Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Ядерные спиновые эффекты в полупроводниковых квантовых точках при оптическом возбуждении

Диссертация: Ядерные спиновые эффекты в полупроводниковых квантовых точках при оптическом возбуждении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для успешного использования КТ в качестве д-бита необходимо большое время когерентности электрона. Увеличить время когерентности можно путем создания конфигурации ядерной системы с узким распределением спиновых состояний. Другим способом уменьшения флуктуаций ядерного спина является выстраивание моментов ядер в одном направлении. В этом случае требуется создание большой степени ядерной… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Ядерная спиновая система в твердом теле
      • 1. 1. 1. Физические взаимодействия в системе ядерных спинов
      • 1. 1. 2. Электронно-ядерные взаимодействия
      • 1. 1. 3. Динамическая ядерная поляризация
      • 1. 1. 4. Релаксация ядерной поляризации
    • 1. 2. Спиновые состояния электронов и дырок в квантовых точках
      • 1. 2. 1. Полупроводниковые квантовые точки
      • 1. 2. 2. Энергетический спектр состояний в квантовых точках с различным зарядом
    • 1. 3. Эффекты сверхтонкого взаимодействия электронов и ядер в полупроводниковых квантовых точках
      • 1. 3. 1. Оптическая накачка и детектирование ядерной поляризации в квантовых точках
      • 1. 3. 2. Влияние сверхтонкого взаимодействия электронов и ядер на спиновую релаксацию электронов в квантовых точках
  • 2. Образцы и методика эксперимента
    • 2. 1. Структуры с квантовыми точками 1пР/Са1пР
    • 2. 2. Структуры с квантовыми точками СаАв/АЮаАб
    • 2. 3. Спектроскопия фотолюминесценции
    • 2. 4. Резонансная спектроскопия квантовых точек
  • 3. Эффект Оверхаузера в одиночных квантовых точках 1пР/Са1пР
    • 3. 1. Характеризация экситонных состояний в квантовых точках 1пР/Са1пР
    • 3. 2. Оптическая накачка ядерной спиновой поляризации в квантовых точках 1пР/Са1пР с различными зарядовыми состояниями
    • 3. 3. Обратная связь в системе электронных и ядерных спинов в квантовых точках 1пР/Са1пР
    • 3. 4. Выводы
  • 4. Ядерная спиновая поляризация в квантовых точках 1пР/Са1пР при резонансном оптическом возбуждении
    • 4. 1. Общие свойства отклика ядерной спиновой поляризации на резонансное оптическое возбуждение экситонных переходов в квантовых точках 1пР/Са1пР
    • 4. 2. Эффект Оверхаузера и оптический «солид-эффект» при резонансном возбуждении квантовых точкек 1пР/Са1пР
    • 4. 3. Теоретическая модель
    • 4. 4. Сравнение расчетов с экспериментом
    • 4. 5. Насыщение степени поляризации ядерных спинов при резонансной накачке
    • 4. 6. Выводы
  • 5. Динамика ядерной спиновой поляризации в квантовых точках 99 5.1. Динамика ядерной спиновой поляризации при оптическом возбуждении (динамика выстраивания) в квантовых точках
    • 5. 2. Методика измерения динамики ядерной спиновой поляризации в темноте (динамики затухания) в одиночных квантовых точках
    • 5. 3. Динамика затухания ядерной спиновой поляризации в квантовых точках СаАэ/АЮаАв
    • 5. 4. Динамика затухания ядерной спиновой поляризации в квантовых точках 1пР/Са1пР
    • 5. 5. Подавление ядерной спиновой диффузии в полупроводниковых КТ (сравнение динамики затухания ядерной поляризации в различных материалах)
    • 5. 6. Выводы

Ядерные спиновые эффекты в полупроводниковых квантовых точках при оптическом возбуждении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Основным направлением развития современных вычислительных систем является уменьшение физических размеров логических элементов. Начиная с 60-х годов XX века в качестве основного элемента в вычислительной технике используется кремниевый полупроводниковый транзистор. Последовательное уменьшение размеров полупроводниковых интегральных схем привело к небывалому росту производительности компьютеров. Однако, миниатюризация полупроводниковых схем не может быть безграничной. Основой работы транзисторных логических вентилей и ячеек памяти является коммутация электрического тока — направленного движения макроскопически большого числа электронов. Уменьшение величины тока ограничено дробовым шумом, связанным с дискретной природой носителей. Кроме того, увеличение плотности элементов, а значит, и плотности тока, связано с еще одной проблемой — с увеличением тепловыделения.

