Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн

Диссертация: Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Поверхностные акустические волны (ПАВ) являются эффективным средством контроля состояния поверхности твердых тел и можно ожидать, что даже слабые механические напряжения или пластические деформации в приповерхностном слое будут влиять на параметры распространения ПАВ, а именно на величину затухания и фазовой скорости. Известно, в частности, что адсорбция и десорбция различных веществ… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Фазовые превращения в приповерхностных слоях твердых тел под влиянием внешних воздействий и возможности использования поверхностных акустических волн для их диагностики (обзор литературы)
    • 1. 1. Поверхность твердого тела как среда распространения ПАВ
    • 1. 2. Особенности свойств поверхности кристаллов
    • 1. 3. GaAs в качестве объекта исследования
    • 1. 4. Процессы формирования конденсированных слоев на поверхности кристаллов
      • 1. 4. 1. Механизмы образования и роста плёнок
      • 1. 4. 2. Кинетика образования тонких плёнок
    • 1. 5. Воздействие внешних факторов на состояние поверхности и стимулирование ее перестройки
    • 1. 6. Возможности ПАВ-диагностики
      • 1. 6. 1. Поглощение звука
      • 1. 6. 2. Дисперсия скорости звука
      • 1. 6. 3. Взаимодействие объемных акустических волн
      • 1. 6. 4. Взаимодействия акустических волн с полями иной природы
      • 1. 6. 5. Особенности взаимодействия поверхностных акустических волн друг с другом и с объемными волнами
      • 1. 6. 6. Решеточная нелинейность монокристаллов
      • 1. 6. 7. Концентрационная нелинейность полупроводников
      • 1. 6. 8. Нелинейные свойства кристаллических порошков
    • 1. 7. Процессы осаждения золота, испаряемого в вакууме, как тестовые реакции фазовых превращений в приповерхностных слоях GaAs для ПАВ-диагностики
  • Глава 2. Методика и техника эксперимента
    • 2. 1. Характеристики исследуемых образцов
    • 2. 2. Измерение параметров распространения ПАВ
      • 2. 2. 1. Измерение комплексных коэффициентов прохождения и отражения в четырехполюснике
      • 2. 2. 2. Акустоэлектрические преобразователи
      • 2. 2. 3. Возбуждение и регистрация ПАВ
      • 2. 2. 4. Методика измерения параметров распространения ПАВ
      • 2. 2. 5. Оценка потерь энергии и изменения скорости при распространении ПАВ
    • 2. 3. Методика исследования поверхности GaAs в вакууме
      • 2. 3. 1. Исследования процесса осаждения пленки золота с помощью ПАВ
      • 2. 3. 2. Измерения сопротивления в приповерхностных слоях GaAs
    • 2. 4. Исследования с помощью ПАВ в системе образец-ЫТЧЬОз на воздухе
  • Глава 3. ПАВ-диагностика трансформации поверхности GaAs под воздействием потока испаряемого золота
    • 3. 1. Структура и состав пленок на основе Аи на GaAs
      • 3. 1. 1. Структура и состав пленок Аи на GaAs в зависимости от толщины
      • 3. 1. 2. Исследования структуры образцов Au-(11 l) i-GaAs с помощью оптической микроскопии
      • 3. 1. 3. Трансформация приповерхностных слоев в структурах Au-GaAs
    • 3. 2. ПАВ-диагностика (in situ) трансформации поверхности GaAs под воздействием потока испаряемого золота
    • 3. 3. Реакции взаимодействия в приграничных слоях Au-GaAs и динамика ПАВ
    • 3. 4. Особенности характеристик распространения ПАВ в процессе осаждения золота на поверхность арсенида галлия
      • 3. 4. 1. Рассеянная мощность ПАВ
      • 3. 4. 2. Величина рассеянной энергии
      • 3. 4. 3. Скорость ПАВ в зависимости от времени осаждения Аи
      • 3. 4. 4. dv/dt в зависимости от времени осаждения Аи
      • 3. 4. 5. Пульсация величины dv/dt
      • 3. 4. 6. Рассеянная энергия и интегральная функция Av/v 91 3.5 Анализ физико-химических процессов на границе Au-GaAs с помощью параметров прохождения ПАВ (ПАВ-диагностики)
  • Глава 4. Трансформация приповерхностных слоев GaAs под воздействием света в вакууме
    • 4. 1. Физико-химические реакции в приповерхностных слоях GaAs в вакууме
      • 4. 1. 1. Природный слой оксида на поверхности GaAs
      • 4. 1. 2. Декорирование поверхности GaAs с помощью Аи
      • 4. 1. 3. Структура поверхности GaAs под воздействием слабых излучений
      • 4. 1. 4. Обсуждение результатов
    • 4. 2. Измерения сопротивления в приповерхностных слоях GaAs
      • 4. 2. 1. Результаты измерения сопротивления в зависимости от времени облучения светом
      • 4. 2. 2. Начальное сопротивление в зависимости от условий экранирования
      • 4. 2. 3. Свободные заряды на поверхности и энергия фопонов
      • 4. 2. 4. R в зависимости от времени выдержки под действием света
      • 4. 2. 5. Зависимость R от времени экспозиции
    • 4. 3. GaAs-LiNb03 без ПАВ и с ПАВ
  • Глава 5. Исследование приповерхностных слоев GaAs под воздействием света (белого) с помощью ПАВ на воздухе
    • 5. 1. Изменения амплитуды и фазы ПАВ в зависимости от времени выдержки под действием света
    • 5. 2. Фурье спектры колебаний dv/dt и рассеянной мощности P (t)
    • 5. 3. Обсуждение результатов
  • Заключение
  • Список литературы

Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Тонкопленочные структуры составляют основу современной микрои наноэлектроники. Благодаря развитию технологии получения различных материалов в виде тонких пленок и многослойных структур стала возможной миниатюризация приборов и устройств твердотельной электроники, а в ряде случаев и создание принципиально новых приборов, как, например, полевых транзисторов с двумерным электронным газом. При этом выделяется существенная роль состояния поверхности и границ раздела в тонкопленочных структурах, поскольку в процессе создания и эксплуатации приборов поверхность, как правило, подвергается воздействиям монохроматического или белого света, электронных и ионных пучков, высокочастотных полей различной интенсивности и других факторов.

В структурах с ультратонкими, иногда нанометровой толщины, слоями, изменения состояния поверхности под воздействием вышеуказанных факторов оказываются существенными. Следствиями таких воздействий могут быть аморфизация кристалла, изменение вращательных, колебательных и поступательных движений атомов и молекул, а также образование одномерных, двумерных и вытянутых в линейку дислокаций. Обычно такие эффекты считают незначительными, а соответствующие методы обработки и контроля — неразрушающими, однако это не всегда справедливо. Арсенид галлия в этом отношении представляет особый интерес как один из наиболее широко используемых материалов электронной техники.

Поверхностные акустические волны (ПАВ) являются эффективным средством контроля состояния поверхности твердых тел и можно ожидать, что даже слабые механические напряжения или пластические деформации в приповерхностном слое будут влиять на параметры распространения ПАВ, а именно на величину затухания и фазовой скорости. Известно, в частности, что адсорбция и десорбция различных веществ на поверхности звукопровода может быть замечена распространяющейся ПАВ даже при очень низком уровне содержания их в окружающей среде, что позволяет обнаруживать их и идентифицировать.

Цель работы. Целью работы является создание высокоточной методики ПАВ-диагностики для обнаружения и идентификации процессов трансформации поверхности и приповерхностных слоев арсенида галлия при внешних воздействиях, таких как освещение немонохроматическим (белым) светом, а также в условиях вакуумного осаждения пленки металла (золото). Эти воздействия являются типичными для многих технологических процессов при создании приборов и интегральных схем с использованием GaAs. Арсенид галлия представляет интерес как один из наиболее широко используемых материалов электронной техники.

Научная новизна и значимость работы. В результате проведенных исследований впервые показана возможность регистрации с помощью ПАВ в реальном времени (in situ) и идентификации физико-химических процессов, происходящих на поверхности и в приповерхностном слое арсенида галлия при различных внешних воздействиях. В частности, зарегистрированы и исследованы окислительно-восстановительные процессы на поверхности GaAs при оптическом облучении, а также фазовые превращения в приповерхностном слое при использовании типовой технологии изготовления тонкопленочных контактов металл-полупроводник путем вакуумного напыления золота. Тем самым развит новый метод контроля в реальном времени процессов формирования тонкопленочных структур.

Практическая ценность. Разработаны методы ПАВ-диагностики, которые могут быть использованы в технологии изготовления приборов микро-и наноэлектроники для неразрушающего контроля в реальном времени состояния поверхности и приповерхностных слоев твердого тела в процессе формирования тонких пленок и иных структур на основе арсенида галлия и других материалов.

Новые научные положения, которые выносятся на защиту:

1. Измерение параметров распространения ПАВ малой мощности позволяет обнаруживать в реальном времени фазовые превращения в приповерхностных слоях твердого тела в вакууме под воздействием факторов, не связанных с термическим нагревом, таких как облучение светом (белым) и осаждение пленок металла (золота) в вакууме.

2. Под воздействием света испарителя в вакууме в приповерхностных слоях GaAs изменяются морфология, вязкость и другие свойства, что является как следствием обратимых окислительно-восстановительных реакций, так и результатом пластической деформации на поверхности. При этом может меняться также ориентация поверхности GaAs.

3. Как показано с помощью Фурье анализа временной зависимости амплитуды, скорости ПАВ и ее производной по времени, на поверхности GaAs могут происходить не только структурные превращения (медленные процессы), но и формирование шнурового канала и микропробои (быстрые процессы).

4. Фурье спектр dv/dt ПАВ слабой мощности при облучении белым светом на воздухе для системы пластинка (из диэлектрика, сегнетоэлектрика, полупроводника, металла) — LiNbCb имеет резонансы на частотах, совпадающих со временем реакции образования — разрушения приповерхностного слоя и/или межзерепной диффузии. По значению величины dv/dt на резонансной частоте определяется энергия процесса, что позволяет идентифицировать состав приповерхностного слоя исследуемого материала.

