Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование некоторых ангармонических эффектов в фононных системах кристаллов методом резонансного комбинационного рассеяния света

Диссертация: Исследование некоторых ангармонических эффектов в фононных системах кристаллов методом резонансного комбинационного рассеяния света
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Тем более важен вопрос о функциях распределения ангармониче** ских систем в связи с проблемой роли поверхности в разрушении и смежной с ней задачей масштабной зависимости прочности, выражающейся в сверхпрочности квазиодномерных и квазидвумерных объектов. Сводить роль поверхности, освобожденной при помощи специальных технологических мер от структурных дефектов, способных играть роль концентраторов… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • I. Основные характеристики резонансного комбинационного рассеяния света как экспериментального метода
    • 2. Спектральные и фотометрические характеристики экспериментального оборудования …**"*
    • 3. Образцы, их выбор, подготовка к измерениям «.» 19 Рисунки к главе I
  • ГЛАВА II. РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ 0ДН0Ф0Н0НН0Г0 КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА НА КРЕМНИИ
    • 4. Обзор литературы .".**"
    • 5. Резонансное комбинационное рассеяние света на упруго растянутом монокристалле кремния
  • Рисунки к главе П
  • ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ БАРИЧЕСКОЙ ЗАВИСИМОСТИ СРЕДНИХ ЧИСЕЛ ЗАПОЛНЕНИЯ Ф0Н0Н0 В В ПЛОСКОНАПРЯЖЕННОМ МОНОКРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
    • 6. Разогрев кристаллической решетки светом «**.*
    • 7. Учет резонансных эффектов при измерении СЧЗ
    • 8. Зависимость фононных СЧЗ в, А от мощности падающего света при разных приложенных нагрузках
    • 9. Зависимость фононных СЧЗ кремния от нагрузки
  • Рисунки к главе Ш
  • ГЛАВА IV. АНГАРМОНИЗМ И ЛОКАЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ОПТИЧЕСКИХ Ф0Н0Н0 В В МОНОКРИСТАЛЛЕ СЕЛЕНВДА ЦИНКА
    • 10. Сравнение ангармонизма оптических фононов в объеме и у поверхности кубического селенида цинка .#.»"
  • Рисунки к главе IУ

Исследование некоторых ангармонических эффектов в фононных системах кристаллов методом резонансного комбинационного рассеяния света (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В физике твердого тела одними из наиболее интересных являются задачи, в которых изучается воздействие сильных внешних полей на свойства материалов. Для их решения успешно используется квазичастичное описание, позволяющее с учетом взаимодействия квазичастиц дать ответ на многие возникающие вопросы* Чаще всего удобно исследовать отклик системы на внешнее воздействие на примере совершенных кристаллов, являющихся прекрасными моделями для эксперимента и теории и позволяющих изучать различные физические эффекты.

Механические свойства материалов являются одними из наиболее важных физических свойств. Их исследование различными экспериментальными и теоретическими методами позволило в последнее время существенно сократить дистанцию между теорией и экспериментом, имевшуюся в отношении прочностных характеристик. Главный шаг в этом направлении был сделан при разработке и экспериментальном подтверждении кинетического подхода к проблеме разрушения материалов под нагрузкой /I/. Согласно этой концепции первичные акты разрушения в нагруженном твердом теле вызываются термическими флуктуациями и способны происходить при отсутствии изначальных дефектов структуры. Роль внешней нагрузки при этом не ограничивается только растяжением межатомных связей, но состоит также в инициировании разрывных термофлуктуаций. Среднее время % до разрушения статически нагруженного образца описывается при этом выражением /I/ где XJ0 — энергия связи между атомами при нулевом значении внешней нагрузки, ^ - некоторый фактор, имеющий размерность объема, Т — температура, Vb — постоянная Больцмана, ICT^c.

— величина, равная по порядку среднему периоду теплового движения атома.

Экспериментальное подтверждение зависимости (B.I), полученное для самых разных материалов (кристаллические диэлектрики и полупроводники, металлы, полимеры, аморфные вещества) в широком диапазоне температуры и нагрузки, не дало однако ответа на главный вопрос — каким образом термическая флуктуация приводит к разрыву связей, какова динамика и энергетика этого события?

Поиск физического ответа на эти вопросы цривел к необходимости более внимательного учета роли ангармонизма межатомных взаимодействий в рассматриваемых явлениях /2/. Была предложена интересная модель разрушающей термофлуктуации плотности /3/, описывающая с привлечением решеточных нелинейностей фононный механизм, по-видимому не единственно возможный, автокаталитического развития локального динамического (флуктуационного) расширения. Выполненные машинные эксперименты с линейными атомными ангармоническими цепочками /4/ наглядно продемонстрировали процессы зарождения, развития и гибели (через разрыв связей или релаксацию) таких флуктуаций. В итоге был стимулирован целый ряд исследований, посвященных проблеме микроскопического обоснования термофлуктуационной концепции разрушения в связи с ангармоничностью /5,6,7/.

