Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Синтез, оптические и адсорболюминесцентные свойства системы CdTe-ZnS

Диссертация: Синтез, оптические и адсорболюминесцентные свойства системы CdTe-ZnS
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Информация о химическом состоянии, кислотно-основных, адсорбционных свойствах поверхности системы СёТе-2п8, о возможностях их регулирования является необходимой при создании сенсоров-датчиков экологического и медицинского назначения. Перспективность и актуальность данных исследований заключается в том, что медицинскую диагностику по выдыхаемому газу можно проводить на ранних стадиях заболевания… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Полупроводниковые соединения типа АПВУ
      • 1. 1. 1. Общие сведения о соединениях АПВУ
      • 1. 1. 2. Кристаллическая структура соединений АПВУ
      • 1. 1. 3. Энергетическая зонная структура соединений АПВУ
      • 1. 1. 4. Химическая связь в соединениях типа АПВУ
      • 1. 1. 5. Электрофизические свойства
      • 1. 1. 6. Оптические свойства
      • 1. 1. 7. Особенности примесей в соединениях типа АПВУ
      • 1. 1. 8. Специфические особенности свойств полупроводников л По VI типа, А В
      • 1. 1. 9. Применение полупроводниковых соединений АПВУ
    • 1. 2. Теллурид кадмия
      • 1. 2. 1. Общая характеристика и получение теллурида кадмия
      • 1. 2. 2. Описание системы Сс1-Те
      • 1. 2. 3. Электрофизические свойства теллурида кадмия
      • 1. 2. 4. Химическая связь в теллуриде кадмия
      • 1. 2. 5. Кислотно-основные свойства поверхности
      • 1. 2. 6. Применение СсГГе
    • 1. 3. Сульфид цинка
      • 1. 3. 1. Общая характеристика и получение сульфида цинка
      • 1. 3. 2. Кристаллическая структура и физико-химические свойства 29 сульфида цинка
      • 1. 3. 3. Оптические свойства реальных монокристаллов 32 сульфида цинка
      • 1. 3. 4. Применение сульфида цинка
    • 1. 4. Типы твердых растворов
      • 1. 4. 1. Твердые растворы АПВУ1 — АПВУ
      • 1. 4. 2. Система Сс1Те -2п
    • 1. 5. Люминесценция
      • 1. 5. 1. Типы люминесценции
      • 1. 5. 2. Адсорбция и люминесценция
    • 1. 6. Оптические методы исследования полупроводников
      • 1. 6. 1. ИК — спектроскопия
      • 1. 6. 2. КР — спектроскопия
      • 1. 6. 3. УФ — спектроскопия, определение ширины запрещенной зоны
    • 1. 7. Использование анализа выдыхаемых газов для диагностики заболеваний
  • Глава 2. Экспериментальная часть
    • 2. 1. Получение твердых растворов системы СсГГе
    • 2. 2. Идентификация твердых растворов
    • 2. 3. ИК-спектроскопические исследования. Химический состав поверхности
    • 2. 4. УФ-спектроскопические исследования. Определение ширины запрещенной зоны
    • 2. 5. КР-спектроскопические исследования
    • 2. 6. Исследование кислотно-основных свойств поверхности
      • 2. 6. 1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНи30)
      • 2. 6. 2. Метод механохимического диспергирования
      • 2. 6. 3. Кондуктометрическое титрование
    • 2. 7. Получение аммиака
  • Глава 3. Результаты и их обсуждение
    • 3. 1. Получение и идентификация твердых растворов
    • 3. 2. ИК-спектроскопические исследования. Химический состав поверхности
    • 3. 3. УФ-спектроскопические исследования. Определение ширины запрещенной зоны
    • 3. 4. КР-спектроскопические исследования
    • 3. 5. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы СсГГе- ZnS
      • 3. 5. 1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНизо)
      • 3. 5. 2. Механохимические исследования
      • 3. 5. 3. Неводное кондуктометрическое титрование
    • 3. 6. Адсорболюминесцентные свойства твердых растворов системы Сс1Те-2п
  • Глава 4. Взаимосвязь изученных свойств и основные закономерности их изменения в зависимости от состава системы Сс1Те-2п
    • 4. 1. Химическое состояние и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы СсГГе^п
    • 4. 2. Оптические свойства компонентов системы Сс1Те-2п
    • 4. 3. Основные закономерности изменения изученных свойств от состава системы Сс1Те-2п
  • Выводы

Синтез, оптические и адсорболюминесцентные свойства системы CdTe-ZnS (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Обязанные своим появлением развитию полупроводниковой техники и зарекомендовавшие себя как перспективные материалы, полупроводниковые твердые растворы с широко регулируемым составом, с возможными непрерывным и экстремальным изменениями свойств не могут не представлять интереса для нанотехники, а так же полупроводникового газового анализа. Научно-технический прогресс в этих областях требует систематических знаний не только их объемных, но и поверхностных физико-химических свойств. Известно, что поверхностные свойства зачастую играют определяющую роль в целом ряде процессов на полупроводниках [1,2].

