Поляризация горячей фотолюминесценции в магнитном поле в кристаллах арсенида галлия
Диссертация
Горячие электроны в полупроводниках создаются и исследуются разнообразными методами — сильные электрические поля, иняек-ция носителей через контакт и др. В последнее время приобретают развитие наиболее тонкие — оптические методы исследования горячих электронов. Исследуется люминесценция и поглощение света в системе носителей тока, разогретых электрическим полем. По спектру интенсивности… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. СПЕКТР И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- I. I. Оптические методы изучения горячих носителей тока в полупроводниках
- 1. 2. Спектр и поляризация горячей фотолюминесценции
- I. I. Оптические методы изучения горячих носителей тока в полупроводниках
- 1. У.1. Поведение поляризационных характеристик ГФЛ во внешнем магнитном поле
- 1. У.2. Влияние гофрировки валентной зоны на деполяризацию ГФЛ в магнитном поле
- 1. У.З. Спектральная зависимость эффекта магнитной деполяризации ГФЛ
- 1. У.4. Разрушение корреляции глевду спином и импульсом в продольном магнитном поле. Прецессионный механизм спиновой деполяризаций
Список литературы
- urbrich R.G. Low density photoexcitation phenomena in semiconductors: aspects of theory and experiment1. — Sol. State Electron., 1978, v.21, pp.51−59″
- Васильева M.A., Воробьёв Л. Е., Стафеев В. И. Анизотропия поглощения и рекомбинационного излучения горячих носителей тока в n-In Sb . ФТП, 1969, т. З, в.9, с.1374−1377.
- Shah J., Leite R.C.C. Radiative recombination from pho-toexcited hot carriers in GaAs. Phys.Rev.Lett., 1969, v.22,1. Ко.24, p.1304−1306.
- Meneses E.A., Jannuzzi N., Leite R.C.C. Dependence of hot carriers temperature on lattice temperatures in CdS.~ Solid State Commun., 1973, v.13, N0.3, p.245−248.
- Saari P., Rebane K. Hot luminescence lines in the secondary radiation spectrum of KCl-NO^ and EBr-NO^ crystals. Solid State Commun., 1969, v.7″ Ho.12, p.887−890.
- Ивченко Е.Л., Пикус Г. Е., Такунов Л. В. Выстраивание и ориентация горячих экситонов в полупроводниках. ФТТ, 1978, т.20, в.9, с.2598−2609.
- Permogorov"S. Hot excitons in semiconductors. Phys. stat. sol (b), 1975, v.68, No. l, p.9−42.
- Земский В.И., Захарченя Б. П., Мирлин Д. Н. Поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках типа Gas, Письма в ЖЭТФ, 1976, т.24, в.2, с.96−99.
- Захарченя Б.П., Земский В. И., Мирлин Д. Н. Поляризационные зависимости в спектре горячей фотолюминесценции в полуцро-водниках типа GaAs и их связь с процессами импульсной и спиновой релаксации. ФТТ, 1977, т.19, в.6,0.1725−1732.- 145
- Дымников В.Д., Дьяконов М. И., Перель В. И. Анизотропия импульсного распределения фотовозбундённых электронов и поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6, с.2373−2380.
- Воробьёв Л.Е., Стафеев В. И., Ушаков А. Ю., Штурбин А. В. Исследования оптических свойств горячих носителей тока в полупроводниках. Труды IX Международной конференции по физике полу-цроводников. Москва, 1968, Л.: Наука, 1969, т.2, с.809−814.
- Наследов Д.Н., Царенков Б. В. Излучательная рекомбинация в GaAs . Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. -Москва, 1968, Л.: Наука, 1969, т.1- с.504−509.
- Алфёров Ж.И., Гарбузов Д. З., Морозов Е. П., Портной Е. Л. Диагональное туннелирование и поляризация излучения в гетеропереходах AlxGa1-x:As-GaAs и p-n переходах в GaAs. -ФТП, 1969, т. З, в.7, с. 1054−1059.
