Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
Диссертация
Изготовлены и проведены систематические исследования физических свойств гетероструктур широкозонных полупроводников СаР-1пО, СаАя-2п0, Се-2пО, Сс1 $-2пО, БгС-^С)?.Х (АШ)Х при различных внешних воздействиях и режимах работы. Установлено, что гетерострктуры, полученные осаждением слоев 2п0 на Се, СаАя и СаР р-типа проводимости обладают линейными ВАХ и могут служить как прозрачные омические контакты… Читать ещё >
Содержание
- I. Электрофизические свойства контактов металл-арсенид галлия
- 1. 1. Энергетическая диаграмма контакта металл-арсенид галлия
- 1. 2. Явления переноса на контакте металл-арсенид галлия
- 1. 3. Электрофизические свойства омических контактов к арсениду галлия
- 1. 3. 1. Требования к омическим контактам и контактным материалам
- 1. 3. 2. Методика исследования удельных переходных сопротивлений омических контактов
- 1. 3. 3. Технология получения и электрофизические свойства омических контактов к арсениду галлия
- 2. 1. Энергетическая диаграмма и явления переноса на контакте металл-фосфид галлия
- 2. 2. Расчет удельных переходных сопротивлений контактов металл-фосфид галлия
- 2. 3. Электрофизические свойства омических контактов к фосфиду галлия
- 2. 3. 1. Технология нанесения контактов и выбор контактных материалов
- 2. 3. 2. Омические контакты к фосфиду галлия электронного типа проводимости
- 2. 3. 3. Омические контакты к фосфиду галлия дырочного типа проводимости
- 2. 3. 4. Обсуждение результатов исследований
- 2. 3. 5. Исследование омических контактов на светодиодах
- 2. 3. 6. Электрические свойства омических контактов
- 2. 3. 7. Стабильность свойств контактов к фосфиду галлия
- 2. 3. 8. Влияние радиации на сопротивления омических контактов
- 2. 4. Отражающие свойства омических контактов к фосфиду галлия
- 2. 4. 1. Методика исследования отражающей способности контактов
- 2. 4. 2. Отражающая способность систем
- 2. 4. 3. Конструкции светодиодов с отражающими покрытиями
- 2. 4. 4. Стабильность отражающей способности контактов
- III. Электрофизические свойства металлических контактов к карбиду кремния и твердым растворам на его основе
- 3. 1. Энергетическая диаграмма контакта металл-карбид кремния
- 3. 2. Омические контакты к карбиду кремния
- 3. 3. Омические контакты к твердым растворам (SiC)?x {лт)х
- 3. 4. Стабильность свойств омических контактов
- 3. 5. Отражающая способность металлических контактов к карбиду кремния
- 3. 6. Общие закономерности формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам
- 4. 1. Формирование выпрямляющих контактов металл-оксид цинка
- 4. 2. Пробой поверхностно-барьерных структур
- 4. 3. Влияние влажности окружающей среды на свойстве выпрямляющего контакта
- 4. 4. Механизм образования омического контакта и его свойства
- 5. 1. Получение и свойства гетероструктуры nGaP — ZnO
- 5. 2. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры nGe-ZnO
- 5. 3. Свойства гетероструктур на основе кремния и оксида цинка
- 5. 4. Некоторые свойства структуры GdS — ZnO
- 5. 5. Энергетическая зонная диаграмма гетероструктуры
Список литературы
- Schottky W. //Natarwiss, 1938, — v.26, — p.843- Z. Phys., — 1939, — v.113, -p.367- Z. Phys., — 1942, — v. 118B, — p.539.
- Bardeen J., Surface states and rectification at metal semiconductor contact. //Phys. Rev., 1947, — 71, — p.717.
- Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Энергия, 1973. -С.300−305.
- Henish А. К. Rectifying semicoductor contacts. Claredon Press, Oxford, 1957.- 163 p.
- Родерик Э. X. Контакты металл-полупроводник. M.: Радио и связь, 1982.- 264 с.
- Стриха В. И. Теоретические основы контакта металл-полупроводник. -Киев: Наукова думка, 1974. С.9−49.
- Стриха В.И., Бузанова Е. В., Радзиевский А. И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Советское радио, 1974. — С.9−47.
- Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М.: Мир, 1975. С. 435.
- Cowley A. and Sze S.M. Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems. //J. Appl. Phys. 1965, — v. 36, — № 10. — p.3212−3220.
- Mead C.A. //Metall-semiconductor surface barriers. //Sol. St. Electron. 1966, -№ 9. -p.1023.1 l. Spicer W. E., Lindau I, Skeath P, Su C.Y. //J. Vac. Sci. Techn. 1980, — v. 17. -p.1019.
- Spicer W. E., Lindau I., Gregory P. E., Garner С. M. Pianetta P., Chye P.V. //J. Vac. Sci. Tech. 1976, — v. 13. — p. 780.
- Гольдберг Ю.А. Омический контакт металл-полупроводник А1ПВУ: методы создания свойства. //ФТП. 1994, Т.28, вып. 10. — С. 1681−1698.
- Freeouf J. L., Woodall J. М. //Appl. Phys. Lett. 1982. — v.21. — p.727.
- Woodall J. M., Freeouf J. L. //J. Vac. Sci. Techn. 1982. — v. 21. — p. 574.
- Chang C. Y., Sze S. M. Carrier transport across metal-semiconductor barriers. //Solid state Electronics. 1970. — v. 13, № 6. — p.724−740.
- Chang C.Y., Eang Y.K., Sze S.M. Specific contacts resistance of metal-semiconductor barriers. //Solid state Electronics. 1971. — v. 14, № 7. — p.41−550.
- Bethe H. A. //Rep. 43/12, Massachusets Inst, of Techn., Rad. Lab. 1942. -p.47.
- Пикус.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. M.: Наука, 1965. — 280 с.
- Crowell C.R., Sze S.M. Electron transport in semiconductor-metal-semiconductor structures. //J. Appl. Phys. 1966. — v. 37, № 7. — p. 2683−2690.
- Гольдберг Ю.А., Поссе E.A., Царенков Б. В. Электрические свойства поверхностно-барьерных структур Sn-nGaAs. //ФТП. 1971. — Т.5, в.37, № 7. — р.468−476.
- Padovani F. A. Solid state Electronics. 1969. — v. 12, № 4. — p.135.
