Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe
Диссертация
Экспериментально обнаружены особенности температурной зависимости магнитной восприимчивости, коэффициента Холла переходе. Установлено, что происходящая при СФП перенормировка зонного спектра приводит не только к особенности диамагнитной компоненты магнитной восприимчивости, имеющей минимум в точке Т — Тс, а также к увеличению коэффициента Холла, что связано с перетеканием дырок в тяжелую… Читать ещё >
Содержание
- СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ
- ВВЕДЕНИЕ. б
- ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РъSnх (Те, 5е)
- 1. 1. Кристаллическая структура и некоторые физико-химические свойства
- 1. 2. Структура энергетических зон халько-генидов свинца. II
- 1. 3. Сплавы халькогенидов свинщ и олова
- 1. 4. Магнитная восприимчивость
- 1. 5. Структурный фазовый переход
- 1. 6. Примесные состояния
- 1. 7. Постановка задач исследования
- ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
- 2. 1. Измерение магнитной восприимчивости
- 2. 2. Методика экспериментального исследования кинетических эффектов в диапазоне температур (4.2 4- 450) К
- 2. 3. Приготовление монокристаллических образцов
- 2. 4. Выводы
- ШВА 3. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ И ЗОННЫЙ СПЕКТР ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ P6t-x Sn^Te
- 3. 1. Магнитная восприимчивость твердого раствора РЬо.*гПо.аь Те
- 3. 2. Обсуждение результатов экспериментальных исследований MB узкощелевых твердых растворов Pbt-ac Sn^ Те
- 3. 3. Выводы .'
- ШВА 4. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ И КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯШЕНИЯ В Р
- 4. 1. Магнитная восприимчивость РЬ бе
- 4. 2. Кинетические явления в РЬ бе
- 4. 3. Обсуждение экспериментальных результатов
- 4. 4. Заключительные замечания
- ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРИМЕСИ ИНДИЯ НА МАГНИТНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pb^ Те
- 5. 1. Экспериментальные результаты и их обсуждение
- 5. 2. Выводы
- ГЛАВА. б. МАГНИТНАЯ ПРИМЕСЬ МАРГАНЦА В УЗКОЩШВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Рb,.^ Sn.^ Те
- 6. 1. Магнитные свойства твердого раствора
- Sa^Te, легированного марганцем
- 6. 2. Электрические свойства твердого раствора (РЬ^ Sn.^)^ Ma*Te
- 6. 3. Выводы
- Основные результаты диссертационной работы. Нб
- Л и т е р, а т ур а
- Список обозначений рещ, нт ft Кб п, m «11″ A>K
- — магнитная восприимчивость
- — носители тока
- — ширина запрещенной зоны
- — концентрация носителей тока
- — концентрация электронов и дырок
- — диэлектрическая пронищемость
- — температура
- — масса свободного электрона
- — поправки к поперечным и продольным эффективным массам дырок (+) и электронов (-)
- — матричные элементы операторов импульса
- — намагниченность, магнитный момент
- — напряженность магнитного поля
- — магнитная восприимчивость решетки и носителей тока
- — функция распределения электронов по энергиям
- — уровень Ферми
- — температура фазового перехода
- — удельное сопротивление, расстояние между магнитными центрами, плотность
- — коэффициент Холла
- — постоянная Больщана
- — двухпараметрический интеграл Ферми-Дирака. jy* — магнетон Бора
- F, — однопараметрический интеграл Ферми
- 4. приведенный химпотенциал
- J1″ — холловская подвижность. e» — температура Дебая. oC — термо — э. д
- — химический потенциал, магнитная проницаемость. R- Ro. — холл-фактор. o, — деформационный потенциал
- Ъ. — постоянная Планка. e — характеристическая температура Кюри-Вейсса
- — парамагнитный коэффициент Холла
- OMC — отрицательное магнитосопротивление
- — интеграл обменного взаимодействия
- — плотность состояний на уровне Ферми
- CP X — функция Бриллюэна
- Рэф — эффективный магнитный момент
Список литературы
- Dimmock J. O, Melngailis L, Strauss A.J.
