Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде
Диссертация
Большинство окислов прозрачны для излучения лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов длин волн, поэтому взаимодействие излучения с веществом носит характер глубинного взрыва, что сопровождается выносом макрочастиц на поверхность подложки. Предложен новый метод получения тонких пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. Сущность метода… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия (литературный обзор)
- 1. 1. Лазерная плазма, используемая для получения пленок
- 1. 2. Получение тонких и сверхтонких пленок из лазерной плазмы
- Глава 2. Экспериментальное оборудование для получения пленок и исследования их свойств
- 2. 1. Комплекс экспериментального оборудования для получения тонких пленок
- 2. 2. Методики исследования свойств пленок и многослойных структур
- Глава 3. Получение из лазерной плазмы пленок полупроводников группы AniBv
- 3. 1. Исследование влияния интенсивных импульсных потоков ионов на электрофизические свойства арсенида галлия
- 3. 2. Получение из эрозионной лазерной плазмы тонких слоев арсенида галлия
- Глава 4. Особенности роста пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически — активной газовой среде
- 4. 1. Получение из лазерной плазмы неориентированных пленок окислов
- 4. 2. Низкотемпературная эпитаксия диэлектриков при лазерном распылении материалов
- 4. 3. Свойства тонких пленок PbZri.* Tix Оз, полученных из лазерной плазмы
- Глава 5. Особенности роста высокотемпературных сверхпроводников из эрозионной лазерной плазмы в химически — активной газовой среде
- 5. 1. Исследование возможности получения пленок УВагСизОх из эрозионной лазерной плазмы
- 5. 2. Структурные исследования пленок УВагСизО* полученных из эрозионной лазерной плазмы
- 5. 3. Токонесущая способность сверхпроводящих плснокУВа^Си^О^, полученных из лазерной плазмы в слабых магнитных полях
- 5. 4. Некоторые проблемы получения однородных пленок YBCO для СВЧприменений
Список литературы
- Б.А. Осадин «Импульсное нанесение пленок» Обзоры по электронной технике Сер. З Микроэлектроника вып.4. 1976
- Ю.Ю. Фирцак, О. В. Лукша., П. А. Фенич и др. «Процессы роста пленок полупроводниковых веществ, осаждаемых из лазерной плазмы» в книге «Рост полупроводниковых кристаллов и пленок» Наука Сибирское отделение Новосибирск 1984
- Петросян В.И., Дагман Э.И Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск Наука, 1972, с. 136−193
- Петросян В.И., Васин О. И. и др. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Новосибирск Наука, 1977, с. 20−47
- Петросян В.И., Молин В. Н. и др. ЖЭТФ., 1974, т .66, с. 996−1004
- Петросян В.И., Молин В. Н. и др. ФММ, 1971, т. 31, с. 725−730
- Молин В.Н., Васин О. И., Скрипкина П. А. и др. ФТП., 1972, т. 6, вып. 8, с.1447−1451
- Бекетова З.П., Гапонов С. В., Салащенко Н. Н. и др. Изв. Вузов, Радиофизика, 1975, т. 18,№ 6,с 908−909
- Гапонов С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. и др. Письма ЖТФ, 1977, т.З, вып.12,с 573−576
