Шриффера обобщается на случай адсорбции, а также вводится так называемая «объемная» модель поверхностной подвижности. В Приложении приведен расчет заряда изолированного иона водородаадсорбированного на оксиде" цинкавыполненный в рамках метода связывающихорбиталей Харрисона. В Заключении подводятся1 итоги всей работы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации е-изданиях, рекомендованных в ВАК России:

1. Аньчков, Д.Г. О влиянии адсорбции на поверхностью, проводимость и работу выхода- / C.IO. Давыдов, C.B. Трошин // Письма в журнал технической физики — 2007 — Т. 33 — Вып. 18 — С. 47−53.

2. Аньчков, Д. Г. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на оксидах цинка и титана: изменения работы выхода и поверхностной проводимости. / С. Ю. Давыдов,. C.B. Трошин // Письма в журнал технической физики — 2008 — Т. 34 — Вып. 18 — С. 54−60.

Другие статьи и материалы конференций:

3. Аньчков, Д. Г. Влияние адсорбции на поверхностную проводимость и работу выхода подложки. [Текст]/ С. Ю. Давыдов, С. В] Трошин // Сборник трудов 62-й научно-технической: конференции СПбНТОРЭС им. АС. Попова, посвященной Дню радио. Апрель- 2007 г. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭШ». — С. 182−184.

4. Аньчков, Д. Г. Влияние адсорбированных газов на работу выхода и поверхностную проводимость полупроводниковых оксидов. [Текст]/ С. ЮДавыдов, Трошин С. В. // Международная конференция НАНСИС 2007. 21- 23 ноября 2007 г. Киев, Украина-.

5. Аньчков, Д. Г. Поверхностная подвижность носителей тока* при адсорбции. [Текст]/ С. Ю: Давыдов //10-я всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптои наноэлектронике: Тезисы докладов 1 -5 декабря 2008 г. — СПб.: Изд-во Политех, ун-та, 2008 — 120 с. — С. 42.

6. Аньчков, Д. Г. Влияние адсорбции) молекул кислорода и атомов водорода на: поверхностную подвижность носителей1 тока в полупроводниковых оксидах. [Текст] / С.ЮДавыдов. // 2-я научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники». Труды конференции. Пенза, 26 — 29 мая 2009 года. — С.141−143.

7. Аньчков, Д. Г. Температурная зависимость поверхностной подвижности электронов в адсорбционной системе СЬ/ТЮг. [Текст] // 11-я всероссийская молодежнаяконференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптои наноэлектронике: Тезисы докладов 30 ноября — 4 декабря 2009 года. — СПб.: Изд-во Политех, ун-та, 2009. — 128 с.

НЕКОТОРЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.

Подложка Е&bdquo- - ширина запрещенной зоны;

Еу — энергия потолка валентной зоныЕс — энергия дна зоны проводимостиX — сродство к электронуп, (р) — концентрация электронов (дырок) в объеме полупроводника- (1п,([Хр) — подвижность электронов (дырок).

Адсорбированный атом О. — энергия квазиуровня изолированного адатома относительно уровня Ферми подложки;

Г — полуширина квазиуровня изолированного (одиночного) адатомара — плотность состояний изолированного адатом;

Ъ, — заряд адатома;

Х0 — заряд изолированного адатома;

X, б — длина адсорбционной связи.

Адсорбционная система 0 — степень покрытия подложки адатомами (относительная концентрация в долях монослоя) — ф — электростатический потенциал- |/ - безразмерный электростатический потенциал- £а, Еа — энергия квазиуровня адатома- ^ - константа диполь-дипольного взаимодействияФ — константа изменения работы выходаАф — изменение работы выхода вследствие адсорбции;

АО — изменение поверхностной проводимости подложки, наведенное адсорбцией.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Итак главное, что нам удалось сделать, это однозначно связать изменение поверхностной проводимости АО (0) с изменением работы выхода Аф (0) и показать, что их отношение Т|(0) = АО (0)/Аф (0) в пределах монослоя постоянно с приблизительно семипроцентной точностью. Это означает, что, зная какую-либо одну зависимость, можно предсказать другую, определив отношение Г[ при любом значении степени покрытия.