Приближение к пределу миниатюризации кремниевой микроэлектроники заставляет исследователей обратится к принципиально новым подходам в создании информационных систем. Наибольший интерес представляет возможность создания квантового компьютера с использованием в качестве базового логического элемента двухуровневой квантовой системы (так называемого д-бита) [1−4]. В качестве возможных физических реализаций д-бита были предложены такие системы как, одиночные ионы, которые могут находиться в возбужденном или основном состоянии [5], или спины одиночных частиц, таких, как например, электроны или ядра [2,4,6]. Необходимым свойством для q-6шa. является его изоляции от взаимодействия с окружением на достаточно длинное время, в течение которого выполняются логические операции. С этой точки зрения хорошими кандидатами на роль я-бита являются спины одиночных ядер, помещенных в матрицу материала с нулевым спином: примеси атомов кремния 2981 [7, 8] или фосфора 31Р [2,9] в кремнии 2881, атомы азота в молекулах N (c)060 [Ю] и атомы углерода 13С в алмазе [6,11−13]. В частности, в недавних работах было продемонстрирована возможность контролировать спин одиночного ядра 13С, взаимодействующего с одиночным электроном, локализованным на примесном центре в алмазе. Время когерентности такого д-бита при комнатной температуре достигает сотен микросекунд [6,11]. Однако, перечисленные выше системы обладают существенным недостатком, а именно, невозможностью масштабирования.

Ш-У полупроводники широко используются в сложных электронных и оптоэлектронных устройств с малыми топологическими размерами. Наиболее перспективным объектом для реализации q-битa на их основе является квантовая точка [14]. Квантовой точкой (КТ) называется область полупроводника размерами порядка 10−100 нм ограниченная в трех измерениях и имеющая меньший электростатический потенциал, чем окружающий материал. Такая потенциальная яма может быть образована или благодаря различию ширин запрещенных зон материалов КТ и окружения (нанокристаллы в матрице более широкозонного полупроводника [15, 16]) или вследствие совместного эффекта разницы ширин запрещенных зон и электрического поля (квантовые точки в двумерном электронном газе [17−19]). Из-за трехмерной локализации заряд (электрон проводимости или дырка в валентной зоне), находящийся в КТ, имеет дискретный энергетический спектр, что позволяет рассматривать его спиновые состояния как основу для реализации элементарной ячейки памяти или логического элемента (я-бита). В связи с этим большой интерес представляет изучение механизмов, приводящих к дефазировки и релаксации спинов электронов и дырок.

Во всех Ш-У полупроводниках ядра атомов имеют отличные от нуля ядерные спины. Несмотря на свою малость, магнитное взаимодействие между спинами ядер и спином заряда (сверхтонкое взаимодействие) оказывает существенное влияние на спиновую динамику локализованных в КТ носителей. Типичная квантовая точка состоит из 104-^106 ядер, а потому их суммарный спин представляет собой макроскопическую величину. Флуктуации полного ядерного спина, действующего как эффективное магнитное поле, приводят к спиновой релаксации зарядов в КТ. Как было показано в работах [20,21], сверхтонкое взаимодействие является доминирующим фактором, определяющим максимально возможное время когерентности спина электрона в квантовой точке мкс.

Для успешного использования КТ в качестве д-бита необходимо большое время когерентности электрона. Увеличить время когерентности можно путем создания конфигурации ядерной системы с узким распределением спиновых состояний [22−25]. Другим способом уменьшения флуктуаций ядерного спина является выстраивание моментов ядер в одном направлении [26]. В этом случае требуется создание большой степени ядерной поляризации (>99%) [25], тогда как до настоящего времени в квантовых точках удалось достичь степени поляризации ядер лишь ~60% [27−30]. Помимо поиска способа манипуляции ядерной системой, обеспечивающей большие времена когерентности электрона, необходимо выяснение условий, при которых требуемая конфигурация ядерной системы могла бы сохраняться в течение продолжительного времени. В связи с этим особый интерес представляет исследование процессов релаксации ядерного спина в полупроводниковых КТ. Кроме того, выяснение условий при которых ядерная поляризация в нано-размерном объеме квантовой точки может быть заморожена на длительное время, представляет отдельный интерес, как модель запоминающего устройства, позволяющего реализовать высокую плотность хранения информации.

Целью настоящей диссертационной работы является экспериментальное исследование процессов накачки ядерной поляризации в Ш-У полупроводниковых наноструктурах прр! резонансном и нерезонансном оптическом возбуждении, а также изучение динамики ее релаксации.

Научную новизну работы составляют следующие результаты, выносимые на защиту:

1. Экспериментально исследовано возникновение ядерной поляризации в одиночных квантовых точках 1пР/Са1пР с различным зарядом в широком диапазоне магнитных полей при нерезонансиом оптическом возбуждении. Найдено, что при возбуждении циркулярно поляризованным светом ядерная поляризация в КТ возникает за счет двух механизмов: сверхтонкого взаимодействия ядер (1) с поляризованными электронами в основном состоянии непосредственно в КТ, и (11) с делокализованными электронами в смачивающем слое. Первый механизм эффективен в однократно заряженных КТ, причем накачка ядерного спина в положительно заряженных точках происходит в результате взаимодействия ядер с фотовозбужденным электроном, а в отрицательно заряженных КТ — с резидентным электроном, остающимся после рекомбинации фотовозбужденной электрон-дырочной пары в КТ.