5. Как следует из сравнительного анализа состояния поверхности определяемого по изменению величины сопротивления, топографии поверхности при температурном отжиге образцов вакууме, временных и частотных зависимостей параметров ПАВ, изменение состава окружающей среды (содержание ионов и электронов) приводит к пластической деформации в приповерхностных слоях GaAs и как следствие к электронной и акустической эмиссии.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, и списка цитируемой литературы.

Выводы.

1. Измерение параметров распросранения ПАВ при наложении на звукопровод исследуемого материала дает информацию о свойствах приповерхностного слоя.

2. Воздействие внешних факторов позволяет контролировать изменения свойств приповерхностных слоев GaAs и других материалов во времени, в том числе выявляет резонансно-релаксационные процессы фазовых превращений.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении сформулируем основные результаты работы:

1. Создана экспериментальная установка для измерения временных зависимостей параметров ПАВ слабой мощности с высокой точностью.

2. Обнаружено, что ПАВ слабой мощности сама по себе не вносит дополнительных изменений в физико-химические реакции преобразования приповерхностного слоя GaAs и может служить индикатором этих реакций в реальном масштабе времени (in situ).

3. Показана возможность регистрации и идентификации физико-химических процессов, происходящих на поверхности и в приповерхностном слое арсенида галлия при таких воздействиях, как излучение света разогретого испарителя и осаждение пленок металла (золота) в вакууме.

4. Результаты ПАВ-диагностики свидетельствуют о том, что при осаждении тонких пленок металла на основе Au и/или из-за наличия природного слоя оксида при облучении светом разогретого испарителя помимо изменения состава происходит как модификация, так и пластификация тонких приповерхностных слоев GaAs. При этом два соприкасающихся слоя разной модификации двигаются с разной скоростью относительно друг друга, увеличивая или уменьшая энергию кристаллической решетки.

5. Обнаружено, что на поверхности GaAs в результате внешних воздействий слабой мощности происходит двойственный процесс: с одной стороны, диссипация энергии, обусловленная преодолением молекулярных связей, с другой, формоизменение поверхностного слоя внедрившимися неровностями. Деформирование и разрушение фрикционных связей локализуется в тонком приповерхностном слое.

6. Установлено, что причиной аномально быстрых процессов зернограничной диффузии, наблюдаемых обычно на границе контактов металл — арсенид галлия или на поверхности полупроводника, является движение структурных единиц в поле механических и электрических напряжений.

7. На основании сравнительного анализа результатов измерений в вакууме величины сопротивления и как временных, так и частотных зависимостей параметров ПАВ, картин топографии поверхности, анализа структуры и состава приповерхностных слоев сделан вывод о том, что изменение состояния окружающей среды приводит к трансформации поверхности GaAs вследствие процессов диффузионной пластической деформации. При этом возможен поворот длинных дислокаций, микротрещин.

8. Анализ Фурье спектров амплитуды ПАВ, скорости и ее производной dv/dt позволяет сделать заключение о том, что на поверхности GaAs могут происходить не только структурные фазовые превращения (медленные процессы), но и формирование шнуровых каналов и микропробои (быстрые процессы) и, как следствие, возникновение электронной и акустической эмиссии.

9. Фурье спектр временной зависимости производной от скорости ПАВ (dv/dt) при облучении белым светом (т.е без УФ и ИК) на воздухе структур GaAs-LiNb03 при распространении ПАВ на прилегающей поверхности ниобата лития, обнаруживает резонансы на частотах, соответствующих временам реакции образования — разрушения приповерхностного слоя и/или межзеренной диффузии. По значениям величины dv/dt на резонансных частотах определяется энергия процессов, что позволяет произвести их идентификацию. Характерно, что при наложении на ниобат лития образцов из других материалов (диэлектрик, сегнетоэлектрик, полупроводник, металл) также обнаруживаются резонансы на собственных частотах, позволяющих определить состав и структуру приповерхностного слоя исследуемого материала.

Полученные результаты опубликованы в научных журналах:

1. Андреев А. С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А., Шишкин В. Г., Щукин Ю. М. Фильтры на ПАВ на основе встречно-штыревых преобразователей с субмикронными зазорами // Радиотехника. 1987.№ 11. С. 36.

2. Андреев А. С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А. СВЧ устройства на ПАВ на базе технологии оптической фотолитографии // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. С. 967−971.

3. Андреев А. С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А. Компенсация переотражений в СВЧ преобразователях ПАВ при их изготовлении по самосовмещенной технологии фотолитографии // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. С. 589−592.

4. Андреев А. С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А. Встречно-штыревые преобразователи ПАВ с субмикронными межэлектродными зазорами // Радиотехника и электроника. 1988. № 9. С. 1812−1820.

