Люминесцентные свойства имплантированных пленок SiO2 с квантовыми точками
Диссертация
Spectroscopy of Condensed Matter" (Лион, Франция, 2008) — на 19 и 20 Международных конференциях «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 2009, 2011) — на Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации — ФФХОИ-2010» (Нижний Новгород, 2010) — на третьей всероссийской конференции по наномагериалам «НА1Ю-2009» (Екатеринбург, 2009) — на 12, 13, 14 и 17… Читать ещё >
Содержание
- СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
- 1. НАНОКЛАСТЕРЫ В ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ
- 1. Л. Формирование наночасгиц и кластеров в диэлектрических матрицах
- 1. 1. 1. Нанокластеры в оптоэлектроиике
- 1. 1. 2. Имплантация как метод формирования нанокластеров в материалах
- 1. 2. Спектроскопия и оптические свойства наноструктурированных тонконленочных структур
- 1. 2. 1. Интерференционные эффекты
- 1. 2. 2. Размерные эффекты и люминесценция
- 1. 2. 3. Проблема модификации структуры и свойств матрицы
- 1. 2. 4. ФСЭЭ-спектроскопия стекол 8Ю
- 1. 3. Полупроводниковые квантовые точки в 8Ю
- 1. 3. 1. Кремниевые нанокристаллы
- 1. 3. 2. Квантовые точки сложного состава
- 1. 4. Постановка задач исследования
- 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
- 2. 1. Объекты исследования и их аттестация
- 2. 1. 1. Пленки ЯЮг^
- 2. 1. 2. Пленки БЮз^п
- 2. 1. 3. Пленки 8Ю2:8кС
- 2. 2. Фотолюминесцентные измерения
- 2. 2. 1. Стационарная люминесценция
- 2. 2. 2. Время-разрешепная фотолюминесценция
- 2. 2. 3. Разработка методики коррекции спектров возбуждения ФЛ с учетом интерференции падающего света
- 2. 3. Фотоэмиссионная спектроскопия
- 2. 3. 1. Экспериментальный комплекс для регистрации ФСЭЭ
- 2. 3. 2. Разработка методики обработки спектров ФСЭЭ
- 2. 3. 3. Разработка программного обеспечения для анализа спектров ФСЭЭ
- 2. 4. Выводы к главе
- 2. 1. Объекты исследования и их аттестация
- 3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ФОТОЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПЛЕНОК 8Ю
- 3. 1. Особенности фотовозбуждения электронной эмиссии и люминесценции пленок 8Ю2:81+
- 3. 1. 1. Электронная эмиссия
- 3. 1. 2. Люминесценция
- 3. 2. Люминесцирующие кластеры в пленках и стеклах 8Ю2:8п+
- 3. 3. Анализ экспериментальных спектров возбуждения ФЛ
- 3. 4. Выводы к главе
- 3. 1. Особенности фотовозбуждения электронной эмиссии и люминесценции пленок 8Ю2:81+
- 4. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В ПЛЕНКАХ 8Ю2:81:С
- 4. 1. Спектры люминесценции кластеров 81, С и 81С
- 4. 2. Темпера гурнан зависимость ФЛ
- 4. 3. Возбужденные состояния углеродных нанокласгеров
- 4. 4. Подвижные экситоны в фотолюминесценции
- 4. 4. 1. Экситоппая полоса ВФЛ
- 4. 4. 2. Схема оптических переходов
- 4. 5. Выводы к главе
- 5. МОДИФИКАЦИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК 8Ю2 ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ КИСЛОРОДА И СЕРЫ
- 5. 1. Фотолюминесценция
- 5. 1. 1. Структура Si02:0+
- 5. 1. 2. Структуры Si02: S+ 113 5.2. Колебательные состояния молекулярных ионов
- 5. 2. 1. Ионы кислорода
- 5. 2. 2. Молекулы серы
- 5. 1. Фотолюминесценция
Список литературы
- Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of porous silicon films / A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Ilerino, M. Ligeon, F. Muller // Appl. Phys.Lett. 1991. — Vol.59. — P.304−306.
- Lalic, N. Characterization of a porous silicon diode with efficient and tunable electroluminescence / N. Lalic, J. Linnros // J. Appl. Phys. 1996. — Vol.80, № 10. -P.5971−5977.
- Red electroluminescence in Si±implantcd sol-gel-derived Si02 films / K. Luterova, I. Pclant, J. Valenta, J.-L. Rehspringer, D. Muller, J.J. Grob, J. Dian, B. Honerlage // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol.77, № 19. — P.2952−2954.
- Optical properties of silicon nanocrystal LEDs / J. De La Torre, A. Soui, A. Poncet, C. Busseret, M. Lemiti, G. Bremond, G. Guillot, O. Gonzalez, B. Garrido, J.R. Morante, C. Bonafos // Physica E. 2003. — Vol.16. — P.326−330.
- Light emitting devices based on nanocrystalline-silicon multilayer structure / M. Wang, A. Anopchenko, A. Marconi, E. Moser, S. Prezioso, L. Pavesi, G. Pucker, P. Bellutti, L. Vanzetti // Physica E. 2009. — Vol.41, — P.911−915.