- Гапонов С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. и др. ФТТ, 1977, т.19,вып.10,с 29 642 967
- Анисимов С.И., Бонч-Бруевич A.M. и др. ЖТФ, 1966, т.36,с. 1273−1284
- Анисимов С. И. Имас Ф.А., и др. Действие лазерного излучения большой мощности на металлы. М. Наука, 1970, с.272
- Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения М. Мир, 1974 с. 673
- Басов Н.Г., Крохин О. Н., Склизов Г. В. Труды ФИАН, 1970, т.52, с.171−236
- Бойко В.А., Крохин О. Н., Склизов Г. В. Труды ФИАН, 1974, т.76, с. 1986
- Афанасьев Ю.В., Крохин О. Н. Труды ФИАН, 1970, т.52, с.171−236
- Лучин В.И. Известия Вузов Радиофизика 1986, т.23,№ 2,с. 177−181
- Гапонов С.В., Салащенко Н. Н. Электронная техника, 1976, вып. 1 (49) с. 11 -20
- Немчинов И.В. ПММ, 1964, т.29,с.134−140
- Ахсахалян А.Д., Битюрин Ю. А., Гапонов С. В. и др. ЖТФ, т.52,вып8,с. 1584−1596
- Быковский Ю.А., Дегтяренко Н. Н., Елесин В. Ф. ЖТФ, 43,2540(1973)
- Puell Н., Neusser H.J. II Experiments-Z. Naturforsch., 1970, v.25a, p,1815−1822
- Добкин A.B., Немчинов И. В. Письма в ЖТФ, 1984, т.10,вып.23,с. 1426−1430
- Dyer Р.Е., Ransden S.A., J Phys. D: Appl. Phys. 1976, v/9, p.373−382
- Бойко B.A., Крохин O.H., Склизов Г. В. Труды ФИАН, 1974, т.76, с.186−228
- Агеев В.П., Горбунов А. А. и др. Известия АН СССР, сер. физическая, 1985, т.49,№ 4,с.732−73 727. «Исследование взаимодействия лазерной плазмы с конденсированными средами» Отчет Института Прикладной физики АН 1983 г. № гос. Регистрации 78 083 103
- Бекетова З.П., Гапонов С. В., Салащенко Н. Н. и др. Изв. Вузов, Радиофизика, 1975, т.28,№ 6,с 908−909
- Гапонов С.В., Салащенко Н. Н. Электронная промышленность, 1976,№ 1 с.11
- Быковский Ю.А., Дудоладов А. Г. и др. Письма ЖЭТФ, 1974,20, с 136
- Петросян В.И., Дагман Э. И. в кн. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок Новосибирск, Наука, 1972, с. 136
- Александров JI.H. Кинетика образования и структура твердых слоев Новосибирск, Наука, 1972 с. 130
- Равич Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. М. Физматгиз, 1963, с21
- Салащенко Н.Н., Звонков Б. Н. и др. ФТТ, 1975, т.17,№ 12, с3641−3643
- Салащенко Н.Н., Филатов О. Н. и др. ФТТ, 1975, т.17,№ 7, с2105
- Гапонов С.В. Салащенко Н.Н., Филатов О. Н в кн. Полупроводники с узкой зоной и полуметаллы. Материалы IV Всесоюзного симпозиума. Львов, 1975, с 136
- Звонков Б.Н., Салащенко Н. Н., Филатов О. Н. ФТТ, 21,1979 с. 1346
- Гапонов С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. Письма ЖТФ, 1979, с.516
- Гапонов С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. Письма ЖТФ, 1979, том 5, вып 9, с.516−521
- Гапонов С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. ФТП, 1979, т.14,вып.8. с1468−1472
- Гапонов С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. Письма ЖЭТФ, 1980, том 33, вып 10, с.533−537
- Gaponov S.V., Luskin В.М., Salashchenko N.N. Solid State Communication, vol39,1981,pp.301 -302
- Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М. Изд. Мир, 1972
- Воробьев Г. А., Мухачев В. А. Пробой тонких диэлектрических пленок. М. Сов. Радио 1977 г.