- Zakharchenya В.P. Magnetization of charge carriers and excitons in semiconductors by polyrised light. In: Proc. 11 Int.Conf.Physics of Semicond. Warsawa, 1972: Polish Sci. Publ., 1972, p.1J12−1526.
- Lampel G. Optical pumping in semiconductors. In: Proc. 12 Int.Conf.Physics of Semicond. Ed.M.Pilkuhn Stuttgart: Teubler, 1974, P.743−750.
- Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: физматгиз, 1959.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. 0 спиновой ориентации электронов цри межзонном поглощении света в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1971, т.60, в.5, с.1954−1965.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. Влияние электрического поля и деформации на оптическую ориентацию в полупроводниках. -ФТП, 1973, т.7, в.12, с.2335−2339.
- Kleiner W.H., Both L.M. Deformation potential in germanium from optical absorption lines for exciton formation.-Phys.Kev.Lett., 1959, v.2, No.8, p.334−336.
- Келдыш Л.В., Константинов O.B., Перель В. И. Эффект поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле. ФТП, 1969, т. З, в.7, с.1042−1053.
- Багаев B.C., Берозашвили Ю. Н., Келдыш Л. В. Анизотропия поглощения поляризованного света в кристаллах арсенида галлия и теллурида кадмия, возникающая под действием сильного электрического поля. Письма в КЭТФ, 1969, т.9, в. З, с. 185−188.
- Дымыиков В.Д. Поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках. Дис.канд.физ.-мат.наук, ФТЙ АН СССР, Ленинград, 1980.
- Mitchel A., Semansky М. Resonance radiation and excited atoms" — Cambridge University Press, 1934, 338 p.
- Бир Г. Л., Ивченко Е. Л., Пикус Г. Е. Выстраивание и ориентация горячих экситонов и поляризованная люминесценция. Изв. АН СССР (сер.физическая), 1976, т.40, в.9, с.1866−1871.
- Дымников В.Д. 0 линейной поляризации горячей люминесценции в полуцроводниках с зонной структурой арсенида галлия. -ФТП, 1977, т. II, в.8, с. 1478−1486.
- Мирлин Д.Н., Ретина И. И. Анизотропия поляризации горячей фотолюминесценции в кристаллах арсенида галлия. ЖЭТФ, 1977, т.73, в. З, с.859−864.
- Дымников В.Д., Мирлин Д. Н., Перель В. И., Ретина И. И. 0 линейной поляризации фотолюминесценции в кристаллах арсенида галлия. ФТТ, 1978, т.20, в.7, с.2165−2172.
- Дьяконов М.И./ Перель В. И., Яссиевич И. Н. Эффективный механизм энергетической релаксации горячих электронов в полупроводниках Р -типа. ФТП, 1977, т. II, в.7, с.1364−1370.
- Разбирин Б.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин А. Н., Гамарц Е. М. Оптическое выстраивание экситонов в GaSe . Изв. АН СССР (сер.физическая), 1976, т.40, в.9, с.1872−1875.к «
- Гасанли Ш. М., Емельяненко О. В., Ергаков В. К., Кесаман-лы Ф.П., Лагунова Т. С., Наследов Д. Н. Определение концентрации примесей по эффекту Холла и подвижности дырок в кристаллах ар-сенида галлия, легированных цинком. ФТП, 1971, т.5, в. 10, с. 1888−18 92.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория поля. М.: Наука, 1973, 504 с.
- Борн М., Вольф Е. Основы оптики. М.: Наука, 1970, 855 с.
- Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972, 584 с.
- Капе Е.О. Band structure in indium antimonide J.Phys.Chem.Sd., 1957, v. l, No.4, p.249−262.
- Kane Б.О. Energy band structure in p-type germanium and silicon. J.Phys.Chem.Sol., 1956, v. l, No.2, p.82−89.