- Band Structure and Laser Action in Pb^^Sn^Te. Phys. Rev. Lett, 1966, v.16, N.8, p.1193.2. Harman Т.О.
- Narrow Gap Semiconductor and Lasers.
- J. Phys. Chem. Sol, 1971. v.32, Suppl.1, pp. 363−383.
- Antcliffe G.A., Parker S.G. Characteristics of Tunable Snx Те Junction Lasers in the 8−12y>*m Region.
- Journ. Appl. Phys., 1973, v.44, N.9, pp. 4T45−4160.4. Bis. R.F., Dixon J.R.
- Applicability of Vegard’s Law to the РЬ- Sn Теt «*A Л1. Alloy System.
- J. Appl. Phys., 1969, v.40. N.4, pp.1918−1921.
- Равич Ю. М, Ефимова Б. А, Смирнов И'*А*-
- Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца рь те, PbSe, Pbs.1. М, 1968, 383с.
- Burkhard Н, Bauer G., Lopez-Otero A# Par-infrared Reflectivity of PbTe Films on UaCl Substrates.
- Sol. St. Coramun, 1976, v.18, If.7, pp.773−776.7'. Цидильковский И.М.
- Зонная структура полупроводников. М, 1978, с 328.8. Allgaier R.S.
- Magnetoresistance in PbS, PbSe and PbTe at 295°, 77,4°, 4,2K. Phys. Rev., 1958, v.112, N.3, pp. 828−836.
- Burke J.R., Houston В., Savage H.T.
- Anisotropy of the Fermi Surface of p-type PbTe. Phys. Rev. B, 1970, v.2, H.6, pp. 1977−1988. 10. Sitter H., Lischka K., Heinrich H.
- Structure of the Second Valence Band in PbTe. Phys. Rev. В., 1977, V, 16, N.2, pp.680−687.1. П. Илисавский Ю.В.
- Эффект пьезосопротивления в PbTe и PbSe. ФТТ, 1962, т.4, ъЛ, с.918−927.12. Cardona М, Creenaway D.
- Optical Properties and Band Structure of Group IV-VI and Group V Materials.
- Phys. Rev., 1964, v.133, N.6A, pp.1685−1697.13. Walton A., Moss T.
- Determination of Refractive Indev and Correction to
- Effective Electron Mass in PbTe and PbSe.
- Proc. Phys. Soc., 1963, v.81, N.521, pp. 509−513.
- Walton A., Moss T.S., Ellis B.
- Determination of the Electron Effective Mass in the1. ad Salt by the Infra-red Faraday Effect.
- Proc. Phys. Soc., 1962, v.79, N.511, pp.1065−1068.
- Stiles P., Burstein E, Langenherg D.
- De Haas←van Alphen Effect in p-type PbTe and n-type PbS. Joum. Appl. Phys., 1961, Suppl 32, N.10, pp. 2174−2178.16. Patel O.K., Slusher R.E.
- Electron Spin-Flip Raman Scattering in PbTe. Phys. Rev., 1969, v.177, N.3, pp.1200−1202.
- Palic E.D., Mitchell D.L., Zemel J.N.
- Magneto-Optical Studies of the Band Structure of PbS, PbTe, PbSe.
- Phys. Rev., 1964, v.135, N.3A, pp.763−778. 18. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников1.1977, М, 366с. 19* Melngailis J., Kafalas J. Harman Т.
- Shubnikov De Haas Measurement in Pb. j Si^Te under Hydrostatis Pressure.
- J. Phys. Chem. Sol., 1971, v.32, Suppl.1 pp.407−409. Melngailis J., Harman Т., Narraides G., Dimmock J. Shubnikov De Haas Measurement in Pb-.xSnxTe* Phys. Rev., 1971, v.3, N.2, pp. 370−375.
- Лашкарев Г .В., Дмитриев АЖ
- Особенности поверхности Ферми электронов и дырок вузкощелевых полупроводниках. ВЮник АН УРСР, 1978,» № 2, с. 12−23*.21. Cohen М., Tsang Y.
- Theory of the Electronic Structure of Some IV-VI Semiconductors.
- J. Phys. Chem. Sol., 1971, v.32, Suppl.1, pp. 303−317.