- Crowell C.R. A numerical analisys of the schottky barrier. //Solid state electronics. 1970. — v. 13, № 8. — p. 55.
- Phoderick E.H. The physics of Schottky barriers. //J. Phys. Opt. Appl. Phys. -1970. v.3. — p. l 153−1167.
- Гольдберг Ю.А., Наследов Д. Н., Царенков Б. В. Методика изготовления поверхностно-барьерных структур химическим осаждением металлов на поверхность полупроводника. //ПТЭ. 1971. — № 3. — С.207−209.
- Padovani F.A. and Stratton R. Field and thermoionic-field emission in Schottky barriers. //Solid state electronics. 1966. — v.9. — p. 695−707.
- Frank H. Ohmice kontakty na GaAs a GaP. //Electrotechnicky asp pis. 1974. -XXV. — islo 4−6.
- Rudeout V.L. A rewiew of the theory and technology for ohmic contacts to group III-IV compund semiconductor. //Solid state electronics. 1975. — v. 18. -p.541−550.
- Pellegrini B. A Detailed analisys of the metal-semiconductor contact. //Solid state electronics. 1974. — v. 17, № 3. — p.217−237.
- Stratton R. Tunneling phenomena in solids. Plenum. Press. New-York. 1969. -p.123−124.
- Yu A.Y. Electron tunneling and contacts resistance. //Solid state electronics. -1970. v. 13, № 2. — p.239−247.
- Федотов А. Я. Основы полупроводниковых приборов. M.: 1970. — 123 с.
- Rose Н. //Phys. Rev. 1965. — № 6. — р.1538.
- Смит Р. Полупроводники. М.: Изд-во ИЛ. 1962. — 279 с.
- Производство полупроводниковых приборов. /Пер. с англ. под редакцией Глебова. Д. М.: 1962. — С.56−78.
- Куликова Е.В., Рыжиков И. В. //Электронная техника. Сер.2, «Полупроводниковые приборы». 1971. — Вып. 3(60). — С.З.37.3аддэ В.В., Зайцева А. К. Измерение переходного сопротивления контакта металл-полупроводник. //ПТЭ. 1969. — № 4. — С. 191.
- Nougier J.P., Polland М. Metal-semiconductor contact resistivity and noise. //Solid state electronics. 1973. — v. 16. — p.l.
- Fremeny J. Kortan J., Janouskova O. Prispevek k priprave ohmickych kontaktu na GaP typu n //Elektrotechnichy casopis. 1973. — XXXIV. — cislo 3. — c. 184 187.
- Чистяков Ю.Д., Баранов B.B., Достанко А. П. Анализ методов определения величин переходного сопротивления невыпрямляющих контактов. М.: Электроника. //Обзор по электронной техники. — 1973. — Вып. 7(173).
- Berger Н.Н. Contacts resistance and contacts resistivity. //J. Electrochem. Soc. — 1972.-v. 119, № 4.-p. 507−514.
- Cox R.H., Strack Н. Ohmic contacts for GaAs divies. //Solid state electronics. -1967. v. 10. -p.1213−1218.
- Нисков В.Я. Разработка методик исследования и исследование омических контактов металл-полупроводник. Дис. кандидата технич. наук. М.: МИСиС, 1970.-214 с.
- Taylor Т.С. Used contacts to SiC. //Proceeding of the conf. on SiC. Boston, april 2−3, 1959, Perg. Press. — 1960. — № 4. — p.431.
- Соколов Ю. В., Эленкриг Б. С. О переходных сопротивлениях невыпрямляющих контактов к полупроводниковым приборам. //ФТП. -1973.-Т. 7, вып. 3.-С.2118.
- Каличук В.В., Кубецкий. А. и др. Метод определения металлического контакта к тонкому сильнолегированному слою полупроводника. //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. Вып.1. — С.44−50.
- Нисков В .Я., Кубецкий. А. Г. Сопротивление омических контактов к тонким слоям полуроводников. //ФТП. 1970. — Т.4, вып.9. — С. 1806−1808.
- Концевой А., Кудин В. Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.: Энергия. — 1973. — С.59−68.
- Мадоян С.Г., Гусейханов М. К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводников. //Изв. ВУЗов, «Физика». 1976,. — № 6. — С.80−83.
- Васильев И.Г., Боева Г. Г. Омические контакты к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC. //Обзор по электронной технике. М.: Электроника, сер. «Полупроводниковые приборы». — 1970, вып. 19(212). -С.10.
- Shin К.К., Blum J.M. Contact resistances of Au-Ge-Ni, Au-Ni and Al to III-V compounds. //Solid state electronics. 1972. — v. 15. — p. 1177−1180.
- Чистяков Ю.Д., Николаев И. В., Кузнецов В. П. и др. Невыпрямляющие контакты и физико-химические процессы их формирования. М.: МИЭТ. — 1989.-С.15.
- Чистяков Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия. — 1979. — 408 с.
- Достанко А.П., Чистяков Ю. Д., Баранов В. В. Переходный слой невыпрямляющих контактов. //Обзоры по электронной технике, сер. Материалы. 1976. — Вып 14(438). — 74 с.
- Физико-химические методы обработки поверхностей полупроводников. /Под ред. Б. Д. Луфт. М.: Радио и связь. 1982. — 136 с.
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ. М.: Мир, 1986. — 194 с.
- Валиев И.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Сов. радио, 1981. — 304 с.
- Тонкие пленки, взаимная диффузия и реакции. /Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Майера. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. — 518 с.
- Точицкий Э. И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. -Минск: Наука и техника, 1976. 376 с.
- Palmstrom С. J. Morgan D. V., Metallization for GaAs devices and circuits. //Gallium arsenide, ed. by M. J. Howes, D. V. Morgan. 1985. — p. 195−223- 253−261.
- Robinson G. V. Shottky diodes and ohmic contacts for the III-V semiconductor. //Phys. and chem. III-V compound semiconductor interfaces. New York: Plenum Press. 1985. — p. 73−163.
- Rideout V.L. A review of theory and technology for ohmic contacts to GaAs. //Solid state electronics. 1975. — v. 18, № 6. — p.541−550.
- Heiblum M., Nathan M.I., Chang C.A. Characteristics of Au-Ge-Ni ohmic contacts to GaAs. //Solid state electronics. 1982. — v. 25, № 33. — p.185−195.
