Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Летучие соединения гафния (IV) и циркония (IV): синтез, структура, свойства

Диссертация: Летучие соединения гафния (IV) и циркония (IV): синтез, структура, свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Материалы работы были представлены на XXII Международной Чугаевской конференции по координационной химии (Молдова, 2005), на XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005), на 20th International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry (Slovakia, 2005), на 15th International European Conference on Chemical Vapor Deposition (Germany… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Основные классы летучих координационных соединений гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 1. 1. Соединеиия со спиртами
      • 1. 1. 2. Соединения с монокарбоновыми кислотами
      • 1. 1. 3. Соединения с азотсодержащими органическими лигандами
        • 1. 1. 3. 1. Соединения с аминами
        • 1. 1. 3. 2. Соединения с производными гидразина
        • 1. 1. 3. 3. Соединения с гидроксиламинами
      • 1. 1. 4. Соединения с циклопентадиеном
        • 1. 1. 4. 1. Алкоксиды металлоценов (1У)
        • 1. 1. 4. 2. Алкиламиды металлоценов (1У)
        • 1. 1. 4. 3. Карбоксилаты металлоценов (1У)
        • 1. 1. 4. 4. Алкилы металлоценов (1У)
        • 1. 1. 4. 5. р-дикетонаты металлоценов (1У)
    • 1. 2. Летучие Р-дикетонаты гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 2. 1. Методы синтеза Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 2. 2. ИК-, ЯМР-спектроскопическое и масс-спектрометрическое исследование Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 2. 3. Кристаллографическое и рентгеноструктурное исследование Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 2. 4. Термическая устойчивость Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 2. 5. Термическое разложение паров Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У)
      • 1. 2. 6. Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара летучих комплексов гафния (1У) и циркония (1У) с Р-дикетонами
    • 1. 3. Использование летучих соединений гафния (1У) в процессах осаждения оксидных покрытий

Летучие соединения гафния (IV) и циркония (IV): синтез, структура, свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы обусловлена необходимостью дальнейшего развития химии летучих соединений металлов с органическими лигандами. В рамках данного направления важным является изучение летучих производных гафния (1У) — перспективных соединений для использования в процессах получения тонких пленок диоксида гафния, являющегося лидирующей заменой диоксида кремния, традиционно используемого в качестве подзатворного диэлектрика транзистора в микросхемах памяти.

Ряд практически важных свойств р-дикетонатных комплексов металлов, таких как простота получения при относительно высоких выходах, термическая стабильность, достаточно высокое давление пара при относительно низких температурах, нетоксичность, возможность длительного хранения, обуславливает их широкое применение в процессах получения тонких оксидных пленок металлов методом химического осаждения из газовой фазы (МОСТ)). Несмотря на значительные успехи в области создания материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, остается много нерешенных вопросов, связанных, в первую очередь, с отсутствием необходимой физико-химической информации о структурных и термических параметрах исходных соединений, а также их синтетической доступностью. Для летучих производных гафния (1У) такая информация крайне ограниченна. Комплексное изучение Р-дикетонатов гафния (ГУ) совокупностью методов (РСА, термогравиметрия, калориметрия, тензиметрия, масс-спектрометрия) способствует детальному пониманию процессов термических превращений в конденсированном и газообразном состояниях и нахождению общих закономерностей изменения свойств соединений.

Кроме того, для выяснения влияния природы металла и лиганда на свойства комплексов представляет интерес сравнение физико-химических характеристик ряда Р-дикетонатных производных «двойника» гафнияциркония (1У) — и представителей другого класса соединений — бис-циклопентадиенильных производных гафния (1У).

Таким образом, изучение летучести соединений гафния (ГУ) и циркония (1У), их термических свойств и структурных особенностей, выяснение взаимосвязи между строением и термическим поведением хелатов являются актуальной задачей, связанной с решением вопросов целенаправленного синтеза летучих соединений с заданными свойствами.

Цель работы. Синтез и физико-химическое исследование летучих соединений гафния (1У) и циркония (1У), а также установление зависимости между составом и свойствами соединений.

В работе решались следующие задачи: модифицирование методик синтеза летучих Р-дикетонатных комплексов гафния (1У) и циркония (1У), а также б"с-циклопентадиенильных производных гафния (1У) — рентгеноструктурный анализ комплексов гафния (1У) и циркония (1У) с Р-дикетонамиизучение термического поведения соединений гафния (1У) в конденсированной фазе в зависимости от типа лигандаизмерение температурной зависимости давления насыщенного пара хелатов гафния (1У) и получение термодинамических параметров процессов парообразованияизучение процесса термического распада паров соединений гафния (1У) на нагретой подложкеполучение пленок диоксида гафния методом МОСУО и их исследование.

Научная новизна. Модифицированы методики синтеза комплексов гафния (1У) и циркония (1У), что позволило повысить выход целевого продукта до 80−95%. Получены и охарактеризованы четыре новых комплекса гафния (1У).

Расшифрованы структуры восьми комплексов гафния (1У) и циркония (1У) с Р-дикетонами.

Методом комплексного термического анализа исследовано термическое поведение в конденсированной фазе и рассчитаны величины энтальпий плавления для Р-дикетонатов гафния (1У).

Различными методами измерены температурные зависимости давления насыщенного пара соединений гафния (1У) и рассчитаны значения термодинамических параметров процессов сублимации и испарения.

Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследовано термическое разложение паров Щ (]рт)4, Ср2ЩЫЕ12)2 и Ср2НШе2, определены температуры начала разложения и основные газообразные продукты деструкции комплексов.

Практическая значимость. Выявленные закономерности в физико-химических свойствах комплексов гафния (1У) позволяют целенаправленно выбирать исходные соединения для получения оксидных покрытий. Полученные данные по термическому поведению комплексов Щ1У) являются физико-химической основой для разработки процессов МОСУТ) получения пленок диоксида гафния.

Результаты рентгеноструктурного исследования Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У) вошли в активно используемую научной общественностью Кембриджскую кристаллографическую базу данных (СБОВ).

Полученные термодинамические параметры (Тт, ктН°Тпл, Дисп#°7-, Апл5°г/ш Асубл^т, Ацсп0/-) являются справочными данными и в совокупности с другими результатами могут быть использованы для прогнозирования различных свойств хелатов гафния (1У).

На защиту выносятся: методики синтеза и идентификация комплексов гафния (1У) и циркония (1У) — данные по рентгеноструктурному анализу Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У) — результаты исследования термических свойств хелатов гафния (1У) в конденсированном состоянииданные по исследованию температурных зависимостей давления насыщенного пара соединений гафния (1У) — термодинамические параметры процессов парообразования комплексов гафния (1У) — результаты исследования термического разложения паров НГ (<�Зрт)4 и бис-циклопентадиеиильных хелатов гафния (1У) — данные по осаждению пленок диоксида гафния и исследованию их оптических и электрофизических свойств.

Личный вклад автора. Синтез исследованных соединений, тензиметрические эксперименты и обработка экспериментальных результатов.

ИК-, ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии, ТГ, ДСК, РФА) были выполнены автором самостоятельно. Автором были проведены эксперименты по получению пленок диоксида гафния в реакторе вертикального типа. Соискатель участвовал в постановке задач и разработке плана исследования, интерпретации полученных результатов, формулировке выводов и подготовке публикаций по теме диссертации.