В целом вырисовалась весьма убедительная картина, согласно которой благодаря нелинейности взаимодействия атомов флуктуацион-ные явления в нагруженном твердом теле, приводящие к первичным актам разрушения (например, зарождению протяженных дефектов), по своему характеру сходны с явлениями типа самоорганизации. Однако, здесь явно недоставало специальных исследований, посвященных функциям распределения, их зависимости (через ангармоничность) от внешних условий — температуры, нагрузки, других физических полей.

Важность и необходимость таких исследований несомненна, поскольку речь идет о флуктуациях и о статистической природе закона (B.l). Ясно также, что флуктуационное возникновение значительных дефектов структуры невозможно без коррелированного движения коллектива атомов. Рассмотрение таких корреляций требует знания функций распределения.

Тем более важен вопрос о функциях распределения ангармониче** ских систем в связи с проблемой роли поверхности в разрушении и смежной с ней задачей масштабной зависимости прочности, выражающейся в сверхпрочности квазиодномерных и квазидвумерных объектов. Сводить роль поверхности, освобожденной при помощи специальных технологических мер от структурных дефектов, способных играть роль концентраторов напряжений и начальных точек разрушения, только к тому, что приповерхностные атомы связаны с соседями слабее, чем атомы в объеме материала • значит ничего не сказать о динамике флуктуационных процессов у поверхности. Кроме этого, такой упрощенный, подход к роли поверхности в разрушении находится в противоречии с широко известными данными по высокой прочности сверхтонких кварцевых нитей /8/, а также различных нитевидных монокристаллов, полимеров и т. п.

В свете сказанного представляется, что последовательный учет ангармонических особенностей функций распределения фононов в твердом теле, их экспериментальное исследование способны дать интерес** ную дополнительную информацию.

Цель работы состояла в экспериментальном исследовании влияния энгармонизма решеточных колебаний совершенного кристалла на барическую зависимость фононных средних чисел заполнения (СЧЗ), а также в сравнении энгармонизма приповерхностных и объемных фононов. Такая постановка задэчи предстэвляется важной для детализации картины разрушения, установления более непосредственной ее связи с термофлуктуадиями плотности.

В качестве экспериментальной методики выбрано резонансное комбинационное рассеяние света (РКРС) на фононах. Зависимость СЧЗ фононов от нагрузки исследована на совершенных монокристаллах кремния, подвергнутых значительному упругому плоскому растяжению. Отношение интенсивностей стоксова и антистоксова каналов РКРС с учетом дисперсии сечения рассеяния и других факторов позволяет получить значение фононных СЧЗ практически в любой точке образца при любых нагрузках и температурах.

Выбор кремния в качестве объекта данной проблемы неслучаенизученность и простота спектров комбинационного рассеяния света (КРС) 1-го и 2-го порядка и их зависимостей от нагрузки, надежные данные о зонной структуре и ее деформационных потенциалах, об оптических параметрах и их зависимостях от механических напряжений, рекордная чистота и совершенство структуры (практически, бездефектность) синтезируемых монокристаллов, их удивительно высокая прочность — все эти качества позволили ему стать уникальной моделью для эксперимента и гарантировали высокую надежность полученных данных.

Объектом, на котором проводилось сравнение ангармоничности длинноволновых оптических фононов объема и поверхностного слоя (ПС), выбран монокристаллический селенид цинка (кубическая модификация). Исследовалась зависимость частоты и полуширины фононов в этих областях от температуры, описываемая известными соотношениями на языке СЧЗ. Разделение объекта на объем и поверхность до-стигуто благодаря измерению спектров КРС как в диапазоне прозрачности кристалла, так и в полосе сильного (фундаментального) поглощения. В первом случае рассеяние света происходило внутри кристалла путем обычного КРС, а во втором — в тонком ПС через РКРС. Были предприняты специальные меры с целью исключения возможного вклада дефектов у поверхности кристалла в наблюдаемые зависимости.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

До последнего времени резонансное рассеяние света применялось в основном для выявления деталей зонной структуры кристаллов, включая ее деформационную зависимость. Представленные в данной работе результаты исследований показали возможность использования РКРС в качестве метода получения информации об ангармоничности фононов в кристаллах. Для этого были выполнены специальные измерения, позволившие учесть влияние зонной структуры на характеристики резонансного рассеяния, важные с точки зрения определения барических фононных эффектов и поверхностных свойств фононов.

Обнаруженные аномалии барической зависимости СЧЗ фононов в кремнии нуждаются в серьезном теоретическом рассмотрении, удовлетворяющем следующим требованиям: стационарность," обратимость, совпадение с распределением Бозе-Эйнштейна в отсутствие внешних сил, ангармоничность, изобаричность, изотермичность. Ясно, что интерпретация должна быть квантовомеханической. Эти требования проистекают из условий и результатов экспериментов. Аномалия барической зависимости СЧЗ фононов в кремнии должна быть связана по своей природе с обнаруженным ранее /26, 32, 146/ также аномальным поведением под нагрузкой полуширины длинноволнового оптического фонона, подтвержденным в нашей работе.

