Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Определение кинетических коэффициентов при ионной имплантации в металлические системы

Диссертация: Определение кинетических коэффициентов при ионной имплантации в металлические системы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследования определяется необходимостью определения величины кинетических коэффициентов, а также выявления роли параметров имплантации и типа ионов в формировании состава и структуры поверхностных слоев при взаимодействии ионов с металлами. Новым направлением физики твердого тела является исследование фазовых переходов при неравновесных состояниях металлов, стимулированных мощной накачкой… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ В МЕТАЛЛЫ
    • 1. 1. Процессы, сопровождающие движение ионов
    • 1. 2. Процессы, влияющие на состав и структуру ионно-имплантированных слоев
      • 1. 2. 1. Столкновительные процессы
      • 1. 2. 2. Диффузионные процессы
    • 1. 3. Структурно-фазовые процессы
      • 1. 3. 1. Аморфизация ионно-имплантированных слоев
      • 1. 3. 2. Рекристаллизация поверхностного слоя при ионной имплантации
    • 1. 4. Модификация физико-химических свойств
    • 1. 5. Модели сегрегационных явлений
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ С УЧЕТОМ КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЯ
    • 2. 1. Модель
    • 2. 2. Схема расчетов
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 3. МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 3. 1. Ионно-лучевая обработка образцов
    • 3. 2. Методы исследования состава
    • 3. 3. Методы исследования структуры
    • 3. 4. Оценка микротвердости тонких пленок с учетом их толщины и твердости подложки
    • 3. 5. Исследуемые образцы
  • ГЛАВА 4. ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНОВ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ
    • 4. 1. Влияние имплантации ионов Аг+ на состав и структуру поверхностных слоев в зависимости от дозы имплантации
    • 4. 2. Влияние имплантация ионов Аг+ на состав и структуру поверхностных слоев в зависимости от плотности потока ионов
    • 4. 3. Влияние имплантации ионов Не+ на состояние поверхностных слоев
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ОБЛУЧЕНИЯ И МАССЫ ИОНОВ МЕТАЛЛОИДОВ НА ФОРМИРОВАНИЕ АТОМНОГО СТРОЕНИЯ ИОННО — ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ СИСТЕМЫ Fe-Cr
    • 5. 1. Имплантация ионов фосфора
      • 5. 1. 1. Влияние дозы имплантации на состав и структуру поверхностных слоев
      • 5. 1. 2. Влияние плотности потока ионов на состав и структуру поверхностных слоев
    • 5. 2. Имплантация ионов бора
      • 5. 2. 1. Влияние дозы на состав и структуру поверхностных слоев
      • 5. 2. 2. Влияние плотности потока ионов на состав и структуру поверхностных слоев
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 6. ЧИСЛЕННЫЕ РАСЧЕТЫ, ПОЛУЧЕННЫЕ С ПОМОЩЬЮ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ
  • Выводы к главе

Определение кинетических коэффициентов при ионной имплантации в металлические системы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

исследования определяется необходимостью определения величины кинетических коэффициентов, а также выявления роли параметров имплантации и типа ионов в формировании состава и структуры поверхностных слоев при взаимодействии ионов с металлами. Новым направлением физики твердого тела является исследование фазовых переходов при неравновесных состояниях металлов, стимулированных мощной накачкой энергии при ионном облучении. В результате процесса ионного внедрения в поверхностном слое может быть получена концентрация атомов вводимой примеси, выше предела растворимости, а за счет упругих соударений с атомами решетки — образование радиационных дефектов, количество которых на 2−3 порядка превосходит число имплантированных атомов. Оба этих процесса оказывают заметное влияние на свойства поверхностного слоя и в целом материала при создании новых материалов с необычными характеристиками. При этом, радиационно-стимулированная сегрегация и радиационно-ускоренная диффузия примеси являются процессами, во многом определяющими состав и структуру ионно-имплантированного слоя. Модели, описывающие концентрационное перераспределение компонентов матрицы и имплантируемой примеси, в большинстве создаются под конкретные условия облучения и включают в себя один или несколько процессов, происходящих при ионном облучении, например, таких, как распыление, каналирование, поверхностная сегрегация, каскадное перемешивание и т. д. Таким образом, возрастающий научный интерес к подобного рода задачам определил значительные успехи в понимании и описании различных механизмов и кинетики поверхностной сегрегации и диффузии в двухи трехкомпонентных системах.