- Enhancement of electroluminescence in p-i n structures with nano-crystalline Si/Si02 multilayers / D.Y. Chen, D.Y. Wei, J. Xu, P.G. Han, X. Wang, Z.Y. Ma, K.J. Chen, W.H. Shi, Q.M. Wang // Semicond. Sei. Technol. 2008. — Vol.23. — P. 15 013.
- Optical gain in silicon nanocrystals / L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo // Nature (London). 2000. — Vol.408. — P.440−444.
- Optical gain in Si/Si02 lattice: Experimental evidence with nanosecond pulses / L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol.79, № 9. — P. 1249−1251.
- Electroluminescence of silicon nanocrystals in MOS structures / G. Franzo, A. Irrera. E.C. Moreira, M. Miritello, F. lacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo // Appl. Phys. A. 2002. — Vol.74. — P. 1−5.
- Optical gain in silicon nanocrystals / L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo // Nature (London). 2000. — Vol.408. — P.440−444.
- A silicon nanocrystals based memory / S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E.F. Crabbe, K. Chan // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol.68. — P. 1377−1379.
- De Blauwe, J. Nanocrystal nonvolatile memory devices / Jan De Blauwe // IEEE 'frans. Nanotechnology. 2002. — Vol.1, № 1. — P.72−77.
- Volatile and nonvolatile memories in silicon with nano-crystal storage / S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, C. Wei, D. Buchanan // IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. 1995. P. 521−524.
- Елисеев A.A., Лукашин A.B. Функциональные наноматериалы / под. ред. Ю. Д. Третьякова, М.:Физматлит, 2010. 456 е.
- М. Nastasi J.W. Mayer (2006) Ion Implantation and Synthesis of Materials, Springer, Berlin Heidelberg New York.
- Зацепин А.Ф., Касчиева С., Бирюков Д. Ю. и др. Образование и электроннолучевой отжиг имплантациоппых дефектов в тонкопленочной гетероструктуре Si-Si02 // Журнал технической физики. 2009. Т.79. № 2. С. 155−158.
- Weeks R.A. Optical and magnetic properties of ion implanted glasses, in: J. Zarzychi (Ed.), Materials Science and Technology, vol. 9, VCII, Weinheim, 1991, p. 331, and references therein.
- Salh R., Fitting L., Kolesnikova E.V. и др. Si and Ge nanocluster formation in Silica matrix // Физика и техника полупроводников. 2007. Т.41, № 4. С.397−402.
- R.T. Holm, S.W. McKnight, E.D. Palik, W. Lukosz. Applied Optics V. 21. No. 14 (1982) p.2512−2519.
- Zatsepin, A.F. Buntov, E.A., Kortov, V.S. et al. J. Phys.: Condens. Matter, 24 (2012) 45 301.
- Ekimov, A.I. Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots in Glass Matrix // Physica Scripta. 1991. T39, P.217.
- Borelli N.F., Flail D. W., Holland H.J., Smith D.W. Quantum confinement effects of semiconducting microcrystallites in glass //J. Appl. Phys. 1987. V.61. P.5399.
- Brus L.E. Quantum crystallites and nonlinear optics // Appl. Phys. A. 1991. V.53. P.465−474.
- Bawendi M.G., Steigerwald M.L. Brus L.E. The Quantum Mechanics of Larger Semiconductor Clusters («Quantum Dots») И Annual Rev. Phys. Chem. 1990. V.41 P.477.
- Wang Y. Nonlinear optical properties of nanometer-sized semiconductor clusters // Acc. Chem. Res. 1991. V.24. P.133.
- Banyai, L. and S.W. Koch (1993): Semiconductor Quantum Dots, Series on Atomic, Molecular and Optical Physics Vol. 2, World Scientific, Singapore.
- Haug, H. and L. Banyai, (eds.) (1989): Optical Switching in Low-Dimensional Systems, Plenum Press, New York.
- DAndrea, A., R. Del Sole, R. Girlanda, and A. Quattropani (eds.) (1992): Optics of Excitons in Confined Systems, IOP Conf. Ser. 123, IOP Publishing Ltd. Bristol.
- Identification of radiative transitions in highly porous silicon / P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead // J. Phys: Condens. Matter. 1993. — Vol.5. -P.L91-L98.
- Brus L. E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: The size dependence of the lowest excited electronic state // J. Chem. Phys. 1984. V.80. P.4403−4410.
- Vasilevskiy M. I. «Exciton-phonon interaction in semiconductor nanocrystals» in A. L. Rogach (Ed.) «Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots Synthesis, Assembly, Spectroscopy and Applications», Springer-Verlag/Wicn (2008).
- Bockelmann U" Bastard G. Phonon scattering and energy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases // Physical Review B. 1990. V.42 P.8947−8951.
- Fomin V.M., Gladilin V.N., Devreese J.T. et al. Photoluminescence of spherical quantum dots. // Phys. Rev. B. 1998. V.57. P.2415−2425.
- Devreese J.T. Frohlich polaron from 0D to 3D: concepts and recent developments. // J. of Physics Condensed Matter. 2007. V.19. P.255 201.
