Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
Диссертация
Характерной особенностью большинства полупроводниковых приборов является то, что они содержат области различного уровня легирования и типа проводимости, что приводит к появлению областей пространственного заряда (ОПЗ). Более того, ОПЗ могут присутствовать в объемных и пленочных полупроводниковых материалах. Этомежкристаллитные границы в поликристаллах, кластеры основных элементов в соединениях… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- 1. 1. Образование радиационных дефектов в ОаАв
- 1. 2. Отжиг радиационных дефектов в ваЛв
- 1. 3. Радиационные дефекты в 1пР
- 1. 4. Состояние вопроса и задачи исследования
- ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
- 2. 1. Экспериментальная установка для измерения параметров глубоких центров методом НЕСГУ
- 2. 2. Объекты исследования
- 2. 3. Облучение образцов
- 2. 4. Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник
- 2. 5. Выводы
- ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ В ваАя п-ТИПА
- 3. 1. Накопление глубоких центров в, НО и ОПЗ арсенида галлия при комнатной температуре
- 3. 2. Дефектообразование в интервале температур 80 — 500 К
- 3. 3. Профиль концентрации центров ЕЗ в обратносмещенных при облучении диодах с барьером Шоттки
- 3. 4. Зависимость степени влияния зарядового состояния на накопление радиационных дефектов от энергии и массы бомбардирующих частиц
- 3. 5. Анализ экспериментальных результатов
- 3. 6. Облучение ваАл интенсивными пучками электронов
- 3. 7. Высокотемпературное облучение ОэАб. 114 3.7. Выводы
- ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ В 1пР п-ТИПА
- 4. 1. Образование центров ЕЮ в, НО и ОПЗ фосфида индия при электронном и у — облучениях
- 4. 2. Облучение фосфида индия в температурном интервале 100−400 К
- 4. 3. Новый бистабильный-дефект в 1пР
- 4. 4. Выводы
- ГЛАВА 5. ВЗАИМОСВЯЗЬ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С ИХ ОТЖИГОМ В ОаАя п-ТИПА
- 5. 1. Отжиг глубоких центров в, НО и ОПЗ арсенида галлия, облученного у- квантами
- 5. 2. Анализ экспериментальных результатов
- 5. 3. Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на их отжиг в ОаАз, облученном протонами, нейтронами и а-частицами
- 5. 4. Выводы
- ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ ОБЛАСТЕЙ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ НА СПЕКТРЫ НЕСГУ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ п-ТИПА
- 6. 1. и- пик в ваЛв -п-типа, облученном протонами 63 МэВ
- 6. 2. Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в ОаАз на спектры НЕСГУ
- 6. 3. Выводы
- ГЛАВА 7. ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
- 7. 1. Отжиг ареенида галлия, имплантированного кремнием, высокоэнергетическим пучком электронов
- 7. 2. Влияние различных видов отжига на электрофизические свойства ионнолегированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего СкАз
- 7. 3. Измерение удельного сопротивления полуизолирующего ОаАв
- 7. 4. Выводы
- ВЫВОДЫ
- СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- ПРИЛОЖЕНИЕ Акт использования
- Акт внедрения
Список литературы
- Емцев В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. // -М.: Радио и связь, -1981. -248 С.
- Кольченко Т.И., Ломако В. М. Электрические свойства арсенида галлия, облученного электронами и нейтронами. // ФТП. -1975. -Т.9, N9. -С. 17 571 760.
- Витовский Н.А., Машовец Т. В., Рыбкин С. М., Хансеваров Р. Ю. Измерение электрических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия при введении радиационных дефектов. // ФТТ. -1963. -Т.5, N12. -С.3510−3523.
- Kalma А.Н., Berger R.A. Electrical properties of electron-irradiated GaAs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1972. -V.NS-19, N6. -P.209−214.
- Pegler P.L., Grimshaw J.A., Banbury P.C. Electrical measurements on electron irradiated n- and p- type GaAs. // Radiat. Eff. -1972. V.15, N3−4. -P.183−193.i с
- Ланг Д. Радиационные дефекты в соединениях, А В . // В кн.: Точечные дефекты в твердых телах: Пер. с англ., Мир, -1979. -С. 187−217.
- Arnold G.W. Luminescence in intrinsic and annealed electron-irradiated GaAs: Cd. // Phys. Rev., -1969. -V.183, N3. -P.777−783.
- Jeong M.U., Shirafuji J., Inuishi Y. Photoluminescence studies in irradiated Si-doped Gallium Arsenide. // Jap. J. Appl. Phys., -1973. -V.12, N1. -P.109−119.
- Arnold G.W. Radiative recombination in annealed electron-irradiated GaAs. // Phys. Rev., -1966. -V.149, N2. -P.679−680.
- Плотников А.Ф., Селезнева M.A. Влияние облучения быстрыми электронами на спектры фотопроводимости кристаллов GaAs, выращенных в атмосфере кислорода. // ФТТ. -1966. -Т.8, N11. С.3390−3391.
- Kalma А.Н., Berger R.A., Fischer С.J., Green В.A. Energy and temperature dependence of electron irradiation damage in GaAs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1975. -V.NS-22, N6. -P.2277−2282.
- Stein H.J. Electrical studies of low-temperature neutron and electron-irradiated epitaxial n-type GaAs. // J. Appl. Phys. -1969. -V.40, N13. -P.5300−5307.
- Mc.Nichols J.L., Berg N.J. Neutron- induced metallic spike zones in GaAs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1971. -V.NS-18, N6. -P.21−30.
- Marcus G.H., Bruemmer H.P. Radiation damage in GaAs gunn diodes. // IEEE Trans. Nucl. Sci -1970. -V.NS-17, N6. -P.230−232.
- Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of recombination-enhanced defect reactions in semiconductors. // Phys. Rev. Lett. -V.33, N8. -P.489−492.
- Brehm G.E., Pearson G.L. Gamma-radiation damage in epitaxial Gallium Arsenide. // J.Appl.Phys. -1972. -V.43, N2. -P.568−574.
- O’Brien J.K., Correli J.C. Photoconductivity of chromium-copensated GaAs after irradiation by 0,8 MeV electrons. // J. Appl. Phys. -1973. -V.44, N4. P.1921−1922.
- Pons D., Mooney P.M., Bourgoin J.C. Energy dependence of deep level introduction in electron irradiated GaAs. // J. Appl. Phys. -1980. -V.51, N4. -P.2038−2042.
- Watkins G.D., Corrbett J.W. Defects in irradiated Silicon: Electron paramagnetic of the divacancy. // Phys. Rev. -1965. -V.138, N2a. -P.543−555.
- Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках. // В кн.: Точечные дефекты в твердых телах: Пер. с англ. -М., Мир, -1979. -С.9−152.
- Lang D.V., Logan R.A., Kimerling L.C. Identification of the defect state associated with a Gallium vacancy in GaAs and AlxGaixAs. // Phys. Rev. B: Solid State. -1977. -V.15, N10. -P.4874−4882.
- Eisen F.H. Orientation dependence of electron radiation damage in InSb. // Phys. Rev. -1964. -V.135, N5a. -P.1394−1399.
- Кравченко А.Ф., Принц В. Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением элекронами в GaAsixPx и AlxGaixAs, от состава. // ФТП. -1978. -Т.12, N8. -С.1612−1614.
- Wallis R.H., Zyibersztejn A., Besson J.M. Pressure dependence of the energy levels of irradiation-induced defects in GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1981. V.38, N9. -P.698−700.
- Pons D., Makram-Ebeid S. Phonon assisted tunnel emission of electrons from deep levels in GaAs. // J. Phys. (France). -1979. -V.40, N12. -P. 1161−1172.
- Pantelides S.T., Lipary N.O., Bernholc J. The effective mass nature of deep- -level point- defect states in semiconductors. // Solid. State Commun. -1980. -V.33, N10. -P. 1045−1049.
- Pons D., Bourgoin J. Anisotropic- defect introduction in GaAs by electron irradiation. // Phys. Rev. Lett. -1981. -V.47, N18. -P.1293−1296.
- Pons D. Anisotropic defect introduction in n- and p-GaAs by electron irradiation. //Proc. 12 Int. Conf. Defects Semiconductors, Amsterdam, 31 Aug.-3 Sept., 1982: Physica (Holland). -1983. -V.B116, N1−3. -P.388−393.
- Martin G.M., Mitonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. // Electron. Lett. -1977. -V.13, N7. -P.191−192.
- Stievenard D., Bourgoin J.C., Pons D. Defects introduced by high temperature electron irradiation in n-GaAs. // Proc. 12 Int. Conf. Defects Semiconductors, Amsterdam, 31 Aug.-3 Sept., 1982: Physica (Holland). -1983. -V.B116, N1−3. -P.394−397.
- Pearton S.J., Tavendale A.J. The motion of deep donor centres in reverse biased n-GaAs surface barrier. // Phys. Stat. Sol. (a). -1982. -V.73, — P. K75--78.
- Брудный B.H., Кривов M.A. Радиационные дефекты в арсениде галлия. // Изв. Вузов СССР, Физика. -1980. N1. -С.64−75.
- Worner R., Kaufman U., Schneider J. Electron spin resonance of Asoa antisite defects in fast neutron-irradiated GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1982. -V.40, N2. -P.141−143.
- Whan R.E. Irradiation temperature dependence of defect production in Germanium. // Radiation effects in semiconductors. -New York: Plenum Press. -1968. -P.195−203.
- Wertheim G.K. Temperature dependent defect production in bombardment of semiconductors. // Phys. Rev. -1959. -V.115, N3. -P.568−569.
- Stein H.J., Vook F.L. Electrical studies of electron-irradiated n-type Si: impurity and irradiated-temperature dependence. // Phys. Rev. -1967. -V.163, N3. -P.790−800.
- Емцев B.B., Клингер М. И., Машовец T.B., Назарян Е. Х., Рыбкин С. М. Проявление примесного ионизационного механизма образования дефектов при «надпороговом» облучении германия и кремния. // ФТП. -1979. -Т.5, -С.933−937.
- Карпов В.Г., Клингер М. И. Механизм радиационного дефектообразования при электронных переходах в примесных полупроводниках. // ФТП. -1978. -Т.12, N10. -С.1887−1897.
- Милевский Л.С., Гарнык B.C. Использование локального облучения для радиационных свойств полупроводников. // ФТП. -Т.13, N7. -С.1369−1374.
- Милевский Л.С., Гарнык B.C. Эффект разделения первичных пар Френкеля электрическим полем в кремнии. // Доклады АН СССР. -1979. -Т.246, N2. -С.307−310.
- Милевский Л.С., Гарнык B.C. Разделение первичных радиационных дефектов под действием электрического поля в арсениде галлия. // ФТП. -1979. -Т.13, N12. -С.2401−2403.
- Thommen К. Recovery of low temperature electron irradiation-induced damage in n-type GaAs. // Radiat. Eff. !970. -V.2, N2. -P.201−210.
- Vook F.L. Lattice strain of isolated defects in elemental and compound semiconductors. // J. Phys. Soc. Japan. -1963. -V.18, Suppl.2. -P.190−196.
- Vook F.L. Change in thermal conductivity upon low-temperature electron irradiation: GaAs. // Phys. Rev. -1964 -V.135, N6a. -P.l742−1749.