Таким образом, способов расчета для определения коэффициентов диффузии компонентов системы «ион-мишень» при ионной имплантации оказывается недостаточно. Практически отсутствуют систематические исследования, выявляющие закономерности влияния типа ионов, параметров облучения на формирование химического состава и атомной структуры мишени. Установление роли основных параметров облучения, массы и атомного размера внедренных ионов на изменения концентрационных профилей распределения компонентов, а также на величины коэффициентов диффузионной подвижности элементов системы требуют комплексных исследований, включающих сочетание эксперимента с компьютерным моделированием.

ЦЕЛЬ НАСТОЯЩЕЙ РАБОТЫ состоит в разработке метода определения коэффициентов диффузии компонентов системы «ион-мишень» при имплантации ионов в металлы и сплавы при аморфизации и рекристаллизации поверхностных слоев.

Для решения поставленной цели решались следующие задачи:

1.На основании анализа литературных данных предложить феноменологическую модель формирования состава поверхностных слоев при аморфизации и рекристаллизации ионно-имплактированных слоев.

2. Выбрать объекты исследования, режимы ионной имплантации, и методы анализа поверхностных слоев металлических систем.

3. Экспериментально исследовать распределение компонентов по глубине и изменение атомной структуры поверхностных слоев системы Ре-Сг при облучении ионами (Р+ и В+), (Аг+ и Не+) с энергиями (30−40 кэВ) и плотностями ионного тока (10−50 мкА/см2).

4. Получить численные значения коэффициентов диффузионной подвижности компонентов системы «ион-мишень» на основе экспериментальных результатов^.

Выбор объектов исследования обусловлен тем, что система Ре-Сг легко аморфизуется при имплантации ионов металлоидов, кроме того, она является основой нержавеющих сталей мартенситного класса, в который входит низколегированная сталь 20X13, широко применяемая в промышленности. Параметры облучения подбирались достаточными для аморфизации и рекристаллизации поверхностных слоев мишени. В качестве экспериментальных методов исследования использовались: Ожеи рентгеноэлектронная спектроскопии, электронография на отражение, измерение микротвердостидля расчетов величины диффузионных коэффициентов имплантанта и атомов матрицы применялось численное решение систем дифференциальных уравнений по разностной схеме.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ.

1. Предложен комплексный метод определения коэффициентов диффузии компонентов системы «ион-мишень» при имплантации ионов в металлы и сплавы. Метод включает разработку феноменологической модели формирования состава ионно-имплантированных слоев и сравнение рассчитанных профилей распределения концентраций компонентов по глубине с экспериментальными результатами.

2. Впервые экспериментально показано, что: а) при возрастании плотности потока ионов Р+ или В+ с 10 мкА/см2 до 50 мкА/см2 уменьшается концентрация внедренной примеси в измененном слоеб) повышение дозы имплантации ионов Р+ с 1×1017 ион/см2 до 5×1017 ион/см2 вызывает изменение структуры поверхностных слоев мишени: исходный поликристалл аморфное состояние => поликристалл => текстурованный поликристалл.

ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ.

1. Вследствие влияния остаточной атмосферы вакуумной системы, имплантация ионов аргона вызывает образование в поверхностных слоях сложных оксидов Рез. хСгх04 со структурой шпинели, а имплантация более легких ионов гелия приводит к конденсации на поверхности мишени паров углеводородов.

2. Определены коэффициенты диффузии компонентов при имплантации в сплавы Бе-Сг ионов фосфора или бора при аморфизации и рекристаллизации ионно-имплантированных слоев.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСИТСЯ:

1. Комплексный метод определения коэффициентов диффузионной подвижности компонентов системы «ион-мишень» при имплантации ионов в металлы и сплавы. Метод включает в себя феноменологическую модель формирования состава ионно-имплантированных слоев и сравнение рассчитанных профилей распределения концентраций компонентов по глубине с экспериментальными результатами.

2. Программы позволяющие оценить коэффициенты диффузионной подвижности компонентов, основанные на численном решении системы диффузионных уравнений модели.

3. Результаты экспериментальных исследований концентрационных неоднородностей компонентов в поверхностных слоях системы Ре-Сг, инициируемых ионной имплантацией, в зависимости от типа ионов и параметров имплантации.

4. Результаты экспериментальных исследований структуры поверхностных слоев системы Ре-Сг при различных параметрах облучения и типа ионов.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Работа изложена на 126 страницах машинописного текста, включая 33 рисунков и 5 таблиц.

