Исследование электрофизических свойств и электрополевая модификация наноразмерных оксидных слоев методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
Диссертация
В свете последнего, особое значение приобретает изучение электронного транспорта в нанокомпозитных материалах. В для изучения локального электронного транспорта через нанокомпозитные плёнки SiOoiHK-Au/Si, полученные методом ионной имплантации, был применён метод СТМ. В настоящей диссертационной работе для изучения электронного транспорта в нанокомпозитных плёнках Si02: HK-Au/Si (001), полученных… Читать ещё >
Содержание
- Список основных сокращений и обозначений
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.17 ¦
- 1. 1. Металлические нанокластеры на поверхности и в диэлектрической матрице: получение и свойства
- 1. 1. Л Методы получения металлических нанокластеров
- 1. ЛЛЛ Методы получения поверхностных металлических нанокластеров
- 1. 1. 1. 2 Методы получения металлических нанокластеров в диэлектрических матрицах
- 1. Л.2 Исследование электронных свойств металлических нанокластеров
- 1. Л.2Л Зависимость энергетического спектра и электронных свойств металлических нанокластеров с измерением числа атомов в кластере
- 1. Л.2.2 Размерное квантование в металлических нанокластерах
- 1. Л.2.3 Кулоновская блокада в металлических нанокластерах
- 1. Л.З Применение металлических нанокластеров
- 1. 1. 3. 1. Наноэлектронные приборы
- 1. 1. 3. 2. Нелинейно-оптические среды на основе металлических на-нок-ластеров в диэлектрических плёнках
- 1. 2. Эффект резистивного переключения в тонких лёнках диэлектриков и его применение в устройствах энергонезависимой памяти
- 1. 1. 3. 1. Наноэлектронные приборы
- 2. 1. Описание исследуемых образцов
- 2. 1. 1. Структуры Si02: HK- Au/Si (001)
- 2. 1. 2. Тонкопленочные структуры Zr02/Si и Hf02/S
- 2. 2. Методика исследования морфологии и электрофизических свойств на-нокомпозитных структур методом комбинированной СТМ/АСМ
- 3. 1. Морфология поверхности структур с незаращенными слоями Si02: HK-Au/Si02/Si.(
- 3. 2. Поперечный электронный транспорт через индивидуальные нанокласте-ры Аи в сверхтонких плёнках Si02/S
- 3. 1. Модификация морфологии и электропроводности поверхности плёнок Hf02/Si02/n-S
- 3. 2. Туннельная спектроскопия модифицированных плёнок Hf02/Si02/n-S
Список литературы
- S.Seal. Functional Nanostructures: Processing, Characterization, and Applications. Springer, 2011.
- Binns, C. Nanoclusters deposited on surfaces. Surf. Sci. R, 2001, 44, 1, p. 1−49.
- Stepanov A.L., Khaibullin I.B. Fabrication of metal nanoparticles in sapphire by low-energy ion implantation. Rev. Adv. Mater. Sci., 2005, 9, 3, p. 109−129.
- Halperin W.P. Quantum size effects in metal particles // Rev. Mod. Phys., 1986, 58,3, p. 533−606.
- Xu C., Lai X., Zajac G.W., Goodman D.W. Scanning tunneling microscopy studies of the TiO2(110) surface: Structure and the nucleation growth of Pd // Phys. Rev. B, 1997, 56, 13 464.
- First P.N., Stroscio J.A., Dragoset R.A., Pierce D.T., Celotta R.J. Metallicity and gap states in tunneling to Fe clusters on GaAs (l 10) // Phys. Rev. Lett. 1989, 63, 1416.
- Hanafi H., Tiwari S., Khan I. Fast and long retention time nano-crystal memory. IEEE Trans. Electron Dev. 1996, 43, 9, pp.1553−1558.
- Tiwari S., Wahl J.A., Silva H., Rana F., Welser J.J. Small silicon memories: confinement, single-electron, and interface state considerations // Appl. Phys. A, 2000, 71,4, pp. 403−414.
