Оптические и люминесцентные свойства оксидных стекол и кристаллов с различным типом атомного разупорядочения
Диссертация
Выполнен анализ выражения Фэна для температурной зависимости ширины энергетической щели Eg (T) материала, получаемого в рамках одно-фононного приближения. Показано, что оно вполне применимо для описания зависимости Eg (T) и оценки параметров динамического беспорядка в аморфных материалах, где вследствие структурного беспорядка края энергетических зон размыты и имеются протяженные хвосты плотности… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. «КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ» И «СТЕКЛООБРАЗНОЕ» ПРАВИЛО УРБАХА. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
- 1. 1. Общие положения
- 1. 2. Реализация разных вариантов правила Урбаха в неупорядоченных материалах
- 1. 2. 1. Влияние температуры на собственный край поглощения в щелочно-силикатном стекле
- 1. 2. 2. УФ-край фундаментального поглощения в оксидных стеклах. Сравнение с соответствующими кристаллами
- 1. 2. 3. Правило Урбаха в процессах фотостимулированной эмиссии электронов в силикатных стеклах
- 1. 2. 4. Край оптического поглощения в гидрогенизированном кремнии
- 1. 3. Известные модели урбаховского края в твердых телах
- 1. 3. 1. ПУ в кристаллах
- 1. 3. 2. ПУ в некристаллических твердых телах
- 1. 4. Природа и роль атомного беспорядка при интерпретации ПУ
- 1. 5. Формулировка цели и постановка задач диссертационных исследований
- ГЛАВА 2. МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ С РАЗНЫМ ТИПОМ ДОМИНИРУЮЩЕГО АТОМНОГО РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ
- 2. 1. Выбор инструментов исследования и изучаемых объектов
- 2. 2. Объекты исследования и подготовка образцов
- 2. 2. 1. Исследуемые стеклообразные системы
- 2. 2. 1. 1. Бинарные стекла РЬО-ЭЮг
- 2. 2. 1. 2. Тройные стекла Na20-Pb0-S
- 2. 2. 1. 3. Поликомпонентные промышленные стекла класса ТФ
- 2. 2. 1. 4. Общая характеристика стеклообразных образцов
- 2. 2. 2. Исследуемые кристаллы
- 2. 2. 2. 1. Нейтрон-облученные кристаллы берилла
- 2. 2. 2. 2. Анионно-дефектные монокристаллы а-А120з
- 2. 2. 2. 3. Кристаллы MgO с собственными и примесными дефектами
- 2. 2. 2. 4. Общая характеристика кристаллических образцов
- 2. 2. 1. Исследуемые стеклообразные системы
- 2. 3. Автоматизированная система научных исследований процессов люминесценции в твердых телах
- 2. 3. 1. Аппаратурный измерительный комплекс
- 2. 3. 2. Программная система «TOSL» для моделирования механизмов термо- и фотостимулированной люминесценции в диэлектриках
- 2. 4. Использованные экспериментальные методики
- 2. 4. 1. Спектры оптического поглощения
- 2. 4. 2. Фотолюминесценция и спектры возбуждения ФЛ
- 2. 4. 3. Различные режимы регистрации термо люминесценции
- 2. 4. 4. Возбуждение фотоконверсии F—=> Р±центров в кристаллах а-АЬОз
- 2. 5. Использованные расчетные методы
- 2. 5. 1. Рекурсивный метод для расчета частот локализованных колебаний
- 2. 5. 2. Метод Монте-Карло при моделировании процессов транспорта электронов
- 2. 5. 3. Оптимизационная процедура на основе генетического алгоритма
- 2. 6. Научное сотрудничество на разных этапах диссертационных исследований
- 2. 7. Детальная схема диссертационных исследований
- 2. 8. Выводы по Главе 2
- 3. 1. Обобщенная формулировка правила Урбаха
- 3. 1. 1. Применение принципа Франка-Кондона
- 3. 1. 2. Применение принципа эквивалентности статического и динамического типов беспорядка
- 3. 1. 2. 1. «Кристаллический» предел. Роль динамического беспорядка
- 3. 1. 2. 2. «Стеклообразный» предел. Роль статического беспорядка
- 3. 1. 3. Сравнение параметров для различных вариантов правила Урбаха
- 3. 2. Формулировка правила Урбаха в пределе высоких температур
- 3. 2. 1. «Кристаллический» вариант
- 3. 2. 2. «Стеклообразный» вариант
- 3. 2. 3. Физический смысл параметра То
- 3. 2. 4. Сравнение параметров правила Урбаха для различных стеклообразующих систем
- 3. 3. Влияние теплового беспорядка на ширину энергетической щели в кристаллах и стеклах
- 3. 3. 1. Соотношение Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны в кристаллах
- 3. 3. 2. Выражение Фэна для функции Eg (T)
- 3. 3. 2. 1. Основные параметры соотношения
- 3. 3. 2. 2. Связь с соотношением Варшни
- 3. 3. 2. 3. Универсальный характер выражения фэна для кристаллических и стеклообразных материалов
- 3. 4. 1. Расчет эффективной энергии фононов
- 3. 4. 2. Оценка температурного коэффициента Р ширины энергетической щели
- 3. 4. 3. Полуэмпирический критерий для определения фиктивной температуры Т'
- 3. 6. 1. Спектры оптического поглощения нейтрон-облученных кристаллов берилла
- 3. 6. 1. 1. Типичный урбаховский «веер» в зависимости от флюенса
- 3. 6. 1. 2. Зависимость параметра беспорядка от нейтронного флюенса
- 3. 6. 2. Квазидинамический структурный беспорядок, индуцированный быстрыми нейтронами
- 3. 6. 2. 1. Оценка отношения констант Dx/K деформационного потенциала
- 3. 6. 2. 2. Связь энергии оптических переходов с параметром беспорядка Е
- 4. 1. Параметры «стеклообразного» правила Урбаха в системе Pb0-S
- 4. 1. 1. Спектрально-температурные зависимости УФ-края
- 4. 1. 2. Спектральный параметр Е
- 4. 2. Оценка параметров динамического беспорядка из температурных зависимостей
- 4. 2. 1. Температурные параметры То и Т'
- 4. 2. 2. Расчет энергии эффективных колебаний
- 4. 2. 3. Оценка температурных коэффициентов у3 ширины энергетической щели
- 4. 2. 4. Концентрационные зависимости урбаховских параметров. .'
- 4. 3. Характеристики температурного поведения энергетической щели в стеклах Pb0-Na20-S
- 4. 3. 1. Спектральные характеристики УФ-края оптического поглощения
- 4. 3. 2. Оценка параметров «стеклообразного» правила Урбаха
- 4. 4. Температурное тушение собственной люминесценции в бинарных стеклах PbO-SiC>
- 4. 4. 1. Спектры фотолюминесценции в бинарных стеклах. Температурная зависимость интенсивности свечения
- 4. 4. 2. Закон Мотта и соотношение Стрита для температурного тушения ФЛ в стеклах
- 4. 4. 3. Анализ параметров температурного тушения
- 4. 5. Влияние структурных факторов на УФ-границу прозрачности в стеклах класса ТФ
- 4. 5. 1. Спектральное положение края поглощения при различных температурах
- 4. 5. 2. Параметры «стеклообразного» правила Урбаха в тяжелых флинтах
- 4. 5. 2. 1. Температурная зависимость параметра беспорядка
- 4. 5. 2. 2. Температурное поведение оптической щели Eg для разных подгрупп флинтов. Расчет эффективных энергий фононов
- 4. 6. 1. Влияние содержания РЬО на параметр Ео
- 4. 6. 2. Диаграмма свойств «nD-Vd-Ео»
- 4. 6. 3. Параметры трехмерной диаграммы Аббе с учетом эффектов динамического беспорядка
- 5. 1. Форма и температурное поведение полосы 6.05 эВ в спектрах оптического поглощения
- 5. 1. 1. Аномальное поведение полосы 6.05 эВ при нагреве кристалла
- 5. 1. 2. Разложение полосы на суперпозицию независимых гауссовых компонент
- 5. 1. 3. Расчет эффективной энергии фононов, ответственных за уширение и смещение полос поглощения
- 5. 1. 4. Формирование полосы при электронно-оптических переходах с участием F- и Р±центров
- 5. 2. Влияние процессов фотоконверсии F => Г±центров на характеристики люминесценции
- 5. 2. 1. Трансформация спектров ОП в кристаллах а-А12Оз после F=> Реконверсии
- 5. 2. 2. Влияние температуры на эффективность протекания процессов фотоконверсии
- 5. 2. 3. Влияние УФ-обработки кристаллов а-А12Оз на спектры возбуждения фотолюминесценции Р±центров
- 5. 2. 4. Рост TJI отклика кристаллов а-А^Оз в результате фотоконверсии анионных центров
- 5. 3. Компенсационный эффект в люминесценции анион-дефектных кристаллов а-А12Оз
- 5. 3. 1. Особенности регистрации температурного тушения фотолюминесценции в (X-AI2O
- 5. 3. 2. Компенсационный эффект при температурном тушении фотолюминесценции анионных центров
- 5. 3. 2. 1. Компенсационные параметры тушения фотолюминесценции F-центров
- 5. 3. 2. 2. Компенсационные параметры тушения фотолюминесценции Р±центров