- Voshll Т., Bauer C.L., Milnes A.G. Intefacial reactions between gold thin films and substrates. //Thin solid films. 1984. — v. Ill, № 2. — p. 149−166.
- Rai A.K., Bhattacharya R.S. Aloying behavior of gold, AuGe and Au-Ge-Ni on GaAs. //Thin solid films. 1984. — v. 144, № 3. p.379−398.
- Zeng X.F., Chung D.D. In situ X-ray diffraction study of the effects of Germainium and Nickel concentration on melting in gold-basen contacts to GaAs. //Thin solid films. 1987. — v. 147, № 2. — p. 177−192.
- Cowley A. and Sze S. M. Surface states and barrier height of metall-semiconductor systems. //J. Appl. Phys. 1965. — v.36, № 10. — p. 3212−3220.
- Cowley A.M., Heffner H. Gallium phosphide-gold surface barriers. //J. Appl. Phys. 1984. — № 13. -p.255−256.
- Nannichi Y., and Person G. L. Propeties of GaP Shottky barrier diodes at elevated temperatures. //Solid state electronics. 1969. — v. 12, № 5. — p.341−348.
- Goldberg Yu. A., Rosse E.A. Tsarenkov B.V. Ideal GaP surface-barrier diodes. //Electronic Letters. 1971. — v. 7, № 7. — p.601−602.
- Царенков Б.В., Гольдберг Ю. А., Изергин А. П. и др. Свойства поверхностно-барьерных структур металл-GaP. //ФТП. 1972. Т.6, № 4. -С.710−714.
- Wronski C.R. Effects of deep centers of n-type SaP Shottky barriers. //J. Appl. Phys. 1976 — v. 41, № 9. p.3805−3812.
- Мадоян С., Гусейханов M. К., Болтовский В. В. Исследование свойств барьеров Шоттки в системе никель-фосфид галлия n-типа. //Электронная техника, сер. 2, «Полупроводниковые приборы». 1975. — Вып.9(101). -С.57−63.
- Smith B.L. Near ideal Au-GaAp Shottky diodes. //J. Appl. Phys. 1969. — v. 40, № 11. — p.4675−4676.
- Fastman D.E. and Freeout J.L. Relation of Shottky barriers to empty surface states on III-V semiconductors. // J. Appl. Phys. 1975. — v.34, № 26. — p. 16 241 627.
- Канчуковский О.П. Влияние отжига в вакууме на структуру выпрямляющего контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. -Киев: Знание. 1975. — С.17−18.
- Мороз А.В., Садова Н. Н., Шенкевич А. Н. Физические основы работы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. Киев: Знание, 1975. — С.26−27.
- Spitzer S., Schwartz В., Kunn W. Electrical propeties of a native oxide of GaP. // J. Electrochem. Soc. 1973. — v. 120, № 5. — p. 669−672.
- Sze S. M. and Gibbons G. Avalanche breakdown voltage of abrupt and linearly graded p-n junctions in Ge, Si, GaAs and GaP. //Appl. Phys. Letters. 1966. -v. 8, № 5. — p.111−113.
- Cowley A.M. Depletion capasitance and diffusion potencial of GaP Shottky barrier diodes. //J. Appl. Phys. 1966. — v. 37, № 8. p.3024.
- Crowel C.R. Metal-semiconductor surface barrier. //Solid state electronics. -1969. v. 12. — p. 55.
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов AInBv. -М.: Мир, 1967.-477 с.
- Цидильковский У.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-640 с.
- Мадоян С.Г., Гусейханов М. К., Болтовский В. В. Металлический контакты к фосфиду галлия. //Обзоры по электронной технике, сер. 2, «Полупроводниковые приборы». 1975. — Вып 10(328). — С.3−64.
- Игнаткина Р.С., Мескин С. С. и др. Омические контакты фосфид галлия-металл. //ПТЭ. 1968. — № 5. — С.215−218.
- Розов В.В., Соболев В. М. Сплавы для полупроводниковых приборов. М.: Металлургия, 1969. — 326 с.
- Радауцан С.И., Максимов Ю. И. и др. Фосфид галлия. Кишинев: изд-во Молдов. ССР, 1969. — 280 с.
- Formenko M.S. Handbook of thermdonic propeties. New Yourk: V., Plenum Press, Hate Division. — 1966. — p. 264.
- Nakatsuka H., Domenico A.J., Pearson G.L. Improved ohmic contacts to n-type GaP devices. //Solid state electronics. 1971. — v. 14, № 9 — p.849−853.
- Sulway D.V., Kyaw H., Thornton P.R. Some factors affecting the of GaP crystal lamps. //Solid state electronics. 1967. — v. 10, № 6. — p.545−553.
- Zeidenbergs G., Anderson R. L. Si-GaP heterojunction. //Solid state electronics. 1967.-v. 10, № 2. — p. l 13−123.
- Ильин Ю.Л., Пихтин A.H., Сорокин B.C. и др. Электрические свойства монокристаллов фосфида галлия и р-n переходы на его основе. //Изв. Ленинградского электротехнического института. 1966. — Вып.57, ч. 1. -С.138−147.
- Гриценко А.Ф., Кулешов В. П. Термические напряжения в системе полупроводниковая пластина-металлический контакт. Электронная техника, сер. 2., «Полупроводниковые приборы». 1972. — Вып. 1. — С.27.
- Боян С., Уэйнер Дж. Теория температурных напряжений. /Пер. с англ. -М.: Мир, 1946. р. 190.
- Pultorak J. Kontakty eutektyczue zloto-german. //Archiwum elektrotechniki. -1960. v. 9, № 2. — p.281−303.
- Мадоян С.Г., Гусейханов M.K., Болтовский B.B. Свойства контактов олово-фосфид галлия. //Электронная техника, сер. 2, «Полупроводниковые приборы». 1975. — Вып. 2. — С. 102−104.th
- Chata К. К., Ogama М. Degradation of Au-Ge ohmic cintact to nGaAs. //12 Ann. Pros. Reliability Phys. 1974. — p. 278−283.
- Brantley W.A., et. al. Gallium migration through contact metallization on GaP. //J. Electrochem. Soc. 1975. — v. 122, № 3. — p. 434−435.