- Allgaier R.S., Houston B.B.
- Hall Coefficient Behavior and Second Valence Band in Lead Telluride.
- J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N.1, pp. 302−309.23. Andreev A.A.
- The Band Edge Structure of the IV-VI Semiconductors. Journ. de Physique Suppl., 1968, v.29, pp.4−50.24. Esaki L., Stiles P.
- New Type of Negative Resistance in Barrier Tunneling. Phys. Rev. Lett., 1966. v.16, N.24, pp.1108−1111.
- Burke J.R., Allgaier R.S., Houston B.B., Babiskin J., Siebenmann P.G. Shubnikov De Haas Effect in SnTe. Phys. Rev. Lett., 1965, v.14, N.5, p.360.
- Tauber R.N., Machonic A.A., Cadoff I.B. Thermal and Optikal Energe Gaps in PbTe.
- Journ. Appl. Phys., 1966, v.37, N.13, pp.4855−4860.27. Dimmock J.O.k-p Theory for Conduction and Valence Bands of Pb- SnТе1.""л Лand Pb- Sn Se Alloys.1.X
- Journ. Phys. Chem. Sol., 1971, Suppl 1, v.32, pp. 319−330.
- Burke J.R., Houston B.B., Savage H.T. Anisotropy of the Fermi Surface of p-type PbTe. Phys. Rev., В., 1970, v.2, N.6, pp. 1977−1988.29. Kane E.O.
- Band Structure of Indium Antimonide.
- J. Phys. Chem. Sol., 1957, v.1, N.4, pp.249−261.
- Lashkarev G.V., Migley D.P., Shevchenko A.D., Tovstyuk K.D.
- Magnetic Susceptibility and Electrical Properties of1. P-pb1-xSnxTe'
- Phys. Stat. Sol (b), 1974, v.63, H.2, pp.663−668.
- Matyas M. Comments on the Magnetic Susceptibility of3 5
- Some ArB' Semiconductors. Czech. J.Phys., 1958, v.8, p.301.
- Вонсовский С.В. Магнетизм, М, 1971, ЮЗЮ.33. Zawadzki W.
- The Magnetic Susceptibility of Semiconductors with Uonparabolic Energy Bands,
- Phys. Stat. Sol., 1963, v.3, N.8 pp.1421−1428.
- Фальковский Л.А., Бродовой A.B-, Лашкарев Г. В. Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников. Ж Э Т Ф, 1981, т80, BI с.с. 333−348.35. Kristoffel N., Konsin P.
- Electron-Phonon Interaction Microscopis Mechanism and Properties of Ferroelectrics Phase Transition. Ferroelectrics, 1973, v.6, N.1-—2, 3−12.36. Kristoffel N., Konsin P.
- Displacive Vibronic Phase Transitions in Narrow-Gap Semiconductors.
- Phys. Stat. Sol., 1968, v.28, N.1, pp. 331−377.
- Кристофель H.M., Консин П.И.
- Об электрон- фононной природе сегнетоэлектрических фазовых переходов.
- Изв. АН СССР. Сер. физ.", 1969, тЗЗ, Ш2, c, c. I87-I9I
- Kawamura Н., Murase К., Nishikawa S., Nishi S., Katayama S.
- Dielectric Constant and Soft Mode of Pb1 SnTe1. Х Xby Magnetoplasma Reflection.
- Sol. St. Commun, 1975, v.17, N.3, pp. 341−344.
- Jizumi M., Hamaguchi Y., Komatsubara K., Kato Y. Phase Transition in SnTe.
- J. Phys. Soc. Jap., 1975, v.38, N.2, pp. 443−450.
- Багинский В.М., Кик’одзе Р&bdquo-0., Лашкарев Г. В., Радченко М. В". Магнитная восприимчивость и термо-эдс узкощелевых полупроводников Pb-jxSnxTe ПРИ структурном фазовом переходе. Препринт И. ф" АН УССР, № 18, 1978.
- Watarai S., Matsubara Т. Carrier-Concetration Dependence of Phase Transition in SnTe.
- Progr. Theor. Phys., 1975. v.53. R.4, pp. 1214−1215.
