Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Определение параметров моделей СВЧ транзисторов по результатам измерений

Диссертация: Определение параметров моделей СВЧ транзисторов по результатам измерений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Подход к решению задачи идентификации моделей транзистора в данной диссертационной работе обладает элементами новизны. Научная новизна работы состоит в применении принципиально нового способа определения параметров транзисторов, основанного на идентификации параметров его схемной модели, по результатам измерений. Существенно, что измеряют не транзистор в контактном устройстве, а усилительный… Читать ещё >

Содержание

  • Актуальность темы
  • Цели и задачи диссертации. б
  • Объект исследования
  • Методы исследования
  • Научная новизна
  • Практическая ценность
  • Практическое использование
  • Обоснованность и достоверность результатов работы
  • Апробация работы
  • Публикации
  • Структура и объем работы
  • На защиту выносятся
  • Глава 1. Определение и идентификация параметров моделей СВЧ транзисторов (актуальность, состояние проблемы, постановка задач исследовании)
    • 1. 1. Актуальность задачи определения ¿'-параметров и идентификации схемных параметров моделей СВЧ транзисторов
    • 1. 2. Состояние проблемы
    • 1. 3. Постановка задачи
  • Выводы
  • Глава 2. Определение параметров транзисторов, но результатам измерении на постоянном токе п на СВЧ
    • 2. 1. Измерение вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзистора с использованием виртуального прибора
    • 2. 2. TRL-метод определения волновых параметров модели СВЧ транзистора по результатам измерений в полосковых линиях передачи
    • 2. 3. Идентификация моделей коаксиально-полосковых переходов, полосковых и резистивных структур
  • Выводы
  • Глава 3. Идентификация параметров моделей пассивных цепей транзисторного усилительного модуля
    • 3. 1. Идентификация волновых параметров согласующих цепей
    • 3. 2. Идентификация волновых параметров коаксиальных неатгестованных переходов
    • 3. 3. Идентификация волновых параметров коаксиально-полосковых переходов методом удаленной нагрузки
    • 3. 4. Алгоритм и программа автоматизации процесса идентификации параметров модели КПП
  • Выводы
  • Глава 4. Методы определения волновых и схемных параметров транзисторов
    • 4. 1. Метод идентификации согласующих цепей
    • 4. 2. Сопоставительный анализ результатов идентификации схемных и волновых параметров моделей СВЧ транзисторов
    • 4. 3. Определение параметров транзистора по результатам измерений в полосковых линиях передачи. Экспериментальные результаты
    • 4. 4. Метод удаленной нагрузки в задаче определения параметров транзистора по результатам измерений. Экспериментальные результаты
  • Выводы
  • Глава 5. Идентификация параметров моделей СВЧ транзисторов в режиме большого сигнала
    • 5. 1. Идентификация параметров транзисторных модулей методом удаленной нагрузки
    • 5. 2. Анализ точности определения ¿"-параметров
    • 5. 3. Анализ метода удаленной нагрузки в режиме большого сигнала
    • 5. 4. Идентификация схемных параметров эквивалентной модели транзистора
  • Выводы

Определение параметров моделей СВЧ транзисторов по результатам измерений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Широкое развитие техники высоких и сверхвысоких частот и стремление к существенному снижению затрат на ее разработку способствует широкому применению средств автоматизированного проектирования при их разработке [1].

В процессе расчета и проектирования СВЧ устройств различного назначения необходимо иметь точную информацию о каждом используемом элементе проектируемой схемы. Важно знать, как тот или иной элемент поведет себя при изменении внешних условий. В частности, для широкого внедрения современных средств автоматизированного проектирования СВЧ устройств необходимо иметь базу моделей транзисторов [2], в том числе отечественных. Все известные зарубежные системы автоматизированного проектирования, такие как Microwave Harmonica, Microwave Explorer, Success, Serenada фирмы Compact Software (Ansoft Inc), Libra (в составе HP Advanced Design System) фирмы HP EEsof, Microwave Office фирмы Applied Wave Research имеют обширную библиотеку моделей зарубежных транзисторов [3]. На сегодняшний день не существует, как таковой, библиотеки моделей транзисторов российского производства, предназначенных для работы в режиме большого сигнала, что удорожает и усложняет отечественные разработки.

Актуальность темы

.

Успех проектирования микроэлектронных СВЧ устройств, в частности микрополосковых интегральных схем [4], определяется результатами предварительного моделирования СВЧ транзисторов в линейном и нелинейном режимах работы. Такое машинное моделирование может обеспечить проверку в первом приближении функциональных возможностей и характеристик схемы при различных входных и выходных условиях до передачи конструкции на изготовление. Так как большинство моделирующих программ включают возможности оптимизации, схемы могут быть отлажены, что значительно сокращает цикл конструирования.