Апробация работы. Материалы работы были представлены на XXII Международной Чугаевской конференции по координационной химии (Молдова, 2005), на XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005), на 20th International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry (Slovakia, 2005), на 15th International European Conference on Chemical Vapor Deposition (Germany, 2005), на 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry and the 12th Asia-Pacific Academy of Materials Topical Seminar (Taiwan, 2005), на Международной конференции молодых ученых по фундаментальным наукам «ЛОМОНОСОВ — 2006"-ХИМИЯ (Москва, 2006), па IV Национальной кристаллохимической конференции (Черноголовка, 2006), на 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices (China, 2006) — на 11th Asia Pacific Academy of Materials (АРАМ) Seminar «The Progress In Functional Materials» (P.R. China, 2004), на XIII Российской конференции по физической химии и электрохимии расплавленных и твердых электролитов (Екатеринбург, 2004), на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2004» и семинаре СО РАН — УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), на Пятом семинаре СО РАН — УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Новосибирск, 2005), на V школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Звенигород, 2005).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 статей в российских журналах, 3 статьи в рецензируемых трудах международных конференций и 12 тезисов в трудах конференций.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка цитированной литературы (221 наименование) и приложения. Объем работы — 156 страниц, в том числе 27 рисунков и 24 таблицы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Модифицированы методики синтеза тетршо/с-р-дикетонатов НД1У) и Zr (IV), позволяющие получать соединения с выходом до 95%. Получено и выделено восемь р-дикетонатных комплексов НА (1У) и гг (1У) — НДасас)4, Н^ас)^ Щр1ас)4, Н^рт)4, 7 г (Шс)4, гг (р1ас)4, 7 г (ЬГас)4, Zr (dpm)4 — и два комплекса НГ (1У) с циклопентадиеном — Ср2НДЫЕ12)2 и Ср2НМе2. Методами элементного анализа, ИКи *Н ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии и РФА подтверждена чистота выделенных соединений. Четыре новых комплекса гафния (1У) получены впервые: Щр1ас)4, НГ2(ОН)2(Мас)6, Hf (dpm)зCl иСр2Н№ 2)2.

2. Впервые определены кристаллические структуры НГ (асас)4, НА^ас)^ НГ (р1ас)4, НГ2(ОН)2(ЬГас)6, Hf (dpm)зCl, гг (р1ас)4, получена новая модификация 7 г (ЬГас)4. Методом РСА определены кристаллохимические характеристики комплексов с дипивалоилметаном — Hf (dpm)4 и 7г^рт)4. Показано, что ряд хелатов гафния (1У) и циркония (1У) с идентичными лигандами являются изоструктурными соединениями, а введение СР3- или трет-6утильных групп в концевые заместители лиганда или замена одного лиганда на хлор не влияет значительным образом на основные геометрические характеристики лигандов комплексов.

3. Методом комплексного термического анализа исследованы термические свойства соединений гафния (1У) в конденсированной фазе. Установлено, что при атмосферном давлении в инертной среде хелаты, содержащие объемные трт-бутильные заместители, характеризуются большей термической устойчивостью, чем комплексы с неразветвленными алкильными или фторсодержащими заместителями.

4. Статическим методом, методом потока и методом Кнудсена измерены температурные зависимости давления насыщенного пара и рассчитаны термодинамические параметры процессов парообразования шести комплексов гафния (1У). Установлен ряд летучести для исследуемых соединений: Ср2Н! Ме2 > НА^ас^ > Ср2НА^1Е12)2 > Н%)1ас)4 > НГ (асас)4 > НЯ^рт)4, показывающий, что в ряду р-дикетонатных производных повышение летучести происходит с введением фторсодержащих групп в лиганд, а понижение — с введением трет-бутильных заместителей в лиганд.

5. Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследовано термическое поведение паров Н^рш)4, Ср2НМе2 и СргШ^Е^г, и определены пороговые температуры, состав и температурная зависимость концентрации газообразных продуктов разложения комплексов. Показано, что введение в систему кислорода существенно понижает температуру начала разложения паров соединений на нагретой поверхности.

6. На основании полученных данных о термическом поведении хелатов гафния (1У) сделан выбор исходных соединений (НА^рт^, Ср2Н! Ме2 и СргН^ЫЕ^г) и определены режимы осаждения покрытий НЮ2 методом МОСУБ. Проведено исследование оптических и некоторых электрофизических свойств пленок: п = 1,85 — 2,20, Я = 1012- 1015 Осм, к = 11−20. Показана перспективность использования р-дикетонатных производных гафния (1У) в СУБ-процессах для получения пленок НЮ2.

1.4.

Заключение

.

На основании анализа литературы можно сделать вывод о том, что большая часть работ посвящена синтезу и спектральному исследованию летучих комплексов гафния (1У). Ограниченное количество работ посвящено изучению структуры и исследованию термических свойств соединений гафния (1У). Летучие соединения циркония (1У) изучены более детально. Также обзор литературы показал, что в ряду соединений металлов, переходящих без разложения в паровую фазу, Р-дикетонатные комплексы гафния (1У) отличаются простотой получения при относительно высоких выходах, термической стабильностью, достаточно высоким давлением пара при относительно низких температурах, нетоксичностыо, возможностью длительного хранения и т. д. Но несмотря на то, что вышеперечисленные свойства позволяют считать Р-дикетонаты гафния (1У) перспективными соединениями для получения покрытий на основе диоксида гафния, данный класс соединений изучен мало. В целом на основании анализа литературных данных можно сделать следующие выводы:

1. Информация о кристаллической структуре Р-дикетонатов гафния (1У) и циркония (1У) весьма ограниченна;

2. Данные о термической устойчивости комплексов гафния (1У) в конденсированной фазе носят отрывочный характер;

3. Исследования по термическому разложению летучих соединений гафния (1У) из газовой фазы практически отсутствуют;

4. Изучение температурной зависимости давления насыщенного пара в литературе имеется только для Ш (асас)4 и Н^ёрш)4.

В связи с этим необходимо систематическое исследование структурных особенностей и термических свойств хелатов гафния (1У) как в конденсированном, так и в газообразном состояниях. Также для определения влияния природы металла и лиганда представляется целесообразным сравнить физико-химические свойства Р-дикетонатов гафния (1У) с рядом Р-дикетонатных производных циркония (1У) и принципиально другим классом соединений — бис-циклопентадиенильными производными гафния (1У).

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Синтез и очистка соединений гафния (1У) и циркония (1У).

2.1.1. Исходные реагенты.

При синтезе ß—дикетонатов металлов были использованы следующие ß—дикетоны: ацетилацетон (2,4- пентандион) — Насас 99,5% чистоты. Марка продукта по ГОСТ 10 259–78-ЧДА.

1Л Лтрифтор-2,4-пентаидион — Htfac 99,5% чистоты, произведенный компанией Merck & Co., Inc.

1Л Лтрифтор-5,5-диметил-2,4-гександион — Hptac 99,5% чистоты, произведенный компанией Merck & Co., Inc.

1Л Л, 5,5,5-гексафтор-2,4-пентандион — Hhfac 99,5% чистоты, компания Merck & Co., Inc.

2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандион — Hdpm 99% чистоты, компания ДалХим.

