Нелинейные многочастотные режимы твердотельных смесителей СВЧ диапазона
Одним из важных аспектов моделирования полупроводниковых приборов является определение значений линейных элементов эквивалентных схем и параметров эмпирических моделей нелинейных элементов из экспериментальных данных. В работе рассматриваются и анализируются различные подходы, используемые для решения этой задачи, их достоинства и недостатки. Установлено, что линейные параметры эквивалентной… Читать ещё >
Содержание
- Список используемых сокращений
Глава 1. Методы нелинейного многочастотного анализа твердотельных СВЧ смесителей.
1.1. Параметры электромагнитной совместимости приёмного тракта.
1.1.1. Общая структура радиоприёмных устройств.
1.1.2. Виды каналов приёма.
1.1.3. Интермодуляция.
1.1.4. Блокирование.
1.1.5. Перекрёстная амплитудно-фазовая конверсия.
1.2. Методы анализа нелинейных динамических систем.
1.2.1. Метод конверсионных матриц.
1.2.2. Метод стационарных рядов Вольтерра.
1.2.3. Метод нестационарных рядов Вольтерра.
Глава 2. Моделирование полупроводниковых СВЧ-элементов.
2.1. Структурные модели полупроводниковых СВЧ-элементов.
2.1.1. Эквивалентная схема полевого транзистора.
2.1.2. Эквивалентная схема биполярного транзистора с гетеропереходом.
2.1.3. Эквивалентная схема диода с барьером Шоттки.
2.2. Физические модели полупроводниковых СВЧ-элементов.
2.2.1. Модифицированная теория Шокли для полевых транзисторов.
2.2.2. Диффузионно-дрейфовая модель биполярного транзистора с гетеропереходом.
2.2.3. Физическая модель диода с барьером Шоттки.
2.3. Эмпирические модели полупроводниковых СВЧ-элементов.
2.3.1. Эмпирическая модель несмещённого по стоку полевого транзистора.
2.3.2. Эмпирическая модель биполярного транзистора с гетеропереходом для расчёта слабо нелинейных эффектов.
2.3.3. Эмпирическая модель диода с барьером Шоттки для расчёта слабо нелинейных эффектов.
2.4. Определение параметров эмпирических моделей.
Глава 3. Нелинейные многочастотные характеристики твердотельных СВЧ смесителей.
3.1. Общие принципы построения и основные параметры смесителей СВЧ диапазона.
3.2. Нелинейные многочастотные характеристики диодного балансного смесителя.
3.3. Нелинейные многочастотные характеристики пассивного смесителя на полевом транзисторе.
3.3.1. Структурная схема резистивного смесителя. Л
3.3.2. Учёт двумерного разложения передаточной функции транзистора при расчёте нелинейных характеристик смесителя.
3.3.3. Влияние режима работы и уровня подаваемого гетеродина на характеристики смесителя.
3.4. Нелинейные многочастотные характеристики активного смесителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом.
3.5. Анализ нелинейных многочастотных эффектов третьего порядка в смесителях на транзисторах.
Глава 4. Шумовые характеристики СВЧ смесителей.
4.1. Коэффициент шума радиоприёмного устройства.
4.2. Математические методы описания шумов в электронных устройствах.
4.2.1. Статистические характеристики шумовых процессов.
4.2.2. Физическая природа собственных шумов полупроводниковых элементов.
4.2.3. Шум в параметрических устройствах.
4.3. Представление источников шума в схемах.
4.4. Методика расчёта коэффициента шума СВЧ смесителя.
4.5. Шумовые модели твердотельных элементов.
4.5.1. Шумовая модель диода.
4.5.2. Шумовая модель биполярного транзистора.
4.5.3. Шумовая модель полевого транзистора при нулевом смещении на стоке.
4.6. Влияние режима работы и уровня гетеродина на коэффициент шума СВЧ смесителей.
Список литературы
- Владимиров В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем / В. И. Владимиров, A. JI. Докторов, Ф. В. Елизаров. -М.: Радио и связь, 1985. 272с.
- Петровский В.И. ЭМС радиоэлектронных средств / В. И. Петровский, Ю. Е. Седельников. М.: Радио и связь, 1986. — 216с.
