Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Фазовые превращения в бинарных и тройных полупроводниковых соединениях при высоких давлениях

Диссертация: Фазовые превращения в бинарных и тройных полупроводниковых соединениях при высоких давлениях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Систематические исследования этих соединений при высоких гидростатических давлениях позволят глубже понять природу явлений, наблюдающихся в этих кристаллах при высоких гидростатических давлениях и помогут становлению теории кинетических эффектов в области фазовых переходов для гетерофазных систем. Согласно модели «гетерофазная структура — эффективная среда» рассчитана барическая зависимость… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Исследование полиморфных превращений в твердых телах
    • 1. 2. Фазовые превращения и электросопротивление в некоторых полупроводниковых соединениях
    • 1. 3. Полупроводниковые резистивные датчики давления -состояние и перспективы
  • Глава 2. Аппаратура и методика исследований гальваномагнитных свойств при высоких давлениях
    • 2. 1. Методы создания гидростатического давления
    • 2. 2. Камеры высокого давления для исследования кинетических эффектов твердых тел
    • 2. 3. Устройство и принцип действия твердофазного аппарата типа «тороид»
    • 2. 4. Конструкции ячеек высокого давления
    • 2. 5. Методы обработки экспериментальных данных
  • Глава 3. Экспериментальное исследование кинетических эффектов в полупроводниковых соединениях при высоких гидростатических давлениях до 9 ГПа
    • 3. 1. Влияние гидростатического давления на кинетические эффекты II- CdSnAs
    • 3. 2. Фазовые переходы и кинетические явления в n-CdAs2 при гидростатическом давлении до 9 ГПа
    • 3. 3. Гистерезис электрического сопротивления при фазовых превращениях под давлением
  • Глава 4. Поиск перспективных полупроводниковых материалов для оценки давления
    • 4. 1. Поисковые исследования однородных полупроводников и полупроводниковых структур с целью создания преобразователей давления

Фазовые превращения в бинарных и тройных полупроводниковых соединениях при высоких давлениях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из важнейших направлений фундаментальных исследований в физике конденсированного состояния является изучение физических свойств материалов при высоких давлениях. Высокое давление как внешний параметр, изменяющий термодинамическое состояние системы, широко используется в многочисленных областях науки и практики. Среди них следует назвать синтез сверхтвердых материалов и камнедрагоценного сырья при высоких термодинамических параметрах, которые уже давно составляют целые отрасли промышленности и науки. В физике высоких давлений достигнуты огромные успехи. В то же время актуальными продолжают оставаться поисковые исследования полупроводниковых материалов — датчиков давления. Необходимы исследования физических свойств материалов, используемых в качестве датчиков давления. В этом плане особо важны исследования их электрических и гальваномагнитных свойств в области электронных и структурных фазовых переходов. Подобные исследования либо отсутствуют либо единичны. Кроме того нет теории, описывающей поведение эффекта Холла в области фазового перехода для многофазных систем. Именно по этой причине в последние годы усилился интерес к изучению фазовых превращений при высоких гидростатических давлениях. Связано это, главным образом, с резким расширением возможностей экспериментальной техники, а также с быстрым развитием методов компьютерного анализа экспериментальных данных. В результате получен обширный материал по влиянию давления на физические свойства твердых тел, в частности, полупроводников.

При высоких давлениях были обнаружены и исследованы фазовые переходы в полупроводниковых соединениях II-VI, II-V, III-V, II-IV-V2 групп. Исследования проводились, в основном, при гидростатическом давлении до 3 ГПа, а выше — как правило, при квазигидростатических давлениях и на поликристаллических образцах.

Настоящая диссертация посвящена исследованию кинетических свойств, структурных фазовых переходов при высоких гидростатических давлениях до 9 ГПа и поиску перспективных полупроводниковых материалов — датчиков давления. В качестве объектов исследований выбраны полупроводниковые соединения: CdTe, HgTe, CdAs2, InAs, CdSnAs2. Изучаемые объекты имеют важное практическое значение.

Экспериментальные данные о фазовых переходах в CdTe, CdAs2, InAs, а также в CdSnAs2 остаются неполными, а в некоторых случаях противоречивыми. Кинетические эффекты в CdSnAs2 в условиях всестороннего давления исследованы до 1.5 ГПа.

