Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния

Диссертация: Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Четвертым по распространенности на Земле элементом является кремний. Его соединения обладают весьма различными свойствами: от металлов до диэлектриков. Даже среди соединений кремния, представляющих интерес для термоэлектричества, кроме обычных полупроводников, существуют представители таких классов как полуметаллы, естественные сверхструктуры и материалы с малой подвижностью. В каждом из этих… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Материалы для термоэлектрических генераторов на основе моносилицидов переходных металлов группы железа
    • 1. 1. Физико-химические свойства моносилицидов кобальта, железа и никеля и их твердых растворов
    • 1. 2. Электрические свойства моносилицида кобальта и его твердых растворов с моносилицидами железа и никеля
      • 1. 2. 1. Структура энергетических зон моносилицида кобальта
    • 1. 3. Исследования оптических свойств моносилицида кобальта
      • 1. 3. 1. Исследование отражения в области плазменного минимума
      • 1. 3. 2. Применение анализа Крамерса-Кронига к исследованию отражения сильно поглощающих материалов
      • 1. 3. 3. Определение параметров зонной структуры с помощью исследования оптических свойств
      • 1. 3. 4. Возможности повышения термоэлектрической эффективности моносилицида кобальта
    • 1. 4. Влияние гидростатического сжатия на перекрытие энергетических зон в CoS
  • 2. Материалы на основе полупроводниковой фазы дисилицида железа
    • 2. 1. Свойства высших силицидов железа
      • 2. 1. 1. Состав и получение высших силицидов железа
      • 2. 1. 2. Кристаллическая структура высших силицидов железа
      • 2. 1. 3. Термоэлектрические свойства /3-фазы дисилицида железа
      • 2. 1. 4. Оптические свойства объемных образцов/? —FeS
    • 2. 2. Влияние различных факторов на разброс в термоэлектрических параметрах образцов /? — FeS
    • 2. 3. Особенности механизма проводимости в /3 — FeS
      • 2. 3. 1. Особенности механизма проводимости в /3 — FeSi2 при низких температурах
      • 2. 3. 2. Кинетические коэффициенты (3 — FeSi2 при средних температурах
      • 2. 3. 3. Перспективность эффекта увлечения носителей тока оптическими фононами для повышения термоэлектрической эффективности
  • 3. Материалы на основе силицидов марганца
    • 3. 1. Материалы на основе высшего силицида марганца
      • 3. 1. 1. Технология приготовления ВСМ и твердых растворов на его основе
      • 3. 1. 2. Микроструктура высшего силицида марганца
      • 3. 1. 3. Термоэлектрическая эффективность ВСМ
    • 3. 2. Материалы с порогом подвижности
    • 3. 3. Соединение Mn4Al3S
    • 3. 4. Особенности подбора материалов для термоэлементов
  • 4. Материалы на основе соединений Mg2X (X — Si, Ge, Sn, Pb)
    • 4. 1. Разработка высокоэффективных термоэлектриков n-типа на основе твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn
      • 4. 1. 1. Кристаллическая структура, физико-химические свойства и технология получения соединений Mg2X
      • 4. 1. 2. Термоэлектрические свойства соединений Mg2X
      • 4. 1. 3. Выбор наиболее перспективных составов твердых растворов
      • 4. 1. 4. Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника
      • 4. 1. 5. Термоэлектрические свойства твердых растворов Mg2SiixSnx с х =
    • 0. 4. и 0.6 в диапазоне рабочих температур
      • 4. 1. 6. Механизм проводимости в твердых растворах Mg2SiixSnx п-типа
      • 4. 1. 7. Сопоставление термоэлектрических свойств твердых растворов Mg2Si0.6Sn0.4 и Mg2Si0.4Sn
      • 4. 1. 8. Исследование возможностей дальнейшего улучшения термоэлектрических свойств твердых растворов Mg2Sio.6SnG.4 и Mg2Sio.4Sno
    • 4. 2. Твердые растворы Mg2SiixSnx и Mg2Ge! xSnx р-типа

Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время термоэлектрические преобразователи энергии нашли широкое применение в различных областях человеческой деятельности. Они широко используются как для охлаждения, так и для получения электрической энергии. Термоэлектрические генераторы незаменимы для электропитания космических аппаратов, работающих в дальнем космосе[233]. Они нашли широкое применение для питания систем катодной защиты трубопроводов, радиорелейных линий связи и прочих удаленных объектов[271]. Миниатюрные термоэлектрические генераторы используются для питания наручных часов за счет тепла человеческого тела[237]. Препятствием к более широкому распространению термоэлектрических генераторов является их невысокий коэффициент полезного действия (кпд).

Кпд (т]) термоэлектрического генератора определяется формулой: Тн — Тс М- 1 V Th M + Tc/Th 1 — здесь Г/j и Гс, соответственно температуры горячего и холодного спая, а М = /ZT + 1 параметр, определяемый качеством используемых термоэлектрических материалов и конструкцией термоэлемента. Первый сомножитель — это кпд цикла Карно, а второй является понижающим коэффициентом, связанным с термодинамической необратимостью термоэлектрического преобразования энергии. Параметр Z называется термоэлектрической эффективностью термоэлемента, а параметр ZT — безразмерной термоэлектрической эффективностью. В реальном случае все свойства термоэлектрических материалов зависят от температуры, поэтому в формулу (1) входит усредненное значение ZT безразмерной термоэлектрической эффективности. При идеальной конструкции термоэлемента его термоэлектрическая эффективность выражается формулой:

Z = ~ Sn)2.

АК+ J кп/On)2 ' где индексы пир относятся к ветвям термоэлемента, соответственно, с п— и р—типами проводимости, а символы S, а и к — их дифференциальная термоэдс, электрои теплопроводность, соответственно.

Можно ввести термоэлектрическую эффективность одного материала, как термоэлектрическую эффективность термоэлемента, материалы ветвей которого отличаются только знаком термоэдс:

Термоэлектрическая эффективность существующих материалов невысока (обычно ZT ~ 1). Это приводит к тому, что кпд большинства существующих термогенераторов не превышает 10%. Дополнительным сдерживающим фактором, препятствующим широкому распространению термогенераторов даже в таких задачах, как преобразование в электроэнергию бросового тепла (в этом случае величина кпд не является прямым определяющим фактором), является то обстоятельство, что большинство наиболее эффективных термоэлектрических материалов содержат дефицитные и токсичные компоненты.

Четвертым по распространенности на Земле элементом является кремний. Его соединения обладают весьма различными свойствами: от металлов до диэлектриков. Даже среди соединений кремния, представляющих интерес для термоэлектричества, кроме обычных полупроводников, существуют представители таких классов как полуметаллы, естественные сверхструктуры и материалы с малой подвижностью. В каждом из этих классов необходимо найти свой метод повышения термоэлектрической эффективности. Тем не менее, разнообразие свойств соединений кремния и доступность этих материалов позволяет надеяться на возможность создания весьма эффективных термоэлектриков на основе соединений кремния. Поэтому разработка эффективных термоэлектриков на основе соединений кремния является весьма актуальной.

Термоэлектриков среди соединений кремния пока найдено не так уж много. Это моносилицид кобальта, высшие силициды 3dи 4с1-переходных металлов (CrSi2, MnSi^i.7, FeSi2, Ru2Si3), силицид магния. Некоторые свойства этих соединений приведены в таблице 0.1. Для реального использования этих материалов в термоэлектрических устройствах необходимо сколько возможно повысить их эффективность и решить ряд вопросов связанных с коммутацией этих материалов в пары.

Как правило, эти материалы имеют только один тип проводимости, и для создания термоэлементов из таких материалов необходимо подбирать пары из материалов с сильно различающимися физическими свойствами. Такие термоэлементы можно назвать неоптимальными термоэлементами. Некоторые вопросы использования таких термоэле.

Таблица 0.1: Некоторые свойства силицидов, которые могут быть использованы в термоэлектрическом преобразовании энергии.

Материал Температура плавления, К Тип проводимости ZTiпах Eg, ЭВ.

CoSi 1700 п 0.2 0.016.

CrSi2 1763 р 0.25 0.7.

MnSii.7 1430 р 0.7 0.66.

FeSi2 1490 п 0.2 0.87.

FeSi2 1490 р 0.2 0.87.

Ru2Si3 1970 п 0.4 1.1.

Ru2Si3 1970 р 0.27 1.1.

Mg2Si 1375 п 0.3 0.77 ментов будут обсуждены в работе.

Материалы, содержащие соединения кремния, имеют разные механизмы проводимости и разные перспективы повышения термоэлектрической эффективности. Только поняв механизмы, определяющие термоэлектрические свойства, этих материалов можно оценить их перспективы в качестве термоэлектриков.

Целью настоящей работы является исследование возможностей повышения термоэлектрической эффективности различных термоэлектрических материалов на основе соединений кремния.

Научная новизна.

Запишем формулу (3) в виде:

Z- — - S2° - S2eUU (4) к ~ Кь + LoT ~ kl + eLnuT ^ здесь kl — решеточная составляющая теплопроводностиL — число Лоренцае — заряд электронап — концентрация носителей токаи — их подвижность. k, l зависит только от особенностей фононного спектра и механизма рассеяния фононов. и зависит от особенностей энергетического спектра носителей тока и механизма их рассеяния, п также зависит от особенностей энергетического спектра носителей тока, выражаемых через эффективную массу плотности состояний (m.

Zmax ~ mj2—- (5).

KL.

Или, выражая подвижность через время релаксации (г) и эффективную массу проводимости (т*), получим:

3/2.

7 га<* Г ffi.

Лтах ~ -Г——1Ь) т* kl.

Из формулы (6) видно, что максимальная термоэлектрическая эффективность определяется двумя сомножителями. Первый из них полностью определяется энергетическим спектром носителей тока, а второй механизмами рассеяния носителей тока и фононов, а также фононным спектром. На протяжении многих лет в теории термоэлектричества первому сомножителю не уделялось достаточно внимания и основные усилия были направлены на понижение теплопроводности кристаллической решетки, стараясь при этом не слишком увеличить рассеяние носителей тока. Как известно из теории теплопроводности твердых тел (см., например, [53]), основной вклад в перенос тепла дают акустические фононы, они же дают основной вклад в рассеяние носителей тока при повышенных температурах. Отсюда следует, что возможность повышения термоэлектрической эффективности за счет второго сомножителя весьма ограничена. Иногда, даже когда реальное повышение эффективности было получено за счет изменения энергетического спектра носителей тока, повышение Z приписывалось понижению теплопроводности решетки. В частности это произошло с заполненными скуттерудитами[257] (подробно этот вопрос рассмотрен в работе [259]).

