Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур

Диссертация: Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получена математическая модель многофункционального устройства на основе фоторезистора, обеспечивающего операцию прямого аналогового перемножения электрических и оптических сигналов (смесителя). Созданы математические модели управления электрическими сигналами с помощью оптических сигналов и новые устройства на основе фоторезистора для спектрального анализа модулированных по интенсивности… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Оптические способы повышения скорости обработки информации
    • 1. 2. Функциональная оптоэлектроника. Возможные пути повышения скорости обработки информации в рамках функциональной оптоэлектроники
    • 1. 3. Функциональные возможности фоторезисторных структур и их использование в оптоэлектронике
    • 1. 4. Методы исследования параметров кинетики рекомбинации носителей заряда в фоторезисторных структурах
    • 1. 5. Современные механизмы поляризационной электролюминесценции и оптической памяти
    • 1. 6. Термоактивационные и емкостные методы исследования центров захвата в широкозонных полупроводниках
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ СИММЕТРИЧНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
    • 2. 1. Установки для исследований оптических и электрических свойств фоточувствительных структур
    • 2. 2. Методы изготовления планарных щелевых структур
    • 2. 3. Особенноститехнологий изготовления фоточувствительных структур и структур с оптической памятью
    • 2. 4. Метод термостимулированной емкости для исследований щелевых планарных структур на основе порошковых люминофоров
    • 2. 5. Методика исследования спектрального состава фототока фоторезисторной структуры с помощью переменного напряжения
    • 2. 6. Метод разделения сложных спектров
    • 2. 7. Методика определение кинетических параметров полупроводников по измерению среднего значения фототока
  • ГЛАВА 3. ПОЛУПРОВОДНИК ПРИ ПЕРИОДИЧЕСКОМ ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ
    • 3. 1. Математические модели поведения среднего значения фототока при различных видах периодического возбуждения
  • Метод определения закона рекомбинации
    • 3. 2. Экспериментальные исследования зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции светового потока
    • 3. 3. Чувствительность фоторезисторной структуры при периодическом возбуждении
  • ГЛАВА 4. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТОРА ПРИ НЕСТАЦИОНАРНОМ ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ И ПИТАНИИ
    • 4. 1. Аналоговый перемножитель (смеситель) оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора
    • 4. 2. Амплитудный и балансный модулятор (смеситель) сигналов на основе фоторезистора
    • 4. 3. Анализатор спектра модулированных по интенсивности оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора питаемого переменным напряжением
    • 4. 4. Синхронный.детектор модулированных сигналов на основе фоторезистора питаемого переменным напряжением
    • 4. 5. Гетеродинный прием и детектирование оптических сигналов модулированных по оптической частоте фоторезистором с переменным смещением
  • ГЛАВЫ 5. ВЛИЯНИЕ КИНЕТИКИ И ИНЖЕКЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ НА КОЭФФИЦИЕНТ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ
    • 5. 1. Влияние кинетики межзонной рекомбинации на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора
    • 5. 2. Влияние инжекционных явлений на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора
    • 5. 3. Расчет влияния схемы измерения на коэффициент нелинейных искажений
    • 5. 4. Влияние уровней в запрещенной зоне на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора
  • ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ЩЕЛЕВЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРОШКОВЫХ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ и их
  • ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА
    • 6. 1. Выбор технологии процесса изготовления порошковых электролюминесцентных структур
    • 6. 2. Исследование процессов скорости генерации свободных носителей электрическим полем. Математическая модель скорости генерации
    • 6. 3. Исследование и моделирование кинетики свечения электролюминесцентного конденсатора при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами напряжения
    • 6. 4. О причинах различия энергии вспышек свечения при включении и выключении импульсов напряжения
    • 6. 5. Математическая модель емкостных свойств планарных электролюминесцентных конденсаторов. Метод термостимулированной емкости
    • 6. 6. Исследование центров захвата порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости
    • 6. 7. Оптическая память на основе планарных щелевых структур
  • ГЛАВА 7. МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ СИММЕТРИЧНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
    • 7. 1. Амплитудные модуляторы на основе фоторезисторных структур
  • Передатчик с амплитудной модуляцией
    • 7. 2. Анализаторы спектра электрических сигналов и модулированных по интенсивности оптических сигналов на основе фоторезисторного оптрона
    • 7. 3. Фазовые модуляторы электрических сигналов на основе резисторного оптрона
    • 7. 4. Аналоговый перемножитель оптических сигналов на основе фоторезистора и фотодиода. Синхронный детектор модулированных по интенсивности оптических сигналов

Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Устройства фотоники и оптоэлектроники характеризуются широкими функциональными свойствами и применяются во всех звеньях систем обработки информации. Одна из основных задач, решаемая оптоэлектроникой и фотоникой, связана с передачей информации с использованием фотонов [1, 2]. Повышение скорости передачи информации в системах связи и быстродействия вычислительных систем являются актуальной задачей. В настоящее время развиваются два направления решения этой задачи. Первое связано с интеграцией электронных и оптических систем на одной кремневой подложке. При этом необходимо изготовить на основе кремния светодиоды, световоды, модуляторы и приёмники излучения. О решении этих задач и изготовлении опытных образцов в 2008 г. сообщила компания Intel [5]. Второе направление связано с интеграцией не только числа элементов, но и числа функций, выполняемых микроэлектронным прибором [3, 4, 6]. Идея использования физических принципов интеграции нескольких функций в одном приборе возникла в конце 70-х г. Пионерские работы в этой области принадлежат Гуляеву Ю. В, Стафееву В. И., Пустовойту В. И., Носову Ю. Р. и другим отечественным ученым. Это направление в оптоэлектронике получило название функциональная оптоэлектроника [6]. Мы полагаем, что дальнейшее увеличение быстродействия оптоэлектронных систем может быть получено за счет совмещения (интеграции) функций приёма оптических сигналов и их обработки в фотоприемнике с помощью электрических сигналов, а также совмещение функций приёма оптических сигналов и управление электрическими сигналами с помощью оптических сигналов. Это позволит реализовать возможность создания подлинно функциональных оптоэлектронных приборов и вынести практически полностью электронику на периферию, обеспечивая с помощью неё только процессы усиления и фильтрации сигналов [4]. Для совмещения функций приёма и обработки оптических сигналов фотоприемник должен выполнять операцию прямого аналогового перемножения оптических сигналов на электрические сигналы. Операция умножения является основной для обработки сигналов в системах передачи и приема информации по оптическим и электронным каналам связи и осуществляется опосредованно, путем возведения в квадрат суммы двух сигналов [1, 28, 38]. Создание фотонного аналога транзистора, который реализует прямое аналоговое перемножение электрических сигналов на оптические сигналы, обеспечит физические принципы интеграции оптики и электроники.

Для решения задач приема и хранения оптической информации необходимо также устройство, которое обеспечивает совмещение нескольких функций в одном приборе, что позволит сократить время обработки оптического сигнала.

В связи с этим в работе выделены два направления в исследованиях. Первое направление связано с исследованием функциональных свойств фоточувствительных структур, обеспечивающих управление электрическими сигналами с помощью оптических сигналов, а также совмещение операций приема и обработки оптических сигналов. Это направление включает исследование неравновесных фотоэлектрических процессов в полупроводниках при нестационарном питании, операции перемножения оптических и электрических сигналов фоторезистивными структурами, изучение влияния кинетики на нелинейные искажения при регистрации фоторезистором модулированных оптических сигналов. Объём исследований и знаний о таких процессах пока очень мал или отсутствует. Второе направление связано с исследованием физических процессов в фоторезистивных структурах, которые выполняют функции источника излучения, а также приёма и хранения информации в виде оптического сигнала. К таким структурам относятся пленочные и электролюминесцентные конденсаторы (ЭЛК). Такие ЭЛК представляют собой симметричные структуры металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл (МДПДМ). Эти устройства обладают эффектом оптической памяти. В настоящее время отсутствие качественной технологии изготовления порошковых ЭЛК не позволяет совершенствовать эти устройства. Отсутствуют дублирующие методы определения параметров зонной схемы порошковых полупроводниковых материалов, на основе которых изготавливаются данные устройства.

Объектом исследования в первом направлении нами выбраны фоторезисторные симметричные структуры типа п+ -п-п+. Объектом исследования, во втором случае, являлись электролюминесцентные конденсаторы на основе порошковых люминофоров.

Предметом исследования являлись оптические методы передачи и обработки информации, фотоэлектрические явления, люминесценция.

Особенностью данной работы является сочетания физических методов решения поставленных задач, математического моделирования, технических и технологических решений, обеспечивающих реализацию физических идей.

Цель работы: Исследование неравновесных фотоэлектрических процессов в полупроводниках, функциональных свойств симметричных фоторезисторных структур для создания на их основе многофункциональных элементов для оптоэлектроники.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:

— разработать новые экспериментально-аналитические методы исследования параметров кинетики фотопроводимостиисследовать особенности прохождения тока через фоторезисторные структуры при нестационарном освещении и питании;

— исследовать функциональные свойства фоторезисторных структур при нестационарном возбуждении и питании;

— исследовать влияние кинетики фотопроводимости и инжекционных явлений на нелинейные искажения, вносимые фоторезистором в регистрируемый оптический сигнал;

— разработать новую конструкцию и технологию изготовления ЭЛК, обеспечивающего высокую точность и повторяемость результатов и обладающих эффектом памяти;

— разработать новые методы контроля глубины залегания примесных уровней, определяющих эффективность процессов электролюминесценции и оптической памяти;

— изучить физические механизмы процессов электролюминесценции и оптической памяти в щелевых планарных структурах.

Научная новизна полученных результатов и выводов.