- Бабанов Ю.Н. Проблема взаимных помех при совместной работе радиосистем: Учебн. пособие / Ю. Н. Бабанов, А. В. Силин. ГТУД975.
- Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств / А. Д. Князев. М.: Радио и связь, 1984. — 336с.
- Калашников Н.И. Основы расчёта электромагнитной совместимости систем связи через ИСЗ / Н. И. Калашников. М.: Связь, 1970. -160с.
- Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приёмопередающем тракте аппаратуры связи на транзисторах / Э. Б. Грибов. М.: Связь, 1971. — 264с. '
- Алгазинов Э.К. Входные усилители СВЧ в свете требований электромагнитной совместимости / Э. К. Алгазинов, В. И. Мноян // Радиотехника.* 1985.- № 8, — С.3−13.
- Белов JI.A. Преобразователи частоты / JI.A. Белов // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, технология, бизнес. 2004. — № 2. — С.44−50.
- Deng K.L. Broad-band monolithic GaAs-based HEMT diode mixers / K. L. Deng, et al. //Asia-Pacific Microwave Conference. 2000. — pp.1135 -1138.
- Osafune K. 20-GHz 5-dB-gain analog multipliers with AlGaAs/GaAs HBT’s / K. Osafune K., Y. Yamauchi // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 1994. — Vol. 42, No. 3, pp. 518−520.
- Brone J. Wideband Mixers Hit High Intercept Points / J. Brone // Microwave & RF Journal. 2005. — No. 9, pp.98−104.
- Kobayashi K. A DC-20 GHz InP HBT balanced analog multiplier for highdata-rate direct-digital modulation and fiber-optic receiver applications / K.
- Kobayashi, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 2000. — Vol. 48, No. 2, pp. 194−202.
- Белкин M.E. Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот / М. Е. Белкин, JI.M. Белкин // Электронная техника. Серия Полупроводниковые приборы. 2010. — № 1, С.98−104.
- Hwang Y. А 78−114 GHz monolithic subharmonically pumped GaAs-based HEMT diode mixer / Y. Hwang, et al. // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2002. — V.12, No.6, pp.209−211.
- Tom K. J. Analysis and Design of Wide-Band SiGe HBT Active Mixers / K.J. Tom, V. Krozer // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 2005. -Vol.53, No.7, pp.2389−2397.
- Glenn J. 12 GHz Gilbert mixers using a manufacturable Si/SiGe epitaxial-base bipolar technology / J. Glenn, et al. // IEEE Bipolor/BiCMOS Circuit Tech. Meeting. 1995. — pp. 186−189.
- Maas S. Microwave Mixers / S. Maas // Artech House, Norwood, MA. -1993. 375p.
- Wu Т.Н. GalnP/GaAs HBT Sub-Harmonic Gilbert Mixers Using Stacked-LO and Leveled-LO Topologies / Т.Н. Wu, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 2007. — Vol.55, No.5, pp.880−889.
- Maas S. Nonlinear Microwave and RF Circuits / S. Maas // Artech House, Norwood, MA. 2003. — 582p.
- Schlecht E. Schottky Diode Mixers on Gallium Arsenide Antimonide or Indium Gallium Arsenide? / E. Schlecht, R. Lin // 19th Int. Symposium on Space Terahertz Technology, Groningen, 28−30 April. 2008. — pp.227−230.
- Rohde U.L. Reconfigurable, Power Efficient and High IP3 Passive FET Mixers for Wideband Communication Systems / U. L. Rohde, Poddar A.K. // Wireless Communication Systems. 3rd International Symposium, 6−8 Sept. 2006. — pp.433−437.
- Chiang P.Y. Wide-IF-Band CMOS Mixer Design / Y. P. Chiang, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 2010. — Vol.58, No.4, pp.831 840.
- Шарапов Ю.И. Преобразование частоты Fnn = Fr Fc при Fr > Fc и постоянной частоте гетеродина без заданных комбинационных составляющих / Ю. И. Шарапов // Радиотехника. — 1997. — № 12. — С.79−83.
- Шарапов Ю.И. Сравнительные характеристики разностных видов преобразования частоты / Ю. И. Шарапов // Радиотехника. 1986. — № 8. -С.66−70.