В представленной работе предлагаются к защите следующие выводы:

1. Показана и использована возможность применения РКРС для измерения энгармонизма поверхностных фононов и его сравнения с объемным значением, а также для измерения барической зависимости фононных средних чисел заполнения с целью сравнения ее с предсказанием по распределению Бозе-Эйнштейна.

2. Исследован резонансный характер КРС 1-го порядка в нагруженном монокристалле кремния. Выполнены измерения, позволяющие с достаточной точностью учесть резонансные эффекты при определении барической зависимости фононных СЧЗ.

3. Впервые получена экспериментально барическая зависимость фононных СЧЗ в упруго напряженном монокристалле кремния, находящемся в стационарных изотермических условиях. Полученная зависимость отличается при ненулевых нагрузках от предсказываемого распределением Бозе-Эйнштейна вида. Для фононов с положительным модовым параметром Грюнайзена при растяжении экспериментальные СЧЗ выше бозе-эйнштейновских значений, а с отрицательным модовым параметром Грюнайзена при тех же условиях — ниже. Показано, что полученное отличие стационарно и обратимо, то есть равновесно, линейно по величине нагрузки в достигнутых пределах напряжений и при нулевой нагрузке исчезает.

4. Измерена ангармоничность длинноволновых продольных оптических фононов у поверхности и в объеме кубического монокристалла селе-нида цинка методом РКРС. Толщина изученного ПС составила примерно 80 нм. Показано, что ангармоничность поверхностных фононов выше, чем в объеме кристалла. Указано на пренебрежимую малость подобных эффектов при РКРС в видимой области на кристалле кремния.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Р., Слуцкер А. И., Томашевский Э. Е. Кинетическая природа прочности твердых тел.- М.: Наука, 1974.- 560 с.
  2. С.Н., Петров В. А. О физических основах температурно-временной зависимости прочности твердых тел.- 1978, Доклады АН СССР, т.239, № 6, с.1316−1319.
  3. А.А. Фононная модель разрушения нагруженной атомной цепочки.- Физика твердого тела, т.21, № 10, с.3095−3099, 1979.
  4. А.И., Мелькер А. И. Роль метастабильного равновесия в разрушении ангармонической цепочки атомов. Физика твердого тела, 1980, т.22, № 8, с.2518−2520.
  5. А.И. Цепочечная модель разрушения идеального кристалла.- Физика твердого тела, 1981, т.23, № 8, с.2231−2236.
  6. В.А., Гиляров В. Л. Температурно-силовая неустойчивость атомной цепочки.- Физика твердого тела, 1981, № 11, с.3372−3375.
  7. А.А., Веттегрень В. И. Расчет долговечности нагруженной цепочки атомов в ангармоническом приближении.-Физика твердого тела, 1980, т.22, № 11, с.3350−3357.
  8. Zhurkov S. IT, Festigkeit der Quarzfibres.- Physikalische Zeit-schrift der Sovjetunion, 1932, B.1, S.123.9. boudon R. The Raman effect in crystalls.- Advances in Physics, 1964, v. 13, No 5, p.423−482.
  9. A.H., Прокофьев B.K., Райский C.M., Славный В.A., Шрейдер Е. Я. Таблицы спектральных линий.- М.: Наука, 1969.
  10. В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию.-М.: Наука, 1979.- 480 с.
  11. Renucci J.В., Tyte R.H., Cardona M. Resonant Raman scattering in silicon.- Physical Review B: Solid State, 1975, v, 11, IfolO, p.3885−3895. r •
  12. Г. P. Спектры комбинационного рассеяния ионных, ко-валентных и металлических кристаллов.- В кн.: Применение спектров комбинационного рассеяния /Под ред. А.Андерсона.- М.: Мир, 1977, с.408−578.
  13. J4. Hayes W., Stoneham A.M. Lattice dynamics.- In: Crystals with the Fluorite Structure / Ed. by W.Hayes.- Oxford: Clarendon Press, 1974, p-.43−100.
  14. Ehrenreich H., Philipp H.R.> Optical properties of Ag and Cui.' Physical Review, 1962, v.128, No4, p.1622−1629.
  15. Aven M., Marple D.I.F., Segall B. Some electrical and optical properties of ZnSe.-Journal of Applied Physics: Supplement, 1961, v.32, НЫ0, p. 2261−226 5.
  16. Reynolds D.G., Pedrotti L.S., Larson O.Yf. Edge emission in zinc selenide single crystals.- Journal of Applied Physics: Supplement, 1961, v. 32, Ho10, p.2250−2254.
  17. Hite G.E., Marple D.T.F., Aven M., Segall B. Excitons and the absorption edge in ZnSe.-Physical Review, 1967, v.156, 1ТоЗ, p. 850−859.