Научная новизна работы состоит в том, что впервые:

1. Предложены, разработаны и практически реализованы новые, нестандартные способы измерения параметров кинетики фотопроводимости, зонной структуры широкозонных полупроводников, методик расчета и методы исследования в области люминесценции:

— метод определения кинетических параметров фотопроводимости по зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции возбуждающего излучения,.

— способ Фурье анализа кинетики фотопроводимости с помощью переменного напряжения, приложенного к фоторезистору,.

— экспериментальный способ разделения сложных спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, фотопроводимости на элементарные полосы,.

— метод нахождения среднего значения от решения дифференциального уравнения первого порядка с правой периодической частью,.

— экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной ёмкости,.

— предложен экспериментальный способ Фурье-анализа модулированных по интенсивности оптических сигналов с помощью фоторезистора.

2. Установлено, что среднее значение концентрации свободных носителей при периодическом освещении полупроводника, зависит от частоты модуляции возбуждающего излучения. Показано, что это возможно в случае различных скоростей процессов нарастания и затухания фотопроводимости.

3. Получена математическая модель многофункционального устройства на основе фоторезистора, обеспечивающего операцию прямого аналогового перемножения электрических и оптических сигналов (смесителя). Созданы математические модели управления электрическими сигналами с помощью оптических сигналов и новые устройства на основе фоторезистора для спектрального анализа модулированных по интенсивности оптических сигналов. Разработаны устройства амплитудной, фазовой модуляции электрических сигналов с низкими коэффициентами нелинейных искажений, синхронных детекторов модулированных оптических сигналов.

4. Предложен способ совмещения гетеродинного приёма и детектирования оптических сигналов, модулированных по оптической частоте или фазе с помощью фоторезистора.

5. Проведен анализ влияния кинетики фотопроводимости, инжекционных свойств контактов на нелинейные искажения, вносимые фоторезистором в регистрируемый оптический сигнал.

6. Создана новая конструкция и технология изготовления планарных порошковых ЭЛК, совместимая с современными технологиями полупроводниковой электроники. Установлена теоретически и экспериментально проверена математическая модель скорости ионизации полем центров свечения в ЭЛК.

7. Экспериментально обнаружено методом термостимулированной ёмкости (ТСЕ) явление переселения носителей заряда в люминофоре ZnS-In через примесные уровни без выхода их в зону проводимости.

8. Обнаружено в разработанных электролюминесцентных конденсаторах явление оптической памяти. Предложено новое многофункциональное оптоэлектронное устройство, обеспечивающее совмещений функций излучения, приема оптических сигналов и их запоминания.

Практическая ценность результатов Результаты теоретического анализа и проведенных экспериментальных исследований фотоэлектрических явлений в полупроводнике при динамическом возбуждении расширяют существующие представления о* физических процессах поглощения света в полупроводнике и функциональных свойствах фоторезистивных структур. В процессе работы получены следующие практические результаты:

1. Разработаны новые методики для исследования кинетики фотопроводимостиразделения сложных спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, фотопроводимости на элементарные полосы. Получен новый способ*Фурье-анализа кинетики фотопроводимости.

2. Предложен фотонный аналог транзистора на основе фоторезистора, обеспечивающий прямое аналоговое перемножение оптических и электрических сигналов. Разработаны и защищены патентами новые конструкции передатчиков, модуляторов, анализаторов спектра электрических сигналов, обеспечивающие значительное упрощение конструкции и имеющие более низкий коэффициент нелинейных искажений по сравнению с аналогами.

3. Предложен новый способ гетеродинного приема оптических сигналов модулированных по оптической частоте с помощью фоторезистора, обеспечивающий совмещение гетеродинного приема с синхронным детектированием оптических сигналов.

4. Предложена новая конструкция и технология изготовления электролюминесцентного источника света и оптической памяти.

5. Создана новая экспериментальная методика определения глубины центров захвата в люминофорах с рекомбинационным типом свечения. Определена зонная схема люминофора ZnS-In.

Практические результаты работы составили основу одного авторского свидетельства на изобретение, 5 патентов на изобретения и полезные модели.

Основные положения и результаты, выносимые автором на защиту:

1. Экспериментальный метод определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока.

2. Экспериментальные исследования и математические модели функциональных свойств фоторезистора, обеспечивающего совмещение функций приёма и обработки оптических сигналов. Аналоговый прямой перемножитель оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора. Математические модели и экспериментальные исследования устройств, выполненных на основе фоторезистора: синхронного детектора и анализатор спектра гармоник оптических сигналов модулированных по интенсивности, гетеродинного приёмника и детектора оптических сигналов модулированных по оптической несущей.

3. Фотонный аналог транзистора на базе резисторногооптрона. Математические модели и экспериментальные исследования амплитудных, балансных и фазовых модуляторов электрических сигналов, синхронных детекторов амплитудно, частотно и фазомодулированных электрических сигналов, анализатора спектра электрических сигналов, выполненных на основе фоторезистора. Математические модели и экспериментальные исследования нелинейных искажений, вносимых фоторезистором в регистрируемый сигнал.

