Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Химическое осаждение пленок нитрида и карбонитрида бора из паров летучих соединений бора

Диссертация: Химическое осаждение пленок нитрида и карбонитрида бора из паров летучих соединений бора
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Гидрированные полупроводники — это новый класс аморфных полупроводниковых материалов, начало которым положено в середине семидесятых годов работами по гидрированному аморфному кремнию Sr. Il Оказалось, что при введении в аморфный кремний атомарного водорода, замыкающего на себя «болтающиеся» связи, свойства этого материала коренным образом изменяются: резко (на несколько порядков) уменьшается… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Области применения и физико-химические свойства слоев нитрида и карбонитрида бора
    • 1. 2. Методы характеризации фаз в системах В-Ы и В-С-Ы
    • 1. 3. Процессы осаждения из газовой фазы, используемые для получения слоев нитрида и карбонитрида бора
      • 1. 3. 1. Синтез пленок нитрида бора осаждением из газовой фазы в системах с боразином
      • 1. 3. 2. Газофазные процессы осаждения слоев карбонитрида бора
      • 1. 3. 3. Исследование термической стабильности слоев гидрированного нитрида бора

Химическое осаждение пленок нитрида и карбонитрида бора из паров летучих соединений бора (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Химические процессы осаждения из газовой фазы (СТ)) получили широкое распространение в различных областях современной науки и техники. В настоящее время происходит постоянное совершенствование существующих и разработка новых газофазных процессов получения различных материалов, обычно в виде тонких слоев. Важное место в этих работах занимает использование нетермических способов активации газовой фазы и особенно плазмостимулированных процессов, позволяющих при достаточно низких температурах синтезировать слои многих соединений, в том числе и высокотемпературных. Одним из них является нитрид бора, который уже многие годы привлекает внимание исследователей. В зависимости от фазового и химического состава он имеет различные области применения. Кубический и гексагональный нитрид бора используется в качестве абразивного материала, износоустойчивых и твердых покрытий, высокотемпературной керамики и в микроэлектронике. Гидрированный нитрид бора ВХ1Я1. Х:Н может использоваться как изовалентаый диэлектрик в МДП структурах на основе соединений АШВУ, а также в качестве защитного покрытия различных электронных устройств.

Гидрированные полупроводники — это новый класс аморфных полупроводниковых материалов [1], начало которым положено в середине семидесятых годов работами по гидрированному аморфному кремнию Sr. Il Оказалось, что при введении в аморфный кремний атомарного водорода, замыкающего на себя «болтающиеся» связи, свойства этого материала коренным образом изменяются: резко (на несколько порядков) уменьшается плотность состояний в запрещенной зоне, возрастает проводимость, появляется возможность его контролируемого легирования донорными и акцепторными примесями, а также создание р-п — переходов. К настоящему времени синтезирован еще ряд гидрированных аморфных полупроводников и диэлектриков, также обладающих очень интересными электрическими и оптическими свойствами: Б^Сх^Н, 8Ь-хОех:Н, 8 м. хМх:Н, С: Н и В^хЫх.'Н. К числу принципиальных преимуществ использования этих материалов в электронной технике относятся их малая стоимость и сравнительная простота получения однородных по толщине тонкопленочных структур (в том числе и многослойных) при низких температурах осаждения, а также их специфические физико-химические свойства, которые можно изменять в широких пределах, варьируя состав пленки. Наиболее распространенным методом получения гидрированных полупроводников и диэлектриков является разложение летучих соединений соответствующих элементов в ВЧ-плазме тлеющего разряда.

Интересными новыми материалами в группе гидрированных полупроводников и диэлектриков являются так называемые микрокристаллические (или нанокристаллические) пленки. Такие пленки, как правило, получают при достаточно высокой мощности тлеющего разряда или путем быстрого термического отжига обычных гидрированных аморфных пленок. В отличие от последних, они имеют как бы «микрокристаллическую» структуру со средним размером «кристаллов» на уровне нескольких десятков нанометров. Микрокристаллические пленки обладают большей шириной запрещенной зоны и большей проводимостью по сравнению с гидрированными аморфными аналогами [2].

Несмотря на сравнительно короткую историю, гидрированные материалы и, прежде всего, пленки БШ и многослойные структуры (в том числе и гетероструктуры) на их основе уже достаточно широко используются на практике. Солнечные батареи, фотоприемники, координатно-чувствительные детекторы ионизирующих излучений, тонкопленочные полевые транзисторы, фоточувствительные слои в электрофотографии и лазерных принтерах, светодиоды — вот далеко не полный перечень приборных применений гидрированного кремния и родственных ему материалов. Однако на пути широкого промышленного внедрения гидрированных материалов в электронное приборостроение стоит еще ряд нерешенных материаловедческих и технологических проблем.

Одной из основных проблем является синтез новых гидрированных материалов, создание эффективной технологии получения однородных по толщине и свойствам пленок. Состав, структура и свойства гидрированных пленок определяются механизмом физико-химических превращений, имеющих место в плазме тлеющего разряда или в газовой фазе (если речь идет о традиционных методах осаждения из газовой фазы) непосредственно в зоне осаждения, а также на ростовой поверхности, и существенным образом зависят от условий выращивания. Комплексное исследование этих процессов позволит обеспечить воспроизводимые условия роста пленок на всей площади подложки, интенсифицировать и оптимизировать процессы их получения.

Одним из наименее изученных является вопрос о структурных особенностях гидрированных пленок и о влиянии структуры на фундаментальные физико-химические характеристики получаемых композиций. В детальном исследовании этих проблем лежит ключ к получению приборных композиций с воспроизводимыми и оптимизированными структурой и электрофизическими свойствами. Если для пленок БШ к настоящему времени достигнут значительный прогресс в этом направлении, то пленки других гидрированных материалов еще существенно им уступают как по глубине изучения их структурных характеристик, так и по возможности воспроизводимого управления их электрическими и оптическими свойствами.

Много неясного остается еще в понимании природы и роли водорода в формировании свойств пленок и особенностей поведения водорода в процессе эксплуатации приборов, а также физико-химических процессов, лежащих в основе деградации приборных структур под влиянием освещения, нагрева, ионизирующей радиации и других видов внешних воздействий. От четкого понимания всех этих проблем непосредственно зависит решение задачи создания приборных композиций со стабильными рабочими характеристиками. Также пока слабоизученными являются проблемы, связанные с получением стабильных во времени микрокристаллических гидрированных пленок с воспроизводимыми и управляемыми структурой и свойствами.

Последние годы исследователи проявляют устойчивое внимание к изучению процессов создания новых тонкопленочных структур. Учитывая сходство кристаллических структур гексагонального нитрида бора и графита, предпринимается много попыток получения тройных соединений с еще более широким спектром свойств, например, карбонитрида бора ВСЫ [3].

Цель настоящей работы состояла в исследовании процессов синтеза пленок нитрида и карбонитрида бора плазмохимическим разложением сложных летучих соединений: боразина и алкиламинборанов, в определении влияния параметров процессов осаждения на физико-химические характеристики получаемых слоев, в исследовании термической стабильности тонких слоев гидрированного нитрида бора и определении механизма дегидрирования данных слоев.

При этом решались следующие задачи: разработка процесса осаждения пленок гидрированного нитрида бора путем плазмохимического разложения боразина с дополнительным электрическим полемразработка процессов синтеза пленок нитрида и карбонитрида бора путем плазмохимического разложения триметиламинборана и триэтиламинборана и их смесей с аммиаком, водородом, гелиемисследование химического и фазового состава, морфологии поверхности и микроструктуры пленок нитрида и карбонитрида бора, осажденных при различных температурах и составах газовой смесиизучение взаимосвязи условий синтеза и физико-химических свойств слоев нитрида и карбонитрида бораисследование термической стабильности тонких слоев гидрированного нитрида бора в температурном интервале 623—1073 К и определение механизма дегидрирования этих слоев.

Научная новизна работы. Разработан метод синтеза пленок нитрида бора и гидрированного нитрида бора плазмохиминеским разложением боразина с дополнительным электрическим полем. Определены пути снижения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора за счет понижения парциального давления боразина в реакторе, введения дополнительного электрического поля и высокотемпературного отжига.

В результате кинетических исследований процесса высокотемпературного отжига впервые определен механизм дегидрирования пленок нитрида бора.

Впервые в плазмохимическом процессе получены пленки карбонитрида и нитрида бора с использованием триметиламинборана как молекулярного предшественника. Исследовано влияние параметров процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы (состав исходной газовой смеси, природа активирующего газа, температура подложки) на свойства пленок, синтезированных как из триметиламинборана, так и триэтиламинборана. Варьирование этих параметров позволяет синтезировать слои различного химического и фазового состава (Ь-ВЫ, В4С, их смесь и тройное соединение ВСЫ).

Для определения фазового состава тонких слоев (200—500 нм) легких элементов впервые использована дифракция синхротронного излучения.