- Физические процссы в облученных полупроводниках. Под ред. Смирнова Л. С. Наука Новосибирск, 1977, с. 164
- Maby E.W. J. Appl.Phys. 1976, v.47, р 830
- Woodcock J.M., Shannon J.M. Solid State Electronics, 1975, v. 18, 3, p. 267
- Гаврилов Ф.Ф., Качурин Г. А. и др. ФТП, 1981, т. 10,№ 8, с. 1425
- Борисенко В.Е., Буйко Л. Д., Лабунов В. А. ФТП, 1981, т.15,№ 1, с. З
- Качурин Г. А., Ловигин Р. Н. и др. ФТП, 1981, т. 15, № 2, с.290
- Гапонов С.В., Стриковский М. Д. ЖТФ, 1982, т.52 ,№ 9, с.1838−1842
- Мейер Дж, Эриксон Л., Дэвис Дж., Ионное легирование полупроводников. М. Мир, 1977, с.296
- Физические процессы в облученных полупроводниках. Ред. Смирнов JI.C. Новосибирск. Наука, 1977, с. 164
- Ганина Н.В., Уфимцев В. Б., Фистуль В. И. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, № 10,с.620−622
- Глинчук К.Д., Заяц М. С., Прохорович А. В. ФТП, 1982, т. 16, в. 12, с. 2214−2216
- Гапонов С.В., Стриковский М. Д. Препринт № 134 ФИАН СССР, М. 1986 ФТП, 1984, № 10,
- Jtoh Т, Kushiro J. J. Appl. Phys., 1971, v.42 ., № 12, p 5120−5124
- Гапонов C.B., Стриковский М.Д. ФТП, 1984, № 10,
- Гапонов С.В., Лучин В. И. и др. Труды ГГУ «Химия и химическая технология» № 1,1975,с. 151−157
- Стенин С.И., Олыпанецкий Б. З. Материалы IV Всесоюзной школы-семинара поСфизике поверхности полупроводников. Ленинград, изд-во ЛГУ, 1979, с 120−139
- Гуляев Ю.В., Дворянкин В. Ф. и др. Квантовая электроника., 1979, т.6, № 1, с 5−24
- Shiota J., Matoya К., Ohmi Т. J. Elektrochem. Soc., 1977, v. l24, № 1, p. 155−157
- Adams A.C., Pruniauxs B.R. J. Elektrochem. Soc., 1973, v. l20, № 3, p. 408−414
- Кейси X., Панши H. Лазеры на гетероструктурах Москва, Мир, 1981, т 2
- Сегнетоэлектрики в технике СВЧ. Под редакцией О. Г. Вендика Москва, Сов. Радио, 1979ф 66. Чопра К. Л. Электрические явления в тонких пленках. Москва, Мир, 1972
- Мухотров В.М., Головко Ю. И. Письма в ЖТФ, 1979, 5, с.1177
- Томашпольский Ю.Я., Севастьянов М. А. Кристаллография, 1970, 23, с.401
- Томашпольский Ю.Я., Севастьянов М. А. Кристаллография, 1974, 19, с.1040
- Kubo Y., et. all Jap. J. of Appl. Phys., 1987, v.26,l l, p. L1888-L1891
- Абрамович Г. И. Прикладная газовая динамика. М. Наука, 1976
- Гапонов С.В., Гудков А. А., Фраерман А. А. ЖТФ, т. 52, с. 1834−1848
- Барьяхтар В.Г., Пан В.М. и др. Письма в ЖЭТФ 1987, т.64, с.168
- Прохоров В.Г., Танзей Г. А. и др. Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. Т.2 Свердловское изд. Ур. Отд. АНСССР, с. 162
- Herwiell М., Demenges В., et. all Phys. Rev. В. 1987, v.36,p3920
- Muller K.A., Takashige M. et. all Phys. Rev. Lett. 1987, v.58,pl 143
- Grabtree G.W., Lin J.Z. et. all Phys. Rev. B. 1987, v.36,p4021
- Gyorgy E.M., Grader G.S. et. all. Appl. Phys. Lett. 1988, v.52,p328
- Chaundhari P., Koch R.H. et all Phys. Rev. Lett. 1987, v.58,p2684
- Oh В., Naito M. et. all Appl. Phys. Lett. 1987, v.51,p852
- Ogalle S.B., Venkatesan et. all Phys. Rev. B. 1987, v.36,p7210
- Kupfer H., Apfelstend I. et. all Z.Phys. B. 1987, B.69,s.l59
- Matsushita Т., Ywakama M. et.all. Jap. J. Appl. Phys. 1987, v.26,p. LI 524
- Worthington Т.К., Gallagher W.J. et. all Phys. Rev. Lett. 1987, v.59,pl 160
- Iye Y., Tamegai T et. all Jap. J. Appl. Phys. 1987, v.26,p. L1850
- Umezawa A., Grabtree G.W. et. all Phisica С v.153. p.1461
- Карцовник M.B., Ларкин B.A. и др. Письма в ЖЭТФ 1988, т.47, с.595