- Robinson G.Y. Metallurgical and electrical properties of alloyed Ni/Au-Ge films on n-type GaAs. //Solid state electronics. 1975. — v.18, № 4. — p. 331 342.
- Mead С.A. Ohmic contacts to semiconductors. New York: The Electrochemical Society. — 1969. — v. 116. — p. 3.
- Cox R.H. and Hasty Т.Е. Ohmic contacts to semiconductor. New York: The Electrochemical Society. — 1969. — p. 88−101.
- Гевондян А.Г. Исследование контактных систем на основе ванадия и алюминия для кремниевых интегральных схем: Автореферат диссертации кандидата технических наук. М.: МИСиС, 1974. — 23 с.
- Браиловский Е.Ю., Козенко И. Д., Тартагин В. П. Дефекты в GaP, облученном электронами. //ФТП. 1975. — Т. 9. — Вып. 4 — С. 769.
- Соколов A.B. Оптические свойства металлов. М.: 1961. — 360 с.
- Калитеевский Н.И. Волновая оптика. М.: 1971. — 86 с.
- Головин В.А., Ульянова Э. Х. Свойства благородных металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1964. — 184 с.
- Ямамото, Каватура. Напыление SiO на электролюминесцентный диод из GaAs. //ТИИЭР. 1966. — Т.54, № 12. — С.381−382.
- Патракова А.Я. Инфракрасные излучатели из GaAs. //Обзор по электронной технике. 1973. — Вып. 12(155). — 28 с.
- Курносов А.И. Конструкция и технология изготовления полупроводниковых источников света. //Обзор по электронной технике. -1970. М. вып. 22(217). — 26 с.
- Патракова А.Я. Твердотельные устройства для отображения информации на светодиодных матрицах. //Обзор по электронной технике. 1973. — Вып. 3(106).- 30 с.
- Пат. Японии, № 30 715/73. Кл. 99(5):4, 14.9.64- № 17 864, кл. 99(5).
- Пат. США., № 3 270 235. Кл. 313−1086, 21.12.61.
- Bergh A. A., Dean P. J. Light-omitting diodes. New York: Clarendon Press. Oxford. — 1972.-p.686.
- Hyece, Крессел, Ладанн. Перспективы светоизлучающих диодов. //Зарубежная радиоэлектроника. 1973. — № 2. — С.81−100.
- Lidgard С., Nicklin R. and Hort P.B. Ligth-brightness yellow-light-omitting GaP diodes. //J. Appl. Phys. 1973. — v. 6. — L75−79.
- Schumaker N. E. et. al. GaP beam lead electroluminescent diodes. //J.E.E.E, Trans, on Electr. Dev. -1971. v. ED-18, № 9. — p. 627−633.
- Nelson D.F. and Turner E.H. Electro-optic and piezo-electric coefficients and refractive index of GaP. //J. Appl. Phys. 1968. — v.39. — p.3337.
- Казанкин O.H. Прикладная электролюминесценция. M.: Сов. радио, 1974. 4Ю с.
- Berg A.A., Strain R.J. A contacts for gallium phosphide electroluminescent diodes. //Ohmic contacts to semiconductor. New York: J. Electrochemical Society, 1969. -v.l 16. -p.l 15−129.
- Bachrach B.Z., Dixon D.W. and Lorimor O.G. Hemisperical GaP: N green electroluminescent diodes. //Solid state electronics. 1973. — v. 16. — p. 10 371 042.
- Permunt R., Misek J. and Kratena L. Some optical propeties of Au-Ni contacts on n-type GaP. //Phys. state sol. 1973. — v. 20. — K41−43.
- Strain R.J., Bergh A.A., Jayson J.S. Electroluminescent diodes design. //J.E.E.E., INT., Eectron. Rev. Meeting. Washington, oct., 1968.
- Гусейханов M.K., Мадоян С. Г., Рабаданов P.А., Алиев И. Ш. Структура омических контактов к фосфиду и арсениду галлия. //Электронная техника, сер. «Материалы». 1980. — Вып. 8. — С.115−118.
- Гусейханов М.К. Удельное контактное сопротивление барьеров Ме-GaP. //ФТП. 1976. — Т. 10, вып. 1. — С.201.
- Мадоян С.Г., Гусейханов М. К. Омические контакты к фосфиду галлия электронного типа проводимости. //Электронная техника, сер. «Материалы». 1976. — Вып. 5. — С. 101−104.
- Гусейханов М.К., Мадоян С. Г., Рабаданов Р. А., Алиев И. Ш. Свойства контактов Au-Ge-Ni к фосфиду галлия. //Электронная техника, сер. 2, «Полупроводниковые приборы». 1979. — Вып. 4(130). — С.3−8.
- Мадоян С.Г., Коган Л. М., Гусейханов М. К. Гофштейн-Гардт и др. Исследование отражающей способности металлических контактов к фосфиду галлия. //Электронная техника, сер. 2, «Полупроводниковые приборы». 1976. — Вып. 6(108). — С.83−88.
- Waldrop J.R., Grant R. W, Wang Y. C, Davis R.F. //J. Appl. Phys. 1992. -v. 72. — p. 4757.
- Porter L.M., Davis R.F. Bow J.S., Kim M.J. and Carpenter R.W. Characterization of contacts to n- and p-type alpha 6H-SiC (0001). //Second Inter. Confer, on high temperat. electron. Charlotte, North Caroline, J. 5−10, 1994.-v. 1. — XIII-3.
- Glass R. C., Pallmour J. W., Davie R. F. and Porter L. M. Platimun cohmic ocntacts to Silicon Carbide, U. S. Panetnt, № 07/943,043.
- Papanicolaou N. A., Christou A. A. and Gipe M. L. Pt and PtSix Schottky contacts to P-Sic. //J. Appl. Phys. 1989. — v. 65(9). — p.2526−3530.
- Porter L.M., Glass R.C., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J. and Carpenter R. W. Chemical and electrical mechnisms in titanium, platinum and hafnium contacts to a (6H)-SiC. //Mat. Res. Soc. Proc. 1993. — v. 282. — p. 471−477.
- Porter L. M., Glass R. C., Davis R. F., Bow J. S., Kim M. J. and Carpenter R. W. Chemistry, microstructure and electrical propeties of interfaces between thin films titanium and ct (6H)-SiC (0001). //J. Mat. Res., 1994.