Методами электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области показано, что в зависимости от условий процесса в данных системах возможен синтез слоев различной структуры: аморфных и микрокомпозитов с распределением нанокристаллов в аморфной матрице.

Практическая значимость работы. Разработаны оригинальные новые методики низкотемпературного плазмохимического синтеза тонких пленок следующих соединений: 1) гидрированного нитрида бора ВхМьх: Н из боразина- 2) гексагонального нитрида бора Ь-ЕШ из боразина- 3) нитрида, карбида и карбонитрида бора из алкил-аминборанов (триэтили триметиламинборана). Проведен комплекс физико-химических исследований, позволяющих определить области оптимальных условий синтеза,.

Определен механизм дегидрирования слоев нитрида бора, что является важным для понимания процессов деградации приборных композиций с использованием данных слоев.

На защиту выносятся: методики плазмохимических процессов синтеза тонких слоев гидрированного нитрида бора, нитрида и карбида бора, карбонитрида бора разложением летучих соединений бора (боразина, триметиламинборана, триэтиламинборана) — результаты физико-химического изучения процесса роста пленок гидрированного нитрида бора, нитрида бора и карбонитрида борарезультаты исследования химического, фазового состава и структуры пленок гидрированного нитрида бора, нитрида бора и карбонитрида борарезультаты исследования термической стабильности водородсодержащих групп в тонких слоях гидрированного нитрида бора и механизм дегидрирования данных слоев.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

выводы.

1. Разработан метод низкотемпературного синтеза пленок нитрида бора и гидрированного нитрида бора плазмохимическим разложением боразина с дополнительным электрическим полем. Показана возможность направленного изменения химического состава и электрофизических характеристик пленок.

2. Определены пути снижения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора за счет понижения парциального давления боразина в реакторе, введения дополнительного электрического поля и высокотемпературного отжига.

3. В результате кинетических исследований высокотемпературного отжига определен механизм дегидрирования пленок нитрида бора. В области температур 973—1073 К лимитирующей стадией процесса дегидрирования является разрыв связи N—Н. Энергия актива-ции этого процесса равна 221 ± 35 кДж/моль.

4. Впервые плазмохимическим осаждением из газовой фазы получены пленки карбонитрида и нитрида бора с использованием триметиламинборана как молекулярного предшественника.

5. Исследовано влияние параметров процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы на свойства пленок, синтезированных из триметили триэтиламинборана. Установлена зависимость скорости роста и физико-химических свойств слоев от состава исходной газовой смеси, типа активации, природы активирующего газа и температуры подложки. Варьирование этих параметров позволяет синтезировать слои различного состава (Л-BN, В4С, их смесь и тройное соединение BCN).

6. Дифракция синхротронного излучения впервые применена для исследования структуры тонких (150—300 нм) пленок легких элементов. С помощью этого метода определены структура и фазовый состав синтезированных тонких пленок нитрида и карбонитрида бора.

7. Методами электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области показано, что в зависимости от условий процесса в данных системах возможен синтез слоев различной структуры: аморфных и микрокомпозитов с распределением нанокристаллов в аморфной матрице. Размер обнаруженных нанокристаллов 2—5 нм.

3.6.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящем исследовании было проведено изучение процессов роста тонких слоев на основе нитрида бора. Особенностью работы является применение в качестве исходных веществ сложных летучих боразотных соединений таких как, боразин ВзКзНб, триметиламинборан (СНз^ИВНз и триэтиламинборан (СгН5)3]ЧВНз, содержащих в молекуле все необходимые для синтеза пленок элементы.

В основе всех изученных процессов синтеза была активация этих соединений в газовой фазе и их разложение с образованием различных слоев. Особое внимание было уделено плазмостимулированным процессам. При этом основная часть работы посвящена изучению физико-химических свойств полученных слоев и их связи с условиями проведения процессов.

В результате проведенной работы установлено, что состав и свойства слоев определяются природой исходного вещества, методом активации газовой фазы, составом исходной газовой фазы, температурой синтеза.

В зависимости от выбора исходного боразотсодержащего соединения и условий синтеза в этих процессах можно получить пленки гексагонального нитрида бора, гидрированного нитрида бора, карбида бора и карбонитрида бора и их смеси. В работе показаны пути изменения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора ВХК]. Х: Н, синтезированных методом РЕСУО, за счет понижения парциального давления боразина, введения газа активатора (гелий, водород), использования дополнительного постоянного электрического поля в зоне реакции, а также последующего высокотемпературного отжига.

В случае пленок, синтезированных из сложных алкиламинборанов, определена возможность варьирования содержания углерода в полученных слоях и пути изменения фазового состава пленок за счет добавления аммиака в газовую фазу. Следует подчеркнуть, что выбор триметиламинборана оказался особенно удачным для получения качественных слоев заданного состава.