Эта процедура была выполнена для трех’адсорбционных систем и во всех трех случаях привела к весьма хорошим результатам: совпадение результатов расчета и данных эксперимента было вполне удовлетворительным. Отсюда, в частности, вытекает, что модель Андерсона-Ньюнса адекватно описывает адсорбцию газов на полупроводниковых оксидах.

Было также показано, что Т)(0) сс ц,(0)/>1(0). Так как длина адсорбционной связи А,(0) меняется не значительно, можно полагать, что вся концентрационная зависимость параметра Т)(0) связано исключительно с вариацией поверхностной подвижности. Это обстоятельство дает возможность извлечь информацию об изменении поверхностной подвижности из экспериментальных данных по изменению поверхностной проводимости.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Т. Теория хемосорбции сборник / Т. Эйнштейн Т, Дж. Герц, Дж. Шриффер под ред. Дж. Смита. М.: Мир, 1983. — 336 с.
  2. Nannarone, S. Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces / S. Nannarone, M. Pedio // Surf. Sci. Rep. 2003. — V. 51. — N. 1. — P. 1−149.
  3. Sinfelt, J.H. Role of surface science in catalysis / J.H. Sinfelt // Surf. Sci.- 2002. V. 500. — P. 923−946.
  4. Barsan, N. Understanding the fundamental principles of metal oxide based gas sensors- the example of CO sensing with Sn02 sensors in the presence of humidity / N. Barsan, U Weimer // J. Phys. Condens. Matter. 2003.- V. 15.-P. R813-R839.
  5. , С.Ю. Электронные состояния атомов в адсорбированных слоях автореф. дис. д-ра. ф.-м, наук / С. Ю. Давыдов. Л., 1991.
  6. , С.Ю. Адсорбционные явления в поликристаллических полупроводниковых сенсорах учеб. пособие / С. Ю. Давыдов, В. А. Мошников, В. В. Томаев. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1998. — 52 с.
  7. , С.Ю. Физика поверхности и границ раздела Текст] учеб. пособие / С.Ю. давыдов, А. А. Лебедев, О. В. Посредник. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005.- 66 с.
  8. , А.В. Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов Текст] автореф. дис. канд. ф.-м, наук/ А. В. Павлык. СПб., 2005.
  9. Henrich, У.Е. The Surface Science of Metal Oxides / V.E. Henrich, P.A. Cox. Cambridge, University Press, 1994. — 464 p.
  10. Freund, H.J. Oxide surfaces / H.J. Freund, H. Kuchlenbeck, V. Staemmler // Rep. Prog. Phys. 1996. — V. 59. — N. 3. — P. 283−347.
  11. , С.Ю. Полупроводниковые адсорбционные датчики Текст] / С. Ю. Давыдов, В. А. Мошников, В .В. Томаев. Владикавказ, Изд-во Сев.-Осст. 1 ос. У-та (СОГУ), 1998. — 117 с.
  12. Maffeis, T.G. Nano-crystalline Sn02 gas sensor response to 02 and CH4 at elevated temperature investigated by XPS / T.G.G. Maffeis, G.T. Owen- M.W. Penn. G, T.K.H. Starke, S.A. Clark, H. Ferkel, S.P. Wilks //Surf. Sci: -2002. V. 520. — N. 1. — P. 29−34.
  13. Tiburcio-Silver, A. Regeneration process study on spray-pyrolyzed'Snbi thin films exposed to СО-loaded air / A. Tiburcio-Silver, A. Sanchez-Juarez // Sensors and Acuators. B. 2004. — Y. 102. — P. 174−177.
  14. Tiburcio-Silver, A. SnO^iGa thin films as oxygen gas sensor / A. Tiburcio-Silver, A. Sanchez-Juarez // Mater- Sci. Engeen. B: 2004i — V. 110. -P. 268−271. '
  15. Gurney, R.W. Theory of electrical double layers in adsorbed films / R.W. Gurney // Phys. Rev. 1935. — V. 47. — N. 6. — P. 479−482:
  16. Anderson, P.W. Localised magnetic states in metals / P-W. Anderson // Phys. Rev. 1961. — V. 124. — N. 1. — P. 41−53. '19.: Newns, D.M. Self-consistent model of hydrogen chemisorptions / D.M. Newns // Phys. Rev. 1969. — V., 178. — N. 3. — P. 1123−1135.
  17. , JI.А. Субмонослойные пленки на поверхности металлов Текст] / Л. А. Большов, А. П. Напартович, А. Г. Наумовец, А. Г. Федорус // УФН. 1977. — Т. 122. — Вып. 1. — С. 125−158.
  18. , О.М. Взаимодействие между частицами, адсорбированными на поверхности металлов Текст] / О. М. Браун, В. К. Медведев // УФН. -1989. Т. 157. — Вып. 4. — С. 631−666.
  19. Grimley, Т.В. Theory of chemisorptions / Т.В. Grimley // In: Progress in Surface Physics of Materials. 1975. — V. 2. — P. 71−161.
  20. Grimley, T.B. Chemisorption theory / T.B. Grimley // Crit. Rev. Solid State Sci. 1976. — V. 6. — N. 3. — P. 239−252.
  21. Grimley, T.B. The indirect interaction between atoms and molecules adsorbed on metals / T.B. Grimley // Proc. Phys. Soc. 1967. — V. 90. — N. 569. -P. 751−764.
  22. Grimley, T.B. Overlap> effects in the theory of adsorption using Anderson’s Hamiltonian / T.B. Grimley // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1970. — V. 3. — N. 9.-P. 1934−1942.
  23. Grimley, T.B. Overcompletness in the theory of chemisorptions / T.B. Grimley // Phys. Lett. 1975. — V. 51 A, — N. 5. — P. 267−268.
  24. Bagchi, A. Chemisorption with' overcompletness, nonortogonality, and electron correlation: nondegenerate ground state / A. Bagchi, M.H. Cohen // Phys. Rev. B. 1974. — V. 9. — N. 10: — P. 4103−4115.
  25. Bagchi, A. Chemisorption with overcompletness, nonortogonality, and electron correlation: large U limit / A. Bagchi, M.H. Cohen // Phys. Rev. B. -1976. V. 13. — N. 12. — P. 5351−5361.
  26. Lio, S.K. Hydrogen chemisorption on transition metal surfaces: Tangsten (100) / S.K. Lio, R. Gomer // Phys. Rev. B. 1974. — V% 10. — N. 10. — P. 41 614 172.
  27. Penn, D.R. An improved Anderson model / D.R. Penn // Phys. Rev. B. -1974. V. 9. — N. 3. — P. 839−843.
  28. , А.И. Применение гамильтониана Андерсона в теории хемосорбции Текст] / А. И. Волокитин // Проблемы физической' химии поверхности полупроводников. Новосибирск, 1978. — С. 44−71.
  29. Kato, Т. Coverage dependence of density of states and work function of a random adsorbate substrate system: application to alkali — metal / T. Kato, K. Ohtomi, M. Nakayama // Surf. Sci. — 1991. — V. 243- - N. 1. — P. 103−110.
  30. Давыдов- С. Ю: Переходы металл .- полупроводник, вызванные адсорбцией щелочных металлов- на поверхности (001) кремния! / С. Ю. Давыдов // ФТТ. 2000. — Т. 42. — Вып. 6- -С. 1129−1133.
  31. Давыдов- С.Ю. К расчету изменения работы выхода при- адсорбции металлических^ атомов на полупроводниках / С. Ю. Давыдов, А. В- Павлык // ФТП. 2001. — Т. 35. — Вып. 7. — С. 831−833-
  32. Давыдов, С. Ю- Адсорбция редкоземельных металлов-на кремнии: изменение работы выхода / С. Ю- Давыдов, А. В- Павлык// ФТТ. 2003: — Т. 45. — Вып. 7. — С. 1325−1328.
  33. Давыдов, С. Ю: Адсорбция ванадия на рутиле / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Письма в ЖТФ- 2003. — Т. 29. — Вып., 12. — С. 33−36.
  34. , С.Ю. Адсорбция щелочных металлов на поверхности (100) кремния: изменение работы выхода / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык //
  35. ЖТФ: 2004: — Т.-74*: — Вып. 81- С. 95−99-