Список литературы

содержит 144 наименования.

109 ВЫВОДЫ.

1. Предложен комплексный метод определения коэффициентов диффузии компонентов системы «ион-мишень» при имплантации ионов в металлы и сплавы. Метод включает разработку феноменологической модели формирования состава ионно-импл актированных слоев и сравнение рассчитанных профилей распределения концентраций компонентов по глубине с экспериментальными результатами в условиях облучения ионами металлоидов средних энергий различной массы и атомного размера.

2. По результатам экспериментальных исследований впервые показано, что: а) имплантация ионов Р+, больших по ионному радиусу и массе В+, вызывает изменение структуры ионно-импл актированного слоя от поликристаллической в исходном состоянии до аморфной и текстурованного.

17 2 17 поликристалла при увеличении дозы имплантации с 110 ион/см до 5 10 ион/см2;

— при повышении плотности потока ионов химически активных элементов Р+, В+ от 10 мкА/см2 до 50 мкА/см2 при постоянной дозе облучения уменьшается концентрация введенной примеси. Предложен механизм, в соответствии с которым уменьшение концентрации атомов бора и фосфора, связано с диффузионными процессами при взаимодействии дефектов в ионно-имплактированном слое с атомами имплантированной примеси и селективным их распылением, а также, в случае облучения ионами фосфора, возможен локальный разогрев поверхностных слоев и испарение фосфораб) выявлена роль остаточного кислорода и паров углеводородов в формировании состава поверхностных слоев металлов при облучении образцов ионами инертных газов й показано, что:

— имплантация ионов аргона вызывает образование сложных оксидов типа Рез. хСгх04 со структурой шпинели, причем структура и состав слоев зависят от дозы и скорости набора дозы. Формирование шпинели связано с участием остаточного кислорода вакуумной системы (в отличие от внедрения ионов па химически активных элементов (Р+, В+), при котором шпинелеобразующие компоненты системы (Сг, Ее) связываются в комплексы и металлоподобные соединения).