Полученные результаты по синтезу и исследованию свойств пленок нитрида и карбонитрида бора позволяют сделать следующий шаг по изучению химической стойкости, механических и трибологических свойств этих слоев, которые важны для их практического применения. Также, с нашей точки зрения, необходимо расширить круг исходных веществ (производные боразина — триметилборазин, более сложные алкиламинбораны и т. д.) для создания новых процессов синтеза и получения материалов с новыми полезными свойствами. Необходимо уделить большее внимание синтезу нанокристаллических слоев, изучению их свойств, структуры и созданию на их основе композитов, как однородных по толщине слоя, так и градиентных.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.Г., Уфимцев В. Б. Полупроводниковые материалы на современном этапе развития твердотельной электроники // Неорган, материалы. 2000. Т.36. N3. С.360−368.
  2. М.Г. Актуальные проблемы технологии и материаловедения полупроводников // Материаловедение. 1997. № 5. С.36−48.
  3. Kawaguchi М., Bartlett N. Syntheses, structure and intercalation chemistry of B/C/N materials based on the graphite network // Ed. Nakajima T. Fluorine-Carbon and FluorideCarbon Materials // Marcel Dekker, Inc. 1995. P. 187−238.
  4. Г. В. Неметаллические нитриды. // M.: Металлургия. 1969.264с.
  5. Т.Я. Карбиды // М.: Металлургия. 1968. 299с.
  6. Г. В., Виницкий И. М. Тугоплавкие соединения // М.: Металлургия. 1976. 558с.
  7. Г. Г. Бескислородные керамические материалы // Киев.: Техника. 1987. 152с.
  8. В.А., Гогоци Ю. Г. Коррозия конструкционной керамики // М.: Металлургия. 1989. 200с.
  9. А.Г., Турчанин М. А. Термодинамика тугоплавких соединений карбидов и карбонитридов //М.: Металлургия. 1991. 352с.
  10. Raj R. Fundamental research in structural ceramics for service near 2000 °C // J. Am. Ceram. Soc. 1993. V.76. N9. P.2147−2174.
  11. Э.И., Батыгин B.H. Нитрид бора. Свойства и применение в электронике. // Обзоры по электронной технике. 1971. № 19 (320). 30с.
  12. Эльбор в машиностроении // под ред. Лысанова B.C. Лениниград.: Машиностроение. 1978. 280с.
  13. А.С., Курдюмов А. В., Пилянкевич А. Н., Нитрид бора. Структура, свойства, получение//Киев.: Наукова думка. 1987. 199с.
  14. Полиморфные модификации углерода и нитрида бора. // Справочник под ред. Курдюмова А. В., Малоголовеца В. Г., Новикова Н. В., Пилянкевича А. Н., Шульмана Л. А. М., Металлургия. 1994. 318с.
  15. Veprek S. The search for novel, superhard materials // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A17. N5. P.2401−2420.
  16. Г. П., Зусманов E.P., Котова H.B., Маевский В. М., Ройцин А. Б. Физические свойства нитрида бора под воздействием агрессивных сред //
  17. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. № 10. С.99−109.
  18. А.Д., Фоменко B.C., Глебова Г. Г. Стойкость неметаллических материалов в расплавах //Киев.: Наукова думка. 1986. 352с.
  19. Konyashin I., Bill J., Aldinger F. Plasma-assisted CVD of cubic boron nitride // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1997. Y.3. N5. P.239−255.
  20. Davis R.F. Current status of the research on Ш-V mononitride thin films for electronic and optoelectronic application // Ed. Freer R. The Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides andBorides. Series S: Applied Sciences. 1990. V.185. P.653−669.
  21. Edgar J.H. Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors // J. Mater. Res. 1992. V.7. N1. P.235−252.
  22. Kapoor V.J., Skebe G.G. Boron nitride thin insulating films on GaAs compound semiconductors //Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.353−374.
  23. Yamaguchi E. Thin film boron nitride for semiconductor application // Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.329−352.
  24. Wentorf R.H. Cubic form of boron nitride // J.Chem. Phys. 1957. V.26. N4. P.956.
  25. Bundy F.P., Wentorf R.H. Direct transformation of hexagonal boron nitride to denser forms //J. Chem. Phys. 1963. V.38. N5. P. 1144−1149.
  26. Wentorf R.H. Synthesis of the Cubic Form of Boron Nitride // J. Chem. Phys. 1961. V.34. N3. P. 809−812.
  27. Wentorf R.H. Condensed system at high pressure and temperatures // J.Phys.Chem. 1959. V.63. Noll. P. 1934−1940.
  28. Corrigan F.R., Bundy F.P. Direct Transition among the allotropic forms of boron nitride at high pressures and temperatures // J. Chem. Phys. 1975. V.63. N9. P.3812−3820.
  29. A.M., Лысенко А. А. О граничных условиях и особенностях превращения гексагонального нитрида бора в кубический // Изв. Акад. Наук БССР, Сер. Физ.-мат. Наук. 1978. № 6. С. 108−110.
  30. Н.Н., Мазуренко A.M. Кинетика превращения графитоподобного нитрида бора в кубическую модификацию // ДАН СССР. 1978. Т.241. № 4. С.884−887.
  31. Н.Н., Кофман Н. А. Полиморфные а—(3 превращения нитрида бора // ДАН СССР. Т.249. № 6. С. 1346−1348.
  32. Л.Ф., Гладкая И. С., Дубицкий Г. А., Слесарев В. Н. Синтез монокристаллов кубического нитрида бора в системах, содержащих водород // Изв. АН СССР. Неорган. Матер. 1979. Т. 15. № 2. С.256−259.
  33. Mishima О., Yamaoka S., Fukunaga О. Crystal growth of cubic boron nitride by temperature difference method at «55 kbar and *1800°C // J. Appl. Phys. 1987. V.61. P.2822−2825.
  34. Kagamida M., Kanda H., Akaishi M., Nukui A., T. Osawa T., Yamaoka S. Crystal growth of cubic boron nitride using U3BN2 solvent under high temperature and pressure // J. Cryst. Growth. 1989. V.94. P.261−269.
  35. B.JI., Леонидов В .Я. К термодинамике превращения графитоподобной модификации нитрида бора в кубическую // ЖФХ. 1988. Т.62. N11. С.3145−3146.
  36. В.Л. О фазовой диаграмме нитрида бора // ДАН СССР. 1988. Т.301. № 1. С.147−149.
  37. В.Л., Чайковская И. Я., Соколов А. Н., Шульженко А. А. Термодинамические характеристики кубического нитрида бора в интервале 298−930К//ЖФХ. 1987. Т.61. № 3. С.801−803.
  38. В.Л., Ячменев В. Е., Вильковский В. А., Соколов А. Н., Шульженко А. А. Теплоемкость и термодинамические функции монокристаллов кубического нитрида бора в интервале 4—300 К // ЖФХ. 1987. Т.61. № 10. С.2816−2818.
  39. В.Л., Ячменев В. Е., Вильковский В. А., Петруша И. А. Теплоемкость и термодинамические функции поликристаллического кубического BN при 4 — 300 К //Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989. Т.25. № 1. С. 160−162.
  40. В.Л., Чайковская И. Я., Петруша И. А. Термодинамические характеристики поликристаллического нитрида бора при 300-—1600К // Изв. АН СССР. Неорган.Матер. 1989. Т.25. № 10. С. 1672−1675.
  41. В.Е., Соложенко В. Л. Теплоемкость и термодинамические функции монокристаллов сфалеритного нитрида бора в диапазоне 300—1100К // ЖФХ. 1992. Т.66. № 5. С. 1186−1191.
  42. К.С., Горбунов В. Е., Соложенко В. Л., Тотрова Г. А., Голушина Л. Н. Теплоемкость и термодинамические функции ромбоэдрического BN при 15—ЗООК //ЖФХ. 1992. Т.66. № 10. С.2824−2828.
  43. Gavrichev K.S., Solozhenko V.L., Gorbunov V.E., Golushina L.N., Totrova G.A., Lazarev V.B. Low-temperature heat capacity and thermodynamic properties of four boron nitride modifications // Thermochim. Acta. 1993. V.217. P.77−89.
  44. Solozhenko V.L. Thermodynamics of dense boron nitride modifications and a new phase P, T diagram for BN // Thermochim. Acta 1993. V.218. P.221−227.
  45. В.Л. Термодинамические характеристики графитоподобных модификаций нитрида бора в диапазоне 300−1700К // ЖФХ. 1993. Т.67. № 8. С. 1580−1582.
  46. Леонидов В. Я, Тимофеев И. В., Лазарев В. Б., Бочко A.B. Энтальпия образования вюрцитного нитрида бора // ЖНХ. 1988. Т.ЗЗ. N6. С.1597−1600.
  47. В.Я., Тимофеев И. В., Соложенко В. Л., Родионов И. В. Энтальпия образования кубического нитрида бора // ЖФХ. 1987. Т.61. N10. С. 2851−2852.
  48. В.Я., Тимофеев И. В., Соложенко В. Л. Калориметрия реакции с фтором в бомбе. Энтальпии образования графитоподобного, кубического и вюрцитного нитрида бора // Термодинамика химических соединений. Горький. 1988. С. 16−18.
  49. Solozhenko V.L., Turkevich V.Z. Thermoanalytical study of the polymorphic transformation of cubic into graphite-like boron nitride // J. Therm. Anal. 1992. V.38. P.1181−1188.
  50. Solozhenko V.L. Thermoanalytical study of the polymorphic transformations of wurtzitic boron nitride modification into graphite-like ones // J. Therm. Anal. 1995. V.44. N1. P.97−103.
  51. Solozhenko V.L., Will G., Hupen H., Elf F. Isothermal Compression of Rhombohedral Boron Nitride Up to 14 GPa // Solid State Commun. 1994. V.90. P. 65−67.