2. Показано, что эффективность динамической ядерной поляризации при нерезонансном оптическом возбуждении в КТ 1пР/Оа1пР зависит от степени компенсации внешнего поля ядерным полем. Эта зависимость приводит к сильной положительной обратной связи в заряженных точках в диапазоне внешних полей О. З-т-1 Тл, что позволяет реализовать 50% степень поляризации ядер в КТ. Найдено, что в этих условиях система электронных и ядерных спинов демонстрирует бистабильное поведение. В отрицательно заряженных КТ в состоянии с большой ядерной поляризацией наблюдается ускорение релаксации спина резидентного электрона, приводящее к изменению степени циркулярной поляризации излучения КТ на ~7%.

3. Показано, что в положительно заряженных КТ 1пР/Оа1пР ядерная поляризация при резонансном оптическом возбуждении возникает в результате двух различных циклических процессов, начинающихся, соответственно, с возбуждения разрешенного оптического перехода (аналог классического эффекта Оверхаузера) или дипольно запрещенного перехода (аналог «солид-эффекта»). Найдено, что при больших плотностях возбуждения накачка ядерной поляризации через запрещенный переход более эффективна, как в ненулевом, так и в нулевом магнитном поле. Эффект объяснен в рамках теоретической модели, основанной на решении оптических уравнений Блоха, как результат малой вероятности одновременного переворота спинов ядра и электрона, приводящей к ограничению эффективности процесса, связанного с возбуждением разрешенного перехода, но несущественной для «оптического солид-эффекта» .

4. Экспериментально найдено, что при увеличении интенсивности резонансной оптической накачкрт запрещенного перехода в положительно заряженной КТ 1пР/Са1пР происходит насыщение степени поляризации ядер на уровне 65%, практически не зависящем от внешнего магнитного поля. Установлено, что такое насыщение достигается значительно раньше насыщения накачки трионов в КТ через запрещенный переход. Оно также не может быть связано с малой скоростью дырочной спиновой релаксации в КТ. Полученная максимальная степень ядерной поляризации совпадает с найденной ранее в экспериментах по нерезонансной оптической накачке в КТ в других 111-У полупроводниках [27−30].

5. Динамика релаксации ядерных спинов в квантовой яме (КЯ) ОаА8/А1о.ззОао.б7А5 исследована с номощыо время-разрешенного детектирования Оверхаузеровского сдвига в КТ, образованной флуктуациями толщины ямы. Найдено, что время затухания пространственно неоднородной ядерной спиновой поляризации составляет «60 с, а основным механизмом релаксации является спиновая диффузия. Коэффициент спиновой диффузии из КЯ в15 раз меньше, чем в объемном СаАв, что объясняется суммарным влиянием квадрупольного эффекта, вызванного деформациямрт и понижением симметрии на гетерогранице, и увеличенного расстояния между ядрами галлия в барьере Alo.33Gao.e7As.

6. Исследована динамика релаксации ядерной поляризации в самоорганизованных квантовых точках 1пР/Са1пР с различным зарядом. Найдено, что время затухания ядерной поляризации в КТ в одном и том же образце изменяется от точки к точке в пределах от 100 с до 6000 с. Наибольшие времена «6000 с, наблюдаемые в отрицательно заряженных точках, свидетельствуют о практически полном подавлении спиновой диффузии из КТ. Механизм подавления диффузии не может быть описан одним лишь влиянием квадрупольных эффектов, предложенных ранее для объяснения медленной ядерной динамики в КТ ТпСаАв/СаАз [31], и может быть обусловлен влиянием неоднородного найтовского поля электрона [32]. В некоторых КТ наблюдается большой разброс значений ядерного поля, детектируемых после достаточно длительной задержки. Стохастический характер регистрируемых величин ядерного поля свидетельствует о включении быстрой релаксации ядерной сниновой поляризации в КТ через спиновую диффузию при случайной перезарядке КТ.

Результаты автора отражены в работах [30,33,34].

Диссертация построена следующим образом.

В главе 1 дан обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных основным свойствам ядерной спиновой системы и эффектам сверхтонкого взаимодействия спинов ядер и электронов в твердом теле. Изложены основные результаты работ, посвященных спиновым свойствам носителей в квантовых точках. В главе 2 дано описание экспериментальной техники и образцов, использованных в исследованиях. В 3-й главе приведены результаты экспериментального исследования поляризации ядерных спинов в самоорганизованных квантовых точках 1пР/Са1пР оптическими методами. С помощью измерений магнитофотолюминесценции идентифицированы нейтральные и однократно заряженные индивидуальные КТ, и подробно исследована зависимость стационарной ядерной поляризации при нерезонансном возбуждении циркулярно поляризованным светом от интенсивности накачки и величины внешнего магнитного поля в квантовых точках с различным зарядом. В главе 4 представлены результаты измерений ядерной поляризации при селективном резонансном возбуждении положительно заряженных квантовых точек 1пР/Оа1пР. Предложена теоретическая модель, основанная на решении оптических уравнений Блоха, в рамках которой описаны экспериментальные результаты. Обсуждаются механизмы динамической ядерной поляризации и возможные причины ее насыщения. В 5-й главе обсуждаются результаты исследования динамики релаксации ядерной спиновой поляризации в квантовых точках СаАз/АЮаАв и 1пР/Са1пР. Рассмотрены механизмы подавления спиновой диффузии, приводящие к замедлению ядерной спиновой релаксации в КТ 1пР/Са1пР. И, наконец, в Заключении кратко сформулированы основные результаты исследований, выполненных в данной работе.

