Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Пикосекундная спектроскопия нелинейной восприимчивости полупроводников при резонансном возбуждении

Диссертация: Пикосекундная спектроскопия нелинейной восприимчивости полупроводников при резонансном возбуждении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В рамках феноменологического представления нелинейной поляризации в виде разложения по степеням напряженности макроскопического поля определены нелинейно-оптические функции и выполнен анализ фундаментальных соотношений Крамерса-Кронига и правила сумм для нелинейной оптики. На основе уравнений движения матрицы плотности проведено рассмотрение нелинейной восприимчивости, которая описывает эффекты… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАБА I. НЕЛИНЕЙНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ФУНКЦИИ И ОСНОВНЫЕ МЕХАНИЗМЫ НЕЛИНЕЙНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
    • 1. 1. Дисперсия диэлектрической проницаемости
    • 1. 2. Нелинейные оптические функции
    • 1. 3. Соотношения Крамерса-Кронига и правило сумм в нелинейной оптике
    • 1. 4. Нелинейная восприимчивость двух- и трехуровневой системы
    • 1. 5. Эффекты межэлектронного взаимодействия
      • 1. 5. 1. Экранирование свободных носителей и экситонов
      • 1. 5. 2. Ренормализация запрещенной зоны
    • 1. 6. Насыщение межзонного поглощения (динамический эффект Мосса-Бурштейна)
    • 1. 7. Внутризонный вклад плазмы свободных носителей
    • 1. 8. Параметрическая зависимость диэлектрической проницаемости от концентрации свободных носителей
    • 1. 9. Эффект термического разогрева решетки
  • ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДЫ ПИКОСЕКУНДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ НЕЛИНЕЙНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ
    • 2. 1. Качественное описание флуктуационного механизма режима самосинхронизации мод
    • 2. 2. Лазерный комплекс спектрально-временной диагностики нелинейного отклика диэлектрической проницаемости
      • 2. 2. 1. Оптическая схема генератора и усилителя УСИ
      • 2. 2. 2. Модуляция добротности и выделение одиночного импульса
    • 2. 3. Пространственно-временное смешение импульсов как общий случай диагностики нелинейной восприимчивости
      • 2. 3. 1. Вырожденное параметрическое смешение
      • 2. 3. 2. Идентификация времен релаксации
    • 2. 4. Интерференционная диагностика в пикосекундном диапазоне времен
      • 2. 4. 1. Пикосекундная диагностика на основе корреляции амплитуд
      • 2. 4. 2. Пикосекундная диагностика на основе корреляции интенсивностей
  • ГЛАВА III. ДИНАМИКА НЕЛИНЕЙНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПИКОСЕКУНДНОГО ИМПУЛЬСА
    • 3. 1. Кристаллографическая симметрия и вид тензора нелинейной восприимчивости Si, GaAs, AgGaSe2 и CdSxSexx
    • 3. 2. Максвелловское уравнение для среды с нелинейной поляризацией
    • 3. 3. Двухфотонное поглощение и динамика излучательной рекомбинации в объеме GaAs
      • 3. 3. 1. Пространственная структура поля накачки в присутствии когерентного суммирования
      • 3. 3. 2. Динамика излучательной рекомбинации GaAs при двухфотонном возбуждении
        • 3. 3. 2. 1. Характеристики линейного поглощения
        • 3. 3. 2. 2. Нелинейное поглощение
        • 3. 3. 2. 3. Спонтанная и стимулированная эмиссии излучения
        • 3. 3. 2. 4. Численное моделирование двухфотонного поглощения и динамики излучательной рекомбинации
        • 3. 3. 2. 5. Влияние величины двухфотонного поглощения
        • 3. 3. 2. 6. Влияние стимулированного излучения на частоте накачки
        • 3. 3. 2. 7. Влияние динамики поглощения 2££2-центров
    • 3. 4. Наведенное поглощение халькопирита Д^Сгабй
  • ГЛАВА 1. У. ПРОСТРАНСТВЕННО-ВРЕМЕННАЯ ЭВОЛЮЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ ПЛАЗМЫ
    • 4. 1. Пикосекундная спектроскопия края поглощения ОаЛя, А^ОаЗе2 и Л'
    • 4. 2. Диффузия и рекомбинация свободных носителей ОаМ, А^Оа8е2 и
    • 4. 3. Кинетика нестационарного энергообмена в среде с амплитудно-фазовым характером нелинейного отклика
    • 4. 4. Пикосекундная диагностика отклика нелинейной рефракции
      • 4. 4. 1. Нелинейный показатель преломления и СаАя, индуцированный генерацией свободных носителей
  • ГЛАВА V. ВЛИЯНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ОГРАНИЧЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
    • 5. 1. Пикосекундная спектроскопия спонтанной люминесценции С (18×5е{х с размерным ОО-ограничением
    • 5. 2. Четырехволновое смешение в СйБ^е^ ОБ-кристаллитах
    • 5. 3. Двухфотонное поглощение полупроводниковых микрокристаллов с размерным ОО-ограничением
    • 5. 4. Пикосекундная спектроскопия отражения пористого кремния
  • Глава VI. КРИТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПИКОСЕКУНДНЫМ ЛАЗЕРНЫМ ИМПУЛЬСОМ
    • 6. 1. Временная диагностика процесса плавления кремния
    • 6. 2. Генерация филаментарных и ячеистых структур поверхности
    • 6. 3. Пассивная самосинхронизация мод при тепловом механизме отклика нелинейного элемента

Пикосекундная спектроскопия нелинейной восприимчивости полупроводников при резонансном возбуждении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Интенсивное резонансное возбуждение полупроводников, характеризующееся заметным изменением распределения по энергетическим состояниям, является объектом широкого круга исследований, которые открывают возможность изучения элементарных процессов нелинейного взаимодействия светового поля излучения с конденсированными средами. Фундаментальный аспект проблемы резонансного возбуждения определяется тем, что пространственно-временная миграция энергии светового поля, представленная в виде электронных возбуждений, трансформируется по мере роста температуры и концентрации квазичастиц из свободных электроннодырочных пар и экситонов в плазму носителей, рассматриваемую как идеальный газ фермионов. При этом нелинейная поляризация полупроводника, зависящая как от мгновенного значения поля, так и от всех его значений в прошлом, в предельных выражениях температуры и концентрации носителей определяется главным образом либо эффектами кулоновского взаимодействия, либо внутрии межзонным вкладами плазмы этих носителей. Поскольку изменение распределения по энергетическим состояниям представляет собой наиболее мощный и универсальный механизм нелинейности, его исследование является чрезвычайно актуальным с точки зрения практического воплощения своременных разработок нелинейной оптики.

В настоящей работе представлено комплексное описание процесса нелинейного взаимодействия мощного светового импульса с объемом полупроводника в условиях резонасного возбуждения, полученное методами пикосекундной спектроскопии реальной и мнимой части нелинейной восприимчивости при уровнях возбуждения, охватывающих возникновение критического состояния (фазовый переход).

В первой главе приведено определение нелинейно-оптических функций й показано выполнение для них фундаментальных соотношений Крамерса-Кронига и правила сумм из линейной оптики. Представлено теоретическое описание основных механизмов нелинейности, включающее случаи низких и высоких значений температуры и концентрации фотовозбужденных носителей, для которых электронные возбуждения преимущественно представлены либо в виде свободных электронно-дырочных пар и экситонов, либо в виде плазмы свободных носителей.

Вторая глава содержит описание разработанного лазерного комплекса пикосекундной спектрально-временной диагностики нелинейного отклика диэлектрической проницаемости полупроводников, с помощью которого выполнена основная часть представленных в работе исследований. Изложены новые методы пикосекундной диагностики на основе голографической интерферометрии с использованием корреляционных функций первого и второго порядков, позволяющие диагностировать реальную часть нелинейной восприимчивости.

Третья глава содержит результаты абсорбционной спектроскопии мнимой части нелинейной восприимчивости третьего и пятого порядков, ответственной за самовоздействие в виде наведенного поглощения, которое, в общем случае, является результатом одноили двухфотонного межзонного поглощения с последующим внутризонным поглощением кванта возбужденными носителями. Исследование наведенного поглощения выполнено в наиболее общей форме, учитывающей тензорный характер нелинейной восприимчивости, когерентные свойства поля накачки, нелинейную рефракцию, глубокие примесные уровни (ЕЕ2) и динамику спонтанной и стимулированной эмиссии излучения.

Показано, что в результате когерентного рассеяния на микрорельефе поверхности пространственное распределение поля накачки содержит структуру спеклов, статистика которых отвечает за скачкообразное увеличение нелинейного поглощения в п раз (п — кратность нелинейного процесса).

Исследовано долевое участие в наведенном поглощении примесных ЕЬ2-уровней с учетом стимулированных переходов зона-зона и зона-примесный уровень. Определено их влияние на величину пропускания полупроводника и эффективность процессов излучательной и безизлучательной рекомбинации. Рассмотрена геометрия возбуждения образца при переменном уровне накачки, который вызывает переход от эмиссии люминесценции в прямом направлении к эмиссии во всем телесном угле или к преимущественному излучению в поперечном направлении.