  36. , С.Ю. Оценка заряда изолированного адатома / С.Ю. Давыдов- А. В. Павлык // ЖТФ. 2006. — Т. 76. — Вып. 21 -С. 141−142.
  37. , С.Ю. Простые модели адсорбции водорода на германии / С. Ю. Давыдов // ЖТФ. 2005. — Т. 75. — Вып. 1. — С. 112−114.
  38. Давыдов^ С. Ю. Адсорбция атомов водорода на кремнии / С. Ю- Давыдов // ЖТФ. 2005. — Т. 75. — Вып. 1. — С. 141−142.
  39. , С.Ю. Адсорбция молекул кислорода и окиси углерода на диоксиде титана / С. Ю. Давыдов, В. А. Мошников, А. А. Федотов // ЖТФ. -2006. Т. 76. — Вып. 1. — С. 141−142.
  40. Haldane, F.D.M. Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in semiconductors / F.D.M Haldane, P.W. Anderson // Phys. Rev. B. 1976. — V. 13. — N. 6. — P. 2553−2559.
  41. , С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников / С. Ю. Давыдов // ФТП. 1997. — Т. 31. — Вып. 10. — С. 1236−1241.
  42. Muscat, J.P. Atomic theory of work-function variation in alkali adsorption on transition metals / J.P. Muscat, D. M Newns // J. Phys. C. 1974. -V.7.-N. 15.-P. 2630−2644.
  43. , С.Ю. Зависимость электронного состояния адатомов от их концентрации / С. Ю. Давыдов // ФТТ. 1977. — Т. 19. — Вып. 11. — С. 33 763 380.
  44. May, J.W. Ionic monolayers on metals. II. Neutral mixed layers and surface reconstruction / J.W. May, C.E. Carrol // Surf. Sci. 1972. — V. 29. — N. l.-P. 85−113.
  45. Einstein, T.L. Indirect interaction between atoms on a tight-binding solid / T.L. Einstein, J. R Schrieffer // Phys. Rev. B. 1973. — V. 7. — N. 8. — P. 36 293 648.
  46. Schonhammer, K. On correlation effects in the indirect interaction between adatoms / K. Schonhammer, V. Hartung, W. Brenig // Z. Physik. -1975. B. 22. — N. 2. — S. 143−150.
  47. , A.M. Непрямое взаимодействие адсорбированных атомов на поверхности металлов через электронный газ подложки / A.M. Габович, Э. А. Пашицкий // ФТТ. 1976. — Т. 18. — Вып. 2. — С. 377−382.
  48. Le Bosse, J.C. Interaction energy between two identical atoms chemisorbed on a normal metal / J. C Le Bosse, J. Lopez, J. Rousseau-Violet // Surf. Sci. 1978. — V. 72. — N. 1. — P. 125−139.
  49. Lau, K.H. Indirect long-range oscillatory interaction between adsorbed atoms / K.H. Lau, W. Kohn // Surf. Sci. 1978. — V. 75. — N. 1. — P. 69−85.
  50. , O.M. «Непрямое» взаимодействие атомов водорода, адсорбированных на грани (100) вольфрама / О. М. Браун // ФТТ. 1980. -Т. 22. — Вып. 7. — С. 2079−2083.
  51. , О.М. Особенности «непрямого» взаимодействия атомов, адсорбированных на поверхности металлов / О. М. Браун // ФТТ. 1981. -Т. 23. — Вып. 9. — С. 2779−2784
  52. Masuda, К. Changes in density of states caused by chemisorption: monolayer of adatoms on a model transition metal / K. Masuda // Z. Naturforsch. 1977. — B. 33a. — N. 1. — S. 66−73.
  53. Masuda, K. Electronic states of ordered overlayers on a tight-binding metal surface / K. Masuda // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. — V. 114. — N. 2. P. -393−398.
  54. , С.Ю. Косвенное взаимодействие атомов в упорядоченных и аморфных слоях, адсорбированных на поверхности металлов / С. Ю. Давыдов // ФММ. 1979. — Т.47. — Вып.З. — С. 481−486.
  55. , С.Ю. О концентрационной деполяризации адатомов / С. Ю. Давыдов // Поверхность. 1991. — Вып. 8. — С. 17−20.
  56. , С.Ю. Электронное состояние адатомов при больших степенях покрытия / С. Ю. Давыдов // ФТТ. 1978. — Т. 20. — Вып. 6. — С. 1752−1757.