- Duiker Н.М., Beale P.D., et. al. J. Appl. Phys. 1990, v.68,p. 5783−5791
- Ramesh R., Chan W.K., et.al. Integrated Ferroeletrics, 1992, v. l, 1, p. 1−15
- Ramesh R., Dutta В., et.al. Appl. Phys. Lett. 1994, v.64,pl588−1590
- Dat R., Auciello O., et.al. Appl. Phys. Lett. 1994, v.64,p2673−2678
- Пальгуев С.В., Гильдерман В. К. и др. Высокотемпературные оксидные электронные проводники для электрохимических устройств. М. Наука, 1990.C.190
- Wellstood F.C., Kingston J.J. et.al. J. Appl. Phys. 1994, v.75,p. 683−700
- Nassau K., Miller A.E. et. al J. Growth. 1988.v.91.p.373−381
- Хартон B.B., Жук П.П. и др. Ионика твердого телаю Екатеринбург, УИФ, Наука, 1993, с.3−13
- Grabowski K.S., Horwitz J.S. et.al. Ferroeletrics, 1991, v. l 16 «p.19−33
- Ярмаркин B.K., Зайцева H.B. и др. ФТТ, 1995, т.37,с.324
- Vorotilov К.A., Vanovskaja M.I., et.al. Int. Ferroeletrics, 1993, v.3, p.33
- Свойства неорганических материалов. Справочник. Под ред. Ефимова и др. Химия, 1983, с.392
- Terada N., Thara Н. et. Al» Jap. J. Appl. Phys. 1998, v. 27(4). P. L639-L642
- Sakuta K., Iuori M. et. al., Jap. J. Appl. Phys. 1990, v. 29(4). P. L611-L613.
- Al. С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, М. И. Хейфец. Лазерное напыление пленок в активной среде. Письма в ЖТФ, вып.13, 1977.С.632−635
- А2. С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, М. И. Хейфец. Низкотемпературная эпитаксия пленок диэлектриков. Письма в ЖТФ, т.5,вып.8, 1979.С.472−475
- A3. С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, В. В. Кропотин. Исследование режимов образования из лазерной плазмы пленок сегнетоэлектриков и высокотемпературных окислов. Известия АН СССР сер. Физическая, т.44, № 10,1980. с. 2097−2100
- А4. А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, Б. М. Лускин, В. И. Лучин. Особенности ориентированного роста пленок из эрозионной лазерной плазмы. В сб. Применение лазеров в резистостроении. 198I.e.5−18
- А5. С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия. Электронная промышленность.№ 5−6,1981.с110−115
- А6. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. Действие мощных импульсных потоков ионов малой энергии на GaAs. ФТП, 1984, т.18,в.10×1743−1745
- А7. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. GaAs compensation by intense fluxes of low-energy particles. Solid State Comm.1983.v.45,№ 12,p.997−999
- А9. Б. А. Володин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, Б. А. Нестеров, Н. Н. Салащенко. Влияние импульсного нагрева подложек на ориентированный рост пленок при лазерном напылении. ФТП, 1981, т.15,в.6.с.53−55
- А10. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, JI.A. Суслов. Структурные и диэлектрические свойства пленок PZT, полученных методом лазерного распыления. ЖТФ, т.64,в. 10,1994,с. 185−188
- А11. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Свойства тонких пленок PbZrixTix03, полученных методом лазерного распыления. Известия АН СССР сер. Физическая, т.61, № 2,1997. с. 372−374
- А12. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Свойства тонких ^ пленок Lao 5Sro.5Co03, полученных методом лазерного распыления. Неорганическиематериалы. 1997, т. ЗЗ, № 6,с.765−768
- А13. В. Я. Шур. С. Д. Макаров, Н. Ю. Пономарев, В. В. Волегов, Н. А. Тонкачева, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата-титаната свинца. ФТТ, 1996, Т.38, № 6,с. 1889−1895