- Comvell E.M., Vassel M.O. High-field transport in n-type GaAs. Phys.Rev., 1968, v.166, No.5, p.797−821.
- Aspnes D.E. GaAs lower conduction-band minima* Ordering and properties. Phys.Rev.B., 1976, v.14, No.12, p.5331--5343.
- Skolnik M.S., Jain A.K., Stradling R.A., Leotin J., Ousset J.C., Askenazy S. An investigation of the anisotropy of the valance band of GaAs by cyclotron resonance. J.Phys. C.- Solid State Phys., 1976, v.9, No.14, p.2809−2821.
- Bebb B.H., Williams E.W. Photoluminescence II: Gallium Arsenide. In: Semiconductors and Semimetals. N.Y.: Acad. Press, 1972, v.8, p.321−392.
- Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978, 328 с.
- Eakharchenya В.Р., Dymnikov V.D., Karlick I. Та», Merlin D.N., Nikitin L.P., Perel* V.I., Reshina X.X., Sapega V.F. Spectrum and polarization of hot luminescence in GaAs crystals-Proc.l5th Int.Conf.Physics of semiconductors, Kyoto, 1980,
- J.Phys.Soc.Japan,-1980, v.49, Suppl. A, p.575*576.
- Mirlin D.N., Karlik I.Ya., Nikitin P., Reshina I.I.,
- Sapega 7.P. Hot electron photoluminescence in GaAs crystals. -Solid State Commun., 1981, v.37, n0.9, pp.757−760.
- Mooradian A. and Wright G.B. First order Raman effect in compounds. Solid State Comm., 1966, v.4, N0.9, p.431−434.
- Мирлин Д.Н., Карлик И. Я., Никитин Л. П., Решина И. И., Сапега В. Ф. фотолюминесценция арсенида галлия при накачке через1.-долину. Спектр и фононные осцилляции. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32, в.1, с.34−37.
- Захарченя Б.П., Мирлин Д. Н., Перель В. И., Решина И. И. Спектр и поляризация горячих электронов в полупроводниках. -УФН, 1982, т.136, в. З, с.439−499.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука*," 1978, 616 с.
- Дымников В.Д., Решина И. И., Сапега В. Ф. Роль отщеплённой подзоны в поляризации горячей фотолюминесценции в полупроводниках типа GaAs . ФТТ, т.23, в. З, с.731−738.
- Мирлин Д.Н., Никитин Л. П., Ретина И. И., Сапега В. Ф. Деполяризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, в.7, с.419−422.
- Мирлин Д.Н., Сапега В. Ф. Магнитная деполяризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs . Изв. АН СССР (сер. физическая), 1982, т.46, в. З, с.517−521.
- Дымников В.Д. Магнитные осцилляции распределения по импульсам горячих фотовозбувденных электронов в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1979, т.77, в. З, С. П07-П23.
- Чайка М.П. Интерференция вырожденных атомных состояний. Л.: ЛГУ, 1975, 192 с.
- Карлик И.Я., Мирлин Д. Н., Никитин Л. П., Поляков Д. Г., Сапега В. Ф. Разрушение магнитным полем корреляций мевду спинами и импульсами фотовозбуждённых электронов в кристаллах GaAs • -Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, в.5, с.155−157.
- Дымников В.Д., Перель В. И., Полупанов А. Ф. Вероятностьмоптических переходов зона проводимости акцептор в арсениде галлия. — ФТП, 1982, т.16, в.2, с.235−239.
- Weisbuch С", Hermann С. Optical detection of conduction-electron spin resonance in GaAs, Ga2"xIll3jrAs" an (i ^i-x^x As. Phys.Rev., b, 1977, v.15, No.2, p.816−821.
- Дымников В.Д. О циркулярной поляризации горячей люминесценции в полупроводниках с зонной структурой арсенида галлия. ФТП, 1977, т. II, в.9, с. 1850−1853.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии. -ФТТ, 1971, т.13, в.12, с.3581−3585.