Для того чтобы разработать термоэлектрический материал необходимо выполнить две группы условий — «термоэлектрические» и «технологические». Конечно, выполнение этих условий тесно взаимосвязано, но, тем менее, их можно разделить следующим образом:

Термоэлектрические" :

1. Минимизировать решеточную теплопроводность.

2. Оптимизировать параметры зонного спектра.

Технологические" :

1. Найти способ создания необходимой концентрации носителей заряда.

2. Обеспечить получение однородных образцов с воспроизводимыми свойствами.

Очередность «термоэлектрических» условий ранее рассматривалась именно в таком порядке, как указано выше. То есть, для создания термоэлектрика необходимо найти состав твердого раствора, обеспечивающего минимальную теплопроводность, а уж если удастся, то модифицировать состав так, чтобы он обеспечивал необходимую ширину запрещенной зоны.

Выполнение данной работы показало, что во многих случаях более важной является вторая задача, то есть, оптимизация энергетического спектра носителей тока.

В настоящей работе впервые проанализированы возможности повышения эффективности термоэлектриков на основе соединений кремния за счет оптимизации энергетического спектра носителей тока и обсуждены возможности практической реализации того или иного механизма изменения этого спектра.

Практическая ценность.

Существенным недостатком ТЭГ, ограничивающим их широкое применение, является высокая стоимость вырабатываемой ими электроэнергии. Из чего складывается эта стоимость? Рассмотрим формулу (7):

Se~(Sf + Sg)/(Tw-Pg). (7).

Здесь Se — стоимость единицы электроэнергии, Sg — стоимость ТЭГ, Sf — стоимость топлива, израсходованного за время эксплуатации, Tw — время эксплуатации, Рд — мощность ТЭГ. Первый член в формуле (7) — Sf/(TW • Рд) пропорционален коэффициенту полезного действия ТЭГ, и, согласно теории термоэлектрического преобразования (см. например [11]), определяется используемыми материалами и рабочим интервалом температур. Второй член — Sg/(Tw-Pg) определяется стоимостью генератора (приведенной к единице мощности) и уменьшается при увеличении срока службы ТЭГ. Наиболее доступными путями повышения кпд являются использование более эффективных материалов, увеличение рабочего интервала температур и создание каскадных ТЭГ. Применение термоэлектриков на основе соединений кремния позволяет решить ряд задач во всех трех подходах.

В тоже время существует ряд задач получения электроэнергии, когда стоимость топлива является несущественной. Такими задачами являются, например, питание цепей управления различного рода отопителей, использование отходов тепла отходящих газов двигателей внутреннего сгорания и т. п. В этом случае определяющим является второй член формулы (7). При создании ТЭГ, направленных на решение подобных задач, основной проблемой становится не только повышение эффективности используемых материалов, но и снижение стоимости и материалоемкости ТЭГ.

Существенным вопросом также является экологическая безопасность применяемых материалов. В отличие от большинства применяемых в настоящее время термоэлектриков, материалы на основе соединений кремния не содержат токсичных компонентов и не представляют опасности для окружающей среды как при работе, так и при утилизации.

Решение вопросов, рассмотренных в диссертации, позволит открыть более широкие возможности для использования материалов на основе соединений кремния в реальных термоэлектрических устройствах. На основе исследований материалов улучшены их свойства, создан и испытан ряд прототипов термоэлектрических устройств.

Рассмотренные в диссертации вопросы представляют интерес не только для теории и практики термоэлектрического преобразования энергии, но также полезны для разработки оптоэлектронных приборов, внесен заметный вклад в некоторые вопросы физики полупроводников.

Основные положения, выносимые на защиту.

На защиту выносятся следующие результаты:

1. Впервые проанализированы возможности повышения термоэлектрической эффективности термоэлектрических материалов на основе соединений кремния и показано, что возможно значительное повышение термоэлектрической эффективности за счет оптимизации энергетического спектра носителей тока в этих материалах.

2. Исследованы возможности изменения естественных сверхструктур в материалах на основе высшего силицида марганца и влияния параметров сверхструктур на термоэлектрические свойства материала. Показано, что оптимизация параметров сверхструктур может быть использована для повышения термоэлектрической эффективности.

3. Впервые проведены экспериментальные исследования эффекта увлечения носителей тока оптическими фононами и показано, что этот эффект может быть использован для существенного повышения термоэлектрической эффективности.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием хорошо апробированных экспериментальных методик, тщательным контролем качества образцов и комплексным характером исследований. При возможности сопоставления с литературными данными наблюдается хорошее согласие вновь полученных данных с литературными. Результаты, полученные различными методами, хорошо воспроизводятся, взаимно согласуются и укладываются в рамки единых теоретических представлений.

Краткое содержание работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Основные результаты работы состоят в следующем:

Показано, что в материалах на основе соединений кремния возможно значительное повышение термоэлектрической эффективности за счет оптимизации энергетического спектра носителей тока.

Проведены экспериментальные и теоретические исследования твердых растворов соединений Mg2X в широком диапазоне составов твердых растворов и концентраций носителей тока.

На основе предложенного подхода разработан термоэлектрический материал п-типа, который является лучшим в температурном диапазоне 580−830 К, и практически во всем температурном диапазоне он более чем в полтора раза лучше, чем аналогичный материал, известный до начала настоящей работы.

Показано, что существование порога подвижности в полупроводниках может приводить к существенному увеличению термоэлектрической эффективности.

Усовершенствована система легирования и разработан термоэлектрический материал р-типа на основе высшего силицида марганца, термоэлектрическая эффективность которого в интервале температур 600−850 К значительно превосходит ранее достигнутую в материалах на основе ВСМ.

Определены условия достижения максимальной термоэлектрической эффективности в полупроводниках с двумя зонами проводимости (валентными), разделенными небольшим энергетическим зазором.

Показано, что эффект увлечения носителей тока оптическими фононами может приводить к существенному увеличению термоэлектрической эффективности.

Показано, что наиболее вероятной причиной особенностей явлений переноса в /3—FeSi2 является эффект увлечения носителей тока оптическими фононами.

Исследовано влияние различных факторов на слоистую микроструктуру в ВСМ и показано, что она может быть целенаправленно изменена за счет соответствующего введения примесей. Изменение микроструктуры влияет не только на уровень термоэлектрических свойств, но и на их температурную зависимость.

Разработана методика анализа оптических свойств полуметаллов и сильно легированных полупроводников, не имеющих окна прозрачности в спектре поглощения. Предложен новый метод коррекции фазы при обработке спектров отражения по соотношениям Крамерса-Кронига, при использовании которого спектр поглощения определяется только на основе исследования отражения.

Проведено комплексное исследование термоэлектрических параметров и оптических свойств моносилицида кобальта и его твердых растворов NiSi и FeSi, которое позволило определить параметры электронного спектра носителей тока вблизи уровня Ферми и показало направление воздействия на материал для повышения его термоэлектрической эффективности.

На основании исследования влияния гидростатического сжатия на термоэдс и электропроводность моносилицида кобальта и его твердых растворов с моносилицидом железа при давлениях до 1.2 ГПа при комнатной температуре впервые установлено, что уменьшение постоянной решетки на 1% приводит к уменьшению энергии перекрытия на 0.013 эВ.

При рассмотрении возможности создания эффективного термоэлектрического материала n-типа на основе силицидов марганца исследованы эффекты переноса тепла и заряда соединения M^A^Sis. Показано, что в широком температурном диапазоне наблюдаются различные знаки термоэдс и коэффициента Холла. Проведенный анализ показал, что наиболее вероятной причиной этого эффекта является сильное межзонное рассеяние носителей тока.

Исследована возможность создания эффективного термоэлектрика р-типа на основе твердых растворов соединений Mg2X. Показано, что в этом случае вполне возможно создать термоэлектрики р-типа, которые могут эффективно использоваться в паре с наиболее эффективными термоэлектриками n-типа на основе твердых растворов соединений Mg2X.

В заключение выражаю глубокую благодарность сотрудникам лаборатории физики термоэлементов, которые оказывали всяческую поддержку автору и без помощи которых эта работа не могла состояться, и, особенно, с.н.с. В. К. Зайцеву, в тесном сотрудничестве с которым сделано большинство работ автора.

Также выражаю благодарность сотрудникам исследовательского центра Коматсу.