- А14. В. Я. Шур. С. Д. Макаров, Н. Ю. Пономарев, Е. В. Николаева, Е. И. Шишкин, Н. А. Тонкачева, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, Л. А. Суслов. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца. ФТТ, 1997, Т.39,№ 4,с.694−696я
- А15. V.Ya. Shur, S.D. Makarov, N.Yu. Ponomarev, V.V. Volegov, N.A. Tonkachyova, L.A. Suslov, N.N. Salashchenko, E.B. Kluenkov. Switching kinetics in epitaial PZT thin films. Microelectronic engineering. 29 (1995) 153−157
- A16. V. Trtik, M. Jelinek and E.B. Kluenkov. A study of laser-deposited PZT, PLZT, PMN and YBCO thin films. J. Phys. D. Appl. Phys. 27 (1994) 1544−1547
- A17. С. В. Гапонов, Г. Г. Каминский, Е. Б. Клюенков, Д. В. Кузин, В. М. Пан, М. Д. Стриковский и др. Токонесущая способность сверхпроводящих пленок УВа2Си3075 в сильных магнитных полях. ЖЭТФ, т.95,вып.6,1989,с.2191−2199.
- А18. О. Р. Байдаков, В. Н. Голубев, В. А. Ермаков, Е. Б. Клюенков. Получение тонких сверхпроводящих пленок Tl-Ba-Ca-Cu-O. Письма в ЖТФ, т.17, вып.6, 1991, с.61−64
- А20. С. В. Гапонов, Ф. В. Гарин, В. Н. Голубев, М. В. Калягин, Е. Б. Клюенков, В. А. Косыев, А. В. Кочемасов, М. Д. Стриковский. Вольтамперная характеристика и критические токи в слабых магнитных полях в УВагСизСЬ-б • ЖЭТФ, 1989, т.95, в. З, с.1086−1091.
- А21. С. В. Гапонов, Г. Г. Каминский, Е. Б. Клюенков, Д. В. Кузин, В. М. Пан, А. Г. Прохоров, М. Д. Стриковский. A current-carrying capacity of superconducting YBa2Cu3075 films in strong magnetic fields. Sov. Phys. JETP. 1989. v.68(6). P.1266−1270
- A22. В. А. Воронин, И. А. Годованик, В. Н. Голубев, М. Н. Дроздов, А. Ю. Климов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко. Эпитаксиальные УВа2Си307−5 РгВа2Сиз07. й структуры. Письма в ЖТФ, т.17, вып. 16, 1991, с.22−25
- А23. М. Jelinek, Е. Kluenkov, L. Jastrabik, L. Maso. Laser deposited YBCO thin films. Czeckoslovac Journal of Physics, vol.43, № 6, 1993, p. 1−9
- A24. Б. А. Володин, A.K. Воробьев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Ю. Н. Ноздрин, А. И. Сперанский, В. В. Таланов. YBCO- тонкие пленки большого размера для СВЧ применений. Письма в ЖТФ., т.21, в. 16, 1995, с.90−95
- А26. A.JI. Васильев, С. В. Гапонов, С. А. Гусев, Н. А. Киселев, Е. Б. Клюенков, А. В. Кочемасов, М. Д. Стриковский. High resolution electron microscopy of superconducting films YBa2Cu307−5. Inst. Phys. Conf. Ser. 1988., v.2, № 93, Chapter 6, p. 223−229
- A27. С. В. Гапонов, H.B. Ильин, М. А. Калягин, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский, J1.M. Фишер. Анизатропия магнитных и электрических свойств тонких сверхпроводящих пленок YBa2Cu307-s • Письма в ЖЭТФ, т.48, вып. 3, с. 155−158
- А28. A. Basovich, S. Gaponov, E. Kluenkov, P. Kolokolchikov, U. Kudasov, V. Platonov et.al. Measurements of upper critical field and magnetic field dependence of the microwave Щ, resistance of YBCO thin film. Phisics Letters A 163, 1992, p. 322−325
- A29. A.A. Gorbunov, W. Pompe, S.V. Gaponov, A.D. Akhsakhalyan, E.B. Kluenkov, N.N. Salaschenko et.al. Ultrathin film deposition by laser ablation using crossed beams. Applied Surface Science 96−98(1996) p.949−955
- A30. S.V. Gaponov, M.D. Strikovsky, E.B. Kluenkov, J. Schubert and C. Copetti. Crossed fluxes technigue for pulsed laser deposition of smooth YBa2Cu307-g films and multilayers. Appl. Phys. Lett. 63(8), 1993, p. l 146−1148