- Daniel M.-C., Astruc D. Gold nanoparticles: assembly, suprfmolecular chemistry, quantum-size-related properties, and applications toward biology, catalysis, and nanotechnology. Chem. Rev., 2004, 104, p.293−346.
- Ferry D. K., Goodnick S. M., Bird J. Transport in Nanostructures. Cambridge Univ. Press, 2009. — 670 p.
- Imamura H., Chiba J., Mitani S., Takanashi K. Coulomb staircase in STM current through granular films // Phys. Rev. B, 2000, 61, 1 pp.46−51.
- Bar-Sadeh E., Goldstein Y" Zhang C., Deng H., Abeles В., Millo O. Single-electron tunneling effexts in granular metal films // Phys.Rev.B, 1994, 50, 1, pp.50−56.
- Eyben P., Xu M., Duhayon N., Clarysse Т., Callevvaert S., Vandervorst W. Scanning spreading resistance microscopy and spectroscopy for routine and quantitative two-dimensional carrier profiling // J. Vac. Sci. Techn. B, 2002, 20, 1, pp.471−478.
- Lee D., Choi H., Sim H., Choi D., ITwang H., Lee M.-J., Sco S.-A., Yoo I.K. Resistance switching of the nonstoichiometric zirconium oxide for nonvolatile memory applications // IEEE Electron Device Lett., 2005, EDL 26, 10, pp.719−721.
- Choi B.J., Jeong D.S., Kim S.K., Rohde C., Choi S., Oh J.H., Kim H.T., Hwang C.S., Szot K., Waser R., Reichenberg В., Tiedlce S. Resistive switching mechanism of ТЮ2 thin films grown by atomic-layer deposition // J. Appl. Phys., 2005, 98, 3, 33 715.
- Неволил B.K. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. М.: МГИЭТ, 2004, 128 с.
- Sattler К., Miihlbach J., Recknagel Е. Generation of metal clusters containing from 2 to 500 atoms. Phys. Rev. Lett., 1980, 45, p.821−823.
- Baker S.H., Thornton S.C., Edmonds K.W., Maher M.J., Norris C., Binns C. The construction of a gas aggregation source for the preparation of size-selected nanoscale transition metal clusters // Rev. Sci. Instr., 2000, 71, 8, pp.3178−3183.
- Laaksonen R.T., Goetsch D.A., Owens D.W., Poirer D. M" Stepniak F., Weaver J.H. Supersonic cluster source with mass selection and energy control // Rev. Sei. Tnstr., 1994, 65, 5, 2267−2272.
- Nakajima A., Hoshino K., Naganuma’T., Sone Y., Kaya К. Ionization potentials of aluminum-sodium bimetallic clusters (AlnNam) // J. Chem. Phys., 1991, 95, 9, pp.7061−7067.
- Shen J., Gai Zh., Kirschner J. Growth and magnetism of metallic thin films and multilayers by pulsed-laser deposition // Surf. Sei. R, 2004, 52, 5−6, pp. 163−218.
- Thomson W. (Lord Kelvin). On the equilibrium of vapour at a curved surface of liquid // Phil. Mag., 1871, 43, 5, pp.448−452.
- Gibbs J.W. On the equilibrium of heterogeneous substances // Trans. Connect. Acad., 1876, 3, 2, pp.108−248.
- Ostwald W.Z. Uber die vermeintliche Isomerie des rotten und gelben Quecksilberioxyds und die Oberflachenspannung fester Korper// Zeitschr. Phys. Chem., 1900, 34, 5, pp.495−503- 1901, 37, pp.385−397.
- Лифшиц И.М., Слёзов B.B. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // ЖЭТФ, 1958, 35, 2, с.479−487.
- Lifshitz I.M., Slyozov V.V. Kinetics of precipitation from supersaturated solid solutions //J. Phys. Chem. Solids, 1961 19, 1, pp.35−50.
- Wagner C.Z. Theorie der Alterung Von Niederschlagen durch Umlosen (OstwaldReifung) // Zeitschr. Electrochem, 1961, 65, 7/8, pp.581−591.