5. Т.A. Briantseva, Z.N. Lebedeva, I.A. Markov, T.J. Bullough and D.V. Lioubtchenko. Processes-induced modification to the surface of crystalline GaAs measured by photometry // Applied Surface Sciences. 1999. V. 143. P. 223−228.

6. Briantseva T.A., Bullough T.J., Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Tolmachev E.M. SAW diagnostics of GaAs surface structure // Physica B: Condensed Matter. 1999. V. 263−264. P. 84−86.

7. Briantseva T.A., Lebedeva Z.M., Lioubtchenko D.V., Markov I.A. Nolan M., Perova T.S., Moore R.A. Precise chemical analysis development for silicon wafers after rapid thermal processing // Applied Surface Sciences. 2000. V. 156, P. 2125.

8. Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Briantseva T.A. GaAs surface modification under light irradiation in vacuum // Applied Surface Sciences. 2002. V. 195. P. 42−47.

9. Lioubtchenko D.V.^ Markov I.A. and Briantseva T.A. GaAs surface modifications under Au evaporating flux // Applied Surface Science. 2003. V. 211, N 1−4. P. 335−340.

10.Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Markov I.A., Bullough T.J. Surface composition investigation of thin film based on A1 grown by CBE on the (001).

GaAs surface in situ monitored by laser // Defect and Diffusion Forum. 2007. V. 261−262. P. 25−30.

11.Брянцева T.A., Любченко Д. В., Марков И. А. Измерение параметров прохождения ПАВ при трансформации поверхности GaAs под воздействием потока испаряемого золота // Инженерная физика. 2008. № 2. С. 31−35.

12.Брянцева Т. А., Любченко Д. В., Марков И. А., Толмачев Е. М. Исследование взаимодействия на поверхности GaAs при осаждении Аи с помощью поверхностных акустических волн // Неорганические материалы. 2009. Т. 45, № 8. С. 901−907.

13.Брянцева Т. А., Любченко В. Е., Любченко Д. В., Марков И. А., Толмачев Е. М. Исследование трансформации поверхности GaAs в процессе вакуумного осаждения пленок золота с помощью поверхностных акустических волн // Радиотехника и электроника. 2009. Т. 54 № 5. С. 621−624. и докладывались на международных конференциях:

14.Briantseva Т.А., Bullough T.J., Lioubtchenko D.V., Markov I.A. Tolmachev Е.М. SAW diagnostics of GaAs surface structure. Abstract of the 9th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. 1998. Lancaster, UK.

15.Markov I. A., Briantseva T.A. and Lioubtchenko D.V. Modifications of GaAs surface under Au evaporating Flow // Proceedings of International Conference of Mass and Charge Transport in Inorganic Materials. Italy. 2000. P. 701−708.

16.Briantseva T.A., Markov I.A. and Lioubtchenko D.V. Physical and chemical modifications of GaAs surface under light irradiation in vacuum // Proceedings of International Conference of Mass and Charge Transport in Inorganic Materials. Italy. 2000. P. 477−484.

17.Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Briantseva T.A., Lyubchenko V.E. Surface Acoustic Wave Investigation of the Near-Surface Layers Under Light Irradiation //Proceedings of WOCSDICE 2001. Cagliari, Italy, May 2001. P. 123−124.

18.Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Briantseva T.A., Bullough T.J. and Lyubchenko V.E. Surface acoustic wave investigation of the LiNb03 near-surface layer under visible light illumination // Proc. of the INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASTICITY Halifax, Nova Scotia, Canada, July 17−22 2006. P. 655−657.