- Aukerman L.W., Graft R.D. Annealing of electron-irradiated GaAs. // Phys. Rev. -1962. -V.127, N5. -P.1576−1583.
- Kimerling L.C., Lang D.V. Recombination-enhanced defect reactions in semiconductors. // Lattice defect in semiconductors, 1974. -Conf.Ser.N23, London and Bristol: The Institute of Physics. -1975. -P.589−593.
- Lang D.V., Kimerling L.C., Leung S.Y. Recombination -enhanced annealing of the Ei and E2 defect levels in 1 MeV electron-irradiated n-GaAs. // J. Appl. Phys. -1976. -V.47, N8. -P.3587−3591.
- Pons D., Mircea A., Bourgoin J. An annealing study of electron-induced defects in GaAs. // J. Appl. Phys. -1980. -V.51, N8. -P.4150−4157.
- Pons D., Mircea A., Mitoneau A., Martin G.M. Electron traps in irradiated GaAs: Comparison with native defects. // Defects and radiation effects in semiconductors, 1978. -Conf. Ser. N46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979. -P.352−359.
- Mircea A., Bois D. A review of deep-level defects in 3−5 semiconductors. // Defects and radiation effects in semiconductors, 1978. -Conf. Ser. N46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979. -P.82−99.
- Pons D. Charge state effects on the annealing of the electron irradiation-induced defects in GaAs. // Defects and radiation Eff. Semicond., 1980, 11th Int. Conf., Oiso, 8−11 Sept., 1980. Bristol and London, 1981. -P.269−274.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В. Влияние электрического поля на термический отжиг центров ЕЗ в арсениде галлия. // ФТП. -1982. -Т.16, N6. -С.1111−1113.
- Браиловский Е.Ю., Брудный В. Н. Отжиг дефектов и образование областей разупорядочения в GaAs при электронном облучении. // ФТП. -1971. -Т.5, N6. -С.1248−1251.
- Brailovski E.Ju., Brudni V.N., Groza A.A. Radiation damage and defects in semiconductors. // Conf. Ser. 16, London and Bristol: The Institute of Physics, 1973. -P.121−123.
- Браиловский Е.Ю., Брудный B.H., Кривов M.A., Редько В. Б. Спектры оптического поглощения GaAs, облученного большими интегральными потоками электронов. // ФТП. -1972. -Т.6, N10. -С.2075−2077.
- Borders J.A. Near band edge optical absorption produced by ion implantation in GaAs. //Appl. Phys. Lett. -1971. -V.18, N1. -P.16−18.
- Finstad T.G., Andersen S.L., Olsen T. Annealing characteristics and lattice site location of 40 KeV ions Sn, implanted in GaAs. // Phys. Stat. Sol. (a). -1974. -V.25, N2. -P.515−521.
- Yuba Yoshihico, Gamo Kenji, Oraby Ahmed H., Murakami Kouichi, Namba Susumu. Deep levels in implanted, pulse-laser-annealed GaAs. // Nucl. Instrum. andMeth. -1981. -V.182−183, -P.699−703.
- Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of athermal defect annealing in GaP. // Appl. Phys. Lett. -1976. -V.28, N5. -P.248−250.
- Lang D.V. Recombination enhanced reactions in semiconductors. // Ann. Rev. Matter Sci. -1982. -V.12, -P.377−400.
- Petroff P.M., Kimerling L.C. Dislocation climb model in compound semiconductors with zink blende structure. // Appl. Phys. Lett. -1976. -V.29, N8. -P.461−463.
- Pons D., Bourgoin J.C. Irradiation-induced defects in GaAs. // J. Phys. С: Solid State Phys. -1985. V.18, N20. — P.3839−3871.
- Donnelly J.P. and Hurwitz. Proton bombardment in InP. // Solid State Electronics. -1977. -V.20,N8. -P.727−730.
- Брайловский Е.Ю., Долголенко А. П., Карапетян Ф. К. Радиационные дефекты в кристаллах n-InP, облученных высокоэнергетическими протонами.-Киев, 1982. -С.4−8. -(Препринт/Институт ядерн. исслед. АН УССР- N14).
- Thompson P.E., Binari S.C. and Dietrich H.B. Damaged-induced isolation in n-type InP by light-ion implantation // Solid State Electronics. 1983. — V.26, N8. -P.805−810.
- Loualiche S., Rojo P., Guillot G., Nouailhat A. Etude des centres a electrons crees par irradiation de proton dans InP: n. // Rev.Phys.Appl. -1984.~Y.19, N3. -P.241−244.
- Aukerman L.W. Radiation effects // Semiconductor and semimetals / Ed. by R.K.Willardson and A.C.Bear.-N-Y:Academic Press, 1968. -V.4. -P.343−409.
- Aukerman L.W. Radiation-produced energy levels in compouns semiconductors. // J. AppLPhys. -1959. -V.30, N8. -P. 1239−1243.
- Goltzene A., Meyer B., Schwab C. Fast neutron-induced defects in undoped and iron-doped indium phosphide. // J.Appl.Phys. -1987. -V.62, N11. --P.4406−4412.
- Kekelidze N.P. and Kekelidze G.P. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions. // Rad. effects in semicond., Dubrovnik, 1976. -Bristol-London: Inst. phys. conf. ser. N31, 1977. -P.387−394.
- Leloup J., Djerassi H., Albany H J. Electrical properties and energy levels in electron-irradiated n-type InP. // Lattice defects semicond., Freiburg, 1974.-Bristol-London: Inst.phys.conf.ser.N23, 1975. -P.367−372.
- Leloup J., Derdouri M. and Djerassi H. Room-temperature electron irradiation of n-type InP. // Rad. effects in semicond., Dubrovnic, 1976.-Bristol-London:Inst.phys.conf.ser.N31, 1977. -P.372−378.