Процесс построения модели эквивалентной электрической схемы предполагает наличие схемных моделей исходных элементов — пассивных и активных. Методы анализа структуры СВЧ схем разработаны достаточно давно и базируются на математическом аппарате, описанном в работах [5−7]. Эти методы реализованы в программном продукте Microwave Office [8], используемом в данной диссертации. Microwave Office (MWO) представляет собой интегрированный пакет программ, предназначенный для разработки устройств СВЧ. Набор программ включает модуль для линейного моделирования схем в частотной области, модуль для нелинейного моделирования схем со значительной нелинейностью методом гармонического баланса и слабо нелинейных схем методом рядов Вольтера, и модуль для трехмерного электромагнитного моделирования многослойных структур, а также разработанный модуль для проектирования печатных конструкций и топологии интегральных схем. Microwave Office обеспечивает высокую производительность и имеет удобный для практического применения интерфейс.

Существуют следующие способы построения моделей объектов или процессов: во-первых, с помощькЗ ряда аналитических выражений, например, математическое описание принципа действия и основных параметров транзистора [9]- во-вторых, представление транзисторов в виде эквивалентных схем [10] и в-третьих — в виде четырехполюсника. Преимуществом структурной модели является высокая информативность: эквивалентная схема позволяет установить связь между ее элементами и характеристиками транзистора. Бесструктурная модель транзистора (представление в виде четырехполюсника) менее информативна. Однако бесструктурные модели более достоверны, поскольку их параметры (S, Y ил и Т) могут быть измерены [11] точнее в том частотном диапазоне, для которого они предназначены, чем параметры эквивалентной схемы.

Следует отметить, что численные значения, как волновых параметров 4 рассеяния, так и параметров моделей в виде эквивалентных схем, зависят и от того, как транзистор установлен в микрополосковую конструкцию. Контактные площадки, которые непосредственно соединяют выводы транзистора, имеют размеры, отличающиеся от поперечных размеров полосковых линий стандартного волнового сопротивления, в которых обычно измеряют СВЧ параметры транзисторов. Это объясняется тем, что входной и выходной импедансы транзисторов могут отличаться от 50 Ом.

Таким образом, описывать работу транзистора на настоящем этапе развития методов и средств автоматизированного проектирования СВЧ устройств, целесообразно посредством идентификации параметров его схемных моделей по результатам измерений, полученных в условиях, соответствующих реальным режимам работы и способам монтажа [11].

Успех решения задачи идентификации моделей транзистора, как в линейном, так и в нелинейном режимах работы зависит от того, насколько результаты испытаний транзистора соответствуют реальным условиям его применения. Поэтому целесообразно измерять параметры не транзистора, а реального усилительного модуля, в который входит транзистор и входная, выходная согласующие цепи.

Наиболее известный на сегодняшний день способ определения параметров транзисторов или параметров моделей транзисторов — через вольтамперные характеристики [12−18], полученные экспериментальным путем в линейном и нелинейном режимах работы. Методику проведения измерений и расчета основных параметров можно разделить на три этапа. В первом производятся измерения, то есть снятие вольтамперных характеристик, а так же нахождение из этих характеристик основных параметров транзистора (высота барьера, напряжение отсечки, крутизна, напряжение насыщения). На втором этапе, используя ранее найденные параметры и геометрические размеры структуры, производится расчет основных параметров канала транзистора. На третьем — с помощью известных радиотехнических расчетов находятся значения элементов 5 эквивалентной схемы транзистора, после чего появляется возможность предсказать высокочастотные свойства исследуемого транзистора.

Однако способ восстановления параметров моделей транзисторов по вольтамперным характеристикам имеет ряд недостатков, связанных с тем, что при снятии характеристик не учитывается работа транзистора при малом либо большом сигнале, в реальной схеме.

Параметры моделей транзисторов целесообразно определять по результатам измерений их волновых параметров рассеяния в контактных устройствах с внешними коаксиальными соединителями. Для исключения влияния контактного устройства на определяемые параметры проводят измерения с тестовыми полосковыми структурами с известными или частично известными параметрами и используют специальную математическую обработку данных для трансформации-параметров в коаксиальном тракте к физическим границам транзистора. Известны различные способы решения этой задачи — матричное вынесение, фильтрация окнами в сочетании с преобразованиями Фурье. Однако, несмотря на достигнутый прогресс в определении параметров транзисторов по результатам измерений остаются нерешенными следующие задачи:

• Снижение стоимости оборудования. (Контактное устройство является весьма дорогими оборудованием, сопоставимым по стоимости с измерительной аппаратурой — векторным анализатором цепей);

• Повышение точности. (Процедуры исключения влияния контактного устройства недостаточно эффективны из-за несовершенства конструкции в области контакта между коаксиальной и полосковой линиями передачи);

• Расширение сферы использования. (Измерения-параметров транзистора в полосковом тракте не соответствуют условиям работы транзисторов в усилителях мощности, умножителях и преобразователях частоты).