  52. Solozhenko V.L., Will G., Elf F. Isothermal compression of hexagonal graphite-like boron nitride up to 12 GPa // Solid State Commun. 1995. V.96. N1. P. 1−3.
  53. Solozhenko V.L., Hausermann D., Mezouar M., Kunz M. Equation of state of wurtzitic boron nitride to 66 GPa // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. N14. P. 1691−1693.
  54. Solozhenko V.L., Peun T. Compression ans thermal expansion of hexagonal graphite-like boron nitride up to 7 GPa and 1800 К // J. Phys. Chem. Solids. 1997. V.58. N9. P.1321−1323.
  55. Solozhenko V.L. Thermodynamics of dense boron nitride modifications and a new phase-P, T diagram for BN // Thermochim. Acta 1993. V.218. P.221−227.
  56. Solozhenko V.L. New concept of BN phase diagram: An applied aspect // Diamond Relat. Mater. 1994. V.4. N1. P. 1−4.
  57. Solozhenko V.L. Current trends in the phase diagram of boron nitride // J. Hard. Mater. 1995. V.6. P.51−65.
  58. Solozhenko V.L., Turkevjch, Holzapfel W.B. Refined Phase Diagram of Boron Nitride // J. Phys. Chem. B. 1999. V.103. P.2903−2905.
  59. Demazeau G. Growth of Cubic Boron Nitride by Chemical Vapor Deposition and High-Pressure High-Temperature Synthesis // Diamond Relat. Mater. 1993. V.2. N2−4. P. 197−200.
  60. Sachdev H., Haubner R., Noth H, Lux B. Investigation of the c-BN/h-BN phase transformation at normal pressure // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.286−292.
  61. Albe K. Theoretical study of boron nitride modifications at hydrostatic pressures // Phys.Rev. V. B55. N10. P.6203−6210.
  62. Fukunaga O. The equilibrium phase boundary between hexagonal and cubic boron nitride //DiamondRelat. Mater. 2000. V.9. P.7−12.
  63. A.B., О дефектах упаковки в графитоподобном нитриде бора // Кристаллография. 1975. Т.20. № 5. С.969−973.
  64. V.V.Khvostov, LYu. Konyashin, E.N.Shouleshov, V.G.Babaev, M.B.Guseva. Surface modification of boron nitride in hydrogen plasma // Appl. Surf. Sci. 2000. V.157. P.178−184.
  65. Г. В., Портной К. И., Сплавы на основе тугоплавких соединений // Москва.: Оборонгиз. 1961. 304с.
  66. Ю.А., Кауфман В. Г. Исследование работы опытно-промышленной установки электролизного борирования с тиглем из карбонитрида бора // Сб. Методы получения, свойства и применения нитридов. Киев. 1972. С173−177.
  67. Akkerman Z.L., Efstathiadis Н., Smith F.W. Thermodinamic modeling of atomic bonding in covalent Cx (BN)i.x alloys // Proced. Mat. Res. Soc. Symp. 1996. V.410. P.217−222.
  68. Tateyama Y., Ogitsi Т., Kusakabe K., Tsuneyuki S. Proposed synthesis path for heterodiamondBC2N. //Phys. Rev. 1997. V. B55. N16. P. R10161-R10164.
  69. Hegemann D., Riedel R., Oerh C. Influence of single-source precursors on PACVD-derived boron carbonitride thin films. // Thin Solid Films. 1999. V.339. P. 154−159.
  70. Watanabe M.O., Itoh S., Mizushima K., Sasaki T. Electrical properties of BC2N thin films prepared by chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys. 1995. V.78. N4. P.2880−2882.
  71. Watanabe M.O., Sasaki Т., Itoh S., Mizushima K. Structural and electrical characterization of BC2N thin films. // Thin Solid Films. 1996. V.281/282. P.334−336.
  72. Kaner R.B., Kouvetakis J., Warble C.E., Sattler M.L., Bartlett N. Boron-Carbon-Nitrogen materials of graphite-like structure // Mater. Res. Bull. 1987. V.22. N3. P.399−404.
  73. Liu A.Y., Wentzcovitch R.M., Cohen M.L. Atomic arrangement and electronic structure ofBC2N//Phys Rev. 1998. V. B39. N3. P. 1760−1765.
  74. Kawaguchi M. B/C/N Materials Based on the Graphite Network I I Adv. Mater. 1997. V.9. N8. P.615−625.
  75. Perrone A., Caricato A.P., Luches A., Dinescu M., Ghica C., Sandu V., Andrei A. Boron earbonitride films deposited by pulsed laser ablation // Appl. Surf. Sci. 1998. Y.133. P.239−242.
  76. Т.Я., Андреева T.B., Бартницкая Т. Б., Гнесин Г. Г., Макаренко Г. Н., Осипова И. И., Прилуцкий Э. В. Неметаллические тугоплавкие соединения. М.: Металлургия. 1985. 928с.
  77. А.Д., Фоменко B.C., Глебова Г. Г. Стойкость неметаллических материалов в расплавах. Справочник. //Киев.: Наукова думка. 1986. 352с.
  78. Ивановский A. JL, Швейкин Г. П. Квантовая химия в материаловедении. Неметаллические тугоплавкие соединения и неметаллическая керамика. Екатеринбург: Изд-во „Екатеринбург“. 2000. 339с.
  79. McKenzie D.R., Sainty W.G., Green D. Synthesis and properties of boron nitride. // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 193−206.
  80. Mirkarimi P.B., McCarty K.F., Medlin D.L. Review of advanced in cubic boron nitride film synthesis. // Mater. Sci. Engin. 1997. V. R21. P.47−100.
  81. Brame E.G., Margrave J.L., Meloche V. W. Infra-red spectra of inorganic solids П. Oxides, nitrides, carbides, andborides //J. Inorg. Nucl. Chem. 1957. V.5. P.48−52.
  82. Li P.-C., Lepie M.P. Infrared transmission of pyrolytic boron nitride // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. V.48. N5. P.277−278.
  83. Geick R., Perry C.H., Rupprecht G. Normal modes in hexagonal boron nitride // Phys. Rev. 1966. V. 146. N2. P.543−547.
  84. В.И., Чуканов H.B., Гуров C.B. и др. Структурные особенности и ИК-спектры поглощения ультрадисперсного нитрида бора // Порошковая металлургия. 1988. № 1. С.85−91.
  85. И.Ю., Раевский А. В., Розенберг А. С., Чуканов Н. В. О некоторых структурных особенностях дисперсного нитрида бора // Поверхность. Физ., хим., механ. 1988. № 8. С.61−69.
  86. В.И., Чуканов Н. В., Гуров С. В., Структурные искажения в ультрадисперсном нитриде бора // ДАН СССР. 1989. Т.307. № 6. С.1376−1380.
  87. В.И., Чуканов Н. В., Гуров С. В., Троицкий В. Н., Филатова Н. Е., Резникова Т. В., Домашнева Е. П. Структурные особенности и ИК-спектры поглощения ультрадисперсного нитрида бора//Порошк. металлург. 1988. № 1. С.85−91.
  88. Н.В., Кумпаненко И. В., Эволинский В. П., Лосев В. В., Ипполитова С. Ф., Бондаренко С. П. Зависимость ширины ИК-спектральных полос от размеров молекулярных образований, имеющих двухмерную квазипериодическую структуру /Поверхность. 1997. № 9. С.65−69.
  89. В.Г., Якименко В. М., Петруша И. А. Спектры ИК-поглощения монокристаллами кубического нитрида бора // Синтетические алмазы. 1976. № 2. С.10−12.
  90. Lin P., Deshpandey С., Doerr H.J., Bunshah R.F., Chopra K.L., Yankar V. Preparation and properties of cubic boron nitride coatings // Thin Solid Films. 1987. Y.153. P.487−496.
  91. К., Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений//М.: Мир. 1966. 411с.
  92. Kim I.-H., Kim K.-S., Kim S.-H., Lee S.-R. Synthesis of cubic boron nitride films using a helicon wave plasma and reduction of compressive stress // Thin Solid Films. 1996. V.290−291. P. 120−125.
  93. Friedmann T.A., Mirkarimi P.B., Medlin D.L., McCarty K.F., Klaus E.J., Boehme D., Johnsen H.A., Mills M.J., Ottesen D.K. Ion-assisted pulsed laser deposition of cubic boron nitride films // J. Appl. Phys. 1994. V.76. N5. P.3088−3101.
  94. Mirkarimi P.B., McCarty K.F., Cardinale G.F., Medlin D.L., Ottesen D.K., Johnsen H.A. Substrate effect in cubic boron nitride film formation // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V. A14. N1.P.251−255.
  95. Hackenberger L.B., Pilione L.J., Messier R, Lamaze G.P. Effect of stoichiometry on the phases present in boron nitride thin films // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A12. N4. Pt.l. PI 569−1576.
  96. W.J.Lehmann, I.Shapiro. Characteristic frequencies of alkyldiboranes // Spectrochem. Acta. 1961. V.17. N4. P.396−411.
  97. NMutsukura, K.Akita. Infrared absorption spectroscopy measurements of amorphous CNX films prepared in CH4/N2 r.f. discharge // Thin Solid Films. 1999. V.349. P. 115−119.
  98. .Л., Пепекин В. И. На пути к нитриду углерода. // Успехи химии. 1997. Т.66. № 11. С.1003−1014.
  99. Kuzuba Т., Era К., Ishii Т., Sato Т. A low frequency raman active vibration of hexagonal boron nitride // Solid State Commun. 1978. V.25. N111. P.863−865.
  100. Halverson W.D., Tetreault T.G., Hirvonen J.K. Ion assisted synthesis of boron nitride coatings//Mater. Sci.Forum. 1990. V.54/55. P.71−110.
  101. Nemanich R.J., Solin S.A., Martin R.M. Light scattering study of boron nitride microcrystals//Phys. Rev. 1981. V. B23. N12. P.6348−6356.
  102. Hoffman D.M., Doll G.L., Eklund P.C. Optical properties of pyrolytic boron nitride in the energy range 0.05−10eV //Phys. Rev. 1984. V. B 30. N10. P.6051−6056.
  103. Eremets M.I., Gauthier M., Polian A., Chervin J.C., Besson J.M., Dubitskii G.A., Semenova Ye. Ye. Optical properties of cubic boron nitride // Phys. Rev. 1995. V. B52. N12. P. 8854−8863.