Диарсенид кадмия — одно из наименее исследованных соединений группы II-V. Имеющиеся в литературе сведения об исследовании фазовых переходов при высоком давлении крайне ограничены и противоречивы. Исследования проводились на поликристаллических образцах при квазигидростатическом давлении. При высоких гидростатических давлениях их вообще не исследовали. Представляло интерес изучение диарсенида кадмия на монокристаллических образцах при гидростатическом давлении с учетом анизотропии электрических свойств.

Основная цель диссертации — восполнить этот пробел и изучить фазовые переходы в CdTe, CdAs2, InAs, CdSnAs2, при гидростатическом давлении до 9 ГПа.

Систематические исследования этих соединений при высоких гидростатических давлениях позволят глубже понять природу явлений, наблюдающихся в этих кристаллах при высоких гидростатических давлениях и помогут становлению теории кинетических эффектов в области фазовых переходов для гетерофазных систем.

Целью диссертации является:

1. Экспериментальное исследование структурных фазовых превращений и кинетических свойств на монокристаллах CdAs2 и CdSnAs2 при гидростатических давлениях до 9 ГПа.

2. Поисковые исследования новых реперных материалов-датчиков давления, необходимых для автоматизации процесса синтеза сверхтвердых материалов и камнедрагоценного сырья.

Для достижения поставленной цели было необходимо:

1. Получить гидростатическое давление до 9 ГПа в больших объемах (80 мм3).

3. Создать измерительную ячейку с большим числом электровводов.

4. Усовершенствовать методику измерения электросопротивления и исследования эффекта Холла.

5. Провести экспериментальные исследования барических (до 9 ГПа) зависимостей электрического сопротивления и коэффициента Холла для соединений CdAs2, CdSnAs2 при комнатной температуре.

6. Провести экспериментальные исследования однородных полупроводников и полупроводниковых структур с целью создания преобразователей давления.

Научная новизна работы.

1. Впервые были исследованы барические зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла на монокристаллических образ.

16 18 3 цах CdSnAs2 (n = 10 -10 см") при комнатной температуре и при гидростатических давлениях до 9 ГПа.

2. Впервые были исследованы барические зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла на ориентированных монокристаллических образцах n — CdAs2 (п=1014 — 1015см" 3) при комнатной температуре и при гидростатических давлениях до 9 ГПа.

3. Впервые, на основе теории формирования гетерофазных структур, для HgTe и n-CdAs2 рассчитаны характеристические точки и параметры фазового перехода. В n-CdAs2 рассчитана динамика изменения фазового состава в зависимости от давления.

4. Проведены экспериментальные исследования однородных полупроводников и полупроводниковых структур с целью создания преобразователей давления.

Практическая ценность диссертации определяется следующим:

1. Совокупность новых экспериментальных данных по исследованию электросопротивления и коэффициента Холла в области фазового перехода при гидростатических давлениях до 9 ГПа представляют интерес для дальнейшего развития теории фазовых переходов.

2. Результаты поисковых исследований полупроводниковых материаловдатчиков давления позволяют рекомендовать n — InAs, n — CdSnAs2, n — CdAs2, р — CdTe в качестве реперов для синтеза сверхтвердых материалов и камнедрагоценного сырья.

Так, например, в InAs хорошо сочетается калибратор давления от 3 до 6 ГПа и репер при 6.9 ГПа.

Основные результаты работы опубликованы в 24 печатных работах, в том числе 12 научных статьях и материалах конференции.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, изложенных на 87 страницах машинописного текста. Диссертация включает также 34 рисунков, 6 таблиц и список литературы из 120 наименований. Общий объем диссертации 127 страниц. Нумерация формул и рисунков даны по главам.

Заключение

.

На основании проведенных исследований по использованию метода гидростатического давления до 9 ГПа для изучения гальваномагнитных свойств полупроводников при комнатной температуре, изложим основные результаты по разделам.

1 .Методика исследований гальваномагнитных свойств при высоких давлениях.

1. Разработано несколько ячеек, применяемых в зависимости от поставленных задач. Их создание позволило успешно осуществить исследование кинетических явлений в полупроводниках.