  18. Walter J.P., Cohen M.L., Calculation of the reflectivity, modulated reflectivity, and band structure of GaAs, GaP, ZnSe, and ZnS.- Physical Review, 1969, v.183, Ho3, p.763−772.
  19. М.П. Кристаллография.- M.: Высшая школа, 1976.391 с.
  20. Травление полупроводников /Пер. с англ. С. Н. Горина.- М.: Мир, 1965.- 382 с.
  21. М. Модуляционная спектроскопия.- М.: Мир, 1972.416 с.
  22. Практикум по химии и технологии полупроводников/ Под ред. Я. А. Угая.- М.: Высшая школа, 1978. 191 с.
  23. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов: (Справочник).- Киев: На-укова думка, 1975.- 704 с.
  24. Gerdeira F., Buchenauer C.J., Pollak F. H" Cardona M. Stress-induced shifts of first-order Raman frequencies of diamond- and zinc-blende-type semiconductors.- Physical Review B- Solid State, 1972, v.5, Ho2, p.580−593.
  25. И.И., Баптизманский В. В., Жога Л. В. Влияние плоского напряженного состояния на спектры комбинационного рассеяния кремния.- Оптика и спектроскопия, 1977, т.43, № 2, с.252−257.
  26. Л.Н., Зотов М. И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках.- Новосибирск: Наука, 1979. 160 с.
  27. А.Я. Монокристаллы полупроводников.-М.: Металлургия, 1978.- 200 с.
  28. Дж. Пространственная симметрия и оптические свойства твердых тел: В 2-х т.- М.: Мир, 1978.
  29. Рассеяние света в твердых телах / Под ред. М.Кардоны.- М.: Мир, 1979.- 392 с.
  30. Комбинационное рассеяние света и динамика кристаллической решетки /Отв. ред. тома Сущинский М.М.- М.: Наука, 1982.- 225 с. -(Труды /Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР- T. I32).
  31. В.В. Изменение колебательных спектров кристаллов при механических и тепловых воздействиях: Автореф.дисс. канд. физ.-мат. наук.- Л.- 1980.- 21 с.
  32. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сб. йт./ Под ред.' Покровского Я.Е.- М.: Наука, 1972.- 304 с.
  33. Фотопроводимость: Сб. ст./ Под ред. Ш. М. Когана.-М.: Наука, 1967.- 156 с.
  34. Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уиллардсона и А.Вира.- М.: Мир, 1970.- 488 с.
  35. В.А., Снитко О. В. Электроотражение света в полупроводниках.- Киев: Наукова думка, 1980.- 304 с.
  36. Gompaan A., Irodahl H.J. Resonance Raman scattering in Si at elevated temperatures.- Physical Review B: Condensed Matter, 1984, v. 29, Ho2, p.793−801.
  37. M., Wallis R.F., Наго E. Anharmonic effects, in light scattering due to optical phonons- in silicon.- Physical Review B: Condensed Matter, 1983, т.28, No4, p.1928−1934.
  38. Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках.- М.: Мир, I960.- 352 с.
  39. Вир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках.- М.: Наука, 1972.-584 с.
  40. Ф., Пастори Парравичини Дзк. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах.- М.: Наука, 1982.-392 с.
  41. B.C. Действие излучений на полупроводники.-М.: Наука, 1963.- 264 с.
  42. Ю.И. Оптические свойства полупроводников.- М.: Наука. 1977.- 368 с.
  43. Оптические материалы для инфраксной техники: Справочное издание / Воронкова Е. М., Дистлер Г. И., Гречушников Б. Н., Петров И. П. М.: Наука, 1965.- 336 с.
  44. Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра.- М.: Мир, 1967.- 76 с.
  45. Дж. Оптические спектры твердых тел в области собственного поглощения.- М.: Мир, 1968.- 176 с.
  46. Ф.Ф., Уфлянд Я. С., Иоффе Б. С. О вычислении напряжений при изгибе тонких стеклянных пластинок.- Прикладная механика, 1970, т.6, № 5, с. 122.
  47. Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц.- М.: ИЛ, I960.- 388 с.
  48. Ю.И., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики.- М.: Наука, 1975.- 680 с.
  49. Г. Я. Теория групп и ее применения в физике.- М.: ГИФМЛ, 1958.- 356 с.
  50. Акустические кристаллы / Блистанов А. А., Бондаренко B.C., Переломова Н. В., СтрижевскаяФ.Н., Чкалова В. В., Шаскольская М.П.-М.: Наука, 1982.- 632 с.
  51. П. Принципы квантовой механики.- М.: Наука, 1979.480 с.
  52. Bendow B. Polariton theory of resonance Raman scattering in solids.- In: Springer Tracts in Modern Physics / Ed. G. Hohler, v. 82.— Berlin, Heidelberg, Hew York: Springer-Verlag, 1978, p.69−114.