- Пчеляков О.П., Болховитянов Ю. Б., Двуреченский A.B., Соколов Л. В., Никифоров А. И., Якимов А. И., Фойхтлендер Б. Кремний германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства // ФТП, 2000, 34, 11, с.1281−1299.
- Леденцов H.H., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетер о структуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП, 1998, 32, 4, с.385−410.j
- Эдельман B.C. Сканирующая туннельная микроскопия (обзор) // ПТЭ, 1989, № 5, с.25−57.
- Божокин С.В., Паршин Д. А. Фракталы и мультифракталы. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001.
- Yacaman M.J. Characterization of supported catalysts by transmission electron microscopy (review) // Appl. Catalysis, 1984,' 13, 1, pp.1−25.
- Marks L.D. Experimental studies of small particle structures // Rep. Prog. Phys., 1994, 57, 6, pp.603−649.
- Harris P.J.F. Growth and structure of supported metal catalyst particles // Intl. Mater. Rev., 1995, 40, 3, pp.97−115.
- Ren F., Heng X., Guang X., Cai X., Wang J.B., Jiang C.Z. Engineering embedded metal nanoparticles with ion beam technology // Appl. Phys. A 2009, 96, 2, pp.317- '¦ 326.
- Nastasi M., Mayer J.W., Hirvonen J.K. Ion-solid interaction: fundamentals and applications. Cambridge University Press, 1996. i
- Townsend P.D. Optical effects of ion implantation // Rep. Prog. Phys., 1987, 50, 5, pp.501−558.
- Cho S.H., Lee S., Kub D.Y., Leec T.S., Cheongc В., Kimc W.M., Leec K.S. Growth behavior and optical properties of metal-nanoparticle dispersed dielectric thin films formed by alternating sputtering // Thin Solid Films, 2004, 447 448, 1, pp.6873.
- Ruffino F., de Bastiani R., Grimaldi M.G., Bongiorn C., Giannazzo F., Roccaforte F., Spinella C., Raineri V. Self-organization of Au nanoelusters on the Si02 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation // Nucl. Instr. Meth. В 2007, 257, pp. 810 -815.
- Haberland H., von Issendorff В., Yufeng J., Kolar T. Transition to plasmon-lilce absorption in small Hg clusters // Phys. Rev. Lett. 1992, 69, 22, pp.3212−3215.
- Rademann K., Kaiser В., Even U., Hensel F. Size dependence of the gradual transition to metallic properties in isolated mercury clusters // Phys. Rev. Lett., 1987, 59, 20, pp.2319−2321.
- Garcia M.E., Pastor G.M., Bennemann K.H. Derealization of a hole in van der Waals clusters: ionization potential of rare-gas and small Hg clusters // Phys. Rev. B, 1993, 48, 10, 8388−8397. .
- Zhao J., Chen X., Wang G. Critical size for a metal-nonmetal transition in transition-metal clusters // Phys. Rev. B, 1994, 50, 20, pp. 15 424−15 426.
- Wang J., Wang G., Zhao J. Nonmetal-metal transition in Zn" (n = 2 20) clusters //Phys. Rev. A, 2003, 68, 1, 13 201. i
- Борман В.Д., Лай С.Ч., Пушкин M.A., Тронин В. Н., Троян В. И. Об использовании процесса Костера-Кронига для исследования перехода нанокластеров металла в неметаллическое состояние // Письма в ЖЭТФ, 2002, 76, с.520−524.
- Шик, А .Я., Бакуева Л. Г., Мусихин С. Ф., Рыков С. А. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука, 2001.
- Тавгер Б.А., Демиховский В. Я. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках//УФН, 1968, 96, 9, с.644−658.
- Mason M.G. Electronic structure of supported small metal clusters // Phys. Rev. B, 1983,27, 2, pp.748−762.
- Colbert J., Zangwill A., Strongin M., Krumrnacher S. Evolution of a metal: a photoemission study of the growth ofPd clusters // Phys. Rev. B, 1983, 27, 2, pp.13 781 381.