19.Briantseva T.A., Lioubtchenko V.E., Lioubtchenko D.V., Markov I.A. GaAs Surface Transformations during A1 Thin Film Growth by CBE Method // Proc. of the WOCSDICE 2008, 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits. May 18−21 2008. Leuven, Belgium.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Арсенид галлия в микроэлектронике / под ред. Н. Айнспрука, У.Уиссмена. / Пер. с англ. М.: Мир, 1988. 555 с.
  2. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение: Коллективная монография / под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. М.: Наука, 1973. 471 с.
  3. В.А., Снитко О. В. Электроотражение света в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1980. 302 с.
  4. Н.П., Волокобинский Ю. М., Воробьев А. А., Тареев Б. М. Теория диэлектриков. M.-JL: Энергия, 1965. 344 с.
  5. В.И., Рыбкин С. М. Реактивная фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках//ЖЭТФ. 1981. Т. 81. № 1 (7). С. 353−360.
  6. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. / пер с англ. М.: Мир, 1984 ч.2. 350 с.
  7. Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. / пер. с англ. М.: Мир, 1970, 384 с.
  8. Г., Бойдедаев С. Р., Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Аномально большие напряжения в полупроводниковых пленках, обусловленные реактивной фотоэдс // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология». АЭЭ, 2007. № 5 (49). С. 94−98.
  9. Г. С. Кринчик. Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами // Успехи физических наук. 1968. Вып. 1. С. 143−154.
  10. В.М. Динамика решетки и фазовые переходы // Современная кристаллография: в 4 т. / под ред. Вайнштейна Б. К., Чернова А. А., Шувалова JI.A. М.: Наука. 1979−1981. Т. 2. Структура кристаллов. Гл. 4. С. 262−295.
  11. .Н. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. JL: Наука, 1972.384 с.
  12. М.А. Общая акустика. М.: Наука, 1973. 495 с.
  13. Р., Эльбаум Ч., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твердого тела. / пер. с англ. М.: Мир, 1975. 308 с.
  14. Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела. / пер. с англ., под ред. Михайлова и В. А. Шутилова. М.: Мир, 434 с.
  15. Нелинейные акустоэлектронные устройства и их применение. / под ред. Бондаренко B.C. М.: Радио и связь, 1985. 160 с.
  16. А. А., Гальперин Ю. М., Пардаев А. П. Физические основы акустоэлектроники (Акустические свойства пьезоэлектрических полупроводников) / Отв. ред. И. Исмаилов- АН Тадж. ССР, Физ.-техн. ин-т им. С. У. Умарова 121 1. Душанбе: Дониш, 1986. 124 с.
  17. В.А., Ржанов А. В., Яковкин И. Б. Акустоэлектронные методы полупроводников. / под ред. Богданова С. В. Новосибирск: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, 1987. 126 с.
  18. Г. Акустические волны. Устройства, визуализация и аналоговая обработка сигналов. / пер. с англ. М.: Мир, 1990. 656 с.
  19. Biryukov S.V., Gulyaev Yu.V., Krylov V.V., Plessky V.P. Surface Acoustic Waves in inhomogeneous Media. / Editors: Brechovskich L.M., Felsen L.B. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1995. 390 p.
  20. И. А. Звуковые поверхностные волны в твёрдых телах. М.: Наука, 1981.287 с.
  21. В. И., Плесский В. П. Затухание волны Рэлея при распространении вдоль периодически неровной поверхности кубических и гексогональных кричталлов // Акустический журнал. 1980. Т. 26. С. 685 689.
  22. А.П., Гаршка Э. П., Милькявичене З. М., Юцис А. И. Электронное поглощение поверхностной акустической волны в структуре пьезоэлектрик металлическая пленка// Физика твердого тела. 1974. В. 8. С. 74−78.
  23. Halvor Skele. Electrical and Mechanical Loading of a Piezoelectric Surface Waves. Surface Waves on a Piezoelectric Surface // The Journal of the acoustic Society of America. 1970. V. 3. № 5 (part 2).
  24. Gafka D., Tani J. Sencitivity of surface acoustic wave velocity in lithium niobate to electrical field or biasing stress // J. Appl. Phys. 1993. V. 73, P. 7145−7151.
  25. Д. Морган. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах. М.: Радио и связь. 1990. 415 с.
  26. А.И., Проклов В. В., Станковский Б. А., Гингис А. Д. Пьезополупроводниковые преобразователи и их применение. М.: Энергия, 1973. 152 с.
  27. Verona Е., Caliendo С., D. Amico A. SAW Gas Sensors / Ed.G. Sberveglieri. London: Kluwer. 1992. 281 p.
  28. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / под редакцией Дж. Мейера / пер. с англ. М.: Мир, 1982. 576 с.
  29. Rafii-Tabar Н. Modelling of nano-scale phenomena in condensed matter physics via computer-based numerical simulations // Physics reports. 2000 V. 325 P. 239−310.
  30. Osetsky Yu. N. Atomistic study of diffusional mass transport in metals // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 188−190. P. 71−92.
  31. И.Н., Марголин В. И., Жабрев В. А., Тупик В. А., Фантиков B.C. Эффекты дальнодействия в микро- и наноразмерных структурах // Инженерная физика. 2005. № 1. С. 50−67.