  53. Glaus R., Merten L., Brandmuller J. light scattering by pho-non-polaritons: Springer Tracts in Modern Physics/Ed. G. Hohler, r.75.- Berlin, Heidelberg, Hew York: Springer-Verlag, 1975.- 237p.
  54. Light Scattering Spectra of Solids: Proc. of the Intern. Gonf. on Light Scattering Spectra of Solids, 1968/Ed. G.B.Wright, — Berlin, Heidelberg, Hew York: Springer-Verlag, 1969.- XX, 763 p.
  55. Light Scattering in Solids: Proc. of the J^-ssiid Intern. Gonf. on Light Scattering in Solids, 1970 /Ed. M.Balkanski.- Paris: Flamma-rion Sciences, 1971.
  56. Light Scattering in Solids: Proc. of the 3-rd Intern. Conf. on Light Scattering in Solids/Ed. by M. Balkanski, R.C.C.Leite, and
  57. S.P.S.Porto.- Paris: Flammarion Sciences, 1976.- XII, 974 p.
  58. Modulation Spectroscopy: Proc. of the First Int. Conf. on Modulation Spectroscopy, 1972/ Ed. B.O.Seraphin.- Surface Science, 1973, v.37, Ho:½/3.- VIII, 1024 p.
  59. Cardona M. Optical properties and band structure of germanium and zinc-blende-type semiconductors.- In: Atomic Structure and Properties of Solids / Ed. E.Burstein.- Hew York, London: Academic Press, 1972, p.514−580.
  60. Рассеяние света в твердых телах: Выпуск П /Под ред. М. Кардо-ны и Г. Гюнтеродта.- М.: Мир, 1984.
  61. Современные проблемы спектроскопии комбинационного рассеяния света /Под ред. МЛ.Сущинского.- М.: Наука, 1978.- 304с.
  62. М.М. Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов.- М.: Наука, 1969. 576 с.
  63. Ganesan S., Maradudin A.A., Oitmaa J. A lattice theory of morphic effects in crystals of the diamond structure.- Annals of Physics, 1970, v.56, Ho2, p.556−594.
  64. Г. Упругие постоянные кристаллов.- Успехи физических наук, 1961, т.74- № 2, с.303−352- № 3, с.461−520.
  65. Anastassakis: E., Burstein E., Maradudin A.A., Minnick R. Morphic effects.- Ill: Effects: of an external magnetic field on the long-wavelength optical phonons.- Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1972, v.33, ИоЗ, p.519.
  66. Anastassakis E., Burstein E. Morphic effects.- V: Time reversal symmetry and the mode properties of long-wavelength optical phonons.- Journal of Physics C: Solid State Physics, 1972, v.5, ITo12, p.2468.
  67. Loudon R. Theory of the first-order Raman effect in crystals.- Proceedings of the Royal Society (London), 1963, v. A275, No1361, p. 218−232.
  68. Loudon R. Theory of the resonance Raman effect in crystals.-Le Journal de Physique, 1965, v, 26, Жо11, p.677−683.
  69. Zeyher R., Bilz H., Cardona M. On the ^ law in microscopic theories of inelastic light scattering.- Solid State Communications, 1976, v.19, No1, p.57−60.
  70. Martin R.M. Resonance Raman scattering near critical points.- Physical Review В: Solid State, 1974, v.10, N06, p.2620−2631.
  71. Inelastic Light Scattering: Proc. of the 1979 U.S.-Japan Seminar, — Solid State Communications, 1979, v.32, No1, VII, 109 p.
  72. Light Scattering in Solids /Ed. by J.L.Birman, H.Z.Cummins, K.K.Rebane.- Oxford, New York: Plenum Press, 1979.
  73. Theory of Light Scattering in Condensed Matter/Ed. by B. Ben-dow, J.L.Birman, V.M.Agranovich.- New York: Plenum Press, 1976.
  74. B.C., Сущинский М. М. Сечения комбинационного рассеяния света некоторых монокристаллов.- Шизика твердого тела, 1970, т.12, № 5, с.1475−1478.
  75. В. Квантовая теория излучения.- М.: ИЛ, 1956.- 492 с.
  76. А., Матье Ж.-П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов.- М.: Мир, 1973.- 440 с.
  77. Ф., Вольф П. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела.- М.: Мир, 1975. 438 с.
  78. Дж.Д., Дрелл С. Д. Релятивистская квантовая теория: В 2-х т.- М.: Наука, 1978.
  79. В.Н. Квантовая электродинамика.- В кн.: Материалы 9-й Зимней школы ЛИЯФ по физике ядра и элементарных частиц.- Ленинград: ЛИЯФ АН СССР, 1974, с.5−283.
  80. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория.- М.: Наука, 1974. 752 с.
  81. Р., Гольд А. Симметрия в твердом теле.- М.: Наука, 1970.- 424 с.
  82. В. Теория групп в квантовой механике.- М.: ИЛ, 1963,522 с.