  57. Bardeen, J. Theory of work function / J. Bardeen // Phys. Rev. 1936. -V. 49.-N. 9.-P. 653−663.
  58. Lang, N.D. The Density-Functional Formalism and the Electronic Structure of Metal Surfaces / N.D. Lang // In: Solid State Physics/Ed. by H. Ehrenreich, F. Seitz, and D. Turnbull. 1973. — V. 28. — P. 225−300.
  59. , П.С. Физика полупроводников / П. С. Киреев. М.: Высшая школа, 1969.
  60. , Дж. Теория энергетической зонной структуры / Дж. Каллуэй. М.: Мир, 1969.
  61. , Дж. Принципы теории твердого тела / Дж. Займан. М.: Мир, 1974.
  62. , Дж. Вычисление блоховских функций / Дж. Займан. М.: Мир, 1973.
  63. , У. Теория твердого тела / У. Харрисон. М.: Мир, 1972.
  64. , У. Электронная структура и свойства твердых тел / У. Харрисон. М.: Мир, 1983. — Т.1. — 383 с.
  65. , Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. М.: Мир, 1990. — 488 с:
  66. Ortega, J.E.. Cs and О adsorption on Si (100) 2×1: A model system for promoted oxidation of semiconductors / J.E. Ortega, E.M. Oellig, J. Ferron- R. Miranda // Phys. Rev. B. 1987. — V. 36. — N. 11. — P .6213−6216.
  67. Ishida, H. Coverage dependence of electronic structure of potassium adatoms on the Si (001)-(2×1) surface / H: Ishida, K. Terakura // Phys. Rev. B. -1989. V.40. -N. 17.-P. 11 519−11 535.
  68. Kato, T. Coverage dependence of density of states and work function of a random adsorbate-substrate system: application to alkali-metal / Si (001)2×1 surface / T. Kato, K. Ohtomi, M. Nakayama // Surf. Sci. 1989. — V. 209. — N. 1. -P. 131−150.
  69. Tikhov, M. Sodium adsorption on Si (001)-(2×1) surface / M. Tikhov, G. Boishin, L. Surnev // Surf. Sci. 1991. — V. 241. — N. 1. — P. 103−110.
  70. Johanson, L.S.O. Electronic structure of the Na-adsorbed Si (100)2xl surface studied by inverse and direct angle-resolved photoemission / L.S.O. Johanson, B. Reihl // Phys. Rev. B. 1993. — V. 47. — N. 3. — P. 1401−1406.
  71. Ko, Y.-J. Atomic structure of Na-adsorbed Si (100) surfaces / Y.-J. Ko, KJ. Chang // Phys. Rev. B. 1995. — V. 51. — N. 7. — P. 4329−4335.
  72. Kim, C.Y. Lithium-induced reconstructions of the Si (001) surface / C.Y. Kim, K.S. Shin, K.D. Lee, J.W. Chung // Surf. Sci. 1995. — V. 324. — N. ½. -P. 8−16.
  73. Klein, H. Mean residence time of Li atoms adsorbed on Si (100) and Si (lll) surfaces / H. Klein, M. Eckhardt, D. Fick // Surf. Sci. 1995. — V. 329. N. ½. — P. 71−76.
  74. Chao, Y.-C. Coverage-dependent study of the Cs/ Si (100) 2×1 surface using photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johanson, R: I.G. Uhrberg // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. — N. 8. — P. 5901−5907.
  75. Ko, Y.-J. Atomic and electronic structure of Li-adsorbed Si (100) surfaces / Y.-J. Ko, K.J. Chang, J.-Y. Yi // Phys. Rev. B. 1997. — V. 56. — N. 15. — P. 9575−9582.
  76. Chao, Y.-C. Coverage-dependent study of the Cs/ Si (100) 2×1 surface using photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johanson, R.I.G. Uhrberg // Phys. Rev. B. 1997. — V. 55. — N. 11. — P. 7198−7205.
  77. Chao, Y.-C. Adsorption of Rb on Si (100) 2×1 at room temperature studied with photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johanson, R.I.G. Uhrberg // Appl. Surf. Sci. 1998. — V. 123/124. — N. 1. — P. 76−81.