- Volterra V. Theory of Functional and of Integral and Integro-Differential Equations / V. Volterra // New York: Dover, 1959.
- Weiner D.D. Sinusoidal Analysis and Modeling of Weakly Nonlinear Circuits / D.D. Weiner, J.F. Spina // New York: Van Nostrand, 1980.
- Schetzen M. The Volterra and Wiener Theories of Nonlinear Systems / M. Schetzen // New York: Wiley, 1980.
- Gummel H.K. An integrated charge control model of bipolar transistors / H. K. Gummel, H.C. Poon // Bell Syst. Tech. J. 1970. — Vol.49, pp.827−850.
- McAndrew C. VBIC95: An improved vertical, 1С bipolar transistor model / C. McAndrew // in Proceeding of the 1995 BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Minneapolis. 1995. — pp.170−177.
- Stubing H. A compact physical large-signal model for high-speed bipolar transistors at high current densities part I: one-dimensional model / H. Stubing, H.M. Rein // IEEE Trans. Electron Devices. — 1987. — Vol.34, pp.1741−1751.
- De Graaff H.C. New formulation of the current and charge relation in bipolar transistor modeling for CACD purposes / H.C. De Graaff, W.J. Kloosterman // IEEE Trans. Electron Devices. 1985. — Vol.32, pp.24 152 419.
- Голубев B.H. Эффективная избирательность радиоприёмных устройств / B.H. Голубев. М.: Радио и связь, 1978. — 240с.
- Алмазов-Долженко К. И. Коэффициент шума и его измерение на СВЧ / К.И. Алмазов-Долженко. М.: Научный мир, 2000. — 240с.
- Голубев В.Н. Оптимизация главного тракта приёма радиоприёмного устройства / В. Н. Голубев. М.: Радио и связь, 1982. — 144с.
- Белоусов А.П. Коэффициент шума / А. П. Белоусов, Ю. А. Каменецкий. М.: Радио и связь, 1981. — 112с.
- Богданович Б.М. Нелинейные искажения в приёмно-усилительных устройствах / Б. М. Богданович. М.: Связь, 1980. — 280с.
- Мовшович М.Е. Полупроводниковые преобразователи частоты / М. Е. Мовшович. Л.: Энергия, 1974. — 336с.
- Maas S.A. A GaAs MESFET Mixer with Very Low Intermodulation / S.A. Maas // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 1987. — Vol.35, No.4, pp.425−429.
- Kim W. Analysis of nonlinear behavior of power HBTs / W. Kim at al. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 2002. — Vol.50. — No.7. -p. 1714- 1722.
- Dambrine G. A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit / IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1988. -Vol.36.-No.7.-p. 1151−1159.
- Pedro J.C. Intermodulation Distortion in Microwave and Wireless Circuits / J.C. Pedro, N.B. Carvalho // Artech House, Norwood, MA. 2003. — 432p.
- Бадалов A.JI. Нормы на параметры электромагнитной совместимости РЭС: Справочник / A.JI. Бадалов, А. С. Михайлов. М.: Радио и связь, 1995. — 272с.
- Петровский В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств: Учеб. пособие для вузов / В. И. Петровский, Ю. Е. Седельников. М.: Радио и связь, 1986. — 216с.
- Алгазинов Э.К. Электромагнитная совместимость радиоприёмных устройств СВЧ: Учеб. пособие / Э. К. Алгазинов и др. Воронеж: Из-во ВГУ, 2003. — 80с.
- ГОСТ 23 611–79. Совместимость радиоэлектронных средств электромагнитная. Термины и определения.
- Амплитудно-фазовая конверсия / Г. М. Крылов и др.- Под ред. Г. М. Крылова. М.: Связь, 1979. — 256с.
- Богданович Б.М. Радиоприёмные устройства с большим динамическим диапазоном / Б. М. Богданович. М.: Радио и связь, 1984. — 176с.
- Ван-Трис Г. Синтез оптимальных нелинейных систем управления / Г. Ван-Трис. М.: Мир, 1964. — 170с.
- Kondoh Н. An accurate FET Modelling from measured S-parameters/ H. Kondoh // IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest, New York. -1986.- pp.377−380.