- 5. 3. 3. Проявления компенсационной связи между кинетическими параметрами термолюминесценции в а-А120з
- 5. 3. 3. 1. Дозовые зависимости ТЛ отклика в полосе 3.8 эВ
- 5. 3. 3. 2. Анализ параметров TJI в рамках кинетики общего порядка
- 5. 3. 3. 3. Компенсационное соотношение между энергией активации при опустошении ловушки и частотным фактором
- 5. 4. 1. Кинетическая модель для системы неконкурирующих ловушек с тушением
- 5. 4. 2. Значения модельных параметров для TJI процессов в
- 5. 4. 3. Учет различных соотношений между микропараметрами центров захвата и рекомбинации
- 5. 4. 3. 1. Влияние исходной концентрации рекомбинационных центров
- 5. 4. 3. 2. Влияние констант рекомбинации и повторного захвата
- 6. 1. Квазилокальные колебательные состояния в дефектных кристаллах MgO и А12Оз
- 6. 1. 1. Расчет полной фононной плотности состояний идеальных кристаллов
- 6. 1. 1. 1. 1111С фононов в оксиде магния
- 6. 1. 1. 2. ППС фононов в оксиде алюминия
- 6. 1. 2. Искажения фононного спектра в кристаллах MgO гете-ровалентными примесями железа
- 6. 1. 3. Колебательная структура F- и Р±центров в MgO
- 6. 1. 4. Расчет частот локализованных колебаний F- и F+центров в А120з
- 6. 1. 1. Расчет полной фононной плотности состояний идеальных кристаллов
- 6. 2. Роль локальных и эффективных фононных состояний в механизмах ТСЭЭ анион-дефектных кристаллов MgO
- 6. 2. 1. Модель многофононной ионизации
- 6. 2. 2. Расчет кривых ТСЭЭ с участием F- и F± центров. Оценка микропараметров эмиссионно-активных центров
- 6. 2. 3. Температурная зависимость энергии делокализованных электронов
- 6. 2. 4. Моделирование стадии транспорта электронов в процессах ТСЭЭ
- 6. 2. 4. 1. Расчет скоростей электрон-фононного рассеяния
- 6. 2. 4. 2. Процесс термализации электронов с учетом эффекта уширения энергетических уровней
- 6. 3. 1. Базовые зонные схемы
- 6. 3. 2. Применение генетического алгоритма
- 6. 3. 2. 1. Адаптация понятий ГА для термолюминесцентного анализа
- 6. 3. 2. 2. Кодирование решений
- 6. 3. 2. 3. Эволюционные операторы
- 6. 3. 3. Примеры генетической аппроксимации кривых TJI
Список литературы
- Глебов Л.Б., Толстой М. Н., Влияние температуры на спектр собственного поглощения силикатного стекла // Физ. и хим. стекла. 1975. ТЛ. № 3. сс. 239−242.
- Arbuzov V.I., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Tolstoi M.N., Tyukov V.V., Exoelec-tronic spectroscopy of intrinsic and extrinsic color centres in surface layers of alkali silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1991. V.134. pp. 208 217.
- Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Щапова В. Ю., Локализованные валентные состояния в фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии свинцовосили-катных стекол // Радиотехника и электроника. 1992. Т. 37, № 2. сс. 326 — 333.
- Арбузов В.И., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Толстой М. Н., Тюков В. В., Закономерности и природа фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии в щелочно-силикатных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1994. Т. 20, № 6. сс. 689 700.
- Арбузов В.И., Спектры фундаментального поглощения и элементарные электронные возбуждения в оксидных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1996. Т. 22, № 6. сс. 664 682.
- Мотт Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982.652 с.
- Trukhin A.N., Localized states in wide-gap glasses. Comparison with relevant crystals // J. Non-Cryst. Solids. 1995. V.189. pp. 1 15.
- Tauc J., Absorption edge and internal electric fields in amorphous semiconductors // Mater. Res. Bull. 1970. V.5. pp. 721 730.
- Sumi H., Toyozawa Y., Urbach-Martienssen rule and exciton trapped momentarily by lattice vibrations // J. Phys. Soc. Japan. 1971. V.31, № 2. pp. 347 358.
- Dow J.D., Redfield D., Toward a unified theory of Urbach’s rule and exponential absorption edges // Phys. Rev. B. 1972. V.5. pp. 594 610.
- Skettrup Т., Urbach’s rule derived from thermal fluctuations in the band-gap energy // Phys. Rev. В. 1978. V. 18, № 6. pp. 2622 2631.
- Dunstan D.J., Evidence for a common origin of the Urbach tails in amorphousand crystalline semiconductors // J. Phys. С: Solid State Phys. 1982. V. 30. pp. L419-L424.i
- Kurik M.V., Urbach rule // Phys. stat. sol. (a). 1971. V8. pp. 3 45.
- Бонч-Бруевич В.Jl., Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников // УФН. 1983. Т. 140, вып. 4. сс. 583 637.
- О' Коннель-Бронин А.А., Плеханов В. Г., Пустоваров В. А. и др., Край экситонного поглощения и правило Урбаха в монокристаллах LiH и LiD //
- Оптика и спектроскопия. 1981. т. 51, вып. 2. сс. 371 — 374.
- Pilipenko G. I., Oparin D. V., Gavrilov F. F., Fundamental absorption edge andurbach rule in lithium hydride single crystals // Solid State Communications. 1986. V. 57, № 11. pp. 869−871.
- Кружал об A.B., Пустоваров В. А., Маслаков А. А., Петров B.Jl., Шульгин
- Б.В., Спектры возбуждения и отражения кристаллов Ьа2Ве205 в области 5 36 эВ // Оптика и спектроскопия. 1987. т. 63, вып. 2. сс. 457 — 459.
- Пустоваров В.А., Электронные возбуждения и радиационные процессы внеорганических сцинтилляторах, индуцированные синхротронным излучением / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1994. 368 с.
- Пилипенко Г. И., Локальные состояния в гидриде и дейтериде лития / дисс. докт. физ.-мат. паук 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1996. 313с.
- Zakis J.R., Fritzsche H., Temperature dependence of the absorption edge in crystalline and vitreous As2S3 // Phys. Stat. Sol. (b) 1974. V. 64. pp. 123 -130.
- Андреев А.А., Коломиец Б. Т., Мазец Т. Ф., Манукян A.JI., Павлов С. К., Температурная зависимость края поглощения As2Se3 и AsSe в твердом и жидких состояниях // ФТТ. 1976. Т. 18, № 1. сс. 53 57.
- Wiley J.D., Thomas D., Schonherr E., Breitschwerdt A., The absorption edgesof GeS and Urbach’s rule // J. Phys. Chem. Solids. 1980. V. 41. pp. 801 -807.
- Cody G.D., Tiedje Т., Abeles В., Brooks В., Goldstein Y., Disorder and the optical-absorption edge of hydrogenated amorphous silicon // Phys. Rev. Lett. 1981. V. 47, № 20. pp. 1480 1483.
- Абе Ш., Тойозава Ю., Плотность состояний электронов и край оптического поглощения в аморфных полупроводниках // Аморфные полупроводники и приборы на их основе / под ред. И. Хамакавы М.: Металлургия, 1986. 376 с.
- Siegel G. Н., Ultraviolet spectra of silicate glasses: A review of some experimental evidence // J. Non-Crystalline Solids. 1973. V.13, № 3. pp. 372 398.
- Силинь A.P., Трухин A.H., Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига: Зинатне, 1985. 244с.
- Trukhin A.N., Localized states in germanate glasses. Study of luminescence //
- J. Non-Cryst. Solids. 1995. V. 189, № 3. pp. 291 -296.
- Trukhin A.N., Localized states of silicon dioxide, sodium and lead silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1990. V. 123, № 1 3. pp. 250 — 257.
- Zatsepin A.F., Kortov V.S., Shchapova J.V., Electron-phonon interactions andfrozen" phonons during OSEE of amorphous materials // Sci. Rep. Techn. Univ. Opole ser. Physics. 1995. V. 16, № 215. pp. 5 14.
- Zatsepin A.F., Kortov V.S., Localized excitations and photoemission processesin glasses // Sci. Rep. Techn. Univ. Opole ser. Physics. 1997. V. 20, № 240. pp. 105−115.
- Cody G. D., Abeles В., Brooks В., Persans P., Roxlo C., Ruppert A. and Wronski C., Effect of site disorder on the optical absorption edge of a-Si:Hx // J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 59 60. Part 1. pp. 325 — 328.
- Cody G.D., The optical absorption edge of a-Si:H. In: Hydrogenated Amorphous Silicon. Part B. / Ed. by J. Pankove. Academic Press Inc. New York. 1984. pp. 11−82.
- Cody G.D., Urbach edge of crystalline and amorphous silicon: a personal review//J. Non-Cryst. Solids. 1992. V. 141. pp. 3 15.
- Semiconductors and semimetals. Vol. 21. Hydrogenated Amorphous Silicon. Part B. Optical properties / Ed. by J. Pankove. Academic Press Inc. New York. 1984. p 439.