- Brudnyi V.N., Vorobiev S.A. and Tsoi A.A. Positron annihilation and Hall effect in electron irradiated n-InP crystals. // Appl.Phys.A. -1982. -V.29, N4.-P.219−223.
- Brailovskii E.Yu., Karapetyan F.K., Megela I.G., Tartachnik V.P. Radiation defects in electron-irradiated InP crystals. // Phys.stat.sol.(a). -1982. -V.71, N2. -P.563−568.
- Кирсон Я.Э., Клотынып Э. Э., Улманис У. А. Энергетический спектр и предельное значение электропроводности при облучении InP электронами.// Изв. АН ЛатвССР, Сер. физ. и техн. н. -1990. -N1. -С. 14−18.
- Levinson M., Benton J.L., Temkin H., Kimerling L.C. Defect states in electron bombarded n-InP. // Appl.Phys.Lett. -1982. -V.40, N11. -P.990−992.
- Tapster P.R., Dean P.J., Skolnick M.S. Deep levels introduced by electron irradiation of InP. // J.Phys.C:Solid State Phys. -1982. -V.15, N28. -P.L1007--L1012.
- Suski J., Bourgoin J.C., Lim H. Defects induced by electron irradiation in InP. // J.Appl.Phys. -1983. -V.54, N5. -P.2852−2854.
- Tapster P.R. A DLTS study of electron irradiated InP. // J.Cryst.Growth.- 1983. -V.64, N1. -P.200−205.
- Sibille A., Bourgoin J.C. Electron irradiation induced deep levels in n-InP. //Appl.Phys.Lett. 1982. -V.41,N10. -P.956−958.
- Sibille A., Rao E.V.K. Electron irradiation defects in InP. // J.Cryst.Growth.-1983. -V.64, N1.-P.194−199.
- Suski J., Sibille A., Bourgoin J. Defects in low temperature electron irradiated InP. // Solid State Commun. -1984. -V.49, N9. -P.875−878.
- Sibille A., Suski J., LeRoux G. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced defects in InP. // Phys. Rev. B. :Condens. Matter. 1984. -V.30, N2. -P. 1119−1121.
- Massarani B., Bourgoin J.C. Threshold energy for atomic displacement in InP. // Phys.Rev.B. :Condens.Matter. -1986. -V.34, N4. -P.2470−2474.
- Sibille A., Suski J. Defect reactions on the phosphorus subluttice in low-temperature electron-irradiated InP. //Phys.Rev.B.:Condens.Matter. -1985.--V.31,N8. -P.5551−5553.
- Sibille A. Origin of the maain deep electron trap in electron irradiated InP. //Appl.Phys.Lett. 1986. -V.48, N9. -P.593−595.
- Sibille A., Suski J., Gilleron M. A model of deep centers formation and reactions in electron irradiated InP. // J.Appl.Phys. 1986.-V.60, N2. -P.595−601.
- Sibille A. Electric field dependence of local-defect reactions in semiconductors. // Phys.Rev.Lett. 1096. -V.56, N5. -P.476−479.
- Bretagnon T., Bastide G., Rouzeyre M. Hole-capture properties of the electron-irradiation-induced deep level H5 in p-type InP: a charge-controlled bistable model. // Phys.Rev.B.:Condens.Matter. 1989. -V.40, N6. -P.3749--3755.
- Benton J.L., Levinson M., Macrander A.T., Temkin H., Kimerling L.C. Recombination enchanced defect annealimg in n-Inp. // Appl.Phys.Lett.--1984. -V.45, N5. -P.566−568.
- Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Impurity (Si) concentration effects on radiation-induced deep traps in n-InP. // J.Appl.Phys. -1984. -V.55, N12. -P.4444−4446.
- Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Thermal transformation of the electron-irradiation-induced defect H4 in p-type InP. // Mater.Sci.Forum.- 1986. -V.10−12, N3.-P. 1033−1038.
- Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Annealing study of the electron-irradiation-induced defects H4 and El 1 in InP: defect transformation (H4-Ell) H4'. // Phys.Rev.B.-.Condens.Matter. 1990. -V.41, N2. -P.1028−1037.
- Kennedy T.A., Wilsey N.D. EPR of defects in electron-irradiated InP: Fe. //Defects andradiat. eff. semicond., Oiso, I980.-Bristol-London, 1981. -P.257--262.
- Brailovskii E.Yu., Megela I.G., Pambuchchyan N.M. EPR study of electron-irradiated InP: Fe. // Phys.stat.sol.(a). -1982. -V.72, N1. -P.K109-K111.
- Kennedy T.A., Wilsey N.D. Electron paramagnetic resonance identification of the phosphorus antisite in electron-irradiated InP. // Appl.Phys.Lett. -1984. -V.44, N11. -P.1089−1091.
- Kana-ah A., Deiri M., Cavenett B.C., Wilsey N.D., Kennedy T.A. Anti-site centres in e-irradiated InP: Zn. // J.Phys.C.:Sol.St.Phys. 1985. -V.18, N20. -P.L619-L623.
- Cavenett B.C., Kana-ah A., Deiri M., Kennedy T.A., Wilsey N.D., On the prospect of as-grown semi-insulating InP: ODMR of the PIn antisite //J.Phys.C.:Sol.State Phys. -1985. -V.18, N16. -P.473−476.
- Jeon D.Y., Gislason H.P., Donegan J.F., Watkins G.D. Determination of the PIn antisite structure in InP by optically detected electron-nuclear double resonance. // Phys.Rev.B.:Condens.Matter. 1987. -V.36, N2. -P.1324−1327.
- Gislason H.P., Rong F., Watkins G.D. Different configurations of the PIn antisite in n- and p-type InP. // Acta phys.pol.A. -1990. -V.77, N1. -P.59−62.