— показано, что имплантация ионов гелия обусловливает конденсацию на поверхности металлов паров углеводородов, что связывается с более низким температурным режимом при имплантации ионов Не+.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Starodubtsev S.V., Romanov A.M.: The Passage of Charget Particles through Matter. 1. rael Programm for Scientific Translation., Jerusalem, 1965, p. 47−49.
  2. Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы.-М.: Металлургия, 1990, 216 с.
  3. Lindhard J., Scharff М. Energy dissipation by ions in the keV region. // Phys.Rev., 1961, v. 124, p. 128−132.
  4. Lindhard J., Scharff M., Schiott H.E. Range consepts and heavy ion ranges. // Mat.-Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk., 1963, v. 33, N 14, p. 42−51.
  5. Sanders J.B. Ranges of projectilesin amorphous materials. // Canad. J. Phys., v. 46, p. 455−459.
  6. Brice D.K. Ion implantation range and energy deposition distibution. Vol. High incident energies. New York, 1975, p. 121−130
  7. Mayer J.W., Erikson L., Davies J.A. Ion Implantation in Semiconductors. New York, 1970,286 р.
  8. Lindhard J. Influence of crystal lattice on motion of energetic charged. // Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk., 1965, v. 34, N 7, p. 32−37.
  9. О.Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях. // ЖЭТФ, 1959, т. 36, с. 1517−1520.
  10. Prinja A.K., Brasure L.W. Transport theory modeling of atomic collisions in mixtures. // Nucl. Instr. and Meth., 1991, B59/60, p. 46−50.
  11. КендаллМ. Дж., СтьюартА. Теория распределений. М., 1966, с. 360.
  12. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. \ Минск, Изд. БГУ, 1980, 348 с.
  13. X., Руге И. Ионная имплантация: пер. с англ. М., Наука, 1983, — 360 с.
  14. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. // М., Высшая школа, 1985, 385 с.
  15. Sigmund P., Olida A., Falconi G. Sputtering of multicomponent materials elements of a theory. //Nucl. Jns. and Meth., 1982, v. 194, p.514−548.
  16. Ионная имплантация и лучевая технология. / Под ред. Вильямса Дж. С., Поута Дж. М., // Киев, Наукова думка, 1988, 360 с.
  17. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками. /Под ред. Дж. М. Поута и др. // М., Машиностроение, 1987, 424 с.
  18. М.И., Мартыненко Ю. В., Рыбалко В. П. Поверхностные эффекты при облучении. //Вопросы атомной науки и техники. Физ.рад.повреждений и рад.материаловедение. Харьков, 1981, вып. 4(8), с. 35−41.
  19. Г. Г. Радиационно-стимулированные процессы в приповерхностных слоях металлических сплавов. //Металлы, 1993, N3, с. 16−19.
  20. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. / Пер. с англ./Под ред. Е. С. Машковой. //М.: Мир, 1989, с. 6−11.
  21. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск II. / Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша. //М.: Мир, 1986, с. 15−17.
  22. Д. Теория распыления. //УФН, 1992, т.162, N1, с.71−117.
  23. B.C., Рогозкин Д. Б., Рязанов М. И. Флуктуации пробегов заряженных частиц. // М., Энергоатомиздат, 1988, 240 с.
  24. Winterbon К.В., Sigmund P., Sanders J.B. Spatial distribution of energy deposited by atomic particles. // Mat.-Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk., 1970, v. 37, N14, p. 73−76.
  25. Bardos G. Range calculation at high ion energy, Part I. // Radiation Effects, 1988, v. 105, p. 191−201.
  26. Sigmund P. Theory of sputtering. // Phys. Rev., 1969, v. 184, N2, p.383−416.
  27. Методы анализа поверхности. / Под ред. Зандерны А. / Пер. с анлг. М. Мир, 1979, 582 с.
  28. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск I. / Пер. с англ. / Под ред. Р.Бериша. // М.: Мир, 1984, 335 с.
  29. В.В., Семенов Д. С., Тельковский В. Г. Линейные ограниченные каскады в теории распыления аморфных веществ. // Поверхность, 1983, N5, с. 5−14.
  30. В.В. Распыление аморфных материалов с высоким атомным номером. //Поверхность, 1987, N3, с.67−72.
  31. В.В. Распыление однородных материалов легкими ионами. // Поверхность, 1993, N3, с.42−47.