Лтд. (Япония) И. Аояме и Л. Раушеру и сотрудникам Японского института передовой науки и техники (JAIST) М. Курису и Т. Тсуджи за помощь в проведении ряда экспериментов и расчетов.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ш. Ш., Ирхин Ю. П. О причине разных знаков термоэдс и Холл-эффекта в благородных металлах. ФТТ, т.11, В.10, сс.2756−2758.
  2. Н.Х. Исследование системы Fe-Si в области соединения FeSi2. Изв. сектора физ.-хим. анализа ИОНХ АН СССР, 1956, Т.27, сс. 157−163.
  3. Н.Х., Иванова Л. Д. Исследование монокристаллов твердого раствора высшего силицида марганца с FeSi2. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1974, Т. 10, В.6, сс. 1016−1022.
  4. Н.Х., Иванова Л. Д. Исследование легированных монокристаллов высшего силицида марганца. Легированные полупроводники, М., Наука, 1975, с.86−89.
  5. Н.Х., Иванова Л. Д., Громова Л. В. Определение эффективных коэффициентов распределения Cr, Fe и Ge в высшем силициде марганца. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1973, Т.9, В. З, сс.489−491.
  6. Н.Х., Иванова Л. Д., Муравьев В. Г. Получение и исследование монокристаллов твердых растворов высшего силицида марганца с Ge и CrSi2. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1972, Т.8, В.7, сс.1194−1200.
  7. Н.Х., Иванова Л. Д., Петрова Л. И. Система MnSii.72-FeSi2. Изв. АН СССР- Неорг. материалы, 1974, Т.10, В.12, сс.2226−2227.
  8. Н.Х., Иванова Л. Д., Роднянская Н. М. Получение и исследование соединений марганца с алюминием и кремнием. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1969. Т.5. В 4. сс.797−798.
  9. Н.Х., Петрова Л. И. Получение кристаллов низкотемпературной модификации FeSi2. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1975, Т.11, В.2, сс.223−225.
  10. Л.И. Метод дисперсионных соотношений. Душанбе, «Ирфон», 1973.
  11. Jl.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Киев, «Наукова думка», 1979, 768 с.
  12. Л.П., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В. Валентные состояния атомов в моносилицидах некоторых переходных металлов при пониженных температурах. ФММ, 1965, Т. 19, сс.784−786.
  13. Л.П., Гельд П. В. Коэффициенты термического расширения и модули упругости силицидов железа. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1965, № 2, сс.111−117.
  14. А.И.Ансельм. Введение в теорию полупроводников, М.-Л., ГИФМЛ, 1962, 420 с.
  15. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л., Наука, 1970, 320 с.
  16. М.В. Восстановление инфракрасного спектра диэлектрической проницаемости из спектров комбинационного рассеяния. ФТТ, 1973, Т. 15, сс.1206−1212.
  17. М.В., Погарев Д. Е. Дисперсионный анализ сложных спектров отражения. Опт. и спектроск., 1975, Т.38, сс.1018−1020.
  18. А.С. Кремний и его бинарные системы. Киев, 1958, с. 199.
  19. Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М. ГИИЛ, 1948.
  20. Н.Б., Журова Е. А., Симонов В. И., Дюжева Т. Н., Бенделиани Н. А. Кристаллическая структура фазы высокого давления Mg2Sni.i. Кристаллография, 1996, Т.41, В.4, сс.651−658.
  21. Н.А., Большаков К. А., Федоров П. И., Цирлин М. С. Авт. свид. СССР, N 150 495 от 1962.10.11, Бюлл. Изобр. Щ5.
  22. А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств. 1962, Москва, ГИФМЛ, 136 с.
  23. Л.И., Гудкин Т. С., Иорданишвили Е. К., Казьмин С. А., Кайданов В. И., Немов С. А., Равич Ю. И. Влияние потенциальных барьеров на термоэлектрические свойства халькогенидов свинца. ФТЦ 1977, Т.11, В.8, сс.1522−1526.
  24. В.И., Чмель А. Е. Расчет оптических постоянных слабых полос поглощения методом Крамерса-Кронига. Ж.прикл. спектроскопии, 1973, Т. 19, сс.943−945.
  25. Р.А., Герасимов Я. Н., Гейдерих В. А. Активность железа в твердых растворах кремния в железе. ЖФХ, 1965, Т.39, сс. 1229−1232.
  26. А.В., Енгалычев А. Э., Зайцев В. К., Иванов В. Ю., Ктиторов С. А., Марчук Н. Д., Ордин С. В., Федоров М. И. Несоразмерность структуры и свойства высшего силицида марганца. Силициды Труды ИОФАН, Т.32. 1991, М., Наука, сс.89−109.
  27. .К., Дудкин Л. Д., Трусова Н. Н. Анизотропия термоэлектрических свойств в монокристаллах дисилицида хрома и высшего силицида марганца. Кристаллография, 1967, Т.12, В. сс.519−521, 1137
  28. .К., Дудкин Л. Д., Трусова Н. Н. К физико-химической природе моносилицидов с решеткой типа FeSi. Хим. связь в полупроводниках, Минск, Наука и Техника, 1969, сс.273−284
  29. .К., Дудкин Л. Д., Трусова Н. Н. Исследование условии синтеза некоторых силицидов переходных металлов в твердой фазе. Порошковая Металлургия, 1974, В.12(144), сс.13−17.
  30. П.В. Термические и термоэлектрические свойства сплавов кремния с переходными металлами. ЖТФ, 1957, Т.27, В.1, сс.113−118.
  31. П.В., Коршунов В. А., Петрушевский М. С. Некоторые особенности жидких сплавов кремния с железом, марганцем и хромом. Изв. АН СССР, Металлургия и топливо, 1960, № 6, с.129
  32. П.В., Коршунов В. А., Гертман Ю. М., Петрушевский М. С. О структуре расплавленных силицидов железа и марганца. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1962, Т.122, сс.40−48.
  33. П.В., Кренцис Р. П. О некоторых теплофизических характеристиках силицидов железа. ФММ, 1963, Т.15, сс.63−71.
  34. П.В., Летун С. М., Серебренников Н. Н. К термодинамике высшего силицида марганца. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1966, № 12, сс.5−13.
  35. П.В., Серебренников Н. Н., Коршунов В. А. О теплотах плавления силицидов. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1958, № 7, сс.53−62.
  36. П.В., Серебренников Н. Н., Сохарев П. М. Термическое расширение кремния и его сплавов с железом. ФММ, 1956, Т.2, В.2, сс.244−253.
  37. П.В., Сидоренко Ф. А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.: «Металлургия», 1971. 584 с.
  38. Ю.М., Гельд П. В. К термохимии силикомарганца. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1969, № 9, сс. 15−27.
  39. Е.И. Кристаллические структуры соединений и фазовые равновесия в тройных системах двух переходных металлов и кремния. Порошковая металлургия, 1962, № 4, сс.46−49.
  40. В.М., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники. 1967, М., «Наука», 244 с.
  41. Ю.М., Козловская Т. М., Масленникова Э. Г. О теплотах образования и теплоемкостях в системе марганец-кремний. ЖФХ, 1963, Т.37, В.6, сс.1362−1368.
  42. А.И., Липатова В. А., Гельд П. В. Влияние распада лебоита на электрические свойства сплавов железа с кремнием. ФММ, 1959, Т.7, N.2, сс.316−317.
  43. А.И. Электропроводность и термоэлектродвижущая сила лебоита. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1959, Т.92, сс.59−65.
  44. .М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. 1972, М., Наука, 320 с.
  45. М.М. Эллипсометрия, М. Сов.Радио., 1974.
  46. .Ф., Константинов П. П. Автоматическое измерение эффекта Холла и электропроводности в сильно легированных полупроводниках. ПТЭ. № 5 (1972), сс. 225−227.
  47. К.Н., Гельд П. В., Серебренников Н. Н. Теплоемкость и термическое расширение сплавов кремния с железом, хромом и марганцем. Физико-химические основы производства сталей, Изд. АН СССР, 1957, сс.350−369.
  48. JI.A., Попова О. И., Дереновская Н. А. Получение и некоторые химические свойства силицида магния. Порошковая металлургия, 1969, N5 (77), с.29−32.
  49. Е.А., Сидоренко Ф. А., Бортник А. Н. Механизмы рассеяния в разбавленных твердых растворах CoixFexSi. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1970, Т.186, сс.158−160.
  50. Е.А., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В., Радовский И. З. Электрические и магнитные свойства моносилицида железа и твердых растворов FeixNixSi. Изв. АН СССР, неорг. материалы, 1969, Т.5, сс.305−311.
  51. Е.А., Сидоренко Ф. А., Радовский И. З., Михельсон А. В. Электрические свойства и магнитная восприимчивость сплавов системы FeSi-CrSi. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т.167, сс.69−74.
  52. Е.А. Твердые растворы FeSi и NiSi. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т.167, сс.127−128.
  53. Л.Д., Кузнецова Е. С. Исследование системы Mn-Si в области богатой кремнием. ДАН СССР, 1961, т.141, В.1, сс.94−97
  54. Л.Д., Кузнецова Е. С. Исследование электрофизических свойств сплавов на основе полупроводниковых дисилицидов хрома и марганца. Порошковая металлургия, 1962, № 6 (12), сс.20−31.
  55. В.М., Кухарский А. А., Субашиев В. К. Эффективные массы и времена релаксации тяжелых и легких дырок в германии. ФТТ, 1971, Т.13, сс.2890−2895.
  56. А.Э., Рахимов К. А. Электрические свойства и теплопроводность некоторых твердых растворов на основе ВСМ. VI Республиканская школа молодых физиков, 1981, Ташкент, ИЯФ АН УзССР, с. 120
  57. В.Н., Лукашенко Г. М. Термодинамические свойства силицида магния. ЖНХ, 1964, Т.9, В.10, сс.2295−2296.
  58. В.Н., Лукашенко Г. М. Термодинамические свойства германида магния. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1965, T. l, В.8, сс.1296−1297.
  59. В.Н., Лукашенко Г. М., Сидорко В. Р. Термодинамические свойства силицидов марганца Порошковая металлургия, 1964, № 5, сс.49−51.
  60. В.Н., Лукашенко Г. М., Сидорко В. Р. О термодинамических свойствах силицидов марганца (Сообщение 3) Порошковая металлургия, 1969, № 2(74), сс.74−76.