Решению этих актуальных задач и посвящена настоящая диссертационная работа.

Цели и задачи диссертации.

Целью данной диссертации является разработка эффективных способов определения параметров моделей СВЧ транзисторов по результатам их измерений в составе усилительных модулей на постоянном токе и на СВЧ, а также в режиме большого сигнала, с применением пакетов прикладных программ математического моделирования и автоматизированного проектирования СВЧ устройств. ,.

Подход к решению задачи идентификации моделей транзистора в данной диссертационной работе обладает элементами новизны. Научная новизна работы состоит в применении принципиально нового способа определения параметров транзисторов, основанного на идентификации параметров его схемной модели, по результатам измерений. Существенно, что измеряют не транзистор в контактном устройстве, а усилительный модуль, помещенный в корпус с внешними коаксиальными соединителями. Задача исключения влияния внешних окружающих транзистор СВЧ-цепей решается методом удаленной нагрузки на основе идентификации параметров аналитической модели коаксиально-полосковых переходов и моделирования интегральных согласующих цепей и полосковых линий с помощью средств автоматизированного проектирования.

Предложен способ определения параметров модели транзистора по результатам измерений с фиксированными контактами между полосковыми и коаксиальными линиями и подтверждена его эффективность на основании сопоставления с альтернативными решениями.

Разработаны и исследованы методы определения параметров аналитических моделей коаксиальных переходов — с дюймовой и метрической резьбой, а так же коаксиально-полосковых переходов, не требующие использования аттестованных калибровочных мер.

Предложен способ расчета волновых и идентификация схемных 7 параметров моделей СВЧ транзистора в режиме большого сигнала, т. е. при возбуждении усилителя мощности однотоновым сигналом в СВЧ диапазоне, по схеме с удаленной нагрузкой.

Объект исследования.

Объектами исследования данной работы, являются методы корректного измерения волновых параметров рассеяния СВЧ транзисторов и способы идентификации их схемных параметров.

Методы исследования.

При выполнении работы использовались теоретические и экспериментальные методы исследования. Результаты теоретических исследований базируются на теории СВЧ цепей, теории функции комплексного переменного, методах аппроксимации числовых рядов, методах компьютерного моделирования. Эксперименты выполнены с использованием современного оборудования и методов обработки результатов косвенных измерений.

Научная новизна.

Научная новизна работы состоит в применении принципиально нового способа определения параметров транзисторов, основанного на идентификации параметров его схемной модели, по результатам измерений. Существенно, что измеряют не транзистор в контактном устройстве, а усилительный модуль, помещенный в корпус с внешними коаксиальными соединителями. Задача исключения влияния внешних окружающих транзистор СВЧ-цепей решается методом удаленной нагрузки на основе идентификации параметров аналитической модели коаксиально-полосковых переходов и моделирования интегральных согласующих цепей и полосковых линий с помощью средств автоматизированного проектирования.

Предложен способ определения параметров модели «транзистора по результатам измерений с фиксированными контактами между полосковыми и коаксиальными линиями и подтверждена его эффективность на основании сопоставления с альтернативными решениями.

Разработаны и исследованы методы определения параметров аналитических моделей коаксиальных переходов — с дюймовой и метрической резьбой, а так же коаксиально-полосковых переходов, не требующие использования аттестованных калибровочных мер.

Предложен новый метод определения волновых и идентификации схемных параметров модели СВЧ транзистора в СВЧ усилителе мощности в режиме большого сигнала по схеме с удаленной нагрузкой. Проведен анализ точности измерений в данном режиме с использованием математического аппарата по обработке массива экспериментальных данных. Практическая ценность работы заключается:

•В сокращении затрат при определении параметров СВЧ транзисторов по результатам измерений за счет исключения дорогостоящего контактного устройства и проведения испытаний в корпусе с фиксированными коаксиально-полосковыми переходами;

• В повышении достоверности получаемой информации и расширении сферы использования моделей за счет проведения измерений в условиях реальной работы транзистора в качестве усилительного или преобразующего элемента;

•В повышении точности результатов за счет исключения наиболее существенного источника погрешности, обусловленного нестабильностью параметров соединителей коаксиальных и полосковых линий в контактных устройствах;

•В разработке программы для решения задачи идентификации аналитических моделей коаксиально-полосковых переходов в рамках одного проекта и использовании этих моделей при автоматизированном проектировании и моделировании интегральных СВЧ модулей.

Практическое использование.