  32. В.И., Эльтекова Д. В. Численное моделирование распыления поликристалла железа ионами ксенона низких энергий. // Поверхность, 1990, N12, с. 130−137.
  33. Т.В., Похил Г. П. Об угловом распределении распыленных атомов. // Поверхность, 1996, N6, с.33−35.
  34. Зб.Запорожченко В. И., Степанова М. Г. Преимущественное распыление. Обзор результатов экспериментальных исследований. //Поверхность, 1994, N8−9,с.5−17.
  35. М.Г. Преимущественное распыление. Обзор результатов теории и моделирования. //Поверхность, 1994, N 10−11, с. 5−13.
  36. Ф.Ф., Новиков А. П. Ионно-лучевое перемешивание при облучении металлов. В кн.: Итоги науки и техники, пучки заряженных частиц и твердое тело, т. 7, М., 1993, с.54−81.
  37. Paine В.М., Averback R.S. Ion beam mixing: basic experiments. W Nucl.Instrum. and Meth. Phys. Res., 1985, B7-B8, Part 2: Ion Beam Modif. Mater. Proc. 4 Int. Conf. Ithaca, N.Y., July 16−20, 1984, p. 666−675.
  38. М.И. Ионная имплантация в металлах. // Поверхность, 1982, N4, c.27−50.
  39. .С. Диффузия в металлах. // М., Металлургия, 1978, 248 с.
  40. . С., Клинпер JI.M., Уварова Е. Н. Диффузия в аморфных металических сплавах. Аморфные металические сплавы. // М. Металлургия, Науч. труды N147, МИСиС, 1983, с. 81−86.
  41. Li R.S., Koshikawa T. Ion radiation enhanced diffusion and segregation in an Аио, 5бСио, 44 alloy betwin — 120 °C and rom temperature. // Surface Sci., 1985, v. 151, N 2−3, p. 459−476.
  42. В.Б. Диффузия и фазовые превращения в металлах и сплавах. Киев, Наукова думка, 1985, 231 с.
  43. JI.M. Радиационно-стимулированная диффузия в металлах. // М., Атомиздат, 1972, 148 с.
  44. М.А., Шалаев A.M. Радиационная и термостимулированная поверхностная сегрегация (обзор). // Металлофизика, 1988, т. 10, N 2, с. 64−77.
  45. Handorf V. Diffusion in metals and alloys uvder irradiation. // J.Rad.Phys. В., v.6, N18, p.2925−2986.
  46. Ho P. S. Effects of enhanced diffusion on preferred sputtering of homogeneous alloy surface. //Surface Sci., 1978, v.72, p.253−263.
  47. Sigmund R. J. The effect of radiation upon diffusion inmetals. // J.Nucl.Mater., 1978, N65−70, p.386−412.
  48. Watanabe S., Kinoshita H., Sakaguchi N., Takahashi H. Concentration dependence of radiation-induced segregation in Fe-Cr-Ni alloy. // J. Nucl. Mater., 1995, v. 226, N3, p. 330331.
  49. Andersen H.U., Stenun В., Sorensen T., Whitlow H.Y. Surface segregation during alloy sputtering and implantation.//Nucl.JnstandMeth., 1983, v.209/10,p.487−494.
  50. Johuson B.H., Law N.Q.Y. Solute segregation under irradiation. // J.Nucl.Mater., 1978, v. 69, p. 424−433.
  51. И.А., Спельник З. А. Об устойчивости металлических стекол. // ФТТ, 1983, т.2, N6, с. 1677−1630.
  52. Marvick A.D., Kennedy W.A., Mozey P.J. at all. Segregation of nikel to voids in an irradiation high-nicel alloys.//Scr.Met., 1978, v. 12, N11, p. 1015−1020.
  53. Piller K.C., Marvick A.D. The radiation-induced redistribution of silicon in nicel. //J.Nucl.Mater., 1978, N71, p. 309−313.
  54. Marwick A.D., Piller R.C., Sivell P.M. Mechanism of radiation-induced segregation on dilute nicel alloys. // J.Nucl. Mater., 1979, v.83, N1, p. 35−41.
  55. Wautelet M., Antoniadis C., Laude L.D. A criterion of amorphization on transition to metastable states of highly defective solids // Phis. St. Comm. 1986 v. 57, N 9, p. 773−776.
  56. Приготовление аморфных сплавов с помощью ионной имплантации /Грант У.А., Али А., Чаддертон Л. Т. и др./ Быстрозакаленные металлы/Под ред. Кантора Б. // М.: Металлургия, 1983, с. 52−57.
  57. Hecking N.T., Koat Е.Н. Modelling of lattice damage accumulation during high energy ion implantation. // Appl. Surface Sci. 1989, v. 43, N 1−4, p. 87−96.
  58. B.C., Каныржанов K.K., Туркебаев Т. Э., Айманов М. Ш., Жуков В. Н. Мессбауэровские исследования фазовых превращений в имплантационной системе Fe: В+. // Поверхность, 1996, N 11, с.80−90.
  59. Дж. М., Каллис А. Г. Имплантационная металлургия и образование метастабильных сплавов. Ионная имплантация/ Под ред. Дж. К. Хирвонена // М.: Металлургия, 1985, с. 72−110.