- Tung R.T. Electron transport at metal-semiconductor interfaces: general theory. //Phys. Rev. 1981. — B45(23) — p.13 509−13 523.
- Saxena V., Steckl A. K., Vichare M. et. al. Temperature effects in the operation of high voltage Ni/6H-SiC Schottky rectifiers. //Second International Conf. on high temperature electronic. Charlotte, North Caroline, J. 5−10, 1996. -v.l. — VII-15.
- Lundberg N., Tagtstrom P., Jansson U. CVD-based tungsten Carbide Schottky contacts to 6HSiC for very high temperature operation. //First European conference on SiC and related materials. Greece, oct. 6−9, 1996. — p. 54.
- Constantinidis G., Tsadaraki K., Androulidaki M. Shottky barrier contacts on reactive ion etched 6H-SiC. //First European Conference on SiC and related materials. Greece, oct. 6−9, 1996. — p. 67.
- Anghel L., Ouisse Т., Billon T. Low frequency noise in Silicon Carbide Schottky diodes. //First European Conference on SiC and related materials. -Greece, oct. 6−9, 1996. p. 72.
- Ballandovich V. V., Bogachev S. V., Ilin V. A. et al. Silicon Carbide temperatire sensors. //Trans, of the Third International Tempearture Conference. USA, 1996. — p. 201.
- Иванов П.А., Челноков B.E. Полупроводниковый карбид кремния. -технология и приборы. //ФТП. 1995. — Т.29, вып. 11.- С.1921−1940.
- Андреев А.Н., Лебедев A.A., Растегаева М. Г. и др. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированых на основе nSiC-6H. //ФТП. 1995. — Т.29, вып. 10.-С. 1833−1843.
- Веренчикова Р.Г., Санкин В. И. Исследование контактов металл-SiC. //Письма в ЖТФ. 1988. — Т. 14. — 1742 с.
- Санкин В.И., Веренчикова Р. Г., Водаков Ю. А. и др. Свойства выпрямляющих контактов на 6H-SiC. //ФТП. 1982. — Т. 16. — 1325 с.
- Waldrop J.R. Barrier height of contact metal-silicon carbamide. //J. Appl. Phys. 1994.-v. 75.-p.4548.
- Аникин M.M., Андреев A.A., Лебедев A.A. и др. Высота барьера систем металл-SiC. //ФТП. 1991. — Т.25. — 328 с.
- Porter L.M., Davis R.F., Bow J.S. et. al. Characterization of contacts to 6H-SiC. //Transactions of second international high tempearture electronics conference. Charlotte, North Caroline, 1994. — v. 1. — XIII3−8.
- Porter L.M., Davis R.F., Bow J.S. et. al. Silicon carbide and related materials. //Proceedings of Fifth Conference on silicon sarbide and related materials. USA: Institute of physics publishing, Bristol and Philadelphia, 1993. -p. 581.
- Веренчикова Р.Г., Санкин В. И., Радованова Е. И. Барьеры Шоттки на карбиде кремния. //ФТП. 1983. — Т. 17. — 1757 с.
- Hagen S. Н., Surface barriers of contact metal-silicon carbide //J. Appl. Phys. 1968.-v. 39.-p. 1458.
- Yoshida S.K., Sasaki E., Sakum S., Misawa and Gonda S. Schottky barrier diodes on 3C-SiC. // J. Appl. Phys. Lett. 1985. — v. 46. — p.766−788.
- Glasov P.A. In: Springer proceeding in physics. //Sprinder Verlag, Berlin, 1989.-v. 43.-p. 16.
- Агеева E.B. и др. Исследование поверхностных свойств карбида кремния. //Известия ЛЭТИ. 1984, вып. 338. — 26 с.
- Шарма П.Л., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио. — 1978. — 340 с.
- Philipp H.R., Taft Е.А. Proc. conf. on Silicon Carbide. Boston, Pergamon Press, 1986. — № 4. — p.34.
- Сафаралиев. Г. К., Гусейханов M. К., Исмаилова Н. П. и др. Механизм формирования поверхностно-барьерных структур металл-nSiC. //Вестник ДГУ, Естественные науки, 1997. вып.1. — стр. 9−13.
- Enwaraye A., Smith S.R., Skowronski М. and Mitchel W.C. Observation of suraface defects in 6H-SiC wafer. //J. Appl. Phys. 1993. — v. 74. — p.5269−5271.
- Freeont I.L., Woodall I.M. Propeties of Silicon Carbode. //J. Appl. Phys. Lett. 1981.-v. 39.-p. 727.
- Свойства элементов: Физические свойства. //Справочник. М.: Металлургия, 1976. — 4.1. — 560 с.
- Spices W.E., Linday I., Skeath P., Su C.Y. //J. Vac. Sci. Techn. 1980. -v.17. — p. 1019.
- Гольдберг Ю.А., Ильина М. И., Поссе E.A., Царенков Б. В. Переход контакта полупроводник-жидкий металл от вентильного к омическому. //ФТП. 1988. — Т.22, вып. 3. — 555 с.
- Гольдберг Ю.А., Поссе Е. А., Царенков Б. В. Переход контакта полупроводник-жидкий металл от вентильного к выпрямляющему. //ФТП.- 1986.-Т.20., вып. 8.- 1510 с.
- Adams A., Severt С., Leonard J., Liu S., Smith S. R. Ohmic contacts to 6H-SiC semiconductors. //Second international conference on high temperature electronics. Charlotte, North Caroline, J.5−10, 1994. — v. 1. — XIII-9.
- Crofton J., McMullin P. J., Williams J. R., Bozack M. J. A high temperature ohmic contacts to n-type 6H-SiC using Ni. //Second international confer, on high temperature electronics. Charlotte, North California, J.5−10, 1994. — v. 1.- XIII-15.
- Porter L.M., Davis R. Issues and status of ohmic contacts for p-type silicon carbide. //Second international confer, on high temperature electronics. -Charlotte, North California, J.5−10, 1994. v. 1. — XIII-3.
- Liu S., Reinhardt K., Severt C. et. al. Long-thermal stability of Ni/C2/W ohmic contacts on n-type SiC. //Second international confer, on high temperature electronics. Charlotte, North California, J.5−10, 1994. — v. 1. -XIII-9.
- Crofton J. et. al. Metallization studies on epitaxial 6H-SiC. //Springer Proc. in Phys. 1992. — v. 71. — p.176−182.