  104. Cholet V., Vandenbulcke L., Rouan J.P., Baillif P., Erre R. Characterization of boron nitride films deposited from BCI3-NH3-H2 mixtures in chemical vapour infiltration conditions//J. Mater. Sci. 1994. V29. P. 1417−1435.
  105. Filipozzi L., Derre A., Conard J., Piraux L., Marchand A. Local order and electrical properties of boron carbonitride films // Carbon. 1995. V.33. N12. P.1747−1757.
  106. Dekempeneer E., Wagner V., Gibson P., Meneve J., Kuypers S. et al. Tribology and microstructure of PACVD B-N-C coatings // Diamond Film Technol. 1997. V7. N3. P.181−193.
  107. Popov C., Saito K., Ivanov В., Koga Y., Fujiwara S., Shanov V. Chemival vapor deposition of BC2N films and their laser-induced etching with SF6 // Thin Solid Films. 1998. V.312. P.99−105.
  108. Polo M.C., MartinezE., Esteve J., Andujar J.L. Preparation of B-C-N thin films by r.f. plasma assisted CVD // Diamond Relat. Mater. 1998. V.7. P.376−379.
  109. Tuinstra F., Koenig J.L. Raman spectrum of graphite // J. Chem. Phys. 1970. V.53. N3. P. 1126−1130.
  110. Moon K.-T., Mm D.-S., Kim D.-P. A route to boron nitride via simply prepared borazine precursor//Bull. Korean Chem. Soc. 1998. V.19. N2. P.222−226.
  111. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. Y.9. Card N 12.
  112. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.34. Card N 421.
  113. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.25. Card N 1033.
  114. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V. 15. Card N 500.
  115. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.18. CardN 251.
  116. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.26. Card N 773.
  117. JCPDS International Center for Diffiaction Data. 1988. USA. V.6. Card N 555.
  118. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.41. Card N 1487.
  119. Thomas J.Jr., Weston N.E., O’Connor Т.Е. Turbostratic boron nitride, thermal transformation to ordered-layer-lattce boron nitride // J. Amer. Chem. Soc. 1963. V.84. N24. P.4619−4622.
  120. Andreev Yu.G., Lundstrom T. In-plane lattice-parameter and crystallite-size determination in a turbostratic graphite-like structure // J. Appl. Cryst. 1994. V.27. P.767−771.
  121. .Н., Кравчик A.E., Ефременко M.M., Маментьев Р. Ю., Тупицина Е. В., Осмаков А. С. Анализ структуры пиролитического нитрида бора // ЖПХ. 1990. № 8. С.1698−1701.
  122. Gladkaya I.S., Kremkova G.N., Slesarev V.N. Turbostratic boron nitride (BNt) under high pressures and temperatures // J. Less-Common. Met. 1986. V. l 17. P.241−245.
  123. Т.Я.Косолапова, Г. Н. Макаренко, Т. И. Серебрякова, Э. В. Прилуцкий и др. О природе карбонитрида бора. I. Исследование условий получения карбонитрида бора // Порошковая металлургия, 1971. N1. С.27−33.
  124. Badzian A.R. Cubic boron nitride diamond mixed crystals // Mat. Res. Bull. 1981. V.16. P.1385−1393.
  125. Yu J., Wang E.G. Turbostratic boron carbonitride film and its field-emitting behavior //Appl. Phys. Lett. 1999. Y.74. N20. P.2948−2950.
  126. Solozhenko V.L., Will G., Elf F. Isothermal compression of haxagonal graphite-like boron nitride up to 12GPa // Solid State Commun. 1995. Y.96. N1. P. 1−3.
  127. Solozhenko V.L., Turkevich V.Z. Phase stability of graphitelike BC4N up to 2100K and 7GPa // J. Amer. Ceram. Soc. V.80. N12. P.3229−3232.
  128. Donner W., Dosch H., Ulrich S., Ehrhardt H., Abernathy D. Strain relaxation of boron nitride thin films on silicon // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. N6. P.777−779.
  129. М.Г., Чалдышев В. В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // Физ. Техн. Полупровод. 1998. Т.32. № 5. С.513−522.
  130. Shindo D., Hiraga К. High-Resolution Electron Microscopy for Materials Science // Springer. 1998. 190p.
  131. Huang J.Y., Yasuda H, Mori H. HRTEM and EELS studies on the amorphization of hexagonal boron nitride induced by ball milling // J. Am. Ceram. Soc. 2000. V.83. N2. P.403−409.
  132. Lin S.-h., Brown I.M., Feldman B.J. Electron spin resonance in microcrystalline cubic boron nitride/amorphous hydrogenated boron nitride mixed phase thin films // Solid State Commun. 1995. V.96. N6. P.421−425.
  133. Ichiki Т., Amagi S., Yoshida T. Initial stage of cubic boron nitride film growth from vapor phase // J. Appl. Phys. 1996. V.79. N8. P.4381−4387.
  134. Konyashin I., Inkson В., Bill J., Aldinger F., Khvostov V., Bregadze A. Deposition of cubic boron nitride in hydrogen plasma // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1998. V4. N4. P. 125−129.
  135. Medlin D.L., Friedmann T.A., Mirkarimi P.B., Rez P., Mills M.J., McCarty K.F. Microstructure of cubic boron nitride thin films grown by ion-assisted pulsed laser deposition//J. Appl. Phys. 1994. V.76. N1. P.295−303.
  136. Rother В., Weissmantel C., Leonhardt G. X-ray photoelectron spectroscopy at ion-plated boron nitride // phys. stat. sol. (a). 1987. V.100. P.553−557.
  137. Okamoato M., Yokoyama H., Osaka Y. Formation of cubic boron nitride film on Si with boron buffer layers // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V.29. N.5. P.930−933.
  138. Montero I., Galan L., Osorio S.P., Martinez-Duart J.M., Perriere J. Structural properties of BN thin films obtained by plasma -enchanced chemical vapour deposition // Surf. Interface Analysis. 1994. V.21. P.809−813.
  139. Nonogaki R, Yamada S., Wada T. Preparation of boron nitride films by multi-source plasma CVD method//Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 1997. V. B121. P.121−124.
  140. Watanabe M.O., Itoh S., Mizushima K. Bonding characterization of BC2N thin films // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. N21. P.2962−2964.
  141. Kawaguchi M., Kawashima Т., Nakajima T. Syntheses and Structures of new graphite-like materials of composition BCN (H) and BC3N (H) // Chem Mater. 1996. V.8. P.1197−1201.
  142. Moijan I., Conde O., Oliveira M., Vasiliu F. Structural characterization of CxByNz (x=0.1 to x=0.2) layers obtained by laser-driven synthesis // Thin Solid Films. 1999. V.340. P.95−105.
  143. Demin V.N., Asanov I.P., Akkerman Z.L. Chemical vapor deposition of pyrolytic boron nitride from borazone // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N1. P.94−98.
  144. Arya S.P.S., D’Amico A. Preparation, properties and application of boron nitride thin films // Thin Solid Films. 1988. V.157. N2. P.267−282.
  145. Dana S.S. The properties of low pressure chemical vapor deposited boron nitride thin films//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.229−260.
  146. Nakamura K. Preparation of boron nitride thin films by chemical vapor deposition. // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 111−140.
  147. Paine R.T., Narula C.K., Synthetic routes to boron nitride. Chem. Rev. 1990. V.90. P.73−91.
  148. Yarbrough W.A. Current research problems and opportunities in the vapor phase synthesis of diamond and cubic boron nitride // 1991. J.Vac.Sci.Technol. V. A9. N3. P. l 145−1152.
  149. Vel L., Demazeau G., Etourneau J. Cubic boron nitride: synthesis, physicochemical properties and applications//Mater. Sci. Engin. 1991. V. B10. P. 149−164.
  150. Yoshida T. Vapour phase deposition of cubic boron nitride // Diamond Relat Mater. 1996. V.5. P.501−507.
  151. Bewilogua R. Preparation and characterization of cubic boron nitride and carbon nitride films // Science. 1996. N280. P.213−218.
  152. Kulisch W., Reinke S. Modeling of c-BN thin film deposition // Diamond Relat. Mater. 1997. V.7. N2. P. 105−138.
  153. Sano M., Aoki M. Chemical vapour deposition of thin films of BN onto fused silica and sapphire // Thin Solid Films. 1981. V.83. P.247−251.
  154. Takahashi T., Itoh H., Kuroda M. Structure and properties of CVD-BN thick film prepared on carbon steel substrate // J. Cryst. Growth. 1981. V.53. P.418−422.
  155. Motojima S., Tamura Y., Sugiama K. Low temperature deposition of hexagonal BN films by chemical vapour deposition // Thin solid films. 1982. V.88. P.269−274.
  156. Matsuda T., Uno N, Nakae H., Hirai T. Synthesis and structure of chemical vapour-deposited boron nitride // J. Mater. Sci. 1986. V.21. P.649−658.
  157. Matsuda T., Nakae H., Hirai T. Density and deposition rate of chemical-vapour-deposition boron nitride////J. Mater. Sci. 1988. V.23. P.509−514.
  158. Matsuda T. Stability to moisture for chemically vapour-deposited boron nitride I III J. Mater. Sci. 1989. V.24. P.2353−2358.
  159. Sugiama K., Itoh H. Chemical vapor deposition of turbostratic and hexagonal boron nitride//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.141−152.