  61. В.В., Зайцев В. К., Енгалычев А. Э., Ктиторов С. А. Тепловое расширение в высшем силициде марганца. Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей. (Тезисы докладов Всес. семинара), Л., 1985, сс.80−81.
  62. Н.Н., Степанова А. А. Рентгенографическое определение коэффициентов термического расширения моносилицидов марганца и кобальта. Атомная энергия, 1962, Т.13, В.2, сс. 183−184.
  63. Д.Займан. Принципы теории твердого тела. «Мир», М., 1966.
  64. В.К., Енгалычев А. Э. Особенности явлений переноса в материалах на основе высшего силицида марганца. Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей (Тезисы докладов Всес. семинара), 1985, Л., сс.78−79.
  65. В.К., Енгалычев А. Э., Ктиторов С. А., Петров Ю. В., Рахимов К. А. Несоизмеримые структуры и кинетические свойства высшего силицида марганца и некоторых материалов на его основе. Препринт ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, № 856, Л., 1983, 48 с.
  66. В.К., Енгалычев А. Э., Рахимов К. А. Теплопроводность высшего силицида марганца и некоторых твердых растворов на его основе. Республиканская школа молодых ученых, 1982, Фергана, сс.33−35.
  67. В.К., Ктиторов С. А., Калязин А. Е., Марчук Н. Д., Ордин С. В. Тепловое расширение в высшем силициде марганца. ФТТ, 1992, Т.34, В.8, сс.2589−2594.
  68. В.К., Ктиторов С. А., Петров Ю. В. Увлечение малых поляронов. Материалы для термоэлектрических преобразователей, 1987, Л., сс.36−36.
  69. В.К., Никитин Е. Н., Ткаленко Э. Н. Ширина запрещенной зоны в твердых растворах Mg2Si-Mg2Sn. ФТТ, Т.11, В.12 (1969), сс.3584−3587.
  70. В.К., Никитин Е. Н. Электрические свойства, теплопроводность и ширина запрещенной зоны Mg2Sn при высоких температурах. ФТТ, 1970, Т.12, В.2, сс.357−361.
  71. В.К., Ордин С. В., Енгалычев А. Э., Соболев М. М., Петрановский В. П. Температурная динамика концентрационных солитонов в высшем силициде марганца. Термоэлектрические источники тока, Тезисы докладов. Ашхабад, «Ылым», 1986, сс.16−17.
  72. В.К., Ордин С. В., Рахимов К. А., Енгалычев А. Э. Особенности кристаллической структуры и термоэдс высшего силицида марганца. ФТТ, 1981, Т.23, В.2, сс.621−623.
  73. В.К., Ордин С. В., Тарасов В. И., Федоров М. И. Плазменное отражение в CoSi в интервале температур 80 300 К. ФТТ, 1979, Том 21, В.5, ссс. 1541−1544.
  74. В.К., Ордин С. В., Тарасов В. И., Федоров М. И. Оптические свойства высшего силицида марганца. ФТТ, 1979, Т.21, В.8, сс.2517−2520.
  75. В.К., Петров Ю. В., Федоров М. И. Кинетические свойства и термоэлектрические параметры частично неупорядоченных систем с порогом подвижности. ФТП, 1979, Т.13, В.7, сс.1359−1363.
  76. В.К., Петров Ю. В., Федоров М. И. Электронная теплопроводность в системах с порогом подвижности. ФТП, 1979, Т.13, В.10, сс.2025−2026.
  77. В.К., Рахимов К. А., Енгалычев А. Э. Высший силицид марганца, как материал для термоэлектрических преобразователей. Гелиотехника, 1983, В. З, сс. 15−17.
  78. В.К., Тарасов В. И., Адилбеков А. Переход металл-неметалл в компенсированном высшем силициде марганца. ФТТ, 1975, Т. 17, В.2, сс.581−584.
  79. В.К., Ткаленко Э. Н., Никитин Е. Н. Решеточная теплопроводность твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn, Mg2Ge-Mg2Sn и Mg2Si-Mg2Ge. ФТТ, 1969, Т.11, В.2, сс.274−279.
  80. В.К., Федоров М. И. О корректировке фазы в анализе Крамерса-Кронига, Оптика и спектроскопия, 1978, Т.44, В. б, сс.1186−1189.
  81. В.К., Федоров М. И., Ордин С. В., Тарасов В. И. Плазменное отражение CoSi в интервале температур 80 300 К. ФТТ, 1978, Т.20, В.5, сс.1541−1544.
  82. В.К., Федоров М. И. Особенности оптимизации параметров и энергетические возможности термоэлектрических материалов на основе соединений кремния. ФТП, Т.29, В.5 (1995) сс.946−960.
  83. В.К., Федоров М. И., Зюзин А. Ю. О термоэлектрической эффективности материалов на основе моносилицида кобальта. Гелиотехника, 1981, В.4, сс.18−21.
  84. В.К., Федоров М. И., Рахимов К. А., Енгалычев А. Э., Попов В. В. Решеточная теплопроводность и спектры отражения высшего силицида марганца и некоторых твердых растворов на его основе. ФТТ, 1984, Т.26, В. 3, сс.819−824.
  85. В.К., Федоров М. И., Тарасов В. И., Адилбеков А. Плазменное отражение в CoSi и твердых растворах Co^N^Si. ФТТ, 1977, Т.19, В.6, с. 1707−1710.
  86. Л.П., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В. Структурные особенности е-фазы в системе Co-Si. Изв. ВУЗов, Цветная металлургия, 1964, № 2, с.146−151.
  87. Ю.В., Зайцев В. К., Федоров М. И. Вклад неравновесных оптических фононов в эффекты Пельтье и Зеебека в полярных полупроводниках. ФТТ, 1998, Т.40, В.7, сс.1209−1215.
  88. Л.Д., Абрикосов Н. Х., Елагина Е. И., Хвостикова В. Д. Получение и исследование свойств монокристаллов высшего силицида марганца. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1969, Т.5, В.11, сс.1933−1937.
  89. В.Н. Электрические свойства сплавов железа с кремнием при высоких температурах. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1959, Т.92, сс.42−51- Игишев В. Н. Электрические свойства железо-кремнистых сплавов при высоких температурах. там же, сс.52−58.
  90. В.Н. Термоэлектродвижущая сила сплавов частной системы FeSi-Si. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1961, Т. 114, сс.67−74.
  91. В.Н., Гельд П. В. Температурная зависимость электропроводности лебоита, ФММ, 1959, Т.7, В. З, с.463−465.
  92. В.Н., Гельд П. В. Электропроводность твердых растворов кремния в железе при повышенных температурах. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1960, № 2, сс.90−99.
  93. Е.К. Эффективность термоэлектрического материала, используемого в широком интервале температур. ЖТФ, 1967, Т.37, В.2, сс.384−386.
  94. В.И., Черник И. А., Ефимова Б. А. Исследование зонной структуры и механизма рассеяния носителей тока в теллуриде олова. ФТП, 1967, Т.1. В.6. сс.869−879.
  95. В.И., Целищев В. А., Иесалниек И. К., Дудкин Л. Д., Воронов Б. К., Тру-сова Н.Н. Исследование зонной структуры моносилицида железа. ФТП, 1968, Т.2, В.4, сс.463−471.
  96. В.И., Ляхина Л. С., Целищев В. А., Воронов Б. К., Трусова Н. Н., Дудкин Л. Д. О зонной структуре и механизме рассеяния в CoSi. ФТП, 1967, Т.1, сс.1106−1108.
  97. Г. И., Матвеев Г. А., Андреева Л. П., Родионов К. П., Гельд П. В. Расчет разности Ср — Cv для некоторых силицидов Зс1-переходных металлов. ЖФХ, 1969, Т.43, сс.2604−2607.
  98. Г. И., Гельд П. В., Кренцис Р. П. Теплоемкость, энтальпия и энтропия моносилицида кобальта. Теплофизика высоких температур, 1964, Т.2, сс.16−20.
  99. Г. И., Гельд П. В., Путинцев Ю. В. Теплоемкость, энтальпия и энтропия моносилицидов хрома и никеля. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т. 167, сс.152−154.
  100. Г. И., Гельд П. В., Кренцис Р. П. Электронные теплоемкости моносилицидов хрома, марганца и кобальта. Изв. ВУЗов, Физика, 1974, № 11, с.155−157.
  101. О.Г., Евсеев В. А. Кристаллическая структура Mn4Siy. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1969, Т.5, сс.525−529.
  102. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978, 792 с.
  103. Л.И., Попов Ю. В., Романенко В. П., Соболев В. В., Сидоров А. Ф. Получение и исследование некоторых свойств соединений систем Со Ge и Со — Si. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1970, Т.6, сс. 1228−1231.
  104. Н.В. Влияние межзонных переходов на термоэлектрические свойства вещества. ФТТ, 1966, Т.8, В.4, сс.997−1003.
  105. П.П., Прокофьева Л. В., Равич Ю. И., Федоров М. И., Компаниец В. В. Особенности термоэлектрических свойств слабо легированных твердых растворов Bi2(TeSe)3. ФТП, 2004, Т.38, В.7, сс.811−815.
  106. П.П., Прокофьева Л. В., Федоров М. И., Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю. И., Компаниец В. В., Чистяков В. А. Кинетические коэффициенты n-Bi2Te2.7Seo.3 в двузонной модели. ФТП, 2005, Т.39, В.9, сс.1059−1063.
  107. В.А., Гельд П. В. О решеточных и электронных теплоемкостях моносилицидов Cr, Mn, Fe, Со. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1970, Т.6, сс.1964−1968.
  108. В.А., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В., Давыдов К. Н. О фазовых составляющих системы MnSi-Si. ФММ, 1961, Т.12, В.2, сс.277−284.
  109. В.А., Гельд П. В. Об электрических свойствах высшего силицида марганца ФММ, 1961, Т.11, В.6, сс.945−947.
  110. В.А., Гельд П. В. Термоэлектрические свойства высшего силицида марганца. Термоэлектрические свойства полупроводников, М.-Л., Изд-во АН СССР, 1963, сс.79−85.
  111. В.А., Гельд П. В. О характере дефектов в решетке высшего силицида марганца. ФММ, 1964, Т.17, N.2, сс.292−293.
  112. Р.П., Гельд П. В., Калишевич Г. И. К термохимии силицидов железа. Теплоемкость, энтальпия и энтропия FeSi и FesSis. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1963, № 9, сс.161−168.
  113. Р.П., Гельд П. В., Калишевич Г. И., К термохимии силицидов железа. Теплоемкость, энтальпия и энтропия лебоита. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1963, № 11, сс.146−152.
  114. Р.П., Калишевич Г. И., Гельд П. В., Андреева JI.П. Термическое расширение моносилицидов Mn, Fe, Со, Сг. Изв. ВУЗов, Физика, 1972, № 1, сс.153−155.
  115. С.Г., Соболев В. В. Структура энергетических зон кристаллов Mg2Si, Mg2Sn и их некоторых твердых растворов. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.1, сс.50−54.