Приведены величины коэффициента двухфотонного поглощения для прямозонного (СаМ, ^Оа$е2) и непрямозонном (Яг) полупроводников, которые находятся в хорошем соответствии с теоретичекими расчетами этих величин.

Четвертая глава посвящена исследованиям пространственно-временной эволюции электронно-дырочной плазмы, которая включает энергетическую релаксацию электронной подсистемы за счет ее охлаждения, а также процессы диффузии и рекомбинации носителей. Эксперименты базируются на изучении пикосекундной динамики спектра светоиндуцированного изменения края поглощения БаАз, AgGaSe2 и, 57 при двух значениях температур 77 и 300К.

Исследования температурной релаксации электронной подсистемы было выполнено путем отслеживания во времени спектра оптического усиления (ОаА$,.

СаБе^), верхняя граница которого определяет величину полного химического потенциала подсистемы, имеющей температуру Т.

Исследования диффузии и рекомбинации носителей выполнены методом светоиндуцированных решеток, затухание которых определяется двумя указанными процессами. Получены значения коэффициента амбиполярной диффузии и времени рекомбинации носителей, отвечающие низким и высоким уровням возбуждения. Зарегистрировано увеличение диффузии и рекомбинации носителей при увеличении их концентрации и приведена трактовка наблюдаемого отклонения зависимости затухания решетки от простого экспоненциального закона.

Разработана теория двухволнового параметрического смешения на нелинейной воспримчивости третьего порядка, которая показывает, что зависимость энергообмена как функция временной задержки между импульсами, имеющая в общем случае знакопеременный характер, доминирующим образом определяется соотношением между амплитудной и фазовой составляющей нелинейного отклика полупроводника. Проведены модельные эксперименты вСа8е2 и 5У, которые полностью соответствуют полученному аналитическому решению.

Проведены исследования нелинейного показателя преломления ОаАя, полученные методом пикосекундной голографической интерферометрии. Полученные значения п2 подтверждают результаты абсорбционной спектроскопии в том, что ниже края поглощения реальная часть нелинейного отклика адекватно описывается моделью Друде.

В пятой главе приводятся исследования линейных и нелинейных оптических свойств полупроводников (пористый кремний) и полупроводниковых систем (С^х&^х-микрокристаллитов в стеклянной матрицы) с пространственным ограничением носителей заряда. В совокупности с экспериментами по четырехволновому смешения установлено, что квантово-размерное ограничение приводит к увеличению примерно на два порядка скорости излучательной рекомбинации в СЖ^е^. Показано, что спонтанная люминесценция Сй^^.х обладает всеми отличительными особенностями, присущими рекомбинации донорно-акцепторных пар. Пикосекундная спектроскопия отражения пористого кремния позволила установить сокращение более чем на порядок времени жизни свободных носителей.

В шестой главе излагаются результаты обширных исследований фазового перехода в кремнии при его возбуждении пикосекундным лазерным импульсом. Обнаружено, что неустойчивость жидкой фазы кремния на стадии рекристаллизации приводит к образованию ячеистых и филаментарных структур рельефа поверхности, характерный размер которых составляет (3−5) и 0.1мкм, соответственно. Разработана модель неустойчивости термокапиллярных волн в неоднородно прогретой пленке жидкости, основные положения которой находятся в качественном соответствии с результатами экспериментов.

Приводятся результаты исследований временных характеристик отклика пленки двуокиси ванадия, механизм нелинейности которой имеет чисто тепловой характер и связан с фазовым переходом первого порядка без изменения агрегатного состояния. Представлена теория формирования режима самосинхронизации мод твердотельного лазера, реализуемого с помощью нелинейного зеркала на основе двуокиси ванадия.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В итоге выполненных исследований получено комплексное описание процесса нелинейного взаимодействия мощного светового импульса пикосекундной длительности с объемом полупроводника в условиях резонансного возбуждения, вызывающем изменение заселенностей его зон и уровней. Фундаментальность проблемы резонансного нелинейного взаимодействия, которая при низких концентрациях характеризуется наличием обменных и корреляционных эффектов, а при высоких концентрацияхпереходом к плазме свободных носителей, представлена в работе исследованиями, включающими уровни возбуждения полупроводника вплоть до возникновения критического состояния (фазовый переход). Пространственно-временная миграция энергии светового поля, отвечающая резонансному возбуждению полупроводника и являющаяся одним из наиболее мощных механизмов оптической нелинейности, исследована в работе методами пикосекундной спектроскопии, с помощью которых установлены основные закономерности энергетической релаксации возбужденного состояния полупроводника. Основные результаты исследований могут быть сформулированы в виде следующих положений:

1. В рамках феноменологического представления нелинейной поляризации в виде разложения по степеням напряженности макроскопического поля определены нелинейно-оптические функции и выполнен анализ фундаментальных соотношений Крамерса-Кронига и правила сумм для нелинейной оптики. На основе уравнений движения матрицы плотности проведено рассмотрение нелинейной восприимчивости, которая описывает эффекты насыщения, двухфотонного поглощения, вынужденного комбинационного рассеяния и динамического эффекта Штарка двухи трехуровневой атомарной системы. С учетом специфики полупроводника, обусловленной особеностями зонной схемы и многоэлектронным характером взаимодействия, приведено теоретическое описание основных механизмов нелинейности, которые ответственны за нечетные члены разложения поляризации среды. Для общности представления рассмотрение включает случай низких температур и малых концентраций фотовозбужденных пар (корреляционное и обменное взаимодействие) и случай высоких температур и концентраций, когда существенными становятся экранирование кулоновского потенциала, насыщение межзонного перехода, вклад плазмы свободных носителей и термический разогрев решетки.

2. На основе принципа пассивно-активной самосинхронизации мод создан автоматизированный лазерный комплекс спектрально-временной диагностики нелинейного отклика полупроводников с разрешением ЗОпс в диапазоне (0.8−1.1)мкм и воспроизводимостью качества пикосекундного импульса не ниже 0.9, достигаемой за счет использования внутрирезонаторной отрицательной обратной связи.

Исходя из представления о корреляционной функции первого порядка для излучения с периодичным составом спектра, разработан метод голографической регистрации волнового фронта, использующий функцию корреляции второго порядка (корреляция интенсивностей), который позволяет осуществлять безаберрационный переход от длины волны записи рентгеновского диапазона к длине волны восстановления видимого диапазона.

Существующее многообразие схем параметрического смешения, на которых базируется пикосекундная диагностика, расширено с изменением ее качества в результате распространения метода голографической интерферометрии на пикосекундный диапазон времен, с помощью которого осуществена диагностика фазовой составляющей нелинейного отклика.

3. Методами пикосекундной абсорбционной спектроскопии выполнены детальные исследования мнимой части нелинейной восприимчивости третьего и пятого порядков, определяющей эффект самовоздействия в виде наведенного поглощения, которое, в общем случае, является результатом одноили двухфотонного межзонного поглощения с последующим внутризонным поглощением фотона возбужденными носителями. Формулировка проблемы нелинейного поглощения включала физически наиболее достоверные параметры, присутствие которых критическим образом определяет энергетику процесса нелинейного резонансного возбуждения — тензорный характер нелинейной восприимчивости, когерентные свойства поля накачки, глубокие примесные уровни (EL2), нелинейная рефракция, спонтанная и стимулированная эмиссия излучения.

Обнаружено, что при наличии микрорельефа возбуждаемой поверхности пространственная структура поля накачки целиком определяется статистикой рассеивающих центров, что приводит к скачкообразному увеличению эффективности нелинейного поглощения в п раз (п — кратность нелинейного процесса).

На примере GaAs проведены исследования динамики излучательной рекомбинации и ее углового и спектрального распределений при двухфотонном возбуждении, представленной вкладами спонтанной и вынужденной люминесценции. Выполнено сопоставление результатов эксперимента с результатами численного моделирования процесса возбуждения на основе решения системы скоростных уравнений, учитывающих наличие глубоких примесных уровней (EL2) и возможность лазерной генерации на переходах зона-зона и зона-примесный уровень. Показано, что возникновение стимулированного излучения на частоте накачки приводит к увеличению пропускания образца таким образом, что происходит сдвиг кривой пропускания в сторону низких интенсивностей. Однако в области больших уровней возбуждения экспериментальные значения пропускания остаются выше расчетных, свидетельствуя об искажении временной формы огибающей возбуждающего импульса.

Показано, что динамика поглощения? Х2-центров значительно изменяет эффективность процессов излучательной и безизлучательной рекомбинации. При этом спонтанная эмиссия сначала возрастает с ростом концентрации EL2-центров, а затем начинает падать в результате ее подавления стимулированными переходами на частоте накачки.