  160. Patibandla N., Lithra K. Chemical vapor deposition of boron nitride // J. Electrochem Soc. 1992. V.139. N.12. P.3558−3565.
  161. Sugino N., Kawasaki S., Tanioka K., Shirafuji J. Electron emission characteristics of boron nitride films synthesized by plasma -assisted chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V. B16. N3. P. 1211−1214.
  162. Sugino N., Tanioka K., Kawasaki S., Shirafuji J. Electron emission from nanocrystalline boron nitride films synthesized by plasma -assisted chemical vapor deposition//DiamondRelat. Mater. 1998. V.7. P.632−635.
  163. Matsumoto S., Nishida N., Akashi K., Sugai K. Preparation of BN films by r.f. thermal plasma chemical vapor deposition // J. Mater. Sci. 1996. V.31. N3. P.713−720.
  164. Schaffnit C., Thomas L., Rossi F., Hugon R. Pauleau Y. Plasma assisted chemical vapour deposition of BN coatings: effect of the experimental parameters on the structure ofthe films// Surf. Coat. Tech. 1996. V.87/88. N1−1. P.402−208.
  165. Choi B.-j. Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride films in the reduced pressure // Mater. Sci. Bull. 1999. V.34. N14/15. P.2215−2220.
  166. Rand M.J., Roberts J.F. Preparation and properties of thin film boron nitride // J. Electrochem. Soc. 1968. V.115. N4. P.423−429.
  167. Karnezos M. Boron-Nitrigen-Hydrogen thin films // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.261−276.
  168. Hirayama M., Shohno K. CVD-BN for boron diffusion in Si and its application to Si devices//J. Electrochem. Soc. 1975. V.122. N12. P. 1671−1676.
  169. Murarka S.P., Chang C.C., Wang D.N.K., Smith T.E. Effect of growth parameters on the CVD of boron nitride and phosphorus-doped boron nitride // J. Electrochem. Soc. 1979. V. 126. N11. P. 1951−1957.
  170. Adams A.C., Capio C.D. The chemical deposition of boron-nitrogen films //J. Electrochem. Soc. 1980. V.127. N2. P.399−405.
  171. Hyber S.B., Yep T.O. Structure and properties of boron nitride films grown by high temperature reactive plasma deposition // J. Electrochem. Soc. 1976. V.123. N11. P. 1721−1724.
  172. Miyamoto H., Hirose M., Osaka Y. Structural and electronic characterization of discharge-produced boron nitride //Jpn. J.Appl. Phys. 1983. V.22. N4. P. L216-L218.
  173. Yuzurina T.H., Hess D.W. Structural and optical properties of plasma-deposited boron nitride films // Thin Solid Films. 1986. V. 140. P. 199−207.
  174. Andujar J.L., Pascual E., Aguiar R, Bertran E., Bosch A., Fernandez J.L., Gimeno S., Lousa A., Varela M. Optical and structural characterization of boron nitride thin films // Diamond Relat. Mater. 1995. V.4. P.657−660.
  175. Zedlitz R., Heintze M., Schubert M.B. Properties of amorphous boron nitride thin films // J. Non-Cryst. Solid. 1996. V. 198−200. P.403−406.
  176. Polo M.C., elMekki M.B., Andujar J.L., Mestres N., Pascual J. Optical study of boron nitride thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P. 1550−1554.
  177. Dekempeneer E.H.A., Meneve J., Kuypers S., Smeets J. Microstructure and mechanical properties of a-Bl-xNx:H films prepared by r.f. PACVD // Surf. Coat. Technol. 1995. V.74/75. P.399−404.
  178. Carreno M.N.P., Bottecchia J.P., Pereyra I. Low temperature plasma enhanced chemical vapour deposition boron nitride // Thin Solid Films. 1997. V.308/309. P.219−222.
  179. Nakamura K. Preparation and properties of amorphous boron nitride films by molecular flow chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc. 1985.V. 132. N7. P. 1757−1762.
  180. Nakamura K. Preparation and properties of boron nitride films by metal organic chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc. 1986. V.133. N6. P. 1120−1123.
  181. Maya L. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of boron nitride using polimeric cyanoborane as source // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. V.75. N7. P. 1985−1987.
  182. Veprek S. Plasma-induced and plasma-assisted chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1985. V.130. P. 135−154.
  183. Lugovsky G., Tsu D.Y., Kim S.S., Markunas R.J., Fountain G.G. Formation of thin film dielectrics by remote plasma-enchanced chemical vapor deposition (remote PECVD) //Appl.Surf.Sci. 1989. V.39. P.33−56.
  184. Alexandrov S.E., Remote PECVD: a route to controllable plasma deposition // J.Phys.1. Coll.CS. 1995. V.5. P. C5−567-C5−582.
  185. McDaniel A.H., Allendorf M.D. The reactions of BC13 and NH3 relevant to the CVD of boron nitride //Electrochem. Soc. Procced. 1997. V.97−25. P.40−48.
  186. Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y. Function of substrate bias potential for formation of cubic boron nitride films in plasma CVD technique // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. N9, P. L1435-L1436.
  187. Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y., Fujisawa M. Reflectance spectra of BN materials in the vacuum ultraviolet // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. N3. P.440−441.
  188. Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y. Properties of BN thin films deposited by plasma CVD // Appl. Surf. Sci. 1988. V.33/34. P.561−566.
  189. Osaka Y., Chayahara A., Yokoyama H., Okamoto M., Hamada T., Imura T., Fijisawa M Characterization of BN thin films deposited by plasma CVD // Mater. Sci. Forum 1990. V.54/55. P.277−294.
  190. Zhang X., Yue J., Chen G., Yan H. Study on stress and strain of cubic boron nitride thin films // Thin Solid Films. 1998. V.315. P.202−206.
  191. Zhang X., Yue J., Chen G., Yan H., Liu W. Stress analysis in cubic boron niride films by X-ray diffraction using sin2i|/ method // Acta Phys. Sinica. 1998. V.7. N1. P.61−67.
  192. Ma X., Yang J., He D., Chen G. Temperature effect on growth of boron nitride thin films by a hot filament assisted rf plasma chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1998. V.322. P.37−40.
  193. Komatsu S., Moriyoshi Y., Kasamatsu M., Yamada K. High-pressure phases of boron nitride grown by laser-assisted plasma chemical vapor deposition from BCl3+NH3+H2+Ar //J. Appl. Phys. 1991. V.70. N11. P.7078−7084.
  194. Konyashin I., Aldinger F., Babaev V., Khvostov V., Guseva M. et al. The mechanism of cubic boron nitride deposition in hydrogen plasmas // Thin Solid Films. 1999.1. V.355/356. P.96−104.
  195. Shapoval S.Y., Petrashov V.N., Popov O.A., Westner A.O., Yoder M.D., Lok CK.C. Cubic boron nitride films deposited by electron cyclotron resonance plasma // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. N18. P.1885−1886.
  196. Okamoto M., Utsumi Y., Osaka Y. Formation and properties of cubic boron nitride films on tungsten carbide by chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V.31. P. 3455−3460.
  197. Ichiki Т., Yoshida T. Preparation of cubic boron nitride films by low pressure inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. N7. P.851−853.
  198. Ichiki Т., Momose Т., Yoshida T. Effects of the substrate bias on the formation of cubic boron nitride by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 1994. V.75. N3. P. 1330−1334.
  199. В.В., Григорьев В. А., Багрянцев Г. И. Боразин исходное вещество для получения нитрида бора // Методы получения, свойства и применение нитридов / Под ред. Самсонова Г. В. Киев. 1972. С.79−85.
  200. В.В., Багрянцев Г. И., Мякишев К. Г. Синтез боразина реакцией борогидрида натрия с хлористым аммонием // ЖНХ. 1970. Т. 15. № 11. С.2902−2906.
  201. В.В., Пухов А. А., Мякишев К. Г. Получение боразина реакцией тетрагидробората натрия с хлоридом аммония после предварительной механической активации реакционной смеси // Изв. СОАН СССР. Сер. Хим. наук. 1983. Т.7. № 3. С. 116−123.
  202. Hough W.V., Schaeffer G.W., Dzurus М., Stewart А. С The preparation, identification and characterization of N-trialkylborazoles // J. Am. Chem. Soc. 1955. V.77. N4. P. 864−86.
  203. Stock A., Pohland E. Borwasserstoffe, IX.): B3N3H6 // Ber. Deut. Chem. Ges. 1926. V.59. N9. P.2215−2223.
  204. Laubengayer A.W., Moews P.C., Jr., and Porter R.F. The condensation of borazine to polycyclic boron-nitrogen frameworks by pyrolytic dehydrogenation // J. Am. Chem. Soc. 1961. V.83.N6. P. 1337−1342.
  205. Adams A.C. Characterization of films formed by pyrolysis of borazine // J. Electrochem. Soc. 1981. V.128. N6. P. 1378−1379.
  206. King P.L., Pan L., Pianetta P., Shimkunas A., Mauger P., Seligson D. Radiation damage in boron nitride X-ray lithography masks // J. Vac. Sci. Technol. V. B6. N1. P. 162−166.