- Vasilevskiy M.I., Anda E.V. Makler S.S. Electron-phonon interaction effects in semiconductor quantum dots: a non-perturbative approach. // Phys. Rev. B. 2004. V.70. P.35 318.
- Jacak L. Machnikowski P., Krasnyi J., Zoller P. Coherent and incoherent phonon processes in artificial atoms. // European Physical Journal D. 2003. V.22 P.319- 331.
- Besombes L., Kheng K., Marsal L., Mariette II. Acoustic phonon broadening mechanism in single quantum dot emission. // Phys. Rev. B. 2001. V.63. P. 155 307.
- Krummheuer B., Axt V.M., Kuhn T. Theory of pure dephasing and the resulting absorption line shape in semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B. 2002. V.65 P.195 313.
- Henderson B., Imbusch G.F. (1989) Optical spectroscopy of solids. Oxford University Press.
- Allan G., Delercu C. Energy transfer between semiconductor nanocrystals: validity of Forster’s theory. // Phys. Rev. B 2007. V.75. P. 19 531 1.
- Magruder R.H. Ill, Weeks R. A., Weller R. A., Zuhr R. A. Effects of multi-energy Si and O ion implantation on the optical properties of silica // J. of Non-Cryst. Solids. 2002. V.304. P.224−232.
- Magruder R.II. Ill, Weeks R. A. Weller R. A. Luminescence and absorption in type III silica implanted with multi-energy Si, O and Ar ions // J. of Non-Cryst. Solids. 2003. V.322. P.58−67.
- Carvalho W., Dumas P., Corset J., Newman V. Raman spectra and oxygen-related absorption bands in pure silica core fibres // J. Raman Spectroscopy. 1985. V.16 P.330−331.
- L. Skuja, in: G. Pacchioni, L. Skuja, D.L. Griscom (Eds.), Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, NATO Science Series, Kluwer Academic, Dordrecht, Netherlands, 2000, p. 73.
- Skuja L., Guttler B. Detection of Interstitial Oxygen Molecules in Si02 Glass by a Direct Photoexcitation of the Infrared Luminescence of Singlet 02 // Phys. Rev. Lett. 1996. V.77. P.2093.
- Badger R.M., Wright A.C., Whitlock R.F. Absolute Intensities of the Discrete and Continuous Absorption Bands of Oxygen Gas at 1.26 and 1.065 p and the Radiative Lifetime of the 1 Ag State of Oxygen // J. Chem. Phys. 1965. V.43 P.4345.
- Schweitzer C., Schmidt R. Physical Mechanisms of Generation and Deactivation of Singlet Oxygen//Chem. Rev. 2003. V.103. P.1685−1758.
- Mochizuki, K., Nainihira, Y., Kuwazuru, M., and Nunokawa, M., Influence of Hydrogen on Optical Fiber Loss in Submarine Cables, J. Lightwave Technol., 1984, vol. 2, pp. 802−807.
- Герасимова В. П., Заворотный 10. С., Рыбалтовский А. О. и др. Центры окраски кварцевых стекол, легированных серой: спектроскопические проявления междоузельпого молекулярного иона S2+ // Физика и химия стекла. 2002. Т.28. № 1. С.8−16.
- Герасимова В. И., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В. и др. Центры окраски кварцевых стекол, легированных серой: спектроскопические проявления междоузельной молекулы S02 // Физика и химия стекла. 2003. Т.29. № 3. С.329−334.
- Герасимова В. П., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В., Циммерер Г. Влияние матрицы кварцевого стекла на спектры междоузельпых молекул S2 // Физика и химия стекла. 2002. Т.28. № 2. С.89−98.
- Е. Gross, D. Kovalev, N. Kunzner, J. Diener, and F. Koch. Spectrally resolved electronic energy transfer from silicon nanocrystals to molccular oxygen mediated by direct electron exchange // Physical Review В 68, 115 405 (2003).
- Кортов B.C., Слесарев А. И., Рогов В. В. Экзоэмиссиоиный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Паукова думка (1986).
- Арбузов В.И., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Толстой М. Н. Физика и химия стекла, 19 (1994) 475−481.
- Зацепин, А.Ф. Анализ неселективных спектров фотостимулированной электронной эмиссии с поверхности облученных диэлектриков / А. Ф. Зацепин, Д. Ю. Бирюков, B.C. Кортов // ЖПС. 2005. Т. 72, № 3, с. 381−385.
- Зацепин, А.Ф. Учет нестационарпости при анализе спектров фотостимулированной электронной эмиссии с поверхности облученных диэлектриков / А. Ф. Зацепин, Д. Ю. Бирюков, B.C. Кортов // ЖПС, 2005. Т. 72. № 5. с. 615−621.