В качестве исходных соединений были использованы: гафний (ТУ) хлорид, безводный — HfCl? 98+% чистоты, компания Alfa Aesar, Johnson Matthey GmbH. цирконий (1У) хлорид, безводный — ZrCl4 99,5+% чистоты, компания ДалХим.

При синтезе бис-циклопентадиенильных производных гафния (1У) были использованы: дихлорид бис-(циклопентадиенил')гафний — (CsHs^HfCb 98% чистоты, компания Stream. дициклопентадиен — СщНп, реактив фирмы Aldrich. метиллитий — CH3Li, реактив фирмы Aldrich. «-Бутиллитий — C4H9LI, реактив фирмы Aldrich. диэтиламин — С4Н1 jN, реактив фирмы Aldrich.

Все используемые в работе растворители, осушители и щелочи имели квалификацию «хч» или «чда». Объекты исследования представлены в таблице 2.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Aarik J., Aidla A., Kiisler A.-A. et al. 1. fluence of substrate temperature on atomic layer growth and properties of Hf02 thin films // Thin Solid Films. — 1999. -Vol. 340.-P. 110−116.
  2. Powell C.F. Chemically Deposited Nonmetals // Vapor Deposition / Ed. C.F. Powell, J.H. Oxley, J.M. Blocher. New York, The Electrochemical Society, Inc, 1966.-P. 343−420.
  3. Palko A.A., Ryon A.D., Kuhn D.W. The vapour pressure of zirconium tetrachloride and hafnium tetrachloride // J. Phys. Chem. 1958. — Vol. 62, N 3. -P. 319−322.
  4. Motojima S., Hirano S., Fujii M., Iwanaga H. Chemical vapor growth of HfP whiskers and their properties // J. Mater. Sci. 1996. — Vol. 31, N 21. — P. 5709−5715.
  5. Conley J.F., Ono J.Y., Tweet D.J. et al. Atomic layer deposition of the thin hafnium oxide films using a carbon free precursors // J. Appl. Phys. 2003. — Vol. 93, N 1.-P. 712−718.
  6. Urs U.K., Dharmaprakash M.S., Shivashankar S.A., Guru T.N. Nitratotris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptadionato)hafnium (IV) // Acta Crystallographica, Sect. E. 2003. — Vol. E59. — P. ml-m2.
  7. Ц.Б. Координационные соединения циркония и гафния с органическими лигандами. Кишинев: Щтиинца, 1975. — 224 с.
  8. И.А., Карлышева К. Ф. Химия гафния. Киев: Наукова думка, 1972. -456 с.
  9. У.Б. Химия циркония. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963.342 с.
  10. Bradley D.C., Abd-el Halim F.M., Wardlaw W. The Chloride Ethoxides of Zirconium // J. Chem. Soc. 1950. — Vol. 1. — P. 3450−3454.
  11. P.X., Брайнина Э. М., Несмеянов A.H. Обменные реакции тетраацетилацетоната циркония // Изв. АН СССР, ОХН. 1957. — № 1. — С. 43−47.
  12. Bradley D.C., Thomas I.M. Metallo-organic compounds containing metal-nitrogen bonds. Part 1. Some dialkylamino-derivatives of titanium and zirconium // J. Chem. Soc. 1960. -N 10. — P. 3857−3861.
  13. Bradley D.C., Carter D.G. Metal oxide alkoxide polymers. Part I. The hydrolysis of some primary alkoxides of zirconium // Canadian J. Chem. 1961. -Vol. 39, N 7. — P.1434−1442.
  14. Bradley D.C. Metal Alkoxides as Precursors for Electronic and Ceramic Materials // Chem. Rev. 1989. — Vol. 89. — P. 1317−1322.
  15. Iman A.S., Rao B.R. Unit cell dimensions of some metal alkoxides // Naturwissechaften. 1963. — Vol. 50, N 15. — P. 517.
  16. Bradley D.C., Factor M.M. Pyrolysis of metal alkoxides. I. Thermal stability of some zirconium alkoxides // J. Appl. Chem. 1959. — Vol. 9, Part 8. — P.435−439.
  17. Evans W.J., Ansari M.A., Ziller J.W. Isolation and structural characterization of the polymetallic zirconium alkoxide complexes, Zr30(0CH2CMe3)9Cl, Zr30(0CMe3)9(0H), Na4Zr602(0Et)24 // Polyhedron. 1998. — Vol. 17, N 5−6. — P. 869 877.
  18. Starikova Z.A., Turevskaya E.P., Kozlova N.I. et al. Structural study of zirconium and hafnium oxoalkoxides // Polyhedron. 1999. — Vol. 18, N 7. — P. 941 947.
  19. Yang T.S., An K.-S., Lee E.-J. et al. Chemical Vapor Deposition of Hf02 thin films using the novel single precursor hafnium 3-methyl-3-pentoxide, Hf (mp)4 // Chem. Mater. 2005. — Vol. 17, N 26. — P. 6713−6718.
  20. Abrutis A., Hubert-Pfalzgraf L.G., Pasko S.V. et al. Hafnium oxoneopentoxide as a new MOCVD precursor for hafnium oxide films // J. Cryst. Growth. 2004. -Vol. 267, Issues 3−4. — P. 529−537.
  21. Sayan S., Aravamudhan S., Busch B.W. et al. Chemical vapor deposition of НЮ2 films on Si (100) // Journal of Vacuum Science & Technology, A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2002. — Vol 20, N 2. — P. 507−512.
  22. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel mononuclear zirconium and hafnium alkoxides- improved precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 // J. Mater. Chem. 2002. — Vol. 12, N 2. — P. 165−167.
  23. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel Mononuclear Alkoxide Precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 Thin Films // Chem. Vap. Deposition. -2002.-Vol. 8, N4.-P. 163−170.
  24. Archakov, I.Yu., Vorob’ev, A.N., Bord, О. V. et al. Mass spectrometric study of Hf (OBut)2mmp2 thermal decomposition // Reviews on Advanced Materials Science.2004. Vol. 7, N 2. — P. 126−135.
  25. Spijksma G.I., Bouwmeester H.J.M., Blank D.H.A. et al. Chemistry of 2,2,6,6 -tetramethyl-3,5-heptanedione (Hthd) modification of zirconium and hafnium propoxide precursors // Inorg. Chem. 2006. — Vol. 45, N. 13. — P. 4938−4950.
  26. A.E., Малкерова И. П., Беляков M.B. и др. Пивалаты циркония и гафния // Тез. докл. на V школу-семинар «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения». Звенигород, ноябрь2005.-С. 3.
  27. Bradley D.C., Thomas I.M. Dialkylamido-derivatives of titanium, zirconium and tantalium // Proc. Chem. Soc. 1959. — N 7−8. — P. 225−226.
  28. Reetz M.T., Urz R., Schuster T. An economical large-scale synthesis of titanium tetrakis (diethylamide) and chlorotitanium tris (diethylamide) // Synthesis. -1983.-N 7.-P. 540.
  29. Beard W.R., Neil R.L. Process for the preparation of dihydrocarbylamino titanium, zirconium, and hafnium compounds // PCT Int. Appl. WO 2 004 011 692 A2, 5 Feb 2004, 27 P.