Установлен переход от эмиссии люминесценции в прямом направлении к эмиссии во всем угле An рад или к преимущественному излучению в поперечном направлении. Показано, что этот переход вызван уменьшением соотношения между глубиной проникновения накачки в объем GaAs и диаметром возбуждающего пучка.

Получена временная форма сигнала усиленной спонтанной люминесценции, возбуждемой одиночным пикосекундным импульсом, которая показывает двукратное сокращение длительности импульса люминесценции по отношению к импульсу возбуждения.

Определены величины коэффициента двухфотонного поглощения для прямозонных (ОаАз, А^ОаБе^) и непрямозонного (Л) полупроводников и показано их хорошее соответствие полученным теоретическим оценкам. 4. Пространственно-временная эволюция электронно-дырочной плазмы представлена исследованиями энергетической релаксации электронной подсистемы, которая в результате возбуждения квантом с энергией большей обладает избыточной по отношению к фононной подсистеме температурой. С этой целью изучена пикосекундная динамика спектра светоиндуцированного изменения края поглощения СаАя, А%6а8е2 и при двух значениях температур 77 и 300К.

Обнаружено, что при азотных температурах в области спектра < %<а < ¡-л двухфотонная накачка ваАя, AgGaSe2 приводит к образованию оптического усиления, верхняя граница спектра которого сдвигается с течением времени в сторону коротких длин волн, причем за время 200пс спектр пропускания не релаксирует к исходному значению. Напротив, при комнатных температурах тот же уровень накачки оптического усиления не создает, а спектр края поглощения ссответствует динамическому эффекту Мосса-Бурштейна. Приведена интерпретация поведения спектра края поглощения, показывающая, коротковолновый сдвиг /л связан с охлаждением плазмы свободных носителей, температура котрых за время 200пс не достигает температуры решетки.

Второй составляющей энергетической релаксации возбужденно состояния являются диффузия и рекомбинация свободных носителей, исследование которых было выполнено методом светоиндуцированных решеток, время затухания которых определяется двумя указанными процессами. Для трех рассматриваемых полупроводников и уровнях возбуждения 2−1017см~3 и 5−1018см" 3 получены значения коэффициента амбиполярной диффузии и времени рекомбинации, которые для низких уровней возбуждения хорошо соответствуют результатам независимых измерений. При высоких уровнях накачки обнаружено, что кинетика затухания более не подчиняется простому экспоненциальному закону и в пределах интервала 0−200пс сигнал дифракции не уменьшается, а остается примерно постоянным или даже возрастает. Подобное поведение интерпретировано с помощью модели затухающей фазовой решетки на фоне затухающего поглощения свободных носителей. Показано, что с ростом концентрации носителей коэффициенты диффузии возрастают.

В приближении заданного поля накачки разработана теория двухволнового пространственного параметрического смешения на нелинейной воспримчивости третьего порядка, приводящая к нестационарному энергообмену между импульсами. Показано, что зависимость энергообмена как функция временной задержки между импульсами, имеющая в общем случае знакопеременный характер, доминирующим образом определяется соотношением между амплитудной и фазовой составлящими нелинейного отклика полупроводника. Численная подгонка полученного аналитического решения к результатам модельных экспериментов в <5У иОа8е2 показала полное их соответствие при использовании подгоночных параметров, определяемых из теории Друде для плазменно-индуцированного изменения диэлектрической проницаемости.

Методом пикосекундной голографической интерферометрии проведены исследования нелинейного показателя преломления Л' и С, а Аз, индуцированного генерацией свободных носителей. Полученные значения п2 подтверждают результаты абсорбционной спектроскопии в том, что ниже края поглощения мнимая часть нелинейного отклика адекватно описывается моделью Друде. Отрицательный знак щ обуславливает дефокусировку излучения возбуждающего импульса, которая наглядно продемонстрирована в интерференционных экспериментах при возбуждении полупроводника через экран-полуплоскость, когда интерферограмма регистрирует траекторию распространения границы «свет-тень». Представлен численный расчет относительной величины сноса этой границы, с помощью которого найдено относительное изменение показателя преломления Ап/щ, совпадающее с результатами интерференционных измерений. Показано, что при резонасном возбуждении самовоздействие импульса в объеме 5У и ОаА$ приводит к фазовой самомодуляции, величина которой не превышает 1.5яг.

5. Выполнены исследования линейных и нелинейных оптических свойств полупроводников (пористый кремний) и полупроводниковых систем (О/^Ле^ -микрокристаллиты в стеклянной матрице) с пространственным ограничением носителей заряда.

Обнаружено, что спектральное и временное поведение спонтанной люминесценции на пикосекундной шкале обладает всеми оттличительными особенностями рекомбинации донорно-акцепторных пар, в качестве которых выступают поверхностно связанные деффекты. Показано, что квантово-размерное ограничение носителей заряда в Сс18×8ехх приводит к увеличению примерно на два порядка скорости излучательной рекомбинации, что хорошо объясняется возрастанием силы осциллятора при увеличении пространственного перекрытия волновых функций захваченных на ловушки носителей. Этот вывод подтвержден исследованиями четырехволнового смешения в С<18×8ехх (Юкристаллитах, которые показывают, что переход от низкого (106Вт/см2) к.

8 2 высокому (10 Вт/см) уровню возбуждения сопровождается изменением времени релаксации от 150 до 40пс, связанному с частичным насыщением наиболее удаленных донорно-акцепторных пар.

Используя интерференционные осцилляции коэффициента отражения пленки пористого кремния, проведены исследования динамики спектра отражения в пикосекундном интервале времен, индуцированное однофотонным межзонным возбуждением. Исследования показали, что возбуждение вызывает сдвиг интерференционных полос в коротковолновую область спектра, причем спектральная зависимость величины фазового сдвига примерно подчиняется закону со2. Установлено, что механизмом нелинейности, ответственным за изменение спектра, является плазменно-индуцированное изменение диэлектрической проницаемости, вызванное генерацией свободных носителей. Определено время жизни свободных носителей, которое в результате пространственного ограничения оказывается на порядок короче аналогичной величины для объемного кремния.

6. Обширные эксперименты по изучению фазового перехода в кремнии, который возбуждался пикосекундным лазерным импульсом, показали, что в результате неустойчивости жидкой фазы процесс рекристаллизации сопровождается образованием ячеистых и филаментарных структур рельефа поверхности, характерный размер которых составляет (3−5) и 0.1мкм, соответственно. Разработана модель неустойчивости термокапиллярных волн в неоднородно прогретой пленке жидкости, основные положения которой находятся в качественном соответствии с результатами экспериментов.

Выполнены исследования временных характеристик отклика отражения нелинейно зеркала на основе двуокиси ванадия, механизм нелинейности которого имеет чисто тепловой характер и связан с фазовым переходом первого порядка без изменения агрегатного состояния. Найдена функция температурного отклика пленки двуокиси ванадия на импульсное световое воздействие, использование которой в системе скоростных уравнений при типичном задании параметров внутрирезонаторного флуктуационного выброса позволило получить решение, описывающее процесс выделения пикосекундной флуктуации и формирование режима самосинхронизации мод.