  78. Johanson, L.S.O. Electronic structure of the Rb-adsorbed Si (100)2xl surface studied by direct and inverse angle-resolved photoemission / L.S.O. Johanson, T. Diitemeyer, L. Duda, B. Reihl // Phys. Rev. B. 1998. — V. 58. — N. 8. — P. 5001−5008.
  79. Kan, T. Secondary ion emission processes of sputtered alkali ions from alkali/Si (100) and Si (lll) / T. Kan, K. Mitsukawa, T. Ueyama, M. Takada, T. Yasue, T. Koshikawa // Surf. Sci. 2000. — V. 460. — N. 1−3. — P. 214−222.
  80. Sakamoto, K. Photoemission study of the Si (lll) 3×1 surface / K. Sakamoto, T. Okuda, H. Nashimoto, H. Daimon, S. Suga, T. Kinoshita, A. Kakizaki // Phys. Rev. B. 1994. — V. 50. — N. 3. — P. 1725−1732.
  81. Komai, M. Microscopical analysis of structure and work function of Ba-covered Si (lll)-(7×7)f surface / M. Komai, M. Sasaki, R. Ozawa, S. Yamamoto // Appl. Surf. Sci. 1999. — V. 146. — N. 1−3. — P. 158−161.
  82. Kamaratos, M. Interaction of Cs with the GaAs (100) surface / M. Kamaratos, E. Bauer // J, Appl. Phys. 1991. — V. 70. — N. 12. — P. 7564−7572.
  83. Yamada, K. Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs (OOl) surfaces studied by metastable de-exitation, spectroscopy / K. Yamada, J. A’sanari, M. Naitoh, S. Nishigaki // Surf. Sci. 1998. — V. 402. — N. 1−3. — P. 683−686.
  84. Derrien, J. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110) / J. Derrien, A. D’Avitaya // Surf. Sci. 1977. — V. 65. — N. 3. — P.668−686.
  85. Ortega, J.E. Growth of K, Rb and Cs on GaAs (llO) / J.E. Ortega, R. Miranda// Appl. Surf. Sci. 1992. — V. 56−58. — N. ½. — P. 211−217.
  86. Kim, J.W. Surface electronic properties of Na/Ge (l 1 l)-3xl / J.W. Kim, J. Seo, S. Kim// Surf. Sci. 1996. — V. 351. — N. 1−3. — P. L239-L244.
  87. Osterlund, L. Potassium adsorption on graphite (0001) / L. Osterlund, D.V. Chakarov, B. Kasemo // Surf. Sci. 1999. — V. 420. — N. 1−3. — P. 174−189.1. X i
  88. , T.B. Термически активированные процессы перестройки-в тонкопленочных структурах Yb-Si(lll) / T.B. Кравчино, M.B. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // ФТТ. 1997. — Т. 39. — Вып. 9. — С. 16 721 678.
  89. , Т.В. Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью Si(lll) / T.B. Кравчино, M.B. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // ФТТ. 1998. — Т. 40. — Вып. 10. — С. 1937- 1944.
  90. , Т.В. Адсорбционная стадия формирования тонкопленочных структур Eu Si(lll) / Т. В. Кравчино, М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // ФТТ. — 2000. — Т. 42. — Вып. 3. — С. 553−563.
  91. Onishi, Н. Modification, of surface electronic structure on Ti02(l 10) and Ti02(441> by Na deposition / H. Onishi, T. Aruga, C. Egawa, Y. Iwasawa* // Surf. Sei. 1988. — V. 199. — N. 1. — P. 54−66
  92. Casanova, R. Potassium adsorption on Ti02(100) / R. Casanova, K. Prabhakaran, G. Thornton // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. — V. 3. — N. 1. — P. S91-S92.
  93. Prabhakaran, K. Alkali-metal-to-substrate charge transfer in ТЮ2(110) c (2×2) / K. Prabhakaran, D. Purdie, R. Casanova, C.A. Muryn, P.J. Hardman, P. L. Wincott, G. Thornton// Phys. Rev. B. 1992. — V. 45. — N. 12. — P. 69 696 972.
  94. Grant, A.W. Cesium adsorption on ТЮ2(110) / A.W. Grant, C.T. Campbell // Phys. Rev. B. 1992. — V. 55. — N. 3. — P. 1844−1851.
  95. Zhang, Z. Adsorption of vanadium on the ТЮ2(110). / Z. Zhang, V.E. Heinrich // Surf. Sei. 1992. — V. 227. — N. 1−3. — P. 263−272.