Работа выполнялась в соответствии с планом научной работы кафедры «Компьютерные технологии в проектировании и производстве». Результаты работы внедрены в ЗАО «НПП Салют-25» для разработки, проектирования и испытаний СВЧ приборов специального назначения, а также при выполнении ОКР «Овация», «Облегчение».

Обоснованность и достоверность научных положений, выводов и рекомендаций, сформулированных в диссертации, подтверждается:

— использованием теоретически обоснованных методов описания СВЧ устройств;

— сравнением полученных результатов с зарубежными аналогами и результатами, полученными другими авторами;

— контролем результатов машинной оптимизации, путем проверки выполнения условий минимального значения целевых функций.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

• XI Нижегородской сессии молодых ученых «Технические науки», г. Н.Новгород, 2006 г.

• XII Нижегородской сессии молодых ученых «Технические науки», г. Н.Новгород, 2007 г.

• V Международной молодежной НТК «Будущее технической науки», г. Н.Новгород, 2006 г.

• VI Международной молодежной НТК «Будущее технической науки», г. Н.Новгород, 2007 г.

• Международной НТК «Информационные системы и технологии» ИСТ-2006, г. Н.Новгород, 2006 г.

• IV Международной молодежной НТК «Будущее технической науки», г. Н.Новгород, 2005 г.

• Международной НТК «Информационные системы и технологии» ИСТ-2005, г. Н.Новгород, 2005 г.

• Международной НТК «Интеллектуальные системы (А1805 и интеллектуальные САПР (САЕ>2005)», г. Дивноморск, 2005 г.

• XVI Координационном научно-техническом семинаре по СВЧ технике,.

H.Новгород, 2009 г.

• XV Нижегородской сессии молодых ученых «Технические науки», г. Н.Новгород, 2010 г.

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 12 печатных работах. Результаты диссертационной работы отражены в отчете по НИР.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка из -101 наименований. Общий объем работы 150 страниц.

Выводы.

1. В разделе 5.1 проведена оценка метода удаленной нагрузки для режима с малым уровнем мощности на входе исследуемого объекта. Совпадение результатов с истинными значениями малосигнальных волновых параметров транзистора позволяет предположить о целесообразности применения метода удаленной нагрузки и для режима большого сигнала. Чтобы приблизить проводимое в главе моделирование в Microwave Office к реальным измерениям, был применен алгоритм «зашумления» данных. Расчет волновых параметров транзистора в условиях наложения шума на результаты измерений, показал, что даже в условия шумов, погрешность восстановления всех волновых параметров объекта (коэффициент вариации) имеет допустимое значение — <10%, что говорит об эффективности используемого метода.

2. Основываясь на положительных результатах метода удаленной нагрузки для линейного режима работы, было проведено аналогичное.

134 моделирование, для режима * однотонового возбуждения усилителя мощностью 20дБм. Аппроксимируя естественную вариацию восстановленных волновых параметров (усилителя мощности), и сравнивая их с истинными значениями, сделан вывод о том, что максимальная величина отклонения расчетных значений от истинных — у |52/|~5, равное А=0,32. По фазе — максимальное относительное отклонение имеет срО^//), равное Дф=14°. 3. Результаты раздела 5.4 данной главы показывают, что идентификация схемных параметров модели СВЧ транзистора в режиме возбуждения большим уровнем мощности, возможна с относительно небольшими отклонениями от номинальных значений (таб.5.1). Погрешность обусловлена несовпадением уровней мощности на входе транзистора при измерении и моделировании и в принципе может быть устранена.

Заключение

.

В результате выполнения диссертационной работы решены задачи, связанные с разработкой новых методов определения параметров СВЧ транзисторов:

Предложена методика определения волновых и схемных параметров транзисторов по результатам измерений на постоянном токе и на СВЧ. Получены экспериментально вольт-амперные характеристики транзистора с применением виртуального прибора. Определен возможный способ нахождения параметров моделей транзисторов при импортировании измеренной вольт-амперной характеристики в программу Microwave Office.

Показана целесообразность измерения не одного транзистора, а транзистора в составе усилительного модуля, чтобы результаты измерений соответствовали реальным условиям применения данного транзистора.

Определены параметры моделей транзистора по результатам измерений в согласованном тракте и методом удаленной нагрузки. Предложен метод идентификации волновых параметров согласующих цепей. Рассчитаны волновые параметры коаксиальных неаттестованных переходов, с целью исключения их как внешних цепей погрешностей. Разработана программа автоматизации процесса идентификации параметров модели КПП.

Проведен подробный сопоставительный анализ методов определения параметров транзисторов и экспериментальных результатов, позволивший на конкретных численных примерах показать эффективность и преимущество предложенных решений по сравнению с известными методами.