Выводы полученные в отдельных разделах диссертации подробно изложены в конце соответствующих глав. Ниже приведены основные результаты:

1. Экспериментально исследованы спектры люминесценции одиночных квантовых точек 1пР/Са1пР с различным зарядом. Определена величина электрон-дырочного обменного взаимодействия и g-фaктopы носителей в КТ. Измерено время релаксации спина электрона в КТ в нулевом магнитном поле.

2. Исследовано возникновение ядерной поляризации при нерезонансном оптическом возбуждении в одиночных КТ 1пР/Са1пР с различным зарядом. Найдено, что накачка ядерного сгшна поляризованными электронами, локализованными в основном состоянии непосредственно в КТ, эффективна лишь в однократно заряженных точках. В нейтральных КТ динамическая ядерная поляризация возможна лишь за счет взаимодействия с делокализованными поляризованными электронами в смачивающем слое.

3. Показано, что сильная обратная связь в системе электронных и ядерных спинов в КТ 1пР/Са1пР, возникающая при нерезонансном оптическом возбуждении а+ поляризованным светом в диапазоне магнитных полей О. З-г-1 Тл, приводит к бистабильности ядерной поляризации. В этих условиях может быть достигнута ~50% степень поляризации ядер.

4. Компенсация зеемановского расщепления электрона эффективным ядерным полем в состоянии с большой ядерной поляризацией в режиме ядерной спиновой бистабильности приводит к ускорению релаксации электронного спина, что в случае отрицательно заряженных точек позволяет детектировать переход ядерной спиновой системы между двумя устойчивыми состояниями по изменению степени циркулярной поляризации излучения КТ.

5. Для экспериментального исследования ядерной поляризации в положительно заряженных квантовых точках 1пР/Са1пР при резонансном оптическом возбуждении предложена методика «резонансная накачка/нерезонансное тестирование» .

6. Обнаружена эффективная динамическая ядерная поляризация при оптическом возбуждении дипольно запрещенных экситонных переходов в КТ.

7. Предложена теоретическая модель, обосновывающая существование двух различных механизмов резонансной оптической накачки ядерного спина: 1) процесса, связанного с возбуждением разрешенного оптического перехода (аналог классического эффекта Оверхаузера), и 2) процесса, связанного с возбуждением дипольно запрещенного перехода (аналог солид-эффекта). Высокая эффективность «оптического солид-эффекта» объяснена отсутствием характерного для эффекта Оверхаузера ограничения, связанного с малой вероятностью одновременного переворота спинов ядра и электрона.

8. Найдено, что с ростом интенсивности резонансного возбуждения степень поляризации ядер в положительно заряженной КТ 1пР/Са1пР насыщается на уровне ~65%, сравнимом с наибольшей степенью, полученной в предыдущих работах в КТ в различных полупроводниках. Показано, что насыщение ядерной поляризации иа уровне, значительно меньшем 100%, не связано ни с насыщением запрещенного перехода, ни с малой скоростью дырочной спиновой релаксации.

9. Найдено, что доминирующим механизмом ядерной спиновой релаксации в квантовых ямах GaAsZAlo.33Gao.67As является спиновая диффузия. Коэффициент диффузии из КЯ в ~15 раз меньше, чем в объемном ОаАэ, что связано с подавлением диффузии на гетерогранице из-за квадруполь-ных эффектов и увеличения расстояния между идентичными ядрами.

10. Показано, что времена ядерной спиновой релаксации в различных КТ 1пР/Са1пР в одном и том же образце лежат в пределах от 100 с до 6000 с. Время релаксации в отрицательно заряженных КТ, достигающее 6000 с, сравнимо с временем релаксации в объемном 1пР, что свидетельствует о практически полном подавлении диффузии. Замораживание ядерной спиновой поляризации объяснено эффектом неоднородного най-товского поля электрона, локализованного в КТ.

В заключение, автор хочет выразить благодарность своему научному руководителю В. Д. Кулаковскому за организацию исследовательской работы и обсуждение полученных результатов. Также хочу поблагодарить сотрудников ИФТТ РАН А. В. Горбунова и А. В. Ларионова за помощь в освоении экспериментальных методик и практические советы.