  96. Tikhov, M. Sodium adsorption on Si (001)-(2xl) surface / M. Tikhov, G. Boishin, L. Surnev // Surf. Sci. 1991. — V. 248, — N. 1. — P. 103−110.
  97. Бонч-Бруевич, B.JT. Сборник задач по физике полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, И-В. Карпенко, A.F. Миронов. М.: Наука- 1968. — 112 с. '
  98. , С.Ю., Влияние субмонослойной"металлической пленки на величину изгиба зон полупроводниковой подложки / С. Ю. Давыдов, A.B. Павлык // ФТП. 2005. — Т. 39. — Вып. 9. — С. 1068−1069.
  99. , Ф.Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Ф.Дж. Блатт. М. тЛ: Физматгиз, 1963.
  100. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки / Под: ред.' Л. Казмерскп. М.: Мир, 1983.
  101. , А.Ф. Явления? переноса > в полупроводниковых пленках / А. Ф. Кравченко, В. В. Митин, Э. М. Скок. Новосибирск: Наука, 1979:
  102. , В.Ф. Рассеяние носителей? тока в металлах и полупроводниках / В. Ф. Гантмахер, И. Б! Лёвинсон. М.: Наука, 1984.
  103. , Ф.Г. Электроны И! фононы в ограниченных полупроводниках / Ф. Г. Басс, B.C. Бочков, Ю. Г. Гуревич. М.: Наука- 1984.
  104. Губанов- А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников / А. И. Губанов.- М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1963.
  105. , Н.Ф. Электроны в неупорядоченных структурах / Н. Ф. Мотт. М: Мир, 1969.
  106. Теория и свойства неупорядоченных материалов / Сб: статей-под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. М.: Мир, 1977.
  107. , Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников/Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос. М.: Наука, 1979.
  108. , Дж. Модели беспорядка / Дж. Займан. М.: Мир, 1982.
  109. , Д.Г. О влиянии адсорбции на поверхностную проводимость и работу выхода / Д. Г. Аньчков, С. Ю. Давыдов, С. В1. Трошин // Письма в ЖТФ. 2007. — Т. 33. — Вып. 18. — С. 47−53.
  110. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи. М.: Мир, 1984.
  111. , Д.Г. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на оксидах цинка и титана: изменения работы выхода и поверхностной проводимости. / Д. Г. Аньчков, С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Письма в ЖТФ 2008. Т. 34 — Вып. 18 — С. 54−60.
  112. , JI.A. К теории реконструкции поверхности полупроводниковых кристаллов / JI.A. Болынов, М. С. Вещунов // ЖЭТФ. -1986. Т. 90. — Вып. 2. — С. 569−580.
  113. , JT.A. О реконструкции чистых граней полупроводников и* переходных металлов / JI.A. Болынов, М. С. Вещунов // Поверхность. 1989. Вып. 7. — С. 5−35.
  114. Haneman, D. Surface of silicon / D. Haneman // Rep. Prog. Phys. 1987. — V. 59. — N. 8. — P. 1043−1086.
  115. Pick, S. Instabilities and reconstructions on solid' surfaces: basic theoretical notions and examples / S. Pick // Surf. Sci. Rep. 1990. — Y. 12. — N. 3.-P. 99−131.
  116. Srivastava, G.P. Theory of semiconductor surface reconstruction / G.P. Srivastava // Rep. Prog. Phys. 1997. — Y. 60. — N. 5. — P. 561−613.
  117. Himpsel, F.G. Inverse photoemission from semiconductors / F.G. Himpsel // Surf. Sci. Rep. 1990. — V. 12. N. 1. — P. 1−48.
  118. Физические величины. Справочник / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
  119. Davydov, S.Y. On the specific features of work function coverage dependence for Na: adatoms on the Cs substrate / S.Y. Davydov // Appl. Surf. Sci. 1999. — V. 140. — N. 1. — P., 52−57.