  83. Scott J.F., Damen Т.О., Leite R.C.C., Silfvast W.T. Resonant Raman effect in the indirect gap semiconductor gallium phosphide.- Solid State Communications, 1969, v.7, Ho13, p".953−955.
  84. Ralston J.M., Wadsack R.L., Chang R.K. Resonant cancellation of Raman scattering from CdS and Si.- Physical Review Letters, 1970, v.25, Hot2, p-.814−818.
  85. Grimsditch E., Cardona M. Absolute cross-section of Raman scattering, in silicon.- In: Physics of Semiconductors 1978/ Ed. B. L.Wilson.- London, Bristol: Institute of Physics, 1979, p.639−642,
  86. Chandrasekuar M., Rossler U., Cardona M Intra- and interband
  87. Raman scattering in heavily doped p-Si.- In: Physics of Semiconductors- 1978/Ей. B.L.Wilson.- London, Bristol: Institute of Physics, 1979, p.961−964.
  88. Wagner J., Gardona M, Absolute efficiency and dispersion of Raman scattering by phonons in silicon.- Solid State Communications, 1983, v.48, No3, p.301−303.
  89. Bermejo D., Cardona M. Raman scattering in pure and hydroge-nated amorphous- germanium and silicon.- Journal of Non-Crystalline Solids, 1979, v.32, Uol/2/3, p.405−419.
  90. Хамдамов В. Г'., Новак И. И., Веттегрень В. И. Резонансное комбинационное рассеяние света в растянутом кремнии.- Физика твердо-тела, 1984, т.26, № 2, с.327−333.
  91. Swanson L.R., Maradudin А.А. Pseudopotential calculation of the Raman tensor for homopolar semiconductors.- Solid State Communications, 1970, v.8, No11, p.859−865.
  92. Cardona M, Raman tensor of germanium and zincblende-type semi-conductors.-Solid State Communications, 1971, v.9,Ho11,p.819−822.
  93. Wen.de! H. Theoretical study of the Raman cross section and its pressure dependence in silicon.- Solid State Communications, 1979, v.31, No6, p.423−426.
  94. Jain K.P., Jayanthi C.S. Resonant Raman scattering at the indirect gapns of semiconductors.- Physical Review B: Condensed Matter, 1979, v. 19., N08, p.4198−4204.
  95. Brey L., Tejedor G. Raman tensor of covalent semiconductors.-Solid State Communications, 1983, v.48, No4, p.403−406.
  96. Laude L.D., Pollak F.H., Cardona M. Effects of uniaxial stress on the indirect exciton spectrum of silicon.- Physical Review- B: Solid State, 1971, v.3, No8, p.2623−2636.
  97. Poiiak F.H., Rubloff G.W. Piezooptical evidence for A transitions at the 3.4-eV optical structure: of silicon.- Physical Revlew Letters, 1972, v.29, Uol2, p.789−792.
  98. Pol3.ak F.H., Cardona M. Piezo-electroreflectance in Ge, GaAs, and Si.- Physical Review, 1968, v. 172, ВД, p.816−837.
  99. Higginbotham Gardona M., Pollak F. H, Intrinsic piesobi-refringence of Ge, Si, and GaAs.-Physical Review, 1969, v.184, ЕоЗ, p". 821−829.
  100. WelberB.t Kim O.K.', Gardona M., Rodriguez S. Dependence of the indirect energy gap of silicon on hydrostatic pressure.- Solid State Communications, 1975, v.17, N08, p.1021−1024.
  101. Kondo K., Moritani A. Symmetry analysis of the E2~structures in Si by low-field electroreflectance.- Physical Review B: Condensed Matter, 1977, v.15, Ho2, p.812−815.
  102. Forman R.A., Ihurber W.R., Aspnes D. E, Second indirect gap in silicon.- Solid State Communications, 1974, v.14, Uo10, p.1007−1010.,
  103. Goroff I., Kleinman L. Deformation potentials in silicon. Ill, Effects: of general strain on conduction and valence levels, — Physical Review, 1963, v. 132, ПоЗ, p.1080−1084.
  104. Kleinman L. Deformation potentials in silicon. I. Uniaxial strain.- Physical. Review, 1962, v, 128, N06, p, 2614−2621.
  105. Kleinman L. Deformation potentials- in silicon. II. Hydrostatic strain. and the electron-phonon interaction.- Physical Review, 1963, v.130, H06, p:. 2283−2289.
  106. Ghandrasekhar M., Pollak F.H. Effects of uniaxial stress- onthe electrore. flееtance spectrum, of Ge and GaAs.-Physical Review B: Condensed Matter, 1977, v. 15, No4, p.2127−2144.
  107. В.К., Марколенко Ю. К., Тимофеенко В. В. Зонная структура кремния при высоких давлениях, — Шизика и техника высоких давлений (Киев), 1980, № 2, с.20−22.
  108. Д. Метод псевдопонтенциала и спектры одночастичного электронного возбуждения кристаллов, — В кн.: Вычислительные методы в теории твердого тела / Под ред. Овчинникова А. А. М.: Мир, 1975, с.45−74.