  116. С.Г., Соболев В. В., Сырбу Н. Н., Шутов С. Д. Энергетическая структура зон кристаллов групп IV, III-V, II-VI и типа Mg2Si. Химическая связь в полупроводниках и термодинамика, Минск, «Наука и Техника», 1966, сс.240−250.
  117. Ю.Б. Твердые растворы на основе /?-Мп в тройных системах Mn-Co (Ni)-Si. ЖНХ, 1962, Т.7, В.6, сс.1343−1348.
  118. Ю.Б., Гладышевский Е. И. Система Mn-Co-Si. ЖНХ, 1964, Т.9, В. З, сс.674−680.
  119. Купровский Б. Б" Гельд П. В. Изотермы теплопроводности кремния и его сплавов с железом при высоких температурах. ФММ, 1956, Т. З, сс. 182−183.
  120. А.А. Влияние возбуждения на плазмон-фононные спектры твердых тел., ФТТ, 1972, Т. 14, сс. 1744−1751.
  121. А.А., Субашиев В. К. К вопросу об определении эффективной массы и времени релаксации в полупроводниках по инфракрасному спектру отражения света. ФТП, 1970, Т.4, 287−293.
  122. А.А., Субашиев В. К. Определение некоторых параметров сильно легированных полупроводников из спектрального хода коэффициента отражения. ФТТ, 1966, Т.6, сс.753−757.
  123. А.А. Плазменные возбуждения в полупроводниках. ФТП, 1975, Т.9, 1777−1980- ФТП, 1976, Т.10, В. З, с. 414.
  124. В.В. Техника оптической спектроскопии. М., Изд. МГУ, 1977, с. 37.
  125. С.М., Гельд П. В., Серебренников Н. Н. Термодинамические характеристики силицидов марганца. ЖНХ, 1965, Т.10, В.5, сс.1263−1264.
  126. И., Майер С. Использование высокотемпературных термоэлектрических материалов (силицидов), для генераторов энергии в космосе. Преобразование тепла и химической энергии в электроэнергию в ракетных системах, М., ИЛ, 1963, сс.41−47.
  127. Е.С., Мунтяну LLL, Соколов Е.Б., Слесарева Г. А. Изучение системы Mg2Pb-Mg2Ge. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1966, Т.2, В. З, сс.485−488.
  128. Е.С., Смирнов А. Ф., Соколов Е. Б. Система Mg2Si-Mg2Pb. ЖНХ, 1965, Т.10, В. 10, сс.2300−2303.
  129. Е.С., Мунтяну Ш., Соколов Е. Б., Слесарева Г. А. Изучение системы Mg2Sn-Mg2Ge. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.12, сс.2116−2119.
  130. В.К. К вопросу о применении соотношений Крамерса-Кронига для определения оптических констант металлов в ограниченной области спектра. Оптика и спектроскопия, 1966, Т.21, сс.343−346.
  131. М.А., Елагина Е. И., Абрикосов Н. Х. Диаграмма состояний системы Мп-Si в области высшего силицида марганца. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1966, т.2, В.4, сс.650−656.
  132. Т., Баррел Т., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М. «Мир», 1976, 431 с.
  133. Н.Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. «Мир», М., 1974.
  134. Ш., Соколов Е. Б., Макаров Е. С. Изучение системы Mg2Sn-Mg2Si. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.5, сс.870−875.
  135. B.C., Самсонов Г. В. Исследование электропроводности силицидов переходных металлов. ФТТ, 1960, Т.2, сс.2202−2209.
  136. B.C., Юпко В. Л. Исследование температурной зависимости электрических и термоэлектрических свойств некоторых силицидов переходных металлов. Порошковая металлургия, 1963, №.2, сс.55−59.
  137. B.C., Резниченко М. И. Исследование коэффициентов расширения некоторых силицидов. Огнеупоры, 1963, № 3, сс.134−137.
  138. B.C., Самсонов Г. В. Исследование эффекта Холла в силицидах переходных металлов. ДАН СССР, 1960, Т.134, сс.1337−1338.
  139. B.C., Самсонов Г. В. Теплопроводность силицидов переходных металлов. Инж. физ. журнал, 1968, Т. 15, сс.321−324.
  140. B.C., Самсонов Г. В. Электрические, термоэлектрические и гальваномагнитные свойства силицидов переходных металлов. ДАН СССР, 1960, Т.133, сс.817−820.
  141. Е.Н. Исследование полупроводниковых свойств в системе кобальт кремний. ФТТ, 1960, Т.2, В.4, сс.633−636.
  142. Е.Н. Исследование температурной зависимости электропроводности и термоэдс силицидов. ЖТФ, 1958, Т.28, сс.23−25.
  143. Е.Н., Базанов В. Г., Тарасов В. И. Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg2Si-Mg2Sn. ФТТ, 1961, Т. З, В.12, сс.3645−3649.
  144. Е.Н., Зайцев В. К. Получение высшего силицида марганца газотранспортной реакцией. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1965, Т.1, В.9, сс.1526−1529.
  145. Е.Н., Сидоров А. Ф., Тарасов В. И., Заславский А. И. Легирование высшего силицида марганца по результатам микрозондового анализа. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1970, Т.6, В. З, сс.604−605.
  146. Е.Н., Тарасов В. И., Андреев А. А., Шумилова Л. Н. Электрические свойства монокристаллического высшего силицида марганца. ФТТ, 1969, Т.11, сс.3389−3392.
  147. Е.Н., Тарасов В. И., Тамарин П. В. Тепловые и электрические свойства высшего силицида марганца от 4,2 до 1300 К и его структура. ФТТ, 1969, Т.11, В.1, сс. 234−236.
  148. Е.Н., Тамарин П. В., Тарасов В. И. Тепловые и электрические свойства моносилицида кобальта в интервале температур 4.2 1600 К. ФТТ, 1969, Т.11, сс.2481−2484.
  149. Е.Н., Тарасов В. И. Термоэлемент на основе силицидов переходных металлов. Гелиотехника, 1970, В.1, сс.28−31.
  150. Е.Н., Тарасов В. И. Электрические свойства твердых растворов на основе высшего силицида марганца. ФТТ, 1971, Т.13, сс.3473−3475.
  151. Е.Н., Тарасов В. И., Зайцев В. К. Электрические свойства некоторых твердых растворов силицидов З-d переходных металлов. ФТТ, 1973, Т.15, В.4, сс.1254−1256.
  152. Е.Н., Ткаленко Э. Н., Зайцев В. К., Заславский А. И., Кузнецов А. К. Исследование диаграммы состояний и некоторых свойств твердых растворов в системе Mg2Si-Mg2Sn. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1968, Т.4, В.11, сс.1902−1906.
  153. Ф.И., Кренцис Р. П., Гельд П. В. Теплопроводность моносилицидов Fe и Со в интервале температур 60 360 К. Изв. ВУЗов, Физика, 1969, № 9, сс.112−118.
  154. Ф.И., Кренцис Р. П., Гельд П. В. Теплопроводность высших силицидов некоторых 3d-nepexoflHbix металлов. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1970, Т.186, сс.22−27.
  155. А.С., Ефремов А. А., Охотин B.C., Пушкарский А. С. Термоэлектрические генераторы. 1976, М., Атомиздат., 320 с.
  156. .Н. Новая формула для расчета характеристической температуры по температуре плавления. Порошковая металлургия, 1962, № 1, сс. 11−16.
  157. А. В. Методики измерения теплопроводности при высоких температурах. Термоэлектрические свойства полупроводников, М.- «71.: Изд-во АН СССР, 1963, сс.27−35.
  158. М.С., Гельд П. В. Учет ближнего порядка при расчете термодинамических характеристик жидких сплавов. ЖФХ, 1968, Т.42, сс.741−744.
  159. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М. «Наука», 1968, 384 с.
  160. И.З., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В. Магнитная восприимчивость и валентные состояния атомов марганца в его высшем силициде. ФММ, 1965, Т. 19, В.4, сс.514−520.162. .Самсонов Г. В. Тугоплавкие соединения, М., Металлургиздат, 1963.
  161. Г. В. Силициды и их использование в технике, 1959, Киев, Изд-во АН УССР, 204 с.
  162. Г. В., Дворина JI.A., Рудь Б. М. Силициды. М., «Металлургия», 1979, 272 с.
  163. Г. В., Уманский Я. С. Твердые соединения тугоплавких металлов. М., 1957.
  164. Н.П., Шабанова И. Н., Колобова К. М., Трапезников В. А., Нефедов В. И. Исследование электронной структуры моносилицидов железа, кобальта и никеля методами рентгеноэлектронной и рентгеновской спектроскопии. ФММ, 1973, Т.35, сс. 947−952.
  165. Н.Н., Гельд П. В. Теплоемкость £-фазы системы железо-кремний. ДАН СССР, 1954, Т.97, В.1, сс.695−698.
  166. Ф.А., Гельд П. В., Шумилов М. А. Исследование превращений а-лебоита. ФММ, 1960, Т.9, В.6, сс.861−867.
  167. Ф.А., Рабинович B.C. Концентрационная область устойчивости моносилицида железа. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1965, Т.144, сс.71−73.
  168. Ф.А., Бортник А. Н., Шубина Т. С., Скрипова Е. А., Зеленин Л. П. Магнитная восприимчивость твердых растворов моносилицидов FeSi-CoSi и FeSi-NiSi. ФММ, 1969, Т.28, сс. 275−280.
  169. Ф.А., Гельд П. В. О природе е-фазы системы Fe-Si. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1963, № 7, с.140−148.
  170. Ф.А., Дмитриев Е. А., Гельд П. В., Радовский И. З. Электрические и магнитные свойства твердых растворов моносилицидов железа и марганца. Изв. ВУЗов, Физика, 1969, № 9, сс.74−79.
  171. Ф.А., Зеленин Л. П., Краснопевцева Е. Н., Котов А. П. Уточнение структурных параметров моносилицида кобальта. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т. 167, сс.56−58.
  172. Г. С., Либов B.C. О методике применения соотношения Крамерса-Кронига для расчета оптических постоянных конденсированных сред из спектра отражения. Оптика и спектроскопия, 1972, Т.32, сс.513−519.
  173. М.С. Солнечная электроэнергия. М.-Л., «Наука», 1965, сс.149−166.
  174. Л.С. О выборе соотношения сечений ветвей полупроводниковых термоэлементов. ЖТФ, 1958, Т.28, В.2, сс.262−263.
  175. Д.С., Заддэ В. В., Сурьянинова Т. Н., Кудешова Л. П., Солнечные элементы наземного применения. Гелиотехника, 1979, № 6, с.29−32.
  176. Таблицы физических величин: Справочник. Под ред. Кикоина И. К. М.: Атомиз-дат, 1976.
  177. В.И. Термоэлектрические свойства некоторых силицидов переходных металлов. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Л., 1971.