- Аронов А.Г., Пикус Г. Е., Титков А. Н. Спиновая релаксация электронов проводимости в соединениях А^В^ р-типа. ЖЭТФ, 1983, т.84, в. З, C. II70-II84.
- Ивченко E. JL Спиновая релаксация свободных носителей в полупроводниках без центра инверсии в цродольном магнитном поле. -ФТТ, 1973, т.15, в.5, с.1566−1570.
- Левинсон И.Б., Левинский Б. Н. Температура горячих фотовозбуждённых электронов. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.1, с.300−309.
- Конуэлл Э. Кинетические свойства полуцроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970, 218 с.
- Favjcetfc W., Boardman A.D., Swain S.J. Monte-Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide. J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31, No.9, p.1963−1990.
- Левинштейн M.E. Новые результаты в исследовании мевдо-линного перехода горячих электронов. ФТП, 1979, т.13, в.7, с.1249−1268.
- Waugh J.L.T., Dolling G. Crystal dynamics of gallium arsenide. Phys.Rev., 1963, v.132, No.6, p.2410−2412.
- Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. Нерялити-вистская теория. М.: Наука, 1974, 752 с.
- Карлик И.Я., Меркулов И. А., Мирлин Д. Н., Никитин Л. П., Перель В.й., Сапега В.ф. Намагничивание дырок на акцепторах и поляризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs-Mn . -ФТТ, 1982, т.24, в.12, с.3550−3557.
- Ребане Ю.Т. Энергетическая и импульсная релаксация горячих электронов при рассеянии на нейтральных акцепторах в кубических полупроводниках. ФТП, 1981, т.15, в. II, с.2179−2185.
- Littlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson Т.Н. Velocity -filed characteristics of GaAs with Ig Lg -Xg conduction-band ordering. — J.Appl.Phys., 1977, v.48, No.11, p.4587−4590.
- Posela J. and Reklaitis A. Diffusion coefficient of hot electrons in GaAs. Solid State Commun, v.27, No.11,p.1073−1077.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. 0 циркулярной поляризации рекомбинационного излучения полупроводников в слабом магнитном поле. ФТТ, 1972, т.14, в.5, с.1452−1459.
- Джиоев Р.И., Захарченя Б. П., Флейшер В. Г. Исследование парамагнетизма полупроводников по поляризации люминесценции в слабом магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.5, с.244--247.
- Title R.S. EPR study of Lithium-diffused, Mn-doped GaAs, J-rAppl.Phys., 1969, v.40, No.12, p.4902−4910.
- Ilegems M., Dingle R., Rupp Ir.L.W. Optical and electrical «properties of Mn-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1975, v.46, n0.7, Р.3059-ЗО65.
- Komorov A.K., Ryabchenko S.M., Terletskii O.V. Giant spin splitting of exciton states in 5taSe with Mn and Fe impurities. Phys.stat.sol.(b), 1980, v.102, No.2, p.603−609.75.
- Eohn W. Shalow impurity states in silicon and germanium in Solid State Physics, 1957, v.5, p.257−320.76.
- Feher G., Hensel J.C., Gere E.A. Paramagnetic resonance absorption from acceptors in selicon. Phys.Rev.Letters, I960, v.5, N0.7, p.309−311.
- Bur G.L., Butikov E.I., Pikus E. Spin and combined resonance on acceptor centres in Ge and Si type crystals II. The effect of the electrical field and relaxation time. JL.Phys. Chem. Solids, 1963, v.24, No.12, p. 1475−1486.
- Поляков Д.Г. Правила отбора для горячей люминесценциипри переходах зона проводимости акцептор. — ФТТ, 1982, т.24, в.12, с.3542−3549.
- Гельмонт Б.Л., Дьяконов М. И. 6 -фактор акцепторов в полупроводниках со структурой алмаза. ФТП, т.7, в. 10, с.2013−2016.