Предложен новый метод корректного определения волновых параметров транзистора в режиме большого сигнала, основанный на результатах измерений входного коэффициента отражения и прямой передачи. Предложен способ идентификации схемных параметров модели СВЧ транзистора по результатам двух измерений в частотном окне. Проведенный анализ точности измерений в данном режиме с использованием математического аппарата по обработке массива экспериментальных данных показал эффективность предложенных решений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , К. Машинное проектирование СВЧ устройств / К. Гупта, Р. Гардж, Р. Чадха: Пер. с англ.- М.: Радио и связь, 1987. — 430 с.
  2. Gonsalez, G. Microwave Transistor Amplifiers / G.Gonsalez. Analysis and Design Prentice Hall, 1997. — 506 pp.
  3. Microwave Office 2001. Element Catalog. EI Segundo: Applied Wave Research, Inc., 2000. — 121 pp.
  4. Текшев, В. Б. Автоматизированное проектирование микроминиатюрных полупроводниковых узлов СВЧ радиоприемных устройств / В. Б. Текшев, В. Д. Разевиг, С. Г. Плигин. М.: Изд-во МЭИ, 1987. — 237 с.
  5. , И.М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. -М.: «Радио и связь», 1990. -264 с.
  6. , В.И. Ведение в физику полупроводников / В. И. Фистуль. М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.
  7. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи. М.: Мир, 1984. — 912 с.
  8. , В.Д. Проектирование СВЧ устройств с помощью Microwave Office / В. Д. Разевиг, Ю. В. Потапов, А. А. Курушин. М.: СОЛОН-Пресс, 2003. — 496 с.
  9. , Ю. Физика быстродействующих транзисторов / Ю.Пожела. -Вильнюс: Моклас, 1989. 112 с.
  10. , М.Г. Транзисторы / М. Г. Агапова, В.Л.Аронов- под ред. И. Г. Бергельсона. -М.: Сов. радио, 1968. 506 с.
  11. , С.М. Автоматический измеритель волновых параметров рассеяния элементов и устройств СВЧ диапазона / С. М. Никулин, В. В. Петров, А. Н. Салов, А. С. Чеботарев // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1983. -Вып.9. — С.42−45.
  12. , В. А. Моделирование СВЧ транзисторов методом экстраполяции-параметров / В. А. Дмитриев, А. М. Осипов // Вестник Новгородского государственного университета: НГУ 2004. — № 26. — С.30−32.
  13. , В.Н. О редукции размерности задач параметрической оптимизации / В. Н. Бирюков // Известия вузов. Электромеханика. 2002. — № 1. — С.59−60.
  14. Antognetti, P. Semiconductor Device Modeling with SPICE / P. Antognetti, G. Massobrio.- New York: McGraw-Hill Book Company, 1987. 200 pp.
  15. , В. Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 выпусках. Вып. З: Моделирование аналоговых устройств / Разевиг, В.Д.-М.: Радио и связь, 1992.-150 с.
  16. , И.И. Материалы 9-ой Международной Крымской Микроволновой Конференции / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, 140
  17. А.Л.Данилюк, А. В. Королёв.- КрыМиКо'99, 1999. С.296−299.
  18. , И.И. Методика идентификации параметров нелинейной электрической модели РТД / И. И. Абрамов, А. В. Королёв // Известия Белорусской инженерной академии. 1999. — № 1(7)/2. — С. 119−121.
  19. , И.И. Материалы 8-ой Международной Крымской Микроволновой Конференции, Т.2 / И. И. Абрамов, А. Л. Данилюк, А. В. Королёв, Е. А. Патент.- КрыМиКо'98, 1998. С.599−601.
  20. , И.И. Известия Белорусской инженерной академии / И. И. Абрамов, А. Л. Данилюк, А. В. Королёв. 1998. — № 2(6)/2. — С.43−46.
  21. , А.В. Вестник Связи / А. В. Королёв. 1999. -№ 1. — С. 133−135.
  22. , А.В. Физика конденсированных сред / А. В. Королёв // Тезисы докладов VII Республиканской научной конференции студентов и аспирантов /Под ред. В. А. Лиопо. Гродно: ГрГУ, 1999. — С. 116−117.
  23. , И.И. Известия Белорусской инженерной академии / И. И. Абрамов, А. Л. Данилюк, А. В. Королёв. 1999. — № 1(7)/2. — С. 119−121.