2. Получена измерительная ячейка с 8−12 числом электровводов.

3. Откалиброван аппарат высокого давления «тороид» до 9 ГПа. II. Воздействие давления на структурные фазовые переходы.

1. Исследовано влияние гидростатического давления до 9 ГПа при компрессии и декомпрессии на структурные фазовые переходы в CdSnAs2 методом измерения удельного электросопротивления и коэффициента Холла при комнатной температуре. Фазовое превращение полупроводник-металл наблюдалось в кристаллах CdSnAs2 при 4.2 ГПакомпрессия. Электрофизические характеристики: удельное сопротив.

4 22 ление порядка -10″ Ом-см, концентрация электронов достигает 10 см Фазовое превращение в CdSnAs2 сопровождается разложением вещества. Особенности барического удельного сопротивления до перехода свидетельствуют о существовании квазилокальных уровней в глубине зоны проводимости CdSnAs2.

2. Впервые при гидростатическом давлении до 9 ГПа на монокристаллических образцах диарсенида кадмия одновременно исследованы удельное электросопротивление и коэффициент Холла в области фазового превращения. Определены характеристические точки, параметры фазового перехода, и динамика изменения фазового состава с давлением. Выяснено, что положение точки фазового перехода и характеристические точки и параметры фазового превращения не зависят от концентрации носителей, ориентации образцов и лишь слабо (в пределах ошибки эксперимента) сдвигаются в область слабых давлений с увеличением концентрации примесей, что может быть объяснено увеличением концентрации дефектов.

3. Согласно модели «гетерофазная структура — эффективная среда» рассчитана барическая зависимость относительного объема исходной фазы Ci=Vi/ V в области фазового превращения в HgTe. III. Поисковые работы, в особенности связанные с оценкой перспективности малоизученных полупроводников, привели к выводу:

1. Показана перспективность и эффективность применения исследованных полупроводниковых соединений для создания датчиков давления на основе структурных фазовых переходов.

2.Показана перспективность применения полупроводниковых соединений n-InAs, n-CdAs2, n-CdTe для оценки давления дискретно — непрерывным способом.

3.Рекомендовано использовать максимумы, появляющиеся на барической зависимости электросопротивления при декомпрессии для градуировки аппарата высокого давления.