- Jastrzebski A.K. Non-linear MESFET Modelling / A.K. Jastrzebski // 17th Eur. Microwave Conf., Rome: Conf. Proc. Tunbeidge Wells. — 1987. -pp.599−604.
- Miller J.E. Investigation of GaAs MESFET Small-signal Equivalent circuits for use in a Cell Library / J.E. Miller // 19th Eur. Microwave Conf., London, 4−7 Sept.: Conf. Proc.- Tunbeidge Wells. 1989. — pp.991−996.
- Platzker A. Large-signal GaAs FET Amplifier CAD Program / A. Platzker, Y. Tajima // IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest 1982. -pp.450−452.
- Willing A.H. A Technique for Predicting Large-Signal Performance of a GaAs MESFET / A.H. Willing, C. Rausher, P. Santis // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1978. — Vol.26. — No.12. — p. 1017 — 1023.
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / Пер. с англ., Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д.Д. Кан-делуола. М.: Радио и связь, 1988.- 496с.
- Ван дер Зил А. Шум. Источники. Описание. Измерение / Пер. с англ., Под ред. А. К. Нарышкина. М.: Сов. радио, 1973.- 225с.
- Pucel R. Signal and Noise Properties of GaAs Microwave Field-effect Transistors / R. Pucel, H. Haus, H. Statz // Advances in Electronics and Electron Physics. 1975.- Vol.38. — pp.195−265.
- Rhyne G.W. Generalized power series analysis of intermodulation distortion in a MESFET amplifier: simulation and experiment / G.W. Rhyne, M.B. Steer // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1987. — Vol.35, No.12. — pp.1248−1255.
- Law C.L. Prediction of wideband power performance of MESFET devices using the Volterra series representation / C.L. Law, C.S. Aitchison // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, New York. 1986.- pp.487−489.
- Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах / Н. З. Шварц -М.: Радио и связь, 1987. 200с.
- Niu G. Noise in SiGe HBT RF Technology: Physics, Modeling and Circuits Implications / G. Niu // Proceedings of the IEEE. 2005. — Vol.93, No.9. -pp.1583−1597.
- Шалимова K.B. Физика полупроводников / K.B. Шалимова M.: Энергия, 1976.-415с.
- Constant E. Solid State Devices / 10th Europ. Solid State Device Research Conf. 1980. — pp.141−163.
- Shockley W. A Unipolar Field-effect Transistor / W. Shockley // Proc. IRE. 1952. — Vol.40, No.11. — pp.1367−1376.
- Sone J. Small-signal Analytical Theory for GaAs Field-effect Transistors at large drain Voltages / J. Sone, Y. Takayama // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1978. — Vol.25, No.3. — pp.329−337.
- Lee J. Intermodulation mechanism and linearization of AlGaAs/GaAs HBT’s / J. Lee at al. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techn. -1997. Vol.45, No.12. — pp.2065 — 2072.
- Palfinger G. Modelling the Heterojunction Bipolar Transistor with VBIC / G. Palfinger Institute for Solid State Physics Technical University Graz, 2000. — 154 p.
- Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов: Учебное пособие / В. И. Гаман. Томск: Изд-во НТЛ, 2000. — 426 с.
- Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы / Б. Л. Шарма, Р. К. Пурохит. М.: Сов. радио, 1979. — 232 с.
- Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие / В. А. Гуртов. Москва, 2005. — 492с.
- Maas S.A. Modeling MESFET’s for Intermodulation Analysis of Mixers and Amplifiers / S.A.Maas, D. Nelson // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn. 1990. — Vol.38, No.12. — pp.1964−1971.
- Statz H. GaAs FET device and circuit simulation in SPICE / H. Statz et al. // IEEE Trans. On Electron Devices. 1987. — Vol.34, No.2. — pp.160−169.
- Curtice W.R. A Nonlinear GaAs FET Model for Use in the Design of Output Circuits for Power Amplifier / W.R. Curtice, M. Ettenberg // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1985. — Vol.33, No.12. — pp.1383−1394.