Получением и изучением физико-химических свойств многокомпонентных полупроводниковых систем на протяжении многих лет занимается коллектив кафедры Физической химии ОмГТУ под руководством профессора И. А. Кировской. Основной задачей является создание теории управления свойствами поверхности алмазоподобных полупроводников и поиска возможностей их практического применения в новой технике. К одному из перспективных направлений применения создаваемых полупроводниковых материалов относится использование их в качестве сенсоров-датчиков экологического и медицинского назначения, где важно не только определение следовых количеств токсичных газов в воздухе, но и анализ микропримесей выдыхаемого газа, проведение медицинской диагностики по его составу [3,4].

Не менее перспективным направлением практического применения при обнаружении соответствующих свойств, является изготовление или изменение известных люминофоров. Для этого необходимы адсорболюминесцентные исследования полупроводников, что явилось основным направлением данной работы.

Актуальность темы

обусловлена практической неизученностью поверхностных свойств твердых растворов системы Сс1Те-2п8, знание которых открывает широкий спектр возможностей их практического применения. Поэтому необходимо всестороннее изучение структуры поверхности, её химического состава, степени и характера взаимодействия с различными средами.

Информация о химическом состоянии, кислотно-основных, адсорбционных свойствах поверхности системы СёТе-2п8, о возможностях их регулирования является необходимой при создании сенсоров-датчиков экологического и медицинского назначения. Перспективность и актуальность данных исследований заключается в том, что медицинскую диагностику по выдыхаемому газу можно проводить на ранних стадиях заболевания или даже в начальной стадии эндогенной интоксикации, когда выраженные симптомы заболевания еще отсутствуют. Таким образом, медицинская диагностика по составу выдыхаемого газа может найти применение не только в лечебной практике, но и в повседневной жизни и служить средством для предупреждения заболевания. Использование простого в обращении сенсорного устройства открывает перспективы развития домашней диагностики.

Цель работы. Впервые по разработанной методике получить и аттестовать твердые растворы системы Сс1Те-2п8, комплексно изучить их объемные и поверхностные физико-химические свойства, определить возможности практического применения полученных результатов.

В соответствии с целью диссертационной работы были поставлены следующие задачи:

1. Разработать методику, получить и аттестовать твердые растворы системы СсГГе^пБ.

2.Исследовать объемные (структурные, оптические) и поверхностные (химический состав, кислотно-основные, адсорболюминесцентные) физико-химические свойства компонентов системы СёТе-2п8. Оценить влияние на люминесценцию аммиака — зонда на кислотные центры, составляющего газовых выбросов и биомаркера определенных заболеваний человека.

3. Определить природу, силу, концентрацию активных центров. Уточнить механизм взаимодействия ЫН3 с поверхностью адсорбентов и обосновать механизмы люминесценции и адсорболюминесценции.

4.Установить закономерности изменения изученных свойств с составом и зависимость между ними. Построить диаграммы состояния «свойство-состав».

5.С использованием установленных, взаимосвязанных закономерностей найти состав твердого раствора наиболее чувствительного к исследуемому газу-адсорбату (N?[3) и определить возможности его практического применения.

6. Определить возможность создания на основе измерения рНи30 экспресс-метода оценки чувствительности поверхности к газам определенной электронной природы.

Научная новизна работы.

1. По впервые разработанной методике получены и аттестованы на основе рентгенографичеких и оптических исследований твердые растворы системы Сс1Те-2п8 со структурой сфалерита.

2. Изучены объемные физико-химические свойства (структурные и оптические) полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы СсГГе^пБ. Установлены закономерности в относительном расположении полос ИКи УФ-спектров. На основе последних найдены значения ширины запрещенной зоны.

3. Впервые изучены поверхностные физико-химические свойства компонентов системы СёТе-2п8: химический состав, кислотно-основные, адсорболюминесцентные.

— Химический состав исходной поверхности представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными, соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов.