Работа была выполнена в тесном сотрудничестве с группой низкоразмерных полупроводниковых устройств (1Л38Б) под руководством профессора М. С. Школьника (М. Б. ЗкоИпск) в Университе в городе Шеффилд (Великобритания). Хочу поблагодарить А. И. Тартаковского приложившего значительные усилия для организации данного сотрудничиства и М. Н. Махонина за помощь в экспериментальной работе.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. S. Lloyd, «A Potentially Realizable Quantum Computer», Science 261, 1569 (1993).
  2. B. E. Kane, «A silicon-based nuclear spin quantum computer», Nature 393, 133 (1998).
  3. N. A. Gershenfeld and I. L. Chuang, «Bulk Spin-Resonance Quantum Computation», Science 275, 350 (1997).
  4. D. Loss and D. P. DiVincenzo, «Quantum computation with quantum dots», Phys. Rev. A 57, 120 (1998).
  5. J. I. Cirac and P. Zoller, «Quantum Computations with Cold Trapped Ions», Phys. Rev. Lett. 74, 4091 (1995).
  6. M. V. G. Dutt, L. Childress, L. Jiang, E. Togan, J. Maze, F. Jelezko, A. S. Zibrov, P. R. Hemmer, and M. D. Lukin, «Quantum Register Based on Individual Electronic and Nuclear Spin Qubits in Diamond», Science 316, 1312 (2007).
  7. A. E. Dementyev, D. G. Cory, and C. Ramanathan, «Dynamic Nuclear Polarization in Silicon Microparticles», Phys. Rev. Lett. 100, 127 601 (2008).
  8. H. Hayashi, K. M. Itoh, and L. S. Vlasenko, «Nuclear magnetic resonance linewidth and spin diffusion in sup 29. Si isotopically controlled silicon», Phys. Rev. B 78, 153 201 (2008).
  9. D. K. Wilson and G. Feher, «Electron spin resonance experiments on donors in silicon. III. Investigation of excited states by the application of uniaxial stress and their importance in relaxation processes.», Phys. Rev. 124, 1068 (1961).
  10. G. W. Morley, J. van Tol, A. Ardavan, K. Porfyrakis, J. Zhang, and G. A. D. Briggs, «Efficient Dynamic Nuclear Polarization at High Magnetic Fields», Phys. Rev. Lett. 98, 220 501 (2007).
  11. L. Childress, M. V. Gurudev Dutt, J. M. Taylor, A. S. Zibrov, F. Jelezko, J. Wrachtrup, P. R. Hcmmer, and M. D. Lukin, «Coherent Dynamics of Coupled Electron and Nuclear Spin Qubits in Diamond», Science 314, 281 (2006).
  12. R. Hanson, V. V. Dobrovitski, A. E. Feiguin, O. Gywat, and D. D. Awschalom, «Coherent Dynamics of a Single Spin Interacting with an Adjustable Spin Bath», Science 320, 352 (2008).
  13. F. Jelezko, T. Gaebel, I. Popa, M. Domhan, A. Gruber, and J. Wrachtrup, «Observation of Coherent Oscillation of a Single Nuclear Spin and Realization of a Two-Qubit Conditional Quantum Gate», Phys. Rev. Lett. 93, 130 501 (2004).
  14. G. Burkard, D. Loss, and D. P. DiVincenzo, «Coupled quantum dots as quantum gates», Phys. Rev. B 59, 2070 (1999).
  15. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. L. Roux, «Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices», Applied Physics Letters 47, 1099 (1985).
  16. D. Gammon, E. S. Snow, B. V. Shanabrook, D. S. Katzer, and D. Park, «Fine Structure Splitting in the Optical Spectra of Single GaAs Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 76, 3005 (1996).
  17. L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M.
  18. Harmans, and C. T. Foxon, «Quantized current in a quantum-dot turnstile using oscillating tunnel barriers», Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).
  19. F. H. L. Koppens, C. Buizert, K. J. Tielrooij, I. T. Vink, K. C. Nowack, T. Meunier, L. P. Kouwenhoven, and L. M. K. Vandersypen, «Driven coherent oscillations of a single electron spin in a quantum dot», Nature 442, 766 (2006).
  20. J. R. Petta, A. C. Johnson, J. M. Taylor, E. A. Laird, A. Yacoby, M. D. Lukin, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, «Coherent Manipulation of Coupled Electron Spins in Semiconductor Quantum Dots», Science 309, 2180 (2005).
  21. I. A. Merkulov, A. L. Efros, and M. Rosen, «Electron spin relaxation by nuclei in semiconductor quantum dots», Phys. Rev. B 65, 205 309 (2002).
  22. A. V. Khaetskii, D. Loss, and L. Glazman, «Electron Spin Decoherence in Quantum Dots due to Interaction with Nuclei», Phys. Rev. Lett. 88, 186 802 (2002).
  23. D. J. Reilly, J. M. Taylor, J. R. Petta, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, «Suppressing Spin Qubit Dephasing by Nuclear State Preparation», Science 321, 817 (2008).