  109. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters- of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, In As, InSb from 1.5 to 6.0 e.V.- Physical Review В: Condensed Matter, 1983, v. 27, No2, p. 985−1009-.
  110. Jellison G.E., Jr, Modine P.A., Optical functions of silicon between 1.7 and 4.7 eV at elevated temperatures.- Physical Review
  111. B: Condensed Matter, 1983, v.27, Uo12, p-.7466−7472.
  112. Samara G. A* Temperature and pressure dependences of the dielectric constants of semiconductors.- Physical Review B: Condensed Matter, 1983, v. 27, No6, p.3494−3505.
  113. Allen P.B., Cardona M. Temperature dependence of the direct gap) of Si and Ge-.- Physical Review B: Condensed Matter, 1983, v.: 27, No8, p.4760−4769.
  114. Weakliem H.A., Redfield D. Temperature dependence of the optical. properties- of silicon.- Journal of Applied Physics, 1979, v. 50, No3, p.1491−1493.
  115. Bassani p., Brust D.', Effect of alloying and pressure on tlie band structure: of germanium: and silicon.- Physical Review, 1963, v. 131, Ho4, p.1524−1529.
  116. Welber В., Kim O.K., Cardona M., Rodriguez S. Dependence of the- indirect energy gap of silicon on hydrostatic pressure, — Solid State Communications-, 1975, v. 17, Ho8, p. 1021−1024.
  117. JellisQn G.E., Jr., Lowndes D.H., Wood R.P. Importance of temperature-dependent optical properties: for Raman temperature measurement a for silicon.- Physical Review B: Condensed Matter, 1983, v. 28, Ho6, p.3272−3276.
  118. Hayes W., Loudon R. Scattering of Light by Crystals.- Hew Yoric- John Wiley & Sons-, 1978.
  119. И.Б. Генерация и детектирование неравновесных оптических фононов при комбинационном рассеянии лазерного излучения.-Физика и техника полупроводников, 1973, т.7, № 9, с.1673−1683.
  120. Д. фон дер. Пикосекундные взаимодействия в жидкостях и твердых телах.- В кн.: Сверхкороткие световые импульсы / Под ред. С.Шапиро.- М.: Мир, 1981, с.263−349.
  121. Laubereau A, Kaiser WV Vibrational dynamics of liquids and solids investigated by picosecond light pulses.- Reviews of Modern Physics, 1978, v.50, Ho3, p.607−655.
  122. Ф.Т. Неоавновесные оптические фононы, генерируемыеэлектронами в поле лазерного излучения. Физика твердого тела, 1977, т.19, № 11, с.3279−3283.
  123. Lauhereau А", von der Linda D., Kaiser W. Decay time: of hot TO phonons- in diamond.- Physical. Review Letters, 1.971, v.27, No 12, po. 802−805.
  124. Coll.es- M.J.,' Giordmaine J.A. Generation and detection of lar-g^-*" k-vector phonons:.- Physical Review betters, 1971, v.27, Ho 10, p.670−674.
  125. Orbach R, Honlinear phonon generation.- Physical Review Letters!, 1966, v.16, No1, p.15−16.
  126. Chartier G., Biraud S. Generation of 100 Watts- of coherent optical phonons in quartz.- Physical Review Letters, 1968, v.21, Ho24, p.1641−1642.
  127. Lo H.W., Compaan A. Raman measurements of temperature during cv laser heating of silicon.- Journal of Applied Physics, 1980, v.51No3, p. 1565−1568.
  128. Lo H.W., Compaan A. Raman measurement of lattice temperature during pulsed laser heating of silicon.- Physical Review Letters, 1980, v.44, No24, p.1604−1607.
  129. Meyer J.R., Bartoli P.J., Kruer M.R. Optical heating in semiconductors-.- Physical Review В: Condensed Matter, 1980, v.21, Uo4, p.1559−1568.
  130. Luzzi R., Miranda L.C.M." Optical properties of semiconductors- under intense laser fields-.- Physics Reports-, 1978″ v. 43, Noll, p. 423−453.
  131. И.И., Веттегрень В. И., Хамдамов В. Г. Населенность фононов в деформированном кремнии.- В кн.: Всесоюзная школа по физике, химии и механике поверхности. Тезисы оригинальных докладов. Нальчик, 23−30 октября 1981 г.- Черноголовка, 1981, с. 46.
  132. Ф.М. Статистическая физика и термодинамика. М.: Наука, 181.- 352 с.
  133. И.П. Термодинамика.- М.: Высшая школа, 1983.- 344 с.
  134. В.В., Новак И. И., Титовец Ю. Ф. Ангармонизм решеточных колебаний в растянутом кремнии.- Физика твердого тела, 1979, т.21, № 11, с.3317−3325.
  135. В.В. Измерение колебательных спектров кристаллов при механических и тепловых воздействиях.- Дисс. канд. физ.-мат. наук.- Лениград, 1980, — 194 с.