  207. Kouvetakis J., Patel V.V., Miller C.W., Beach D.B. Composition and structure of boron nitride films deposited by chemical vapor deposition from borazine // J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. A8. N6. P.3929−3933.
  208. B.H., Басов А. И., Аккерман З. Л. Газофазное осаждение пиролитического нитрида бора пиролизом боразина // Неорган, матер. 1998. Т.34. № 8. С.986−989.
  209. Mokhtari М&bdquo- Park H.S., Roesky H.W., Johnson S.E., Boise W» Conrad J.5 Plass W. Processing of blue boron nitride thin filmswith a solid gas reaction // Chem. Eur. J. 1996. V.2. N10. P. 1269−1274.
  210. Rye R.R. Hot filament activated chemical vapor deposition of boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. A9. N3. P. 1099−1103.
  211. M.B., Агеев В. П., Конов В. И. Химическое осаждение пленок нитрида бора из газовой фазы, стимулированное импульсами УФ излучения эксимерного KrF —лазера//Квантоваяэлектроника. 1995. Т.22. № 7. С.706−710.
  212. В.П., Конов В. И., Угаров М. В. Лазерное осаждение пленок нитрида бора из боразин-аммиачных газовых смесей // Изв. АН. Сер. Физич. 1997. Т.61. № 8. С. 1596−1605.
  213. Ugarov M.V., Ageev V.P., Karabutov A.V., Loubnin E.N., Pimenov S.M., Bensaoula A. Laser-induced modification of electron field emission from nanocrystalline diamond films // J. Appl. Phys. 1999. V.85. N12. P.8436−8440.
  214. A.A., Пухов A.A., Вишняков Б. А., Сулимин А. Д., Ищенко А. П. Свойства пленок нитрида бора, полученных разложением боразина в ВЧ-плазме // Физ. хим. обраб. матер. 1981. № 2. С.85−88.
  215. Shanfield S., Wolfson R. Ion beam synthesis of cubic boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. A1. P.323−325.
  216. Halverson W., Quinto D.T., Effect of charge neutralization on ion-beam-deposited boron nitride films//J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. A3. N6. P.2141−2146.
  217. Nguyen S.V., Nguyen Т., Treichel H., Spindler O. Plasma-assisted chemical vapor deposition and characterization of boron nitride films // J.Electrochem.Soc. 1994. У.141. N6. P. 1633−1638.
  218. В.И., Смирнова Т. П., Соловьев А. П., Яшкин И. Л., Храмова Л. В., Мараховка И.И Плазмохимические методы получения нитридов кремния и бора на антимониде индия//Микроэлектроника. 1986. Т.15. № 2. С.146−149.
  219. Т.П., Яшкин И. Л., Храмова Л. В., Кичай В. Н., Бакланов П. Ю. Получение слоев нитрида бора из боразола // Неорган. Матер. 1991. Т.27. № 9. С. 1826−1831.
  220. Т.П., Храмова Л. В., Яшкин И. Л., Бакланов П. Ю., Кичай В. Н., Сысоева Н. П. Получение слоев нитрида бора при непрямой высокочастотной активации боразола//Неорган, матер. 1992. Т.28. № 7. С. 1414−1419.
  221. Smirnova Т.Р., Jakovkina L.V., Jashkin I.L., Sysoeva N.P., Amosov Ju.I. Boron nitride films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapour deposition from borazine (B3N3H6) // Thin Solid Films. 1994. V.237. P.32−37.
  222. Т.П., Terauchi M., Sato F., Shibata K., Tanaka M. Структура пленок нитрида бора, полученных методом газофазного химического осаждения из боразина в режиме удаленной плазмы // Химия в интересах устойчивого развития. 2000. Т.8. № 1−2. С.275−279.
  223. В.А., Серебренников Г. П., Амосов Ю. И., Чернов А. А. Синтез упрочняющих покрытий на основе кубического нитрида бора в послесвечении СВЧ-разряда//Неорган, матер. 1995. Т.31. № 8. С.1065−1071.
  224. Kim S.-H., Kim I.-H., Kim K.-S. Preparation of cubic boron nitride thin film by the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett., 1996. V.69. N26. P.4023−4025.
  225. Kim I.-H., Kim K.-S., Kim S.-H., Lee S.-R. Synthesis of cubic boron nitride films using a helicon wave plasma and reduction of compressive stress // Thin Solid Films. 1996. V.290−291. P.120−125.
  226. Kim I.-H., Kim S.-H., Kim K.-B. Delamination mechanism in relation to adhesion of cubic boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. V. A16. N4. P.2295−2299.
  227. Kim K.-B., Kim S.-H. Characterization of boron nitride film synthesized by helicon wave plasma-assisted chemical vapor deposition // Diamond Relat. Materials. 2000. V.9. P.67−72.
  228. Gorbatkin S.M., Burgie R.F., Oliver W.C., Barbour J.C., Mayer T.M., Thomas M.L. Boron nitride thin film deposition using electron cyclotron resonance microwave plasmas //J.Vac.Sci.Technol. V. A11. N4. P.1863−1869.
  229. Paisley M.J., Bourget L.P., Davis R.F. Boron nitride thin films by microwave ECR plasma chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1993. V.235. P.30−34.
  230. Г. Л., Вишняков Б. А., Савельев A.A., Сулимин А. Д. Модель роста нитридных пленок в ВЧ-разряде // Физ. хим. обработки материалов. 1982. № 5. С.39−42.
  231. Stolle R., Wahl G. Deposition of boron nitride films from BB’B' '-Trichloroborazine // J.Phys. IV. Coll. C5. 1995. V.5. P. C5−761-C5−768.
  232. Schmolla W., Hartnagel H.L. Amorphous BN films produced in a double-plasma reactor for semiconductor application // Solid State Electronics. 1983. V.26. N.10. 931−939.
  233. Phani A.R., Roy S., Rao V.J. Growth of boron nitride thin films by metal-organic chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1995. V.258. N½. P.21−25.
  234. Jorg A., Neuschutz D., Zimmermann E. Kinetics of chemical vapour deposition of boron nitride from a gas mixture of trimethylborazine, ammonia and hydrogen at 900 to 1050 °C and 1 Bar total pressure//J.Phys. IV. Coll. C5. 1995. V.5. P. C5−167-C5−174.
  235. Jorg A., Zimmermann E., Schierling M., Cremer R., Neuschutz D. Constitution and deposition mechanism of hexagonal boron nitride formed by CVD from Trimethylborazine//Electrochemical Society Proc. 1997. V.97−25. P.504−511.
  236. Kiel F., Cotarelo M., Delplancke M.P., Winand R. Comparison of the properties of BN films synthesized by inductively coupled r.f. and microwave plasmas // Thin Solid Films. 1995. V.270. P. 118−123.
  237. Kuhr M., Freudenstein R, Reinke S., Kulisch W., Dollinger G., Bergmaier A. Hydrogen incorporation during nucleation and growth of c-BN films // Diamond Relat. Materi. 1996. V.5. P.984−989.
  238. Freudenstein R., Reinke S., Kulisch W. Investigation of the nucleation layer in c-BN growth // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.584−588.
  239. Freudenstein R., Reinke S., Kulisch W. The influence of hydrogen on nucleation and growth of cubic boron nitride films // Surf. Coat. Technol. 1997. V.97. P.270−274.
  240. Devi G.S. Deposition of boron nitride using a III-V precursor 1,3,5-isopropylborazine // IndJ.Chem. 1994. V.33A. P168−169.
  241. А., Немыски Т., Аппенхеймер С., Олькусник Э. Кристаллическая структура в системе бор-углерод-азот // Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. Изд. «Наука и техника», Минск. 1972. 456с.
  242. Kouvetakis J., Sasaki Т., Shen С., Hagiwara R. et al., Novel aspects of graphite intercalation by fluorine and fluorides and new В /С, C/N and B/C/N materials based on the graphite network// Synthetic Metals. 1989. V.34. P. 1−7.
  243. Moore A.W., Strong S.L., Doll G.L., Dresselhaus M.S. et al. Properties and characterization of codeposited boron nitride and carbon materials // J.Appl. Phys. 1989. V.65.N12. P.5109−5117.
  244. Bessmann T.M. Chemical vapor deposition in the boron-carbon-nitrogen system // J. Am. Ceram. Soc. 1990. V.73. N8. P.2498−2501.
  245. Saugnas F., Teyssandier F., Marchand A. Characterization of C-B-N solid solutions deposited from a gaseous phase between 900° and 1050 °C // J Am. Ceram. Soc. 1992. V.75. N.l. P.161−169.
  246. Derre A., Filipozzi L., Bouyer F., Marchand A. Parametric study of the chemical vapour depositin of carbon-boron-nitrogen compounds // J. Mater. Soc. 1994. V.29. P. 1589−1594.
  247. Filipozzi L., Piraux L., Marchand A., Derre A., Adouard A., Kinany-Alaoui M. Unusual behavior of the magnetoresistance of boron carbonitride films at low temperature //J. Mater. Res. 1997. V.12. N.7. P. 1711−1721.
  248. Kawaguchi M., Sugiyama A. Syntheses and Characterization of graphite-like material of composition BC6N2(H) //Mater. Sci. Res. Inter. 1997. V.3. N2. P.88−93.
  249. Kawaguchi M., Wakukawa Y. Synthesis of graphite-like material of composition BC6N by CVD at high temperature // Carbon. 1999. V.37. P. 147−163.
  250. Yu J., Wang E.G., Xu G. Synthesis and characterization of B-C-N on molybdenum // J. Mater. Res. 1999. V.14. N3. P. 1137−1141.
  251. Wang E.G. A new development in covalently bonded carbon nitride and related materials//Adv. Mater. 1999. V.ll. N13. P.1129−1133.