  30. Steinbom D., Wagner I., Taube R. An efficient synthesis of titanium and zirconium tetrakis (diethylamide) // Synthesis. 1989. -N 4. — P. 304.
  31. Draper S.M., Kelley N. Hafnium 1992 // Coordination Chemistry Reviews. -1995.-Vol. 146.- P. 141−153.
  32. Bai Y., Roesky H.W., Holtemeyer M., Witt M. Synthesis and structures of (monoorganyl)amides of zirconium and hafnium // Chemische Berichte. 1992. -Vol. 125, N4.-P. 825−831.
  33. Williams P.A., Jones A.C., Tobin N.L. et al. Growth of hafnium dioxide thin films by liquid-injection MOCVD using alkylamide and hydroxylamide precursors // Chem. Vap. Deposition. 2003. — Vol. 9, N 6. — P. 309−314.
  34. Kukli K., Ritala M., Sajavaara T. et al. Atomic layer deposition of hafnium dioxide films from hafnium tetrakis (ethylmethylamide) and water // Chem. Vap. Deposition. 2002. — Vol. 8, N 5. — P. 199−204.
  35. Ohshita Y., Ogura A., Hoshino A. et al. Using tetrakis-diethylamido-hafnium for Hf02 thin-film growth in low-pressure chemical vapor deposition // Thin Solid Films. -2002.-Vol. 406.-P. 215−218.
  36. Machida H., Hoshino A., Suzuki T. et al. MOCVD precursors for Ta- and Hf-compound films // J. Cryst. Growth. 2002. — Vol. 237−239 — P. 586−590.
  37. Analytical Enhancements // Epichem group News. 2006. — N 1. — P. 10−11.
  38. Lehn J.-S. M., Hoffman D.M. Synthesis and structures of Group 4 trimethylhydrazido complexes // Inorg. Chim. Acta. 2003. — Vol. 345. — P. 327−332.
  39. Lehn J.-S. M., Saba J., Hoffman D.M. Synthesis of zirconium, hafnium, and tantalum complexes with sterically demanding hydrazide ligands // Inorg. Chem. 2007. -Vol.46, N. 3.-P. 993−1000.
  40. Mitzel N.W., Parsons S., Blake A.J., Rankin D.W.H. Homoleptic hydroxylamides of titanium, zirconium and hafnium // J. Chem. Soc., Dalton Trans.-1996.-Vol. 1996, N. 12.-P. 2089−2093.
  41. Singh A., Sharma C.K., Rai A.K. et al. Reactions of oximes and diethylhydroxylamine with titanium alkoxides // J. Chem. Soc., A. 1971. — N 15−16. -P. 2440−2444.
  42. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2005. — Vol. 101. — P. 139−148.
  43. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2003. — Vol. 99. — P. 139−148.
  44. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2002. — Vol. 98. — P. 129−137.
  45. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2001. — Vol. 97. — P. 133−142.
  46. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 1999. — Vol. 95. — P. 105−115.
  47. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A, 1997. — Vol. 93. — P. 143−153.
  48. Hollink E., Stephan D.W. Zirconium and hafnium // Comprehensive Coordination Chemistry II, Volume 4 / Ed. J.A. McCleverty, T.J. Meyer. Elsevier Ltd., Oxford, UK, 2004. — P. 105−173.
  49. Dias A.R., Veiros L.F. Are cyclopentadienyl complexes more stable than their pyrrolyl analogues? // J. Organomet. Chem. 2005. — Vol. 690, N 7. P. 1840−1844.
  50. Bruder A.H., Fay R.C., Lewis D.F., Sayler A.A. Synthesis, characterization, and X-ray structure of r|5-cyclopentadienyltris (N, N-dimethyldithiocarbamato)-zirconium (IV) // JACS. 1976. — Vol. 98, N 22. — P. 6932−6938.
  51. Sikora D.J., Rausch M.D., Rogers R.D. et al. New synthesis and molecular structures of the decamethylmetallocene dicarbonyls (г|5-С5Ме5)2М (СС))2 (M = titanium, zirconium, hafnium)//JACS. 1981.-Vol. 103, N5.-P. 1265−1267.
  52. Sikora D.J., Rausch M.D., Rogers R.D., Atwood J.L. Structure and reactivity of the first hafnium carbonyl, bis (r|5-cyclopentadienyl)dicarbonylhafnium // JACS -1979.-Vol. 101, N 17.-P. 5079−5081.
  53. Calderazzo F., Englert U., Pampaloni G., Tripepi G. The tetracyclopentadienyls of titanium, zirconium and hafnium: new synthetic procedures and reactivity // J. Organomet. Chem. 1998. — Vol. 555. — P. 49−56.
  54. M.X., Брайнина Э. М., Фрейдлина P.X. Циклопентадиенильные соединения гафния // РАИ СССР, 1967. Т. 173, № 3. — С. 581−584.
  55. Э.М., Миначёва М. Х., Фрейдлина Р. Х. Некоторые свойства тетрациклопентадиенилциркония // Изв. АН СССР. 1965. -№ 10. — С. 1877−1878.
  56. Э.М., Дворяпцева Г. Г. Тетрациклопентаниенилцирконий // Изв. АН СССР. 1967. — № 2. — С. 442−443.
  57. Э.М., Миначёва М. Х., Локшин Б. В. и др. Замещённые и незамещённые в цикле циклопентадиенильные соединения циркония и гафния // Изв. АН СССР. 1969. — № 11. — С. 2492−2498.
  58. Э.М., Гамбарян Н. П., Локшин Б. В. и др. К вопросу о быстром обмене неэквивалентных циклопентадиенильных колец в тетрациклопентадиенильных производных металлов IV, А группы // Изв. АН СССР, сер. хим.- 1972.-№ 1.-С. 187−188.
  59. Э.М., Миначёва М. Х., Локшин Б. В. Синтез и свойства циклопентадиенильных соединений гафния // Изв. АН СССР, сер. хим. 1968. -№ 4.-С. 817−823.
  60. .В., Брайнина Э. М. Колебательные спектры и строение тетрациклопентадиенильных производных циркония и гафния // Журн. структур, хим.-1971.-Т. 12, № 6.-С. 1001−1006.
  61. Rogers R.D., Bynum R.V., Atwood J.L. Crystal and molecular sructure of tetra (cyclopentadienyl)zirconium // JACS 1978. — Vol. 100, N 16.-P. 5238−5239.
  62. Rogers R.D., Bynum R.V., Atwood J.L. First authentic example of a difference in the structural organometallic chemistry of zirconium and hafnium: crystal and molecular structure of (r^-CsHj^Hflft1- C5H5)2 // JACS 1981. — Vol. 103, N 3.-P. 692−693.
  63. Calderon J.L., Cotton F.A., De Boer B.G., Takats J. Stereochemically Nonrigid Organometallic Molecules. XXVIII. Tetra (cyclopentadienyl) titanium // JACS. 1971.-Vol. 93, N 15.-P. 3592−3597.
  64. Wilkinson G., Birmingham J.M. Bis-cyclopentadienyl complexes of Ti, Zr, V, Nb and Та//JACS. 1954.-Vol. 76, N 17.-P. 4281−4285.
  65. Wilkinson G., Pauson P.L., Birmingham J.M., Cotton F.A. Bis-cyclopentadienyl derivatives of some transition elements // JACS. 1953. — Vol. 75, N 4. -P. 1011−1015.
  66. P.X., Брайнина Э. М., Несмеянов A.H. Синтез смешанных клешнеобразных циклопентадиенильных соединений циркония // ДАН СССР. -1961.-Т. 138, № 6.-С. 1369−1372.