В завершение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность акад. Б. П. Захарчене и проф. И. А. Меркулову, многочисленные и плодотворные дискуссии с которыми сделали возможным написание настоящей работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л.Д.Ландау и Е. М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. М.: Изд-во ТТЛ, 1957
  2. F.Stern. «Elementary Optical Properties of Solids». In: Solid State Physicsl5. Ed. by F. Seitz and D.Turubull. Academic Press New York, p.299 (1963)
  3. F.Bassani. «Electronic Structure and Dielectric Properties of Semiconductors». In: Optical Properties of Semiconductors. NATO ASI Series, Series E: Applied Science vol.228. Ed. by G. Martinez, Kluewer Academic Publishers, p.27 (1992)
  4. Р.Лоудон. Квантовая теория света. М.: Мир, 1976
  5. F.L.Ridener, R.H.Good. Phys.Rev.B 10, 4980 (1974).
  6. F.L.Ridener, R.H.Good. Phys.Rev.B 11, 2768 (1975).
  7. F.Bossani and S.Scandolo. Phys.Rev.B 44, 8446 (1991).
  8. В.М.Акулин, Н. В. Карлов. Интенсивные резонансные взаимодействия в квантовой электронике. М.: Наука, 1987
  9. M.Altarelli, D. Dexter, H.M.Nussenzweig, D.Y.Smith. Phys.Rev.B 6, 4502 (1972)
  10. B.A.Mollor. Phys.Rev.A 5, 2217 (1972)
  11. K.-E.Peiponen. J.Phys.C: Solid State Physics. 20, N18, 2785−2788 (1987)
  12. K.-E.Peiponen. Phys.Rev.B 37, 6463 (1988)
  13. Y.R.Shen. The Principles of Nonlinear Optics. New York: Wiley, 1984.
  14. H.Haug. In: Optical Nonlinearities and Instabilities in Semiconductors. Ed. by H.Haug. Academic Press, Inc., Boston, New-York and London. 1988, p.53
  15. C.Klingshirn. In: Optical Nonlinearities and Instabilities in Semiconductors. Ed. by H.Haug. Academic Press, Inc., Boston, New-York and London. 1988, p.13
  16. H.Haug. Festkoerperprobleme (Advances in Solid State Physics) XXII, ed. by P. Grosse (Vieweg, Braunschweig, 1982), p. 149
  17. E.Goebel and G.Mahler. Festkoerperprobleme (Advances in Solid State Physics) XIX, ed. by U. Roessler (Vieweg, Braunschweig, 1979), p. 105
  18. C.Klingshirn and H.Haug. Phys. Reports 70, 315 (1981)
  19. H.Haug and S. Schmitt-Rink. J.Opt.Soc.Am.B 2, 1135 (1985)
  20. H.Haug and S. Schmitt-Rink. Progr.Quant.Electron. 9, 3 (1984)
  21. B.S.Werrett and N.A.Higgins. Proc.R.Soc.London. A379, 67 (1982)
  22. T.S.Moss. Phys.Stat.Sol. (b) 101, 555 (1980)
  23. T.M.Rice. Nuovo Cimento B23, 226 (1974)
  24. M.Roesler, A.Zimmermann. Phys.Stat.Sol. (b) 67, 525 (1975)
  25. W.F.Brinkman, T.M.Rice. Phys.Rev. B7, 1508 (1973)
  26. P.Vashishta, S.G.Das, K.S.Singwi. Phys.Rev.Lett. 33, 911 (1974)
  27. M.Combescot, P.Nozieres. J.Phys. C5, 2369 (1972)
  28. Т.Райс, Дж. Хенсел, Т. Филлипс, Г. Томас. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М.: Мир, 1980
  29. Дж.Займан. Принципы терии твердого тела. М.: Мир, 1966
  30. Н.Ашкрофт, Н.Мермин. Физика твердого тела. T.l. М.: Мир, 1979
  31. И.М.Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972
  32. M.Gell-Mann, K.Brueckner. Phys.Rev. 106, 364 (1957)
  33. J.R.Chelikowsky and M.L.Cohen. Phys.Rev. B14, 556 (1976)
  34. M.Combescot and J.Bok. J. of Luminescence. 30, 1 (1985)
  35. P.Vashishta and R.K.Kalia. Phys.Rev. B25, 6492 (1982)
  36. E.Burstein. Phys.Rev. 93, 632 (1954)
  37. T.S.Moss. Proc.Soc.London. B67, 755 (1954)
  38. T.S.Moss. Optical Properties os Semiconductors. Butterworth, Academic Press, London/N.-Y., 1961, 396p.
  39. В.Л.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977
  40. A.Yariv. Quantum Electronics. New York: John Wiley, 1975, 342.
  41. Л.Ландау и Е.Лифшиц. Квантовая электроника. М.: ТТЛ, 1957
  42. M.Miyao, T. Motooka, N. Natsuaki and T.Tokuyama. Laser and electron-beam solid interactions. Ed.J.F.Gibbons, Academic, New York, 1978, p. 163
  43. D.Hulin, M. Combescot, J. Bok, A. Migus, J.Y.Vinet and A.Antonetti. Phys.Rev.Let. 52, 236 (1984)
  44. H.Schweizer, A. Forchel, A. Haugleiter, S. Schmitt-Rink, J.P.Loewenau, and H.Haug. Phys.Rev.Lett. 51, 698 (1983)
  45. H.Haug, S.W.Koch, and M.Lindberg. Physica Scripta. 13, 187 (1986)
  46. L.Banyai and S.W.Koch. Z.Phys.B 63, 283 (1986)
  47. R.Kubo. J.Phys.Soc.Jpn. 12, 570 (1957)
  48. E.Yoffa. Phys.Rev.B 21, 2415 (1980)
  49. AElci, M.O.Scully, AL. Smirl, and J.C.Matter. Phys.Rev.B 16, 191 (1977)
  50. В.Шокли. Теория электронных полупроводников. М.: ИЛ, 1953
  51. H.D.Vasileef. Phys.Rev. 105, 441 (1957)
  52. E.N.Adams. Phys.Rev. 107, 671 (1959)
  53. T.P.McLean. Prog.Semicond. 5, 55 (1960)
  54. Landolt-Boernstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Group III, Vols 17a, b. Springer-Verlag, Berlin, 1982
  55. A.K.Kar and B.S.Wherrett. J.Opt.Soc.Am.B 3, 345 (1986)
  56. Y.Tsay, B. Bendow, S.S.Metra. Phys.Rev.B 8, 2688 (1973)
  57. A.J.De Maria, D. AStetser, and H.Heynan. Appl.Phys.Lett. 8, 174 (1966)
  58. AJ.De Maria, D.A.Stetser, and W.H.Glenn. Scince 156, 1557 (1967)
  59. П.Г.Крюков, В. С. Летохов. УФН 99, 169 (1969)
  60. С.Д.Захаров, П. Г. Крюков. Квантовая электроникаю. 5, 52 (1979)
  61. R.M.Picard and P.Schweitzer. Phys.Rev.A 1, 1803 (1970)
  62. P.G.Kryukov and V.S.Letokhov. IEEE J. Quant.Electron. QE-8, 766 (1972)
  63. Я.Б.Зельдович, Т. Т. Кузнецова. УФН 106, 47 (1972)
  64. W.H.Glenn. IEEE J. Quant.Electron. QE-11, 8 (1975)
  65. R.Wilbrandt and H.Weber. IEEE J. Quant.Electron. QE-11, 186 (1975)
  66. G.H.C.New. Proc. IEEE 67, 380 (1979)
  67. J.Hermann, F. Weidner, and B.Wihelmi. Appl.Phys. 20, 237 (1979)
  68. C.Kolmeder and W.Zinth. Appl.Phys. 24, 341 (1981)
  69. G.H.C.New. Rep.Progr.Phys. 46, 877 (1983)
  70. H.A.Haus. J.Appl.Phys. 46, 3049 (1975)
  71. Д.Брэдли. Методы генерации. В сб. Сверхкороткие световые импульсы. Под ред. С.Шапиро. М.: Мир, 1981, стр.35
  72. И.Херман, Б.Вильгельми. Лазеры сверхкоротких световых импульсов. М.: Мир, 1986
  73. A.E.Siegman. IEEE J. Quant. Electron. QE-9, 247 (1973)
  74. A.E.Siegman. Opt.Lett. 6, 334 (1981)
  75. H.Vanherzeele, J.L.Van Eck, and A.E.Siegman. Appl. Optics 20, 3484 (1981)
  76. J.M.Buchert, D.K.Basa. J.Appl.Phys. 55, 683 (1984)
  77. O.E.Martinez and L.A.Spinellli. Appl.Phys.Lett. 39, 875 (1981)
  78. P.Heinz, W. Kriegleder, and A.Laubereau. Appl.Phys.A 43, 209 (1987)
  79. G.Angel, R. Gagel, and A.Laubereau. Opt.Commun. 63, 259 (1987)