- Zatsepin, A.F. Method for the analysis of nonselective spectra of optically stimulated electron emission from irradiated dielectrics Текст. / A. F. Zatsepin, D. Yu. Biryukov, and V. S. Kortov // phys. stat. sol. (a). 2005. 202, No. 10, 1935−1947
- А.Ф. Зацепин, Д. Ю. Бирюков, B.C. Кортов. Фотоэлектронная спектроскопия Е'-центров в кристаллическоми стеклообразном диоксиде кремния // Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2, с.229−238
- A.F. Zatsepin, V.S. Kortov, D.Yu. Biryukov. Non-radiative relaxation of excited states of non-bridging oxygen hole centcrs in silica // Phys. stat. sol. © 4, No. 3, 789- 792 (2007)
- А.Ф. Зацепин. Статика и динамика возбужденных состояний кислородно-дефицитных центров в Si02 // Физика твердого тела, 2010, том 52, вып. 6, с.1104−1114.
- А.Ф. Зацепин, B.C. Кортов, Н. В. Гаврилов, Д. Ю. Бирюков. Фотоэмиссионные и люминесцентные свойства кварцевого стекла, имплантированного Cuf ионами // Поверхность. Рентгеновские, синхротроппые и нейтронные исследования, 2008, вып. 6. с. 31−34.
- U. Woggon. Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots. Springer Tracts in Modern Physics. Volume 136. (1997) Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York.
- Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. P. 1046−1049.
- Shimizu-Kvayama Т., Oshima M., Niimi T. et al. Visible photoluminescence related to Si precipitates in Si±implanted Si02 // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V.5. P. L375.
- Guo L., Leobandung E., Cliou S. Y. A room-temperature silicon single-electron metal-oxide-semiconductor memory with nanoscale floating-gate and ultranarrow channel. // Appl. Phys. Lett. 1997. V.70. P.850−853.
- Tiwari S., Rana F., Hanafi II. et al. A silicon nanocrystals based memory. // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. P.1377−1380.
- Lalic N., Linnros J. Light emitting diode structure based on Si nanocrystals formed by implantation into thermal oxide. //J. of Luminescence 1999. V.80. P.263−267.
- Normand P., Tsoukalas D., Kapetanakis E. et al. Formation of 2-D Arrays of Silicon Nanocrystals in Thin Si02 Films by Very-Low Energy Si+ Ion Implantation // Electrochem. Solid State Lett. 1998. V.l. P.88−90.
- Pavesi L., Dal Negro L., Mazzoleni C. et al. Optical gain in silicon nanocrystals // Nature 2000. V.408. P.440−444.
- Fujii M., Yoshida M., Kanzavva Y. et al. 1.54 pm photoluminescence of Er3+ doped into Si02 films containing Si nanocrystals: Evidence for energy transfer from Si nanocrystals to Er3+ // Appl. Phys. Lett. 1997. V.71. P. l 198.
- Brongersma M. L., Polman A., Min K. S., Atvvater H. A. Depth distribution of luminescent Si nanocrystals in Si implanted Si02 films on Si // J. Appl. Phys. 1999. V.86. P.759.
- Brongersma M. L., Polman A., Min K. S. et al. Tuning the emission wavelength of Si nanocrystals in Si02 by oxidation. //Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. P.2577−2580.
- Neufeld E., Wang S., Apetz R. et al. Effect of annealing and H2 passivation on the photoluminescence of Si nanocrystals in Si02 // Thin Solid Films 1997. V.294. P.238−241.
- Brongersma M. L., Kik P. G., Polman A., Min K. S., Atwater H. A. Size-dependent electron-hole exchange interaction in Si nanocrystals // Appl. Phys. Lett. 2000. V.76. P.351−354.
- Zhuralev K. S., Gilinsky A. M., Kobitsky A. Y. Mechanism of photoluminescence of Si nanocrystals fabricated in a Si02 matrix // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. P.2962−2965.
- Shimizu-Iwayama T., Hole D.E. Boyd I.W. Mechanism of photoluminescence of Si nanocrystals in Si02 fabricated by ion implantation: the role of interactions of nanocrystals and oxygen // J. Phys.: Condens. Matter 1999. V. l 1, P.6595.
- White C. W., Withrovv S. P., Meldrum A. et al. Optical Properties Of Si Nanocrystals Formed In Si02 By Ion Implantation // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. V.507. P.249.
- Kovalev D., Diener J., Heckler H. et al. Optical absorption cross sections of Si nanocrystals //Phys. Rev. B 2000. V.61. P.4485−4487.
- Wolkin M. V., Jorne J. Fauchet P. M., Allan G., Delerue C. Electronic States and Luminescence in Porous Silicon Quantum Dots: The Role of Oxygen // Phys. Rev. Lett. 1999. V.82. P.197−200.
- Kim S., Choi S.-H. Size-Dependent Correlation of the Photoluminescence Lifetime with Si Suboxide States at Si nanocrystal // J. of the Korean Phys. Soc. 2008. V.52. No.2. P.462−465.
- Cooke D. W., Bennet B. L., Farnum E. H. et al. SiOx luminescence from light-emitting porous silicon: Support for the quantum confinement/luminescence center model // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. P.1663−1665.
- Filonov A. B., Kholod A. N., Borisenko V. E. et al. Oxygen effect on optical properties of nanosize silicon clusters//Phys. Rev. B 1998. V.57. P. 1394−1397.