- Аморфные полупроводники и приборы на их основе / под ред. И. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. 376 с.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния. / под. ред. Дж. Джо-унопулоса и Дж. Люковски. Т. 1, 2. М.: Мир, 1987.
- Аморфный кремний и родственные материалы / под ред. X. Фрицше. М: Мир. 1991. 544 с.
- Tauc J., Optical properties of non-crystalline solids. In: Optical properties ofsolids / ed. by F. Abeles. North-Holland Publ., Amsterdam. 1972. pp. 277 -313.
- Лей Л., Фотоэмиссия и оптические свойства. В: Физика гидрогенизированного аморфного кремния / под. ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. Т. 2, М: Мир, 1987. сс. 165−216.
- Grein C.H. and John Sajeev, Polaronic band tails in disordered solids: Combined effects of static randomness and electron-phonon interactions // Phys. Rev. B. 1987. V. 36 № 14, pp. 7457 7468.
- Grein C.H. and John Sajeev, Temperature dependence of thr Urbach optical absorption edge: A theory of multiple phonon absorption and emission sidebands//Phys. Rev. B. 1989. V. 39 № 2, pp. 1140−1151.
- Redfield David, Effect of defect fields on the optical absorption edge // Phys.
- Rev. 1963. V.130. № 3. pp. 916−918.
- Dexter D.L., Interpretation of Urbach’s rule // Phys. Rev. Letters. 1967. V.1924. pp. 1383- 1385.
- Overhof H. and Maschke K., Exponential tails in optical absorption and electro-absorption of disordered systems a one-dimensional model // J. Phys.: Condensed Matter. 1989. V. 1. pp. 431 — 437.
- Kostadinov I.Z., The Urbach tail in amorphous semiconductors // J. Phys. C:
- Solid State Phys. 1977. V.10. pp. L263 -L266.
- Клява Я.Г., Правило Урбаха и континуальная неупорядоченность в некристаллических твердых телах // ФТТ. 1985. Т. 27. № 5. сс. 1350−1353.
- Urbach Franz, The long-wavelength edge of photographic sensitivity and of theelectronic absorption of solids // Phys.Rev. 1953. V. 92. p. 1324.
- Martienssen Werner, Uber die excitonenbanden der alkalihalogenidkristalle //
- J. Phys. Chem. Solids. 1957. V. 2. pp. 257 267.
- Toyozawa Y., A proposed model for the explanation of the Urbach rule // Progr. Theor. Phys. 1959. V. 22. pp. 455 457.
- Каган В.Д., Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха // ФТТ. 1975. Т. 17. вып. 9. сс. 2578−2584.
- Гельмонт Б.Л., Перель В. И., Яссиевич И. Н., О правиле Урбаха // ФТТ.1983. Т. 25 в. 3. сс. 727−733.
- Тютиков A.M., Лобанова Н. В., Тоисеева М. Н., Полухин В. Н., Королев Н. В., Яковлев В. Е. Исследование связи эмиссионных свойств свинцово-силикатных стекол с их составом и структурой // ФХС. 1979. Т. 5. № 5. С. 628−631.
- Щапова Ю.В., Экзоэмиссионно-активпые локализованные состояния в поверхностныхслоях стекол Me0-P205(Si02) / дисс. канд. физ.-мат. наук., УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1992. 267 с.
- Никоноров Н.В., Петровский Г. Т., Стекла для ионного обмена в интегральной оптике: современное состояние и тенденции дальнейшего развития (обзор) // Физ. и хим. стекла. 1999. Т. 25, № 1. сс. 21 69.
- Фекличев В.Г., Берилл. Морфология, состав и структура кристаллов. 1964. М: Наука. 161 с. 56. http://webmineral.com/data/Beryl.shtml
- Hazen R.M., Au A.Y., Finger L.W., High-pressure crystal chemistry of beryl
- Be3Al2Si60iS) and euclase (BeAlSi040H) // American Mineralogist. 1986. v. 71. pp.977−984,
- Akselrod M.S., Kortov V.S., Gorelova E.A., Preparation and properties of a
- A1203:C // Rad. Protect. Dosimetry. 1993. v. 47, № 1−4. pp. 159 164.
- Summers G. P., Thermoluminescence in Single Crystal a-Al203 // Radiat. Prot.
- Dosimetry. 1984. V. 8, № ½. pp. 69 80.
- Kirfel A. and Eichhorn K., Accurate structure analysis with synchrotron radiation. The electron density in A1203 and Cu20 // Acta Cryst. A. 1990. Vol. 46. part 4. pp. 271−284.
- Javier Carrasco, Jose R.B. Gomes and Francese Illas, Theoretical study of bulkand surface oxygen and aluminum vacancies in a-Al203 // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. pp. 64 116−1 64 116−13 .
- Kappus W., Lattice dynamics of sapphire (corundum). Part II: Calculations ofthe Phonon Dispersion // Z. Physik В Condensed Matter. 1975. v. 21, pp. 325 -331.
- Мильман И.И., Никифоров С. В., Кортов B.C., Кильметов А. К., Контролькачества детекторов излучений для радиационной дефектоскопии // Дефектоскопия. 1996. № 11. сс. 64 70.65. http://www.webmineral.com/data/Periclase.shtml
- Hazen R.M., Effects of temperature and pressure on the cell dimension and Xray temperature factors of periclase // American Mineralogist, 1976. v. 61. pp. 266−271.
- Монахов A.B., Кинетические закономерности термостимулированной экзоэмиссии оксида магния /дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УПИ, Екатеринбург. 1992. 230 с.
- Полинг JL, Природа химической связи. М: ИЛ, 1947.
- Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. Т. 1. М: Металлургия, 1995.480 с.
- Rohrer G., Structure and bonding in crystalline materials. Cambridge U. Press, 1. Cambridge. 2001.
- Физические величины: Справочник / под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
- Солодовников С. Ф., Справочно-методические материалы к курсу «Основы кристаллохмии». Новосибирск, НГУ, 2006. 78 с.
- Ашкрофт Н., Мермин Н., Физика твердого тела. Т. 1. М: Мир, 1979. 399 с.
- Ступин Ю.В., Методы автоматизации физических экспериментов и установок на основе ЭВМ. М.: Энергоатомиздат, 1983. 288 с.
- Кузьмичев Д.А., Радкевич И. А., Смирнов А. Д., Автоматизация экспериментальных исследований. М.: Наука, 1983. 392 с.
- Орозбек уулу Аскар, Особенности кинетики Рь-центров в анионодефектных кристаллах оксида алюминия / дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2007. 125 с.
- Вохминцев А.С., Вайнштейн И. А., Модернизация измерительного комплекса для исследования люминесценции кристаллов / Научные труды VIII отчетной конференции, молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ 4.1, сб. статей в 2 ч., Екатеринбург, 2005. сс. 143 144.
- Попко Е.А., Рогович В. И., Вайнштейн И. А., Структура системы управления знаниями для оценки адекватности моделей в АСНИ // Вестник УГ-ТУ-УПИ, спец. выпуск, 2005. сс. 621 624.
- Вайнштейн И.А., Зудов B.C., Программный эмулятор «Многофакторныйэксперимент с варьируемой дисперсией параметра оптимизации» («VarEx») // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 003 610 854, 07.04.2003, Москва.
- Попко Е.А., Вайнштейн И. А., Кортов B.C., Программный модуль «Моделирование механизмов термофотолюминесценции в диэлектриках»
- TOSL") // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 005 610 234, 25.01.2005, Москва.
- Вайнштейн И.А., Попко Е. А., Электронный ГА-конструктор люминесцентных моделей с термоактивационной кинетикой («GenTL») // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 006 614 299, 18.12.2006, Москва.
- Антонов-Романовский В.В., Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров. М: Наука, 1966. 324 с.
- Chen R., McKeever S.W.S., Theory of thermoluminescence and related phenomena. World Scientific, Singapore, 1997. 562 p.
- Pagonis V., Kitis G., Furetta C., Numerical and practical exercises in thermoluminescence. Springer, New York, 2006. 208 p.
- Nash J.C. Compact numerical methods for computers. Bristol: Page Bros Ltd, 1990.
- Mitchell M. An introduction to genetic algorithms. Cambridge, MIT Press.1999. 158 p.
- Соболь И.М., Численные методы Монте-Карло. М.: Наука, 1973. 312 с.
- Соболь И.М., Метод Монте-Карло. М: Наука, 1985. 78 с.
- Jacoboni С., Reggiani L., The Monte-Carlo method for the solution of chargetransport in semiconductors with applications of covalent materials // Rev. Mod. Phys. 1983. V.55 № 3. pp. 645 705.
- Гладков Л.А., Курейчик В. В., Курейчик В. М., Генетические алгоритмы /под ред. В. М. Курейчика. М: Физматлит, 2006. 320 с.
- Dexter D.L., Optical properties of solids // Nuovo Cimento, 1958. V.7 Suppl. P. 245−286.
- Ребане K.K., Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М: Наука, 1968. 232 с.
- Рейсленд Дж., Физика фононов. М.: Мир, 1975. 367 с.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Особенности проявления правила Урбаха в стеклообразных материалах // Физ. и хим. стекла. 1999. Т. 25. № 1.С. 85 95.
- Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Effects of structural disorder and Urbach’s rule in binary lead silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids, 2001, v.279 № l.pp. 77−87.
- Гусев А.И., Ремпель A.A., Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле. Екатеринбург: УрО РАН, 2001. 580 с.
- Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Modified Urbach’s rule and frozen phonons in glasses // Phys. stat. sol. ©, 2004. v. 1, № 11. pp. 2916−2919.
- Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Schapova Yu.V., The phonon-assisted shift of the energy levels of localized electron states in statically disordered solids // Physica B, 1999. v. 263−264. pp. 167 169.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., О применимости эмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны // ФТТ, 1999. Т.41, № 6. сс. 994 998.
- Кузнецов А., Намозов Б., Мюрк В., ВУФ-люмипесценция автолокализо-ванных экситонов в кристаллах А120з // Известия АН ЭССР. Физика. Математика. 1987. т. 36, № 2. сс. 193 196.
- Кузнецов А.И., Электронные возбуждения, люминесценция и дефекты в оксидах металлов третьей группы и ниобате лития / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1992. 45 с.
- Varshni Y.P., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Physica. 1967. V.34. pp. 149- 154.
- Ашкрофт H., Мермин H., Физика твердого тела. Т. 2. М: Мир, 1979. 422с.
- O’Leary S.K., Johnson S.R., Lim Р.К. The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. pp. 3334 3340.
- Грабовскис В.Я., Дзенис Я. Я., Ковалева H.C., Толстой М. Н. Собственное поглощение и люминесценция метафосфатных стекол // ФТТ. 1990. Т. 32. № 10. сс. 2953 -2959.
- Раабен Э.Л., Толстой М. Н., Влияние природы стеклообразователя и модификатора в формировании спектра поглощения иона свинца // ФХС. 1988. Т. 14. № 1. сс. 66−71.
- Лагздонс Ю.Л., Клеперис Я. Я., Восстановленные формы вольфрама и край поглощения в вольфрамофосфатных стеклах / Межвуз. сб. науч. тр. ЛГУ им. П. Стучки Физика и химия стеклообразующих систем. 1979. сс. 97−115.
- Zakis J.R., Fritzsche Н., Temperature dependence of the absorption edge in crystalline and vitreous As2S3 //Phys. stat. sol. (b) 1974. V. 64. pp. 123 130.
- Tauc J., Menth., Wood D.L., Optical and magnetic investigations of the localized states in semiconducting glasses // Phys. Rev. Lett. 1970. V. 25, № 11. pp. 749−752.
- Андреев A.A., Коломиец Б. Т., Мазец Т. Ф., Манукян А. Л., Павлов С. К., Температурная зависимость края поглощения As2Se3 и AsSe в твердом и жидких состояниях// ФТТ. 1976. Т. 18, № 1. сс. 53 57.
- Закис Ю.Р., Дефекты в кристаллах и стеклах / Уч. зап. ЛГУ им. П. Стуч-ки, Физика и химия стеклообразующих систем. 1974. Т.203, вып.2. сс. 3 -21.
- Ю П., Кардона М., Основы физики полупроводников. М: Физматлит, 2002. 560 с.
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М: Мир, 1973. 257с.
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М: Энергия, 1976. 416 с.
- N.M. Ravindra, V.K. Srivastava., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // J. Phys. Chem. Solids. 1979. V. 40, № ю. pp. 791 793.
- Fan H.Y., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Phys. Rev. 1951. V. 82, № 6. pp. 900 905.
- Radkowsky A., Temperature dependence of electron energy levels in solids // Phys. Rev. 1948. V. 73, № 7. pp. 749 761.
- Давыдов А.С., Теория поглощения света в молекулярных кристаллах. Изд-во АН УССР. Киев, 1951. 320 с.
- Фэн Г., Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах в отсутствие внешних полей. М: Мир, 1969. 127 с.
- Tu R.C., Su Y.K., Li C.F., Huang Y.S., Chou S.T., Lan W.H., Tu S.L., Chang H., Near-band-edge optical properties of molecular beam epitaxy grown ZnSe epilayers on GaAs by modulation spectroscopy // J. Appl. Phys. 1998. v.83, № 3. pp. 1664- 1669.
- Manoogian A., Wooley J.C., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Can. J .Phys. 1984. v. 62, № 3. pp. 285−287.
- Tichy L., Ticha H., The temperature dependence of the optical gap of glassy GeSe2//Materials Letters, 1992. v. 15. pp. 198−201.
- Schwarz J., Ticha H., Tichy L., Temperature shift of the optical gap in some Pb0-Zn0-P205 glasses // Materials Letters, 2007. v. 61. pp. 520 522.
- Allen P.B., Cardona M., Theory of the temperature of the direct gap of germanium// Phys. Rev. B. 1981. v. 23, № 4. pp. 1495 1505.
- Allen P.В., Cardona M., Erratum: Theory of the temperature of the direct gap of germanium Phys. Rev. B. 23, 1495 (1981). //Phys. Rev. B. 1981. v. 24. p. 7489(E).
- Шварц К.К., Экманис Ю. А., Диэлектрические материалы: радиационные процессы и радиационная стойкость. Рига. Зинатне. 1989. 188 с.
- Зацепин А.Ф., Ушкова В. И., Калентьев В. А., Радиационные Е'-цептры и экзоэмиссионная активность поверхности силикатных материалов // Поверхность. 1990. № 6, сс. 100 105.
- Дубинин С.Ф., Пархоменко В. Д., Теплоухов С. Г., Гощицкий Б. Н., Аморфизация твердых тел быстрыми нейтронами // ФТТ. 1998. Т. 40, № 9. сс. 1584- 1588.
- Вавилов B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI.C., Действие излучений на полупроводники. М: Наука. 1988. 190 с.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Щапова Ю. В., Правило Урбаха в стеклах Pb0-Si02 // ФТТ. 2000. Т. 42, № 2. с. 224 229.
- Weil J.A., A review of electron spin spectroscopy and its application to the study of paramagnwtic defects in crystalline quartz // Phys.Chem.Minerals. 1984. v. 10, № 4. pp. 149- 165.
- Бреховских C.M., Тюльнин В. А., Радиационные центры в неорганических стеклах. М: Энергоатомиздат. 1988. 199 с.
- Skuja L., Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide // J. Non-Crystalline Solids. 1998. v. 239, 16−48.
- Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Калентьев В. А. Ушкова В.И., Кислородно-вакансионные комплексы в облученных нейтронами кристаллах фенакита //ФТТ. 1988. Т. 30, вып. 5. сс. 1305 1310.
- Платонов А.Н., Таран М. Н., Польшин Э. В., Минько О. Е. // Изв. АН СССР. Сер. геол. 1979. № 10, сс. 54.
- Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Effect of the type of atomic disorder on spectral characteristics of photoemitters // Latv. J. Phys. Tech. Sci. 2000. v. 6 Suppl. pp. 73 77.
- Платонов A.H., Таран M.H., Балицкйй B.C., Природа окраски самоцветов. М: Недра. 1984. 196 с.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Квазидинамический структурный беспорядок, индуцированный быстрыми нейтронами в кристаллах Be3Al2Si6018 // ФТТ. 2001. Т. 43, № 2, сс. 237−241.
- Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Ушкова В. И., Калентьев В. А., Изменение эк-зоэмиссионных свойств кристаллов кварца и фенакита в процессе радиационной трансформации струтктуры поверхности // Поверхность. 1992. № 4. сс. 43 50.
- Кабышев А.В., Конусов Ф. В., Влияние ионного облучения на критерии правила Урбахав оксиде алюминия // Поверхность. 2008. № 4. сс. 103 -109.
- Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.
- Gan Fuxi Optical and spectroscopic properties of glass. Springer-Verlag and Shanghai Scientific and Technical Publishers. Berlin. 1992. 284 p.
- Vogel W.,. Glass chemistry. Springer-Verlag, Berlin. 1992. 464 p.
- Роусон Г., Неорганические стеклообразующие системы. М: Мир. 1970. 312 с.
- Глебов Л.Б., Плюхин А. Г., Раабен Э. Л., Толстой М. Н., Трухин А. Н., Люминесценция свинца в силикатных стеклах // Физ. и хим. стекла.1990. т. 16, № 2. сс. 245 252.
- Глебов Л.Б., Докучаев В. Г., Петров М. А., Петровский Г. Т., Спектры поглощения центров окраски в щелочносиликатных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1990. т. 16, № 1. сс. 39 47.
- O’Leary S.K., Johnson S.R., Lim Р.К., The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis // J. Appl. Phys. 1997. v. 82, № 7. pp 3334−3340.
- Ellis E., Johnson D.W., Breeze A., Magee P.M., Perkins P.G., The electronic band structure and optical properties of oxide glasses II. Lead silicates // Philosophical Magazine B. 1979. v. 40, № 2. pp. 125 137.
- Раабен Э.Л., Толстой M.H., Влияние природы стеклообразователя и модификатора в формировании спектра поглощения иона свинца // Физ. и хим. стекла. 1988. т. 14, № 1. сс. 66 71.
- Раабен Э.Л., Толстой M.H., Концентрационные зависимости в спектрах поглощения стекол, содержащих оксид свинца // Физ. и хим. стекла. 1988. т. 14, № 6. сс. 815−820.