- Devaty R.P., Sievers A.J. Comment on Gor’kov and Eliashberg’s theory for far-infrared absorption by small metallic particles // Phys. Rev. B, 1980, 22, 4. pp.21 232 126.
- Kreibig U. Electronic properties of small silver particles: the optical constants and their temperature dependence // J. Phys. F, 1974, 4, 7, pp.999−1014.
- Kubo R. Electronic properties of metallic fine particles, i // J. Phys. Soc. Jpn., 1962, 17, 6, pp.975−986.
- Горьков Л.П., Элиашберг Г. М. Мелкие металлические частицы в электромагнитном поле //ЖЭТФ, 1965, 48, 5, с.1407−1418.
- Brody Т.А., Flores J., French J.B., Mello P.A., Pandey A., Wong S.S.M. Random-matrix physics: spectrum and strength fluctuations // Rev. Mod. Phys., 1981, 53, 3, pp.3 85−479.
- Denton R., Mtihlschlegel В., Scalapino D.J. Thermodynamic properties of electrons in small metal particles // Phys. Rev. B, 1973, 7, 8, pp.3589−3607.
- Buttet J., Car R., Myles C.W. Size dependence of the conduction-electron-spin-resonance g-shift in a small sodium particle: prthogonalizcd standing-wave calculations // Phys. Rev. B, 1982, 26, 8, pp.2414−2431.
- Kimura K., Bandow S. Quantum size effect observed in ultrafine magnesium particles //Phys. Rev. B, 1988, 37, 8, pp.4473−4481.
- Yee P., Knight W.D. Quantum size effect in copper: NMR in small particles // Phys. Rev. B, 1975, 11, 9, pp.3261−3267.
- Абрикосов A.A., Горьков Л. П. К вопросу о найтовском сдвиге в сверхпроводниках// ЖЭТФ, 1960, 39, 4, с.480−483.
- Beuneu F., Monod P. The Elliott relation in pure metals // Phys. Rev. B, 1978, 18,. 6, pp.2422−2425.
- Saiki К., Fujita Т., Shimizu Y., Sakoh S., Wada N. Electron Spin Resonance in ' fine particles of metallic lithium // J. Phys. Soc. Jpn., 1972, 32, 2, pp.447−450.
- Kawabata A. Electronic properties of fine metallic particles. III. E.S.R. absorption line shape // J. Phys. Soc. Jpn., 1970, 29, 4? pp.902−911.
- Averin D.V., Korotlcov A.N., Likharev К.К. Theory of single-electron charging of quantum wells and dots // Phys. Rev. B, 1991, 44, 12, 6199−6211.
- Драгунов В.П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Издательство Новосибирского государственного технического университета, 2000.
- Likharev К.К. Correlated discrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions //IBM J. Res. Develop., 1988, № 1, pp.144−158.
- Geerlings L.J. Charge quantization effects in small tunnel junctions // Physics of Nanostructures. Cambridge University Press, 1992. pp. 171 -204.
- Ohata A., Niyama H., Nakahima K., Toriumi A. Silicon-based single-electron tunneling transistor operated at 4.2 К // Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 8B, pp.4485−4489. •
- Luryi S., Xu J., Zaslavsky A. Future trends in microelectronics: Up the nano creek. Wiley-IEEE, 2007.
- Glazman L.I. Single electron tunneling // J. Low Temp. Phys., 2000, 118, 5−6, pp.247−259.
- Schonenberg C., van Houten H., Donkersloot H.C. Single-electron tunneling observed at room temperature by Scanning Tunneling Microscopy // Europhys. Lett., 1992, 20, 3, pp.249−254.
- Dorogi M., Gomez J., Osifchin R. Room temperature Coulomb blockade from a self — assembled molecular nanostructure // Phys. Rev. B, 1995, 52, 12, pp.9071−9077.
- Wilkins R., Ben-Jacob E., Jaklevic R.C. Scanning-Tunneling-Microscope observations of Coulomb blockade and oxide polarization in small metal droples // Phys. Rev. Lett., 1989, 63, 7, pp.801−804.