  252. Montasser K., Hattori S., Morita S. Transparent B-C-N thin films formed by plasma chemical vapour deposition//Thin SolidFilms. 1984. V.117. P.311−317.
  253. Montasser K., Hattori S., Morita S. Characterization of hard transparent B-C-N-H thin films formed by plasma chemical vapor deposition at room temperature // J. Appl. Phys. 1985. V.58. N8. P.3185−3189.
  254. Montasser R., Morita S., Hattori S. A promising boron-carbon-nitrogen thin film // Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.295−312.
  255. Yamada M., Nakaishi M., Sugishima K. Improvements of stress controllability and radiation resistance by adding carbon to boron-nitride // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. N7. P.2242−2246.
  256. Dekempeneer E.H.A., Meneve J., Kuypers S., Smeets J. Tribological properties of r.f. PACVD amorphous B-N-C coatings // Thin Solid Films. V.281/282. P.331−333.
  257. Hegemann D., Riedel R., DreBler W., Oehr C., Schindler B., Brunner H. Boron carbonitride thin films by PACVD of single-source precursors // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1997. V.3. N5. P.257−262.
  258. Bath A., van der Put P. J., Lepley B. Study of boron nitride gate insulators grown by low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition on InP // Appl. Surf. Sci. 1989. V.39. P. 135−140.
  259. Bath A., van der Put P.J., Becht J.G.M., Schooman J., Lepley B. Plasma enhanced chemical vapor deposition and characterization of boron nitride gate insulators on InP // J. Appl. Phys. 1991. V.70. N.8. P.4366−4370.
  260. Bath A., Baehr O., Barrada M., Lepley B., van der Put P.J., Schoonman J. Plasma enhanced chemical vapour deposition of boron nitride onto InP // Thin Solid Films. 1994. V.241. P.278−281.
  261. Konyashin I., Loeffler J., Bill J., Aldinger F. PACVD nano-crystalline B-C-N thin films obtained by use of a organoboron precursor // Abstr. book. 7th Eur. Conf. on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Tours. France. 1996. P.8.104.
  262. Loeffler J., Konyashin I., Bill J., Uhlig H., Aldinger F. PACVD nano-crystalline B-C-N thin films obtained by use of an organoboron precursor // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.608−611.
  263. Loeffler J., Konyashin I., Bill J., Aldinger F. A novel approach to deposition of cubic boron nitride coatings // Thin Solid Films. 1997. V.308/309. P. 101−106.
  264. Baehr O., Thevenin P., Bath A., Koukab A., Losson E., Lepley B. Preparation of boron nitride thin films by microwave plasma enhanced CVD, for semiconductor applications//Mater. Sci. Engin. 1997. V. B46. P. 101−104.
  265. Boudiombo J., Baehr O., Boudrioua A., Thevenin P., Loulergue J.C., Bath A. Modes of propagating light waves in thin films of boron nitride deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition // Mater. Sci. Engin. 1997. V. B46. P.96−98.
  266. Abdellaoui A., Bath A., Bouchikhi В., Baehr O. Structure and optical properties of boron nitride thin films prepared by PECVD // Mater. Sci. Engin. 1997. V. B47. P.257−262.
  267. Phani A.R., Devi G.S., Roy S" Rao V.J. MOCVD growth of boron nitride films from single source III-V precursor // J. Chem Soc., Chem Commun. 1993. N8. P.684−685.
  268. Levy R.A., Mastromatteo E., Grow J.M., Paturi V., Kuo W.P., Boeglin H.J., Shalvoy R, Low pressure chemical vapor deposition of B-N-C-H films from triethylamine borane complex//J. Mater. Res. 1995. V.10. N2. P.320−327.
  269. Levy R.A., Ravindranath C., Krasnoperov L.N., Opyrchal J., Ramas E.S. Porous vycor membranes modified by chemical vapor deposition of boron nitride for gas separation//J. Electrochem. Soc. 1997. V.144. N1. P.349−353.
  270. Boo J.-H., Rohr C" Ho W. MOCVD of BN and GaN thin films on silicon: new attempt of GaN growth with BN buffer layer // J. Cryst. Growth. 1998. V. 189/190. P.439−444.
  271. Rohr C., Boo J.-H., Ho W. The growth of hexagonal boron nitride thin films on silicon using single source precursor // Thin Solid Films. 1998. V.322. P.9−13.
  272. Boo J.-H., Rohr С., Ho W. Growth of boron nitride thin films on silicon substrates using new organoboron precursors//phys. stat. sol. (a) 1999. V.176. P.705−710.
  273. Kawaguchi M., Nozaki K., Kita Y., Doi M. Photoluminescence characteristics of BN (C, H) prepared by chemical vapour deposition. // J. Mater. Sci. 1991. V.26. P.3926−3940.
  274. Yokoshima S., Goto Т., Hirai T. Dielectric properties of BN-C thick films prepared by chemical vapor deposition. // Proceed. 28th Symposium on the Basic Science of Ceramics, Fukuoka, Japan. 1990. P. 116.
  275. Maya L. Semiconducting amorphous film containing carbon, nitrogen and boron. // J. Electrochem. Soc. 1988. V.135. N5. P.1278−1281.
  276. Maya L. Aminoborane polymers as precursors of C-N-B ceramic materials. // J. Am. Ceram. Soc. 1988. V.71. P. 1104−1109.
  277. К.Г., Горбачева И. И., Волков B.B., Ястребов С. И. Механохимический способ синтеза гидразин-бис-борана и триметиламинборана // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1979. Т.7. № 3. С. 10−14.
  278. В.В., Мякишев К. Г., Трофимова Т. Н. Механохимический синтез и физико-химическое исследование диэтиламинборана // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1982. Т.7. № 3. С.45−50.
  279. К.Г. Механохимический синтез в химии гидридов бора // Диссертация на соис. учен, степени д.х.н. 1993.
  280. Konyashin I., Loeffler J., Bill J., Aldinger F. A novel approach to deposition of cubic boron nitride coatings // Thin solid films. 1997. V.308−309. P. 101−106.
  281. B.A., Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах // Новосибирск: ВО «Наука». 1993. 280с.
  282. З.Л., Храмова Л. В., Смирнова Т. П., Белый В. И. Физико-химическая модель дегидрирования слоев нитрида кремния // Неорган, матер. 1990. Т.26. № 5. С.988−992.
  283. З.Л., Храмова Л. В., Смирнова Т. П., Белый В. И. Применение физико-химической модели для анализа кинетики дегидрирования слоев нитрида кремния // Неорган, матер. 1990. Т.26. № 5. С.993−995.
  284. Smirnova Т.Р., Yakovkina L. V. The mechanism of dehydrogenation of SiNx: H films // Thin solid films. 1997. V.293. P.6−10.
  285. Akkerman Z.L., Efstathiadis H., Smith F.W. Thermal stability of diamondlike carbon films//J. Appl. Phys. 1996. V.80. P.3068−3075.
  286. Basa D.K., Smith F.W. Annealing and crystallization processes in a hydrogenated amorphous Si С alloy film // Thin solid films. 1990. V. 192. P. 121−133.
  287. Dana S.S., Maldonado J.R. Low pressure chemical vapor deposition boro-hydro-nitride films and their use in x-ray masks // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. B4. N1. P.235−239.
  288. Johnson W.A., Levy R.A., Resnick D.J. et.al. Radiation damage effects in boron nitride mask membranes subjected to x-ray exposures // J. Vac. Sci. Technol. B. 1987. V.5. N1. P.257−261.
  289. Levy R.A., Resnick D.J., Frye R.C. et.al. An improved boron nitride technolody for synchrotron x-ray masks // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N1. P.154−161.
  290. А.В.Ржанов, КК. Свиташов, А. И. Семененко и др. // Основы эллипсометрии. Новосибирск. Наука. 1978. 424 с.
  291. Б.М.Аюпов, Е. Ф. Титова, Н. П. Сысоева. Программное обеспечение эллипсометрических измерений в системе пленка подложка // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1985. Вып. З (115). С. 126−129.
  292. В. Л. Электрический ток в газе. // М.: Наука. 1971. 235 С.
  293. В.Д., Фридман А. А. Физика химически активной плазмы. // М.: Наука. 1984.
  294. Sugiyama К., Itoh H. Chemical vapor deposition of turbostratic and hexagonal boron nitride//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 141−152.
  295. Crawford B.L., Edsall J.T. Infra-red and raman spectra of polyatomic molecules. VI. Triborinetriamine, B3N3H6. //J. Chem. Phys. 1939. V.7. P.223−226.
  296. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. // Под. ред. Глушко В. П., Гурвич Л. В. и др. М.: «Наука», 1978. Т.1. Книга 2.
  297. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol Р.Е., Bomben K.D., ed. by Chastain J. // Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Perkin-Elmer, Eden Prairie, Minnesota. 1992.
  298. R’Mili M., Massardier V., Merle P., Vincent H, Vincent C. The effect of thermal exposure on the strength distribution of B4C coated carbon fiber. // Carbon. 1999. V.37. P. 129−145.
  299. Saugnac F., Teyssandier F., Marchand A. Characterization of C-B-N solid solutions deposited from a gaseous phase between 900° and 1050 °C. // J. Am. Ceram. Soc. 1992. V.75. P. 161−169.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?