  60. Andersen L.U., Bottiger J. and Dyrbye К. On the phase formation during ion-beam mixing. // Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 1990, v. 51, N 2, p. 125−132.
  61. Rausohenbach В., Erfurth W., Linker G., Meyer O. Ion beam mixing of Cu/Ti bilayers. //Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 1992, v.68, N 1−4, p. 438−442.
  62. Ф.Ф., Морошкин H.B. Возможность флуктуационного образования аморфной фазы в процессе ионного легирования металлов. // ЖТФ, 1984, т.5, N49, с. 1836−1837.
  63. А.И., Лигачев А. Е., Курасин И. В. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. // М., Энергоатомиздат, 1987, 184 с.
  64. А.Ф., Комаров Ф. Ф. О размерах индивидуальных каскадов и плотности выделяемой энергии при ионном облучении. // Поверхность, 1990, N1, с. 51−52.
  65. Rauschenbach В., Hohmu H.R. Bilding amorter metall-metalloid verbi dungen durch Jonen-impantation. // Phys. Stat.Sol.(a), 1992, v.72, p.667−678.
  66. Э.М. Структурные изменения в переходных металлах при ионном легировании. / Поверхность, 1990, N8, С. 111−116.
  67. Э.М., Калинин А. Н. Высокодозовая имплантация железа при комнатной температуре. // ФХОМ, 1992, N3, с. 16−19.
  68. М.М., Васильев В. Ю., Кузьменко Т. Т., Харитоновский С. Я. Аморфизация тонких пленок железа при имплантации ионами бора. // Металлофизика, 1987, т.9, N2, с. 109−110.
  69. Hohmuth К., Rauschenbach В., Kalitsch A., Richter Е. Formation of compounds by metalloid ion implantation in iron // Nucl. Instr. Meth., 1983, v.209/210, p.249−257.
  70. Carter G., Armour D.G., Donnelly S.E., Webb R. Energy spike generation and quenching processes in bombardment induced amorphization solids // Rad. Eff., 1978, V. 36, P. 1−13.
  71. Reuther H. Conversion electron Moffbauer spectroscopic stady on phosphorus implanted iron. //Nucl. Instr. Meth. in Phys. Per., 1988, B.30, p.61−66.
  72. А.Ф. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния. // Поверхность, 1991, N4, с.5−26
  73. B.C., Никулина JI.M., Титов А. И. Ионно-стимулированная кристаллизация полупроводников // Высокочистые вещества, 1991, N2, с.200−205
  74. А.И., Аброян И. А. и др. Взаимодействие вакансий с границей аморфный слой монокристалл. // Тез. док. ХП Междунар. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью», М., 1995, т.2, с. 148−151.
  75. И.А., Беляков B.C., Титов А. И. Влияние плотности тока на ионно-стимулированную эпитаксиальную твердофазную кристаллизацию поверхностных слоев полупроводников. // Поверхность, 1989, N4, с. 84−89.
  76. И. А. Физические основы ионного внедрения и изменения свойств поверхности. // Изв. РАН. Сер. физ. 1996, т. 60, N 7, с. 62−81.
  77. Kohlhof К. Industrial application of ion assisted surface modification. // Nucl. Instrum. Phys. Res. В., 1995, v. 106, N 1−4, p. 662−669.
  78. В.И., Погребняк А. Д. Воздействие ионных пучков на железо и стали. // Металлофизика и новые технологии, 1996, т. 18, N 11, с. 18−39.
  79. М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. // М., Мир, 1971, 368с.
  80. И.А., Давыдов Л. Н. Теория сегрегации в сплавах при облучении. // Вопросы атомной науки и техники. /Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение/ 1982, вып. 3 (22), с. 46−50.
  81. В.И., Сенкевич А. И., Шалаев A.M. О немонотонной форме равновесной сегрегации атомов в приповерхностном слое сплава Feo^-Cro.os- Н Металлофизика, 1986, т.8, N3, с.69−73.
  82. В.Г., Рыжов В. В. Модель расчета высокодозовой ионной имплантации в металлы. // ФХОМ, 1990, N 6, с. 14−18.
  83. В.Г. Моделирование высокодозовой ионной имплантации в металлы в условиях науглероживания поверхности. // ФХОМ, 1994, N1, с.21−26.
  84. В.Г., Рыжов В. В., Турчановский И. Ю. Моделирование высокодозовой ионной имплантации. // Препринт N 26. Томск: Том. фил. СО АН СССР, 1987, 17 с.
  85. Rangaswamy M., Farkas D. Prediction of high dose ion implantation profiles as influenced by radiation induced transport and sputtering // PrOc. Mat. Res. Soc. Symp., 1985, v. 45, p. 91−96.
