Схема с общим эмиттером

Схема с общим эмиттером (ОЭ) представлена на рис. 1.11. Транзистор п-р-п в этой схеме работает так же, как и в схеме с ОБ. Заметим лишь, что общепринятое направление токов (от +?_к — источника напряжения), обозначенное на рис. 1.11, а, противоположно направлению движения электронов. Характерным признаком схемы с ОЭ является то, что нагрузка располагается в коллекторной цепи (рис. 1.11, б).

Рис. 1.11. Схема включения транзистора с общим эмиттером (а); типовое изображение в схемах (б).

Так же как и для схемы с ОБ, входным сигналом в этой схеме является напряжение между базой и эмиттером, а выходными величинами — коллекторный ток /_к и напряжение на нагрузке U_Bblx = /_к • R_u. Транзистор в схеме с ОЭ характеризуется коэффициентом передачи тока.

имеющим значения (3 = 10… 100, который связан с коэффициентом, а для схемы с ОБ соотношением:

Оценим значения коэффициентов усиления схемы с ОЭ (их обозначают индексом «Э»).

Выходным током, как и в схеме с ОБ, является ток /_к, протекающий по нагрузке, а входным током (в отличие от схемы с ОБ) — ток базы /_Г); коэффициент усиления по току схемы с ОЭ равен.

При, а = 0,98 К_/э = 0,98/(1 — 0,98) * 50, т. е. нескольким десяткам, что многократно превосходит аналогичный коэффициент у схемы с ОБ.

Входное сопротивление в схеме с ОЭ также значительно выше, чем в схеме с ОБ, так как в схеме с ОЭ входным током является ток базы, а в схеме с ОБ — во много раз больший ток эмиттера (а именно в 1/(1 — а) = «(3 раз):

Величина входного сопротивления в схеме с ОЭ больше, чем в схеме с ОБ в ~ (3 раз и составляет сотни ом.

Коэффициент усиления по напряжению в схеме с ОЭ соизмерим с таким же коэффициентом у схемы с ОБ:

По коэффициенту усиления по мощности схема с ОЭ за счет значительно большего коэффициента усиления по току также многократно превосходит схему с ОБ:

и зависит от коэффициента передачи тока |3 и отношения сопротивления нагрузки к входному сопротивлению.

Благодаря отмеченным свойствам, схема с ОЭ нашла очень широкое применение.