- Suski Т., Bay M., Zuczkowski W., Kobayashi K., Komatsubara K.
- Pressure Induced Phase Transition in Pbg SnQ ^ Т. е. Sol. St. Conmiun., 1979, v.30, N.2, pp. 77−80.43. Katayama S., Mills D.
- Theory of Anomalous Resistivity Associated with Structural Phase Transition in IV-VI Compounds. Phys. Rev.B., 1980, v.22, Ж.1, pp. 336−352.
- Насыбуллин P.A., Гиршберг Я. Г., 3 $унов H.H., Калимуллин P.X., Кухарский A'.Ai, Харионовский Ю. С., Шапкин В. В., Бурсиан Э. В-. Немотонная зависимость температуры оегнетоэлектрического фазового перехода в Pb. jxsnxTe от состава.
- ФТТ, 1983, т. 25, в. 3, с. с. 784−788.45. Parada М.Т., Pratt G.W.
- Hew Model for Vacancy States in PbTe.
- Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, N.5, pp. 180−182.46. Parada M.T.1.calized Defects in PbTe.
- Phys. Rev. В., 1971, v.3, N.6, pp.2042−2055.
- Сизов Ф.Ф., Орлецкий В'.Б., Радченко М.В.j Состояния вакансий Те в узкощелевом полупроводникеpb1-xSVe
- ФТП, 1980, т. 14, Ш, 0.2II7−2I22.
- Ковальчик Т.Л., Маслаковец Ю.П.
- Влияние примесей на электрические свойства теллуристого. свинца-
- ЖТФ, 1956, т.26, в. II, сС2417−2431.
- Аверкин А.А., Кайданов В.И-., Мельник Р.Б.
- О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца-. ФТП, 1971″ т. 5, в.1, с91~94>.
- Вейс А.Н., Немов С. А., Гуссар В. А., Кайданов В. И., Кумзеров С. А., Уханов Ю.И.
- Исследование явлений переноса и инфракрасного отражения в PbSe легированном таллием. ФТП, 1977, т. II, в.4, с.699−702.
- Кайданов В.И., Немов С. А., Новичков А. И., Нуромский А. Б. Рассеяние дырок и фононов в PbSe на примеси таллия. ФТП, 1977, т. II, в. 6, C. II87-II88.
- Аверкин А.А., Бушмарина П. С., Драбкин И. А., Санфиров Ю.З. Влияние гидростатического сжатия на электрические свойства
- Pbi-xGexTe G пРимеоью Ga* ФТП, 1978, т.12, B. II, с.2219−2223.
- Бушмарина Г. С., Грузинов Б, Ф., Драбкин И. А., Лев Е. Я., Нельсон И.В.
- О стабилизации уровня Ферми на сплавах Pb-|-.xGexTe легированных Ga.
- ФТП, 1977, т. II, в.10, с.1874−1881.54. Абрикосов А.А.
- Магнитные примеси в немагнитных металлах. УФН, 1969, Т. 97, в. З, с.403−427.
- Иванченко Ю.М., Филлипов А.Э.
- Дальнодействующее взаимодействие магнитных примесныхсостояний в вырожденных.полупроводниках. ФТТ, 1983, т.25, в. З, с.911−912.
- Busch G.A. Halbleiter und Phosphore. 1958, Berlin.57. Метфессель 3., Маттис Д.
- Магнитные полупроводники, М, 1972, 405с.58. Coker J. Edward.
- A Chemical Polish for Sn^Pb^Te J. Electrochem. Soc., 1969, v.116, N.7, p.1021.
- Слынько В.И., Никонюк E.C., Матлак B.B.
- Нанесение контактов на поверхности полупроводниковыхкристаллов.1. ПТЭ, 1969, N23, с. 2031.60. Blount E.J.
- Bloch Electrons in a Magnetic Field. Phys. Rev., 1962, v.126, H.5 pp.1636−1653. 61'. родовой А.В., Лашкарев Г. В.
- Магнитная восприимчивость п-рьте. М.: ЦНИИ «Электроника», 1983, № Р-8887/83. 62. Кикодзе P.O., Бродовой А.В.
- Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pb^Sn^Te (х=о.18). ФТП, 1978, т. 12, в. 6, с.1066−1073. 64. Бродовой А. В., Лашкарев Г. В., Фальковский Л.Д.
- Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pb^Sn^Te (Ойх «1). Тезисы докладов совещания по физике узкощелевых полупроводников. Москва, 1981 г.
- Бродовой А.В., Лашкарев Г. В., Сизов Ф. Ф., Радченко М. В. Отчет „Исследование электронных процессов в узкозонных полупроводниках“.
- ВНИИ Центр. М, регистр№Б934 106 от 27 марта 1981 г-.
- Товстюк К.Д., Лашкарев Г. В., Орлецкий В. Б., Шевченко А!.Д. Магнитная восприимчивость и электрические свойства1. РЪ0.82 Sn0.18Te'. .
- УФЖ, 1974, т. 19, в. 5. с.864−867.67. Dionne G., Woolley I.
- Optical Properties of Some Pb1 Sn Т. е.1.x
- Alloys Detrmined from Infrared Plasma Reflectivity Measurements.
- Phys. Rev. B, 1972, v.6, U.10, pp.3898−3913.
- Akimenko N.I., Starik P.m., Tovstyuk K.D. Magnetic Properties of PbTe.
- Phys. Stat. Sol., 1967, v.23, N.1, pp.93−96.
- Лашкарев Г. В., Миглей Д. Ф., Товстюк К. Д., Шевченко А. Д. Магнитная восприимчивость и электрические свойства1. P-Pb0.65 Sn0.35Te'
- ФТП, 1974, т.8, в.8, с.1425−1430.
- Дорфман Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь.1. Наука», М, 1961.
- Лашкарев Г. В., Теоретическая и экспериментальная химия. 1966, № 4, с. 526.
- Bauer J., Burkhard Н, Heirich Н, Lopez-Otero А, Impurity and Vacancy States in PbTe.
- J.Appl. Phys., 1976, v.47, И.4, pp. 1721−1723. 73- Ivanov-oJcii V*I., Kolomietz B.T., Ogorodnikov V.K., Smekalova K.P., Tsmots V.M. Magnetic Susceptibility of Cdx Hg^Te. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v.14, И.1, pp. 51−58.
- Лашкарев Г. В. Исследование электронных процессов в магнитном поле в узкощелевых твердых растворах Pb^Sn^Te. Автореферат докторской диссертации. Киев. 1979 г.
- Appold G., Grisar R., Bauer G., Burkhard H., Ebert R, Pascher H., Hafele H.G.1.ter-and Intraband Magnetooptikal Transition in Pb.^Sn^Te.11.st. Phys. Conf. of Semicond., Edinburgh, Ser. N.43, 1978, p.29.76. Буджак Я. С., Товстюк К.Д.
- Термомагнитные и магнитные свойства селенистого свинца. Изв. АН СССР (сер.физ), 1964, т. 28,№ 8, с.1318−1320. 77-. Лашкарев Р. В., Шевченко А.Д.
- Магнитная восприимчивость носителей тока в рьп Q. sn^ nrSe, 1. О. У4 0.0о
- ФТП, 1974, т.8, в. 8, с.1598-Г600:.
- Бродовой А.В., Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Товстюк К.Д, Влияние оптических фононов на статическую магнитную восприимчивость и кинетические явления в узкощелевом полупроводнике PbSe.
- ФТП, 1984, т.18, в.4, с.610−614.
- Брандт Н.Б., Белоусова Н. И., Зломанов В. П., Пономарев Я. Г., Скипетров Е. П., Штанов В.И.
- Перестройка энергетического спектра у ^ч-х311*36 при инверсии зон под давлением. ЖЭТФ, 1978, т.74, в. 2, с.646−657.
- Кучеренко И .В'., Тактакишвили М. С., Шотов А. П. Исследование непараболичности валентной зоны и механизма рассеяния дырок в кристаллах Pb0#94Sn0^06Se.
- ФТП, 1974, т.8, в. З, с, 446−451. 81ч Сизов Ф. Ф., Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Орлецкий В. В., Григорович Е.Т.
- Особенности рассеяния носителей тока в узкощелевых полупроводниках.