- Von Bardeleben H.J. Identification of the phosphor vacancy defect in electron irradiated p-type InP. // Sol. State Commun. 1986. -V.57, N2.--P. 137−139.
- Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз C.E. Образование электронных ловушек в n-InP при облучении g-квантами. // ФТП. -1987. -Т.21, N6.-С.1075−1078.
- Yamaguchi М., Uemura С., Yamamoto A. Radiation damage in InP single crystals and solar cells. // J.Appl.Phys. 1984. -V.55, N6, Pt.l. -P1429−1436.
- Koyama J., Shirafuji J., Inuishi Y. Annealing behaviour of gamma-ray induced electron traps in LEC n-InP. // Electron. Lett. -1983. -V.19, N16.-P.609−611.
- Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Nonradiative recombination-enchanced defect-structure transformation in low-temperature y-ray-irradiated InP. // Phys.Rev.B.:Condens.Matter. -1986. -V.34, N4. -P.3041−3044.
- Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз C.E. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении. // ФТП.- 1988. -Т.22, N7. -С.1311−1313.
- Bayaa D., Bastide G., Rouzeyre М., Sibille A. Optical properties of electron irradiation induced defects in InP. // Solid State Commun. 1984. -V.51,N6. -P.359−363.
- Bastide G., Bayaa D., Rouzeyre M. Lattice coupling strength of electron-induced-irradiated defects in InP. // Solid State Commun. 1986. -V.57, N6. -P.431−435.
- Гринсон А.А., Гуткин А. А., Метревели С. Г. Ловушки для электронов и дырок в фосфиде индия. // Зарубежная радиоэлектроника. -1987. -N11. -С.57−62.
- Levinson М., Benton J.L., Kimerling L.C.Electronically controlled metastable defekt reaction in InP. // Phys. Rev. B. -1983. -V.27, N10. -P.6216−6221.
- Levinson M., Benton J.L., Stavola M., Kimerling L.C. Metastable M center in InP: defect- charge- state- controlled structural relaxation. // Phys. Rev.B. -1983. -V.28, N10. -P.5848−5855.
- Stavola M., Levinson M., Benton J.I., Kimerling L.C. Extrinsic self-trapping and negative U in semiconductors: A metastable center in InP. // Physical Review B. -1984. -V.30, N2. -P.832−839.
- Wager J.F., Van Vechten J.A. Atomic model for the M center in InP. // Physical Review B. -1985. V.32, N8. -P.5251−5258.
- Brailovski E.Yu., Eritsyan G.N., Grigoryan N.E. Optical absorption in InP crystals with point radiation defects. // Phys.stat.sol.(a). 1983. -V.78, N2.-P.K113-K115.
- Magno R., Spencer M., Giessner J.G., Weber E.R. Transient capacitance measurements on neutron irradiated gallium arsenide.- In: 13& International Conf. On Defects In Semicond. (Coronado, California, 1984).- P.981−987.
- Stievenard D., Bourgoin J.C., Lannoo M. An easy method to determine carrier-capture cross section: application to GaAs.-J. Appl. Phys. -1984. -V.55, N6. -P.1447−1481.
- Bertolotti Mario. Laser annealing of semiconductors. // Phys. processes laser -mater, interact. Proc. NATO Adv. Study Inst., Pianore, 13−25 July, 1980. New-York, London. -1983. -P. 175−219.
- Okigawa Mitsuru, Nakayama Takeyoshi, Morita Kenji, Itoh Noriaki. Dependence of laser-induced damage of surface layers of GaP on pulse width and wave- length. //Appl. Phys. Lett. -1983. -V.43,N 11. -P. 1054−1056.
- Wesch W., Gotz G. Rapid annealing of ion -implanted GaAs. // Phys. status solidi (a). -1986. -V.94, N2. -P.745−766.
- Абакумов B.H., Алферов Ж. И., Ковальчук Ю. В., Портной E.JI. К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников. // ФТП. -1983. -Т.17, N12. -С.2224−2228.
- Фаттахов Я.В., Баязитов P.M., Аганов Р. В., Саинов Н. А., Хайбуллин И. Б., Штырков Е. И. Лазерный отжиг ионно-легированных слоев. // Деп. в ВИНИТИ 6 апр. 1984 г. N 2096−84 Деп.
- Zysset В., Salathe R.P., Martin J.L., Gotthardt R., Reinhart F.K. Transmission electron microscopy investigation of laser- induced defects in (Al, Ga) As. // J. Appl. Phys. -1985. -V. 58, N11. -P.4089−4094.
- Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы. // ФТП. -1985. -V. 19, N4. -С.569−591.
- Гусаков Г. М., Кондратова Т. Н., Минаждинов М. С., Ларюшин А. И. О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении. // ФТП. -1991. -Т.25, N3. -С.369−372.
- Davies D. Eirug, Lorenzo J.P., Ryan T.G. Pulse annealing deficiencies in GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1980. -V.37, N7. -P.612−615.
- Lutsch A.G.K. Laser and electron beam annealing of ion implanted layers and their application to electronic component manufacture. // Def. Solid State'80, Johannesburg, 1980. Program, and Abstr. Booklet. Johannesburg, -1980, -P. 1417.
- Maeda Koji, Takeuchi Shin. Enhanced glide of dislocationsin GaAs single crystals by electron beam irradiation. // Jap. J. Appl. Phys. -1981. -V.20,N3. -P.L165-L168.
- Двуреченский A.B., Качурин Г. А., Нидаев E.B., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. // М., Наука. -1982. -208 С.
- Ahmed Н., McMahon R.A. Electron beam processing of semiconductors. // Laser-Solid Interact. and Transient Therm. Proc. Mater. Symp., Boston, Mass., nov., 1982. New-York e. a. -1983. -P.653−664.