- Min K.S., Schcglov K.V., Yang C.M. et al. Defect-related versus excitonic visible light emission from ion beam synthesized Si nanocrystals in Si02 // Appl. Phys. Lett. 1996. V.69. P.2033−2036.
- Withrow S.P., White C.W., Meldrum A. et al. Effects of hydrogen in the annealing environment on photoluminescence from Si nanoparticles in Si02 // J. Appl. Phys. 1999. V.86. P.396.
- Lopez M., Garrido B., Bonafos C. et al. Model for efficient visible emission from Si nanocrystals ion beam synthesized in Si02 // Nucl. Instrum. Methods B 2001. V.178. P.89−92.
- Yanagiya S. Ishida M. Optical and electrical properties of A1203 films containing silicon nanocrystals //J. Electron. Mater. 1999. V.28. P.496−502.
- Godefroo S., Hayne M., Jivanescu M. et al. Classification and control of the origin of photoluminescence from Si nanocrystals // Nature Nanotechnology 2008. V.3. P. 174 178.
- Zatsepin A.F., Pustovarov V.A., Kortov V.S., Buntov E.A., Fitting H.-J. Time-resolved photoluminescence of implanted Si02: Si+ films // J. of Non-Cryst. Sol. 2009. V.355. P. l 119−1122.
- White C.W., Budai J.D., Withrow S.P. et al. Encapsulated semiconductor nanocrystals formed in insulators by ion beam synthesis // Nucl. Instrum. Methods B 1998. V.141. P.228−240.
- A. Meldrum, E. Sonder, R. A. Zuhr, I. M. Anderson, J. D. Budai, C. W. White, L. A. Boatner, D. O. Henderson / A transmission electron microscopy investigation of sulfide nanocrystals formed by ion implantation // J. Mater. Res. 1999, 14, 4489.137
- D. Matsuura, Y. Kanemitsu, T. Kushida, C. W. White, J. D. Budai, A. Meldrum / Optical characterization of CdS nanocrystals in A1203 matrices fabricated by ion-beam synthesis // Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2289.
- J.Y. Fan, X.L. Wu, Paul K. Chu / Low-dimensional SiC nanostructures: Fabrication, luminescence, and electrical properties // Progress in Materials Science 51 (2006) 9 831 031.
- Devaty RP, Choyke WJ. / Optical Characterization of Silicon Carbide Polytypes // Phys Stat Sol (a) 1997−162:5−38.
- Canham LT. / Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. //Appl Phys Lett 1990−57:1046−1048.
- Cullis AG, Canham LT, Calcott DJ. / The structural and luminescence properties of porous silicon. // J Appl Phys 1997−82: 909−965.
- Brus LB, Szajowski PF, Wilson WL, Harris TD, Schupler S, Citrin PH. / Electronic Spectroscopy and Photophysics of Si Nanocrystals: Relationship to Bulk c-Si and Porous Si.//J. Am Chem Soc 1995−117:2915−2922.
- Liao LS, Bao XM, Yang ZF, Min NB. / Intense blue emission from porous |i-SiC formed on C-t-implanted silicon. //Appl. Phys. Lett. 66, 2382−2384 (1995).
- Zhao J, Mao DS, Lin ZX, Jiang BY, Yu YII, Liu XII, et al. / Intense short-wavelength photoluminescence from thermal Si02 films co-implanted with Si and С ions. Appl. Phys. Lett. 73, 1838−1840 (1998).
- Wu XL, Siu GG, Stokes MJ, Fan DL, Gu Y, Bao XM. / Blue-emitting (3-SiC fabricated by annealing C60 coupled on porous silicon. // Appl. Phys. Lett. 77, 12 921 294 (2000).
- Petrova-Koch V, Sreseli O, Polisski G, Kovalev D, Muschik T, Koch F. / Luminescence enhancement by electrochemical etching of SiC (6H). // Thin Solid Films. 255, 107−1 10 (1995).
- Tetelbaum, D.I., Mikhaylov, A.N., Vasiliev, V.K. et al: Effect of carbon implantation on visible luminescence and comosition of Si-implanted Si02 layers. Surface & Coatings Technology. 203. 2658 2663 (2009).
- А.И. Белов, A.H. Михайлов и др. / Формирование и «белая» фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiOx, имплантированных ионами углерода // Физика и Техника Полупроводников, 2010, т. 44, вып. 11, с. 1498−1503.138
- Perez-Rodriguez A, Gonzalez-Varona O, Garrido B, Pellegrino P, Morante JR, Bonafos C, et al. / White luminescence from Si+ and C+ ion-implanted Si02 films // J Appl Phys 2003−94:254.
- Hosono H., Matsunami N. Structural defects and chemical interaction of implanted ions with substrate structure in amorphous Si02 // Phys. Rev. B. 1993. V.48. No. 18. P.13 469−13 473.
- Ziegler J.F., Biersack J.P., Ziegler M.D. SRIM The Stopping and Range of Ions in Matter // http://srim.org.
- H.-J. Fitting, L. Fitting Kourkoutis, R. Salh. M. V. Zamoryanskaya, and B. Schmidt. / Silicon nanocluster aggregation in Si02: Si layers. // Phys. Status Solidi A 207, No. 1, 117−123 (2010).