- Amman M., Field S.B. Coulomb-blockade spectroscopy of gold particles imagedIwith Scanning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. B, 1993, 48, 16, pp.12 104−1207.
- Бухараев A.A., Бердунов H.B., Овчинников Д. В., Салихов К. М. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Микроэлектроника, 1997, 26, 3, с.163−172.
- Воробьёв JI.E., Ивченко E.JL, Фирсов Д. А., Шалыгин В. А. Оптические свойства наноструктур. СПб.: Наука, 2001.
- Горшков О.IT., Грачева Т. А., Касаткин А. П. Ионно-пучковая модификация свойств приповерхостных слоев Zri.xYx02−5 И Поверхность: физика, химии, механика, 1997, № 1, с.15−19.
- Thornton T.J. Mesoscopic devices // Rep. Prog. Phys., 1994, 58, 3, pp.311−364.
- Лихарев K.K. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе дискретного одноэлектронного туннелирования // Микроэлектроника, 1987, 16, 3, с, 195−201.
- Guo L., Leobandung Е., Chou S.Y. A silicon single-electron transistor memory operating at room temperature // Scicnce, 1997, 275, 2, pp.649−651.
- Ruffino F., Grimaldi M.G. Structural and electrical characterization of gold nano-clusters in thin Si02 films: realization of a nanoscale tunnel rectifier // Microel. Eng. 2007, 84, pp. 532−536.
- Yano K., Ishii Т., Hashimoto Т., Kobayashi Т., Murai F., Seki K. Roomitemperature Single-electron Memory // IEEE Trans. Electron Devices, 1994, ED41, 9, pp. 1628−1638.
- Chiang T.-Y. Impact of joule heating on scaling of deep sub-micron Cu/low-k interconnects // IEEE Symp. VLSI Circuits 2002, Digital Tech. Papers, p.38.
- Taur Y., Ning T.H. Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge Univ. Press, 2009.
- Miller D.A.B. Rationale and challenges for optical interconnects to electronic chips // Proc. IEEE, 2000, 88, 6, pp.728−749. '
- Barnes W.L. Dereux A., Ebbesen T.W. Surface plasmon subwavelength optics // Nature, 2003, 424, 6, pp.824−828.
- Takahara J., Kobayashi T. Low-dimensional optical waves and nano-optical circuits // Opt. Photon. News, 2004, № 15, pp.54−61.
- Mertens H., Polman A. Plasmon-enhanced erbium luminescence // Appl. Phys. Lett., 2006, 89,21,211 107.
- Haglund Jr. R.F., Yang Li., Magruder III R.H., White C.W., Zuhr R.A., Yang Lina, Dorsinville R., Alfano R.R. Nonlinear optical properties of metal-quantum-dot composites synthesized by ion implantation //Nucl. Instr. Meth. B, 1994, 91, 1−4. pp.493 504.
- Ryasnyansky A., Palpant B., Debrus S., Ganeev R., Stepanov A., Can N., Buchal C., Uysal S. Nonlinear optical absorption of ZnO doped with copper nanoparticles in the picosecond and nanosecond pulse laser field // Appl. Opt., 2005, 44, 14, pp.28 392 842.
- Felidj N., Aubard J., Levi G., Krenn J.R., Hohenau A., Schider G., Leitner A., Aussenegg F.R. Optimized surface-enhanced Raman scattering on gold nanoparticle arrays //Appl. Phys. Lett., 2003, 82, 18, pp.3095−3097.
- Haynes C.L., van Duyne R.P. Plasmon-Sampled Surface-Enhanced Raman Excitation Spectroscopy // J. Phys. Chem. B, 2003, 107, 30, pp.7426−7433.
- Drachev V.P., Thoreson M.D., Khaliullin E.N., Davisson V.J., Shalaev V.M. Surface enhanced Raman difference between human insulin and insulin lispro detected by adaptive nanostructures // J. Phys. Chem. B, 2004, 108, 46, pp. 18 046−18 052.