  80. P.Heinz and A.Laubereau. J.Opt.Soc.Am.B 6, 1574 (1989)
  81. A.Hordvik. IEEE J. Quant. Electron. QE-6, 199 (1970)
  82. A.Del Corno, G. Gabetta, G.C.Reali, V. Kubecek, and J.Marek. Opt.Lett. 15, 734 (1990)
  83. A.Agnesi, J.-C.Diels, P.D.Trapani, V. Kubecek, J. Marek, G. Reali, and C.Y.Yeh. In: Picosecond Phenomena VII, eds. by M. Harris, E. Ippen, and G.Zewail. Berlin: Springer-Verlag, 1990, p. 38
  84. A.Agnesi, A. Del Corno, P. Di Trapani, H. Fogliani, G.C.Reali, J.-C.Diels, C.Y.Yeh, X.M.Zhao, and Kubecek. IEEE J. Quant. Electron. QE-28, 710 (1992)
  85. A.B.Бабушкин, Н. С. Воробьев, АМ. Прохоров, М. Я. Щелев. Квантовая электроника 19, 1310 (1989)
  86. A.Fox, T.Li. Bell Syst. Techn. J. 42, 453 (1963)
  87. G.Boyd, H.Kogelnik. Bell Syst. Techn. J. 41, 1347 (1962)
  88. H.Kogelnik, T.Li. Appl.Optics. 5, 1550 (1966)
  89. Э.Иппен, Ч.Шенк. Методы измерений. В сб. «Сверхкороткие световые импульсы. Под ред. С.Шапиро. М.: Мир, 1981, стр.116
  90. R.W.Hellwarth. J.Opt.Soc.Amer. 67, 1 (1977)
  91. S.L.Jensen and R.W.Hellwarth. Appl.Phys.Lett. 32, 166 (1978)
  92. D.M.Bloom and G.E.Bjorklund. Appl.Phys.Lett. 31, 592 (1977)
  93. A.Yariv, D.M.Pepper. Optics Lett. 1, 16 (1977)
  94. R.K.Jain and M.B.Klein. «DFWM in Semiconductors», in: «Optical Phase Conjugation», ed by RA.Fisher. Academic Press, N.-Y. 1982, p.307
  95. R.K.Jain. Optical Engineering. 21, 199 (1982)
  96. Б.Я.Зельдович, Н. Ф. Пилипецкий, В. В. Шкунов. Обращение волнового фронта. М.: Наука, 1985
  97. В.А.Винецкий, Н. В. Кухтарев, С. Г. Одулов, М. С. Соскин. УФН, 129, 113 (1979)
  98. E.Hanamura and H.Haug. Phys.Rep. ЗЗС, 209 (1977).
  99. A.Maruani. IEEE J. Quant.Electron. QE-16, 558 (1980)
  100. P.Horan and W.Blace. Semicond.Sci.Technol. 2, 382 (1987)
  101. H.Kogelnik. Bell.Syst.Tech.Journ. 48, 2909 (1969)
  102. A.I.Gaeta, M.T.Gruneisen and R.W.Boyd. IEEE J. Quant.Electron. QE-22, 1093 (1986)
  103. T.Yajima and Y.Taira. J.Phys.Soc.Jpn. 47, 1620 (1979)
  104. C.J.Kennedy. Opt.Commun. 16, 118 (1976)
  105. C.V.Shank, D.H.Auston. Phys.Rev.Lett. 34, 479 (1975)
  106. А.А.Бугаев, В. В. Гудялис, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. Письма ЖЭТФ 36, 363 (1982)
  107. T.Yajima, H.Souma. Phys.Rev. А17, 309 (1978)
  108. H.E.Lessing, A. Von Jena. Chem.Phys.Lett. 42, 213 (1976)
  109. A.L.Smirl, T.S.Boggess, B.S.Wherrett, G.P.Perryman, and A.Miller. IEEE J. Quant.Electron. QE-19, 690 (1983)
  110. В.М.Акулин, Н. В. Карлов. Интенсивные резонансные взаимодействия в квантовой электронике. М.: Наука, 1987
  111. А.А.Бугаев, Т. Ю. Дунаева, А. Л. Станкевич. ФТТ, 32, 2689 (1990)
  112. G.R.Olbright and N.Peyghambarian. Appl.Phys.Lett. 48, 1184 (1986)
  113. A.A.Bugayev, A.B.Vankov. Picosecond Holographic Diagnostics of Light Pulse Absorption in the Bulk of Silicon. Preprint 1219, Leningrad, 1988, 28 p.
  114. А.А.Бугаев, А. Б. Ваньков, Б. П. Захарченя. Письма в ЖТФ. 13, 404 (1987)
  115. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин, И.Эрредиа. ФТТ, 29, 1959 (1987)
  116. А.А.Бугаев, А. Б. Ваньков, В.АЛукошкин. ФТТ, 29, 2710 (1987)
  117. А.А.Бугаев, А. Б. Ваньков, Т. Ю. Дунаева. ФТТ, 30, 775 (1988)
  118. A.A.Bugayev, B.P.Zakharchenya. Phys.Stat.Solidi (b) 150, 891 (1988)
  119. R.Salazar, G.Tribollon. Opt.Commun. 45, 26 (1985)
  120. Д.И.Стаселько, Ю. Н. Денискж, А. Г. Смирнов. Оптика и спектроскопия. 26, 413 (1969)
  121. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя. Оптика и спектроскопия. 60, 1043 (1986)
  122. A.A.Бугаев. ДАН СССР. 255, 1357 (1980)
  123. А.А.Бугаев. Оптика и спектроскопия. 50, 627 (1981)
  124. A.A.Bugayev. Opt.Commun. 36, 270 (1981)
  125. D.Gabor. Nature. 161, 111 (1948)
  126. М.Борн, Э.Вольф. Основы оптики. М.: Наука, 1970
  127. D.Gabor. Proc.Roy.Soc. (London), А197, 454 (1949)
  128. D.Gabor. Proc.Roy.Soc.(London) B64, 449 (1951)
  129. Р.Кольер, Л. Беркхарт, Л.Лин. Оптическая голография. М.: Мир, 1973
  130. Ф.Ланге. Корреляционная электроника. Л.: Судпромгиз, 1963
  131. W.H.Louisell. Radiation and Noise in Quantum Electronics. McGraw-Hill Book Co., New York, 1964, 289 p.
  132. N.Wiener. Acta Math., 55, 117 (1930)
  133. Е.Джейкман. Корреляция фотонов. В сб. «Спектроскопия оптического смешения и корреляция фотонов». Под ред. Г. Камминс и Э.Пайк. М.: Мир, 1978
  134. S.E.Harris, J.F.Young, A.H.Kung, D.M.Bloom, G.C.Bjorklund in: Laser Spectroscopy. Ed by R.G.Brewer and A.Mooradian. Plenum Press, New York and London, 1974, p.59
  135. С.А.Ахманов, А. П. Сухоруков, Р. В. Хохлов. УФН 93, 19 (1967)
  136. С.А.Ахманов, Ю. Е. Дьяков, А. С. Чиркин. Введение в статистическую радиофизику и оптику. М.: Наука, 1981
  137. Н.И.Калитеевский. Волновая оптика. М.: Высшая школа, 1978
  138. А.В.Соколов. Оптические свойства металлов. М.: ФМГИЗ, 1961
  139. J.M.Ralston and R.K.Chang. Appl.Phys.Lett. 15, 164 (1969)
  140. C.C.Lee and H.Y.Fan. Phys.Rev.B 9, 3502 (1974)
  141. S.J.Bepko. Phys. RevB 12, 669 (1975)
  142. J.H.Bechtel and W.L.Smith. Phys.Rev.B 13, 3515 (1976)
  143. T.F.Boggess, A.L.Smirl, S.C.Moss, I.W.Boyd and E.W.Van Stryland. IEEE J.Quant.Electron. QE-21, 488 (1985)
  144. A.A.Бугаев, Т. Ю. Дунаева, В.АЛукошкин. ФТТ 31, 9 (1989)
  145. A.A.Bugayev, A.Penzkofer. Opt. and Quant. Electron. 21, 253 (1989)
  146. W.L.Cao, A.M.Vancher, G.H.Lee. Appl.Phys.Lett. 38, 653 (1981)
  147. B.Bosacchi, J.S.Bessey, F.C.Jain. J.Appl.Phys. 49, 4609 (1978)
  148. S.Jayaraman, G.H.Lee. Appl.Phys.Lett. 20, 322 (1972)
  149. T.F.Boggess, K.M.Bohnert, K. Mansour, S.C.Moss, I.W.Boyd, A.L.Smirl. IEEE J.Quant.Electron. QE-22, 360 (1986)
  150. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин. Письма ЖТФ 12, 1125 (1986)
  151. A.A.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин. ДАН СССР 296, 1098 (1987)
  152. М.Франсон. Оптика спеклов. М.: Мир, 1980
  153. В.Б.Давенпорт, В. Л. Рут. Введение в теорию случайных сигналов и шумов. М.: Мир, 1960
  154. G.M.Martin, S. Makram-Ebeid. Deep Centers in Semiconductors. Ed. by S.T.Pantelides. N-Y. Gordon and Breach, 1986
  155. M.Kaminska, M. Skowronski, J. Ladowski, J. Parsey, H.Gatos. Appl.Phys.Lett. 43, 302 (1983)
  156. D.T.F.Marple. J.Appl.Phys. 35, 1241 (1964)