- H.-J. Fitting, L. Fitting Kourkoutis, R. Salh, M. V. Zamoryanskaya, B. Schmidt. / Silicon nanocluster aggregation in Si02: Si layers // Phys. Status Solidi A 207, No. 1, 117−123 (2010).
- Galeener F. L. / Planar rings in glasses // Solid State Commun., 1982. V.44. P. 1037.
- Galeener F.L. / Band limits and the vibrational spectra of tetrahedral glasses // Phys. Rev. B, 1978. V.19. P.4292.
- Murray R. A., Ching W. Y. / Electronic- and vibrational-structure calculations in models of the compressed Si02 glass system // Phys. Rev. B, 1989. V.39. P. 1320.
- Kuiri P. K" Lenka H. P., Ghatak J., Sahu G., Joseph B" Mahapatra D. P. / Formation and growth of Sn02 nanoparticles in silica glass by Sn implantation and annealing // J. Appl. Phys. 2007. V.102. P.24 315.
- Meier C., Ltittjohann S., Kravets V. G. / Vibrational and defect states in SnOx nanoparticles // J. Appl. Phys., 2006. V.99. P. 113 108.
- Katiyar R. S., Dawson P., Hargreave M. M., Wilkinson G. R. / Dynamics of the rutile structure. III. Lattice dynamics, infrared and Raman spectra of Sn02 // J. Phys. C: Sol. State Phys., 1971. V.4. P.2421.
- Ansari S. G" Dar M. A., Dhage M. S" Kim Y. S" Ansari Z. A., Al-Hajry A., Shin H.-S. / A novel method for preparing stoichiometric Sn02 thin films at low temperature // Rev. Sci. Instr., 2009. V.80. P.45 112.
- Seats M. G., Atkins G. R" Poole S. B. / Photolytic Index Changes in Optical Fibers // Annu. Rev. Mater. Sci., 1993. V.23. P.381.
- Пустоваров, В.А. / Электронные возбуждения и радиационные процессы в неорганических сцинтилляторах. индуцированные синхротронным излучением // Дисс. Д.ф.-м.н., Екатеринбург, 1994 г.
- Zimmerer, G., 2007. / SUPERLUMI: a unique setup for luminescence spectroscopy with synchrotron radiation. // Radiation Measurements 42, 859−864.
- G. Zimmerer / Status report on luminescence investigations with synchrotron radiation at HASYLAB // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. A308 (1991) 178.
- R. Smirani, F. Martin, G. Abel, Y.Q. Wang, M. Chicoine, G.G. Ross / The effect of size and depth profile of Si-nc imbedded in a Si02 layer on the photoluminescence spectra // J. Luminescence 115, 62−68 (2005).
- D.L. Windt. / IMD—Software for modeling the optical properties of multilayer films // Computers in Physics, 12, 360 (1998).
- S.W. Smith. The Scientist and Engineer’s Guide to Digital Signal Processing. California Technical Publishing, San Diego, 1997.
- Зайдель A.H., Шрейдер Е. Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М.: Наука, 1976.432 с.
- Ушкова В.И., Кортов B.C. Некоторые вопросы метрологии экзоэмиссионного контроля // VIII Всесоюзн. науч.-техн. конф. по неразрушающим физическим методам и средствам контроля: Тез. докл. Кишинев, 1977. Т.З. С.539−541.
- Arbuzov V.I., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Tolstoi M.N., Tyukov V.V. / Electronic spectroscopy of intrinsic and extrinsic color centers in surface layers of alkali silicate glasses//J. Non-Crystalline Solids. 1991. v. 134. P.208−217.
- Zatsepin A.F., Shchapoba J.V., Kortov V.S. Biryukov D.Yu. / Structural disordering effects in optical and electronic properties of phosphate glass. // Proc. XVII Intern. Congress on Glass, Beijing, China, 1995, v.2., p.449−454
- Zatsepin A.F., Biryukov D.Yu., Kortov V.S. / Method for the analysis of nonselective spectra of optically stimulated electron emission from irradiated dielectrics //Phys. Status Solidi. A202, 10, 1935 (2005).
- Weinstein, I.A., Zatsepin, A.F. / Modified Urbach’s rule and frozen phonons in glasses // Physica Status Solidi C: Conferences 1 (11), pp. 2916−2919
- Zatsepin A.F., Kortov V.S., Shchapova J.V. / Electron-Phonon Interactions and «Frozen» Phonons during ФСЭЭ of Amorphous Materials. // Scientific Reports of Technical University of Opole, Ser. Physics. 1995. V.16. N215. P.5−14.
- A.F. Zatsepin, E.A. Buntov / Time-resolved photoluminescence of implanted Si02: Si+films//J. Non-Cryst. Solids. 2009. V. 355. N. 18−21. P. 1123.
- А.Ф. Зацепин, E.A. Бунтов. Программа для анализа неселективпой компоненты спектров ФСЭЭ «OSEE fitter». Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 008 615 379 от 11 ноября 2008 г.
- М. Kranjcec, LP. Studenyak, M.V. Kurik / On the Urbach rule in non-crystalline solids //J. Non-Cryst. Solids. 2009. V. 355. N. 1. P. 54.