4. Конструкция и технология изготовления щелевых планарных электролюминесцентных конденсаторов на основе порошковых люминофоров. Экспериментальные исследования и математические модели кинетики скорости генерации носителей и кинетики процессов свечения электролюминесценции.

5. Математическую модель и ёмкостной метод определения глубины центров захвата в порошковых люминофорах с рекомбинационным типом свечения.

6. Экспериментальные исследования и математические модели эффекта оптической памяти в щелевых планарных МДПДМ структурах на основе широкозонных полупроводников.

Апробация. Основные результаты диссертации доложены и обсуждены на 8-ой Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Москва, 1978) — на 2-м Всесоюзном совещании по широкозонным полупроводникам (Ленинград, 1978) — на Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ужгород, 1979) — на 2-м Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980) — на V Всесоюзном совещании «Физика и техника применения полупроводников л /.

А В «(Вильнюс, 1983) — на IX Всесоюзной конференции по светотехнике (Рига, 1987) — на VI Всесоюзном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1989) — на II Всесоюзном совещании «Материалы для источников света и светотехнических изделий» (Саранск, 1990) — на VII Всесоюзном I Международном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1992) — на Международной конференции «Осветление -96» (Варна, Болгария,-1996) — на Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». (Кисловодск, 1996 г.) — на Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики» (Саранск, 1997) — на III Всерос. науч.-технич. конф. Светоизлучающие системы. Эффективность и применение. (Саранск,.

2001 г.) — на V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003 г.) — на 3-ой межрегион, науч. шк. для студ. и аспирантов «Материалы наномикрои оптоэлектроники: физические свойства и применение» (Саранск, октябрь, 2004 г.) — на научной сессии, посвященной дню радио (Российское научно-техническое общество радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова, (Москва, 17−19 мая, 2005 г) — на 7-ой Всерос. молодеж. науч. шк., «Материалы наномикро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (Саранск, октябрь 2008 г.).

Публикации. Материалы диссертации отражены в 46 работах. Из них 11 работ опубликованы в рецензируемых журналах, рекомендованных ВАК, отражены в 1 авторском свидетельстве, 5 патентах на изобретения и 29 работ были опубликованы в тезисах Международных, Всесоюзных и Всероссийских конференциях.

Личный вклад автора. Автору принадлежит выбор основных направлений исследований по теме работы, создание экспериментальных установок и методик исследования. Проведение экспериментальных исследований, обработка и анализ экспериментальных результатов, разработка математических моделей, выполнены либо лично автором, либо при его непосредственном участии. В совместных публикациях соискателю принадлежит ведущая роль в постановке задач, объяснении и обосновании с физической точки зрения рассматриваемых процессов и явлений.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы 283 стр., включая 137 рис. и 16 таблиц.

Список литературы

состоит из 164 наименований.

Вывод.

Проведенные исследования показывают, что с помощью предложенной схемы можно реализовать операцию аналогово перемножения модулированных по интенсивности оптических сигналов и преобразования результата в электрический сигнал.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Диссертация посвящена исследованию неравновесных процессов в фоточувствительных полупроводниковых структурах при нестационарном освещении и питании, выявлению особенностей распределения носителей между зонами при периодическом освещении, изучению функциональных свойств фоторезисторных структур при периодическом питании. Развиваемое научное направление связано с решением проблемы интеграцией оптики и электроники. Наиболее важными представляются следующие результаты и выводы.

1. Получены теоретические и экспериментальные доказательства зависимости среднего значение концентрации свободных носителей и эффективности фоторезистора от частоты модуляции возбуждающего излучения при неизменной средней мощности излучения.

2. Установлено, что различие скорости рекомбинации при наличии и отсутствии освещения, определяет характер зависимости (рост, спад) среднего значения концентрации сводных носителей заряда в полупроводнике при увеличении частоты следования фотоимпульсов.

3. Разработаны экспериментальный метод и математическая модель определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока. Предложен метод нахождения среднего от решения дифференциального уравнения первого порядка с периодической правой частью.

4. Предложен метод Фурье анализа кинетики фотопроводимости с помощью переменного напряжения приложенного к фоторезистору.

5. Установлено, что фоторезисторные структуры являются, прямыми перемножителями оптических и электрических сигналов, и могут совмещать функции приема модулированных по интенсивности оптических сигналов и извлечения из них информации. Показана возможность совмещения гетеродинного приема и синхронного детектирования фоторезистором оптических сигналов модулированных по оптической частоте и фазе.

6. Установлено, что оптические сигналы могут управлять электрическими сигналами с помощью фоторезистора. Предложены устройства на основе фоторезистора для амплитудной, фазовой модуляции, электрических сигналов, синхронного детектирования и спектрального анализа электрических сигналов и их математические модели. Определены зависимости коэффициента нелинейных искажений разработанных устройств от вида кинетики фотопроводимости, инжекционных явлений.