  67. A.H., Материкова Р. Б., Брайнина Э. М., Кочеткова Н. С. Синтез циклопентадиенильных производных кремния, циркония и гафния // Изв. АН СССР, сер. хим. 1969. — № 6. — С. 1323−1326.
  68. R oddick D .M., F ryzuk M .D., S eidler P .F. e t a 1. H alide, H ydride, a lkyl, a nd dinitrogen complexes of bis (pentamethylcyclopentadienyl)hafnium // Organometallics. -1985.-N 4.-P. 97−104.
  69. Э.М., Фёдоров Jl.A., Миначёва M.X. Феноксипроизводные гафния и циркония, содержащие циклопентадиенильные и хелатные лиганды, и их стереохимическая структура // ДАН СССР. 1971. — Т. 196, № 5. -С. 1085−1088.
  70. Э.М., Фрейдлина Р. Х., Несмеянов А. Н. Циклопентадиенильные соединения циркония, содержащие Zo-O-Zr-группу // ДАН СССР. 1964. — Т. 154, № 5. — С. 1113−1115.
  71. Gray D.R., Brubaker С.Н. The preparation and characterization of a series of chloroalkoxobis (cyclopentadienyl) zirconium (IV) and dialkoxobis (cyclopentadienyl) zirconium (IV) compounds // Inorg. Chem. 1971. — Vol. 10, N 10. — P. 2143−2146.
  72. M.X., Брайнина Э. М. Химические превращения тетрациклопентадиенилциркония // Изв. АН СССР. 1972. -№ 1. — С. 139−143.
  73. Chandra G., Lappert M.F. Amido derivatives of Metal and Metalloids. Part VI. Reactions of Titanium (IV), Zirconium (IV), and Hafnium (IV). Amides with Protic compounds // J. Chem. Soc., A. 1968. — P. 1940−1945.
  74. Wailes P.C., Weigold H. Hybrido complexes of Zirconium II. Reactions of dicyclopentadienylzirconium dinydride with carboxylic acids // J. Organomet. Chem. -1970. Vol. 24, N 2. — P. 413−417.
  75. Wailes P.C., Weigold H., Bell A.P. Sulphur dioxide insertion reactions with dicyclopentadienyltitanium and zirconium alkyl and aryl compounds // J. Organomet. Chem.-1971.-N. 2.-P. 181−188.
  76. Grafov A., Mazurenko E., Battiston G.A., Zanella P. Design of Zr (IV) and Hf (IV) coordination compounds precursors for MOCVD synthesis of protective coatings // J. Phys. IV. — 1995. — Vol. 1, N C5. -P. C5−497-C5−502.
  77. Э.М., Брюхова E.B., Локшин Б. В., Алимов Н. С. Циклопентадиенильные соединения циркония и гафния, содержащие галоидацетатные лиганды // Изв. АН СССР, сер. хим. 1973. — № 4. — С. 891−894.
  78. Wailes Р.С., Weigold Н., Bell А.Р. Insertion reactions of dicyclopentadienyldimethylzirconium and related cyclopentadienyl compounds with sulphur dioxide and nitric oxide // J. Organomet. Chem. 1972. — Vol. 34, N 1. — P. 155 164.
  79. E., Rausch M. D. 7i-Cyclopentadienyl and 7i-indenyl compounds of titanium, zirconium, and hafnium containing c-bonded organic substituents. // JACS. -1973. Vol. 95, N 19. — P. 6263−6267.
  80. Fronczek F.R., Baker E.C., Sharp P.R. et al. The structures of d imethylhafnocene and i ts h ydrolysis p roduct, ц -oxo-bis (methylhafnocene) //1 norg. Chem. 1976. — Vol. 15, N 9. — P. 2284−2289.
  81. Hunter W.E., Hencir D.C., Bynum R.V. et al. The search for dimethylzirconocene. Crystal structures of dimethylzirconocene, dimethylhafnocene, chloromethylzirconocene, and (^i-oxo)bis (methylzirconocene) // Organometallics. -1983.-Vol. 2, N6. P. 750−755.
  82. Howe J.J., Pinnavaia T.J. Studies of the Kinetics and Mechanism of Stereochemical Rearrangement Processes for Tris (P-diketonato)-7i-cyclopentadienylzirconium complexes // JACS 1970. — Vol. 92, N 25. — P. 7342−7348.
  83. Э.М., Миначёва М. Х., Федоров JI.A. Циклопентадиенильные соединения циркония с различными хелатными лигандами в металле // Изв. АН СССР.- 1972.-№ 10.-С. 2356−2358.
  84. М.Х., Брайнина Э. М., Терехова Л. И. Циклопентадиенильные соединения гафния с различными хелатными лигандами в металле // Изв. АН СССР. 1973.-№ 10.-С. 2359−2361.
  85. Э.М., Мортикова Е. И., Петрашкевич Л. А., Фрейдлина Р. Х. Новый класс циклопентадиенильных соединений циркония, содержащих клешнеобразные группы // РАН СССР. 1966. — Т. 169, № 2. — С. 335−338.
  86. П. Курс органической химии. Л.: Госхимиздат, 1962. — 321 с.
  87. В.М., Пэн Ан. Исследование комплексообразоания гафния с ацетилацетоном методом экстракции // Ж.неорг.химии. 1963. — Т. 6, Вып. -С. 2082−1085.
  88. В.И., Вовна В. И. Электронная структура химических соединений. М.: Наука, 1987. 347 с.
  89. Н.Б. Синтез и физико-химические свойства бета-дикетонатов Ru(III), Zr (IV), Fe (III), Y (III): Дисс. канд. хим. наук: 02.00.01. Защищена 23.02.96- Утв. 15.05.96-Новосибирск, 1996.- 148 С.
  90. Larsen Е.М., Terry G., Leddy J. The preparation and properties of Zirconium and Hafnium Chelates of Certain P-diketones // JACS 1953. — Vol. 75, N20. — P. 51 075 111.
  91. Allard B. Studies of tetravalent acetylacetonato complexes I. Coordination and properties in the solid state // J. Inorg. Nucl. Chem. — 1976. — Vol. 38. — P. 21 092 115.
  92. Baskin Y., Prasad N.S.K. Studies on TTA complexes with metal Ions -II. Investigations of some tetravalent complexes in the solid state // J. Inorg. Nucl. Chem. 1963.-Vol. 25.-P. 1011−1019.
  93. M.X., Брайнина Э. М. Соединения циркония и гафния с различными хелатными лигандами в молекуле // Изв. АН СССР, Серия хим. -1973. -№ 3.- С. 689−691.
  94. Sh. С., Lynch С.Т., Mazdiyasni K.S. Hexafluoriacetylacetonates of zirconium and Hafnium // Inorg. Chem. 1968. — Vol. 7, N 12. — P. 2501−2505.
  95. Sievers R.E., Ponder B.W., Morris M.L., Moshier R.W. Gas Phase Chromatography of Metal Chelates of Acetylacetone, Trifluoroacerylacetone and Hexafluoroacetylacetone // Inorg. Chem. 1963. — Vol. 2, N4. — P. 693−698.
  96. C.B., Миропольская JT.E., Мельникова JI.A., Мазуренко Е. А. Легколетучие Р-дикетонатные комплексы Zr(IV) и Hf (IV) // Украинский химический журнал. 1983. — Т. 49, № 7. — С.682−687.
  97. Pasko S.V., Hubert-Pfalzgraf L.G., Abrutis A et. al. New sterically hindered Hf, Zr and Y P-diketonates as MOCVD precursors for oxide films // J. Mater. Chem. -2004.-Vol. 14.-P. 1245−1251.
  98. Patent JP 2 005 104 958. Synthesis of fluorine containing metal complex / T. Sugimoto (Central Glass Co., Ltd., Japan). 21 Apr 2005. — 7 p.