  178. В.В., Терентьев Н. И. Относительно экстраполяции спектра отражения в анализе Крамерса-Кронига. Оптика и спектроскопия, 1970, Т.28, сс.894−896.
  179. Я.А., Анохин В. З., Авербах Е. М., Иванова Т. В. Электрофизические свойства соединения Mn4Si7 Электронная техника, сер.Ц, Материалы, 1970, В.1, сс.77−82.
  180. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. «Наука», М., 1977.
  181. М.И. Вычисление интегралов Ферми Fj(n*) с индексами j = — ½, 1/2,1,3/2,2. Алгоритмы и математическое обеспечение для физических задач, Л., 1980, сс.47−54.
  182. М.И., Аширов А. С. Автоматизированная установка для измерения температурных зависимостей термоэдс и электропроводности при высоких температурах. Изв. АН ТССР, сер. ФТХ и ГН, N3, 1988, сс.41−46
  183. М.И., Калязин А. Е., Зайцев В. К., Енгалычев А. Э. Явления переноса в соединении MnAlo.75Si1.25- ФТТ, 1989, Т.31, В.6, сс.3071−3077.
  184. М.И., Самунин А. Ю., Аояма И., Еремин И. С., Зайцев В. К., Соломкин Ф. Ю., Щеглов М. П. Влияние германия на кинетические свойства высшего силицида марганца. Термоэлектрики и их применение, Санкт-Петербург, 2002, сс.60−65.
  185. В.И. Сильно легированные полупроводники. М. «Наука», 1967, 416 с.
  186. Фэн X. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах, М., «Мир», 1969.
  187. М., Андерко К., Эллиот Р. Структуры двойных сплавов. 1970, М., «Металлургия», 472 с.
  188. И.Н., Трапезников В. А. Исследование электронной структуры соединений переходных Зс1-металлов с углеродом, алюминием и кремнием методом электронной спектроскопии. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Киев, 1977, с.45−51.
  189. Т.С., Сидоренко Ф. А., Зеленин Л. П., Гельд П. В. О валентном состоянии атомов кобальта в его моносилициде. Изв. ВУЗов, Цветная металлургия, 1965, № 6, с.41−46
  190. Т.С., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В. О магнитной восприимчивости и валентном состоянии атомов в моносилициде железа. ФММ, 1965, Т.19, с.544−549
  191. Р.П. Диаграммы состояний двойных систем. М., «Металлургия», 1970.
  192. Abeles В. Lattice thermal conductivity of disordered semiconductor alloys at high temperature. Phys. Rev., 1963, V.131, N5, pp.1906−1911.
  193. Amamou A., Bach P., Gautier F., Robert C., Castaing Л. Mesures de chaleur cpecifique de susceptibilite et de R.M.H. sur CoSi auter de la stoechiometrie. J. Phys. Chem. Sol., 1972, V.33, pp.1697−1712.
  194. Andersen S.J. Quantification of the Mg2Si /?' and /3' phases in AlMgSi alloys by transmission electron microscopy. Metallurgical and Materials Transactions A, 1995, V.26A, N8, pp.1931−1937.
  195. Aronsson В., Lundstrom Т., Rundqvist S. Borides, Silicides and Phosphides. London, Methuen & Co Ltd., 1965. 120 p.
  196. Arushanov E., Bucher E., Kloc C., Kulikova O., Kulyuk L., Siminel A. Photoconductivity in n-type (3 FeSi2 single crystals. Phys. Rev. B, 1995, Y.52, N. l, pp.20−23.
  197. Arushanov E.K., Carles R., Kloc Ch., Bucher E., Leotin J., Smirnov D.V. Optical studies of monocrystalline (3 FeSi2. Inst.Phys.Conf.Ser., 1997, V.155, pp.1013−1016.
  198. Arushanov E., Kloc Ch., Bucher E. Electronic properties of (3 — FeSi2 single crystals. 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, ed. by Lockwood D.J. 1995, V. l, pp.129−132.
  199. Arushanov E., Kloc C., Bucher E. Impurity band in p-type (3 — FeSi2. Phys. Rev. B, 1994, V.50, N.4, pp.2653−2656.
  200. Arushanov E., Kloc C., Hohl H., Bucher E. The Hall effect in (3 FeSi2 single crystals. J. Appl. Phys., 1994, V.75, N.10, pt. l, pp.5106−5109.
  201. Arushanov E., Respaud M., Broto J.M., Kloc Ch., Leotin J., Bucher E. Magnetic properties of (3-FeSi2 single crystals. Phys. Rev. B, 1996, V.53, N.9, pp.5108−5111.
  202. Asanabe S. Conduction phenomena in monosilicides of iron group transition elements. J. Phys. Soc. Japan, 1965, V.20, N.6, pp.933−936.
  203. Asanabe S., Shinoda D., Sasaki Y. Semimetallic properties of CoixFexSi solid solution. Phys. Rev., 1964, V.134, N.3A, pp.774−779.
  204. Au-Yang M.Y., Cohen M.L. Electronic structure and optical properties of Mg2Si, Mg2Ge and Mg2Sn. Phys. Rev., 1969, V.178, N.3, pp.1358−1364.
  205. Baranek P., Schamps J., Noiret I. Ab initio studies of electronic structure, phonon modes, and elastic properties of Mg2Si. J. Phys. Chem. B, 1997, V.101, N.45, pp.9147−9152.
  206. Behr G., Werner J., Weise G., Heinrich A., Burkov A., Gladun C. Preparation and properties of high-purity /3 FeSi2 single crystals. Phys. Stat. Sol. A, 1997, V.160, N.2, pp.549−556.
  207. Berreman D.W., Unterwald F.G. Adjusting poles and zeroes of dielectric dispersion to fit reststrahlen of PrCl3 and LaCl3. Phys. Rev. 1968, V.174, N.3, pp.791−799.
  208. Bhatt A.R., Kim K.W., Stroscio M.A. Theoretical calculation of longtitudinal optical phonon lifetime in GaAs. J. Appl. Phys., 1994, V.76, N.6, pp.3905−3907.
  209. Biltz W., Holverscheidt W. Z. anorg. allg. Chem., 1924, V.140, p.261.
  210. Binary Alloys Phase Diagrams, Handbook on CD, 2 edition, ASM International.
  211. Birkholz U., Finkenrath H., Naegele J., Uhle N. Infrared reflectivity of semiconducting FeSi2. Phys. Stat. Sol, 1968, V.30, N. l, pp. K81-K84.
  212. Birkholz U., Gross E., Stoehrer U. Polycrystalline Iron Disilicide as a Thermoelectric Generator Material. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M., 1995, N.Y., CRC press, pp.287−298.
  213. Birkholz U., Naegele J. Optical Investigations of the Small Polaron in /3 — FeSi2- Phys. Stat. Sol., 1970, V.39, N1, pp.197−205.
  214. Birkholz U., Schelm J. Mechanism of Electrical Conduction in /? — FeSi2. Phys. Stat. Sol., 1968, V.27, N. l, pp.413−425.
  215. Birkholz U., Schelm J. Electrical investigation of the semiconductor to metal transition in FeSi2. Phys. Stat. Sol, 1969, V.34, N.2, pp. kl77-kl80.
  216. Blunt R.F., Frederikse H.P.R., Hosier W.R. Electrical and optical properties of intermetallic compounds. IV. Magnesium stannide. Phys. Rev., 1955, V.100, N.2, pp.663 666.
  217. Bolotina N.B., Zhurova E.A., Simonov V.I., Dyuzheva T.I., Bendeliani N.A. Crystal structure of the high-pressure Mg2Sn1. i phase. Crystallography Reports, 1996, V.41, N.4, pp.614−621.223 224 225 226 227 228 229 230 231 232
  218. Boren B. Arkiv for Kemi, Mineralogi och Geologi. 1933, V.11A, p.2
  219. Borrego J.M. Carrier concentration optimization in semiconductor thermoelements. IEEE transactions on Electron Devices, 1963, V.10, p.364−370.
  220. Bost M.C., Mahan J.E. Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films. J. Appl. Phys., 1985, V.58, N.7, pp.2696−2703.
  221. Bost M.C., Mahan J.E. A clarification of the index of refraction of beta-iron disilicide. J. Appl Phys., 1988, V.64, N.4, pp.2034−2037.
  222. Brauer G., Tiesler J. Uber Dichte und Gitterbau der Verbindungen Mg2Pb, Mg2Sn und Mg2Ge Z. anorg. Chem., 1950, V.262, N.6, pp.319−327.
  223. Bridgman P.W., Proc. of the Amer. Acad, of Arts and Sciences 1929, V.64, N.2.
  224. Bucksch R. Strukturdaten der /5-Phase von FeSi2. Z. Naturforsch., 1967, V.22a, pp.21 242 124.von Busch G., Moldovanova M. Halbleitende Eigenschaften des Mg2Pb. Helv. Phys. Acta, 1962, V.35, N.7, pp.500−503.
  225. Busch G., Winkler U. Electrische Leitfahigkeit von Mischkristallen intermetallisher Verbindungen. Helv. Phys. Acta, 1953, V.26, N.5, pp.578−583.
  226. Busch G., Winkler U. Elektrische Eigenschaften der intermetallischen Verbindungen Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn und Mg2Pb. Physica, 1954, V.20, N. ll, pp.1067−1072.
  227. Callaway J., Baeyer H.C. Effect of Point Imperfections on Lattice Thermal Conductivity. Phys. Rev. 1960, V.120, N.4, p.1149−54
  228. Christensen N.E. Electronic structure of (5 FeSi2. Phys. Rev. B, 1990, Y.42, N. ll, pp.7148−7153.
  229. Chung P.L., Whitten W.B., Danielson G.C. Lattice dynamics of Mg2Ge. J. Phys. Chem. Sol., 1965, V.26, N.12, pp.1753−1760.237. «Eco-Drive Thermo."Citizen press release., Basel, March 2001, Corporate Communications Division Citizen Watch Company
  230. Clark C.R., Wright C., Suryanarayana C., Baburaj E.G., Froes F.H. Synthesis of Mg2X (X=Si, Ge, or Sn) intermetallics by mechanical alloying. Materials Letters, 1997, V.33, N. l-2, pp.71−75.
  231. Corkill J.L., Cohen M.L. Structural, bonding, and electronic properties of IIA-IV antifluorite compounds. Phys. Rev. В, 1993, V.48, N.23, pp.17 138−17 144.
  232. Cutler M., Mott N.F. Observation of Anderson lokalization in an electron gas. Phys. Rev., 1969, V.181, N.3, pp.1336−1340.
  233. Davis L.C., Whitten W.B., Danielson G.C. Elastic constants and calculated Lattice vibration frequencies of Mg2Sn. J. Phys. Chem. Sol., 1967, V.28, N.3, pp.439−447.
  234. De Ridder R., van Tedeloo G., Amelinckx S. Incommensurate superstructures in MnSia-*. Phys.Stat.Sol. (a), 1975, V.30, N.2, pp. k99-kl01
  235. De Ridder R., van Tedeloo G., Amelinckx S. Electron Microscopic Study of the Chimney Ladder Structures MnSi^ and MoGe^. Phys.Stat.Sol. (a), 1976, V.33, N. l, pp.383 393.
  236. Dimitriadis C.A., Werner J.H., Logothetidis S., Stutzmann M., Weber J., Nesper R. Electronic properties of semiconducting FeSi2 films. J. Appl. Phys., 1990, Y.68, N.4, pp.1726−1734.