7. Разработана новая технология изготовления планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторов. Обнаружено явление оптической памяти в планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторах.

8. Доказано, что скорость генерации свободных носителей электрическим полем пропорциональна произведению напряжения приложенного к структуре на скорость изменения напряжения. Разработаны физические и математические модели процессов скорости генерации полем свободных носителей, оптической памяти в электролюминесцентных структурах типа МДПДМ.

9. Созданы математическая модель и экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной емкости. Определена зонная структура люминофора ZnS-In. Показана возможность переселения свободных носителей через примесные уровни.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И., Юу Ф.У. С. Когерентная фотоника. М.:БИНОМ Лаборатория знаний, 2007.-319 с.
  2. . Винер. Оптоэлектроника М.:Техносфера, 2006.-592 с.
  3. В., Семенов Э., Ломанов А., Гусаров А. Смартлинки- умные соединения. //Фотоника, 2009.-№ 1.-С.31−39.
  4. А.А. Электроника четвертого поколения функциональная электроника? //Инженерная микроэлектроника.- 1998. -№ 4.-С.30−36
  5. Л. Кремниевая фотоника, как альтернатива медным внутренним соединениям. // Компьютерное обозрение. № 33(552)
  6. А.А. Функциональная электроника М.: Из-во МИРЭЛ, 1998.-286с.
  7. A.M., Бабченко И. А., Горбань А. Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195−198.
  8. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.//ФТП, 1976.-Т.10-№ 2.- С.209−233.
  9. .Н., Горюнов В. А., Королев А. П., Бибанина Е. М. Электролюминесцентный источник света. Патент 2 175 468, Россия, МПК-7 Н05 ВЗЗ/26, F21K2/08. Опубл. 27.10.2001, бюл. № 30.
  10. М., Марк С. Инжекционные токи, в твердых телах. М.: Мир, 1973−416с.
  11. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963 -496 с.
  12. С.И. Цифровой спектральный анализ и его приложения. М.: Мир, 1990−365 С.
  13. Р. Фотопроводимость твердых тел. М: Иностр. лит., 1962 420 С.
  14. .Н., Никишин Е. В., Королев А. П., К расчету переходных процессов при импульсном возбуждении, описываемых дифференциальным уравнением первого порядка //Мат. моделирование, 1995 Т.7. — № 5 — С. 51.
  15. .Н., Королев А. П. Расчет установившегося процесса в линейных системах при периодическом возбуждении //Мат. моделирование, 1995 Т.7.- № 5 — С. 50.
  16. К. Колебания. М.: Мир, 1983, С. 214−215.
  17. Н.В. Физика полупроводников. М: Энергия, 1977. 312С.
  18. С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: «Выс. школа», 2000 г. -с. 420.
  19. .Н., Беглов В. И. // Труды Российского научно- технического общества радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова. Серия: науч. сессия посвященная дню радио. Вып. LX-2, Москва 17−19 мая. — 2005 г.-С. 6−8.
  20. .Н., Беглов В. И., Нищев К. Н., Турышев В. Н. Передатчик с амплитудной модуляцией. Патент 39 240, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Опубл. 20.07.2004г, бюл. № 20.
  21. Радиопередающие устройства. Под ред. В: В. Шахгильдяна. М.: Радио и связь. 1996. — 560 С.
  22. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К. Б. Карандеева. М.: Энергоиздат, 1970.-250С
  23. P.M., Карп Ш. Оптическая связь М.: Связь, 1978. -424 с.
  24. М.М. Однополосная угловая модуляция в радиосвязи. Изд-во: Казанский университет, 1991. С. 134.
  25. И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5−5-300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.- С. 2173−2179.
  26. В.И. Основы радиотехники и связи М.: Высш. шк. 2002.-420 с.
  27. .Н. Фоторезистор как многофункциональный элемент оптоэлектроники. Радиотехника и электроника, 2007, т.52, № 4, с.509−512
  28. Н.Н., Кребс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы. М.:Воениздат, 1982.-208с.
  29. Э.А., Белкин М. Е. Фотоприемные устройства волоконно-оптических систем передач М.: Радио и связь, 1992.—224 с.
  30. Carballes J.C., Varon J., Ceva Т. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. № 19. P. 1627−1631
  31. КалинчукВ.В. Модуляторы малых сигналов. М.: Энергия, 1978.-96 С.
  32. С.В. Элементы оптоэлектроники. М.:Сов.радио, 1971.-144С.
  33. Ю.Р. Оптоэлектроника. 2-е изд., перераб. и доп.-М.: Радио и связь, 1980.-360 С.
  34. .Н., Орлов Б. М., Лосев В.В, Погорелова Н. Н. Исследование фоточувсвительных монокристаллов CdS при переменном смещении. 8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике М., 1978, с.57−58
  35. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М: Мир, 1980.-208 С.
  36. А.Г., Толпарев Р. Г. Лазерная связь. М.: «Связь», 1974 -384С.
  37. .Н., Беглов В.И Бибанина Е. М. Фазовый модулятор Патент 36 069, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Опубл. 20.02.2004г, бюл. № 5.
  38. .И. Введение в современную оптику. Минск: Наука и техника, 1991.-480С.
  39. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотополупроводниках. Киев.: Наук. Думка, 1981−264С.