  157. B.O.Seraphin and H.E.Bennet. «Semiconductors and Semimetals», vol.3: «Optical Properties of III-Y Compounds», ed. by R.K.Willardson and A.L.Beer (Academic Press, New York, 1967) p.315
  158. A.Chantre, D. Bois and G.Vincent. Phys.Rev.B 23, 5335 (1981)
  159. P.Dobrilla and J.S.Blakemore. J.Appl.Phys. 58, 208 (1985)
  160. P.Silverberg, P. Omling and L.Samuelson. Appl.Phys.Lett. 52, 1689 (1988)
  161. A.Penzkofer, D. Von der Linde and A.Laubereau. Opt.Commun. 4, 377 (1972)
  162. А.А.Бугаев, В. В. Гудялис, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. Труды Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок». Петрозаводск, 1982, стр9.
  163. W.Van Roosbroeck and W.Shockley. Phys.Rev. 94, 1558 (1954)
  164. A.Chantre. Phys.Rev.B 21, 2347 (1979)
  165. A.Mittonneau and A.Mircea. Solid St. Commun. 30, 157 (1979)
  166. C.J.Hwang. J.Appl.Phys. 40, 4584 (1969)
  167. J.S.Blakemore. J.Appl.Phys. 53, R123 (1982)
  168. H.J.Queisser and C.S.Fuller. J.Appl.Phys. 37, 4895 (1966)
  169. E.W.Williams. Phys.Rev. 168, 922 (1968)
  170. H.Mahn, G. Frank, W. Klinger, A.K.Meyer, G.Z.Storger. Annorg.Allg.Chem. 271, 153 (1953)
  171. C.H.L.Goodman, R. W Douglas. Physica 20, 1107 (1954)
  172. Н.А.Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники. М, Наука, 1968
  173. D.S.Chemla, P.J.Kupecek, D.S.Robertson, and R.S.Smith. Opt.Commun. 3, 29 (1971)
  174. G.D.Boyd, E. Buehler, F.G.Stortz, and J.H.Wernick. Appl.Phys.Lett. 18, 301 (1971)
  175. B.F.Levine. Phys.Rev.B 7, 2600 (1973)
  176. D.S.Chemla, R.F.Begley, R.L.Byer. IEEE J.Quant.Electron. QE-10, 71 (1974)
  177. G.D.Boyd, W.B.Gundrud, E.Buechler. Appl.Phys.Lett. 18, 446 (1971)
  178. G.D.Boyd, H.M.Kasper, J.M.McFee, F.G.Stortz. IEEE J.Quant.Electron. QE-8, 900 (1972)
  179. R.L.Byer, H. Kildal, R.S.Feigelson. Appl.Phys.Lett. 19, 237 (1971)
  180. P.K.Route, R.S.Feigelson, R.J.Raymakers. J.Cryst.Growth. 24/25, 390 (1979)
  181. P.W.Yu and Y.S.Park. J.Appl.Phys. 45, 823 (1974)
  182. J.E.Rowe and J.L.Shay. Phys.Rev.B J, 451 (1971)
  183. J.H.Yee. J.Phys.Chem.Solids. 33, 643 (1972)
  184. M.F.Becker, R.M.Walser, Y.K.Thee, and D.Y.Sheng. SPIE 322, 93 (1982)
  185. J.F.Reintjes and J.C.McGroddy. Phys.Rev.Lett. 30, 901 (1973)
  186. H.D.Barber. Solid State Electron. 10, 1039 (1967)
  187. P.E.Shmid, M.L.W.Thewalt, and W.P.Dumke. Solid State Commun. 38, 1091 (1981)
  188. G.E.Jellison, Jr and F.A.Modine. Appl.Phys.Lett. 41, 180 (1982)
  189. C.P.Pidgeon, R.S.Wherrett, A.M.Johuston, J. Dempsey, and A.Miller. Phys.Rev.Lett. 42, 1785 (1979)
  190. M.Weiler. Solid State Commun. 39, 937 (1981)
  191. B.S.Wherrett. J.Opt.Soc.Am.B 67 (1984)
  192. P.D.Maker and R.W.Ternune. Phys.Rev. 137, A801 (1965)
  193. Ю.И.Сиротин, М. П. Шаскольская. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1975
  194. J.P.McKelvey. Solid State and Semiconductor Physics. Harper. New York, 1966
  195. A.A.Бугаев, Г. К. Аверкиева, П. П. Борисков. ФТТ 38, 2693 (1996)
  196. B.Ellis and T.S.Moss. Proc.R.Soc.London. A299, 313 (1967)
  197. O.Madelung, M. Schultz, and H.Weiss. Eds., Semiconductors: Physics of Ternary Semiconductors (Landolt-Boernstein, Berlin, 1985)
  198. C.Flytzanis. Theory of nonlinear optical susceptibilities, in: «Quantum Electronics. Vol.1: Nonlinear Optics», part A (H.Rabin and C.L.Tang, eds). Academic Press, New York, 1975
  199. C.V.Shank, D.H.Auston, E.P.Ippen, and O.Teschke. Solid State Commun. 26, 567 (1978)
  200. J.H.Collet, W. Ruhle, M. Pugnet, K. Leo, A.Millou. Phys.Rev.B 40, 296 (1989)
  201. J.Shah. Solid State Electron. 32, 1051 (1989)
  202. KLeo, W. Ruhle, and K.Ploog. Phys.Rev.B 38, 1947 (1988)
  203. J.Shah, A. Pinczuk, A.C.Gossard, and W.Wiegmann. Phys.Rev.Lett. 54, 2045 (1985)
  204. T.Elsasser, R.J.Bauerle, and W.Kaiser. Phys.Rev. 40, 291 в (1989)
  205. K.Leo, W. Ruhle, and K.Ploog. Solid State Commun. 71, 101 (1989)
  206. A.A.Bugayev. Experimentelle Technik der Physik. 39, 451 (1991)
  207. A.A.Бугаев. ФТТ 32, 3470 (1990)
  208. A.Penzkofer, A. Laubereau, W.Kaiser. Phys.Rev.Lett. 14, 863 (1973)
  209. A.Penzkofer, A. Seilmeir, W.Kaiser. Opt.Commun. 14, 363 (1973)
  210. G.Lasher and F.Stern. Phys.Rev. 133, A553 (1964)
  211. H.Haug, and D.B.Tran Thoai. Phys.Stat.Solidi B. 98, 581 (1980)
  212. O.Hildebrand and E.Goebel. Proc. 13th Int.Confer.Phys.Semiconductors. Rome, Italy, 1976, p.942
  213. J.Shah. Solid State Electron. 21, 43 (1978)
  214. J.Willey in: Semiconductors and Semimetals. Ed. by R.K.Willardson and A.C.Beer (Academic, New York, 1975), vol.10
  215. J.L.Shay and J.H.Wernick. Ternary chalcopyrite semiconductors growth, electronic properties and applications (Pergamon Press, N.Y.)1975.
  216. R.AAbram, G.J.Rees, and B.L.H.Wilson. Adv.Phys. 27, 799 (1978)
  217. P.E.Schmid, M.L.W.Thewalt, and W.P.Dumke. Solid State Commun. 38, 1091 (1981)
  218. J.Wagner. Phys.Rev.B. 29, 2002 (1984)
  219. C.Jacobini. J. of Luminescence. 30, 120 (1985)
  220. J.P.Woerdman. Phys.Lett.A 32, 305 (1970)
  221. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. Письма ЖТФ 1, 1111 (1975)
  222. A.L.Smirl, S.C.Moss, and J.R.Lindle. Phys.Rev.B 25, 2645 (1982)
  223. K.Jarasiunas and H.J.Gerritsen. Appl.Phys.Lett. 33, 190 (1978)
  224. А.А.Бугаев. ФТТ 37, 3323 (1995)
  225. A.Von Lehmen and J.M.Ballantyne. J.Appl.Phys. 58, 958 (1985)
  226. J.S.Weiner and P.Y.Yu. J.Appl.Phys. 55, 3889 (1984)
  227. J.S.Blakemore. J.Appl.Phys. 53, R123 (1982)
  228. R.N.Hall. Proc.IEE. 106, 923 (1960)
  229. D.H.Auston and C.V.Shank. Phys.Rev.Lett. 32, 1120 (1974)
  230. J.F.Young and H.M.Van Driel. Phys.Rev.B 26, 2147 (1982)
  231. J.A.Van Vechten. J.Phys.(Paris) C41, C4−15 (1980)
  232. V.Heine and J.A.Van Vechten. Phys.Rev.B 13, 1622 (1976)
  233. В.Л.Винецкий, Т. Е. Запорожец, Н. В. Кухтарев, А. С. Матвейчук, С. Г. Одулов, М. С. Соскин. Письма ЖЭТФ. 25, 432 (1977)
  234. В.Л.Винецкий, Н. В. Кухтарев, М. С. Соскин. Квантовая электроника. 4, 420 (1977)
  235. А.А.Борщ, Н. С. Бродин, В. И. Волков, В. В. Овчар, Д. Т. Таращенко. Квантовая электроника. 4, 646 (1977)
  236. H.J.Eichler and F.Massmann. J.Appl.Phys. 53, 3237 (1982)
  237. H.J.Eichler, H. Glotz, AKummrow, K. Richter, and X.Yang. Phys.Rev.A 35, 4673 (1987)
  238. H.J.Eichler, P. Gunter and D.Pohl. Laser-Induced Dynamic Gratings, vol 50 of Springer Series in Optical Scince (Springer-Verlag, Berlin, 1986)