- Alok D.B., Baliga B.J., McLarty P.K. Low contact resistivity ohmic contacts to 6H-silicon carbide. //IEDM Technical Digest, IEDM. 1993. — p. 691−694.
- Anikin M. M., Rastegaeva M. G., Surkin A. L. and Chuiko. Ohmic contacts to silicon carbide devices, in G. 1. Harries. //Ill, Springer Proceedings in Physics, Berlin: Springer, 1992. v. 56. — p. 183−189.
- Cho N.J., Hwang C.S., Bang W. and Kim H. J. Effect of reaction products in monocrystalline (3-SiC/metal contact on contact resistivity. //Silicon carbide and related materials. Washington. — 1996. — p. 376.
- Crofton J.P., Barness J.R., Williams J.R. Contacts resistance measurement on p-type 6H-SiC. //J. Appl. Phys. Lett. 1993. — v. 62(4). — p. 384−386.
- Dmitriev V.A., Irvin K., Spenser M. Low resistivity («10"5Q cm2) ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated usig cubic silicon carbide contact layr. //J. Appl. Phys. Lett. 1994. — v. 64(3). — p. 318.
- Edmond J. A., Ryu J., Glass J. T. and Davis R.F., Electrical contacts to beta silicon carbide thin films. //J. Electrochem. Soc. 1988. — v. 135. — p. 359−362.
- Glass R.C., Palmour J.W., Davis R.F. and Poster L. M. Method of forming ohmic contacts to p-type wide bandgap semiconductor and resulting ohmic contact sturcture. //U.S. Patent № 5.323.022.
- Glass R.C., Spellman L.M. and Davis R.F. Low energy Ion-assisted deposition of titanium nitride ohmic contacts on alpha (6H)-silicon carbide. //J. Appl. Phys. Lett. 1991. — v. 59. — p.2868−2870.
- Glass R.C., Spellman L.M., Tanaka S. and Davis R.F. Chemical and structural analyses of the titanium nitride/alpha (6H)-silicon carbide interface. //J. Vac. Sci. Techn. 1992. — v.10. — p.1625−1630.
- Terry L.E. and Wilson R.W. Metallization systems for silicon integrated circuits. //Proc. of IEEE. 1969. — v. 5(9). — p.1580−1586.
- Petit J.B., Neudeck P.G., Salupo C.S., Larkin D.J. and Powell J.A. Metal conatcts to n- and p-type 6H-SiC: electrical characteristics and high temperature stability in silicon carbide and related materials. Washington. -1996.-p. 376.
- Porter L.M. and Davis R.F. A critical review of ohmic and rectifying contacts for silicon carbide. //J. Appl. Phys. Lett. 1970. — v.41(2). — p.83−105.
- Shier J.S. Ohmic contacts to silicon carbide. //J. Appl. Phys. Lett. 1970. -v.41(2). — p.771−773.
- Spieb L., Nennewitz O., Wershart H. et. al. Aluminium implantation of p-SiC for ohmic contacts, First European conference on SiC and related materials. Greece, oct. 6−9, 1996. — p. 55.
- Pecz В., Radnoczi G., Vinoze G. Tem study of Ni and Ni2Si ohmic contacts to SiC. //First European conference on SiC and related materials. Greece, oct.6−9, 1996. — p. 58.
- Rastegaev V.D., Reshanov S., Andreev A.N., Rastegaeva M. Models for high temperature SiC-metal contacts resistance investigation. //Trans, of the third international high temperature conference. USA, 1996. — p. 149.
- Andreev A.N., Rastegaeva M.G., Mokhov E.N., Sankin V.I. Influence of n-6H-SiC doping level on specific assistance on Ni-based ohmic contacts. //Тезисы докладов международного семинара. Новгород, 1997. — 33 с.
- Andreev A.N., Rastegaeva M.G., Babanin A.I., Savkina N.S. The fabrication and investigation of silicon-contaning ohmic contacts to p-6H-SiC. //Тезисы докладов международного семинара. Новгород, 1997. — 36 с.
- Andreev A.N., Rastegaeva M.G. Electricial characteristics of Al-Ti ohmic contacts to p-6H-SiC. //Тезисы докладов международного семинара, Новгород. 1997. — 37 с.
- Растегаева М.Г., Андреев А. Н., Бабанин А. И. Факторы ответственные за образование омических контактов на основе никеля к 6H-S1C. Тезисы докладов международного семинара. Новгород. — 1997. — 38 с.
- Barens P.A. Contacts to compound semiconductor at elevated temperatures. //Second international conference on high temperature electronics. Charlotte, North Carolina, J.5−10, 1996. — v. 1. — p.47.
- Phoderick E.H., Williams R.H. Metal-semiconductor contacts. //Second edition, Clarendon Press, 1987. p. 170.
- Crofton J., Barnes P. A. A comparison of one two and three band calculation of contact resistance for GaAs cintact usin the WKB approximation and numerical solution of the Schrodinger Equation. //J. Appl. Phys. Lett. 1991. -v.69. — p.7660−7764.
- Liu S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J. Persented at workshop on high temperature. //Power electrinocs for vehicles. Fort Monmounth, MJ, USA, apr. 26−27, 1995
- Liu S., Reinhardt K., Severt C. and Scofield J. Long term termal stability of Ni/Cr/W ohmic contacts to nSiC. //6th Intl. Conf. on SiC and related Materials. -Kyoto, Japan, sept. 18−21, 1995.
- Нурмагомедов Ш. А., Пихтин A.H., Разбегаева и др. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов. //Письма в ЖТФ. 1986. — Т. 12, № 7. — С. 1043−1045.
- Берг А.А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979. — 550 с.
- Гусейханов М.К., Сафаралиев Г. К., Исабекова И. Т., Исмаилова Н. П. Свойства контактов на основе никеля к карбиду кремния. //Известия ВУЗов (Северокавказский регион), сер. Естественные науки, 1997., № 4, стр. 41−44.
- Гольдберг Ю.А., Львова Т. В., Хашева Р. В., Царенков Б. В. Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник-металл от ширины запрещенной зоны полупроводника. //ФТП. — 1988. — Т.22, вып. 9. -С.1712−1713.
- Гусейханов М.К., Сафаралиев Г. К., Таиров Ю. М., Магомедов А. Г. Омические контакты к (SiC)ix (AlN)x. //Письма в ЖТФ. 1996. — Вып. 12. -С.75−78.
