Исследование влияния радиации на дефектообразование и электрофизические свойства полупроводниковых структур и приборов
Диссертация
На основе этих закономерностей вполне реально прогнозировать поведение полупроводниковых материалов и приборов при воздействии высокоэнергетических частиц. Таким образом, решение физической задачи должно привести к решению прикладной, т. е. повышению радиационной стойкости материалов и приборов на их основе. Одним из основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления элементов… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Взаимодействие проникающего излучения с веществом
- 1. 1. Введение
- 1. 2. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом
- 1. 3. Прохождение высокоэнергетических заряженных частиц через полупроводник
- 1. 4. Радиационное дефектообразование в полупроводниках
- 1. 5. Типы радиационных дефектов и их влияние на физические свойства полупроводников и приборов
Список литературы
- В Gudden, Lichtelectrishe Erscheinungen, Berlin, 1928.
- П. С. Тарковский. Внутренний эффект в диэлектриках, М.: Гостехиздать, 1940.
- W. Pfan, W. Van Rossbroeck, J. Appl. Phys., 25, 1422 (1954).
- С. И. Вавилов. Люминесценция и ее длительность. Собрание сочинений, М.: АН СССР, 1952.
- А. Бутаева, В. А. Фабрикант. Изв. АН СССР, сер физ., 21, 541. 1957.
- S. Kos, Chescoslov. Casopis pro fisicn, 6, 668. 1956.
- В. С. Вавилов, Phys. and Chem. of Solids, 8, 223. 1952.
- К. И. Брицин, В. С. Вавилов, Оптика и спектроскопия, 8, 861. 1960.
- В. С. Вавилов, К. И. Брицин, ЖЭТФ, 32, 1354. 1958.
- G. Lindhard, М. Scharff, Phys. Rev., 128, 124. 1961.
- Ю. В. Булгаков и др. Радиационная физика неметаллических кристаллов, т. З, ч.2, Киев, Наукова думка, 1971, С. 148.
- Б. Я. Юрпов, ЖЭТФ, 28, 1159. 1958.
- R. М. Sternheimer, Phys. Rev., П5, 137. 1952. С. Williamson, J. P. Boujot, CEA 2189. 1962.
- F. Zeitr, Discussion of Faraday Society, 5, 271, (1949).
- В. Прайс. Регистрация ядерного излучения, М.: ИЛ, 1960.
- А. А. Воробьев, Б. А. Кононов. Радиационная физика неметаллических кристаллов. т. З, ч. З, Киев, Наукова думка, 1971. С. 78.
- Б. А. Кононов, В. К. Струц, Радиационная физика неметаллических кристаллов. т. З, ч.2, Киев, Наукова думка, 1971. С. 154.
- М. Томпсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах, М.: Мир, 1971, С. 194.
- В. С. Вавилов, Н. А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1962, С. 35.
- Ю. Н. Книжников. Радиационная физика неметаллических кристаллов. т. З, 4.1, Киев, Наукова думка, 1971, С. 112.
- В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: Физматгиз, 1963, С. 180.
- В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: ФМ, 1963, С. 186.
- В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: ФМ, 1963, С. 193.
- G. Kinchin, R. Pease, Reps on Prog in Phys., 18, 1, 1955.
- W. S. Snyder, J. Nenfild, Phys. Rev, 103, 862. 1966.
- O. S. Oen, M. T. Robinso, Appl. Phys. Lett, 2, 30 (1963).
- M. А. Кумахов. Множественные процессы в теории взаимодействия ядерных частиц с кристаллами. Дисс. канд. физ.мат. наук, НИИЯФ, МГУ, 1969.
- А. Ф. Аккерман, В. А. Ботвин, Ю. М. Никитушев. Радиационная физика неметаллических кристаллов. т. З, ч.1, Киев, Наукова думка.1971. С. 298.
- G. J. Leibfried, J. Appl. Phys., 31., 117. 1960.