Преимуществом предлагаемых датчиков является то, что в одном элементе успешно сочетается непрерывный и точечный датчики давления.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е.Ю. Фазовые диаграммы в соединений при высоком давлении. -М: «Наука». — 1983. -280с.
  2. Е.Ю. Фазовые превращения соединений при высоком давлении. Справочник в 2-х книгах под редакцией д. ф. м. н. Е. Г. Понятовского. -М.: «Металлургия». — 1988. — 464с, (Т. 1), 358с. (Т.2).
  3. Л.Ф., Кабалкина С. С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: «Наука». 1979. — 175с.
  4. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М.: «Наука». 1964.
  5. Goldschmidt V.M. Skrifter Norske Vidensk. Akad. Oslo: — 1926. — 2. — p.90.
  6. М.Дж. Фазовые переходы^ // Кристаллография. 1971. — 16. -С. 1084- 1097.
  7. В., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: «Мир». — 1969.
  8. В.Д., Ю.С., Эстрин Э. И. О. гистерезисе полиморфных превращений. // Журнал технической физики. 1982. — Т.52, № 7. — С. 1418−1419.
  9. В.В. Термоэдс и электропроводность материалов в окрестности точки фазового перехода // Физика металлов и металловедение. -1989.-Т.67, вып.1, С. 93−96.
  10. П.П., Трефилов В. И., Тимофеева И. И. К вопросу о скачкообразном изменении свойств под давлением. Действие высоких давлений на материалы. Сб. науч. тр. Киев: «Наук. Думка» — 1986.- С.3−6
  11. Ю.Я. К теории гистерезиса полиморфных превращений при высоких давлениях. // Физика твердого тела. 1984. — Т.26, № 8. -С.2370 — 2376.
  12. Л.Ф. Твердое тело при высоких давлениях. М.: «Наука». -1981. 290с.
  13. А.В., Пилянкевич А. Н. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора. Киев: «Наука». — 1979. — 188 с.
  14. Borg I.Y. and Smith D.K. X-ray diffraction studies on CdTe at high pressure. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. — Vol. 28. — p. 49−54.
  15. Л.Ф., Кабалкина С. С., Евдокимова В. В. Камера для рентге-ноструктурных исследований монокристаллов под высоким давлением.// Приборы и техника эксперимента. 1958. — № 3. — С. 90−93.
  16. Влияние высоких давлений на вещество. Под ред. А. Н. Пилянкевича. Кн. в 2 томах. Киев: «Наукова думка». 1987. 232с. (Т. 1), 252с. (Т.2). *
  17. С.С., Верещагин Л. Ф., Шуленин Б. М. // Доклады АН СССР. 1962.- 144, С. 1061- 143, С. 818.
  18. С.С., Верещагин Л. Ф., Милов В. П. // Доклады АН СССР. -1963, — 152. -С.585.
  19. Christensen N.E., Wenneker I., Svane A. and Fanciulli M. Electronic structures of semiconductors underpressure. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. — 198. -p. 23−34.
  20. Ulrich C., Mroginski M.A., Goni A.R., Cantarero A., Schwarz U., Munoz V. and Svassen K. Vibrational properties of InSe under pressure: Experiment and theory. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. — 198. p. 121−127.
  21. В.А. Фазовые превращения в твердых телах с учетом законов наследования дефектов. // Физика и техника высоких давлений. -1988.-№ 28.-С. 46−56.
  22. Grima P. and Chevy A. Effects of conduction band structure and dimensionality of the electron gas on transport properties of InSe under pressure. //Phys. Stat. Sol. (b). 1996. -198. — p. 129−135.
  23. Weinstein B.A., Ritter T.M., Strachan D., Luo H., Tamargo M. and Park R. Competition of deep and shallow impurities in wide-gap II-VI semiconductors under pressure. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. — 198, p. 167−180.
  24. McMahon M.I. and Nelmes R.J. New structural systematic in the II-VI,
  25. I-V and group IV semiconductor at high pressure. // Phys. Stat. Sol. (b). -1996.- 198. p. 389−402.
  26. Mezouar M., Besson J.M., Syfosse G., Itie P., Hausermann D. A. and Hanfland M. Phase diagram if InSb at high pressures and temperatures. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. — 198. — p. 403−410.