  136. Р.Ф., Ипатова И. П., Марадудин А. А. О температурной зависимости ширины линии основного решеточного поглощения в ионных кристаллах. Физика твердого тела, 1966, т.8, № 4, с.1064−1078.
  137. Safran S., Lax: В, Temperature, dependence of the Raman line-width and frequency shift in Si and Ge.- Journal of Physics: and Chemistry of Solids-, 1975, v.36, No7/8, p.753−757.
  138. Klemens- P.G. Anharmonic decay of optical phonons.- Physical Review, 1966, v.148, No2, p.845−848.
  139. Hart T.R., Aggarwal R.L., Lax B. Temperature dependence of Raman scattering in silicon.- Physical Review B: Solid State, 1970, v. 1, No2, p.638−642.
  140. Soma. X. Temperature dependence of the. Griineisen constant of Si and Ge.- Physica. Status Solidi (b), 1977, v.82, No1, р>.31−9-324.
  141. Preehtel J., Kalus J., Luacher E., Pintschovius- L., Ghosh R. Measurement of mode Griineisen parameters in Si.- Physica Status-Solidi (b), 1979, v. 93, No2, p.653−659.
  142. Soma Т., Matsuo H., Saitoh. Y. Volume dependence of phonon frequencies and mode Gruneisen parameters for Si and Ge.- Solid State Communications, 1981, v.39, Ho11, p.1193−1197.
  143. Soma Т., Matsuo H., Saitoh Y. Mode Griineisen parameters for long-wave phonons under pressure of Si and Ge.- Solid State Communications, 1981, v.39, Ho8, p.913−916.
  144. Jayaraman A. Diamond anvil cell and high-pressure physical investigations.- Reviews of Modern Physics, 1983, v.55, No1, p. 65−108.
  145. Chandrasekhar M., Renucci J.B., Cardona M. Effects of inter-band excitations on Raman phonons in heavily doped n-Si.- Physical Review B: Condensed Matter, 1978, v.17, No4, p.1623−1633.
  146. Temple P.A., Hathaway G.E. Multiphonon Raman spectrum of silicon.- Physical Review В: Solid State, 1973, v.7, No8, p.3685−3697.
  147. Jain K.P., Jayanthi C.S. Resonant Raman scattering at the indirect gaps of semiconductors.- Physical Review B: Condensed matter, 1979, v. 19, Ko8, p.4198−4204.
  148. Posener D.W. The shape of spectral lines: tables of the Voigta 0 •profiles — — ----: .- Australian Journal of Physics, 1. Ovr-'vo21959, v.12, No2, p.184−196.
  149. В.Г., Веттегрень В. И., Новак И. И. Сравнение ангар-монизма фононов в объеме и у поверхности кубического селенида цинка методом комбинационного рассеяния света.- Шизика твердого тела, 1980, т.22, № 11, с.3242−3246.
  150. А.А., Морозенко Я. В., Пермогоров С. А. Резонансное вторичное свечение кристаллов Zn Те . Физика твердого тела, 1978, т.20, № 12, с.3557−3566.
  151. В.М., Гинзбург В. Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов.- М.: Наука, 1979.- 432 с.
  152. Hopfield J.J., Thomas D.G. Theoretical and experimental effects of spatial dispersion on the optical properties of crystals.- Physical Review, 1963, v.132, Жо2, p.563−572.
  153. Balslev I. The excitonic surface potential in semicoductors.- Physica status solidi (b), 1978, v.88, No1, p.155−161.
  154. .В., Роппишер Г., Талалаев В. Г. Управление толщиной безэкситонного приповерхностного слоя в кристаллах Zn Se .- Физика твердого тела, 1979, т.21, № 3, с.817−822.
  155. А.С. Теория твердого тела.- М.: Наука, 1976. 640 с.
  156. M.G., Кособуцкий П. С., Шевель С. Г. 0 температурной зависимости «классических» экситонных спектров отражения селенида цинка. Физика твердого тела, 1979, т.21, № 8, с.2510−2513.
  157. Ьее Y.C., Lin D.L. Wannier «excitons in a thin crystal film.-Physical Review B: Condensed Matter, 1979, v.19, No4, p.1982−1989.
  158. Barron T.H.K., Gollins J.G., White G.K. Thermal expansion of solids at low temperatures.- Advances in Physics, 1980, v.29, No4, p.609−730.
  159. Blackman M. On the thermal expansion of solids.- Proceedings of the Physical Society (London), 1957, v. B70, p.827−832.
  160. С.И. Тепловое расширение твердых тел.- М.: Наука, 1974.
  161. В.М. Эффекты сильного энгармонизма в спектрах комбинационного рассеяния света. В кн.: Пуле А., Матье Ж.-П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов, — М.: Мир, 1973, с.408−433.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?