  32. Serov I.N., Margolin V.I., Potsar N.A., Soltovskaya I.A., Tupik V.A., Fantikov V.S. Deposition of nanoscale films with fractal topography // Russian Microelectronics. 2004. V. 33. № 5. C. 263−270.
  33. Serov I.N., Zhabrev V.A., Margolin V.I. Problems of Nanotechnology in Modern Materials Science // Glass Physics and Chemistry. 2003. V. 29. № 2. C. 169−171.
  34. Е.Ф., Конакова Р. В., Коротченков Г. С., Миленин В. В., Руссу Э. В., Прокопенко И. В. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл InP и металл-GaAs. Киев: ОАО КТНК, Институт физики полупроводников НАН Украины, 1999. 233 С.
  35. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 380 с.
  36. Ю. Ф. Физика металлических плёнок. Размерные и структурные эффекты. М.: Атомиздат, 1979. 262 с.
  37. П.Г., Кулюпин Ю. А. Электронные процессы в островковых металлических пленках. Киев: Наукова думка, 1980. 239 с.
  38. В.М., Трусов Л:И. ХолмянскшгВ.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с.
  39. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками. / под редакцией Дж. М. Поута, Г. Фоти, Д.К. Джекобсона/ пер. с англ. под редакцией А. А. Углова. М.: Машиностроение, 1987. 423 с.
  40. Laser Annealing of Semiconductors. / edited by J.M.Poate, James W. Mayer. New York, London, 1982. Part. 2.2, P. 281−564.
  41. Briantseva T.A., Lioubtchenko D.V., Lopatin V.V. Ga migration process in Au film on (100) GaAs under temperature treatment in vacuum // Applied Surface Science. 1996. № 100/101. P. 169.
  42. Briantseva T.A., Lioubtchenko D.V., Lyubchenko V.E., Rostovtseva S.A. Thermomechanical strains in Small-size Au-GaAs thin-film structures // Applied Surface Science. 2000. V. 161. P. 219−226.
  43. Briantseva T.A., Lebedeva Z.N., Markov I.A., Bullough T.J. and Lioubtchenko D.V. Processes-induced modification to the surface of crystalline GaAs measured by photometry // Applied Surface Sciences. 1999. V. 143. P. 223−228.
  44. Briantseva T.A., Lebedeva Z.M., Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Nolan M., Perova T.S., Moore R.A. Precise chemical analysis development for siliconwafers after rapid thermal processing // Applied Surface Sciences. 2000. V. 156. P. 21−25.
  45. T.A., Лебедева 3.M., Лопатин B.B., Любченко В. Е. Определение микропримесного состава Au контактов к полупроводникам АЗВ5 // Заводская лаборатория. 1991. Т. 57. № 1. С. 21−25.
  46. Briantseva Т.А., Bullough T.J., Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Tolmachev E.M. SAW diagnostics of GaAs surface structure // Physica B: Condensed Matter. 1999. V. 263−264. P. 84−86.
  47. Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Markov I.A., Bullough T.J. Surface composition investigation of thin film based on A1 grown by CBE on the (001) GaAs surface in situ monitored by laser // Defect and Diffusion Forum. 2007. V. 261−262. P. 25−30.
  48. Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Briantseva T.A. GaAs surface modification under light irradiation in vacuum // Applied Surface Sciences. 2002. V. 195. P. 42−47.
  49. Lioubtchenko D. V^ Markov I.A. and Briantseva T.A. GaAs surface modifications under Au evaporating flux // Applied Surface Science. 2003. V. 211. N 1−4. P. 335−340.
  50. Briantseva T.A., Bullough T.J., Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Tolmachev E.M. SAW diagnostics of GaAs surface structure / Abstract of the 9th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter, Lancaster (UK), 1998.
  51. T.A., Любченко B.E., Любченко Д. В., Марков И. А. Измерение параметров прохождения ПАВ при трансформации поверхности GaAs под воздействием испаряемого золота // Инженерная физика. 2008. № 2. С. 3135.
  52. Т.А., Любченко Д. В., Марков И. А., Толмачев Е. М. Исследование трансформации поверхности GaAs под воздействием потока испаряемого золота с помощью поверхностных акустических волн // Неорганические материалы. 2009. Т. 45. № 8. С. 901−907.
  53. Markov I.A., Briantseva Т. A. and Lioubtchenko D.V. Modifications of GaAs surface under Au evaporating Flow // Proceedings of International Conference of Mass and Charge Transport in Inorganic Materials, Italy, 2000. P. 701−708.
  54. Lioubtchenko D.V., Markov I.A., Briantseva T.A., Lyubchenko V.E. Surface Acoustic Wave Investigation of the Near-Surface Layers Under Light Irradiation //Proceedings of WOCSDICE 2001, Cagliari, Italy, May 2001. P. 123−124.
  55. Bryantseva T.A., Lioubtchenko D.V., Yunevitch E.O. Structure Evolution and Phase Transitions in Au Film Growth on (100) GaAs Surface / Japan Session Topic: Surface Evolution during Film Growth (TF10). 1988. Abstract Number: F10−014.
  56. T.A., Кухта Н. П., Любченко B.E., Ормонт А. Б. Исследование распределения химических элементов в контактах Au-GaAs // Микроэлектроника. 1976. № 1. С. 40−42.
  57. Briantseva Т.А., Lioubtchenko D.V., Alkeev N.V. Acoustoelectrical effects inthe processes of thin Au film evaporation on GaAs surface // Proceeding of theth • 14 Inter. Conference on Utilization of the Ultrasonic Methods in Condensed