— Определены природа, сила, концентрация кислотных центров. За кислотные центры ответственны преимущественно координационно-ненасыщенные атомы. Поверхность всех компонентов системы СсГГе^пБ имеет слабокислый характер (рНи30=6,29−6,68). С увеличением содержания 2п8 значение рНизо плавно нарастает, а общая концентрация кислотных центровуменьшается.

— Согласно КР-спектроскопическим исследованиям наиболее выраженными люминесцентными свойствами обладают 2п8 и твердые растворы с избытком Сс1Те. Под влиянием адсорбированного аммиака наблюдается гашение люминесценции. Установлена связь между кислотно-основными и адсорболюминесцентными свойствами поверхности.

4. Найдены закономерности в изменении объемных (рентгеновской плотности, ширины запрещенной зоны) и поверхностных (рНизо, АрНи30, адсорболюминесцентных) свойств с составом. Построены диаграммы состояния «свойство-состав». Установлена взаимосвязь между ними. Найденные параллельные закономерности объяснены с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследуемых объектах.

5. На основе установленных закономерностей и взаимосвязи между ними показаны и реализованы возможности использования:

— результатов измерения рНизо для создания экспресс-метода оценки чувствительности полупроводников по отношению к газам определенной электронной природы;

— твердого раствора состава (Сс1Те)о, 98(2п8)о, о2 в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси ЫН3 и в качестве люминофора с определенным спектром свечения.

Защищаемые положения.

1. Разработанная методика получения твердых растворов системы СёТе-гпБ.

2. Результаты рентгенографических исследований, подтвердившие образование твердых растворов сфалеритной структуры.

3. Выводы о механизме влияния состава и аммиака на люминесцентные свойства компонентов системы СёТе^пБ.

4. Установленные закономерности в изменении объемных и поверхностных физико-химических свойств компонентов системы СсГГе^пБ, параллелизм между ними.

5. Обоснование причины найденных закономерностей и их взаимосвязи, которая заложена в природе активных центров и природе химической связи.

6. Прогнозирование поверхностных свойств полупроводников изучаемой системы на основе установленных закономерностей «свойство-состав».

7. Практические рекомендации по созданию на основе твердого раствора состава (СёТе)0,98(2п8)0,о2 преобразователя сенсора-датчика на микропримеси 1ГН3 и люминофора с определенным спектром свечения.

Практическая значимость работы.

1. Разработана методика получения твердых растворов системы CdTe-ZnS. Найден режим термовакуумной обработки бинарных компонентов и твердых растворов, обеспечивающие упорядочение кристаллической структуры.

2. На основе анализа диаграмм состояния «свойство-состав» предложен способ прогнозирования поверхностной чувствительности компонентов системы CdTe-ZnS.

3. Предложен экспресс-метод оценки чувствительности поверхности по отношению к газам определенной электронной природы по результатам измерения рНизо.

4. Твердый раствор состава (CdTe)o, 98(ZnS)o, o2 использован в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси NH3 и рекомендован в качестве люминофора с определенным спектром свечения. Подана заявка на изобретение.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы доложены и обсуждены на VIII Международной научной конференции (Хургада, Египет, 2008 г.) — VIII научной конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (Томск, 2008) — VI Международных научно-технических конференциях «Динамика систем механизмов и машин» (Омск, 2007) — I, II и III Всероссийских научно-технических конференциях «Россия Молодая: передовые технологии — в промышленность» (Омск, 2008, 2009, 2010) — Региональной молодежной научно-технической конференции «Омское времявзгляд в будущее» (Омск, 2010) — I научно-технической конференции аспирантов, магистрантов, студентов «Техника и технология современного нефтехимического производства» (Омск, 2011) — П-ой Региональной молодежной научно-технической конференции «Омский регион-месторождение возможностей» (Омск, 2011). Результаты диссертации опубликованы в 12 работах.

Выводы.

1. Получены по разработанной методике и аттестованы на основе рентгенографических и оптических исследований твердые растворы системы Сс1Те-2п8. Теллурид кадмия и твердые растворы имеют структуру сфалерита, а сульфид цинка — структуру вюрцита.

2. Изучены объемные физико-химические свойства полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы СсГГе-2п8. На основе УФ-спектроскопических исследований рассчитана ширина запрещенной зоны изучаемых объектов, которая плавно нарастает с увеличением содержания сульфида цинка.