  27. Mujica A., Needs R.J. and Munoz A. High pressure stability in III-V and1.-VI binary compounds and the Cmcm phase: A theoretical study. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. — 198. p. 461−465.
  28. К. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях. М.: «Мир» -1969. -207с.
  29. Yu S. С., Spain I.L. High pressure phase transitions in tetrahedral coordinated semiconducting compounds. // Solid State Comm. 1978. — 25, № 1. — p. 4952.
  30. Jayaraman A., Klement W., Kennedy G.C. Melting and polimorphic transitions for some group II-VI compounds at high pressure. // Phys. Rev. 1963. — 130, № 6.-p. 2277−2283.
  31. Munomure S., Drickamer H.G. Pressure induced phase transitions in silicon, germanium and some III-V compounds.// J. Phys. Chem. Sol. 1962. -23, № 5. — p. 451−456.
  32. Samara G.A., Driskamer H.G. Pressure induced phase transitions in some II-VI compounds.// J.Phys. Chem. Solids. 1962. — 23. — p. 457−461.
  33. Minomura S., Samara G.A., Driskamer H.G. Temperature coefficient of resistance of the high pressure phases of Si, Ge and some III-V and II-VI compounds.//J. Appl. Phys. 1962. — 33. — p. 3196−3197.
  34. Johson R.T., Morosoin J.Br. High pressure effects on the electrical resistivity and structure of single crystal cadmium sulfide. // High temp.-High pressure. 1976.-8, № 1, — p. 31−44.
  35. Samara G.A., Giardini A.A. Compressibility and electrical conductivity of cadmium sulfide at high pressure. // Phys. Rev. 1965. — 140, № 1A. — p. 388- 395.
  36. В.И., Сотников В. И. О фазовой диаграмме. // Неорганические материалы. 1982. — Т. 18, № 4. — С. 685 — 586.
  37. Edwards A.L., Drickamer H.G. Effect of pressure on the absorption edges of some III-V, II-VI and I-VII compounds. // Phys. Rev. 1961. — 122, № 4. — p. 1149−1157.
  38. Piermarine G.J., Block S. Ultrahigh pressure diamond anvil cell several semiconductor phase transition pressure scale. // Rev. Sci Instrument. — 1975.- 46, № 8.-p .973−979.
  39. Pistorius C. W. Phase relations and structures of solids at high pressures. // Progress in Solid State Chemistry. 1976. — V. l 1. — p. 1−152.
  40. Onodera A. High pressure transition in cadmium selenide.// Rev. Phys. Chem. Jap. 1969. — V.39, № 2. — p. 65−77.
  41. Osigi J., Schimizu K., Naramura Т., Onodera A. High pressure transition in cadmium sulfide // Rev. Phys. Chem. Jap. 1966. — V.36, № 2. — p.59−73.
  42. В.Ф., Валевский Б. Д., Скоропанов А. С. Влияние примесей на фазовое превращение теллурида кадмия при высоких давлениях. // Изв. АН СССР.. Неорганические материалы. 1986. — Т. 22, № 6. — С. 926 929.
  43. Н.Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе М.: «Наука». — 1975. — 220с.
  44. Smith P.L., Martin J.E. The High pressure structures of zink sulfide and zink selenide. // Phys. Lett. — 1965. — 19. — p. 541.
  45. К. Физика высоких давлений. М.: ИЛ. 1963. — 154с.
  46. М.И., Магомедов А. Б., Рамазанова А. Э. Влияние всестороннего давления на энергетический спектр электронов и кинетические свойстваполупроводников II IV — V2. 11 Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986.-№ 8.-С. 98−111.
  47. Onodera A. Kinetics of polimorphic transition of cadmium chalcogenides under high pressure. // Rev. phys. Chem. Jap. 1966. — V.36, № 1,2.p. 1−17.
  48. Kemisch L., Neuhaus A. Untersuchungen zum mischbarbarkeits. Zustands-and structurverhalten im system ZnSe-MnSe bei Drucken bis 125 kbar and temperaturen von 500−1000 C. // High Temp-High Press. 1974. — V.6. — p. 203−215.
  49. Ohno Y., Endo S., Kobajashi M., Narita S. Pressure dependence of the absorption edge ib ZnTe. // Phys. Lett. 1983. — V.95A, № 7. p. 407−410.