  40. И. Н., Гуревич Ю. Г., Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках.//Физика и техника полупроводников.-2001- Т. 35, вып. З.-С.321−329.
  41. Р. Полупроводники. М: Мир, 1982−560С.
  42. М. Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир 1973,416 с.
  43. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Адирович Э. И. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978.-320с.
  44. В.А., Сапелкин С. В., Червяков Г. Г., Юхимец Е. А. Нелинейные преобразование сигнала модуляции света при квадратичной рекомбинации в фотоприёмнике. //Физика и техника полупроводников.-1993- Т. 27, вып. 1- С.179−182.
  45. .Н., Колдаев И. М. Исследование динамических свойств фоточувствительных полупроводниковых структур на основе CdS. Сб. материалов конференции молодых специалистов по проблемам микроэлектроники. М., 1980, с. 17
  46. А.И., Смирнов М. К. Основы оптоэлектроники. Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2001.-260 с.
  47. Ю.А. Оптоэлектронные устройства. М.: ИП Радио-Софт, 2001.-256 с.
  48. Э.А., Белкин М. Е. Фотоприемные устройства волоконно-оптических систем передачи. М.: Радио и связь, 1992.-224 с.
  49. Техника оптической связи. Фотоприемники. Под ред. Нельсона Д., Уиттинхема М., Джорджа Т. -М.: мир, 1988.-526 с.
  50. А., Флере Ж., Руссо М. Оптика и связь. М.: Мир, 1984.-504 с.
  51. И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971. 370С
  52. Вопросы физики электролюминесценции. //Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-274С
  53. Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Cu: Co photoconductor. // Indian J. Pure and Appl.Phys., 1974. Vol. 12,№ 3 -P. 185 187.
  54. Ю.И., Гуро Г. М., Дахновец B.T. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91−95.
  55. Ю.И., Гуро Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля.// ФТП-1968.- Т.2.- вып. 12.-С. 1752−1757.
  56. Электролюминесценция твердых тел. Труды III совещания по электролюминесценции. Киев.: Наукова Думка, 1971.-320С.
  57. Ю.Д., Ковтонюк Н. Ф., Савин А. И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С.
  58. М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. //Письма в ЖТФ.-1997.-Т.23.-Ы6.-С.1−4.
  59. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. М.: Энергия, 1976.-184С
  60. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.
  61. Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.
  62. Ю.Р., Шилин В. А. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. М.: Сов. Радио, 1976.-142 с. 71 .Акустические кристаллы. Справочник. / Под ред. М. П. Шаскольской М.: Наука, 1982.- 632С.
  63. И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5-ь300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.-С2173−2179
  64. .М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.
  65. Е.М., Горюнов В. А., Денисов Б. Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000.-9С. Деп. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, № 523-В00.
  66. Е.М., Горюнов В. А., Денисов Б. Н., Никишин Е. В. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-Письма в ЖТФ.- 2000.- т.26.- вып. 11. С.47−51.
  67. Н.Ф., Морозов В. А., Абрамов А. А. и др. Фотоваракторный эффект структур металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. //Радиотехника и электроника, 1973.-Т.18.- № 5.-С.1019−1023.
  68. М.К. Исследование свойств цинк- сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах.// ЖПС.-1995.-Т.62, вып.З.-С.182.
  69. М.К. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением.// Письма в ЖТФ.-1994:-Т.20,вып.6.-С.67.
  70. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: высшая школа, 1971 .-336С.
  71. Горюнов В: А., Левшин В. Л. Исследование перераспределения1 электронов по уровням захвата в возбужденных монокристаллах ZnS под действием инфракрасных лучей.//ЖПС, 1966.-Т.4,вып.З.-С.256−260.
  72. .Н., Бибанина Е. М., Беглов В. И. Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур. //Письма ЖТФ.-2006.Т.32.-Вып.4-С.70−75
  73. .Н. Исследование функциональных свойств фоторезистора, питаемого переменным напряжением.//Письма в ЖТФ.-2008.-Т.34-Вып 2-С. 1−6
  74. .Н., Беглов В. И., Нищев К. Н., Турышев В. Н. Передатчик с амплитудной модуляцией. Патент на полезную модель № 39 240, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Опубл. 20.07.2004г, бюл. 20.
  75. JI. Оптические сети: основные компоненты. Компьютерное обозрение. № 28 (547), 2006 г
  76. JI. Кремниевая фотоника как альтернатива медным соединениям. Компьютерное обозрение. № 28 (547), 2006 г
  77. Серегин C. JL, Полян Р. А. Гибкий электролюминесцентный источник света.//Патент 20 006 878 Россия, МКИ Н 05 В 3/26/,№ 4 931 861/25.
  78. Р.А., Серегин C.JL, Кокин С. М. Гибкие источники света -электролюминесцентные излучатели нового типа//Электронная промышленность, 1993.-№ 11−12.-С.66−68.