  239. A.A.Бугаев, П. П. Борисков. ФТТ. 39, 72 (1997)
  240. В.Л.Винецкий, Н. В. Кухтарев, Е. Н. Салькова, Л. Г. Суховерхова. Квантовая электроника. 7, 1191 (1980)
  241. G.C.Valley, AL.Smirl. IEEE J.Quant.Electron. QE-24, 304 (1988)
  242. AL.Smirl, G.C.Valley, K.M.Bohnert, T.F.Boggess. IEEE J.Quant.Electron. QE-24, 289 (1988)
  243. G.C.Valley, J. Dubard, A.L.Smirl, and AM.Glass. Opt.Lett. 14, 961 (1989)
  244. A.A.Бугаев, Г. К. Аверкиева, В. Д. Прочухан. ФТТ 37, 2495 (1995)
  245. H.J.Eichler, D. Langhaus, and F.Massmann. Opt.Commun. 50, 117 (1984)
  246. АБ.Шабат. Уравнения с частными производными., ч.2, Н., Новосибирск, 1967, 324 стр.
  247. Б.Я.Зельдович, П. В. Лернер, Е. А. Немкова. Квантовая электроника. 14, 2502 (1987)
  248. P.E.Schmid. Phys.Rev.B 23, 5531 (1981)
  249. W.Spitzer and H.Y.Fan. Phys.Rev. 108, 268 (1957)
  250. K.B.Svantesson. J.Phys.D. 12, 425 (1979)
  251. S.D.Smith. Acta Phys.Austr. 56, 76 (1984)
  252. Exiton Optical Nonlinearities. J.Opt.Soc.Am.B. 2 (Special issue) (1985)
  253. J.Rothenberg, D.Grischkowsky. J.Opt.Soc.Am.B. 2, 626 (1985)
  254. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя. Тезисы V Международной Конференции «Сверхбыстрые процессы в спектроскопии». Вильнюс, 1987, стр. 274.
  255. A.A.Bugayev. In: «Laser Optics of Condensed Matter». Ed. by J. Birman,
  256. H.Cummins and A.Kaplyanski. Plenum Press. New-York and London. 1988, p.443.
  257. A.A.Bugayev, B.P.Zakharchenya. In: «Ultrafast phenomena in spectroskopy». World Scientific. Singapore. New-Jersy. London. 1989, p.463.
  258. A.A.Bugayev. Optical and Quantum Electron. 22, 485 (1990).
  259. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. Квантовая электроника 8, 2693 (1981)
  260. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л., Наука, 1979, 236 стр.
  261. D.H.Auston, S. McFee, C.V.Shank, E.P.Ippen and O.Teschke. Solid St.Electron. 21, 147 (1978)
  262. B.S.Wherrett and N.A.Higgins. Proc.R.Soc. A379, 67 (1982)
  263. С.А.Ахманов, В. А. Выслоух, А. С. Чиркин. УФН 149, 449 (1986)
  264. Ф.Г.Басс, Ю. С. Кившарь, В. В. Контоп. ЖЭТФ 92, 432 (1987)
  265. О.S.Heavens. Optical Properties of Thin Solid Flms. Butterworths, London 1955.
  266. C.R. Berry. Phys.Rev. 161, 848 (1967)
  267. A.G.Stasenko. Sov.Phys.Solid.State. 10, 186 (1968)
  268. J.Applequist. J.Chem.Phys. 71, 4332 (1979)
  269. R.L.Whetten, D.M.Cox, D.J.Trevor, A.Caldor. Phys.Rev.Lett. 54, 1494 (1985)
  270. K.Liu, E.K.Parks, S.C.Richtsmeier, L.G.Pobo, S.J.Riley. J.Chem.Phys. 83, 2882 (1985)
  271. AHenglein. Pure Appl.Chem. 56, 1215 (1984)
  272. J.Moser, M.Gratzel. J.Am.Chem.Soc. 105, 6547 (1983)
  273. M.AFox, B. Lindig, C.C.Chen. J.Am.Chem.Soc. 104, 5828 (1982)
  274. A.JI.3(J)poc, A.JT.3cj)poc. OTI1 16, 1209 (1981)
  275. AI.Ekimov, AL. Efros, AAOnushchenko. Solid State Commun. 56, 921 (1985)
  276. L.E.Brus. J.Chem.Phys. 80, 4403 (1984)
  277. L.E.Brus. IEEE J.Quant.Electron. QE-22, 1909 (1986)
  278. S.S.Yao, C. Karaguleff, AGabel, R. Fortenberg, C.T.Seaton, G.Stegeman. Appl.Phys.Lett. 46, 801 (1985)
  279. G.R.Olbright, N. Peygambarian, S.W.Koch, L.Banyai. Opt.Lett. 12, 413 (1987)
  280. N.Peygambarian, S.W.Koch. Rev.Phys.Appl. 22, 1711 (1987)
  281. K.Kash, A. Sherer, J.M.Worlock, H.G.Craighead, M.Tamargo. Appl.Phys.Lett. 49, 1043 (1986)
  282. J.Cibert, P.M.Petroff, G.J.Dolan, S.J.Peatron, A.C.Gossard, J.H.English. Appl.Phys.Lett. 49, 1275 (1986)
  283. R.K.Jain, AC.Lind. J.Opt.Soc.Am. 73, 647 (1983)
  284. P.Roussignol, D. Ricard, C.Flytzanis. Appl.Phys.A 44, 285 (1987)
  285. P.Roussignol, D. Ricard, J. Lukasik, C.Flytzanis. J.Opt.Soc.Am.B 4, 5 (1987)
  286. P.Roussignol, D. Ricard, K.C.Rustagi, C.Flytzanis. Opt.Commun. 55, 143 (1985)
  287. P.Roussignol, D. Ricard, C. Flytzanis, N.Neuroth. Phys.Rev.Lett. 62, 312 (1989)
  288. N.Peyghambarian, B. Fluegel, D. Hulin, A. Migus, M. Joffre, A. Antonetti, S. Koch, M.Lindberg. IEEE J.Quant.Electron. QE-25, 2516 (1989)
  289. J.Warnock, D.D.Awschalom. Appl.Phys.Lett. 48, 425 (1985)
  290. K.Shum, G.C.Tang, M.R.Junnarkar, R.R.Alfano. In: Laser Probe Phenomena in Bulk and Microstructure Semiconductors. Ed. by R.R.Alfano, Vol.793, p. 150, 1987
  291. E.Hanamura. Phys.Rev.B 37, 1273 (1987)
  292. L.Banyai, Y.Z.Hu, M. Lindberg, S.W.Koch. Phys.Rev.B 38, 8142 (1989)
  293. D.W.Hall and N.F.Borrelli. J.Opt.Soc.Am.B 5, 1650 (1988)
  294. P.Horan and W.Blau. J.Opt.Sos.Am.B 7, 304 (1990)
  295. A.Bugayev, H. Kalt, J. Kuhl, and M.Rinker. Appl.Phys.A 53, 75 (1991)
  296. A.Guinier. Theore et Technique de la Radiocristallographie (Dunod, Paris 1956)
  297. I.M.Lifshitz and V.V.Slyozov. J.Phys.Chem.Solids 19, 35 (1961)
  298. Li-Chi Liu, S.H.Risbud. J.Appl.Phys. 76, 4576 (1994)
  299. F.L.Pedrotti, D.C.Reynolds. Phys.Rev. 127, 1584 (1962)
  300. R.R.Rosetti, S. Nakahara, L.E.Brus. J.Chem.Phys. 79, 1086 (1983)
  301. R.R.Rosetti, R. Hull, J.M.Gibbson, L.E.Brus. J.Chem.Phys. 82, 552 (1985)
  302. S.Schmitt-Rink, D.A.B.Miller, D.S.Chelma. Phys.Rev. 35, 8113 (1987)
  303. D.G.Thomas, J.J.Hopfield, W.H.Augustyniak. Phys.Rev.A 140, 202 (1965)
  304. M.Moroz, Y. Brada, A.Honig. Sol.St.Commun. 47, 115 (1983)
  305. T.Yokogawa, T. Tagauchi, S. Fujita, M.Satoh. IEEE Trans. ED-30, 271 (1983)
  306. N.Chestnoy, T.D.Harris, R. Hull, L.E.Brus. J.Phys.Chem. 90, 3393 (1986)
  307. Ж.Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973
  308. A.Uhrig, L. Banyai, Y.Z.Hu, S.W.Koch, S. Gaponenko, N. Neuroth, C.Klingshirn. In: Proc. of 20th Int.Conf. on the Physics of Semiconductors. Thessaloniki 1990, part 2, p.97
  309. M.G.Bawondi, W.L.Wilson, L. Rothberg, P.J.Caroll, T.M.Jedju, M.L.Steigerwald, L.E.Brus. Phys.Rev.Lett. 65, 1623 (1990)
  310. D.G.Thomas, J.J.Hopfield, K.Colbou. Int’l Symp. on Radiative Recombination (Paris 1964) p.67.
  311. E.O.Goebel, H. Jung, J. Kuhl, K.Ploog. Phys.Rev.Lett. 51, 1588 (1983)
  312. J.Kuhl, A. Honold, L. Schultheis, C.W.Tu. In: Festkoerperprobleme/Advances in Solid State Physics 29, 157 (Braunschweig 1989)
  313. G.ROlbright, N.Peyghambarian. Appl.Phys.Lett. 48, 1184 (1986)
  314. L.Banyai, M. Lindberg, and S.W.Koch. Opt.Lett. 13, 212, (1988)
  315. А.А.Бугаев, А. Л. Станкевич. ФТТ 34, 1622 (1992)