- D.L. Griscom, in: G. Pacchioni, L. Skuja, D.L. Griscom (Eds.), Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, Kluvver Academic Publishers, 2000, p. 117.
- Yu. D. Glinka, S.-H. Lin., Y.-T. Chen, / The photoluminescence from hydrogen-related species in composites of Si02 nanoparticles // Appl. Phys. Lett., 75, (1999) p.778−780.
- S.W. Smith. The Scientist and Engineer’s Guide to Digital Signal Processing. California Technical Publishing, San Diego, 1997.
- Y.Q. Wang, R. Smirani, G.G. Ross, Nanotechnology 15 (2004) 1554.
- T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, M. Akai. S. Nakao, K. Saitoh, J. Non-Cryst. Solids 187 (1995) 1 12.
- S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Dubai, D.M. Hambree Jr., J.C. Barbour, J. Appl. Phys. 86 (1999) 396.
- L. Ding, T. P. Chen, Y. Liu, C. Y. Ng, S. Fung. / Optical properties of silicon nanocrystals embedded in a Si02 matrix. // Physical Review В 72, 125 419 (2005).
- Lopes J.M.J., Kremer F., Fichtner P.F.P., Zawislak F.C. / Correlation between structural evolution and photoluminescence of Sn nanoclusters in Si02 layers // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 2006. V.242. P. 157.
- L. Rebohle, J. von Borany. H. Frob. et al. / Ion beam synthesized nanoclusters for silicon-based light emission // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research В 188, 28 (2002).
- Huang S., Chen Y., Xiao H., Lu F. / Characterization of Sn and Si nanocrystals embedded in Si02 matrix fabricated by magnetron co-sputtering // Surf. & Coat. Techn., 2010. V.205. P.2247−2250.
- A.N. Trukhin et al. / Silicon dioxide thin film luminescence in comparison with bulk silica//Journal of Non-Crystalline Solids 223 (1998) 1 14−122.
- F. Messina, E. Vella, M. Cannas, and R. Boscaino / Evidence of Delocalized Excitons in Amorphous Solids // Phys. Rev. Lett. 105, 116 401 (2010).
- E. Vella, F. Messina, M. Cannas, R. Boscaino / Unraveling exciton dynamics in amorphous silicon dioxide: Interpretation of the optical features from 8 to 11 eV // Phys. Rev. B 83, 174 201 (2011).
- D’Amico M., Messina F., Cannas M., Leone M., Boscaino R. / Isoelectronic Series of Oxygen Deficient Centers in Silica: Experimental Estimation of Homogeneous and Inhomogeneous Spectral Widths //J. Phys. Chem. A, 2008. V.112. P.12 104.
- Y. Toyozawa / Dynamics and instabilities of an exciton in the phonon field and the correlated absorption-mission spectra // Pure & Appl. Chern., Vol. 69, No. 6, pp. 1171−1 178, 1997.
- A. N. Trukhin, in Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, edited by G. Pacchioni, L. Skuja, and D. L. Griscom (Kluwer Academic, New York. 2000), p. 235.
- C. Itoh, K. Tanimura, N. Itoh, and M. Itoh / Threshold energy for photogeneration of self-trapped excitons in Si02 // Phys. Rev. B 39, 11 183 (1989).
- C. Mathioudakis, G. Kopidakis. P. Patsalas. P.C. Kelires / Disorder and optical properties of amorphous carbon // Diamond Relat. Mater. 16 (2007) 1788.
- V.V. Afanas’ev. M. Bassler, G. Pensl, M.J. Schulz, E. Stein von Kamienski / Band offsets and electronic structure of SiC/Si02 interfaces //J. Appl. Phys. 79 (1996) 3108.
- G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka Kumar, et al / Effect of different preparation conditions on light emission from silicon implanted Si02 layers // J. Appl. Phys. 79 (1996)8660.
- T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa / Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiOx films //J. Appl. Phys. 83 (1998) 2228.
- L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias / Tailoring the electronic properties of GaAs/AlAs superlattices by InAs layer insertions // Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 661.
- U. Serincan, G. Aygun, R. Turan / Spatial distribution of light-emitting centers in Si-implanted Si02 // J. Lumin. 113 (2005) 229.
- A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, A.L. Ageev. / The relation between static disorder and photoluminescence quenching law in glasses: A numerical technique // J. of Luminescence 130 (2010) 1721−1724.
- R.A. Street / Recombination in a-Si:H: Defect luminescence // Adv. Phys. 1976 V.25 P.397.
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials, Oxford University Press, 1979, 604 p.
- Wang, M. Righini, A. Gnoli, S. Foss, T. Finstad, U. Serincan, R. Turan / Thermal activation energy of crystal and amorphous nano-silicon in Si02 matrix // Solid State Communications. 2008. — Vol.147. — P.461−464.
- S. Agnello, R. Boscaino, M. Cannas et al. / Competitive relaxation processes of oxygen deficient centers in silica // Physical review B 67, 33 202 (2003).