  86. Sigmund P., Grass-Marti A. Theoretical aspects of atomic mixing by ion beams. // Nucl. Instr. Meth. 1981, v. 182/183, p. 25−41.
  87. A.A., Теплов C.B. Моделирование перемешивания слоистых систем при бомбардировке ионами средних энергий. // Поверхность, 1995, N5, с.31−39.
  88. В.А. Многокомпонентная диффузия примесей в моноатомных и бинарных полупроводниках. // В сб.: Свойства легированных полупроводников. М., Наука, 1977, с. 129.
  89. В.И., Синдер М. М. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках. 4.1. Последовательная диффузия. // ФТП, 1983, т. 17, N 11, с. 1995−2002.
  90. В.И., Синдер М. М. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках. 4.2. Одновременная и взаимная диффузия. // ФТП, 1983, т. 17, N 11, с. 2003−2008.
  91. В .Я., Марков A.B., Чураков В. П., Усков В. А., Тательбаум В. И. -Перераспределение основных компонентов стали 20X13 при облучении ионами фосфора. // В сб.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, УПИ, 1989, с. 119−124.
  92. B.C., Смыслов A.M., Новикова М. К. Модель распределения имплантируемых ионов в металл. // Изв. вузов. Авиац. техн., 1996, N2, с 83−89.
  93. А.Ф. Моделирование траекторий заряженных частиц в веществе. // М.: Энергоатомиздат, 1991, 200 с.
  94. Biersack J.P., Haggmark L.G. A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets. // Nucl. Instrum. Meth., 1980, v. 174, p. 257 269.
  95. Crou P., Ghoniem N.M. Precipitate dissolution by high energy collision cascade. // J. Nucl. Mater., 1983, v. 117, p. 55−63.
  96. Cui Fu-Zhai, Li Heng-De. A monte Carlo stady of cascade fluctuation. // J. Nucl. Mater., 1985, v. 133/134, p. 353−356.
  97. В.Г., Рыжов B.B. Моделирование распределений ионной имплантации методом Монте-Карло. // ФХОМ, 1993, N 2, с. 22−30.
  98. В.Ю., Кузьменко Т. Г., Баянкин В. Я. и др. Особенности электрохимического поведения сплавов на основе железа после имплантации ионов металлоидов. // Защита металлов, 1987, т. 23, N 3, с. 487−494.
  99. Ю5.Баянкин В. Я., Никитин A.B. О влиянии параметров имплантации ионов металлоидов на формирование состава и структуры поверхностных слоев стали. // Материалы XI конф."Взаимодействие ионов с поверхностью": Тез. докл. Москва, 1993, т. З, с.96−97.
  100. A.B., Федотов А. Б., Баянкин В .Я Формирование ионно-имплантированных слоев в стали. // Высокочистые вещества, 1995, N3, с. 147 152
  101. A.B., Федотов А. Б., Баянкин В.Я Формирование состава и структуры ионно-имплантированных слоев стали в условиях рекристаллизации. // Вестник УдГУ, Ижевск, 1997, N4, с.93−98
  102. A.A., Лозаров Р. Д., Макаров В. Л. Разностные схемы для дифференциальных уравнений с обобщенными решениями. // М., Высшая школа, 1987. 296с.
  103. В.И., Бобков В. В., Монастырный П. И., Начала теории вычислительных методов. Дифференциальные уравнения. // Минск, Наука и техника, 1982, 286 с.
  104. М., Клич А., Кубичек М., Марек М. Методы анализа нелинейных динамических моделей. // М., Мир, 1991, 365 с.
  105. В.М., Полежаев В. И., Чудов Л. А. Численное моделирование процессов тепло- и массообмена. // М., Наука, 1984, 285 с.
  106. С. Уравнения с частными производными для научных работников и инженеров // Пер с англ. М., Мир, 1985, 383 с.
  107. A.A. Введение в численные методы. // М., Наука, 1987, с. 186.
  108. В.В., Корнилов Л. А., Шашелов A.B., Шокин Е. В. Оборудование ионной имплантации. // М., Радио и связь, 1988, 184с.
  109. В.М., Бушаров Н. П., Нафтулин М. М., Проничев А.М, Ионный ускоритель ИЛУ на 100 кэВ с сепарацией ионов по массе. //ПТЭ, 1969,№, с. 19−25.
  110. К. и др. Электронная спектроскопия. // М., Мир, 1971, 493с.
  111. В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. // М., Наука, 1983, 226 с.
  112. В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений.i
  113. , М., Химия, 1984, 256 с.
  114. В.И. Физические основы ренттеноэлектронного анализа состава поверхности. // Поверхность, 1982, N 1, с.4−21.