- О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Наука, М. (1985) 184 с.
- Rabinovich E.M., Review. Lead in glasses // J. Materials Science. 1976. 11. pp. 925 948.
- Piriou В., Arashi H., Raman and infrared investigations of lead silicate glasses // High Temperature Science. 1980. 13, pp. 299 313.
- Кабанов В.О., Подольская Т. М., Януш О. В., Спектры комбинационного рассеяния и структура стекол системы PbO-SiCb // Физ. и хим. стекла. 1996. т. 22, № 1. сс. 25 -33 .
- D. De Sousa Meneses, М. Malki, P. Echegut «Structure and lattice dynamics of binary lead silicate glasses investigated by infrared spectroscopy» // Journal of Non-Crystalline Solids 352 (2006) 769−776.
- A.M. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982, с. 376.
- Street R.A., Luminescence in amorphous semiconductors // Adv.Phys. 1976. v. 25, № 4. pp. 397−453.
- Street R.A., Luminescence in a-Si:H! In: Hydrogenated Amorphous Silicon Part B. / Ed. by J. Pankove. Academic Press Гпс. New York. 1984. pp. 197 -244.
- Каталог «Оптическое стекло СССР-DDR» / под ред. Г. Т. Петровского. Москва-Йена-Берлин, 1975.
- Физико-химические основы производства оптического стекла / под ред. Л. И. Демкиной. Л: Химия, 1976. 456 с.
- Стекло. Справочник / под ред. Н. М. Павлушкина, М.: Стройиздат, 1973. 488с.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Маслаков А. А. Характеристики оптического поглощения тяжелых флинтов в УФ-области // «Проблемы спектроскопии и спектрометрии»., межвуз. сб. науч. тр. УГТУ, Екатеринбург, 1999. вып.З. С. 18 25.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф. Влияние структурных факторов на край оптического поглощения тяжелых флинтов // Физ. и хим. стекла. 2004. Т. 30. № 6. С. 662 668.
- Вайнштейн И.А., Зацепин А. Ф. Расширенная диаграмма Аббе для тяжелых флинтов // Физ. и хим. стекла, 2006. т.32, № 2, сс. 188 194.
- Торопов Н.А., Барзаковский В. П., Лапин В. В., Курцева Н. Н., Бойкова А. И. Диаграммы состояния силикатных систем. Справочник. Выпуск третий. Тройные силикатные системы. Л.: Наука, 1972. 448 с.
- Kortov V. S, Milman 1.1., Kirpa V.I., Lesz Ja., Thermal Quenching of TL in a-A1203 Dosimetric Crystals // Rad. Protect. Dosimetry. 1996. v. 65, No. 1−4. pp. 255−258.
- Akselrod M.S., Kortov V.S., Kravetsky D.J. and Gotlib V.I., Highly sensitive thermoluminescent anion-defective a-Al203 single crystal detectors //, Rad. Protect. Dosimetry. 1990. v. 32, No. 1. pp. 15 20.
- Lee K.H., Crawford J.H., Electron centers in single-crystal А120з H Phys. Rev. B15. 1977. v.15,No. 8. pp. 4065−4070.
- Evans B. D. and Stapelbroek M., Optical properties of the F±centre in crystalline oc-A1203 // Phys. Rev. B. 1978. v. 18, № 12. pp. 7089 7098.
- Draeger B.G., Summers G.P. Defects in unirradiated а-АЬОз // Phys. Rev. B. 1979. v. 19, No. 2, pp. 1172 1177.
- McKeever S.W.S., Akselrod M.S., Colyott L.E., Agersnap Larsen N., Polf J.C. and Whitley V., Characterisation of А120з for use in thermally and optically stimulated luminescence dosimetry // Rad. Protect. Dosimetry. 1999. v.84, No. 1−4. pp. 163- 168.
- Кортов B.C., Мильман И. И., Термостимулированная люминесценция дозиметрических кристаллов а-А120з // Известия ВУЗов. Физика. 1996. т. 39, № 11. сс. 145- 161.
- К.Н. Lee, J.H. Crawford, Jr., Additive coloration of sapphire // Appl. Phys. Lett. 1978. v. 33, № 4, 273−275.
- Mitchell E.W.J., Rigden J.D., Townsend P.D., The anisotropy of optical absorption induced in sapphire by neutron and electron irradiation // Philosophical Magazine. 1960. 5. pp. 1013 1027. •
- Levy P.W., Color Centers and Radiation-Induced Defects in A1203 // Phys. Rev. 1961. v. 123, № 4. pp. 1226- 1233.
- Lee K.H., Crawford J.H., Jr., Luminescence of the F center in sapphire // Phys. Rev. B. 1979. v. 19, № 6. pp. 3217−3221.
- Валбис Я.А., Кулис П. А., Спрингис M.E. Дефекты решетки и люминесценция монокристаллов а-А1203. II. О природе люминесценции аддитивно окрашенных кристаллов // Известия АН Латвийской ССР, сер. физ. и техн. наук. 1979. № 6. сс. 22 28.
- Аксельрод М.С., Кортов B.C., Мильман И. И., Рекомбинационные процессы в легированном аниондефектном корунде // Укр. физ. Журнал. 1983. Т. 28, № 7. сс.'1053 1056.
- Choi Sang-il, Takeuchi Т., Electronic States of F-Type Centers in Oxide Crystals: A New Picture // Phys. Rev. Lett. 1983. v. 50, № 19. pp. 1474 -1477.
- Вайнштейн И.А., Кортов B.C., Температурное поведение полосы 6.05 eV в спектрах оптического поглощения кислород-дефицитного корунда // ФТТ. 2000. V. 42. № 7. С. 1223 -1229.
- Стоунхэм A.M., Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках. 1985 М: Наука. 625 с.
- Абакумов В.Н., Перель В. И., Яссиевич И. Н., Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. С.-Петербург: Изд-во «Петербургский институт ядернгой физики им. Б. П. Константинова РАН». 1997. 376 с.
- Brewer J.D., Jeffris В.Т. and Summers G.P., Low-temperature fluorescence in sapphire // Phys. Rev. B. 1980. V. 22, № 10. pp. 4900 4906.
- La S.Y., Bartram R.H., Сох R.T., The F+ center in reactor-irradiated aluminum oxide // J. Phys. Chem. Solids 1973. v. 34, № 6. pp. 1079 1086 .
- Henderson В., King R.D., Stoneham A.M., The temperature dependence of the F band in magnesium oxide // J. Physics C: Solid State Physics. 1968. v. 1, № 3. pp. 586−593.
- Бессонова Т.С., Авакумова JI.A., Гимадова Т. И., Тале И. А., Топография свойств кристаллов корунда с дефектной структурой // ЖПС. 1991. т. 54, № 2. сс.258 262.
- Kotomin Е.А., Popov A.I., Radiation-induced point defects in simple oxides // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1998. v. 141, pp. 1 15.
- Мильман И.И., Термостимулированные процессы в облученных широкозонных оксидах с нарушенной стехиометрией / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1999. 428 с.
- Никифоров С.В., Особенности термостимулированной люминесценции аниондефектных монокристаллов а-АЬОз / дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1998. 151 с.
- Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., The effect of thermally stimulated photoconversion of oxygen centres on the sensitivity of TLD-500 dosimetric crystals // Radiat. Prot. Dosim. 2002. v. 100, № 1−4. pp. 159 162.
- Jeffries B.T., Brewer J.T., Summers G.P., Photoconductivity and charge trapping in A1203 // Phys. Rev. B. 1981. v. 24, № 10. pp. 6074 6082.
- Atabekyan R.R., Ezoyan R.K., Gevorkyan V.A., Vinetskii V.L., Photostimu-lated Electron Redistribution between F and F+ Centres in Corundum // Phys. stat. sol. (b). 1985. v. 129, № 1. pp. 321 329.
- Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., Orozbek uulu Askar, Specific features of 3.8-eV emission in TL spectra of oxygen-deficient corundum // phys. stat. sol. ©. 2005. v. 2, № 1. pp. 523 526.
- Мильман И.И., Кортов B.C., Никифоров C.B., Интерактивный процесс в механизме термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов а-АЬОз И ФТТ. 1998. т. 40, № 2. сс. 229 234.
- Pelenyov V.E., Kortov V.S., Milman I.I., The interaction of deep traps in an-ion-defective а-А12Оз // Radiaton Measurements. 200L. v. 33. pp. 629 631.
- Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., Specific features of luminescence in а-А120з after F-=>F±photoconversion / Труды VIII-й Международной школы-семинара «Люминесценция и лазерная физика». Иркутск, 2003. сс. 51−58.
- Weinstein I.A., Kortov V.S., The shape and the temperature dependence of the main band in UV absorption spectra of TLD-500 dosimetric crystals // Radiaton Measurements. 2001. v. 33, № 5. pp. 763 767.
- Вохминцев A.C., Вайнштейн И. А., Параметры полос оптического поглощения анионных центров в корунде / Научные труды VII отчетной конференции, молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ 4.1, сб. статей в 3 ч., Екатеринбург, 2005. сс. 258 259.
- Мильман И.И., Кортов B.C., Никифоров С. В., Пеленев В. Е., Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия //ФТТ. 2003. т. 45, вып. 7. сс. 1202 1208.