- Shafer-Peltier K.E., Haynes C.L., Glucksberg M.R., van Duyne R.P. Towards a glucose biosensor based on Surface-Enhanced Raman Scattering // J. Am. Chem. Soc., 2003, 125, 1, pp.58−63.
- Crozicr K.B., Sundaramurthy A., Kino G.S. Quate C.F. Optical antennas: resonators for local field enhancement // J. Appl. Phys., 2003, 94, 7, pp.4632−4043.
- Kocabas A., Ertas G., Senlik S.S., Aydinli A. Plasmonic band gap structures for surface-enhanced Raman scattering // Opt. Express, 2008, 16, 17, pp.12 469−12 477.
- Kneipp K., Wang Y., Kneipp H., Perelman L.T., Itzkan I., Dasari R.R., Feld M.S. Single molecule detection using Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS) // Phys. Rev. Lett., 1997, 78, 7, pp. 1667−16 670.I
- Fromm D.P., Sundaramurthy A., Kinlchabwala A., Schuclc P.J., Kinoand G.S., Moerner W.E. Exploring the chemical enhancement for surface-enhanced Raman scattering with Au bowtie nanoantennas // J. Chem. Phys., 2006, 124, 06, 61 101.
- Mertens H., Polman A. Plasmon-enhanced erbium luminescence // Appl. Phys. Lett., 2006, 89,21,211 107.
- Sawa A. Resistive Switching in transiton metal oxides // Mater. Today 2008, 11, 6, pp. 28−36.
- Hickmott T. W. Low-frequency negative resistance in thin anodic oxide films // J. Appl. Phys. 1962, 33, pp. 2669−2682.
- Asamitsu A., Tomioka Y., Kuwahara H., Tokura, Y. Current switching of resistive states in magnetorcsistive manganites //Nature 1997, 388, pp. 50−52.
- Kozicki M. N., Yun M., Hilt L., Singh, A. Applications of programmable resistance changes in metal-doped chalcogenides. J. Electrochem. Soc. 1999, pp. 298−309.
- Beck A., Bednorz J. G., Gerber C., Rossel C., Widmer, D. Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications // Appl. Phys. Lett. 2000, 77, pp. 139−141.
- Seo S., Lee M.J., Seo D.H., Jeoung E.J., Suh D.-S., Joung,'Y.S. Yoo I.IC., Hwang I.R., Kim S.H., Byun I.S., Kim J.-S., Choi J.S., Park B.H. Reproducible resistanceswitching in polycrystalline NiO films // Appl. Phys. Lett., 2004, 85, 23, pp.56 555 657.
- Dong R., Lee D.S., Xiang W.F., Oh S.J., Seong D.J., Heo S.H., Choi H.J., Kwon M.J., Seo S.N., Pyun M.B., Hasan M., Hwang H. Reproducible hysteresis and resistive switching in metal-CuxO-metal heterostructures // Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 4, 42 107.
- Lee D., Choi H., Sim H., Choi D., Hwang H" Lee M.-J., Seo S.-A., Yoo I.K. Resistance switching of the nonstoichiometric zirconium oxide for nonvolatile memory applications // IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 10, pp.719−721.
- Choi B.J., Jeong D.S., Kim S.IC., Rohde C., Choi S., Oh J.H., Kim H.J., Hwang C.S., Szot K., Waser R., Reichenberg B., Tiedke S. Resistive switching mechanism of. Ti02 thin films grown by atomic-layer deposition // J. Appl. Phys. 2005, 98, 3, 33 715.
- Yao J., Zhong L., Natelson D., Tour J. M. Silicon Oxide: A Non-innocent Surface for Molecular Electronics and Nanoelectronics Studies // J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 4, pp. 941−948.
- Dearnaley G., Stoneham A. M., Morgan, D. V. Electrical phenomena in amorphous oxide films // Rep. Prog. Phys. 1970, 33, pp.1129−1191.
- Oxley D. P. Electroforming, switching and memory effects in oxide thin films // Electrocomponent Sci. Technol. 1977, 3, pp. 217−224.