  237. Doerinkel F. Z.anorgan. und algem. Chem. 1906, P.117.
  238. Dusausoy Par Y., Protas J., Wandji R., Roques B. Structure Cristalline du Disiliciure de Fer, FeSi2/?. Acta Cryst., 1971, V. B27, pp.1209−1218.
  239. Eldridge J.M., Miller E., Komarek K.L. Magnesium-lead phase diagram and the activity of magnesium of liquid magnesium-lead alloy. Trans. Met. Soc. AIME, 1965, V.233, N.7, pp.1303−1308.
  240. Ellis H.W., Stevenson J.R. Sum-rule constraints in reflectance extrapolation for Kramers-Kronig analysis. J.Appl. Phys., 1975, V.46, pp.3066−3069.
  241. Ewald P.P., Hermann C. Strukturbericht 1913−28. Leipzig, Akad. Verlagsges. m.b.H., 1931, 818 p.
  242. Fedorov M.I., Zaitsev V.K. Semimetals as Materials for Thermoelectric Generators. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M., N.Y., CRC press, 1995, pp.321−328.
  243. Fedorov M.I., Zaitsev V.K., Optimization of Thermoelectric Parameters in Some Silicide Based Materials, Proc. of XIX Int. Conf. on thermoelectrics, Babrow press, Cardiff, 2000, pp. 17−27.
  244. Fedorov, M.I., Pshenay-Severin, D.A., Zaitsev, V.K., Sano, S., Vedernikov, M.V. Features of conduction mechanism in n-type Mg2Siia-Sna- solid solutions, Proc. XXII International Conference on Thermoelectrics (ICT 2003), 2003, IEEE, pp.142−145.
  245. Fedorov M.I., Zaitsev V.K. Thermoelectrics of Transition Metal Silicides. Thermoelectrics Handbook. Macro to Nano, ed. by Rowe D.M. 2005, CRC. Taylor & Francis, Boca Raton London New York, pp.31−1 31−19.
  246. Fedorov M.I., Zaitsev V.K., Vedernikov M.V., Some peculiarities of development of efficient thermoelectrics based on silicon compounds», XXV International Conference on Thermoelectrics, Proceedings ICT'06, IEEE, 2006, в печати.
  247. Filonov A.B., Migas D.B., Shaposhnikov V.L., Dorozhkin N.N., Petrov G.V., Borisenko V.E., Henrion W., Lange H. Electronic and related properties of crystalline semiconducting iron disilicide. J. Appl. Phys., 1996, V.79, N.10, pp.7708−7712.
  248. Fleurial, J.-P., Borshchevsky, A., Caillat, Т., Morelli, D.T., Meisner, G.P. High figure of merit in Ce-filled skutterudites. Proc. of XV Int. Conf. on Thermoelectrics, 1996, IEEE, pp.91−95.
  249. Flicher G.H., Vollenkle H., Nowotny H. Die Kristallstructur von Mni5Si26. Monatsh. Chem., 1967, V.98, N.6., pp.2173−2179.
  250. Flicher G.H., Vollenkle H., Nowotny H. Neue Abkommlinge der TiSi2-Struktur. Monatsh. Chem., 1968, V.99, N.6, pp.2408−2415
  251. Friauf J. J. Amer. Chem. Soc., 1926, V.48, p.1906
  252. Fujino Y., Shinoda D., Asanabe S. Phase diagram of the partial system of MnSi-Si. Jap. J. Appl. Phys., 1964, V.3, N.8, pp.431−435.
  253. Giannini C., Lagomarsino S., Scarinci F., Castrucci P. Nature of the band gap of polycrystalline (3 — FeSi2 films. Phys. Rev. B, 1992, V.45, N.15, pp.8822−8824.
  254. Gottfried C., Schossberger F. Strukturbericht 1937, Leipzig, Akad. Verlagsges. m.b.H. 1937, 901 p.
  255. Grosch G.H., Range K.J. Studies on AB2-type intermetallic compounds. I. Mg2Ge and Mg2Sn: single-crystal structure refinement and ab inito calculations. J. of Alloys and Compounds, 1996, V.235, N.2, pp.250−255.
  256. Grube G. Z. anorg. Chem., 1905, V.44, p.128 268. van Gurp G.J. Cobalt silicide layers on Si. II Schottky barrier height and contact resistivity. J. Appl. Phys., 1975, V.46, p.4308−4311.
  257. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Compounds of manganese with silicon (8-th edition). 1982, Berlin, N.Y., Springer-Verlag. 371 p.
  258. Gopinathan K.K., Goldsmid H.J., Matthews D.N. and Taylor K.N.R. Passive Thermoelement. Proc. of the Seventh Int. Conf. on Thermoelectric Energy Conversion, 1988, pp.58−61.
  259. Hall W.C. Terrestrial applications of Thermoelectric Generators. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M. 1995, N.Y., CRC press, pp.503−514.
  260. Heinrich A., Behr G., Griessmann H. Thermoelectric properties of /3 — FeSi2 single crystals prepared with 5N source material. XVI ICT '97. Proceedings ICT'97. 16th International Conference on Thermoelectrics, 1997, IEEE, pp.287−290.
  261. Heller M.W., Danielson G.C. Seebeck effect in Mg2Si single crystals. J. Phys. Chem. Sol., 1962, V.23, N.6, pp.601−610.
  262. Hesse J. Leistungsthermoelemente aus Eisen- und Chromdisilicid. Wissenschaftliche Berichte AEG-TELEFUNKEN, 1969, V.42, N.¾, pp.171−177.
  263. Hesse J. Leistungsthermoelemente aus Eisendisilicid fur die Stromerzeugung. Z. angew. Phys., 1969, V.28, N.3, pp.133−137.
  264. Holdhus H., The transformation of the C-phase in iron-silicon alloys. J. Iron Steel Inst., 1967, V.200, N.12, p.1024−32
  265. Hoshikawa K., Nakanishi H., Kohda H., Sasaura M. Liquid encapsulated, vertical bridgman growth of large diameter, low dislocation density, semi-insulating GaAs. J. Cryst. Growth, 1989, V.94, N.3, pp.643−650.
  266. Imai Y., Mukaida M., Kobayashi K., Tsunoda T. Calculation of the density of states of transition metal monosilicides by a first principle pseudopotential method using plane wave basis. Intermetallics, 2001, V.9, pp.261−268.
  267. Jaccarino V., Wertheim G.R., Wernick J.H., Walker L.R. Paramagnetic exited state of FeSi. Phys. Rev., 1967, V.160, N.3, pp.476−482.
  268. Jahoda F. Fundamental absorption of barium oxide from its reflectivity spectrum. Phys.Rev., 1957, V.107, N.5, pp.1261−1265.
  269. Kaliazin A.E., Kuznetsov V.L., Rowe D.M. Thermoelectric properties of Mg2Sni: cPba- alloys. Proceedings of XIX International Conference on Thermoelectrics (ICT 2000), ed. by Rowe D.M., 2000, Babrow Press, Wales, UK, pp.155−159.
  270. Kawasumi I., Sakata M., Nishida I., Masumoto K. Crystal growth and characterisation of MnSLj.73 J. Cryst. Growth, 1980, V.49, N.4, p.651−658.
  271. Kawasumi I., Sakata M., Nishida I., Masumoto K. Crystal growth of manganese silicide, MnSu, i.73 and semiconducting properties of Mn15Si26. J.Mater.Sci., 1981, V.16, N.2, pp.355−366.
  272. Klemens P.G. Thermal resistance due to point defects at high temperature. Phys. Rev., 1960, V.119, N.2, pp.507−509.
  273. Klemens P.G. Anharmonic decay of optical phonons. Phys. Rev., 1966, V.148, pp.845 848.
  274. Klemm W., Westlinning H. Untersuchungen tiber die Verbindungen des Magnesiums mit den Elementen der IYb-Gruppe. Z. anorg. allg. Chem., 1941, V.245, N4, pp.365−380.
  275. Kloc C., Arushanov E., Wendl M., Hohl H., Malang U., Bucher E. Preparation and properties of FeSi, a — FeSi2 and (3 — FeSi2 single crystals. J. Alloys and Compounds, 1995, V.219, pp.93−96.
  276. Knott H.W., Mueller M.H., Heaton L. The crystal structure of Mni5Si26- Acta Cryst., 1967, V.23, p.549.
  277. Koenig P., Lynch D.W., Danielson G.C. Infrared absorption in magnesium silicide and magnesium germanide. J. Phys. Chem. Sol, 1961, V.20, N. l/2, pp.122−126.
  278. Kojima Т. Semiconducting and thermoelectrical properties of sintered iron disilicide. Phys. stat. sol. (a), 1989, V. lll, N. l, pp.233−242.
  279. Koj ima Т., Nishida I. Crystal growth of MnSii.73 by chemical transport method. Jap. J. Appl. Phys., 1975, V.14, N. l, pp. 141−142.
  280. Kojima Т., Nishida I., Sakata T. Crystal Growth of Mn15Si26. J. of Cryst. Growth, 1979, V.47, pp.589−592.
  281. Korber F., Oelsen W., Mitt. Kaiser Wilhelm Eisenforsch, 1936, Bd.18, S.109.
  282. Kubaschewsky O., Evans E.L., Alcock C.B. Metallurgical thermochemistry. Pergamon Press, 1967, 495 p.
  283. Kusma J.В., Nowotny H. Untersuhungen im Dreistoff: Mn-Al-Si. Monatsh. Chem,., 1964. V.95. N.4−5 pp.1266−1271.
  284. Labotz R.J., Mason D.R. The Thermal Conductivities of Mg2Si and Mg2Ge. J. Electrochem. Soc., 1963, V.110, N.2, pp.120−126.
  285. Labotz R.J., Mason D.R., O’Kane D.F. The thermoelectric properties of mixed crystals Mg2GeISiia-. J. Electrochem. Soc., 1963, V.110, N.2, pp.127−134.
  286. Lee P.M. Electronic structure of magnesium silicide and magnesium germanide. Phys. Rev., 1964, Y.135, N.4A, pp. A1110-A1114.
  287. Lefki K., Muret P., Cherif N., Cinti R.C. Optical and electrical characterization of /3-iron disilicide epitaxial thin films on silicon substrates. J. Appl Phys., 1991, Y.69, N. l, pp.352−357.
  288. Levinson L.M. Investigation of the defect manganese silicide MnaSi2n-m- J¦ Sol. St. Chem. 1973, V.6, pp.126−135.
  289. Levison L.M., GE Technical Report, 1972, No.72CRDlll.
  290. Lipson H.G., Kahan A. Infrared absorption of magnesium stannide. Phys. Rev., 1964, V.133A, pp.800−810.
  291. Lott L.A., Lynch D.W. Infrared absorption in Mg2Ge. Phys. Rev., 1966, V.141, N.2, pp.681−686.
  292. Lisunov K.G., Arushanov E.K., Kloc C., Malang U., Bucher E. Hopping conductivity in p-type P- FeSi2- Phys. Stat. Sol. B, 1996, V.195, N. l, pp.227−236.
  293. Lyden H.G. Temperature dependence of the effective mass in PbTe. Phys. Rev., 1964, V.135A, pp.514−521.
  294. Mager Т., Wachtel E. Zum Aufbau des Teilsystems MnSi-Si. Z.Metalkunde., 1970, V.61, N. ll, pp.853−856.
  295. Marklund K., Larsson M., Bystrom S., Lindqvist T. The specific heat of the binary compounds FeSi, CoSi, FeGe and CoGe. Physica Scripta, 1974, Y.9, pp.47−50.
  296. Marshall R.C. Growth and characterization of a transition metal silicide. J. Cryst. Growth 1968, V.¾, pp.295−299.