  120. Davydod, S.Yu. Temperature effect on the dipole moment of adatoms / S.Y. Davydov // Surf. Sci: 1996. — V. 364. — N: 3. — P: 477−480:
  121. , С.Ю. К расчету температурной^ зависимости работы выхода адсорбционной системы / С. Ю. Давыдов // ФТТ. 2003. — Т. 45. -Вып. 5. — С. 925−928.
  122. Fuchs, К. The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals / K. Fuchs // Proc. Cambr. Phil. Soc. 1938. — V. 34. N. 1. — P: 100.-108.
  123. Schrieffer, J.R. Effective carrier mobility in surface-space charge layers / J.R. Schrieffer // Phys. Rev. 1955. — V. 97. — N. 3. — P. 641−646.
  124. , З.С. Нелинейная электропроводность и магнетоэлектропроводность тонких монополярных анизотропных имногодолинных пленок / З. С. Грибников, А. В. Саченко // ФТП. 1976. — Т. 10. — Вып. 2. — С. 304−309.
  125. Parrot, J.E. New theory of size effect in electrical conduction / J.E. Parrot//Proc. Phys. Soc. 1965. — V. 85. — N. 548. — P. 1143−1153.
  126. Parrot, J.E. The size effect for a conduction in solids near surface / J.E. Parrot// Proc. Phys. Soc. 1966. — V. 87. — N. 558. — P. 1000−1002.
  127. Price, P.J. Anisotropic conduction in solids near surfaces / P.J. Price // IBM J. Res. Develop. 1960. — V. 4. — N. 2. — P. 152−157.
  128. , Ю.И. Электропроводность пластинок из кристаллов с многодолинным энергетическим спектром носителей тока / Ю. И. Горкун, Рашба Э. И. // ФТП. 1968. — Т. 10. — Вып. 10. — С. 3053−3059.
  129. , А.В. Энергетический спектр и подвижность электрона в тонкой пленке с неидеальной границей / А. В. Чаплик, М. В. Энтин // ЖЭТФ. 1968. — Т. 55. — Вып. 3(9). — С. 990−998.
  130. , Э.М. Проводимость пленок с макроскопическими неровностями поверхности / Э. М. Баскин, М. В Энтин // ФТП. 1970. — Т. 4.- Вып. 10. С. 1973−1977.
  131. Greene, R.F. Surface transport in semiconductors / R.F. Greene, D.R. Frenkl, J. Zemel // Phys. Rev. 1960. — V. 118. — N. 4. — P. 967−975.
  132. , С.В. Исследование распределения подвижности и концентрации носителей тока по глубине неоднородного слоя методом Ван-дер-По / С. В. Айрапетянц, В. Д Тарасов // ФТП. 1973. — Т. 7. — Вып. 1.- С. 203−210.
  133. Физка низкоразмерных систем / А. Я. Шик и др.]. СПб.: Наука, 2001.
  134. , В.Я. Физика квантовых низкоразмерных структур / В. Я. Демиховский, Г. А. Вугальтер. М.: Логос, 2000.
  135. , В.П. Основы наноэлектроники / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. Новосибирск.: Изд-во НГТУ, 2000. joT4 ^
  136. , Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы / Г. Б. Двайт. М.: Наука, 1969.
  137. , Л.Д. Квантовая механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. -М.: Наука, 1974.
  138. , А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов / А. Марадудин. М.: Мир, 1968.
  139. , X. Принципы динамической теории решетки / X. Бётгер. -М.: Мир, 1986.
  140. Физические величины Текст1]: справочник / под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
  141. В .И. Гавриленко, В .И. Оптические свойства полупроводников / В .И. Гавриленко и др.]. Киев.: Наукова Думка, 1987. — 608 с.
  142. , С.Ю. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников Текст1]: учеб. пособие / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник О.В. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007. — 96 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?