  24. H. Ribeiro and G. Burkard, «Nuclear State Preparation via Landau-Zener-Stiickelberg Transitions in Double Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 102, 216 802 (2009).
  25. D. Stepanenko, G. Burkard, G. Giedke, and A. Imamoglu, «Enhancement of Electron Spin Coherence by Optical Preparation of Nuclear Spins», Phys. Rev. Lett. 96, 136 401 (2006).
  26. D. Klauser, W. A. Coish, and D. Loss, «Nuclear spin state narrowing via gate-controlled Rabi oscillations in a double quantum dot», Phys. Rev. B 73, 205 302 (2006).
  27. A. Imamoglu, E. Knill, L. Tian, and P. Zoller, «Optical Pumping of Quantum-Dot Nuclear Spins», Phys. Rev. Lett. 91, 17 402 (2003).
  28. D. Gammon, A. L. Efros, T. A. Kennedy, M. Rosen, D. S. Katzer, D. Park, S. W. Brown, V. L. Korenev, and I. A. Merkulov, «Electron and Nuclear Spin Interactions in the Optical Spectra of Single GaAs Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 86, 5176 (2001).
  29. B. Urbaszek, P.-F. Braun, T. Amand, O. Krebs, T. Belhadj, A. Lemaitre, P. Voisin, and X. Marie, «Efficient dynamical nuclear polarization in quantum dots: Temperature dependence», Phys. Rev. B 76, 201 301 (2007).
  30. J. Skiba-Szymanska, E. A. Chekhovich, A. E. Nikolaenko, A. I. Tartakovskii, M. N. Makhonin, I. Drouzas, M. S. Skolnick, and A. B. Krysa, «Overhauser effect in individual InP/Ga^Ini-^P dots», Phys. Rev. B 77, 165 338 (2008).
  31. P. Maletinsky, M. Kroner, and A. Imamoglu, «Breakdown of the nuclear-spin-temperature approach in quantum-dot demagnetization experiments», Nature Phys. 5, 407 (2009).
  32. C. Deng and X. Hu, «Nuclear spin diffusion in quantum dots: Effects of inhomogeneous hyperfine interaction», Phys. Rev. B 72, 165 333 (2005).
  33. E. A. Chekhovich, М. N. Makhonin, К. V. Kavokin, А. В. Krysa, М. S. Skolnick, and A. I. Tartakovskii, «Pumping of nuclear spins by optical excitation of spin-forbidden transitions in a quantum dot», Phys. Rev. Lett. 104, принято в печать (2010).
  34. I. I. Rabi, J. R. Zacharias, S. Millman, and P. Kusch, «A New Method of Measuring Nuclear Magnetic Moment», Phys. Rev. 53, 318 (1938).
  35. E. M. Purcell, H. C. Torrey, and R. V. Pound, «Resonance Absorption by Nuclear Magnetic Moments in a Solid», Phys. Rev. 69, 37 (1946).
  36. F. Bloch, W. W. Hansen, and M. Packard, «The Nuclear Induction Experiment», Phys. Rev. 70, 474 (1946).
  37. Е. М. Purcell and N. F. Ramsey, «On the Possibility of Electric Dipole Moments for Elementary Particles and Nuclei», Phys. Rev. 78, 807 (1950).
  38. S. K. Lamoreaux and R. Golub, «Experimental searches for the neutron electric dipole moment», Journal of Physics G: Nuclear and Particle Physics 36, 104 002 (37pp) (2009).
  39. Ч. Сликтер, Основы теории магнитного резонанса (Мир, Москва, 1981).
  40. W. D. Knight, «Nuclear Magnetic Resonance Shift in Metals», Phys. Rev. 76, 1259 (1949).
  41. X. Xu, W. Yao, B. Sun, D. G. Steel, A. S. Bracker, D. Gammon, and L. J. Sham, «Optically controlled locking of the nuclear field via coherent dark-state spectroscopy», Nature 459, 1105 (2009).
  42. C. Testelin, F. Bernardot, B. Eble, and M. Chamarro, «Hole-spin dephasing time associated with hyperfine interaction in quantum dots», Phys. Rev. В 79, 195 440 (2009).
  43. J. Fischer, W. A. Coish, D. V. Bulaev, and D. Loss, «Spin decoherence of a heavy hole coupled to nuclear spins in a quantum dot», Phys. Rev. В 78, 155 329 (2008).
  44. В. D. Gerardot, D. В runner, P. A. Dalgarno, P. Ohberg, S. Seidl, M. Kroner, K. Karrai, N. G. Stoltz, P. M. Petroff, and R. J. Warburton, «Optical pumping of a single hole spin in a quantum dot», Nature 451, 441 (2007).
  45. A. W. Overhauser, «Polarization of Nuclei in Metals», Phys. Rev. 92, 411 (1953).
  46. A. Abragam, «Overhauser Effect in Nonmetals», Phys. Rev. 98, 1729 (1955).
  47. A. Abragam and M. Goldman, «Principles of dynamic nuclear polarisation», Reports on Progress in Physics 41, 395 (1978).
  48. J. A. McNeil and W. G. Clark, «Nuclear quadrupolar spin-lattice relaxation in some III-V compounds», Phys. Rev. В 13, 4705 (1976).
  49. Г. P. Хуцишвили, «Спиновая диффузия», Успехи Физических Наук 87, 211 (1965).
  50. D. Paget, «Optical detection of NMR in high-purity GaAs: Direct study of the relaxation of nuclei close to shallow donors», Phys. Rev. В 25, 4444 (1982).