  58. Matter, Zilina, Slovakia. 1996. P. 43−47.
  59. Я.И. Введение в теорию металлов. / под ред. Вонсовского. Л.: Наука. 1972. 424 с.
  60. А.А. Нормальный и послойный рост кристаллов. / Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов, М.: Наука, 1980. С. 91.
  61. Э.Х. Контакты металл- полупроводник. / пер. с англ. под ред. Г. В. Степанова. М.: Радио и связь, 1982. 207 с.
  62. В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Наукова Думка, 1974. 263 с.
  63. В.И., Бузанёва Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение). / под ред. Стрихи В. И. М.: Советское радио, 1974. 248 с.
  64. Т.А., Любченко В. Е., Юневич Е. О. Диоды Шоттки с пониженным барьером на основе тонкопленочных контактов Au+Ge/GaAs // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. № 8. С. 514−519
  65. В.Е., Юневич Е. О. Активная микрополосковая антенна с диодом Ганна//Радиотехника и электроника. 2003. Т. 48. № 1 0. С. 1270−1272.
  66. В.Е., Котов В. Д., Юневич Е. О. Активная микрополосковая антенна с диодом Ганна // Известия ВУЗов. Радиофизика. Т. XLVI, № 8−9. С. 799−803.
  67. В.Е. Полупроводниковые приборы в устройствах терагерцового диапазона // Радиотехника. 2002. № 8. С. 50−54.
  68. Т.А., Винниченко В. Ю., Дворянкина Г. Г., Юневич Е. О. Процессы формирования тонких пленок золота на поверхности (100)GaAs // ДАН СССР. 1988. Т. 300. № 3. С. 601−603.
  69. Т.А., Дворянкина Г. Г., Лебедева З. М., Петров А. Г., Соколова Е. Б., Юневич Е. О. Взаимодействие золота с приповерхностным слоем арсенида галлия // Неорганические материалы. 1986. Т. 22. № 9. С. 14 211 424.
  70. Lioubtchenko D.V., Briantseva Т.А., Lebedeva Z.N., Markov I.A. and Lyubchenko V.E. GaAs Near-Surface Layer Formation Under Millimeter Wave Irradiation // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 194−199. P. 745−750.
  71. T.A., Волков А. И., Дворянкина Г. Г., Кармазин С. В., Любченко В. Е. Исследование механизма образования и электрических свойствпланарных омических контактов к n-GaAs на основе золота и сплавов // Микроэлектроника. 1978. № 1. С. 57−64.
  72. Т.А., Лопатин В. В., Любченко В. Е. Особенности коалесценции тонких пленок Au-Ge при формировании контактов ограниченных размеров // Физика твердого тела. 1988. Т. 30. № 3. С. 645−648.
  73. Т.А., Винценц С. В., Любченко В. Е., Юневич Е. О. Формирование омических контактов в тонкопленочной структуре Au+Ge/GaAs под многократным воздействием лазерных импульсов // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. № 1.С. 55−57.
  74. Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. / под. ред. Амелинкса G. М.: Металлургия, 1984. 502 с.
  75. Д., Дэлчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. 456 с.
  76. A.M. Рентгенография кристаллов. М.: Физматгиз, 1961. 604 с.
  77. М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1983. 407 с.
  78. Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. М.: Мир, 1966. 472 с.
  79. А.В. Межмолекулярные взаимодействия в адсорбции и хроматографии. М.: Высшая Школа, 1986. 360 с.
  80. Э.В., Шульпина И. Л., Рентгеновская оптика кристаллов с дефектами // Поверхность. 2001. Т. 7. С. 3−23.
  81. М.Г., Осипьян Ю. А., Смирнова И. А., Суворов Э. В., Шулаков Е. В. Наблюдение микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии // Поверхность. 2001. Т. 6. С. 105−111.
  82. Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения. М.: Наука, 1986. 320 с.
  83. Goldstein J.I., Newbury D.E., Echlin P., Joy D.C., Fiori C., Lifshin E. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis. New York: Plenum Press, 1981. 820 p.
  84. Watt I.M. The Principles and Practice of Electron Microscopy. Cambridge: Cambridge University Press, 1985. 500 p.
  85. Э.В., Смирнова И. А., Шулаков E.B. Дифракционное изображение дислокаций, расположенных в плоскости рассеяния перпендикулярно вектору отражения // Поверхность. 2004. Т. 9. С. 64−68.
  86. Т.А., Любченко В. Е., Юневич Е. О. Влияние термической ионизации паров золота на параметры диодов с барьером Шоттки из арсенида галлия, получаемых методом вакуумного напыления // Радиотехника и электроника, 1987. В. 10. № 11. С. 2231−2233.
  87. Ю.Г. Количественные характеристики когезии и адгезии. / Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982. 399 с.
  88. Р., Питти А. Строение вещества: введение в современную физику. / пер. с англ. под ред. Ю. М. Широкова. М.: Наука, 1969. 595 с.
  89. Ю.Г. Термодинамические соотношения между поверхностным натяжением и электрическим потенциалом. / Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982. 399 с.
  90. И.Г., Соловьев В.А, Сырников Ю. П. Основы молекулярной акустики. М.: Наука, 1964. 514 с.
  91. Р. Распространение волн в жидких и твердых телах. / Физическая акустика. / пер. с англ. под ред. Розенберга Л. Д. М.: Мир, 1965. Т. 1А. С. 15−140.