- L. Vaccaro, M. Cannas, V. Radzig, and R. E^oscaino / Luminescence of the surface nonbridging oxygen hole center in silica: Spectral and decay properties // Physical review B 78. 75 421 (2008).
- L. Vaccaro. M. Cannas. and V. Radzig. / Vibrational properties of the surface-nonbridging oxygen in silica nanoparticles // Physical review B 78, 233 408 (2008).
- A.F. Zatsepin, D.Yu. Biryukov, V.S. Kortov / Method for the analysis of nonselective spectra of optically stimulated electron emission from irradiated dielectrics //Phys. Stat. Sol. (a). 2005. V. 202. N. 10. P.1935.
- A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, V.S. Kortov, D.l. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A. L Belov / Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted Si02: Si:C films // J. Phys.: Condens. Matter 24 (2012) 45 301 (1 Opp)
- Defccts in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, edited by G. Pacchioni, L. Skuja, and D. L. Griscom (Kluvver Academic Publishers, USA, 2000).
- K. Platzoder. / Temperature Effects on the Vacuum Ultraviolet Reflectance of a-Quartz // Phys. Status Solidi 29, K63 (1968).
- H. R. Philipp / Optical properties of non-crystalline Si, SiO, SiOx and Si0211 J. Phys. Chem. Solids 32, 1935 (1971).
- S. M. Vlaming, V. A. Malyshev, and J. Knoester / Localization properties of one-dimensional Frenkel excitons: Gaussian versus Lorentzian diagonal disorder // Phys. Rev. B 79, 205 121 (2009).
- A. Huijser et al. / The Mechanism of Long-Range Exciton Diffusion in a Nematically Organized Porphyrin Layer // J. Am. Chem. Soc. 130, 12 496 (2008).
- M. Schreiber and Y. Toyozawa / Numerical Experiments on the Absorption Lineshape of the Exciton under Lattice Vibrations. I. The Overall Lineshape. // J. Phys. Soc. Jpn. 51, 1528 (1982).
- R. Kubo / Stochastic Liouville Equations // J. Math. Phys. (N.Y.) 4, 174 (1963).
- A. N. Trukhin / Excitons in Si02: a review // J. Non-Cryst. Solids 149, 32 (1992).
- E. I. Rashba, in Excitons- Selected Chapters, edited by E. I. Rashba and M. D. Sturge -Elsevier, Amsterdam, (1987), p. 273.
- Yu. D. Glinka et al. / Size effect in self-trapped exciton photolumincsccnce from Si02-based nanoscale materials // Physical Review B, V. 64, (2001) 85 421
- S. R. George, J. A. Leraas, S. C. Langford, J. T. Dickinson / Interaction of vacuum ultraviolet excimer laser radiation with fused silica. I. Positive ion emission // J. of Applied Physics 107, 33 107 (2010)
- A. J. Kenyon, M. Wojdak, I. Ahmad, W. H. Loh, C. J. Oton. / Generalized rate-equation analysis of excitation exchange between silicon nanoclusters and erbium ions. // Phys. Rev. B 77, 35 318, 2008
- M.J.L. Portoles, P.M.D. Gara, M.L. Kotler, S. Bertolotti, E.S. Roman, H.B. Rodriguez, M.C. Gonzalez / Silicon Nanoparticle Photophysics and Singlet Oxygen Generation //Langmuir 2010, 26(13), 10 953 10 960.
- K. Kajihara, et al / Diffusion and reactions of interstitial oxygen species in amorphous Si02: A review // J. Non-Cryst. Solids 354 (2008) 224−232.
- K.-P. Huber, G. Herzberg, Molecular Spectra and Molecular Structure: IV. Constants of Diatomic Molecules, Van Nostrand, New York, 1979.
- F. Messina, et al. / Generation and excitation of point defccts in silica by synchrotron radiation above the absorption edge // Phys. Rev. B 81 (2010) 35 212.
- H.-J. Fitting, et al / Multimodal electronic-vibronic spectra of luminescence in ion-implanted silica layers // J. Luminescence 122−123 (2007) 743−746.
- Герасимова В. И., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В. и др. / Влияние матрицы кварцевого стекла на спектры междоузельных молекул S2 // Физика и химия стекла., 28 (2) (2002) 89−98.
- Герасимова В. И., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В. и др. / Центры окраски кварцевых стекол, легированных серой: спектроскопические проявления междоузельной молекулы S02 Н Физика и химия стекла. 29 (3) (2003) 329−334.
- К. Yoshino, et al. / Absolute absorption cross-section measurements of Schumann -Runge continuum of 02 at 90 and 295 К // J. Mol. Spectrosc. 229 (2005) 238−243.
- Brewer, L., Brabson, G.D., and Meyer, B. / Uv Absorption Spectrum of Trapped S2 // J. Chem. Phys., 1965. vol. 42, pp. 1385 1389.
- Brewer, L. and Brabson, G.D. / Ultraviolet Fluorescent and Absorption Spectra of S2 Isolated in Inert-Gas Matrices // J. Chem. Phys. 1966, vol. 44, pp. 3274−3278.
- Ораевский A.H. / Спонтанное излучение в резонаторе // УФН. 1994. Т. 164. № 4.1. С. 415.