3. Впервые изучены химический состав и кислотно-основные свойства компонентов системы СёТе-2п8:

— химический состав исходной поверхности представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными, соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов;

— определены природа, сила, концентрация кислотных центров. За кислотные центры ответственны преимущественно координационно-ненасыщенные атомы. Поверхность всех компонентов системы Сс1Те-2п8 имеет слабокислый характер (рНизо=6,29−6,68). С увеличением содержания значение рНи30 плавно нарастает, а общая концентрация кислотных центров — уменьшается.

4. По результатам КР-спектроскопии установлено влияние состав и КН3 на люминесцентные свойства изучаемых объектов:

— с увеличением содержания ZnS отмечается смещение максимума спектрального распределения в коротковолновую область, а также уменьшение интенсивности пиков;

— влияние ЫНз проявляющееся в гашении люминесценции;

— высказаны соображения о механизме влияния адсорбированных молекул КН3 на люминесценцию: адсорбированные молекулы играют роль центров безызлучательной рекомбинации, возникающих на поверхности при адсорбции;

— на основе отмеченного факта гашения люминесценции при адсорбции аммиака сделано заключение о преимущественно донорном проявлении его молекул в образующихся адсорбционных связях, что подтверждается ИК-спектрами и результатами кислотно-основных свойств (степень гашения люминесценции возрастает с АрНи30).

5. Найдены закономерности в изменении объемных и поверхностных свойств с составом. Установлена тесная взаимосвязь между этими закономерностями. Построены диаграммы состояния «свойство-состав».

6. Найденные взаимосвязанные закономерности объяснены с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследуемых объектах.

7. Показана возможность использования диаграмм состояния «свойство-состав» для выявления наиболее активных компонентов, применяемых в изготовлении первичных преобразователей сенсоров датчиков экологического и медицинского назначения.

8. Сделаны практические разработки:

— предложен экспресс-метод оценки чувствительности поверхности по отношению к газам определенной электронной природы по результатам измерения рНи30;

— твердый раствор состава (Сс1Те)0−98(2п8)0:02 использован в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси ]МН3 и рекомендован в качестве люминофора с определенным спектром свечения. Подана заявка на изобретение.