- ФТП, 1976, т.10, № 10, с.1801−1608.
- Zemel J.N., Jensen J.D., Schooler R.B. Electrikal and Optical Properties of Epitaxial Filmsof PbS, PbSe, PbTe and SnTe.
- Phys. Rev., 1965, v.140, N.1, pp.330−342.
- Ravich Y.I., Efimova B.A., Tamarchenko
- Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenides.
- Phys. Stat. Sol (b)1 1971, v.43, N.2, pp.453−469.
- Сизов Ф.Ф., Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Орлецкий В. В. Температурная зависимость подвижности в твердом растворе1. Pb0.82Sn0.18Te
- ФТП, 1976, т. 10, №-2, с. 393−396.
- Фань Н.И. Поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках1.
- УФН, 1958, т.64, в. 2, о.315−360'.86. Ланг И.Г.
- Исследование двухфононных процессов с помощью методаматрицы плотности.
- ФТТ, 1961, т. З, в.9, с.2573−2588.
- Кайданов В.И., Мельник Р. Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. ФТП, 1973, т. 7, в.4, с. 759−764.
- Драбкин И.А., Ефимова Б. А., Захарюгина Г. Ф., Кайданов В. И., Мельник Р. Б., Нельсон И.В.
- Оптические свойства твердых растворов Pb^ir^Te. ФТП, 1973, т. 7, в. 4, с.794−797.
- Дудкин Л.Д., Ерасова Н. А., Кайданов В. И., Калашникова Т. Н., Косолйпова Э.Ф.
- Влияние примеси индия на электрофизические свойства теллурида олова.
- ФТП, 1972, т. 6, в. II, с. 2294−2296.
- Кайданов В.И., Мельник Р. Б., Германас Н. В. Примесные состояния индия в селениде свинца. ФТП, 1972, т. 6, в.4, с. 726 -728.
- Драбкин И.А., Елисеева Ю. Я., Захарюгина Г. Ф., Нельсон И. В., Равич Ю.И.
- Оптические исследования примесного уровня индия в PbTe и твердых растворах на его основе. ФТП, 1974, т. 8, в. 10, с. 1947−1951.
- Андреев Ю.В., Гейман К. И., Драбкин И. А., Матвиенко А. В., Можаев Е. А., Мойжес Б.Я.
- Электрические свойства PbixSnxTe 0 примесью индия. ФТП, 1975, т.9, в. Ю, с. 1873−1878.93. Мойжес Б. Я., Супрун С.Г.
- Двухэлектронные состояния примесного центра в модели окружающего диэлектрического континуума. ФТП, 1982, т.24, в. 2, с. 550−554.94. Van Vleck J.H.
- Theory of Electric and Magnetic Susceptibilities Oxford Univ. Press., Oxford, 1932.
- Гейман К.И., Драбкин И. А., Матвиенко A.3., Можаев Е. А., Парфеньев Р.В.
- Аномальные электрические свойства слоев Pb^Sn^eс примесью индия.
- ФТП, 1977, т. II, в. 5, с. 846−854.
- Hakamishi A., Matsubara Т. Structural Phase Transition in Mixed IV-VI Compounds.
- Sol. St. Commun., 1979, v.32, N.7, pp.577−580.
- Багинекий B.M., Кикодзе P.O., Лашкарев Г. В., Слынько Е. И., Товстюк К.Д.
- Влияние структурного перехода на магнитные свойства SnTe. ФТТ, 1977, т. 19, в. 2, с. 588−590.
- Kobayashi K.J., Kato J., Katayama Y., Komatsubara K.P.
- Resistance Anomaly due to Displasive Phase Transition in SnTe.
- Sol. St. Commun., 1975, v.17, H.7, pp.875−878.
- Kobayashi K.Y., Kato J., Katayama Y., Komatsubara K.F.
- Carrier-Concentration-Dependent Phase Transition in SnTe"
- Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, H.12, pp.772−774,
- Shimada Т., Kobayashi K., Kato J., Katayama J., Komatsubara K,
- Soft-Phonon-Induced Raman Scattering in IY-VI Compounds.
- Phys. Rev, Lett., 1977, v.39, N.3, pp.143−146.101. Консин П.И.