  24. Degachi, L. Systematic and rigorous extraction method of НТВ small-signal model parameters / L. Degachi, F.M.Ghannouchi. IEEE Transactions on Microwave theory and techniques, 2006. — vol.54. — no2. — pp.682−688.
  25. Dambrine, G. A new method for detemining the FET small-signal equivalent circuit / G. Dambrine, A. Cappy, A. Heliodore, E.Playez. IEEE Trans. Microw. Theory Tech., 1988. — vol.36. — no.7. — pp. 1151−1159.
  26. , В. А. Проектирование транзисторных усилителей СВЧ нетрадиционными методами / В. А. Пчелин, А. К. Балыко, А. А. Пругер // Электронная техника. 1992.-Вып.7. — С. 17−22
  27. , Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ / Н. З. Шварц. М.: Советское радио, 1980. — 368 с.
  28. , A.M. Интеллектуальный анализатор СВЧ цепей и антенн / А. М. Кудрявцев, С. М. Никулин. -Н. Новгород: НГТУ, 2005. 121 с.
  29. , В.И. СВЧ полупроводниковые передатчики / В. И. Каганов. М.: Радио и связь, 1981. — 368 с.
  30. , И.Н. Определение параметров микроэлектронных ВЧ и СВЧ компонентов методом частотного окна: диссертация канд. техн. наук / Малышев Илья Николаевич- науч. рук. С.М. Никулин- НГТУ им. Р. Е. Алексеева. Н.Новгород. — 170 с.
  31. J.J. Bouny. Impedance measurements for the high power RF transistors using the TRL method//Microwave Journal, October, 1999, p.p. 126, 128, 130,132,134
  32. , A.M. Интеллектуальные информационно-измерительные системы ВЧ и СВЧ диапазона / А. М. Кудрявцев, С. М. Никулин // Н. Новгород: Нижегород. гос. техн. ун-т-2006. — 198 с.
  33. , И.Н. Измерение волновых параметров рассеяния элементов интегральных СВЧ-структур в полосковых линиях передачи / И. Н. Малышев, С. М. Никулин, В. Н. Уткин // Метрология. -2008. № 2 — С.32−42. — ISSN 0132−4713.
  34. , И.Н. Измерение волновых параметров рассеяния элементов интегральных СВЧ-структур в полосковых линиях передачи / И. Н. Малышев, С. М. Никулин, В. Н. Уткин / Метрология, 2008. № 2, — С.32−42.
  35. , Б. Преобразование данных из частотной области во временную // Б. Ульриксон / ТИИЭР. 1986. — т.74. -№ 1. — С.84−87.
  36. , А.В., Цифровая обработка результатов СВЧ измерений методом «спектрального окна» / А. В. Беднов, А. М. Кудрявцев, С.М., Никулин // Датчики и системы. 2004. — № 6.-С.30−39.
  37. , P.JI. Широкополосный метод вынесения с использованием короткозамкнутой цепи, разомкнутой цепи и промежуточной линии / Р. Л. Вайткус //ТИИЭР, 1986, — т.74-№ 1. -С.81−84.
  38. Jurkus, A. National Standards and Standard Measuring Systems for Impedance and Reflection Coefficient. Proceedings IEEE / A. Jurkus, U. Stumper // Vol. 74 -1986. S.39−45.
  39. , М.И. Анализ методов измерения полного сопротивления на направленных ответвителях/ // Измерительная техника. 1980. — № 7.
  40. Silva, E.F. Calibration Of An Automatic Network Analiser Using Transmission Lines Of Unknown Sharacteristric Impedance Loss And Dispersion / E.F.Silvc., U. K Phun.// The Radio And Electronic Engineer. 1978. — Vol — 48, № 5. P.227−234.
  41. Engen, G.F. Thru-Reflect-Lines An Improved Technique For Calibrating The Dual Six-Port Automatic Network Analyzer / G.F.Engen, C.A.Hoer // IEEE Microwave Theory And Techniques. 1979. — Vol. MTT-27, № 12. — P.987−993.
  42. , J. Метод Е11Е-(линия-отражение-линия) калибровки и его применение для СВЧ-измерений. / Liao Jinkun, Liu Renhou// Dianzi keji daxue xuebao. 2000. — Vol. 29, № 2, — P. 149−152. — ISSN 1001−0548.
  43. Wight, J.S. Equivalent Circuits of Microstrip Impedance Discontinuities and Launchers / J.S.Wight, A.P.Jain, W.J.Chudobiak, V. Maikos // IEEE Trans. MTT. Vol. MTT-22, № 1,1974,-P. 48−52.
  44. Chapman, A.G. A Broad-band Model for Coaxial-to-stripline Transmission. / A.G. Chapman, G. S Aitchison // IEEE Trans. MTT, 1980. Vol. MTT-28, № 2, -P. 130−136.
  45. N.C. Edwards Foundations for Microstrip Circuit Design. / New York: Wiley, 1984 -P.174−176.
  46. England, E.H. A coaxial-to-microstrip transmission. / E.H.England // IEEE Trans. MTT. 1976. — Vol. MTT-26, — P.47−48.