  50. Huang T.L., Ruoff A.L. High pressure-induced phase transition of mercury chalcogenides. // Phys. Rev. B: Conden. Matter. 1985. — V.31, № 9. — P. 5976−5983.
  51. Ohtani A., Seike Т., Motobayaschi M., Onodera A. The electrical properties of HgTe and HgSe under very high pressure. // J. Phys. and Chem. Solids. -1982.-V.43, № 7.-p. 672−632.
  52. Goto Т., Syono Y., Makai J., Nakagawa Y. Pressure- induced phase transition in GaAs under shock compression // Solid State Commun. 1976. — 18. — p. 1607.
  53. Homan C.G., Kendall D.P., Davidson Т.Е., Frankel J. GaP semi conducting -to-metal transition near 220 kbar and 298 0 K. // Solid State Commun. 1975. -17.-p. 831.
  54. Kvostantsev L.G. and Sidorov V.A. Phase transitions in antimony at hydrostatic pressure up to 9 GPa. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. — 82.p. 389−398.
  55. Полупроводниковые преобразователи. // Электроны в полупроводниках. Под ред проф. Ю. Пожелы, Вильнюс: «Мокслас». — 1980. — 176с.
  56. С.Ф., Морозова В. А. Синтез и оптические свойства монокристаллов и пленок диарсенидов цинка и кадмия. // Неорганические материалы. 1999. — Т.35, № 10. — С. 1190−1202.
  57. В.Б., Плышевская Е. М., Вельский И. М. Реперные точки для аппаратов высокого давления с твердой средой, передающей давление. // Эксперимент и техника высоких газовых и твердофазных давлений. -М.: «Наука»: 1978. — С. 202−203.
  58. Bean V.E., Akimoto S., Bell P.M., Block S., Holzapfel W.B., Manghnani M.H., Nicol M.F., Stishoy S.M. Another step toward an international practical pressure scale 2nd ALRAPT IPPS Task Group Report // Physica B. -1986. V.139−140. — P.52−54.
  59. Green Т.Н., Ringwood A.E., Majir A. Friction effects and pressure calibration in piston-cylinder apparatus at high pressure and temperature. // J. Geo-phys. Res. 1966. — V.71. № 14. — p. 82−91.
  60. В.В. Термоэдс фаз высокого давления халькогенидов цинка и кадмия. // Расплавы. 1988. — Т.2, в.2. — С. 33 — 40.
  61. В.Ф., Скоропанов А. С., Валевский B.JI. и др. Халькогенидные реперные материалы датчики давления. — Сб. научных докладов «Техника и технологии высоких давлений». — 1990. — Минск: «Урожай». — С. 335.
  62. Desker D.L., Bassert W.A., Merill L, Hall H.T., Burueft J.D. High Pressure Calibration. Critical Review. // J.Phys.Rev. 1973. — V. l, № 3. — p. 774−853.
  63. А.С., Валевский B.JL, Скумс В. Ф., Вечер А. А Реперные вещества для практической шкалы высоких давлений. // Сверхтвердые материалы. 1988. — № 3, — С.61−63.
  64. А.С., Скумс В. Ф., Валевский Б. Л. Исследование влияния твердофазных давлений на поведение некоторых соединений на основе селенида германия. // Физика и техника высоких давлений. 1987. — № 24. С.28−30.
  65. А.С., Валевский Б. Л., Скумс B.C., Вечер А. А., Ротнер Ю. М., Масленко Ю. С., Новиков Н. В. Точечные датчики давления на основе халькогенидов. // Физика и техника высоких давлений. 1989. — № 32. -С. 25−35.
  66. Ю.А., Чанотович Е. Е. О применении InSb в качестве материала для измерительных преобразователей давления. // Измерительная техника. 1972. — № 9. с. 22−23.
  67. Д.С. Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях. М.: Химия. — 1976. — 460 с.
  68. А.Л. Модифицированное уравнение Клапейрона Клазиуса для гистерезиса фазовых превращений. // Физика твердого тела.- 1983.-25, В.1.-С. 33 — 40.
  69. А.Н. Электропроводность и термоэдс хлорида натрия выше 20 ГПа. // Влияния высокого давления на свойства материалов. Киев: 1990.-С. 67−74.
  70. З.В., Кабалкина С. С. Полиморфизм CdS при давлениях до 8 ГПа и температурах до 773 К. // Физика твердого тела.- 1980. Т. 22, № 3. — С.888 -891.
  71. В.Н., Умаров Г. Р., Фирсанов А. А. Влияние давления на электронную структуру полупроводников IV группы и А2В5. // Физика и техника высоких давлений. 1986. — № 23. — С. 9−13.