- Температурные зависимости ширины запрещенной зоны и электоронных спектров сегнетоэлектриков-полупроводников типа А1У ВУ1.
- ФТТ, 1982, т 24, № 5, с.1321−1327.102. Kawamura Н.
- Soft-Mode Anomalies in PbSnTe Semiconducting Alloys, Proс III Int. Conf. Phys. Narrow-Gap Semicond. Warsaw, 1977, p. 5.
- Житинская M.K., Кайданов В. И., Лыков С.Н.
- Об особенности электропроводности поликристалов п-РЬТепри низких температурах.
- ФТП, 1979, т. 13, в.1, с. 183−184.
- Вродовой А.В., Ерасова Н. А., Кайданов В. И., Лашкарев Г. В. Влияние примеси индия на магнитные и электрические свойства твердых растворов рь1 Sn Те.1.—л X
- Тезисы докладов совещания по физике узкозонных полупроводников, Москва, 1981 г.
- Бродовой А.В., Лашкарев Г. В., Ерасова Н.А.
- Влияние примеси индия на магнитные и электрическиесвойства твердых растворов Pb^Sn^Te (х=0.18−0.3−0.4) в сS: Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. (Материалы У1 Всесоюзного симпозиума). Львов, 1983, с.201−203.
- Лашкарев Г. В., Кикодзе P.O., Радченко М. В., Слынько Е. И., Марчук И.З.
- Магнито- и электроактивные состояния марганца в узкощелевых полупроводниках Pb^Sn^Te. ФТП, 1979, т. 13, в.8, сЛ549−1555.
- Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Сизов Ф. Ф., Слынько Е. И., Тетеркин В.В.
- Магнитные свойства твердых растворов рь1и u ръ1-хЬ1п2:Тев
- Неорг. материалы, 1970, т. 6, в Л 2, с.2132−2135. 109. Андрианов Д. Г., Павлов В. М., Савельев А. С., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П.
- Effect of the Exchange Coupling of Mn Jons on Magnetic Susceptibilities of ZnS: MnS Crystals. Phys,. Rev., 1964, v.133, N.3A, pp. 765−767.
- Lara S., Xavier R.M., Taft C.1.direct Interactions Between Localized Magnetic
- Moments in Doped Semiconductors.
- J. Phys. Chem. Sol., 197J, v.38, N.7, pp. 795−799.
- Каган Ю.М., Максимов Jl.A.
- К теории аномального эффекта Холла в ферромагнетиках. ФТТ, 1965, т. 7, в. 2, с. 530−538−114. Escorne М., Mauger А.
- Transport Properties of Sn1 Jin Те at Low Magnetic1.""a X1. Field.
- Sol. St. Commun., 1979, v.31, N.11, pp.893−895.
- Дейбук В.Г., Мельничук С. В., Ницович В. М. Низкотемпературные особенности кинетических коэффициентов узкощелевых полупроводников, легированных маннитными примесями.
- УФЖ, 1983, т, 28, с. 94−97.116. Toyozawa Y.
- Theory of Localized Spins and Negative Magnetoresistancein the Metallic Impurity Conduction.
- J. Phys. Sol. Jap., 1962, v.17, N.6, pp.986−1004.
- Khosla R.P., Fischer J.R. Magnetoresistance in Degenerate CdS Localized Magnetic Moments.
- Phys. Rev. B, 1970, v.2, N.10, pp.4084−4097.
- Cochrane R.W., Plischke M., Strom-Olsem J. Magnetization Studies of (GeTe>1-x (MnTe)x Pseudobinary Alloys.
- Phys. Rev. В., 1974, v.9, N.7, pp.3013−3021.119. Hedgcock E.T.1.calized Magnetic Moments in Impurity-Banded Semiconductors.
- Canadian J.Phys., 1967, v.45- N.4, pp.1473.
- Бродовой A.B., Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Слынько E-wH., Товстюк К.Д.
- Влияние примеси Мп на магнитные и электрические свойства узкощелевых полупроводников (рь1 Sn)1 ш Т. е. i —у у i *"л x
- ФТП, 1984, т.18, в. 9, C. I547-I55I.