  99. Patent JP 2 006 117 619. Synthesis of fluorine-bearing beta-diketone complexes of zirconium, hafnium, or titanium suitable for CVD sources. / T. Sugimoto (Central Glass Co., Ltd., Japan). -11 May 2006. 9 p.
  100. E.M., Мишин В. Я. Летучие дипивалоилметанаты циркония и гафния// Координационная химия. 1982. — Т. 8., Вып. 5. — С. 651−652.
  101. ИЗ. Брайнина Э. М., Мортикова Е. И. Хелатные соединения гафния // Изв. АН СССР, сер. хим. 1967. -№ 11. С. 2543−2545.
  102. Fay R.C., Pinnavaia Th.J. Infrared andraman spectra of some six-, seven-and eight-coordinate acetylacetonato complexes of zirconium (IV) and hafnium (IV) // Inorg. Chem. 1968. — Vol. 7, N 3. — P. 508−514.
  103. Wilkir C.A., Hawoeth D.T. A 13C NMR study of some metal acetylacetonate complexes // Inorg. Nucl. Chem. 1978. — Vol. 40, N 2. P. 195−197.
  104. Clegg W. Redetermination of the Structure of Tetrakis (acetylacetonato)zirconium (IV) // Acta Cryst. 1987. — С 43. — P. 789−791.
  105. Silverton J.V., Hoard J.L. Zirconium (IV) acetylacetonate // Inorg. Chem. -1963.-Vol. 2.-P. 243.
  106. Calderazzo F., Englert U., Maichle-Mossmer C. et al. Eight-coordinate chelate complexes of zirconium (IV) and niobium (IV): X-ray diffractometric and EPR investigation // Inorg. Chim. Acta. 1998. — Vol. 270, N 1−2. — P. 177−188.
  107. В.А. Термический анализ координационных соединений и клатратов // Новосибирск: Наука, Сиб. Отделение, 1982. 128 с.
  108. В.Я., Рубцов Е. М., Исупов В. К., Прокопчук 10.3. Термическое поведение дипивалоилметанатов актиноидов // Радиохимия. 1980. — № 5. -С. 733−738.
  109. В.Я., Соловьев С. М., Чиненов П. П. и др. Летучие Р-дикетонаты актиноидов и некоторые возможности их практического использования // Радиохимия. 1985. -№ 3. — С. 354−361.
  110. Bykov A.F., Turgambaeva А.Е., Igumenov I.K., Semyannikov P.P. Mass Spectrometric Study of Thermolysis Mechanism of Metal Acetylacetonates Vapour // J. de Physique IV. Colloque C5. 1995. — Vol. 5. — P. C5−191-C5−197.
  111. E.A., Миропольская Л. Е., Кинетика термического распада тетракис-пентандионата-2,4 гафния // Украинский журнал. 1983. — Т. 49, № 5. -С.551−552.
  112. А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния. -Л.: Химия, 1970.-206 С.
  113. Е.С. Синтез и физико-химическое исследование Р-дикетонатов лития: Дисс. канд. хим. Наук: 02.00.04. Защищена 17.09.06- Утв. 10.12.06. -Новосибирск, 2006. — 118 с.
  114. И.К., Чумаченко Ю. В., Земсков С. В. Тензиметрическое исследование летучих Р-дикетонатов металлов // Проблемы химии и применения бета-дикетонатов металлов. М.: Наука, 1982. — С. 100−120.
  115. С.С., Микитюк А. Д., Лебедев С. Ю., Сычев Ю. Н. Термическая устойчивость и давление насыщенного пара ацетилацтонатов циркония и гафния // Вестник Моск. ун-та, Химия. 1977. — С. 238−252.
  116. Morozova N.B., Sysoev S.V., Igumenov I.K., Golubenko A.N. Study of t emperature d epence о f s aturated v apour p ressure о f z irconium (IV) P -diketonates / / J. Therm. Anal. 1996. — Vol. 46. — P. 1367−1373.
  117. Н.Б., Игуменов И. К., Митышн B.H. и др. Комплексы Zr(IV) с р-дикетонами // Ж. неорг. химии. 1989. — Т. 34, № 5. — С. 1193−1198.
  118. РСТ Int. Appl. WO 2 000 029 330. Thin hafnium oxide film and method for depositing same / B. Andre, J. Dijon, B. Rafin. 25 May 2000. — 31 p.
  119. Nishide Т., Honda S., Matsuura M., Ide M. Surface, structural and optical properties of sol-gel derived Hf02 films // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 371, N. 1−2. -P. 61−65.
  120. Alvisi M., Di Giulio M., Marrone S.G. et al. Hf02 films with high laser damage threshold // Thin Solid Films. 2000. Vol. 358, N 1−2. P. 250−258.
  121. Nguyen N.V., Sayan S., Levin I. et al. Optical band gaps and composition dependence of hafnium-aluminate thin films grown by atomic layer chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol., A. 2005. — Vol. 23, N 6. — P. 1706−1713.
  122. Kukli K., Ritala M., Sajavaara T. et al. Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from Hafnium Tetrakis (ethylmethylamide) and Water // Chem. Vapor Deposit. 2002. — Vol. 8. — P. 199−204.
  123. Piatt C.L., Dieny В., Berkowitz A.E. Spin-dependent tunneling in Hf02 tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69, N 15. — P. 2291−2293.
  124. Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics // J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 87, N 1. — P. 484−492.
  125. Lee B.H., Kang L., Nieh R. et al. Thermal stability and electrical characteristics о f ultrathin hafnium оxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing. // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76, N 14. — P. 1926−1928.
  126. Aoki Y., Kunitake Т., Nakao A. Sol-Gel Fabrication of Dielectric Hf02 Nano-Films- Formation of Uniform, Void-Free Layers and Their Superior Electrical Properties // Chem. Mater. 2005. Vol. 17, N 2. P. 450−458.
  127. Gilmer D.C., Hegde R., Cotton R. et al. Compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with Hf02 and Al203/Hf02 gate dielectrics // Appl. Phys. Lett. -2002. Vol. 81, No. 7. — P. 1288−1290.
  128. Gusev E. P., Cartier E., Buchanan D.A. et al. Ultrathin high-K metal oxides on silicon: processing, characterization and integration issues // Microelectronic Engineering. 2001. — Vol. 59, N 1−4. — P. 341−349.
  129. Lee B.H., Kang L., Qi W.-J. et al. Ultrathin hafnium oxide with low leakage and excellent reliability for alternative gate dielectric application // Int. Electron Devices Meet.- 1999.-P. 133−136.
  130. PCT Int. Appl. WO 2 000 070 674. Capacitor for a semiconductor device and method for producing a dielectric layer for the capacitor / T.P. Haneder, H. Reisinger, R. Stengl et al. (German). 23 Nov 2000. — 17 p.
  131. Puthenkovilakam R., Sawkar M., Chang J.P. Electrical characteristics of postdeposition annealed Hf02 on silicon // Appl. Phys. Lett. 2005. — Vol. 86, N 202 902. — P. 202 902−1 — 202 902−3.