  92. Л.К., Красильников В. А. Нелинейные явления при распространении упругих волн в твердых телах // Успехи физических наук. 1970. Т. 102. В. 4. С. 549−586.
  93. К.К., Лямов В. Е., Пятаков П. А. Неколлинеарное взаимодействие объемных упругих волн в кристаллах // Физика твердого тела. 1973. Т. 15. В. 1. С. 3226−3230.
  94. Н.К., Агишев Б. А., Дерюгин И. А., Леманов В. В. Невырожденное электроакустическое взаимодействие в ниобате лития // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2.№ 13. С. 615−618.
  95. Г. А. Электроакустическое фононное эхо // Вестник АН СССР. 1979. № 2. С. 59−68.
  96. Svaasand L.O. Interection between elastic surface wave in piezoelectric materials // Applied Phisics Letters. 1969. V. 15. № 9. P. 300−302.
  97. Luukala М., Kino G.S. Convolution and time inversion using parametric intergction by acoustic surface waves // Applied Phisics Letters. 1971. V. 18, № 9. P. 393−394.
  98. B.C., Соболев Б. В., Бочков Б. Г., Зуев B.E. Возбуждение электроакустического эха на ПАВ // Физика твердого тела. 1976. Т. 18. В. 5. С. 1447−1450.
  99. .В., Бочков Б. Г., Бондаренко B.C. Неколлинеарное взаимодействие акустических волн с электрическим полем // Журнал технической физики, 1978. Т. 48. В. 9. С. 1931−1933.
  100. Wang W.C. Signal generation via nonlinear interection of oppositely directed sonic waves in piezoelectric semiconductors // Applied Phisics Letters. 1971. V. 18. № 8. P. 337- 338.
  101. .В., Бочков Б. Г., Бондаренко B.C., Зуев B.E. Устройства корреляционной обработки сигналов на акустических волнах // Зарубежная электронная техника. 1977. № 6. С. 3−54.
  102. B.C., Бочков Б. Г., Зуев В. Е., Соболев Б. В., Белабаев К. Г. Фононное эхо в пьезоэлектриках-полупроводниках // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2. В. 14. С. 668−670.
  103. А.С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А., Шишкин В. Г., Щукин Ю. М. Фильтры на ПАВ на основе встречно-штыревых преобразователей с субмикронными зазорами // Радиотехника. 1987. № 11. С. 36.
  104. А.С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А. СВЧ устройства на ПАВ на базе технологии оптической фотолитографии // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. С. 967−971.
  105. А.С., Гуляев Ю^В., Кмита А. М-, Марков И. А. Компенсация переотражений в СВЧ преобразователях ПАВ при их изготовлении по самосовмещенной технологии фотолитографии // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. С. 589−592.
  106. А.С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M., Марков И. А. Встречно-штыревые преобразователи ПАВ с субмикронными межэлектродными зазорами // Радиотехника и электроника. 1988. № 9. С. 1812−1820.
  107. С.О. Физика композитов. Темодинамические и диссипативные свойства. М.: Наука, 1999. 329 с.
  108. А. А. Яворский Б.М. Волны в упругой среде / Курс физики. М.: Высшая школа, 1989. 319 с.
  109. .С. Диффузионная ползучесть / Диффузия в металлах, М.: Металлургия, 1978. 230 с.
  110. Бонч-Бруевич B. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 762 с.
  111. И.А., Кисунько В. З., Мороз Ю. Г. О проявлении структурной микронеоднородности жидких металлов в поверхностных явлениях // Журнал физической химии. 1986. Т. 60. № 9. С. 2256−2261.
  112. Takatosi, Nakanisi. An Internal Friction study jn the Alloying Behavior of Au-GaAs Contact // Japan J. Apple Phys. 1973. № 12. P. 11.
  113. И.Е. Волновые процессы основные законы. Москва Санкт-Петербург, 1999. 253 с.
  114. Г. Электроника дефектов в полупроводниках / пер. с англ Г. М. Гуро под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1974. 463 с.
  115. Дж. Физика твердого тела. / пер. с англ. под редакцией Андрианова Д. Г., Фистуля В. И. М.: Наука, 1988. 606 с.
  116. Л.Д., Ахиезер Ф. И., Лифшиц Е. М. Вязкость. / Курс общей химии. Механика и молекулярная физика. М.: Наука, 1969. 367 с.
  117. Л.Д., Лифшиц И. М. Электродинамика сплошных сред / под ред. Питаевского Л. П. М.: Физматлит, 2003. Т. 8. 656 с.
  118. Л. Д.,. Лифшиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука, 1987. 286 с.
  119. .Е., Степина С. Б., Федоров П. И. Галлий: Химия галлия // Химия и технология редких и рассеянных элементов. / под ред. Большакова К. А. М.: Высшая школа, 1976. Ч. 1. 472 с.
  120. С.П. Галлий. Взаимодействие с металлами. М.: Наука, 1974. 220 с.
  121. Физические величины. / Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1231 с.
  122. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 791 с.
  123. А.И. Смешанные кристаллы. М.: Наука, 1983. 277 с.
  124. И., Густ В. Диффузия по границам зерен и фаз. / пер. с англ. под ред. Швиндлермана JI.C. М.: Машиностроение, 1991. 446 с.
  125. Д.В. Общий курс физики. М.: Физматлит, 2003. Т. 2 Термодинамика и молекулярная физика. 575 с.
  126. Сивухин Д. В Общий курс физики. М.: Физматлит, 2002. Т. 1. Механика. 792 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?