- К. Kamada, I. Kazumata. S. Sada. Physika status solidi. 7, 231. 1964.
- Дж. Людвиг, Г. Вбдери. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках, М.: Мир, 1964. 320 С.
- G. Watkins. Proceeding of the 7-th International Conf. on the Physics of Semiconductors, part 3. Paris, 1964.
- G. Werthiem, Phys. Rev., 105, 1730. 1957- 110, 1272. 1958.
- Ю. В. Булгаков, Т. И. Коломенская, М. А. Кумахов. Радиационная физика неметаллических кристаллов, Минск.: Наука и техника, 1970 С. 76.
- G. Werthiem, Phys. Rev., 105, 1730. 1957- 110, 1272. 1958.
- D. Hill, Phys. Rev., 114, 1414. 1959.
- Г. H. Галкин, H. С. Ритова, В. С. Вавилов, ЖЭТФ, 2, 2025. 1960.
- J. W. Easley. In: Proceedings of the 7-th Internal Conf. on the Physics of Semiconductors, Part 3, Paris, 1965, P. 341.
- R. W. Beck et al. J. Appl. Phys., 30, № 09, 1437. 1959.
- С. M. Рывкин и др., ФТТ, 3, 3211. 1961.
- К. Malsuura et. al. J. Phys. Soc. Japan, 16, 339. 1961.
- G. C. Messenger. IEEE Trans, on Nucl. Sci., NS-12, № 2, 53. 1965.
- G. C. Messenger. Report on Internal Sump, on Radiation Effects in Semiconductors. Toulouse, 1967.
- R. Berman, Rpoc. Roy. Soc., A 208, 90. 1951.
- F. Vook. Bull. Am. Phys. Soc., 7, 437. 1963- 8, 209. 1963- 9, 289. 1964.
- J. Eshelby. Ibid., 25, 255. 1964.
- J. Ziman. Canad. J. Phys., 34, 1256. 1956.
- J. Kortright, T. Mackey, Ibid., 3, 142. 1958.
- J. Mackey. Proceedings of the 7-th International Conf. on the Physics of Semiconductors, Part 3, Paris, 1964, P.260.
- Физические процессы в облученных полупроводниках. Под. ред. JI. С. Смирнова. М.: Наука. 1977. С,-122.
- Аналитическая химия полупроводников. Кишинев.: Изд. Щтимца. 1975. 220 С.
- Аналитическая химия элементов. Кремний. JI. В. Мышляева, В. В. Краснощекое. М.: Наука. 1972. С. 99.
- Ходжаев Т. А. Дис. канд. физ-мат. наук, Душанбе, ТГУ, 1995, 162. С.
- Гинье А. Рентгенография кристаллов. М.: Физиматгиз. 1961. С. 604.
- Китайгородский А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. M. J1.: Гостехиздат. 1952. С. 588.
- Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М. ИЛ.: 1950. С, 572.
- Сагенрс Б. И. Электропроводность полимеров. М.Л.: Химия. 1965. С. -226.
- Герасимов А. Б., Гоготишвили М. К., Коноваленко Б. М. О зависимости температуры отжига дефектов атом примеси-вакансия от типа примеси. Физ. и техн. полупр. 1986, т.20, в II, С. 1980−1983.
- Кучеров В. И., Гафуров В. Г., Дружкова И. А. Тезисы третьего Всесоюзного совещания РГП-3, 42. Кемерово, 1982. С.-211.
- Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. К.: Наукова думка. 1976. С.-336.
- Ходжаев Т. А. Координационные содержания и аспекты их применений. Душанбе, 1994. С. -66.
- Ходжаев Т. А. Координационные соединения и аспекты их применений. Душанбе, 1994. С. -67.
- Ходжаев Т. А. Радиационные процессы и электронике. ДСП. Москва, 1992. С.-34−46.
- Ходжаев Т. А., Гафуров В. Г. Физико-химические свойства вещества сб. статьей, вып.2. Душанбе, 1994. С. 123−127.