- Materka A Computer calculations of large-signal GaAs FET amplifier characteristic / A. Materka, T. Kacprzak // IEEE Trans. Microwave Theory and
- Techn. 1985. — Vol.33, No.2. — pp.129−135.
- Angelov I. A New Empirical Nonlinear Model for HEMT and MESFET Devices / Angelov I., H. Zirath, N. Rosman // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1992. — Vol.40, No.12. — pp.2258−2266.
- Yhland K. A Symmetrical Nonlinear HFET/MESFET Model Suitable for Intermodulation Analysis of Amplifiers and Resistive Mixers / K. Yhland // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 2000. — Vol.48, No.l. — pp. 1522.
- Garcia J.A. Resistive FET Mixer Conversion Loss and IMD Optimization by Selective Drain Bias / J.A.Garcia, J.C.Pedro // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1999. — Vol.47, No.12. — pp.2382−2392.
- Virk R.S. Modeling MESFETs for Intermodulation Analysis of Resistive FET Mixers/ R.S.Virk, S.A. Maas // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest. 1995. — pp.1247−1250.
- Garcia J.A. Accurate Nonlinear Resistive FET Modeling for IMD Calculations / J.A. Garcia et al. // 28th European Mocrowave Conference Proc., Amsterdam. 1998. — pp.763−766.
- Antognetti P. Semiconductor Device Modeling with SPICE / P. Antognetti, G. Massobrio. New York: McGraw-Hill, 1993. — 480p.
- Емцев П.А. Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П. А. Емцев // Функциональная микроэлектроника. 2003. — № 6 — С.20−26.
- Camacho-Penalosa С. Modelling Frequency Dependencies of Output Impedance of a Microwave MESFET at Low Frequencies / C. Camacho
- Penalosa, С. Aitchinson // Electronic Letters. 1985. — Vol.21, No.6 -pp.528−529.
- Fernandez T. Extracting a Bias-dependent Large Signal MESFET Model from Pulsed I/V Measurements / T. Fernandez, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1996. — Vol.44, No.3 — pp.372−378.
- Marante R. Nonlinear Characterization Techniques for Improving Accuracy of GaN HEMT Model Predictions in RF Power Amplifiers / R. Marante, et al. // IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Anaheim, CA, USA.- 2010. -pp.1680−1683.
- Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи / Пер. с англ., Под ред. А. И. Сапгира. М.: Сов. Радио — 1977. — 352с.
- Клич С.М. Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приёмлников / С. М. Клич. М.: Сов. Радио, 1973. — 320с.
- Заварин Г. Д. Радиоприёмные устройства / Г. Д. Заварин, В. А. Мартынов, Б. Ф. Фёдоров. М.: Воениздат, 1973. — 423с.
- Смогилёв К.А. Радиоприёмники СВЧ / К. А. Смогилёв, И. В. Вознесенский, JI.A. Филиппов. М.: Воениздат, 1967. — 556с.
- Friiss Н.Т. Noise figure of radio receivers / H.T. Friis // Proc. IRE. 1944. -No.32 — pp.419−423.
- Аверина Л.И. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприёмном тракте / Л. И. Аверина и др. // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 2010.- № 12.- с. 40 — 45.
- Rice S.O. Mathematical analysis of random noise / S.O. Rice // Bell Syst. Tech. J. 1944. — Vol.23 — pp.282−332.
- Rice S.O. Mathematical analysis of random noise / S.O. Rice // Bell Syst. Tech. J. 1945. — Vol.24 — pp.46−156.
- Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах / М. Букингем, пер. с англ. под ред. В. Н. Губанкова М.: Мир, 1986. — 398с.
- Johnson J. В. Thermal agitation of electricity in conductors / J.B. Johnson // Phys. Rev. 1928. — Vol.32 — pp.97−109.
- Nyquist H. Thermal agitation in conductors / H. Nyquist // Phys. Rev. -1927.-Vol.29-pp.614−616.
- Feldmann P. Cyclostationary noise analysis of large RF circuits with multitone excitations / P. Feldmann et al. // IEEE Journal of Solid-State Circuits -1998. Vol.33, No.3 — pp.324−336.
- Dragone C. Analysis of Thermal and Shot Noise in Pumped Resistive Diodes / C. Dragone // Bell Syst. Tech. J. 1968. — pp.1883−1902.