  79. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И. К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. -168С.
  80. Прикладная электролюминесценция./Под ред. М. В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.
  81. Г. Электролюминесценция. М.: Мир, 1964.- 456С.
  82. В.М. Электролюминесцентные' устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.
  83. А.А. Электроника/ Под ред. Проф А. С. Сигова.-СПб.: БВХ-Питербург, 2006.-800 с.
  84. .Н., Гришаев В .Я, Корочков Ю. А., Применение фоторезисторов с питанием переменным напряжением длягармонического анализа оптических сигналов.//Учебный эксперимент в высшей школе. 1998, № 5.-С.60−62.
  85. В.А., Попов В. Г. Фотоэлектрические МДП приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.
  86. М. В., Coldren С, W., Miller D. А. В., Harris J. S. (Jr).High-speed, optically controlled surface-normal optical switch based on diffusive conduction / / Appl. Phys. Lett.- 1999.- Vol.75, № 5.-C. 597−599.
  87. Khanifar A., Green R. J. Photoparametric amplifiers for subscarriermultiplexed communication systems. // 1EE Proc. Optoelectron.-1999 Vol.146, № 5- C. 223−225.
  88. B.C., Рубцов Г. П., Григорьян JI.P., Куликов O.H. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе. //Журнал Радиоэлектроники.-2000,-С.1−16.
  89. Каража’нов С. Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.// ФТП.-2000.-Т.34,вып.8.-С.909−916.
  90. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. //Труды Седьмой международной научно-технической конференции, Таганрог, 2000.- 200 С.
  91. Прикладная электролюминесценция. /Под ред. М. В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.
  92. Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.ЕЧистые кристаллы.//ФТП. 1968.-Т.2. B.3.-C300.
  93. Г. М., Ковтонюк Н. Ф. О-временах установления поляризации в полупроводниках.//ФТП.- 1969.- Т-.З, вып.1.-С58−62.
  94. ЮЗ.Гохфельд Ю. И., Fypo Г. М., Дахновец В. Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации* вэлектролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91−95.
  95. Н.Ф., Сальников Е. Н. Фоточувствительные МДП- приборы для преобразования изображения М.: Советское радио, 1990.-160 С.
  96. Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.ГЧистые кристаллы.//ФТП. 1968.-Т.2. В.З.-СЗОО.
  97. Юб.Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. JL: Наука, 1972. -104С.
  98. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.
  99. Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.
  100. Антонов-Романовский В. В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963.-С.207−213.
  101. Антонов -Романовский В. В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.П. //Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963.-С.213−223.
  102. Ш. Гольдман А. Г., Жолкевич Г. А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев: Наукова Думка, 1972.-200С.
  103. .В., Васюков А. Е., Жолкевич Г. А. Термостимулированная проводимость, люминесценция и емкость пленок ZnS:Cu, Cl с памятью проводимости. В кн.: Эффекты памяти и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. Киев, 1974. -С. 14−15.
  104. Е.Г., Вертопрахов В. Н. Термостимулированные методы* исследования фотопроводящих материалов. Деп. ВИНИТИ № 349 771,1971.- 27 С.
  105. А.Г., Королько Б. Н., Степанченко Э. С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошковполупроводников при 77°К.// Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№ 5. -С.1019−1021.
  106. А.Г., Королько Б. Н., Степанченко Э. С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS-порошков полупроводников при 77°К.// Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№ 5. -С.1019−1021.
  107. Нб.Гольдман А. Г., Королько Б. Н., Степанченко Э. С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошков полупроводников при 77°К.//Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№ 5. -С.1019−1021.
  108. JI.C., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С.
  109. Yau L.D., Chan W.W., Sah С.Т. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at cobait centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.14. № 2. P.655−662.
  110. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-562С
  111. Carballes J.C., Lebailly J. Trapping analysis in gallium arsenide.// Solid-State Communs, 1968. Vol.6.№ 3.P. 167−171.
  112. Buehler M.G. Impurity centers in p-n-junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate.// Solid-State Electron, 1972. Vol. 15. № 1. P.69−79.
  113. Carballes J.C., Varon J., Ceva T. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. № 19. P. 1627−1631
  114. Sah, C.T., Chan W.W., Fu H.S. e.a. Thermally stimulated- capacitance (TSCAP) in p-n-junctions.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.20. № 5. P.193- 195.
  115. Sakai K., Ikoma T. Deep levels in gallium arsenide by capacitance methods.// Appl. Phys, 1974. Vol.5. № 2. P.165−171.