  47. Introdusing the OSCS-series Vol.19, № 12 (Nov.)/ Microwaves, 1980. -P. 1213.
  48. Microwave coaxial connectors // Проспект фирмы Omni-Spectra, 1982.
  49. RF connectors and cable assemblies Vol.24, № 9./ Microwave and RF., 1985. -P.59.
  50. SMB/SMC Coaxial Connectors Vol.24, № 9/ Microwave and RF., 1985. -P.68.
  51. Coaxial Connectors Vol.25, № 12 / Microwave and RF, 1986. -P. 194.
  52. , B.B. Автоматизированное проектирование устройств СВЧ / В. В. Никольский, В. П. Орлов, В. Г. Феоктистов и др./ Под ред. В. В. Никольского. -М.: изд. Радио и связь, 1982 -272 с.
  53. , В.К. Расчет коаксиально-полосковых переходов / В. К. Майстренко, Г. И. Шишков, А-.А.Радионов // Тезисы докладов 3-й научно-технической конференции «Математическое моделирование и САПР радиоэлектронных систем СВЧ на ОИС». / Суздаль, 1989. -С.44.
  54. , В.К. Расчет элементов коаксиально-полосковых и волноводно-полосковых переходов / В. К. Майстренко, А. А. Радионов, Г. И. Шишков // Техника средств связи. Сер. РТ. Вып. 2, 1990. -С. 7−13.
  55. Патон, Б. Lab VIEW: Основы аналоговой и цифровой электроники / Б. Патон // Издательство National Instruments, 2002. — 192 с.
  56. , Н. Лабораторное исследование электрических цепей и машин / Н. Эртугрул // Издательство National Instruments, 2002. 102 с.
  57. , В.В. Методические указания по использованию пакета Microwave Office 2000 (3.22) / В. В. Фриск. -М.: МТУ СИ, 2001.
  58. , A.B. Сравнение нелинейных моделей для транзисторов с субмикронным затвором / А. В. Климова, А. Н. Королев, В. М. Красник, Л. В. Манченко, В. А. Пчелин // Радиотехника. -2006. № 3. — С.12−11.
  59. , Б.С. Изобретательская технология: сравнительное моделирование / Б. С. Мельников, А. В. Семенов // VII Академические чтения «Образование и наука: проблемы и перспективы развития»: Тез. докл. Спб.: Изд-во СПбГТУ- 2001.- С.68−69.
  60. , Ф.П. Использование виртуальных инструментов Lab VIEW: Учебн. курс / Ф. П. Жарков, В. В. Каратаев, В. Ф. Никифоров / Под ред. К. С. Демирчяна. М: Солон-Р, Радио и связь, Горячая линия — Телеком, 1999, -268с.
  61. , С.М. Применение двенадцатиполюсных рефлектометров в технике СВЧ измерений / С. М. Никулин, А. Н. Салов // Радиотехника № 7 -1987.-С. 70−72.
  62. , С.В. Автоматизация измерений волновых параметров элементов интегральных схем СВЧ диапазона / С. В. Блохин, С. М. Никулин, В. В. Петров, А. Н. Салов, А. С. Чеботарев // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, вып. 9(357), 1983. С. 42−45.
  63. , С.М. Метод калибровки автоматических анализаторов СВЧ цепей с двенадцатиполюсными рефлектометрами / С. М. Никулин, А. Н. Салов // Измерительная техника, 1988. -№ 8. С. 43−45.
  64. , A.B. Особенности измерения S-параметров невзаимных СВЧ устройств анализаторами цепей с калибруемыми многополюсниками / А. В. Лопаткин, С. М. Никулин // Измерительная техника, 1989. № 8. — С.47−48.
  65. , А.К. Измерение болыпесигнальных S-параметров СВЧ-транзисторов / А. К. Зайцев, С. В. Логанов // Твердотельная электроника СВЧ: тез. докл. Всесоюзной науч.-техн. конф., Киев, 1990. С. 207.
  66. , Т.З. О болыпесигнальных параметрах рассеяния транзисторов /145
  67. Т.З.Мальтер// Техника средств связи. Сер. Радиоиамерительная техника. -1981.-№ 2. С. 81−91.
  68. , C.B. Двухсигнальный метод измерения S-параметров активных СВЧ цепей в режиме большого сигнала / С. В. Савелькаев // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1991. — № 5. — С. 30−32.
  69. , Е.Б. Измерение S-параметров транзисторов в режиме большого сигнала/Е. Б. Торопов//Радиотехника. 1981. -№ 10. — С.63−65.
  70. , A.B. Измерение S-параметров транзисторов в режиме большого сигнала / А. В. Храмов // Радиотехника. 1983. — № 4. — С. 80−81.
  71. , В.И. Измерение S-параметров СВЧ транзисторов в режиме большого сигнала / В. И. Черкин // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1985. — № 3. — С. 46−48.