- Лебедева Н.И., Месяц Г. А. Отжиг полупроводников низкоэнергетичными импульсами электронными пучками. // Сильноточ. импульс, электрон, пучки в технол. Новосибирск. -1983. -С.39−55.
- Веригин А.А., Кощеев В. П., Крючков Ю. Ю., Боярков Е. Ю. Измерение концентрации дефектов в объеме кристалла арсенида галлия, облученного импульсным электронным пучком. // Поверхность: Физ., химия, мех. -1986. N9. -С. 143−144.
- Arai Michio, Nishiyama Kazuo, Watanabe Naozo. Radiation annealing of GaAs implanter with Si. // Jap. J. Appl. Phys. -1981. -V.20, N2. -P. L124-L126.
- Grno J., Bederka S., Vesely M. Pulse radiation annealing of caples GaAs. // Phys. status solidi. -1983. -V.79, N1. -P. K41-K44.
- Suzuki Т., Sakurai H., Arai M. Infrared rapid annealing of Zn implanted GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1983. -V.43, N10. -P. 951−953.
- Nissim Y.I., Joukoff В., Sapriel J., Duhamel N. Annealing of high dose implanted GaAs with halogen lamps. // J. Phys. (Fr.), 1983, -V.44, N10, suppl., colloq. C5: Laser-Solid Interactions and Transient Thermal. Proc.
- Mater., Strasbourg, 25−27 Mai, 1983. -P. 247−251.
- Nissim Y.I., Joukoff В., Sapriel J., Henoc P. Annealing of high dose implanted GaAs with halogen lamps. // Energy Beam-Solid Interact, and Transient Therm. Processing. Symp., Boston, Mass., nov. 14−17, 1983. New-York e. a., 1984. -P. 675−679.
- Gibbons J.F., Dobkin D.M., Greiner M.E., Hoyt J.L., Opyd W.G. Device applications of rapid thermal processing. // Energy Beam-Solid Interact, and Transient Therm. Processing. Symp., Boston, Mass., nov. 14−17, 1983. New-York e. a., 1984. -P. 37−50.
- Lee Ho Sub, Cho Hoon Young, Kim Eun Kyu, Min Suk-Ki, Kang Tae Won, Hong Chi Yhou. Deep levels in Si implanted and rapid thermal annealed semi insulating GaAs. // J. Electron. Mater. -1991. -V.20, N2. -C. 203−206.
- Kuzuhara M., Nozaki T. Study of electron traps in n- GaAs rezulting from infrared rapid thermal annealing. // J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N9. -P.3131−3136.
- Itoh Т., Janai H. Stability of performance and interfacial problems in GaAs MOSFET’s. // IEEE Trans, on Electron. Dev. -1980. -ED-27, N6. -P.1037−1045.
- Kocot C., Stolte C. Backgating in GaAs MOSFET’s. // IEEE Trans, on Electron. Dev. -1982. -ED-29,N7. -P. 1059−1064.
- Берман JI.С. Емкостные методы исследования полупроводников. // Ленинград: Наука. -1972. -104 С.
- Берман Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. // Ленинград: Наука. -1981. -176 С.
- Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centres in GaP p-n junctions. // J. Appl. Phys. -1974. -V.45, N7. -P.3014−3022.
- Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. // J. Appl. Phys. -1974. -V.45, N7. -P.3023−3032.
- Кравченко А.Ф., Принц В. Я. Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. // Известия ВУЗов СССР, Физика. -1980. N1. -С.52−63.
- Lefevre Н., Schulz М. Double correlation technique (DDLTS) for the analysis of deep level profiles in GaAs and GaAs0.6Po.4- // IEEE Trans. Electron. Devices. -1977. -ED-24, N7. -P.973−978.
- Lefevre H., Schulz M. Double correlation technique (DDLTS) for analysis of deep level profiles in semiconductors. // Appl. Phys. -1977. -V.12, -P.45−53.
- Горн Л.С., Матвеев B.B., Хазанов Б. И., Шифрин А. В. Элементы схем ядерного приборостроения. // М.: Атомиздат. -1970. -374 С.
- Мунин В.Я., Голынкин З. Б., Минус В. Е., Лащик Л. И. Переносный транзисторный телевизор «Электроника ВЛ-100″. // М.: Связь. -1973. -103 С.
- Пешев В.В. Исследование и разработка методик измерения электрофизических параметров твердых растворов. // Отчет по НИР „Батуд“, гос. per. № У40 747, отр. рег.№ 7 000 705. -1978. -85 С.
- Асанов О.М., Градобоев А. В., Гранкина Н. Д., Кустов В. Г. Установка измерения профиля концентрации носителей в полупроводниках. // Электронная промышленность. -1981. N3. -С.41−42.
- Градобоев А.В., Кустов В. Г., Пешев В. В. Измерение профиля легирования в слоях полупроводников на барьере электролит-полупроводник. //Электронная техника, сер. Материалы. -1978. N.9. -С. 122−124.
- Вайсбурд Д.И. Кинетика накопления электронных центров в ЩГК под воздействием протонов. // Канд. дисс., Томск. -1965.
- Воробьев А.А., Кононов Б. А. Прохождение электронов через вещество. // Томск: издательство ТГУ. -1966. -178 С.
- Федоров Н.Д. Краткий справочник инженера-физика. Ядерная физика. Атомная физика. // М.: Атомиздат. -1961. -507 С.
- Власов Н.А. Нейтроны. // М.: Наука. -1971. -551 С.
- Miller G.L. A feedback method for investigation carrier distributions in semiconductors. // IEEE Trans. Electron. Dev. -1972. -ED-19, N10. -P.l 1 031 108.