  132. Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. High-k dielectrics: current status and materials properties considerations // J. Appl Phys. 2001. — Vol. 89, N 10. -P. 5243−5275.
  133. Xiong K., Peacock P.W., Robertson J. Fermi level pinning and Hf-Si bonds at Hf02: Polycrystalline silicon gate electrode interfaces // Appl. Phys. Lett. 2005. -Vol. 86, N. 12 904. — P. 12 904−1 — 12 904−3.
  134. Yamamoto Y., Kita K., Kyuno K., Toriumi A. Structural and electrical properties of HfLaOx films for an amorphous high-k gate insulator // Appl. Phys. Lett. -2006. Vol. 89, N. 32 903. — P. 32 903−1 — 32 903−3.
  135. Park S., Cha Y.-K., Cha D. et al. Multibit memories using a structure of Si02/partially oxidized pmorphous Si/Hf02 // Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 89, N033122.-P. 33 122−1 -33 122−3.
  136. C.G. /Handbook of Inorganic Electrochromic Materials, Elsevier, Amsterdam. 1995.
  137. The Chemistry of metal CVD /ed. by T.T. Kodas and M.J. Hampden-Smith. Weinheim- New York. Basel. Cambridge. Tokyo: VCH. 1994. P. 530.
  138. .Г., Домрачев Г. А., Жук Б.В. и др. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Под ред. Г. А. Разуваева. М.: Наука, 1981. — 322 С.
  139. В.Е., Нечипоренко Е. П., Криворучко В. М., Сагалович В. В. / Кристаллизация тугоплавких металлов из газовой фазы. М.: Атомиздат, 1974. -264 С.
  140. Осаждение из газовой фазы / под ред. К. Пауэлла, Дж. Оксли, Дж. Блочера мл. М.: Атомиздат, 1970. — 472 С.
  141. Металлоорганические соединения в электронике / Разуваев Г. А., Грибов В. Г., Домрачев Г. А., Саламатин Б. А. М.: Наука, 1972. — 479 С.
  142. Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов / Отв. ред. Г. А. Разуваев. М.: Наука, 1986.-256 С.
  143. Triyoso D.H., Ramon М., Hegde R.I. et al. Physical and electrical characteristics of Hf02 gate dielectrics deposited by ALD and MOCVD // J. of the Electrochem. Soc. 2005. — Vol. 152, N 3. — P. G203-G209.
  144. Stesmans A., Afanas’ev V.V. Interlayer-related paramagnetic defects in stacks of ultrathin layers of SiOx, A1203, Zr02, and Hf02 on (100)Si // J. Appl. Phys. -2004. Vol. 97, N 35 510. — P. 35 510−1 — 35 510−8.
  145. Frank M.M., Wilk G.D., Starodub D. et al. Hf02 and A1203 gate dielectrics on GaAs grown by atomic layer deposition // Appl. Phys. Lett. 2005. — Vol. 86, N 152 904. P. 152 904−1 — 152 904−3.
  146. Spiga S., Wiemer C., Tallarida G. et al. Effects of the oxygen precursor on the electrical and structural properties of Hf02 films grown by atomic layer deposition on Ge // Appl. Phys. Lett. 2005. — Vol. 87, N 112 904. P. 112 904−1 — 112 904−3.
  147. Kim I., Koo J., Lee J., Jeon H. A Comparison of Al203/Hf02 and Al203/Zr02 Bilayers Deposited by the Atomic Layer Deposition Method for Potential Gate Dielectric Applications // Jap. J. Appl. Phys. 2006. — Vol. 45, N 2A. — P.919−925.
  148. Gilmer D.C., Hegde R., Cotton R. et al. Tobin Compatibility of silicon gates with hafnium-based gate dielectrics // Microelectronic Engineering. 2003. — Vol. 69. -P. 138−144.
  149. Lee S.J., Jeon T.S., Kwong D.L., Clark R. Hafnium oxide gate stack prepared by in situ rapid thermal chemical vapor deposition process for advanced gate dielectrics // J. Appl. Phys. 2002. — Vol. 92, N 5. — P. 2807−2809.
  150. Sayan S., Aravamudhan S., Busch B.W. et al. Chemical vapor deposition of Hf02 films on Si (100) // J. Vac. Sei. Technol. A. 2002. — Vol. 20, N2. — P. 507−512.
  151. Bai W., Lu N., Ritenour A.P. et al. The electrical properties of the Hf02 dielectric on Germanium and Substrate doping effect // IEEE Transactions on electron devices. 2006. — Vol. 53, N 10. — P. 2551−2558.
  152. K.-J. Choi, W.-C. Shin, S.-G. Yoon. Ultrathin Hf02 gate dielectric grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition using HfOC (CH3)3.4 as a precursor in the absence of 02 // J. Mater. Res. 2003. — Vol. 18, N 1. — P. 60−65.
  153. Wu N., Zhang Q., Zhu C. et al. Effect of surface NH3 anneal on the physical and electrical properties of Hf02 films on Ge substrate // Appl. Phys. Lett. 2004. -Vol. 84, N 19.-P. 3741−3743.
  154. Rauwel E., Dubourdieu C., Hollander B. et al. Stabilization of the cubic phase o f t he H f02 b y Y a ddition i n films g rown b y metal o rganic v apor d eposition / / Appl. Phys. Letter. 2006. — Vol. 89. — P. 12 902−1-12 902−3.
  155. Kukli K., Ritala M., Leskela M. et al. Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from l-Methoxy-2-methyl-2-propanolate Complex of Hafnium // Chem. Mater. 2003. — Vol. 15, N 8. — P. 1722−1727.
  156. Fujii S., Miyata N., Migita S. et al. Nanometer-scale crystallization of thin Hf02 films studied by HF-chemical etching // Appl. Phys. Lett. 2005. — Vol. 86. -P. 212 907−1-212 907−3.
  157. Takahashi K., Nakayama M., Yokoyama S. et al. Preparation of hafnium oxide films from oxygen-free HfN (C2H5)2.4 precursor and their properties // Appl. Surf. Sei. 2003. — Vol. 216. — P. 296−301.
  158. Ohshita Y., Ogura A., Hoshino A. et al. Hf02 growth by low-pressure chemical vapor deposition using the Hf (N (C2H5)2)4/02 gas system // J. Cryst. Growth. -2001.-Vol. 233.-P. 292−297.
  159. Luo Q., Dragomir-Cernatescu I., Snyder R.L. et al. Comparison of Nitrided Hf02 films deposited in 02 and N20 by direct Injection CVD // J. Electrochem. Soc. -2006.-Vol. 153, N1. -P. F1-F7.
  160. Seo K.-ill, Sreenivasan R., Mclntyre P.C., Saraswat K.C. Improvement in High-k (Hf02/Si02) Reliability by Incorporation of Fluorine // IEEE Electron Device Letters. 2006. — Vol. 27, N 10. — P. 821−823.
  161. Xu Y., Musgrave C.B. A chemical mechanism for nitrogen incorporation into Hf02 ALD films using ammonia and alkylamide precursors // Surface Science. 2005. -Vol. 591, N 1−3. — P. L280-L285.