  72. Даунов М. И, Буттаев М. С., Магомедов А. Б. Описание сверхпроводящего резистивного перехода на основе модели гетерофазная структура-эффективная среда. // Сверхпроводимость: Физика, химия, техника,-1992.-Т.5, № 1.-С.73−77.
  73. М.И., Магомедов А. Б., Данилов В. И. Об аномалии барической и полевой зависимостях коэффициента Холла в электронном диарсениде кадмия-олова при комнатной температуре. // Физика и техника высоких давлений. 1989.-№ 32.-С. 17−22.
  74. М. И. Магомедов А.Б. Влияние всестороннего давления на энергетический спектр электронов и кинетические свойства полупроводников II-IV-V2. Физика и техника высоких давлений. — 1988. — № 28.1. С. 18−22.
  75. В.П., Шаховский Г. П., Гоникберг М. Г. Мультипликатор для проведения исследований при сверхвысоких давлениях.- В кн.: Тр. Ин-та кристаллографии АН СССР. 1955. — в.1. — С. 233−238.
  76. С.С., Шаховский Г. П. Аппаратура сверхвысокого давления с одновременным получением высоких температур. Приборы и техника эксперимента. — 1958. — № 3. — С. 89−90.
  77. С.М., Тихомиров Н. А. Кривые плавления теллурида висмута (Bi2Te3) и при высоких давлениях. // Письма в ЖЭТФ. 1965. — № 1. -С.20−21.
  78. Savill N.G., Wall W.F. Differential thermal analysis at high pressure.// J. Sci Instrum. 1967. — vol. 44, № до. — p. 839−842.
  79. Wurflinger A., Josefiak C., Schneider G.M. Differential thermal analysis under high pressure.// High Temp.-High Pressures. 1976. — vol.8, № 6, — p.645−646.
  80. П.В. Новейшие работы в области физики высоких давлений. -М.: ИЛ. 1948. -299с.
  81. Е.С. Камеры высокого давления для исследования свойств твердых тел. // Приборы и техника эксперимента. 1999. — № 3. — С.6−18.
  82. Л.Ф., Бакуль В. Н., Семерчан А. А. и др. Пат.3 746 484 (США). Устройство для создания высокой температуры и высокого давления. -1973.
  83. Khvostansev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov А.Р. Device of «toroid» type for high pressure generation. // High.Temp.-High Pressure. 1977. — V.8, № 6. -p. 637- 639.
  84. Pieramani G.I., Block I.D. and Barnett. Calibration of the pressure dependence the X-ruby fluorescent cline to 195 kbar. // J.Appl. Phys. 1973. — 44, № 12.-p. 5377,
  85. А.Ю., Арсланов P.K., Даунов М. И. Устройство для измерения основных характеристик твердых тел в магнитном поле при высоком гидростатическом давлении. Информационный листок № 114−96, серия Р.29.03.25, ДЦНТИД996.
  86. А.Ю., Арсланов Р. К. Устройство для измерения барических и магнетополевых зависимостей характеристических параметров твердых тел при высоких гидростатических давлениях до 10 ГПа. Информационный листок № 66−98, Серия Р.29.03.25, ДЦНТД998.
  87. Н.А., Верещагин Л. Ф. Измерение гидростатического давления до 100 кбар манганиновым датчиком сопротивления. // Приборы и техника эксперимента. 1979. — № 4. — С.218−219.
  88. А.Ю., Даунов М. И., Сайпулаева Л. А. О некоторых принципах создания резистивных полупроводниковых датчиков давления. // Физика и техника высокого давления. 1992. — № 3, Т.2. — С. 71−76.
  89. А.Ю., Арсланов Р. К., Сайпулаева Л. А., Ахмедов Р. И. О мето-логии и методике исследования барического обратимого полиморфизма. // Физика и техника высокого давления. 1994. — № 3−4. — С.66−70.
  90. А.Ю., Даунов М. И., Арсланов Р. К., Сайпулаева Л. А. О калибровке аппаратов высокого давления «тороид» до 9 ГПа. В сб. «Современные технологические методы повышения качества машин». — Махачкала: — 1992. — С. 47−54.
  91. Н.А., Мамаев С., Прочухан В. В. О некоторых свойствах полупроводника CdSnAs2 электронного аналога арсенида индия. // ДАН СССР. — 1962. — Т. 142, № 3. -С.623 — 626.
  92. Matyas М., Hoschl P. The semiconducting properties of CdSnAs2. // Crech. J. Phys. 1962. — V.B.12, № 10. — p. 788 — 795.