  297. Mayer S.E., Mlavsky A.L. Thermal and electrical properties of some silicides. Properties of elemental and compound semiconductors, N.-Y., L., 1960, V.5, p.261−274.
  298. McNeil D.J., Ware R.M. Thermoelectric power and resistivity of some transition metal monosilicides. Brit. J. Appl. Phys., 1964, Y.15, pp.1517−1520.
  299. Morris R.G., Redin R.D., Danielson G.C. Semiconducting properties of Mg2Si single crystals. Phys. Rev., 1958, V.109, pp.1909−1915.
  300. Nowotny H., Tomiska J., Erdelyi L., Neckel A. Die Bildungswarmen von MnSii.73, MnSi, Mn5Si3 und Mn3Si (Dampfdruckmessungen) Monatsh. Chem., 1977, V.108, N.3, p.7−19
  301. O’Donnell K. R, Chen X. Temperature dependence of semiconductor band gaps. Appl. Phys. Lett., 1991, V.52, N.25, pp.2924−2926.
  302. Ordin S.V. Thermoelectric waves in anisotropic crystals of higher manganese silicide (HMS). Proceedings of the XIV International Conference on Thermoelectrics, ed. by
  303. M.V., Fedorov M.I., Kaliazin A.E. 1995, St.Petersburg, A.F.Ioffe Physical-Technical Institute, pp.212−214.
  304. Owen E.A., Preston G.D. Proc. Phys. Soc. London], 1924, V.36, p.341
  305. Parrot J.E. The high temperature thermal conductivity of semiconductor alloy. Proc. Phys. Soc. (London), 1963, V.81, pp.726−735.
  306. Pauling L. J. Amer. Chem. Soc., 1923, V.45, p.2777.
  307. Philipp H., Ehrenreich H. Optical properties of Semiconductors. Phys. Rev., 1963, V.129, p.1550−1560.
  308. Radermacher K., Carius R., Mantl S. Optical and electrical properties of buried semiconducting /З-FeSL. Nucl. Instrum. and Methods B, 1994, V.84, N.2, pp.163−167.
  309. Raman A., Schubert K. Uber den Aufbau einiger zu TiAl3 vermandter Legierungsreihen. II Untersuchungen in einigen Ti-Al-Si- und T4−6-In Systemen. Z. Metalkunde, 1965, V.56, N. l, p.44−52
  310. Range K.J., Grosch G.H., Andratschke M. Studies on AB2-type intermetallic compounds. Pt. V. The crystal structure of Mg9Sn5, a supposed high-pressure modification of Mg2Sn. J. Alloys and Compounds, 1996, V.244, N. l-2, pp.170−174.
  311. Redin R.D., Morris R.G., Danielson G.C. Semiconducting properties of Mg2Ge single crystals. Phys. Rev., 1958, V.109, pp.1916−1920.
  312. Riffel M., Schilz J. Mechanically alloyed Mg2SiixSna- solid solutions as thermoelectric materials. Proc. XV Int. Conf. on Thermoelectrics, ed. by Caillat Т., Borshchevsky A., Fleurial J.-P. 1996, IEEE, pp.133−136.
  313. Riffel M., Schilz J. Influence of production parameters on the thermoelectric properties of Mg2Si. XVI ICT '91. Proceedings ICT'97. 16th International Conference on Thermoelectrics, IEEE, 1997, pp.283−286.
  314. Sacklowski A. Ann. Physik, 1925, V.77, p.241.
  315. Sauerwald F.Z. Metallforschung, 1947, V.2, p.188.
  316. Schubert K., Meissner H.G., Raman A., Rossteutscher W. Einige Strukturdaten metallischer Phasen (9). Naturwissenschaften, 1964, V.51, N.12, p.287.
  317. Schwomma O., Nowotny H., Wittman A. Die Kristallarten RuSii.5, RuGe^ und MnSi 1−7 (Vorlaufige Mitteilung). Monatsh. Chem., 1963, V.94, N.4, pp.681−685
  318. Schwomma O., Presinger A., Nowotny H., Wittman A. Die Kristallstructur yon MnnSi19 und deren Zusammenhang mit Disilicid Typen. Monatsh. Chem., 1964, V.95, N.6, p.1527−1537.
  319. Setz S., Nowotny H., Benesovsky F. Untersuchungen in den Systemen: Mangan-Vanadin, Rhenium, Eisen]-Silicium. Monatsh. Chem. 1968, V.99, N.5, p.2004−2415.
  320. Shinoda D. Magnetic properties of CoixFexSi, CoixMnxSi and Fe! xMnxSi solid solution. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, V. ll, pp.129−136.
  321. Shinoda D., Asanabe S. Magnetic properties of silicides of iron group transition elements. J. Phys. Soc. Japan, 1966, V.21, pp.555−556.
  322. Simon R. Thermoelectric figure of merit of two-band semiconductors. J. Appl. Phys., 1961, V.33, N.5, pp. 1830−1841.
  323. Siviour N.G., Ng K. Mg-Pb phase diagram and phase transformations in the intermetallic compounds Mg2Pb and Metallurgical and Materials Transactions В, 1994, V.25B, N.2, pp.265−275.
  324. Siviour N.G., Ng K. Crystallization studies of the (Mg2Pb) phase and its phase boundaries in the Pb-Mg-Bi system. Metallurgical and Materials Transactions B, 1994, V.25, N.2, pp.255−263.
  325. Stohrer U., Taibok U., Gross E., Birkholz U. Figure of merit of cold and hot pressed iron disilicide measured with Kolrausch method. Proc. IX Int Conf on Thermoelectrics, 1990, pp.242−248.
  326. Stringer G.A., Higgins R.J. Crystal growth and galvanomagnetic properties of Mg2Pb. J. Appl. Phys., 1970, v.41, N2, pp.489−497.
  327. Stringer G.A., Higgins R.J. Fermi surface of Mg2Pb. Phys. Rev. B, 1971, V.3, N.2, pp.506−515.
  328. Toman K. The structure of NiSi. Acta Crystallography, 1951, V.4, pp.462−464.344. van Dyke J.P., Herrmann F. Relativistic energy band structure of Mg2Pb. Phys. Rev. B, 1970, V.2, N.6, pp. 1644−1646.
  329. Vining C.B. The thermoelectric limit ZT~1: Fact or artifact. Proc. XI Int. Conf. on thermoelectrics, Arlington, 1992, p.223−231.
  330. Wachtel E. Mager T. Zum Aufbau des Teilsystems FeSi-Si. Z.Metalkunde., 1970, V.61, N.10., pp.762−766.
  331. Wald F., Michalik S.J. The ternary system cobalt germanium — silicon. J. Less-Common metals, 1971, V.24, pp.277−289.
  332. Waldecker G., Meinhold N., Birkholz U. Thermal Conductivity of Semiconducting and Metallic FeSi2. Phys. stat. sol. (a), 1973, V.15, pp.143−149.
  333. Wandji R., Dusausoy Y., Protas J., Roques B. Preparation et etude du siliciure FeSi2f3 a l’etat monocristallin. C.r. Acad. sci. C., 1968, V.267, N.23, pp.1587−1590.
  334. Wang L., Qin L., Zheng Y., Shen W., Chen X., Lin X., Chenglu Lin C., Zou S. Optical transition properties of /3 FeSi2 film. Appl.Phys.Lett., 1994, V.65, N.24, pp.3105−3107.
  335. Wappling R., Hagstrom L., Rundquist R. The space group symmetry of j3 — FeSi2 as determined by Mossbauer spectroscopy, Chem. Phys.Lett., 1968, V.2, N.3 p.160−162.
  336. Ware R.M., McNeil D.J. Iron disilicide as a thermoelectric generator material. Proc. IEE, 1964, V. lll, N. l, pp.178−182.
  337. Watanabe H., Ido M., Nakajima H. Electrical field gradient in CoixMxSi (M = Fe, Ni). J. Phys. Soc. Japan, 1979, V.47, pp. 1816−1820.
  338. Watanabe H., Yamamoto H., Ito K. Neutron diffraction study of the intermetallic compound FeSi. J.Phys.Soc. Japan, 1963, V.18, pp.995−999.
  339. Welker H. Ergeb. exact. Naturw., 1956, V.29, p.275.
  340. Wernick J.H., Wertheim G.K., Sherwood R.C. Magnetic behavior of the monosilicides of the 3-d transitional elements. Material Research Bulletin, 1972, V.7, pp. 1431−1442.
  341. Whitten W.B., Chung P.L., Danielson G.C. Elastic constants and Lattice vibration frequencies of Mg2Si. J. Phys. Chem. Sol., 1965, V.26, N. l, pp.49−56.
  342. Williams H.J., Wernick J.H., Sherwood R.C., Wertheim G.K. Magnetic Properties of the Monosilicides of some 3d-Transition Elements. J. Appl. Phys., 1966, V.37, N.3, p.1256.
  343. Winkler U. Die Electrischen Eigenschaften der intermetallisher Verbindungen Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn und Mg2Pb Helv. Phys. Acta, 1955, V.28, N.7, pp.633−666.
  344. Wittmann A., Burger K.O., Nowotny H. Mono- und Disilicid system der Eisengruppe. Monatsh. Chem., 1961, V.92, N.5, pp.961−966.
  345. Wittmann A., Burger K.O., Nowotny H. Untersuchungen im Dreistoff: Ni-Al-Si sowie von Mono- und Disilicidsystemen einiger Ubergangsmetalle. Monatsh. Chem., 1962, V.93, N.3, P.674−680.
  346. Wohler L., Schliephake O. Die Silicide des Calciums und Magnesiums Z. anorg. ally. Chem., 1926, V.151, N. l/2, pp.1−20.
  347. Wolfe R., Wernick J.H., Hassko S.B. Thermoelectric properties of FeSi. Phys. Letters, 1965, V.19, pp.449−450.
  348. Xiaoping Niu, Li Lu. Formation of magnesium silicide by mechanical alloying. Advanced Performance Materials, 1997, V.4, N3, pp.275−283.
  349. Zaitsev V.K. Thermoelectric properties of anisotropic MnSii.75. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M. 1995, N.Y., CRC press, pp.299−309.
  350. Zaitsev V.K., Ktitorov S.A., Fedorov M.I. Low Carrier Mobility Materials for Thermoelectric Application. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M. 1995, N.Y., CRC press, pp.311−319.
  351. V.K.Zaitsev, M.I.Fedorov, E.A.Gurieva, I.S.Eremin, P.P.Konstantinov, A.Yu.Samunin, M.V.Vedernikov. Thermoelectrics of n-type With ZT > 1 Based on Mg2Si-Mg2Sn Solid Solutions, Proc. of XXIV Int. Conf. on thermoelectrics, IEEE, 2005, p.189−195.
  352. Zaitsev, V. K., Fedorov, M. I., Gurieva, E. A., Eremin, I. S., Konstantinov, P. P., Samunin, A. Yu., Vedernikov M. V. Highly effective Mg2SiixSnx thermoelectrics, Phys. Rev. B, 2006, V.74, N.4, 45 207.
  353. Zinovieva G.P., Andreeva L.P., Geld P.V. Elastic Constants and Dynamics of Crystal Lattice in Monosilicide with B20 structure. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, V.23, pp.711−718.
  354. Zintl E., Kaiser H. Uber die Fahigkeit der Elemente zur Bildung negativer Ionen. Z. anorg. allg. Chem., 1933, V.211, N. l/2, pp.113−131.
  355. Zwilling G., Nowotny H. Die Kristallstruktur der Mangansilicide im Bereich von MnSi^ 1−7. Monatsh. Chem., 1971, V.102, N.3, pp.672−677
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?