- A31. S. Gaponov, J. Gavrilov, M. Jelinek, E. Kluenkov, L. Maso. YBCO and Zr02 laser deposition on sapphire using two crossed laser beams. Supercond. Sci. Technol. 5(1992), p.645−647
- A32 C.B. Гапонов, B.H. Голубев, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин, Н. Н. Салащенко, М. Д. Стриковский. Авторское свидетельство СССР, № 284 235 от 28.12.87.
- АЗЗ. R.K. Belov, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et. al. Thin film on sapphire up to 2-inch diameter for microwave application. IEEE on Trans. On Appl. Superconduct. Vol.5, n.2, pp. 1797−1800, 1995
- A34. A.K. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et.al. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Supercond. Sci. Technol. 9. (1996) A166-A169
- A35. P.K. Белов, A.B. Варганов, Б. А. Володин, A.K. Воробьев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков и др. Эпитаксиальные пленки УВа2Си307^на сапфире для СВЧ применения. Письма в ЖТФ, т.20, вып. 11, с. 1 -5, 1994
- А36. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин,
- Д.В. Мастеров. Влияние десорбции на формирование состава тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников при магнетронном напылении" Письма в ЖТФ, т.24, вып. 24, с. 13−17, 1998.
- А37. M.N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, V.I. Luchin, D.V. Masterov, S.K. Saykov, A.K. Vorobiev. «Y-Ba-Cu-0 Thin Films Composition Formation during Magnetron Sputtering». IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 9, № 2, p. 2371−2374, 1999.
- А38. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Д. В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника YФ
- Ва-Cu-O при ионном распылении. ФТТ, т. 42, вып. 4, с. 589−594, 2000.
- А39. Б. А. Володин, А. К. Воробьев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Ю. Н. Ноздрин и др. YBCO- тонкие пленки большого размера для СВЧ- применений. Письма в ЖТФ, т.21, вып. 16, с.90−93, 1995
- А43. А.К. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et.al. Surface morphology, microstructure and electrical properties of YBCO thin films. IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 7, № 2, p. 1642−1645, 1997.
- A44. Yu.N. Drozdov, A.S.Melnikov, I.D. Tokman, E.B. Kluenkov, A.K. Vorobiev et.al.
- Experimental investigation of a local mixed state induced by a small ferroparticle in YBaCuO films. IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 9, № 2, p. 1602−1605, 1999.
- A45. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, С. А. Гусев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин. Влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников, полученных магнетронным распылением. Письма в ЖТФ, № 4, с.80−85, 1998
- А46. А. К. Воробьев, Н. В. Востоков, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, В. Л. Миронов. Исследование неоднородностей в тонких пленках высокотемпературныхсверхпроводников методами сканирующей зондовой микроскопии. Письма в ЖТФ, т. 25, № 4, с.68−73, 1999
- A48. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Д. В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-0 при ионном распылении. ФТТ, том 42, вып. 4, с.589−594, 200 041. Тезисы докладов
- Т4. Е. Б. Клюенков, В. В. Кропотин, Низкотемпературная эпитаксия сегнетоэлектрических пленок, образованных из лазерной плазмы. Тезисы докладов 2 «6 Всесоюзной конференции «Оптика лазеров». Ленинград, 1980.