В заключении автор выражает глубокую благодарность научному руководителю, Заслуженному деятелю науки и техники РФ, доктору химических наук, профессору Ирине Алексеевне Кировской за неоценимую помощь в подготовке диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. 174 с.
  2. , И.А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. 398 с.
  3. , И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1995.- 310с.
  4. Физика соединений AnBVI / под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. -М.: Наука. 1986.-320 с.
  5. Кристалл охимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Изд-во стандартов, 1973. -208с.
  6. H.H. Полупроводниковые растворы и их применение: Справочные таблицы / Под ред. В. Г. Середина. -М.: Воениздат, 1982. 208с.
  7. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев: Наукова Думка, 1975.- 704 с.
  8. Рот B.JI. Физика и химия соединений AnBVI: Пер с англ./Под ред. С. А. Медведева М.: Мир, 1970. — с.624.
  9. Шевченко И. Б, Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1974, т10, с217.
  10. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник/Под ред. A.B. Новоселова. М.: Наука, 1978.
  11. Я.А. Общая и неорганическая химия м.: Высш.шк., 2002. — 527с.
  12. Ч. Квантовая теория твердых тел: пер. с англ. А. Гусева. М.: Наука, 1967 г.-429с.
  13. Л.С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: изд-во «Энергия», 1973 г. — 296с. с ил.
  14. B.C., Кекелидзе Н. П. Действие излучений на полупроводники: Учеб. руководство. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. Лит., 1998. — 192с. — ISBN 5 -02−13 834−7.
  15. Т. Оптические свойства полупроводников. М. ИЛ, 1961.
  16. Оптические свойства полупроводников (под ред. Уллардсона Р. И Вира А.) «Мир», 1970.
  17. В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. Спб.: Издательство Лань, 2003. — 368с.
  18. . Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников./Под ред. В. М. Глазова.- М.: Высшая школа, 1982. 528 с.
  19. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников- М.: Наука, 1977. 679 с.
  20. С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: Металлургия, 1973. — 496 с.
  21. , Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: «Высшая школа», 1975.-320 с.
  22. , И.Б. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов / И. Б. Мизецкая, Л. Б. Буденная, И. Д. Олейник. Киев: «Наукова думка», 1975. — С.23 — 27.
  23. , О.А. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: дис.канд. хим. наук. Омск: ОмГТУ, 1998. — 170 с.
  24. В.И., Грехов A.M., Кортубяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников: справочник. Киев, Наукова Думка. -1987. 608 с.
  25. В.М., Бублик В. Т., Столяров О. Г. Халькогениды цинка, кадмия и ртути. М.: Металлургия, 1973. — 99 с.
  26. В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках-М.: Наука, 1970.—399с.
  27. С.Н. Введение в технологию полупроводниковых материалов. -М.: Высш. школа, 1970. с. 247−466.
  28. И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1988. 220 с.
  29. С. О. Получение и адсорбционно-каталитические свойства системы ZnSe-CdTe. Автореферат дис. Канд. хим. наук. Омск: изд-во ОмГТУ, 2011.21с.
  30. Е. В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: диссертация. кандидата химических наук: 02.00.04 Омск, 2003 158 с.
  31. И.А. Поверхностные свойства бинарных алмазоподобных полупроводников. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2012. — 430 с.
  32. В.А., Люблинский Е. Я. Цинковые сплавы. М.: Металлургия, 1986. 247 с.
  33. В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках-М.: Наука, 1970.—399с.
  34. Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. -М.: Наука, 1987, 188 с.
  35. А. И. Китайгородский. Смешанные кристаллы. — М.: «Наука», 1983. — 277 с.
  36. В. С., Теория изоморфной смесимости, М., 1977.
  37. В. С., Теоретическая кристаллохимия, М., 1987.
  38. , A.B. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x (ZnSe)n-x // Физика твердого тела / A.B. Войцеховский, А. Б. Панченко. Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. — с. 24 — 26.
  39. В.В. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AnBVI. Справочник / В. В. Томашик, В. И. Грицыв.- Киев: Наукова думка, 1982. 168.
  40. Е. С., Изоморфизм атомов в кристаллах, М., 1973.
  41. А. Г., Теория фазовых превращений и структура твердых растворов, М., 1974.
  42. Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и ее измерения: Молекулярная люминесценция. М.: Изд-во МГУ, 1989. — 272 с.
  43. Фок М. В., Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, М., 1964.
  44. В.В., Ваксман Ю. Ф. Люминесценция полупроводников. К.: Одесса: Выща шк. Головное изд-во, 1988. — 200с.