- Thevenin L. Sur un nouveau theorem delectricite dynamique / L. Thevenin // Comptes Rend. Acad. Sci., Paris 1883. — pp.159−161.
- Becking A.G. The Noise Factor of Four-terminal networks / A.G. Becking et al. // Phillips Res. Rep. 1955. — No. 10 — pp.349−357.
- Held D.N. Conversion Loss and Noise of Microwave and Millimeter-Wave Mixers / D.N.Held., A.R.Kerr // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., MTT-26,1978. P.49−52.
- Escotte L. Noise Modeling of Microwave Heterojunction Bipolar Transistor / L. Escotte et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. — Vol.42, No.5 -pp.883−889.
- Niu G. A Unified Approach to RF and Microwave Noise Parameter Modeling in Bipolar Transistor / G. Niu // IEEE Trans. Electron Devices. 2001. -Vol.48, No. ll — pp.2568−2574.
- Xia K. Frequency and Bias-Dependent Modeling of Correlated Base and Collector Current RF Noise in SiGe HBTs Using Quasi-Static Equivalent Circuit / K. Xia et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 2006. — Vol.53, No.3 — pp.515−522.
- Бобрешов A.M. Изменение собственного шума усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом в нелинейном режиме/
- А.М.Бобрешов и др. // Известия ВУЗов. Электроника.- 2007.- № 4.- с. 15 -20.
- Xavier В. Noise Figure & Associated Conversion Gain of a GaAs HBT Mixer / B. Xavier // IEEE MTT-S International Microwave Symposium. -1997. pp.1010−1014.
- Won K. Analytical analysis of noise figure in FET resistive mixers / K. Won, Y. Kwon // Electronics Letters. 1999. — Vol.35, No.14 — pp.11 691 170.
- Statz H. GaAs FET device and circuit simulation in SPICE / H. Statz et al. // IEEE Trans. On Electron Devices. 1987. — Vol. ED-34, No.2. — pp. 160 169.
- Trask C. A Linearized Active Mixer / C. Trask // Proceedings RF Design 98, San Jose, California, October 1998, pp.13−23.
- Sullivan P.J. Active Doubly Balanced Mixers for CMOS RFICs / P.J. Sullivan, H.K. Walter // Microwave Journal, October 1997, pp.22−38.
- Зубарев Ю.Б. Стандартизация функциональных и технических характеристик оборудования радиоконтроля / Ю. Б. Зубарев и др. // Электросвязь.-1999. № 9. — С.5−9.
- Бабанов Ю.Н. Проблема взаимных помех при совместной работе радиосистем: Учебное пособие / Ю. Н. Бабанов, А. В. Силин ГГУ, 1975. -280с.
- Челышев В.Д. Приемные радиоцентры: Основы теории и расчета высокочастотных трактов. / В. Д. Челышев М.: Связь, 1975. — 264 с.
- Lei M.F. Design and analysis of miniature W-band MMIC subharmonically pumped resistive mixer/ M.F.Lei et al. // IEEE MTT-s Int. Microwave Symp. 2004. — Vol.1 — pp.235−238.
- Belkin M. E" Belkin L. M. Singularities of GaAs Microwave High Electron Mobility Transistor (HEMT) Modeling in Passive Regime / M.E.Belkin, L.M. Belkin // Fifth International Conference ICFM-2009 Digests, Crimea,
- Partenit, Oct. 5−10, 2009, pp.108−112.
- Kobayashi K. A DC-20 GHz InP HBT balanced analog multiplier for highdata-rate direct-digital modulation and fiber-optic receiver applications / K. Kobayashi // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 2000. — Vol.48, No.2 — pp.194−202.
- Rohde U.L. Key Components of Modern Receiver Design / U. L. Rohde // QST, May 1994, pp.29−31 (pt. 1), June 1994, pp. 27−31 (pt. 2), Julyl994, pp. 42−45 (pt. 3).
- Barrie G. The Micromixer: A Highly Linear Variant of the Gilbert Mixer Using a Bisymmetric Class-AB Input Stage / G. Barrie // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. — Vol.32, No.9 — pp.1412−1423.