- Kristianpoller N., Shmilevich A., Weiss D., Chen R, Sensitization and desen-sitization of the luminescence yield of A1203: C // Rad. Eff. Def. Solids. 1998. v. 146. pp. 237−241.
- Кортов B.C., Орозбек уулу Аскар, Вайнштейн И.А., Особенности кинетики термолюминесценции в дозиметрических кристаллах оксида алюминия // Журнал прикладной спектроскопии. 2006. т. 73, № 2. сс.187 -190.
- Сюрдо А.И., Радиационно-оптические и эмиссионные свойства широкозонных анионодефектных оксидов с пониженной симметрией / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 2007. 405 с.
- Weinstein I.A., Pelenyov V.E., F- => F±centers transformations in mechanisms of sensitization of TLD-500 // Radiation Measurements. 2004. v. 38. № 4−6. pp. 421 -425.
- Кортов B.C., Мильман И. И., Никифоров С. В., Моисейкин Е. В., Оптически индуцированные эффекты в термолюмпнесценции дозиметрических кристаллов анион-дефектного корунда // Журнал прикладной спектроскопии, 2004. Т. 71, № 2. сс. 227−230.
- Akselrod M.S., Gorelova E.A., Deep traps in highly sensitive a-Al203:C TLD crystals //Nucl. Tracks Radiat. Meas. 1993. v. 21, № 1, pp. 143 146.
- Molnar G., Benabdesselam M., Borossay J., Tacconi P., Lapraz D., Akselrod M., Influence of the irradiation temperature on the dosimetric and high temperature TL peaks of A1203: C // Radiat. Prot. Dosim. 2002. v. 100, № 1−4, pp. 139- 142.
- Yukihara E.G., Whitley V.H., Klein D.M., McICeever S.W.S., Akselrod A.E., Akselrod M.S., The effect of deep trap population on the thermoluminescence of A1203: C // Radiation Measurements. 2003. v. 37. pp. 627 638.
- Мильман И.И., Кортов B.C., Кирпа В. И., Температурное тушение в люминесценции анионодефектных кристаллов а-АЬ03 // ФТТ. 1995. Т. 37. № 4. С. 1149−1159.
- Akselrod M.S., Agersnap Larsen N., Whitley V., McKeever S.W.S., Thermal Quenching of F-center luminescence in A1203: C // J. Appl. Phys. 1998. v. 84, № 6. pp. 3364−3373.
- Вайнштейн И.А., Вохминцев A.C., Кортов B.C., Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3.0 eV в монокристаллах а-А1203 // Письма в ЖТФ. 2006. т. 32, вып. 2. сс. 21 27.
- Кондратенко П.А., Температурное тушение люминесцецнии корунда // Укр. физ. журнал. 1970'.'Т. 15. № ю. С. 1730 1731.
- Апанасенко А.Л., Кузниченко А. В., Говядовский Ю. Б., Якунин В. Г., Температурная зависимость рентгенолюминесценции и термолюминесценции корунда // ЖПС. 1991. т. 54, № 3. сс. 438 444.
- Казаков В.П., О температурном тушении люминесценции. Компенсационный эффект // Оптика и спектроскопия. 1965. Т. XVIII, вып. 1. сс. 54 -57.
- Федоров Г. Б., Некоторые закономерности в изменении параметров D0 и Q при диффузии в металлах и сплавах / в сборнике «Подвижность атомов в кристаллической решетке». Серия Металлофизика. 1965. Киев, «Наукова думка», сс. 40 49.
- Кислишин В.А., О взаимосвязи предэкспоненциальногофактора и энергии активации при диффузии в кристаллических телах // Известия АН СССР, серия Металлы. 1976. № 1. сс. 230 235.
- Крысов В.И., Компенсационные эффекты кинетики термоактивируемых процессов в аморфных металлических сплавах // ФММ. 2002. Т. 93. № 3. сс. 70−74.
- Сорокин Н.И., Соболев Б. П., Брайтер М., Особенности анионного переноса в суперионных проводниках на основе MF2 (М = Pb, Cd) // ФТТ. 2002. т. 44, вып. 8. сс. 1506 1512.
- Ехпег О., Determination of the isokinetic temperature // Nature. 1970. Vol. 227, № 5256. pp. 366−367.
- Boon M.R., Thermodynamic compensation rule // Nature. 1973. Vol. 243, June 15. p. 401.
- Harris P. S., Compensation effect and experimental error // Nature. 1973. Vol. 243, June 15. p. 401 -402.
- Weinstein I.A., Kortov V.S., Vohmintsev A.S., The compensation effect during luminescence of anion centers in aluminum oxide // J. Luminescence. 2007. v. 122 123. pp. 342 — 344.
- Orozbek uulu Aslcar, Weinstein I.A., Slesarev A.I., Kortov V.S., Kinetic features of thermoluminescence in oxygen-deficient crystals of aluminum oxide //Известия ВУЗов. Физика. 2006, № 10 Приложение, сс. 138 140.
- Бессонова Т.С., Станиславский М. П., Хаимов-Мальков В.Я., Собко А. И., Влияние примесей на радиационно-оптические процессы в рубине // ЖПС. 1979. Т. 30, № 5. сс. 829 835.
- Milman I.I., Kortov V.S., Nilciforov S.V., An interactive process in the mechanism of the thermally stimulated luminescence of anion-defective a-A1203 crystals // Radiation Measurements. 1998. V.29, № ¾. pp. 401 410.
- McKeever S.W.S., Chen R., Luminescence models // Radiation Measurements. 1997. v. 27, № 5/6. pp. 625 661.
- Слесарев A.M., Кортов B.C., Аппаратно-программное обеспечение тер-мостимулированных измерений в экзоэмиссионной дефектоскопии / 17-я Международная конференция «Неразрушающий контроль и диагностика», Екатеринбург, 5−11 сентября 2005. с. 30.
- Казаков В.П., Компенсационный эффект в кинетике реакций комплексных ионов переходных металлов // Известия СО АН СССР, сер. Химия. 1968. № 7. вып. 3. сс. 102 112.
- Weinstein LA., Popko E.A., The simulation of TL processes in alpha-АЬОз using different ratios between parameters of trapping and luminescent centers // J. Luminescence. 2007. v. 122 123, pp. 377 — 380.
- Попко E.A., Орозбек уулу Аскар, Вайнштейн И.А., Кортов B.C., Учет температурного тушения при моделировании параметров TJI-пиков в а-А1203 //Вестник УГТУ-УПИ, спец. выпуск. 2004. сс. 145 147.
- Sunta С.М., Ayta W.E. Feria, Piters T.M., Watanabe S., Limitation of peak fitting and peak shape methods for determination of activation energy ofthermoluminescence glow peaks // Radiation Measurements. 1999. v. 30. pp. 197−201.
- Sunta C.M., Ayta W.E.F., Chubaci J.F.D., Watanabe S., General order and mixed order fits of thermoluminescence glow curves a comparison. Radiat. Meas. 2002. V. 35. pp. 47 — 57.
- Кортов B.C., Мильман И. И., Никифоров С. В., Особенности кинетики термостимулировёанной люминесцекнции кристаллов а-АЬ03 с дефектами//ФТТ. 1997. т. 39, № 9. сс. 1538 1543.
- Садыкова Э.З., Роль мелких ловушек в термолюминесценции анионоде-фектного оксида алюминия / дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2007. 101 с.
- Alben R., Blume М., Kralcauer Н., Schwartz L., Exact Results for a Three-dimensional Alloy with Site Diagonal Disorder: Comparison with the Coherent Potential Approximation // Phys. Rev. B. 1975. v. 12, № 10. pp. 4090 4094.
- Maradudin A.A., Montroll E.W., Weiss G.H., Ipatova I.P., Theory of Lattice Dynamics in the Harmonic Approximation. Academic Press. New York, 1971.775 p.
- Benedek G., The Green Function Approch to the Surface Lattice Dynamics of Ionic Crystals // Surf. Sci. 1976. v.61, № 2, pp. 603 634.
- Montroll E.W., Frequency Spectrum of Crystalline Solids // J.Chem.Phys. 1942. v.10, № 4. pp. 218−229.
- Sangster M.J.L., Strauch D., Localized Modes associated with Defects in Ionic Crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1990. v.51, № 7. pp. 609 639.
- Sangster M.J.L., Harding J.H., Calculation of Local and Gap Mode Frequencies from Impurities in Alkali Halide Crystals // J. Physics C: Solid State Physics. 1986. v. 19, № 31. pp. 6153 6167.
- Sangster M.J.L., Hussain A.R.Q., The Supercell Method for Calculating Re-spenses in Defective Lattice//Physica B+C. 1985. v. 131, № 1. pp. 119- 125.
- Мазуренко В.Г., Локализованные колебания решетки в дефектных диэлектрических кристаллах / дисс. докт. физ.-мат. наук, 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 1994. 203 с.
- Кислов А.Н., Формирование локализованных колебаний решетки и их влияние на физические свойства кристаллов и нанокристаллов / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2004. 307 с.
- Вайнштейн И.А., Локализованные колебания и транспорт электронов в процессах экзоэмиссии кристаллов MgO / дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 1997. 124 с.