  51. J. Y. Marzin, J. M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, and G. Bastard, «Photoluminescence of Single InAs Quantum Dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAs», Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994).
  52. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, and J. L. Rouviere, «Stranski-Krastanov growth mode during the molecular beam epitaxy of highly strained GaN», Phys. Rev. В 56, R7069 (1997).
  53. К. Brunner, U. Bockelmann, G. Abstreiter, M. Walther, G. Bohm, G. Trankle, and G. Weimann, «Photoluminescence from a single GaAs/AlGaAs quantum dot», Phys. Rev. Lett. 69, 3216 (1992).
  54. R. J. Warburton, C. Schaflein, D. Haft, F. Bickel, A. Lorke, K. Karrai, J. M. Garcia, W. Schoenfeld, and P. M. Petroff, «Optical emission from a charge-tunable quantum ring», Nature 405, 926 (2000).
  55. E. Ivchenko and G. Pikus, Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena (Springer-Verlag, New York, 1995).
  56. Г. Л. Вир, Г. E. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (Наука, Москва, 1972).
  57. А. V. Koudinov, I. A. Akimov, Y. G. Kusrayev, and F. Henneberger, «Optical and magnetic anisotropics of the hole states in Stranski-Krastanov quantum dots», Phys. Rev. В 70, 241 305 (2004).
  58. D. Gammon, S. W. Brown, E. S. Snow, T. A. Kennedy, D. S. Katzer, and D. Park, «Nuclear Spectroscopy in Single Quantum Dots: Nanoscopic Raman Scattering and Nuclear Magnetic Resonance», Science 277, 85 (1997).
  59. A. S. Bracker, D. Gammon, and V. L. Korenev, «Fine structure and optical pumping of spins in individual semiconductor quantum dots», Semicond. Sei. Technol. 23, 114 004 (2008).
  60. Б. П. Захарченя, Ф. Майер, Оптическая ориентация (Наука, Ленинград, 1989).
  61. C. W. Lai, P. Maletinsky, A. Badolato, and A. Imamoglu, «Knight-Field-Enabled Nuclear Spin Polarization in Single Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 96, 167 403 (2006).
  62. M. Kroutvar, Y. Ducommun, D. Heiss, M. Bichler, D. Schuh, G. Abstreiter, and J. J. Finley, «Optically programmable electron spin memory using semiconductor quantum dots», Nature 432, 81 (2004).
  63. D. Heiss, S. Schaeck, H. Huebl, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, D. V. Bulaev, and D. Loss, «Observation of extremely slow hole spin relaxation in self-assembled quantum dots», Phys. Rev. B 76, 241 306 (2007).
  64. A. Greilich, A. Shabaev, D. R. Yakovlev, A. L. Efros, I. A. Yugova, D. Reuter, A. D. Wieck, and M. Bayer, «Nuclei-Induced Frequency Focusing of Electron Spin Coherence», Science 317, 1896 (2007).
  65. D. Hessman, J. Persson, M.-E. Pistol, C. Pryor, and L. Samuelson, «Electron accumulation in single InP quantum dots observed by photoluminescence», Phys. Rev. B 64, 233 308 (2001).
  66. G. J. Beirne, M. Reischle, R. Rosbach, W.-M. Schulz, M. Jetter, J. Seebeck, P. Gartner, C. Gies, F. Jahnke, and P. Michler, «Electronic shellstructure and carrier dynamics of high aspect ratio InP single quantum dots», Phys. Rev. B 75, 195 302 (2007).
  67. M. Sopanen, H. Lipsanen, and J. Ahopelto, «Self-organized InP islands on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy», Applied Physics Letters 67, 3768 (1995).
  68. V. D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand, T. Kiimmell, A. Forchel, E. Borovitskaya, K. Leonardi, and D. Hommel, «Fine Structure of Biexciton Emission in Symmetric and Asymmetric CdSe/ZnSe Single Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 82, 1780 (1999).
  69. L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault, D. Ferrand, H. Mariette, and J. Cibert, «Probing the Spin State of a Single Magnetic Ion in an Individual Quantum Dot», Phys. Rev. Lett. 93, 207 403 (2004).
  70. P. S. Dorozhkin, A. S. Brichkin, V. D. Kulakovskii, A. V. Chernenko, S. V. Zaitsev, S. V. Ivanov, and A. A. Toropov, «Electron-hole complexes in individual semimagnetic quantum dots», physica status solidi (a) 202, 2609 (2005).
  71. Y. Masumoto, K. Toshiyuki, T. Suzuki, and M. Ikezawa, «Resonant spin orientation at the exciton level anticrossing in InP quantum dots», Phys. Rev. B 77, 115 331 (2008).
  72. S. Cortez, O. Krebs, S. Laurent, M. Senes, X. Marie, P. Voisin, R. Ferreira, G. Bastard, J.-M. Gerard, and T. Amand, «Optically Driven Spin Memory in n-Doped InAs-GaAs Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 89, 207 401 (2002).
  73. Y. Masumoto, S. Oguchi, B. Pal, and M. Ikezawa, «Spin dephasing of doped electrons in charge-tunable InP quantum dots: Hanle-effect measurements», Phys. Rev. В 74, 205 332 (2006).