  316. E.W. van Stryland, H. Vanherzeele, M. AWoodall, M.J.Soileau, AL. Smirl, E. Guha, T.F.Boggess. Opt. Engineering 24, 613 (1985)
  317. Y.T.Swoboda, F. AMajumder, R. Renner, C.Weber. Phys.Stat.Sol. (b) 150, 749 (1988)
  318. D.A.B.Miller, A.C.Gossard, W.Wiegman. J.Opt.Soc.Am. 1, All (1984)
  319. D.W.Hall, R.A.Haas, W. AKrupke, M.J.Weber. IEEE J.Quant.Electr. QE-19, 1704 (1983)
  320. M.Tomita, T. Matsumoto, M.Matsuoka. Springer Series in Chemical Physics. V.48: Ultrafast Phenomena YI. Ed. T.Yajima. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1988. p. 340
  321. J.I.Pankove and D.E.Carlson. Appl.Phys.Lett. 29, 620 (1976)
  322. L.T.Canham. Appl.Phys.Lett. 57, 1046 (1990)
  323. ABsiesy, J.C.Vial, F.Gaspard. Surf. Science 254, 195 (1991)
  324. S.Gardelis, J.C.Rimmer, P.Dawson. Appl.Phys.Lett. 59, 2118 (1991)
  325. N.Koshida and H.Koyama. Jpn. J.Appl.Phys. 30, L1221 (1991)
  326. P.C.Searson. Appl.Phys.Lett. 59, 832 (1991)
  327. I.Suemune, N. Noguchi and M.Yamanishi. Jpn. J.Appl.Phys. 31, L494 (1992)
  328. C.Tsai, K.H.Li, J. Sarathy, S. Shih, J.C.Campbell, B. Hance and J.M.White. Appl.Phys.Lett. 59, 2814 (1991)
  329. M.S.Brandt, H.D.Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber and M.Cardona. Solid State Commun. 81, 307 (1992)
  330. R.F.Pinizzotto, H. Yang, J.M.Perez, J.L.Koffer. J.Appl.Phys. 75, 4486 (1994)
  331. AABugayev, I. AKhakliaev, AS.Zubrilov. Optics Commun., 106, 65 (1994)
  332. AABugayev, I. AKhakhaev, A.S.Zubrilov. Proc. of the Illrd Int.Conf. on Nonlinear Optics. Aalborg (Danmark). World Scien. London, 1993, p. 136
  333. C.Pickering, M.I.J.Beale, D.J.Robbins. Phys. C 17, 6535 (1984)
  334. C.Pickering, M.I.J.Beale, D.J.Robbins. Thin Solid Films 125, 157 (1985)
  335. T.Mocc, Г. Баррел, Б.Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. М., Мир. 1976
  336. Н.М. van Driel, L.A.Lompre, N.Bloembergen. Appl.Phys.Lett. 44, 285 (1984)
  337. H.Sher, M.F.Shlesinger and J.T.Bendler. Phys. Today January 26 (1991)
  338. R.Tsu, R.T.Hodson, T.Y.Tan, and J.E.Baglin. Phys.Rev.Lett. 42, 1356 (1979)
  339. AG.Cullis, H.C.Webber, N.G.Chew, J.M.Poate and P.Baeri. Phys.Rev.Lett. 49, 219 (1982)
  340. P.L.Liu, R. Yen, N. Bloembergen and R.T.Hodson. Appl.Phys.Lett. 34, 864 (1979)
  341. C.V.Shank, RYen, and C.Hirlimann. Phys.Rev.Lett. 50, 454 (1983)
  342. C.V.Shank, R. Yen, and C.Hirlimann. Phys.Rev.Lett. 51, 900 (1983)
  343. АВ.Двуреченский, Г. АКачурин, Е. В. Нидаев, Л. С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982
  344. J.AVan Vechten and A.D.Compaan. Solid State Commun. 39, 867 (1981)
  345. J .A. Van Vechten, R. Tsu, and F.W.Saris. Phys.Lett. 74A, 417 (1979)
  346. M.Combescot and J.Bok. Phys.Rev.Lett. 48, 1413 (1982)
  347. J.M.Liu, R. Yen, H. Kurz, and N.Bloembergen. Appl.Phys.Lett. 39, 755 (1981)
  348. J.M.Liu, H. Kurz, N.Bloembergen. Appl.Phys.Lett. 41, 643 (1982)
  349. D. Von der Linde, N.Fabricius. Appl.Phys.Lett. 41, 991 (1982)
  350. Y.Kanemitsu, H. Kuroda, S.Shinoya. Jpn. J.Appl.Phys. 23, 618 (1984)
  351. А.А.Бугаев. ФТТ 28, 1246 (1986)
  352. A.Lietoila and J.F.Gibbons. J.Appl.Phys. 53, 3207 (1982)
  353. ALietoila and J.F.Gibbons. Appl.Phys.Lett. 40, 625 (1982)
  354. D.Agassi. J.Appl.Phys. 55, 4376 (1984)
  355. M.Combescot, P.Nozieres. Solid State Commun. 10, 301 (1972)
  356. A.Haug. J.Phys.C 16, 4159 (1983)
  357. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, М. Г. Иванов, И. А. Меркулов. Письма в ЖТФ 12, 220 (1986)
  358. A.A.Бугаев, Б. П. Захарченя, М. Г. Иванов, И. А. Меркулов. ФТТ 28, 1484 (1986)
  359. A.A.Бугаев, Б. П. Захарченя, В. А. Лукошкин. Письма в ЖТФ 12, 710 (1986)
  360. A.A.Bugayev, V.A.Lukoshkin. «Cellular and Filamentary Structures of Surface Relief at Picosecond Laser Irradiation». In: «Nonlinear and Turbulent Processes in Physics». Proceed, of the III Intern. Workshop. Kiev. Ed. by V.Baryakhtar. V.2, 1988, p.117.
  361. А.А.Бутаев, В. А. Лукошкин, В. А. Урпин, Д. Г. Яковлев. ЖТФ 58, 908 (1988)
  362. С.А.Ахманов, В. И. Емельянов, Н. И. Коротеев, В. Н. Семиногов. УФН 147, 675 (1985)
  363. J.E.Sipe, J.F.Young, J.S.Preston, Н.М. van Driel. Phys.Rev.B 27, 1141 (1983)
  364. В.И.Емельянов, Е. М. Земсков, В. И. Семиногов. Квантовая электроника 11, 2283 (1984)
  365. S.Chandrasekhar. Hydrodynamic and Hydromagnetic Stability. Clarendon Press. Oxford, 1961
  366. C.Normand, Y. Pomeau, M.C.Velarde. Rev.Mod.Phys. 49, 581 (1977)
  367. D.ANield. J. Fluid Mechanics. 19, 341 (1964)
  368. Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц. Гидродинамика. M.: Наука, 1986
  369. А.Р.Регель, В. М. Глазов. Физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1980
  370. С.Оно, С.Кондо. Молекулярная теория поверхностного натяжения в жидкостях. М.: ИЛ, 1963
  371. Г. М.Гусаков, А. А. Комарницкий. Письма в ЖТФ 13, 170 (1987)
  372. А.А.Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. Письма ЖЭТФ 336 643 (1981)
  373. A.A.Bugayev, F. AChudnovski, B.P.Zakharchenya. «A Study of Metal-Semiconductor Transition in Vanadium Oxides». In: Semiconductor Physics. Ed. by V.Tuchkevich. Consultes Bureau. N.-Y. and London, p.265, 1986
  374. F.Henneberger, J. Puls, H.Rossmann. J. Luminescence 30, 204 (1985)
  375. G.Bret, F.Gires. Appl.Phys.Lett. 4, 175 (1964)
  376. В.И.Беспалов, А. М. Кубарев. Журнал Прикладной Спектроскопии 7, 263 (1967)
  377. AHerdvik. IEEE J.Quant.Electron., QE-6 199 (1970)
  378. R.M.Walser, M.F.Becker. In: Symposium of Laser-Solid Interactions and Laser Processing, Boston 1978. Proc. of AIP Conference N50, p. 126, 1978
  379. А.А.Бугаев, П. П. Борисков. ФТТ 38, 2978 (1996)
  380. Г. Карслоу, Д.Егер. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964
  381. И.М.Бужинский, Е. М. Дианов, А. А. Мак. «Промышленные неодимовые лазерные стекла». В книге: Справочник по лазерам. Т.1. Под ред.
  382. А.М.Прохорова. М.: Советское радио. 1978, стр.329
  383. A.Penzkofer, F.Graf. Opt. and Quant. Electron. 17, 219 (1985)
  384. В.С.Летохов. ЖЭТФ 55, 1077 (1968)
  385. F.De Martini, C.H.Townes, T.K.Gustafson, L.P.Kelly. Phys.Rev. 164, 312 (1967)
  386. R.A.Fisher, P.L.Kelly, T.K.Gustafson. Appl.Phys.Lett. 14, 140 (1969)
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?