  115. Devies L.S., MacDonald N.S. at al. Handbook of Auger Electron spectroskopy. Phys. Electr. Division, Perkin-Elmer Сотр., USA, 1978, 139p.
  116. Методы анализа поверхности. / Под ред. Зандерны А., пер. с анлг. // М., Мир, 1979, 582 с.
  117. С.С., Расторгуев М. Н., Скаков Ю. А. Рентгенооптический и электроннооптический анализ. //М., Металлургия, 1970, 371с.
  118. B.C. Механические свойства металлов. // М., Металлургия, 1983.-352с.
  119. Bhattacharya А.К. Analysis of elastic and plastic deformation associated with indentation testing of thin films on substrates // Int. J. Sol. and Struct. 1982. -Vol.24, p. 1287−1298.
  120. A.A., Спасский C.E., Ерохин А. Л. Определение микротвердости тонких покрытий с учетом их толщены и твердости подложки // Заводская лаборатория. 1991, N10, с. 45−46.
  121. М.А., Городецкий О. Д. Влияние ионного облучения на состав и атомную структуру сплавов системы Fe-Ni.// Поверхность, 1992, N4, с. 113 121.
  122. А.Г., Демин В. Ю. ОБ избирательном окислении сплавов железо-хром. //Поверхность, 1988, N3, с. 123−128.
  123. Физико-химические свойства окислов. / Под ред. Самсонова Г. В. // М., Металлургия, 1978, 471 с.
  124. С., Вербер Т. Современные жаропрочные материалы. Справочник. //М. Металлургия, 1986, с. 148.
  125. И.Н., Самойлович C.C., Баянкин В .Я. и др. Эффекты сегрегации в поверхностных слоях аморфных лент их сплавов на основе железа. // Доклады АН СССР, 1984, т.274, N3, с.591−593.
  126. В .Я., Никитин А. В., Федотов А. Б. Влияние дозы имплантации на состав и структуру поверхностных слоев стали. // Высокочистые вещества, 1993, N6, с. 141−147.
  127. Goltsul V.P., Prako V.M., Uglov V., Khodaswich Y.Y., Soukich M. The formation of amorphous structure during irradiation of Fe-30% Ni alloy by phosphorous ions. // J.Nucl. Jnst and Meth., 1991, v.59−60, p.823−827.
  128. Ли Дж. C.M. Механические свойства аморфных металлов и сплавов / Сверхбыстрая закалка жидких сплавов / Под. ред. ГГермана // М.: Металлургия, 1986, с. 255−316.
  129. В.Я., Никитин А. В., Гусева М. И. Влияние плотности потока ионов металлоидов на формирование состава и структуры поверхностных слоев ионно-имплантированной стали. // ФизХом, 1994, N1, с.46−50.
  130. Gatton Luigi М., Guzman Luis, Miottelo Antonio. On the termal effekt of ion implantation. // J.Nucl.and Meth.Phys., 1983, v.209−210,pt.2: Ion Beam Modif.Mater.Proc., Conf., Crenobl, 1982, p. 1117−1121.122
  131. Справочник химика. / Под об. ред. В. П. Никольского. // JI.-M.: Госхимиздат, 1951, т.1, с. 286.
  132. Guseva M.I., Gradeeva G.V. Phase Transition in the Surfase layers of Materials under Ion Implantation. //Phys.Stat. sol., A., 1986, v.95, p.385−390.
  133. Handorf V. Diffusion in metals and alloys uvder irradiation. // J.Rad.Phys. В., v.6, N18, p.2925−2986.
  134. A.B., Баянкин В .Я, Федотов А. Б. Модель формирования ионно-имплакнтированных слоев системы металл-металлоид // Тез. докл. XIII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Москва, 1997, т.2, с. 276−279.
  135. Rp, RpD, RpOO, RpDOO, erf, D, tO, n20, dl, d2, ml, m2: real-ccl, cc2, cc3,cc4,h, t, D00,D0,t00,n200,dl0,d20:real-n2t, n12, n 11, n21,n22,kk, qq, korri, kkO, mlO, ш20: real -tR, tRR, n1, n2,п1iлn2i:array 0.1200. of real-il, 12: array 0.1200. of integer-tex:text-fh, sh, ch: char-
  136. Writeln (tex, 'Начальное значение N20= ', n20: 8: 2) -Writeln (tex, 'Коэфф.:') — Writeln (tex, 'dl=', dl, 'ml = ml) — Wr iteln (tex, 'd2=', d2, 'm2=', vi2) — Writeln (tex, ' A'- kk) — Writeln (tex, 7? p=', Rp00, '~Bp= RpDOO) —
  137. Writeln (tex, '') — Writeln (tex, ' ') — For j: =0 to m do
  138. Writeln (tex, ' Nl', j: 3, 'J=', il[j3, ' B2?',$ 3, 'J=i2 [o .) -57:Break (tex)-Writeln (') -1. Writeln ('* **) —
  139. Write In H a ч a л о программы 1 #') —
  140. Write In (В ы х о д из программы 2 *")•,
  141. Wr iteln (NE" GRAPH 3 *')-1. Writeln ('* **)-1. WritelnC ') —
  142. Re ad (i}- If i = l then Goto 58- If i = 3 then Goto 56 EHD.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?