- Мазуренко В.Г., Вайнштейн И. А., Кортов B.C., Локальные колебания Vk- и U-центров в ЩГК // ФТТ. 1993. т.35, № 8. сс. 2282 2284.
- Dick B.G., Overhauser A.W., Theory of the Dielectric Constants of Alkali Halide Crystals //Phys. Rev. 1958. v. 112, № 1. pp. 90- 103.
- Catlow C.R.A., James R., Mackrodt W.C., Stewart R.F., Defect energetics in а-АЬОз and rutile Ti02 // Phys. Rev. B. 1982. v. 25, № 2. pp. 1006- 1026.
- Павлов П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1985. 384 с.
- Mackrodt W.C., Stewart R.F. Interatomic Potentials Handbook, 1979.
- Catlow C.R.A., Faux I.D., Norgett M.J., Shell and breathing shell model calculations for defect formation energies and volumes in magnesium oxide // J. Physics C: Solid State Physics. 1976. v.3,. pp. 419−429.
- Sangster M.J.L., Peckham G., Saunderson D.H., Lattice dynamics of magnesium oxide // J. Physics C: Solid State Physics. 1976. v.3. pp. 1026 1036.
- Norgett M.J., Stoneham A.M., Pathalc A.P., Electronic structure of the centre in MgO // J. Physics C: Solid State Physics. 1976. v. 10. pp. 555 565.
- Kislov A. N., Mazurenlco V.G., Korzov K.N., Kortov V.S., Interionic potentials and localized vibrations in АЬОз crystals with vacancies // Physica B. 2004. v. 352, pp. 172- 178.
- Кислов A.H., Мазуренко В. Г., Корзов K.H., Кортов B.C., Динамика решетки кристаллов корунда с вакансиями в различных зарядовых сотоя-ниях // ФТТ. 2003. т. 45, вып. 9. сс. 1696 1699.
- Rambaut С., Jobic Н., Jaffrezic Н., Kobanoff J., Fayeulle S., Molecular dynamic simulation of the а-А120з lattice: dynamic properties // J. Physics C: Condensed.Matter. 1998. v. 10, № 19. pp. 4221 4229.
- Loong C.-K., Phonon densities of states and related thermodynamic properties of high temperature ceramics // J. Eur. Ceram. Soc. 1999. v. 19, № 13−14. pp. 2241−2247.
- Миронова H.A., Улманис У. А., Радиационные дефекты и ионы металлов группы железа в оксидах. Рига: Зинатпе, 1988. — 208 с.
- Benett J.S., Spin relaxation of Fe+ in MgO excited electronic states // Phys. Rev. B. 1970. v. l, № 9. pp. 3561 3568.
- Chappert J., Frankel R.B. Fe2+ and Fe3+ hyperfme fields in MgO and CaO // Phys. Lett 1967. v.25A, № 2. pp. 149- 150.
- Low W., Paramagnetic resonance of Fe3+ in cubic crystals // Proc. Phys. Soc. B. 1956. v.69, № 29. pp. 1169 1176.
- Low W., Weger M., Paramagnetic resonance and optical spectra of divalent iron in cubic crystals. Experimental results // Phys. Rev. I960, v. l 18, № 5. pp. 1130- 1136.
- Tench A.J., Duck M.J., Radiation damage in oxides: II. Defect formation in MgO // J. Physics C: Solid State Physics. 1973. v.6, № 7. pp. 1134 1148.
- Sangster M.J.L., Stoneham A.M., Calculations of off-centre displacements of divalent substitutional ions in MgO, CaO, SrO and BaO from model potentials // Phil.Mag. B. 1981. v.43, № 4. pp. 597 608.
- Stoneham A.M., Sangster M.J.L., Multiple charge-states of transition metal impurities // Phil.Mag. B. 1981. v.43, № 4. pp. 597 608.
- Мазуренко В.Г., Вайнштейн И. А., Кортов B.C., Вараксин A.H., Примесные колебательные моды в кристаллах MgO-Fe" и1. MgO-Fe // ФТТ.1995.Т.37, № 10. сс. 3011 -3015.
- Колмогоров Ю.Н., Вараксин А. Н. Вычисление энергий взаимодействия дефектов в ионных кристаллах методом молекулярной статики / УПИ, Свердловск, Деп. В ВИНИТИ № 2395. 1989. 137 с.
- Sangster M.J.L., Relaxations and their strain derivatives around impurity ions in MgO // J. Physics C: Solid State Physics. 1981. v. 14. pp. 2889 2898.
- Мазуренко В.Г., Кислов A.H., Расчет частот щелевых колебаний дефектных ионных кристаллов рекурсивным методом в модели оболочек // ФТТ. 1991. т. ЗЗ, № 11. сс. 3433 3435.
- Cohen R.E., Boyer L.L., Mehl M.J., Lattice dynamics of the potential-induced breathing model: Phonon dispersion in the alkaline-earth oxides // Phys. Rev. B. 1987. v.35, № 11. pp. 5749 5760.
- Billat A., Mon J.P., Voisin M., Experimental and Theoretical study of Raman Scattering in Co and Fe -Doped Magnesium Oxide // Phys. stat. sol (a). 1975. v.67.'pp. 335−339.
- Billat A., Mon J.P., Voisin M., Impurity induced Raman Spectra in MgO-Fe3+ and MgO-Cr3+ crystals // Phys. stat. sol (a). 1976. v. 9. pp. 1337 1343.
- Безель A.B., Электронная структура релаксированных точечных дефектов в оксиде магния / дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УПИ, Свердловск, 1989. 120 с.
- Chen Y., Williams R.T., Sibley W.A., Defect cluster centres in MgO // Phys. Rev. 1969. v. 182, № 3. pp. 960−964.
- Соболев А.Б., Кластерные расчеты электронного строения анионной вакансии, F± и F-центра в кристалле MgO с самосогласованным учетом деформации и поляризации решетки // ФТТ. 1994. Т.36, N.10. сс. 2231 -2237.
- Eglitis R.I., Kuklja М.М., Kotomin Е.А., Stashans A., Popov A.I., Semi-empirical simulations of the electron centers in MgO crystal // Computational Materials Science. 1996. v. 5, № 4. pp. 298 306.
- Mazurenko V.G., Sobolev A.B., Kislov A. N., Korzov K.N., Kulyashov V.V., Kortov V.S., Modeling of the lattice dynamics in MgO crystals with points defects in different charge states // Physica B. 2005. v. 368. pp. 287 296.
- Herscovici C., Fibish V., Phonon Spectra calculations by Recursion Method: I. Diatomic Crystals // J. Physics C: Solid State Physics. 1980. v. 13, № 9. pp. 1635- 1647.
- Кортов B.C., Слесарев А. И., Рогов B.B., Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Наукова думка. 1986. 176 с.
- Kortov V.S., Mazurenko V.G., Multiphonon processes in exoelectron emission mechanisms / Proc. 11-th Symp. Exoelectron emission and Applications, Glucholazy, 1994. pp. 13−22.
- Fitting H.-Y., Glaefeke H., Wild W., Franke M., Muller W., Electronen-strahlinduzierter ladungstransport in Si02 schichten // Exper. Tech. Phys. 1979. V.27,№l.pp. 13−24.
- Fitting H.-J., Elektronenstrahlinduzierte Ladungstrager in Festokorpertargets. / Dissertation zur Erlangung des Akademischen Grades Doctor der Wissen-schaften. Rostock: Wilhelm-Peck Universitat, 1978. 196 p.
- Исаков В.Г., Скотников B.A., Кортов B.C., Машинное моделирование зарядового состояния приповерхностного слоя Si02 при электронной бомбардировке / «Радиационно-стимулированные явления в твердых телах» Межвуз. сборник., Свердловск: УПИ, 1988. сс.74−80.
- Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Тюков В. В., Черлов Г. Б., Индуцированное электронной бомбардировкой заряжение приповерхностных упруго деформированных слоев диоксида кремния // Поверхность. 1991. № 4. сс.150- 152.
- Нассенштейн Г., Электронная эмиссия с поверхности твердого тела после механической обработки и облучения / Экзоэлектронная эмиссия, сб. статей, М.: ИЛ, 1962. сс. 72−95.
- Богун А., Дольежи Дж., Экзоэлектронная и термоэлектронная эмиссия с некоторых галоидных соединений / Экзоэлектронная эмиссия, сб. статей, М.: ИЛ, 1962. сс. 216−234.
- Kortov V.S., Shifrin V.P., Exoemission Properties of Zr02// Phys.stat.sol.(a). 1974. v.25, № 2. pp. 377−385.
- Толпыго Е.И., Толпыго К. Б., Шейнкман M.K., Оже-рекомбинация с участием носителей, связанных на различных центрах // ФТТ. 1965. т.7, № 6. сс. 1790- 1794.
- Bichevin V., Kaambre PI., A Possible Manifestation of Auger Processes in Thermostimulated Electron Emission // Phys.stat.sol.(a). 1971. v.4, № 3. pp. K235 -K238.
- Mazurenlco V.G., Kortov V.S., Photostimulated and thermostimulated exoe-lectron emission at multiphonon ionization of deep centers in ion crystals // Поверхность. 1993. № 8. сс. 66 72.