  74. В. Gotschy, G. Denninger, H. Obloh, W. Wilkening, and J. Schnieder, «Overhauser shift and dynamic nuclear polarization in InP», Solid State Comunications 71, 629 (1989).
  75. P. Maletinsky, C. W. Lai, A. Badolato, and A. Imamoglu, «Nonlinear dynamics of quantum dot nuclear spins», Phys. Rev. В 75, 35 409 (2007).
  76. В. JI. Коренев, «Динамическая Самополяризация Ядер в Низкоразмерных Системах», Письма в ЖЭТФ 70, 124 (1999).
  77. A. Russell, V. I. Fal’ko, A. I. Tartakovskii, and М. S. Skolnick, «Bistability of optically induced nuclear spin orientation in quantum dots», Phys. Rev. В 76, 195 310 (2007).
  78. E. Aubay and D. Gourier, «Magnetic bistability and Overhauser shift of conduction electrons in gallium oxide», Phys. Rev. В 47, 15 023 (1993).
  79. L. Binet and D. Gourier, «Bistable magnetic resonance of conduction electrons in InP», Phys. Rev. В 56, 2688 (1997).
  80. V. L. Korenev, «Nuclear Spin Nanomagnet in an Optically Excited Quantum Dot», Phys. Rev. Lett. 99, 256 405 (2007).
  81. M. Atature, J. Dreiser, A. Badolato, A. Hogele, K. Karrai, and A. Imamoglu, «Quantum-Dot Spin-State Preparation with Near-Unity Fidelity», Science 312, 551 (2006).
  82. M. Atature, J. Dreiser, A. Badolato, and A. Imamoglu, «Observation of Faraday rotation from a single confined spin», Nature Physics 3, 1 012 007).
  83. J. Seufert, R. Weigand, G. Bacher, T. Kummell, A. Forchel, K. Leonardi, and D. Hommel, «Spectral diffusion of the exciton transition in a single self-organized quantum dot», Applied Physics Letters 76, 1872 (2000).
  84. J. Dreiser, M. Atature, C. Galland, T. Muller, A. Badolato, and A. Imamoglu, «Optical investigations of quantum dot spin dynamics as a function of external electric and magnetic fields», Phys. Rev. В 77, 753 172 008).
  85. JI. Мандель, Э. Вольф, Оптическая когерентность и квантовая оптика (Физматлит, Москва, 2000).
  86. D. Paget, Т. Amand, and J.-P. Korb, «Light-induced nuclear quadrupolar relaxation in semiconductors», Phys. Rev. В 77, 245 201 (2008).
  87. L. M. Woods, T. L. Reinecke, and R. Kotlyar, «Hole spin relaxation in quantum dots», Phys. Rev. В 69, 125 330 (2004).
  88. Т. Belhadj, Т. Kuroda, C.-M. Simon, T. Amand, Т. Mano, K. Sakoda, N. Koguchi, X. Marie, and B. Urbaszek, «Optically monitored nuclear spin dynamics in individual GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy», Phys. Rev. В 78, 205 325 (2008).
  89. I. Toft and R. T. Phillips, «Hole g factors in GaAs quantum dots from the angular dependence of the spin fine structure», Phys. Rev. В 76, 33 301 (2007).
  90. R. I. Dzhioev and V. L. Korenev, «Stabilization of the Electron-Nuclear Spin Orientation in Quantum Dots by the Nuclear Quadrupole Interaction», Phys. Rev. Lett. 99, 37 401 (2007).
  91. S. E. Barrett, R. Tycko, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, «Directly detected nuclear magnetic resonance of optically pumped GaAs quantum wells», Phys. Rev. Lett. 72, 1368 (1994).
  92. Y. Kondo, M. Ono, S. Matsuzaka, K. Morita, H. Sanada, Y. Ohno, and H. Ohno, «Multipulse Operation and Optical Detection of Nuclear Spin Coherence in a GaAs/AlGaAs Quantum Well», Phys. Rev. Lett. 101, 207 601 (2008).
  93. B. Clerjaud, F. Gendron, H. Obloh, J. Schneider, and W. Wilkening, «Effect of nuclear polarization on the conduction-electron spin resonance in InP», Phys. Rev. B 40, 2042 (1989).
  94. C. A. Michal and R. Tycko, «Nuclear Spin Polarization Transfer with a Single Radio-Frequency Field in Optically Pumped Indium Phosphide», Phys. Rev. Lett. 81, 3988 (1998).
  95. P. Maletinsky, A. Badolato, and A. Imamoglu, «Dynamics of Quantum Dot Nuclear Spin Polarization Controlled by a Single Electron», Phys. Rev. Lett. 99, 56 804 (2007).
  96. S. Adachi, «GaAs, AlAs, and Al^Gai-^As: Material parameters for use in research and device applications», Journal of Applied Physics 58, R1 (1985).
  97. A. Onton, M. R. Lorenz, and W. Reuter, «Electronic Structure and Luminescence Processes in Ini-^Ga^P Alloys», Journal of Applied Physics 42, 3420 (1971).
  98. A. Hartmann, Y. Ducommun, E. Kapon, U. Hohenester, and E. Molinari, «Few-Particle Effects in Semiconductor Quantum Dots: Observation of Multicharged Excitons», Phys. Rev. Lett. 84, 5648 (2000).
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?