- Copeland J.A. A technique for directly plotting the inverse doping profile of semiconductor waves. // IEEE Trans. Electron. -1969. ED-16, N5. -P.445−449.
- Broniatowski A. Transient capacitance mesurement on resistive samples. // J. Appl. Phys. -1983. -V.54, N6. -P.2907−2910.
- Ambrige Т., Factor M.M. An electrochemical technique for automatic depth profiles of carrier concentration. Gallium Arsenide and relat. compounds, 1974.
- Conf. Ser. N24, London and Bristol: The Institute of Physics, 1975. -P.320−330.
- Iida S., Ito K. Selective etching of Galium Arsenide crystals in H2S04 H202 -H20 system. // J. Electrochem. Soc. -V.118, N5. -P. 768.
- Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. // М.: Наука. -1981. -368 С.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В. Влияние электрического поля на накопление радиационных дефектов в арсениде галлия. // ФТП. -1982. -Т.16, N5. -С.912−914.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В., Чернов И. П. Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия. //ФТП. -1982. -Т.16, N12. -С.2126−2128.
- Брудный В.Н., Пешев В. В., Притулов A.M. Накопление ЕЗ центров в п-GaAs при у -облучении в интервале температур 77−500 К. // ФТП. -1988. -Т.22, N6. -С.1124−1126.
- Brudnyi V.N., Peshev V.V. Electric field effect on the temperature dependence of the (Ec -0.33 eV) center introduction rate under у -irradiation in n-GaAs. // Phys. Stutus Sol.(a). -1990. -V.118, N1. -P.219−224.
- Брудный В.Н., Пешев В. В., Притулов А. М. Температурная зависимость эффективности накопления ЕЗ (Ес 0,33 эВ) — центров при у -облучении п-GaAs. // Изв. вузов, Физика. Деп. в ВИНИТИ, per. N95-B88.
- Болотов В.В., Карпов А. В., Стучинский В. А. Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии. // ФТП. -1988. -Т.22, N1, С.49−55.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В. Профиль концентрации ЕЗ центров в обратносмещенных при облучении арсенидогаллиевых диодах. // ФТП. -1985. -Т.19, N1. -С.147−150.
- Martin G.M., Esteve Е., Langlade P., and Makram-Ebeid S. Kinetics of formation of the midgap donor EL2 in neutron irradiated GaAs materials.// J.Appl. Phys.-1984.-V.56,N10.-P.2655−2557.
- Немец О.Ф., Гофман Ю. В. Справочник по ядерной физике. // Киев: Наукова Думка. -1975. -415 С.
- Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. Пер. с англ. // М.: Мир. -1971. -367 С.
- Винецкий В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. // Киев: Наукова Думка. -1979. -335 С.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В. Зависимость степени влияния зарядового состояния на накопление глубоких центров от энергии атомов отдачи. // ФТП. -1983. -Т.17, N10. -С. 1771−1774.
- Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. Пер. с англ. М.: Мир. -1966. -291 С.
- Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Пер. с англ.-М.: Мир, 1985. -304 С.
- Scolfaro Luisa M.R., Fazzio A. Native defects and transition metal impurities at interstitial sites in GaAs.// Int. J. Quantum Chem. Quantum.Chem.Symp.-1989. -V.23. -P.678−685.
- Reinecke T.L. Pairs of intrinsic defects in 3−5 semiconductors: electronic states and interaction energies. // Physica 117B & 118B. -1983. -P.194−196.
- Potz W., Ferry D.K. Antisite defects in 3−5 semiconductors. // Phys. Review B. -1984. -V.29, N10. -P.5687−5693.
- Stievenard D., Bourgoin J.C. Defect-enhanced annealing by carrier recombination in GaAs. // Phys. Review B: Condenced Matter.-1986.- V.33, N12-I.- P.8410−8415.
- Brudnyi V.N., Peshev V.V. Electron traps in n-GsAs irradiated with high electron beam fluxes at high temperature. // Phys. Stat. Sol. (a).-1988.- V.105, N1.- K57−60.
- Stievenard D. Bourgoin J.C. Impurity defect interactions in GaAs. // J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N3. -P.743−747.
- Иванюкович В.А., Карась В. И., Ломако B.M. Структура пиков Е4 и Е5 в п-GaAs. // ФТП. -1990. -Т.24, N8. -С.1427−1430.
- Пешев В.В., Смородинов С. В. Высокотемпературное облучение арсенида галлия. // ФТП. -1997. -Т.31, N10. -С.1234−1235.
- Бакин Н.Н., Брудный В. Н., Пешев В. В., Смородинов С. В. Образование центров ЕЮ (Ес -0,62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и у облучениях. // ФТП.-1989. -Т.23, N5. -С.890−892.
- Пешев В.В., Смородинов С. В. Температурные зависимости накопления центров ЕЮ (Ес -0,62 эВ) в n-InP. // ФТП. -1990. -Т.24, N.5. -С.879−882.
- Brudnyi V.N., Peshev V.V., Smorodinov S.V. New metastable W-center in electron-irradiated n-type InP. // Phys. Stat. Sol.(a). -1989. -V.114, N2. -K.139−142.
- Пешев В.В., Смородинов С. В. Электронные свойства метастабильного W-дефекта в облученном InP. // Тезисы докладов. XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников, Киев, 23−25 октября, 1990 г., часть I, С.285−286.
- Брудный В.Н., Пешев В. В., Смородинов С. В. Электронные свойства метастабильного W-дефекта в InP. // Известия вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ, рег.№ 4677-В90.
- Brudnyi V.N., Peshev V.V., Smorodinov V.V. Characterization of W-defect in electron-irradiated InP. //Phys. Stat. Sol. -1991. -V.128, N1. -P.311−317.