- Т5. С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков. Исследование режимов образования и свойства пленок высокотемпературных окислов, используемых для покрытий силовой оптики. Тезисы докладов 2 Всесоюзной конференции «Оптика лазеров». Ленинград, 1980.
- Т7. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, Б. М. Лускин, Н. Н. Салащенко. Взаимодействие эрозионной лазерной плазмы с поверхностью твердого тела и получение пленочных структур. Международный симпозиум «Оптика 80». Будапешт1980.
- Т8. Ю. А. Битюрин, З. П. Бекетова, Е. Б. Клюенков, М. И. Хейфец Получение пленок сложных окислов методом лазерного напыления. Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Актуальные проблеммы получения и применения сегнетоэлектрических материалов» Москва, 1979
- Т9. Ю. А. Битюрин, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин, В. Л. Миронов. Лазерный отжиг многослойных гетероэпитаксиальных пленочных структур. Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1981
- Т11. С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский, С. А. Чурин. Исследование особенностей эпитаксии GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982
- Т12. Ю. А. Битюрин, Е. Б. Клюенков. Получение пленок сложных окислов методом лазерного напыления. Материалы итоговой научной конференции ГГУ за 1981. У11, 1982, № 3425−82
- Т13. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. О возможности управления концентрацией и подвижностью носителей тока в приповерхностных слоях
- GaAs. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982.
- Т14. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, J1.A. Суслов. Свойства тонких пленок PZT, полученных методом лазерного напыления. Тезисы докладов 14 Всесроссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Иваново, 1995.
- Т15. V.Ya. Shur, S.D. Makarov, V.V. Volegov, L.A. Suslov, N.N. Salashchenko, E.B. Kluenkov. Polarization reversal in epitaxial ferroelectric thin films. Abstracts of materials research Society. Spring Meeting San Fracisco, CA, 1994.
- T16. Е. Б. Клюенков, С. А. Чурин, Л. П. Черненко. Получение из эрозионной лазерной пламы сверхтонких слоев Nb и исследование их свойств. Сообщения Объедененного института ядерных исследований. Дубна, 1993.
- Т17. R.K. Belov, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, A.Yu. Klimov, Yu.N. Nozdrin, E.B. Kluenkov et. al. Thin film on sapphire up to 2-inch diameter for microwave application.
- Presented at 1994 Applied Superconductivity Conference, Boston, USA, 1994.
- T18. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, V.V. Talanov. V.A. Volodin. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Presented at 5th International Superconductivity Electronic Conference. 1995., Nagoya, Japan
- T19. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, Yu.N. Nozdrin, E.B. Kluenkov, a.K. Vorobyev. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Presented at 1996 Applied Superconductivity Conference, Pittsburgh, USA, 1996.
- T21. A. Basovich, S. Gaponov, E. Kluenkov et.al. Study of laser deposited YBCO-ZrO-sapphire layers and interfaces. 12 International Vacuum Congress (IVC-12), The Hague, The Netherlands, 1992
- T22. S. Gaponov, J. Gavrilov, M. Jelinek, E. Kluenkov, L. Maso et.al.. YBCO-ZrO-sapphire laser deposition. 12th General. Conf. Of the Condenced Matter Division of the E.P.S., 1992, Prague.
- Т23. S. Gaponov, I. Godovanik, M. Jelinek, E. Kluenkov, A. Klimov, L. Maso et.al. The problems of multilevel circuit fabrication. 6 Trilateral German-Russian-Ukranian Seminar on ф HTSC Dubna, Russia, 1993
- T25. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, A.K. Vorobyev, D.V. Masterov. YBCO thin films compothition formation during magnetron sputtering. Presented at 1998 Applied Superconductivity Conference, Palm Desert, California, USA, 1998.
- T27. A.K. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov et.al.