- Pugh J.H., Williams R.S. Entropy-driven loss of gas phase group V species. //J. Mater. Res. 1986. — v.l. — p.343−351.
- Комашко В.А., Масловский Ф. Н., Туз В.Ф. Невыпрямляющие контакты к арсениду галлия. //Электронная техника. 1972, № 1. — 61 с.
- Peter A., Barnes I. Contacts to compaund semiconductor at elevated temperature. //Second International conference on high temperature electronics.- Charlotte, North Carolina, J.5−10, 1994. v. 2. — p.86.
- Рабаданов P.А. Получение, реальная структура, некоторые объемные и поверхностные свойства монокристаллического оксида цинка. /Диссертация доктора физ.-мат. наук. Махачкала, 1997. — 363 с.
- Морисон С.Г. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Энергия. — 1980. — 488 с.
- Eisele К., Schulz М. Metal-semiconductor junctions related to deposition of thin films. //J. Vacuum. 1977. — v. 27, № 3. — p. 118−188.
- Mead C.A. Surface barriers ZnSe and ZnO. //J. Appl. Phys. Lett. 1965. -v.18, № 3. — p.218.
- Nevill R.C., Mead C.A. Surface barriers on zinc oxide. //J. Appl. Phys. -1970. v. 41, № 9. — p.3795−3800.
- Robert K., Swank. Surface propeties of II-VII compaund. //Phys. Rev.1967. v. 153, № 3. — p.884−849.
- Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. M.: Наука, 1974.- 280 с.
- Gopel W., Brillson L.J., Brucker C.F. Surface point defects and Shottky barriers formation on ZnO (lOlO). //J. Vac. Sci. and Techn. 1980. — v.17, № 5.- p.894−898.
- Кирьяшкина З.И., Свердлова A.M., Прохожева M.B. Исследование ВАХ пленочных структур Me-ZnO-Me. //Сборник «Физика полупроводников и полупроводниковая электроника». Изд-во Саратовского университета.1968.-Вып. 2.-С. 57−61.
- Меапаге К., Meshard A.G. Surface barrier on zinc oxide. //Physics state solid.- 1969.-v. 32. p.159−162.
- Рабаданов P.A., Семилетов С. А., Шаихов Д. А. Анализ условий осаждения ориентированных пленок окиси цинка из газовой фазы. //Сборник «Прикладная физики твердого тела». Махачкала. — 1972. -С.82−87.
- Болтакс В.И. Диффузия и точечные деффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-418 с.
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.-406 с.
- Poll J.L. Physics of semiconductors. New-York: McGrow-Hill Book, 1964. — p.270.
- Рабаданов P.A., Гусейханов M.K., Алиев И. Ш., Семилетов С. А. Свойства контактов металл-окись цинка. //Изв. ВУЗов, сер. Физика. -1981. Т.6. — С.72−75.
- Эфендиев А.З., Рабаданов P.A., Гусейханов М. К., Алиев И. Ш. Исследование пробоя поверхностно-барьерных структур на окиси цинка. //Сборник «Пробой диэлектриков и полупроводников». Махачкала: Изд-во Дагестанского госуд. университета, 1980. — С.85−92.
- Лешенко В.И., Степко И. И. Влияние адсорбции на поверхностные заряды и проводимость полупроводников. //Изв. АН СССР, сер. физич. -1952.-Т.21,№ 2.-С.211−217.
- Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. — 400 стр.
- Авторское свидетельство. Датчик влажности. Рабаданов P.A., Гусейханов М. К., Алиев И. Ш., Эфендиев А. З. С. № 71 100, заявл. 23.06.82., не подлежит опубликованию в открытой печати.
- Рабаданов P.A., Семилетов С. А., Магомедов З. А. Структура и и свойства монокристаллических слоев ZnO. //ФТТ. 1970, № 12. — 1431 с.
- Семилетов С.А., Рабаданов P.A. Эпитаксиальные слои ZnO на Ge и GaAs. //Кристаллография. 1972. — Т. 18, № 2. — С.434−435.
- Рабаданов P.A., Семилетов С. А., Гусейханов М. К., Алиев И. Ш., Абдусаламов Г. А. Эпитаксиальные пленки ZnO на GaP и некоторые свойства структур на их основе. //Кристаллография. 1981. — Т.26. — вып.З. — С.645−646.
- Белоглазов A.B., Биндеман Р., Грачев В. М. и др. О структуре спектров излучения в GaP, связанной с примесными комплексами Zn-O и Cd-O. //ФТП. 1969. Т. З, № 11. — С.1608−1611.
- Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1973. — С.35.
- Коган М.П., Ландсман Я. И., Чернов Я. И. Фотоэлектрические свойства р-n переходов на основе диффузионных монокристаллических слоев GaP. //ФТП. 1967. Т.1, № 9. — С.1335−1441.
- Рабаданов P.A., Гусейханов М. К., Алиев И. Ш. Электрические и оптические свойства систем ZnO-GaAs, ZnO-GaP. //Тезисы докл. респуб. симп. по физич. свойствам полупроводников. Баку: 30−31 октября. 1978. -50 с.
- Рабаданов P.A., Гусейханов М. К., Алиев И. Ш. Получение и свойства гетероструктур nZnO-nGaP. //Изв. СКНЦ ВШ, сер: естественные науки. -1980. № 4. — С.47−50.
- Рабаданов P.A., Семилетов С. А., Багомадова A.M. Свойства монокристаллических слоев ZnO. //Кристаллография. 1974. Т. 19, № 4. -С.850−853.
- Рабаданов P.A., Семилетов С. А., Багомадова A.M. Электрические свойства монокристаллических слоев окиси цинка. //Микроэлектроника. -1974. Т. З. Вып.2. С.171−175.
- Riben A.R., Feucht D.L., Electronical transport in nGe-pGaAs heterojunctions //Internot. J.Electron. 1966. — v.20, № 6. — p.583−599.
- Muller R.S., Zulleeg R., Vapour-deposited thin-film heterojunction diodes //J. Appl. Phes. 1964. v.35, № 5. — p. 1550−1556.
- Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. — 104 с.
- Баранский П.И., Клочков В. П. Полупроводниковая электроника. Киев: Наука думка, 1975. — 704 с.