  162. Liu X., Ramanathan S., Longdergan A. et al. ALD of Hafnium Oxide Thin films from tetrakis (ethylmethylamino)hafnium and Ozone // J. Electrochem. Soc. 2005. -Vol. 152, N2. P. G213-G219.
  163. Kukli K., Ritala M., Sajavaara Т., Keinonen J., Leskela M. Atomic Layer Deposition of hafnium dioxide films from hafnium tetrakis (ethylmethylamide) and water // Chem. Vap. Dep. 2002. — Vol. 8. — P. 199−204.
  164. В.Г., Тимофеев A.H., Филатов И. Ю. Ацетилацетонат гафния перспективный реактив для получения оксидных и карбидных материалов // Тез. докл. -Нижний Новгород, 1991. — С. 124.
  165. Balog М., Schibe М., Patai S., Michman М. Thin films of metal oxides on silicon by Chemical vapor deposition with organometallic compounds. I // J. Cryst. Growth. 1972. — Vol. 17. — P.298−301.
  166. Balog M., Schibe M., Michman M., Patai S. Chemical vapor deposition and characterization of Hf02 films from organo-hafnium compounds // Thin Solid Films. -1977. Vol. 41, N3. — P.247−259.
  167. K.B., Морозова Н. Б., Куратьева H.B., Байдина И. А., Игуменов И. К. Синтез и рентгеноструктурное исследование комплексов гафиия(1У) с ацетилацетоном и трифторацетилацетоном // Журн. структ. химии. -2005. Т. 46, № 6. — С. 1081−1088.
  168. Chemistry / Ed. M. Melnik, J. Sima, M. Tatarko, Smolenice, Slovakia, 2005. Slovak Technical University Press, Bratislava, Slovakia, 2005. — Vol. 7. — P. 246−253.
  169. Gelfond N.V., Morozova N.B., Igumenov I.K., Zherikova K.V.,
  170. К.В., Морозова Н. Б., Байдина И. А., Алексеев В. И., Игуменов И. К. Синтез и рентгеноструктурное исследование восьмикоординированного комплекса гафния(ГУ) с гексафторацетилацетоном // Журн. структ. химии. 2006. — Т. 47, № 1. — С. 87−90.
  171. К.В., Морозова Н. Б., Пересыпкина Е. В., Байдина И. А., Игуменов И. К. Синтез и рентгеноструктурное комплекса гафния(1У) с пивалоилтрифторацетилацетоном // Журн. структ. химии. 2006. — Т. 47, № 3. -С. 581−584.
  172. К.В., Морозова Н. Б., Байдина И. А. и др. Строение и термические свойства летучих ß--дикетонатов циркония(1У) // Тез. докл. на IV Национальную кристаллохимическую конференцию, Черноголовка, 26−30 июня 2006.-С. 283−284.
  173. К.В., Морозова Н. Б., Куратьева Н. В. и др. Рентгеноструктурное исследование фторированных ß--дикетонатных комплексов циркония(1У) // Журн. структ. химии. 2007. — Т. 48, № 3. — С. 539−547.
  174. Sheldrick G.M. SHELX-97. Release 97−1. University of Gottingen. 1997.
  175. Г. И., Суворов А. В. Мембранный нуль-манометр для измерения давления паров в широком интервале температур // Заводская лаборатория. -1959. -№ 6.-С. 750−751.
  176. В.А., Коковин Г. А. О выборе целевой функции при обработке данных по давлению насыщенного пара // Сб. науч. тр. «Математика в химической термодинамике» / Под ред Г. А. Коковина. Новосибирск: Наука, 1980. -С. 98−105.
  177. И.К., Чумаченко Ю. В., Земсков С. В. Изучение летучести некоторых (5-дикетонатов меди (Н) // Коорд. химия. 1978. — Т. 4, Вып. 2. -С. 163−169.
  178. В.А., Чусова Т. П., Коковин Г. А. Анализ основных источников погрешностей мембранного измерения давления пара // Электронная техника. Сер. «Материалы». 1984. — Вып. 10 (195). — С. 49−51.
  179. Zelenina L.N., Titov V.A., Chusova Т.Р. et al. On the thermodynamic properties of Germanium-iodide compounds // J. Chem. Thermodyn. 2003. — Vol. 35. -P. 1601−1612.
  180. B.A., Коковин Г. А. Математические проблемы химии / Под ред. В. Д. Кудрина. Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1975. — С. 25−34.
  181. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V. et al. Thermodynamic of chromium acetylacetonate sublimation // Thermochimica Acta. 2005. — Vol. 432. -P. 91−98.
  182. В.М., Семянников П. П. Источник ионов и высокотемпературный источник молекулярного пучка к масс-спектрометру МИ-1201 // Приборы и техника эксперимента. 1991. -№ 4. — С. 129−132.
  183. А.Н., Коробов М. В., Журавлева J1.B. Масс-спектральные термодинамические исследования. М.: МГУ, 1985. 92 С.
  184. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V., Asanov I.P. In situ mass spectrometry during thermal CVD of the /ra-acetylacetinates of 3-d transition metal // Journal de Physique IV. 2001. — Vol. 11. — P. Pr3−995-Pr3−1003.
  185. A.c. Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы / А. Ф. Быков, Н. В. Гельфонд, С. В. Земсков, И. К. Игуменов, Г. Ким, И. Г. Ларионов, А. А. Никифоров, С. М. Царев (СССР). № 1 347 504- Заявлено 28.10.85- Опубл. 22.06.87.
  186. Igumenov I.K., Gelfond N.V., Galkin P. S. et al. Desalination. -2001. -N 136. -273 P.
  187. Morozova N.B., Zherikova K.V., Gelfond N.V. etal. Volatile Hafnium (IV) Precursors for Deposition of Hf02 Films by MOCVD // Abstracts of the 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, 2006. P. 13.
  188. Л.В., Кичай B.H., Смирнова Т. П., Шубин Ю. Н., Каичев В. В., Жерикова К. В., Морозова Н. Б., Игуменов И. К. Синтез и свойства тонких пленок НЮ2 // Неорганические материалы. 2005. — № 12. — С. 1−6.
  189. A.B., Свиташов K.K., Семененко А. И. и др. Принципы эллипсометрии / Под. ред. А. В. Ржанов. Новосибирск, Наука, 1970.
  190. Ayupov В.М. Determination of optical properties variation of silicon and glass surfaces after mechanical and plasma treatment by monochromatic ellipsometry // Optik. 1998.-Vol. 109, N4.-P. 145−149.
  191. Pinnavaia T.J., Fay R.C. Preparation and properties of some sixe- and seven-coordinate halo (acetylacetinato)complexes of zirconium (IV) and hafnium (IV) // Inorg. Chem. 1968. — Vol. 7, N.3. — P.502−508.
  192. Jardin M., Gao Y, Guery J., Jacoboni C. Chlorotris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-0,0')zirconium (IV) // Acta Cryst., Sect. C. 1995. — Vol. C51. -P. 2230−2232.
  193. Sievers R.E., Eisentraut K.J., Springer C.S. Volatile rare earth chelates of P-diketones // Lanthanide/actinide chemistry / Ed. Fields P.R., Moeller Т., Washington, American Chemical Society, 1967. P. 141−154.1. БЛАГОДАРНОСТИ
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?