  72. , Э.В. Измерение S-параметров транзисторов / Э. В. Нечаев //Радиоизмерительная техника. 1978. — 32с.
  73. , Е.З. Мощные высокочастотные транзисторы / Е. З. Мазель и др. -М: Радио и связь, 1985.- 178 с.
  74. , И.И. Особенности измерения S-параметров нелинейных устройств / И. И. Чупров // Радиоэлектроника. -1981. № 1.-С.101−105.
  75. , С.Е. Модели мощных полевых транзисторов с затвором Шоттки для монощных интегральных схем СВЧ-диапазона / С. Е. Беляев, Е. Г. Еленский, А. В. Храмов // Зарубежная радиоэлекторника. 1990. — № 12. -С.77−87.
  76. , A.A. Особенности измерения болынесигнальных S-параметров / А. А. Баркалов, Е. А. Егоров, А. Е. Зайцев // Радиоизмерительная техника. -1983. -№ 6. С. 10−15.
  77. , M. Методы измерения характеристик мощных СВЧ-транзисторов. Messmethoden zur Charakterisierung von Mikrowellenleistungstransistoren./ M. Mayer// Elektrotechn. und Informationstechn. 2000. — Vol. 117, № 11. — P. 728 735. — ISSN 0932−383X.
  78. , А.В. Методы компьютерной обработки при измерении параметров резистивных СВЧ структур: диссертация канд. техн. наук / А.В.Беднов- науч. рук. С.М. Никулин- НГТУ им. Р. Е. Алексеева. -Н.Новгород. — 99 с.
  79. , Ю.В. Идентификация параметров моделей СВЧ транзисторов с помощью САПР «Microwave Office» / Ю. В. Кузьмина // Будущее технической науки: тез. док. Междунар. науч.-технич. конф., Н.Новгород. -2005. С. 9.
  80. , Ю.В. Идентификация параметров моделей СВЧ транзисторов / Ю. В. Кузьмина, С. М. Никулин // Интеллектуальные системы (AIS05) и интеллектуальные САПР (CAD2005): тр. Междунар. науч. техн. конф. — М.: ФИЗМАТЛИТ. — 2005 г. — Т2 — 340с.
  81. , Ю.В. Идентификация параметров моделей СВЧ транзисторов методом удаленной нагрузки / Ю. В. Белова, С. М. Никулин // Методы и устройства передачи и обработки информации 2007. — № 9. — С.220−231.
  82. , Ю.В. Методики калибровки векторных анализаторов цепей в коаксиальных каналах с метрической резьбой / Ю. В. Белова, С. М. Никулин // Материалы XVI координационного научно-технического семинара по СВЧ технике, Н. Новгород 2009. — С.153.
  83. , Ю.В. Идентификация параметров моделей транзисторов методом удаленной нагрузки / Ю. В. Белова // Технические науки: тез. докл. сессии молод, уч., Н. Новгород — 2005.
  84. , Ю.В. Идентификация параметров моделей СВЧ транзисторов средствами эксперимента и автоматизированного проектирования /
  85. Ю.В.Белова // Технические науки: тез. докл. сессии молод, уч., Н. Новгород — 2006.
  86. , Ю.В. Идентификация параметров контактных устройств и элементов интегральных структур/ Ю. В. Белова // Технические науки: тез. докл. сессии молод, уч., Н. Новгород 2006.
  87. , Ю.В. Нахождение параметров моделей СВЧ транзисторов по результатам эксперимента и компьютерного моделирования / Ю. В. Белова // Будущее технической науки: тез. докл. Междунар. науч.-технич. конф., Н. Новгород 2007.
  88. , Ю.В. Идентификация параметров моделей транзисторов методом удаленной нагрузки / Ю. В. Белова // Будущее технической науки: тез. докл. Междунар. науч.-технич. конф., Н. Новгород 2006.
  89. , Ю.В. Калибровка векторных анализаторов цепей в коаксиальных каналах с метрической резьбой / Ю. В. Белова, И. Н. Малышев, С. М. Никулин // Измерительная техника. 2009. -№ 11- С.46−48. — ISSN 0132−4713.
  90. , Ю.В. Идентификация параметров интегральных структур в полосковых линиях передачи по результатам эксперимента / Ю. В. Белова, С. М. Никулин // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2009. № 4-С.38−43.
  91. , Ю.В. Сопоставительный анализ результатов идентификации схемных и волновых параметров моделей СВЧ транзисторов /Ю.В. Белова // 15-я Нижегородская сессия молодых ученых. Технические науки: Материалы докладов, Н. Новгород — 2010. С.26−27.в
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?