- Pagnia H. Sotnilc N. Bistable switching in electroformed metal-insulator-metal ' devices//Phys. Status Solidi 1988. 108, pp. 11−65.
- Simmons J. G., Verderber R. R. New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating films // Proc. R. Soc.Lond. A 1967, 301, pp.77—102.
- Chudnovskii F. A., Odynets L. L., Pergament A. L., Stefanovich G. B. Electro-forming and switching in oxides of transition metals: the role of metal-insulator transition in the switching mechanism // J. Solid State Chem. 1996, 122, pp. 95−99.
- Bruyere J. C., Chakraverty B. K. Switching and negative resistance in thin films of nickel oxide // Appl. Phys. Lett. 1970, 16, pp. 4013.
- Choi B. J. Jeong D. S., Kim S. K., Rohde C., Choi S., Oh J. H" Kim H. J., Hwang C. S., Szot K., Waser R., Reichenberg B., Tiedke S. Resistive switching mechanism of Ti02 thin films grown by atomic-layer deposition // J. Appl. Phys. 2005, 98, 33 715.
- Jeong D. S., Schroeder I I., Waser R. Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching behaviors //Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 10, pp. G51-G53.
- Esaki L., Laibowitz R. B., Stiles P. J. Polar Switch // IBM Tech. Disci. Bull. 1971, 13, p.2161.
- Kohlstedt H., Pertsev N. A., Contreras J. R., Waser R. Theoretical current-voltage characteristics of ferroelectric tunnel junctions // Phys. Rev. B 2005, 72, 125 341.
- Tsymbal E. Y., Kohlstedt H. Tunneling across a ferroelectric // Science 2006, 313, pp. 181−183.
- Terabe K., Hasegawa T., Nakayama T., Aono M. Quantized conductance atomic switch // Nature 2005, 433, pp.47−50.
- Baiatu T., Waser R., Hardtl K. H. DC electrical degradation of perovslcite-type titanates. III. A model of the mechanism // J. Am. Ceram. Soc. 1990, 73, pp. 1663— 1673.
- Guan W., Long S., Jia R., Liu M. Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide // Appl. Phys. Lett., 2007, 91,6, 62 111.
- Ouyang J. Y., Chu C. W., Szmanda C. R., Ma L. P., Yang Y. Programmable polymer thin film and non-volatile memory device // Nature Mater. 2004, 3, pp.918 922.
- Bozano L. D., Kean B. W., Beinhoff M., Scott J. W. Organic materials and thin-film structures for cross-point memory cells based on trapping in metallic nanoparti-cles. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, pp. 1933−1939.
- Guan W., Long S., Liu M., Li Z., Hu, Y., Liu Q. Fabrication and charging characteristics of MOS capacitor structure with metal nanocrystals embedded in gate oxide // J. Phys. D 2007, 40, pp.2754−2758.
- Sawa A., Fujii T., Kawasaki M., Tokura Y. Interface resistance switching at a few nanometer thick perovskite manganite active layers // Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 232 112.
- Fujii T., Kawasaki M., Sawa A., Akoh H., Kawazoe Y., Tokura Y. Hysteretic current-voltage characteristics and resistance switching at an epitaxial oxide Schottky junction SrRu03/SrTio.99Nbo.oi03 // Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 12 107.
- Hovel H. J., Urgell J. J. Switching and memory characteristics of ZnSe-Ge het-erojunctions //J. Appl. Phys. 1971, 42, pp.'5076−5083.
- Pinto R. Filamentary switching and memory action in thin anodic oxides. Phys. Lett. A 1971, 35, pp. 155−156.
- Beaulieu R. P., Sulway D. V., Cox C. D. The detection of current filaments in VOi thin-film switches using the scanning electron microscope // Solid-State Electron. 1973 3, pp. 428−429.1601
- Ogimoto Y., Tamia Y., Kawasaki M., Tokura Y. Resistance switching memory device with a nanoscale confined current path // Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 143 515.