- Алиев И.Ш., Рабаданов Р. А., Гусейханов М. К. Электрические и фотовольтаические свойства гетероструктуы Ge-nZnO. ФТП. — 1985. -Т. 19. — вып.З. — 561 с.
- Noyar P. S., Gatalano A., Zinc phosphide Zinc gxide heterojunctions solar cells //J. Appl. Phys. Lett. — 1981. — v.39, № 1. — p. 105−107.
- Mandel G., Morechead F.F., Wagner P.R., Selfkompensation limited conductivity in binary semicon-ductors //Phys. Rev., A. — 1964. — v. 136, № 3. -p.826−832.
- Pauwels H.Y., Analysis and evaluation of isotupe heterojunction solar cells //Solid state Electron. 1979. — v.22, № 11.- p.988−990.
- Ребров С.А. Физические процессы в резких гетеропереходах ZnTe-InP /Сб. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев.: Штинца, 1980.-С.44−53.
- Физика поверхности полупроводников. //Сборник статей. Пер. под. ред. Г. Е. Пикуса. М.: ИЛ, 1950. 424 с.
- Anderson R.L. Experiments on the heterojunctions Ge-GaAs //Solid state electron. 1962. — v.5. — p.341−346.
- Laar Y. Van, Scheer Y.Y. Inflience of band bending on photoelectric emision from silicon single crystals //Philips Res. Reports. 1962. — v.7, № 2. — p. 101 104.
- Swank R.K. Surface properties of compounds A2B6 //Phys. Rev. 1967. -v.153. — p.844−849.
- Федотов Я.А. и др. Электрические свойства гетеропереходов на основе полупроводников А3В5- А2В6 и Si-Si02. //Обзор на интерн, конф. физич. хим. полупроводников. Budarst: Hung. Acad Sciences., 1979. — p.8.
- Anderson R.L. Germanium-gallium arsenide heterojunctions. //IBM J. Res. Develop. 1960. — № 4. — p.283−287.
- Сандаевский В.П., Стафеев В. И. Инжекция в полупроводники с глуюикими уровнями примесей //ФТТб 1964. Т.6, № 1. С.80−91.
- Lou L/F/ Current-voltage characteristics of Zn0-Bi203 heterojunction //J Appl. Phys. 1979. — v.50, № 2. — p.555−558.
- Федотов Я.А., Сукалов B.A., Мануйлова Г. П. и др. Отрицательное сопротивление гетеропереходов pZnTe-nCdSe, pZnTe-nCdS, pZnTe-nCdSxSei-x. //ФТП. 1971. — T.5, № 9. — C.1784−1789.
- Бонч-Бруевич В.А., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1978. — 672 с.
- Генцов И., Герман К. Фотоэлектрические явления М: Мир, 1980.208 с.
- Рабаданов Р.А., Алиев И. Ш., Гусейханов М. К. Получение и свойства гетероструктуры nSi-nZnO. //ФТП, 1982. Т. 16, вып.11. С.2065−2068.
- Рабаданов Р.А., Алиев И. Ш., Гусейханов М. К. Фотоэлектрические свойства гетероспереходов Si-n+ZnO. //Тезисы докл. на II республ. конф. фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 7−9 сентября. 1982. Киев: Наука думка, 1982. С. 198.
- Рабаданов Р.А., Алиев И. Ш., Гусейханов М. К. Свойства гетероструктуры на основе высоомного кремния и окиси цинка //Изв. СКНЦ ВШ сер: естественные науки. 1983. — № 3. — С.63−64.
- Сенокосов Э.А., Усатый А. Н. Монокристаллические пленочные гетеропереходы ZnTe-CdTe. //ФТП. 1978. — Т.12, № 5. — С.973−977.
- Полупроводники. Под. ред. Н. Б. Хеннея М.: ИЛ, 1962. — С.269−279.
- Алиев И.Ш., Гусейханов М. К., Абдусаламов Г. А. Свойства гетеропереходов CdS-ZnO. //Тезисы докл. на II республиканской конфер. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 7−9 сентября. 1982. Киев: Наука думка. С. 15−16.
- Сафаралиев Г. К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния. Диссертация доктора физ.-мат. наук. Баку, 1988. — 332 с.
- Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М: Советское радио, 1976. — 102 с.
- Офицерова Н.В., Курбанов М. К. и др. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SiC)jx (AlN)x //Изв. РАН. Неорганические материалы. 1992. — Т.28, № 9. -С.2011.
- Аникин М.М., Лебедев A.A., Попов И. В. и др. Электрические свойства 6H-SIC структур с резким р-n переходом. //ФТП. 1987. Т.22, вып.1. -С.133−136.
- Веренчиков Р.Г., Водаков Ю. А., Лейвин Д. П. и др. Электрофизические характеристики бН-SiC р-n переходов с эпитаксиальным р+(А1)-слоев //ФТП. 1982. — Т. 16, вып. 11. — С.2029−2032.
- Константинов А.О., Литвин Д. П., Санкин В. И. Резкие структурно-совершенные карбид-кремниевые р-n переходы //Письма в ЖТФ. 1981. -Т.7, вып.21. — С.1335−1337.
- Свойства, получение и применение тугоплавких соединений: Справочник /под ред. Т. Я. Косолаповой. М: Металлургия, 1986. — 928 с.
- Справочник по электротехническим материалам. /Под ред. Ю. В. Корицкого. Л.: Энергоатомиздат, 1988. — Т.З. — 728 с.
- Андреева Т.В., Горячев Ю. М. //Порошковая металлургия. 1981, № 3. -73 с.
- УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
- ВАХ вольт — амперная характеристика —
- ВФХ вольт — фарадная характеристика -р-п переход электронно-дырочный переход-
- КТР (а) коэффициент термического расширения, град.
- АЕё, Е^ ширина запрещённой зоны полупроводника (эВ) — фе — высота потенциального барьера на контакте металл-полупроводник, (эВ)-ф т работа выхода электрона из металла (эВ)-фв0 высота потенциального барьера без учета сил зеркального изображения (эВ) —
- Ет максимальная напряженность электрического поля (В/см)-1. ширина области пространственного заряда (мкм) —
- Лвнеш «внешний квантовый выход светодиода-
- Л внут «внутренний квантовый выход светодиода-т). коэффициент инъекции-1. Л,