  93. В.Г., Воеводина О. В. В сб. «Диарсенид кадмия — олова», под ред. А. П. Вяткина. Томск: — 1988. — 160с.
  94. Ф.П., Коршак Н. М. Комплексное исследование эффектов переноса в кристаллах CdSnAs2. // Неорганические материалы. 1967. -Т.З, № 3. — С.490 — 492.
  95. Pitt G.D., Vyas M.K.R. Electrical properties of InAs to very High pressures. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1973. — 6, 2. — p. 374 — 384.
  96. М.И., Магомедов А. Б., Данилов В. И. Влияния давления на явления переноса в CdSnAs2 с глубоким акцепторным уровнем. // Физика и техника полупроводников. 1991. — 25, в.З. — С. 467−474.
  97. М. К. R, Pitt G.D. // J. Phys. С: Solide State. 1973. — 7, 23. — L 423.
  98. Tsidilkovski I.M., Harus G.I., Shelushinina N G. Abv. In Phys. 34, 1, 43, 1985.
  99. E.C., Коширская П. М., Кучеренко И. В. и др. Инверсия коэффициента Холла и термоэвс под давлением в узкощелевых полупроводниках свинец-олово-селен. // Письма в ЖЭТФ. 1986. — 43, 6. — С. 303 306,
  100. М.И., Магдиев Б. Н., Магомедов А. Б. Влияния давления на явления переноса в CdSnAs2 . // Физика и техника полупроводников.- 1975.-9, 9.-С. 1747.
  101. И.М., Харус Г. И., Шелушина Н. Г. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках. Свердловск: 1987, — 153с.
  102. Р.К., Уханов Ю. И., Шмарцев Ю. В. // Физика и техника полупроводников. 1974. — 5, 3. — С. 514.
  103. Daunov М. I., Mollaev A.Yu., Arslanov R.K., Magomedov А.В., Saypulaeva L.A. J. XV ALRAPT, XXXIII EHPRC Int. conf, Warsaw, poland, September 69/MoP, 1995
  104. Юб.Караваев Г. Ф., Кривайте Г. З., Полыганов Ю. Ю., Чалдышев В. А., Ши-лейка А. Ю. Зонная структура и спектры электроотражения CdSnAs2 // Физика и техника полупроводников. 1972. — 6. — С.2211−2215.
  105. Neve J.J., De Meijer C.F.J, and Blom F.A.P. Shubnikov de Haas effect in n- CdSnAs2. // J. Phys .Chem. Solids. 1981. — 42, 11. p. 975 -980.
  106. Nakashima Yu and Hamaguchi Ch. // J. Phys. Soc. of Japan. 1987. — 56, 9. -p. 3248.
  107. Kildal N. Band structure of CdGeAs2 near k=0. // Phys. Rev. B10. 1974. -12.-p. 5082.
  108. Silvey G.A. at. al. The preparation and properties of some II-V semiconducting compounds. // J. Electrochem. Soc. V. 1961. — 108, № 7, — p. 653 -658.
  109. Ш. Маренкин С. Ф. и др. Получение, электрофизические и оптические свойства монокристаллов CdAs2 и ZnAs2. Свойства легированных полупроводниковых материалов. М.: «Наука» — 1990. — С. 41 — 47.
  110. С.Ф. и др. Анизотропия электрических свойств монокристаллов CdAs2. // Известие АН СССР. Неорганические материалы. -1989. Т.25, № 8. — С. 1240 — 1243.
  111. Н.А., Боргцевский А. С., Венкебец Я.Я, Коршак Н. М. Выращивание монокристаллов CdSnAs2. // Неорганические материалы. -1967.-3.-С. 180- 181.
  112. A.JI. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии. // Успехи физических наук. 1974. — Т. 113, № 1. — С. 69−104,
  113. A.JI. Равновесие когерентных фаз и диаграммы состояния в твердом теле // Физика твердого тела. 1984. — Т.26, № 7. — 2025.
  114. М.И., Буттаев М. С. Применение модели гетерофазная структура- эффективная среда. Тез.докл.1У Всесоюзн. симпозиума «Неоднородные электронные состояния». -Новосибирск. — 1991. — С. 126.
  115. Blair L., Smith А.С. Phase transition in mercury telluride. // Phys. Rev. Lett.- 1961.- № 4. PI24−126.
  116. А. Ю., Арсланов P. К., Сайпулаева JI. А., Габибов С.Ф. InAs и CdAs2 перспективные датчики давления. // Физика и техника высоких давленийю. — 2001. — Т. 11, № 1. — С. 94−97.
  117. А. Ю., Сайпулаева JI. А, Арсланов Р. К., Маренкин С. Ф. Вли ние гидростатического сжатия на электрофизические свойства моно кристаллического диарсенида кадмия. // Неорганические материалы. 2001.-№ 4, Т.37. С. 405−408.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?