- Звягин В. И., Губская В. И., Кучинский П. В., Ломако В. М. Радиационные дефекты Б n-кремнии, облученном альфа-частицами. -ФТП, 1979. 13,1. С.171−173.
- Губская В. И., Кучинский П. В., Ломако В. М., Петрунин А. П. Особенности радиационного дефектообразования в кремнии при альфа-облучении. Вопросы атомной науки и техники, сер.: Физика радиац. повреждений и радиац. материаловедение, 1981, 2(16), С. 8.
- Аброян И.А., Титов А. И. Распределение дефектов по глубине при облучении кремния легкими ионами. В кн.: Ионная имплантация. Второй Советско-Американский семинар. Новосибирск, 1979, С.335−350.
- Будяшкина С. В., Звягин В. И., Ленченко В. М., Радиационные эквиваленты при действии ядерных излучений на материалы электроники. В кн.: Физическая химия в микроэлектронике, Красноярск, 1976, С.3−21.
- Гафуров О., Джураев У., Нарзиев X. Кинетика радиационно-стимулированных процессов пьезокристаллах. Вопросы физико-химических свойств веществ. Межвузовский сборник. Вып.2. Душанбе, 1995. С. 176- 180.
- Гафуров В. Г., Джураев У. К., Гафуров О. В. Радиационные дефекты в арсениде галлия. Тез. дакл. межд. конф. «Координационные соединения и аспекты их приминения». Душанбе, 1996. С. 66.
- Джураев У. К., Гафуров О. В., Гафуров В. Г. Действие радиации на пьезоэлектрические свойств арсенида-галлия. Тез. дакл. межд. конф.
- Координационные соединения и аспекты их приминения". Душанбе, 1996. С. 25.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Джанобготов К. Д. О природе радиационных дефектов. Материалы науч. теор. конф. «День науки». Душанбе, 2000, С. 31.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Джанобилов К. Д. Исследование кинетики накопления радиационных дефектов. Материалы научной конференции «Физика конденсированных средств» поев, памяти д.т.н. проф. Гафурова В. Душанбе, 1999, С. 53 55.
- Гафуров О. В., Ходжаев Т. А., Прохоцкий Ю. М. Распределение стабильных радиационных дефектов в кремнии при облучении неколимированным пучком альфа-частиц. Докл. АН Респ. Тадж. в печать.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Джанобилов К. Д., Прохоцкий Ю. М. Исследование скорости удаления носителей в легированных и облученных полупроводниковых структурах. Душанбе, 2001, Вестник ТГНУ № 4. С. 32−34.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Прохоцкий Ю. М. Исследование кинетики введения дефектов Si п- и р- типа. Межд. науч. тех. конф. «Физико-химическая исследования полупроводниковых диэлектрических и композиционных материалов». Куляб, 2001. С. 3.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Прохоцкий Ю. М. Образование радиационных дефектов в облученном Р-кремнии. Межд. науч. тех. конф. «Физико-химическая исследования полупроводниковых, диэлектрических и композиционных материалов». Куляб, 2001. С. 5.
- Булгаков Ю. В., Коломенская Т. И., Кузнецов Н. В. Скорость удаления основных носителей в кремнии, облученном тяжелыми заряженными частицами. ФТП, 1973, 7, И, С. 2236 — 2237.
- Kimerlimg L. С., Defect states in electron-bombarded silicon: capacitance transient analysis. Rad. Eff. Semicond, 1976. Int. Conf. Dubrovnik, 1976. London-Bristol. 1977. P.221−230.
- Холодарь Г. А., Данковский Ю. В., Конопляных В. В., Винецкий В. Непрямая рекомбинация вакансий и междоузельных атомов в облученном кремнии. ФТП, 1976, 10, 9. С. 1712 -1718.
- Ткачев В. Д., Минаев Н. С., Мудрый А. В., Шредель К. Обнаружение химической активности благородных газов в кремнии методом люминесценции. ДАН БССР, 1979, 23, 4, С. 315 — 318.