  45. Е. Г. Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Её адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: автореф. дис. канд. хим. наук. Омск, 2005. — 20 с.
  46. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. -432с.
  47. И.А., Миронова Е. В. Кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов InSb-CdTe // ЖФХ, 2005. Т. 79. № 4. С. 755 758.
  48. И.А., Новгородцева Л. В., Васина М. В. Адсорбция газов на поверхности твердых растворов и бинарных соединений системы GaSb-ZnTe // Журн.физ.химии, 2007. Т. 81. № 9. С. 1719−1723, 178.
  49. И.А., Тимошенко О. Т. Кислотно-основное состояние и адсорбционная активность (по отношению к NH3) поверхности компонентов системы InP-CdS // ДАН ВШ РФ, 2006. № 1(6). С. 69−73.
  50. И.А., Земцов А. Е. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы GaAs-CdS // Журн.физ.химии, 2007. Т. 81. № 1.С. 101−106.
  51. , A.A. Исследование адсорбции аммиака на поверхности окислов металлов методом ИК-спектроскопии: В кн.: Успехи фотоники / A.A. Цыганенко, JI.B. Поздняков, В. Н. Филимонов Л.: ЛГУ, 1975. — № 5. — С. 150 177.
  52. , Т.А. Спектральные проявления форм адсорбции аммиака на у-А1203 / Т. А. Гордымова, A.A. Давыдов // Журн. прикл. Спектр. 1983. -Т.39, № 4. — С. 621−627.
  53. Svatos, G. F. Infrared Absorption Spektra of Inorganic Coordination Complexes. XII. The Characteristic NH3 Deformation Vibrations of Solid Inorganic Complexes / G. F. Svatos, D.M. Sweeny, S.P. Mizushima // J. Amer. Chem. Soc. -1957.-v.79.-p. 3313−3315.
  54. Кислотно-основные свойства поверхности алмазо-подобных соединений А3В5, А2В6, A*B7 / И. А. Кировская и др. // Деп в ВИНИТИ, 1984. № 367. Вып. 84. — С.9.
  55. , Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М.: Мир, 1969.- 515 с.
  56. , A.B. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / A.B. Киселев, В. И. Лынгин. М.: Наука, 1972. — С. 395 — 397.
  57. , А. Прикладная ИК спектроскопия. — М.: Мир, 1982 — С. 20 — 189.
  58. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: изд-во Томского университета, 1984 г., 127с.
  59. И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхностей алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации.// Физическая химия. 1994 г. № 10.
  60. КуклевДО.И. Физическая экология.-М.:Высшая школа, 2001.-С.268−343.
  61. Л. Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов// Каталитические реакции в жидкой среде. Алма-Ата, АН КазССр, 1963. с. — 212- 217.
  62. , В.Н. Методы исследования адсорбентов и катализаторов / В. Н. Белоусова, Г. М. Зелева- Томск.:Изд-во ТГУ, 1977. С. 61 — 66.
  63. , И.А. Кинетика химических реакций. Омск, 1994. — 96 с. -ISBN 5−230−13 822-Х.
  64. , И.А. Кислотно-основные и каталитические свойства поверхности твердых растворов ZnSe-CdSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // Журн. физ. химии. 2002. — Т.76, № 4. — С.667.
  65. , A.A. ИК-спектроскопия в химии поверхности окислов. -Новосибирск: Наука, 1984. 245 с.
  66. И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe CdSe /И.А. Кировская, Е. М. Буданова // ЖФХ. — 2001. — Т. 75. -№ 10.-с. 1837- 1842.
  67. , А.Н. Влияние примеси бора на спектры комбинационного рассеяния света синтетических алмазов / А. Н. Утюж,, Ю. А. Тимофеев, А.В. Рахманина//Изв.РАН. Неорган. материалы.-2004.-Т. 40, N 9. -С. 1062 1067.
  68. , Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. — 450 с.
  69. Ю, Питер Основы физики полупроводников: пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени / Питер Ю, Мануэль Кардона М.: Физматлит, 2002. — 560 с.
  70. Д.П. Вентиляция, кровообращение и газообмен в легких // Физиология дыхания / Под ред. И. С. Бреслава, Г. Г. Исаева. СПб.: Наука, 1994. С. 197−257.
  71. JI. Биохимия. В 3-х томах. М.: Мир, 1985.
  72. В.А. Эндогенные летучие соединения — биологические маркеры в физиологии и патологии человека и методы их определения // Научно-технический отчет. Институт океанологии РАН. 1994.75 с.
  73. LeMarchand L., Wilkens L.R., Harwood P., Cooney R.V. Use of breath hydrogen and methane as markers ol colonic fermentation in epidemiological studies: circadian patterns of excretion // Env. Health Perspect. 1992. Vol. 98. P. 199−202.
  74. Coburn R.F., Williams W.J., Kahp S.B. Endogenous carbon monoxide production in patients with hemolytic anemia // J. Clin. Invest. 1966. Vol. 45, N 4. P. 46068.
  75. Zayasu К., Sekizawa К., Okinaga S., Yamaya M., Ohrui Т., Sasaki H. Increased carbon monoxide in exhaled air of asthmatic patients // Amer. J. Respir. Crit. Care. Med. 1997. Vol. 156, N 4. Pt. 1. P. 1140−1143.
  76. Hunt R.D. Measurements of Partial Pressure of Ammonia in Breath and Arterial Blood: Evidence for Secretion of Ammonia into Expired Gas by Metabolism of Monoamines in the Lung // Ph.D. Dissertation. University of Florida. Gainesville. 1976.