- Rossel C., Meijer G. I., Bremaud D., Widmer D. Electrical current distribution across a metal-insulator-metal structure during bistable switching // J. Appl. Phys. 2001,90, pp.2892−2898.
- Szot K., Dittmann R., Speier W., Waser R. Nanoscale resistive switching. Phys. i
- Status Solidi 2007, pp. R86-R88.
- Willmott P.R., Huber J.R. Pulsed Laser Vaporization and Deposition // Rev. Mod. Phys. 2000, 72, 1, pp.315−328.
- Kools J.C.S. Pulsed Laser Deposition of Metals // Eds. Pulsed Laser Deposition of Thin Films. Chirsley D.B., Hubler G.K. New YorlcWhiley, 1994.
- Зенкевич A.B., Лебединский Ю. Ю., Тимофеев A.A., Неволин В. Н., Антонов Д. А., Филатов Д. О., Максимов Г. А. Формирование сверхтонких нанокомпозит-ных структур SiC^Au методом импульсного лазерного осаждения // Перспективные материалы, 2008, № 4, с.5−12.
- Hochella M.F., Carim А.Н. A reassessment of electron escape depths in silicon and thermally grown silicon dioxide thin films // Surf. Sci. Lett., 1988, 197, 3, pp. L260-L268.
- Уманский Я.С., Скаков Ю. А., Иванов A.H., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 435 с.
- Zenkevich, A.V.- Lebedinskii, Yu.Yu.- Timofeyev, A.A.- Isayev, I.A. & Tronin, j
- V.N. Formation of ultrathin nanocomposite Si02: nc-Au structures by Pulsed Laser Deposition// Appl. Surf. Sci., 2009, 255, 10, pp. 5355−5358.
- Howald L., Meyer E., Ltithi R., Haefke H., Overney R., Rudin H. Giintherodt H.J. Multifunctional probe microscope for facile operation in ultrahigh vacuum // Appl. Phys. Lett., 1993, 63,1, pp.117−119.'
- Albrecht T.R., Grutter P., Home D., Rugar D. Frequency modulation detection using high-<2 cantilevers for enhanced force microscope sensitivity // J. Appl. Phys., 1991, 69, 2, pp.668−673.
- Maximov G.A., Filatov D.O. True atomic resolution in Non-Contact Atomic Force Microscopy in Ultra High Vacuum on Si (lll) 7×7 // Phys. Low-Dim. Struct., 2001, №¾, pp.287−293.
- Демиховский В.Я., Вугальтер Г. А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. 247 с.
- Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. Develop. 1970, 14, 1, pp. 61−65.
- Ландау Л.Д., Лившиц E.M. Теоретическая физика — в 10 т. Т. З. Квантовая механика: нерелятивистская теория / Наука, 1989. 719 с. ¦
- Шалимова К.В. Физика полупроводников / М.: Энергия, 1982. 562 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов в 2 тт. Т. 1 / М.: Мир, 1984. -456 с.
- Weisbuch С., Vinter В. Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications / San Diego: Academic Press, 1991. 487 p.
- Благородные металлы. Справочное издание. Ред. Савицкий Е. М / М.: Металлургия, 1984. 592 с.
- Physical Properites of Semiconductors //New Semiconductor Materials Database, http:// matprop.ru.
- Quattropani L., Maggio-Aprile I. Niedermann P., Fisher O. Ballistic-electron-emission-microscopy studies on Au/SiCb/w-type Si (100) and Ir/Si02/rc-type Si (100) structures with very thin oxides // Phys. Rev. В 1998, 57, 11, pp. 6623−6628.
- Иродов И.Е. Основные законы электромагнетизма / М.: Высшая школа, 1991.-516 с.
- Сивухин Д.В. Общий курс физики в 7 тт. Т. З: Электричество / М.: Высшая школа, 1978. — 526 с.
- Сыноров В. Ф., Чистов Ю. С. Физика МДП-структур / Воронеж: Изд-во Воронеж. ун-та, 1989. 223 с.
- R. Waser, М. Aono. Nanoionics-based resistive switching memories//nature materials. November 2007, Vol 6, pp 833−840.