- Kim Y. Linearized mixer using predistortion technique / Kim Y., Lee S. // IEEE Microwave Wireless Component Letter. June 2002. — Vol.12 -pp.204−205.
- Бобков A.M. Реальная избирательность радиоприёмных трактов в сложной помеховой обстановке / A.M. Бобков. Санкт-Петербург: Из-воЛЭТИ, 2001.-216с.
- Van Nee R. OFDM for Wireless Multimedia Communications / R. van Nee, R. Prasad. Boston-London: Artech House, 2000. — 280p.
- Гупта К. Машинное проектирование СВЧ-устройств / К. Гупта, Р. Кардж, Р. Чадха. Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1987. — 432с.
- Влах И. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. — 560с.
- Garsia J.A. Time-Varying Volterra-Series Analysis of Spectral Regrowth and Noise Power Ratio in FET Mixers / J.A. Garcia at al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 2001. — Vol.49, No.3 — pp.545−549.
- Yuan T. Distortion Analysis of Peribdically Switched Nonlinear Circuits Using Time-varying Volterra Series / T. Yuan, A. Opal // IEEE Trans. Circuits and Systems. 2001. — Vol.48, No.6 — pp.726−738.
- ADS 2009: Using Circuit Simulators / Agilent Technologies, Stevens Creek Blvd., Santa Clara. 2009. — 273p.
- Ko W. Analytical Analysis of Noise Figures in FET Resistive Mixers / W. Ko, Y. Kwon // Electronics Letters. 1999. — Vol.35, No.14 — pp.11 691 170.
- Xavier B. The Measured and Predicted Noise Figure GaAs Heterojunction Bipolar Transistor Mixer/ B. Xavier, C. Aitchison // IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 8−11 June, 1997. pp.135−138.
- Rizzoli V. Computer Aided Noise Analysis of MESFET and HEMT Mixers/ V. Rizzoli, F. Mastri, C. Cecchetti // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1989. — Vol.37, No.9 — pp.1401−1410.
- Theodoratos G. Calculating Distortion in Active CMOS Mixers Using Volterra Series / G. Theodoratos at al. // IEEE International Symposium: Circuits and Systems, 11 September, 2006. pp.3−7.
- Johansen T. Analysis and Design of Wide-Band SiGe HBT Active Mixers / T. Johansen at al. // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 2005. -Vol.53, No.7 — pp.2389−2396.
- Au-Yeung C. IMD Reduction in CMOS Double-Balanced Mixer Using Multibias Dual-Gate Transistors / C. Au-Yeung, K. Cheng // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 2006. — Vol.54, No. l — pp.4−9.
- Otaka S. A +10-dBm IIP3 SiGe Mixer with IM3 Cancellation Technique / S. Otaka at al. // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2004. — Vol.39, No.12 — pp.2333−2341.
- Kim J. Intermodulation Analysis of Dual-Gate FET Mixers / J. Kim, Y. Kwon // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 2002. — Vol.50, No. -pp.1544−1555.
- Terrovitis M.T. Intermodulation Distortion in Current-Commutating CMOS Mixers / M.T. Terrovitis, R.G. Meyer // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2000. — Vol.35, No. 10 — pp.1461−1473.
- Аверина Л. И. Многочастотные характеристики СВЧ смесителей / Л. И. Аверина, Ж. В. Шапошникова // Теория и техника радиосвязи. 2009. -№ 2. — С. 85−90.
- Аверина Л. И. Моделирование резистивного смесителя в нелинейном режиме / Л. И. Аверина, А. М. Бобрешов, Ж. В. Шапошникова // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. Т.13, 2010. -№ 4.-С. 51−56.
- Аверина Л. И. Коэффициент шума СВЧ смесителей / Л. И. Аверина, Ж. В. Шапошникова // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч. техн. конф., г. Воронеж, 12−14 апр. 2011 г. — Воронеж, 2011. -Т.1. — С.577 — 584
- Аверина Л. И. Шумовые характеристики СВЧ смесителей / Л. И. Аверина, А. М. Бобрешов, Ж. В. Шапошникова // Вестник Воронежского университета. Серия: Физика. Математика. Воронеж, 2011. — № 1. — С.5 — 11.