  77. С. E. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961. — 863с.
  78. С. С., Расторгуев JL Н., Скаков. Ю. А. Рентгенографический и электронооптичекий анализ. М.: Металлургия, 1970. — 107с.
  79. , Я.Л. Таблицы межплоскостных расстояний. В 2-х т. Т. II. М.: Недра, 1966. — 362 с.
  80. , Л.С. Количественный рентгенографический фазовый анализ / Л. С. Зевин, Л. Л. Завьялова. М.: Недра, 1974. — 184 с.
  81. Г. С. Ходаков. Физика измельчения. М.: Наука, 1972.-205 с.
  82. , А.П. Кислотно-основное титрование в неводных растворах / А. П. Крешков, Н. А. Казарян. М.: Химия, 1967. — 192 с.
  83. , Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф. М. Рапорт, А. А. Ильинская М.: Госхимиздат, 1963. — С. 35 — 78.
  84. И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа AnBVI / И. А. Кировская, В. В. Даныпина, Е. М. Емельянова // Неорг. материалы. 1989. — Т. 25. — № 3. — с. 379 — 381.
  85. , Н.П. Эпитаксиальные пленки соединений А11 BVI. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1978.-312 с.
  86. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. Радио, 1978. -400 с.
  87. Е.А. Виноградов, Б. Н. Маврин, H.H. Новиков, В. А. Яковлев. Дисперсия мод в спектрах оптических фононов смешанных кристаллов ZnSi. xSex // Физика твердого тела, 2006, Т. 48, вып. 10.
  88. Л.А. Водопьянов, B.C. Виноградов, H.H. Мельник, Г. Карчевский. Комбинационное рассеяние света в многослойных структурах с квантовыми точками CdTe в ZnTe.
  89. М.М. Комбинационное рассеяние света строение вещества. -М.: Наука, 1981, 183с.
  90. О.Н., Марковский Л. Я., Миронов И. А., и др. Неорганические люминофоры. Д., Химия, 1975. 192 с.
  91. И. А., Касатова И. Ю.Сравнительные кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы CdTe-ZnS в рядах твердых растворов замещения и аналогов // ЖФХ, 2011, Т. 85, № 7. С. 1−5.
  92. , И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: ИГУ, 1984. — 167с.
  93. JI.B. Система GaSb ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства.: диссертация. кандидата химических наук: 02.00.04 Омск, 2005, 180с.
  94. B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. -М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1988.-192 с.
  95. К. ИК-спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений: Пер. с англ.- М.: Мир, 1991.- 536с
  96. Ю.П. Основы физики полупроводников / Пер. в сангл. Под ред. Б. П. Захарчени. 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с.
  97. Р. Полупроводники: Пер. с. англ. М.: Мир, 1982, — 560с.
  98. Stuhl D.R., Sinke G.C. Thermodynamic Properties of the Elements, Advances in Chemistry, Series, 18, Am. Chem. Soc., Washington, D.C., 1965.
  99. Aven M., Prener J.S. Physics and Chemistry of II — VI Compounds, Amsterdam, 1967
  100. Патент № 179 672. Датчик влажности газов / И. А. Кировская, А. В. Юрьева, Е. Д. Скутин, В. Г. Штабнов. 1993, Бюл. № 15. — 16 е.,
  101. Патент № 2 125 260. Датчик влажности газов / И. А. Кировская. 1999, Бюл. № 10. — 24 е., Патент № 2 141 639. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И. А. Кировская, О. А. Федяева. — 1999, Бюл. № 14. — 45 е.,
  102. Svatos, G. F. Infrared Absorption Spektra of Inorganic Coordination Complexes. XII. The Characteristic NH3 Deformation Vibrations of Solid Inorganic Complexes / G. F. Svatos, D.M. Sweeny, S.P. Mizushima // J. Amer. Chem. Soc. -1957.-v.79.-p. 3313−3315
  103. И.А., Тимошенко O.T. Кислотно-основное состояние и адсорбционная активность (по отношению к NH3) поверхности компонентов системы InP-CdS // ДАН ВШ РФ, 2006. № 1(6). С. 69−73
  104. С.С., Расторгуев JI.H., Скаков Ю. А. Ренгенографический и электронооптический анализ. М.: Металлургия, 1970. — 107 с.
  105. И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. Докл. -Новосибирск, 2000. с. 164−165.
  106. Galazka R. Proc. of the Int. Cont. On II VI Semicond and Semimagnet. -Semicond Linz. Fustria, 1994. P. 22.
  107. А.П., Рубец В. П., Кукушкин С. А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования пленок теллурида кадмия из паровой фазы // ФТТ, 2001. Т. 43. Вып. 10. С. 1901−1903
  108. А.П., Рубец В. П., Нуждин М. Ю., Калинкин И. П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 641−643.
  109. А.П., Казарян H.A. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. М.: Химия, 1967. — 192 с.
  110. В. Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников М.: Наука, 1978. 288 с.
  111. И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 // Неорг. матер., 1989. Т. 25. № 9. С. 1472−1476
  112. И.А., Майдановская Л. Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. -Изд-во ТГУ, 1971. Т. 204. С. 230−235.