  116. Sah C.T., Walker J.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carrier traps in the edge region of semiconductors junctions.// Appl.Phys.Lett, 1973. Vol.22. № 8. P.384−385.
  117. Sah C.T., Wang C.T. Experiments on the origin of processinduced recombination centers in silicon.//J. Appl.Phys., 1975. Vol.46. № 4. P. 17 671 776.
  118. Зуев B. A, Попов В. Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.
  119. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Под ред. А. В. Ржанова. М.: Наука, 1976. -280С
  120. Вуль, А .Я, Дидейкин А. Т., Козырев С. В. Фотоприемники на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник.//Фотоприемники и фотопреобразователи./ Сборник науч. трудов, 1986.-С. 105−130.
  121. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. //Люминесценция и нелинейная оптика./Труды ФИАН им. П. Н. Лебедева АН СССР. М.: Наука, 1972.-Т.59.- С.3−24.
  122. Горюнов В. А, Гришаев В. Я, Денисов Б. Н. Методика разделения спектров свечения люминофоров.//Светотехника, 1992.-№ 3.-C.3−4.
  123. Бибанина Е. М, Гришаев В. Я, Денисов Б. Н. Исследование электро- и фотолюминесценции при импульсном УФ возбуждении. // Всероссийская науч.-тех. конф. «Перспективные материалы и технологии для средств отобр. информации». /Тез.докл. Кисловодск, 1996.-С85.
  124. Фок М. В. Влияние частоты возбуждающего напряжения на спектры электролюминесценции кристаллов ZnS-Cu.// ЖПС, 1988.-Т.48.-№ 6.-С-1014−1016.
  125. Деркач В. П, Корсунский В. М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.
  126. Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. JL: Наука, 1983. -С. 122.
  127. Л.Я., Пекерман Ф. М., Петошина Л. Н. Люминофоры. М,-Л.: Химия, 1966.-232С.
  128. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И. К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. -168С.
  129. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966.- 324С.
  130. Антонов-Романовский В. В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963.-С.207−213.
  131. Ю.Д., Ковтонюк Н. Ф., Савин А. И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С
  132. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С. ¦
  133. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К. Б. Карандеева М., 1970.-250С.
  134. A.M., Бабченко И. А., Горбань А. Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195−198.
  135. В.И., Денисов Б. Н., Никишин Е. В. Зависимость коэффициента нелинейных искажений фоторезистора от кинетики фотопроводимости.
  136. Материалы нано- микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение: сб. тр. 3-ой межрегион, науч. шк. для студ. и аспирантов,. -г. Саранск, 2004. С. 118.
  137. Р.А., Фукс Б. И. Импеданс образца из компенсированного материала при возбуждении волны пространственной перезарядки. // ФТП, 1975 юТ.9, вып.9.-С.1717 — 1728.
  138. С.Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.//ФТП.-2000. Т.34,вып.8. — С.909−916.
  139. В.А., Дугова А. А. О подавлении эффекта насыщения усиления в пороговых собственных фоторезисторах.// Письма в ЖТФ, 1997-Т.23.-№ 2-С.80−87.
  140. .И., Грибковский В. И. Введение в теорию люминесценции.// Издательство Академии наук БССР, Минск, 1963, 444 с.
  141. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964 г-284 с.
  142. .Н., Гришаев В. Я., Никишин Е. В. Авт. свидетельство № 1 723 676, 1992. Способ питания безэлектродного источника света
  143. Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции. II. Кристаллы с примесями // ФТП. 1969. -Т.З, вып.5. — С.636−642.
  144. Ю.И., Гуро Г. М., Ковтонюк Н.Ф Деркач В. П., Корсунский В. М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304с.
  145. Ю.И., Гуро Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля // ФТП -1968.- Т.2. вып. 12.- С.1752−1757.
  146. , И. Н., Гуревич Ю. Г. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках.//Физика и техника полупроводников.-2001- Т. 35, вып. 3.-С.321−329.
  147. Neamen D.A. Semiconductor Physics Devices Basic Principles. Boston. 1992 y., 560 p.
  148. К.Д., Родионов B.E. Инерционность Si (Zn) фотосопротивлений.// Полупроводниковая техника и микроэлектроника-1972-вып. 7.-С.27−30
  149. Ф.В., Адамян З. Н., Арутюнян В. М. Кремнивые фотоприемники. Ереван. Издательство Ереванского университета, 1989 г.-289 С.
  150. С.Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.// Физика и техника полупроводников.- 2000- Т. 34, вып. 8.- С. 909−916.
  151. К. Д., Родионов В. Е. Инерционность Si (^п)-фотосопротивлений.// Полупроводниковая техника и микроэлектроника.-1972, вып. 7. С.27−30
  152. Н.П., Волокобинский Ю. М., Воробьев А. А. и др. Теория диэлектриков. M.-JL: Энергия, 1965.-344С.
  153. .М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.
  154. .Н., Беглов В. И., Бибанина Е. М., Горюнов В. А. МДПДМ структура на основе порошковых люминофоров. // Учебный эксперимент в высшей школе. 2002, № 1. С. 16 -18.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?