- Пешев B.B., Смородинов C.B. W-дефект в InP. // ФТП. -1996. -T.30, N6. -С.979−984.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В. Влияние электрического поля на накопление и отжиг центров Е5 в арсениде галлия. // ФТП. -1983. -Т.17, N7. -С.1310−1311.
- Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория: пер. с англ.-М.: Мир, 1984. -264 С.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В. Накопление и отжиг глубоких центров в арсениде галлия при облучении нейтронами и а-частицами. // ФТП. -1984. -Т.18, N6. -Р.1003−1006.
- Мамонтов А.П., Пешев В. В., Чернов И. П. Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами. // ФТП. -1983. -Т.17, N7. -С.1242−1245.
- Брудный В.Н., Пешев В. В., Потапов А. И. Протонная „изоляция“ арсенида галлия. 6 Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. 8−10 сентября1987г. Сборник трудов, Т.1, Томск. -1987. -С.65−66.
- Пешев В.В., Ардышев В. М., Мамонтов А. П. Способ изготовления полупро-водниковой структуры. АС № 1 148 516, зарегистрировано 1 декабря 1984 г.
- Брудный В.Н., Колин Н. Г., Новиков В. А., Нойфех А. И., Пешев В. В. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами. // ФТП. -1997. -Т.31, N7. -С.811−815.
- Коноплева Р.Ф., Остроумов В. Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. // М.: Атомиздат. -1975. -128 С.
- Gossick B.R. Disordered region in semiconducters bombarded by fast neutrons. // J.Appl.Phys.-1959. V.30,N8. -P.1214−1218.
- Кечек А.Г., Кузнецов Н. И., Лебедев A.A. Влияние полосы глубоких уровней на форму пиков НЕСГУ. // Препринт № 1145, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Ленинград. -1987. -24 С.
- Брудный В.Н., Колин Н. Г., Потапов А. И. Глубокие ловушки в n-GaAs, облученном быстрыми нейтронами. // ФТП. -1993. -Т.27, N2. -С.260−263.
- Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defectivesemiconductors. // Physica B: Condensed Matter. -1995. -T.212. -P.429−435.
- Coates R. and Mitchell E.W.J. The optical and electrical effects of defects in irradiated crystalline gallium arsenide //Adv.Physics.-1975.- V.24, N5.-P.593−644.
- Костылев C.A., Шкут B.A. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. //Киев:"Наукова думка», 1978. -203 С.
- Hartke J.L. The three- dimensional Poole- Frenkel effect. // J.Appl.Phys. -1968. -V.39, N10. -P.4871−4873.
- Barnes C.E., Zipperian Т.Е., Dawson L. R Neutron- induced trapping levels in aluminum gallium arsenide. // J. Electronic Materials. -1985. --V.14, N2. -P. 95 118.
- Новиков В.А., Пешев В. В. Влияние неоднородного распределения дефектов в GaAs на спектры НЕСГУ. // ФТП. -1998. -Т.32, N4. -С. 411−416.
- Морозов Н.П., Тетельбаум Д. И., Павлов П. В., Зорин Е. И. // ФТП. -1975. -Т.9, N12. -С.2292−2296.
- Ардышев В.М., Мамонтов А. П., Пешев В. В., Притулов A.M., Суржиков А. П. Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия. // АС N1554670, Зарегистрировано 1.12. 1989 г.
- Ардышев В.М., Мамонтов А. П., Пешев В. В., Притулов A.M., Суржиков А. П. Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния. // VII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. 1988 г., Томск, часть III, С.242−243.
- Арсенид галлия в микроэлектронике/ Пер. с англ. под ред. Мордковича В. Н. М.: Мир, 1988. — 555 С.
- Полуизолирующие соединения АШВУ / Пер. с англ. под ред. Мильвидского М. Г. М.: Металлургия, 1984. — 580 С.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. — 256 С.
- Пешев В.В., Суржиков А. П., Ардышев В. М. Способ определения удельного объемного сопротивления полупроводниковых пластин. // Поло-жительное. решение по заявке № 4 952 976/21 (48 156) от 15.05.92 г.
- Костылев С.А., Прохоров Е. Ф., Уколов А. Т. Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки. // Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. -1986. Вып. 7 (1188). -С. 2−40.
- Kalukhov V.A., Chikichev S.I. The influence of isoelectronics impurities on intrinsic deep levels in liquid phase epitaxial gallium arsenide. // Phys. Stat. Sol.(a). 1985. — V.88, N1. — K59-K61.
- Usami К. Horio К. 2-D simulation of kink-related sidegating effects in GaAs-MESFETs. // Solid State Electronics. -1996. -Vol.39, N 12. -P. 1737−1745.
- Ардышев B.M., Пешев B.B., Суржиков А. П. Влияние различных видов отжига на свойства ионнолегированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs. // Физика и химия обработки материалов. -1998. N3. -С.91−95.
- Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. // Зарубежная радиоэлектроника. -1981. N.2. -С.3−49.
- Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа. -1975. -206 С.
- Установка НЕСГУ, действующая в отделе радиационной физики филиала ГНЦ РФ «НИФХИ им. Л. Я, Карпова», была разработана, изготовлена, смонтирована и запущена в эксплуатацию под руководством и при непосредственном участии Пешева В.В.
- В течение нескольких лет она эффективно используется для исследования спектров глубоких уровней, вызванных радиационными и ростовыми дефектами в полупроводниковых материалах и, в частности, в ядерно-легированном арсениде галлия.
- ГНЦ РФ «НИФХИ им. Л.Я. Карпова» (г.Обн
- Подпись заведующего отделом Колина Н.1
- Заведующий отделом кадров филиала1. В.А. Александров
- АКТ ВНЕДРЕНИЯ результатов научно-исследовательской работы «Батуд»
- Ответственный исполнитель- ст. инж. отд.№ 10 Пешев В.В.