- Вайнштейн И.А., Мазуренко В. Г., Кортов B.C., Моделирование процессов термостимулированной экзоэлектронной эмиссии с глубоких центров в кристалле MgO / Тез. докл. на Всеросс.конф. «Химия твердого тела и новые материалы», Екатеринбург, 1996. с. 152.
- Drenckhan S., Gross Н., Glaefeke Н., The mechanism of Exoelectron Emission after Excitation with Electrons // Phys.stat.sol.(a). 1977. v. 2, № 1. pp. K51- K54.
- Кестер Г., Яссиевич И. Н., Термостимулированная эмиссия электронов в изоляторах // ФТТ. 1983. т.25. вып.6. сс. 1855 1877.
- М.Борн, Хуань Кунь, Динамическая теория кристаллических решеток. М.: ИЛ, 1958. 488 с.
- Хуань Кунь, Рис А., Теория оптических и безизлучательных переходов в F-центрах / В «Проблемы физики полупроводников». М.: ИЛ, 1957. сс. 389−406.
- Карпус В., Перель В. И., Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле // ЖЭТФ. 1986. т.91, № 6. сс. 2319−2331.
- Абакумов В.Н., Курносова О. В., Пахомов А. А., Яссиевич И. Н., Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры // ФТТ, 1988. т. ЗО, № 6. сс. 1793 1802.
- Абакумов В.Н., Меркулов И. А., Перель В. И., Яссиевич И. Н., К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ. 1985. т.89, № 4. сс. 1472- 1486.
- Chen Y., Kopolus J.L., Sibley W.A., Defect luminescence of the irradiated MgO // J. Luminescence. 1970. v. l, № 2. pp. 633 637.
- Chen Y., Kopolus J.L., Sibley W.A., Luminescence of the F±center in MgO //Phys. Rev. B. 1969. v. 186, № 3. pp. 865 870.
- Кортов B.C., Мазуренко В. Г., Вайнштейн И. А., Моделирование механизмов ТСЭЭ: I. Многофононная ионизация глубоких центров в кристалле MgO / Детектирование ионизирующих излучений.: Межвуз. сб., Екатеринбург, 1996. сс. 58 62.
- Соболев А.Б., Вараксин А. Н., Расчеты энергий образования анионной вакансии, F± и F-центров в кристалле MgO методом молекулярной статики//ФТТ. 1995. т.37, № 5. сс. 1337- 1341.
- Watanabe Y., Takemoto Y., Kubozoe Т., Mukoyama Т., Monte-Carlo Calculations of the Energy Distribution of Exoelectrons // Phys.stat.sol (a). 1980. v.61. pp. 221 -229.
- Takemoto Y., Takanashi Y., Watanabe Y., Kubozoe Т., Temperature Dependence of the Mean Energy of Exoelectrons from MgO // Phys.stat.sol (a). 1980. v.58. pp. K145 K147.
- Thomas R.E., Gibson J.W., Haes G.A., Low Energy Electron Reflection (LEER) and Electron Affinity of MgO // Appl.Surf.Sci. 1980. v.5, № 4. pp. 398−405.
- Kortov V.S., Zolnikov P.P., Computation of the Energy and Angular Distribution of Exoelectrons by the Monte-Carlo Method // Phys.stat.sol (a). 1975. v.31, № 3. pp. 331 -339.
- Fischetti M.V., DiMaria D.J., Brorson S.D., Theis T.N., Kirtley J.R., Theory of high-field electron transport in silicon dioxide // Phys.Rev. B. 1985. v.31, № 12. pp. 8124−8142.
- Chang Y.-C., Ting D.Z.-Y., Tang J.Y., Hess K., Monte-Carlo simulation of impact ionization in GaAs including quantum effects // Appl.Phys.Lett. 1983. v.42,№ 1, pp. 76−78.
- Reggiani L., Lugli P., Jauho A.-P., Monte-Carlo algoritms for collisional broadening and intracollisional field effect in semiconductor high-field transport // J. Appl. Phys. 1988. v.64, № 6. pp. 3072 3078.
- Kim K., Mason B.A., Hess K., Inclusion of collision broadening in semiconductor electron-transport simulation // Phys. Rev. B. 1987. v.36, № 12. pp. 6547−6550.
- Reggiani L., Lugli P., Jauho A.P., Quantum kinetic equation for electronic transport in nondegenerate semiconductors // Phys. Rev. B. 1987. v.36, № 12. pp. 6602 6608.
- Sparks M., Mills D.L., Warron R., Holstein Т., Maradudin A.A., Sham L.J., Loh E., Jr, King D.F., Theory of electron-avalanche breakdown in solids // Physical Review B. 1981. v. .24, № 6. pp. 3519 3536.
- Fischetti M.V., Monte-Carlo Solution to the Problem of Higf-Field Electron Heating in Si02 // Phys. Rev. Lett. 1984. v.53, № 18. pp. 1755 1758.
- Xing Zhou, Hsiang T.Y., Monte-Carlo determination of femtosecond dynamics of hot carrier relaxation and scattering processes in bulk GaAs // J. Appl. Phys. 1990. v.67,№ 12. pp. 7399−7403.
- Nobuyuki Sano, Tomofumi Furuta, Energy Broadening in ultrafast relaxation processes of photoexcited electrons: a Monte Carlo approach // Phys. Rev. B. 1993. v.48, № 3. pp. 1426- 1432.
- Вайнштейн И.А., Кортов B.C., Мазуренко В. Г., Моделирование механизмов ТСЭЭ: II. Термализация экзоэлектронов с учетом уширения энергии в рамках метода Монте-Карло / Детектирование ионизирующих излучений: Межвуз.сб., Екатеринбург, 1996. сс. 62 70.
- Llacer J., Garwin E.I., Electron-Phonon Interaction in Alkali Halides: I. The Transport of Secondary Electrons with Energies between 0.25 and 7.5 eV // J. Appl. Phys. 1969. v.40, № 7. pp. 2766 2775.
- Kubozoe Т., Watanabe Y., On the energy distribution of exoelectrons / Proceedings of the 9th International Symposium on Exoelectron Emission and Application, Wroclaw, 1988. pp. 28 35.
- Kortov V.S., Isakov V.G., Glaefeke H., Fitting H.-J., Energy distribution of exoelectrons from NaCl (111) and (100) Surfaces // Phys.stat.sol (a). 1982. v.73. pp. K275 K278.
- Алукер Э.Д., Нестерова C.H., Нечаев А. Ф., Влияние поверхности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галоидных кристаллов // ФТТ. 1988. т. ЗО, № 4. сс. 1028 1033.
- Орлянская И.В., Современные подходы к построению методов глобальной оптимизации // журнал «Исследовано в России». 2002. т. 5. сс. 20 972 108. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2002/189.pdf
- Вайнштейн И.А., Попко Е. А., Генетический поиск модельных параметров при аппроксимации кривых термолюминесценции // Письма в ЖТФ, 2006. т.32, вып. 12. сс. 56 62.
- Weinstein I.A., Popko Е.А., Evolutionary approach in the simulation of ther-moluminescence kinetics // Radiation Measurements, 2007, v. 42, № 4−5. pp. 735 -738.
- Adamiec G., Garcia-Talavera M., Bailey R.M., De La Torre P.I., Application of genetic algorithm to finding parameters values to numerical simulation quartz luminescence // Geochronometria. 2004. v. 23. pp. 9−14.
- Adamiec G., Bluszcz A., Bailey R." Garcia-Talavera M., Finding model parameters: Genetic algorithms and the numerical modelling of quartz luminescence // Radiation Measurements, 2006, v. 41, № 5. pp 897 902.
- Sunta C.M., Yoshimura E.M., Okuno E., Supralinearity and sensitization of thermoluminescence. Part I: a theoretical treatment based on interactive trap system// J. Physics D: Applied Physics. 1994. V. 27. P. 852 860.
- Pagonis V., Chen R., Lawless J.L., Л quantitative kinetic model for A1203:C: TL response to ionizing radiation // Radiation Measurements. 2007. v. 42, № 2. pp. 198−204.
- Bailey R.M., Towards a general kinetic model for optically and thermally stimulated luminescence of quartz // Radiation Measurements. 2006. v. 33. pp. 17−45.
- Chen R., Pagonis V., Modelling thermal activation characteristics of the sensitization of thermoluminescence in quartz // J. Physics D: Applied Physics. 2003. v. 36. pp. 1 6.
- Sunta C., Okuno E., Lima J., Yoshimura E., Supralinearity and sensitization of thermoluminescence. II: interactive trap system model applied to LiF: Mg, Ti // J. Physics D: Applied Physics. 1994. V.27. pp. 2636 2643.
- Sakurai Т., Gartia R.K., The determination of intrinsic trapping parameters of a thermoluminescence peak of BeO // J. Physics D: Applied Physics. 1996. v. 29. pp. 2714−2717.
- Haupt Randy L., Haupt Sue Ellen, Practical genetic algorithms. John Willey & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey. 2004.
- Herrera F., Lozano M., Verdegay J.L., Tackling Real-Coded Genetic Algorithms: Operators and Tools for Behavioural Analysis // Artificial Intelligence Review. 1998. v. 12. pp. 265−319.