- Mooney P.M., Cheng L.J." Suli M., Gerson J.D., Corbett J.W.- Phys. Rev. B. 1977. v.15. N 8. P.102−106.
- Brozel M.R., Newman R.C., Totterdell D.H.J. J. Phys. C.: Sol St. Phys. 1975. v., N 2. P.243−248.
- Lomako Y.M., Starostin P.Ya. Simulation of electrical characteristics and properties of defect clusters in irradiated semiconductors. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, 63. P.585−593.
- Действие проникающей радиации на изделия электронной техники./Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, I960. С. 24.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Прохоцкий Ю. М. Рекомбинация неосновных носителей заряда в п- и р- кремнии при облучении альфа-частицами и нейтронами. Душанбе, 2001. С. 20 24. Вестник ТГНУ, № 4.
- Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Ниезова Л. М., Прохоцкий Ю. М. Природа образования радиационных дефектов в облученном р- кремнии. Материалы межд. конф. «Современные проблемы физико-механических свойств конденсированных сред». Худжанд: 2002. С. 112−114.
- Корчунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986, 254 С.
- Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты Е элементах интегральных схем. М.: Энергоатомиздат, 1986, 256 С.
- Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах М.: Энерго-атомиздат, 1988. 256 С.
- Вологдин Э. Н.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, I960. № 7 (142). С. 3−5.
- Лубченко А. Ф., Гирий В. А., Кулаков В. М. и др. Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. Киев: Наукова Думка, 1976. 200 С.
- Вавилов В. С., Горин Б. М., Данилин Н. С. и др. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. С. 184.
- Кремниевые планарные транзисторы /Под ред. Я. А. Федорова. М.: Сов. радио, 1973. С. 336.
- Костиков В. В., Крештофоров В. М., Стеля В. Л.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, I960. № 7 (142). С. 37 39.
- Свирновски Л. Д., Васильев А. В.//Физические основы полупроводниковой тензометрии. Новосибирск, 1982. С. 137 150.
- Монамс А. С., Лаптев С. А.//Эффекты влияния их воздействий в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Ташкент, 1985. С. 43 -50.
- Губская В. И., Звягин В. И., Кубинский П. В., Ломако В. М.//Полупроводниковые приборы, 1978. № 8 (126). С. 102−106.
- Голубев Н. Ф., Латышев А. В., Ломако В. М., Прохоцкий Ю. М., Савенок Е. Д.// Методы и аппаратура исследования и измерения силовых полупроводниковых приборов. Таллинн: Валгус, 1987. С. 113−117.
- Голубев Н. Ф., Латышев А. В., Ломако В. М., Прохоцкий С. М., Савенок Е. Д.// Электрическая релаксация в элементах микросхем /Под ред. А. К. Тихонова. М.: 1988. С. 95 100.
- Борисенко В. Е., Мелъянец Г. И., Пацко А. И., Тупахин В. М.// Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника, 1977. № 5 (71). С. 81 84.
- ЮЗ.Греськов И. М., Романов Ю. П., Смирнов О. А. и. др.// Электронная промышленность, 1978. № 9. С. 49−50.
- Пека Г. П., Токалин О. А.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1988. Вып. 14. С. 1 14.
- Литовченко В. Г., Киблик В. Я., Литвинов Р. О. //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1982. Вып.1. С. 69−73.
- Юб.Гадоев С. М., Гафуров О. В., Эмомов С. Э. Выявление катастрофических отказов в ИС Вестник ТГНУ вып.5. Сино. Душанбе, 2001. С. 42.
- Гадоев С. М., Гафуров О. В. Излучение переходных ионизационных эффектов в ИМС. Материалы межд. конф. АН РТ «Физика конденсированных систем». Душанбе, 2001. С. 24.
- Гадоев С. М., Гафуров О. В. Проблемы модулирование влияния ионизированного излучения в широком диапазоне температур. Материалы межд. конф. АН РТ «Физика конденсированных систем». Душанбе, 2001. С. 26.