  113. O.A. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: Дис.канд. хим. наук. Омск, 1998. 170 с.
  114. H.A. Физико-химические свойства поверхности теллурида кадмия // Журн. физ. химии, 1997. Т. 71. № 12. С. 2241−2244.
  115. И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации // Неорг. матер., 1994. Т. 30. №.2. с. 147−152.
  116. Н.Г., Иванов Ю. М., Ванюков A.B. // Журнал физ. химии, 1974. т. 48. вып. 8. с. 2103.
  117. Л.С., Сорокин В. К., Маричева В. Н. // Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер., 1974. № 10. с. 413.
  118. . Оптические процессы в полупроводниках/Пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова и B.C. Вавилова. М.: Мир, 1973 г.
  119. В.А. Физика полупроводников. Издание ВВИА им. проф. Н. Е. Жуковского, 1960 55с
  120. .И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. -464с.
  121. С. Адсорбция газов и паров.— М.: Изд-во иностр. лит., 1948. -674 с.
  122. Д. Современные методы исследования поверхности: пер. с англ./ Д. Вудраф, Т. Делчар. М.: Мир, 1989. — 564с.
  123. В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В. Ф. Киселев, О. В. Крылов. М.: Наука, 1978.-256с.
  124. С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях. -М.: Изв. АН СССР, 1948. 643с.
  125. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1988. -238с.
  126. С. Химическая физика поверхности твердого тела: пер. с англ. под. ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980. — 488 с.
  127. У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: пер. с англ. М.: Мир, 1983. -Т.1.-381 с.
  128. Haneman D. Surface structures and properties of diamond structure semiconductors//Phys. Rev. — 1961. — vol 121. — p. 1093 — 1095.
  129. И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe CdSe /И.А. Кировская, Е. М. Буданова // ЖФХ. — 2001. — Т. 75. -№ 10.-с. 1837−1842.
  130. И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа AnBVI / И. А. Кировская, В. В. Даныпина, Е. М. Емельянова // Неорг. материалы. 1989. — Т. 25. -№ 3. — с. 379 — 381.
  131. Yim W.M., Dismukes J.P., Kressel H. Vapor growth of (Il-VI)-(in-V) quaternary alloys and their properties // RCA Review, 1970. N 12, P.P. 662−679
  132. Фотолюминисценция ZnTe и CdTe, выращенных с применением транспортирующих газов, содержащих галогены / В. Ф. Агекян и др. // ФТТ. -2002. Т. 44, №. 12. — С. 2117−2119
  133. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофоров. М., «Наука», 1966. 323с.
  134. Энергии образования связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / JI.B. Гурвич, Г. В. Карачевцев, В. Н. Кондратьев, Ю. А. Лебедев, В. А. Медведев, В. К. Потапов, Ю. С. Ходеев. М.: Наука, 1974. — 351 с.
  135. , А.О. Расчеты взаимодействия молекул Н20 и NH3 с поверхностью модифицированных алюмосиликатов и кристалла ZnO / А. О. Литинский, Н. Г. Лебедев // ЖФХ. 1995. — том 69. — № 1. — с. 138 — 140.
  136. , В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов / В. В. Немошкаленко, В. Н. Антонов. Киев: Наук, думка, 1985.-408 с.
  137. Патент 2 029 292. RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / JI. П. Маслов, С. И. Сорокин, С. А. Крутоверцев. N 5 058 003/25- заявлено 07.08.1992- опубликовано 20.02.1995, Бюл. № 5. — 179с.
  138. Патент 2 088 914. RU, G01N27/30. Сенсор для анализа газообразных веществ / С. А. Радин, О. М. Иванова, В. Г. Загарских, А. В. Высочанский. N 95 111 367/25- заявлено 03.07.1995- опубликовано 27.08.1997, Бюл. № 24. — 393с.
  139. Патент 2 178 559 RU, G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик. / И. А. Кировская, Т. В. Ложникова- заявитель Омский Государственный Технический Университет. N 99 125 143/28- заявлено 29.11.1999- опубликовано 20.01.2002, Бюл. № 2. — 278с.
  140. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А. В. Евдокимов, М. Н. Муршудли, Б. И. Подлепетский, А. Е. Ржанов и др. // Электроника. -1988.-С. 3−39.
  141. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. Л. А. Пономарева, A.A. Равдель. Л.: Химия, 1983. — 271 с.
  142. Ю.В. Ультрафиолетовая люминесценция сульфида цинка при электронном и оптическом возбуждении // Тр. ФИАН СССР. 1973. — 68. — С. 3−94.
  143. К.В., Морозова Н. К. Узколинейчатые спектры монокристаллов с ошибками упаковки // Оптика и спектроскопия. 1965. — 19, № 6. — С. 939 942.
  144. Е.Ф., Суслина Л. Г. Спектр излучения донорно-акцепротных пар в кристаллах сернистого цинка // ФТТ. 1966 — 8, № 3. — С. 872−786.
  145. Люминесценция и анизотропия кристаллов сульфида цинка // Тр. ФИАН. Т. 164. -М.: Наука, 1985. 128. С. 28−32.
  146. К. Определение следовых количеств органических веществ. М.: Мир, 1987. 462 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?