Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Методы и измерительные преобразователи для контроля и диагностики электронной аппаратуры при производстве

Диссертация: Методы и измерительные преобразователи для контроля и диагностики электронной аппаратуры при производстве
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Методы исследований. Результаты исследований, включенные в диссертацию, базируются на теории электрических цепей, теории автоматического регулирования, теории чувствительности, теории функций комплексного переменного, методах функционального анализа, методах аппроксимации временных рядов, методах операционного исчисления, матричных методах, численных методах анализа и методах компьютерного… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Систематизация задач и методов измерений при диагностике электронной аппаратуры
    • 1. 1. Систематизация измерительных задач
    • 1. 2. Принципы организации измерений в системах контроля и диагностики

Методы и измерительные преобразователи для контроля и диагностики электронной аппаратуры при производстве (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Средства электронной техники составляют основу современного автоматизированного производства. Номенклатура и сложность радиоэлектронного оборудования (РЭА) непрерывно возрастают. Качество аппаратуры и конкурентоспособность на мировом рынке в значительной степени зависят от ее надежности. Одним из важнейших аспектов повышения надежности РЭА является обеспечение соответствия параметров электрических цепей допустимым значениям и исправности образующих их элементов.

Оценку исправности, работоспособности, правильности функционирования1 и диагностику причин неисправностей РЭА относят к основным проблемам ее производства и эксплуатации. Трудоемкость контрольных и измерительных работ в производстве РЭА достигает 30% общей трудоемкости. Затраты средств на проведение контрольно-измерительных операций при производстве РЭА достигают 50% всех затрат [70, 75, 171, 258]. При ремонте на поиск неисправностей приходится до 85% общего времени восстановления [180].

Возрастающие сложность схем, плотность компоновки электрорадиоэлементов (ЭРЭ) на платах, все более расширяющееся применение гибридных и интегральных микросхем (МС) заставляют непрерывно улучшать контрольно-измерительную и диагностическую аппаратуру, искать новые и совершенствовать известные методы и средства измерения. С другой стороны развитие и совершенствование.

1 Под исправностью понимается соответствие как основных, так и второстепенных параметров нормам. Работоспособность характеризуется соответствием основных параметров нормам. Для функционирования достаточно соответствия нормам основных параметров, характеризующих работу в определенном режиме [139, 174,212] 5 элементной базы, достижения микроэлектроники, информационно-измерительной и вычислительной техники открывают новые возможности построения контрольно-диагностической аппаратуры и служат основой ее постоянного совершенствования [106].

Работы по созданию автоматических систем контроля и диагностики (АСКД) РЭА были начаты более 50 лет назад фирмой «Lavoie Laboratories» [173, 261]. В настоящее время разработкой и производством АСКД занимается ряд крупных зарубежных фирм: «Computer Automation», «Fairchild Mertest Systems», «Genrad Sue Products Div.», «Hewlett Packard», «Marconi Ate Div.», «Teradyne Inc.», «Wayne Kerr Inc.», «Zehntel Inc.», «Analog Devices» и др.

Значительный вклад в теорию и практику АСКД и применяемых в них методов внесли коллективы отечественных ученых, руководимые в разное время: Т. М. Алиевым, Н. П. Байдой, Л. И. Волгиным, Ф. Б, Гриневичем, М. В. Кинштем, Л. Ф. Куликовским, K.JI. Куликовским, К. Б. Карандеевым, В. Ю. Кнеллером, А. И. Мартяшиным, A.M. Мелик-Шахназаровым, А. В. Мозгалевким, П. П. Орнатским, П. П. Пархоменко, Ю. А. Соболевским, Е. С. Согомоняном, Б. С. Сотсковым, В. Н. Сретенским, М. П. Цапенко, Э. И. Цветковым, Б. И, Швецким, В. М. Шляндиным, Г. А. Штамбергером и др.

Интенсивно разрабатываются методы структурной диагностики, основанные на тестировании под рабочим напряжением функциональных узлов или аппаратуры в целом [61, 67, 75, 76, 95, 139, 173, 174, 180, 272, 273]. Наиболыие успехи достигнуты в диагностике цифровой аппаратуры, поддающейся описанию методами математической логики. Однако при исследовании технического состояния аналоговых систем этих методов недостаточно для обеспечения тре6 буемой глубины локализации места появления дефекта [62, 109].

Проблема поиска неисправностей еще более усугубляется во время изготовления и настройки аппаратуры, когда интенсивность появления дефектов максимальна по сравнению с предыдущими и последующими этапами жизненного цикла РЭА. В процессе установки элементов на плату, пайки и регулировки возможны нарушения топологии, кратные и нелогические неисправности (неправильно установленные элементы, отсутствие элементов и т. п.), а также появление вторичных дефектов при подаче рабочего напряжения. В таких условиях методы анализа структуры, измерения параметров и контроля цепей РЭА [93, 113, 116, 124, 125, 161, 167] имеют ограниченное применение и недостаточно эффективны из-за отсутствия достоверной информации о топологии схемы.

Наиболее результативный метод поиска дефектов при производстве аппаратуры — проведение проверок каждого компонента или фрагмента схемы при условиях исключения влияния внешних по отношению к нему элементов и неповреждающего характера тестовых воздействий. Метод получил название внутрисхемного (in-circuit) или поэлементного измерения, контроля, диагностики [261, 266].

Внутрисхемная диагностика также находит применение при производстве гибридных и интегральных микросхем (МС) [75, 258, 265]. В последнем случае ее необходимо сочетать с методами измерения нелинейных параметров полупроводниковых тестовых структур, изготавливаемых в едином технологическом цикле с интегральной схемой в качестве элементов-свидетелей [108]. При поиске дефектов в процессе эксплуатации и ремонта РЭА поэлементное диагностирование дополняет структурное и способствует увеличению глубины ло7 кализации дефектов [70? 180].

Существует большое количество частных решений задач внутрисхемного диагностирования отдельных ЭРЭ, которые анализируются в соответствующих разделах работы. Однако они не систематизированы. Отсутствует единый подход к выбору методов измерения и измерительных преобразователей. Выбор параметров, по которым определяется работоспособность ЭРЭ, часто произволен, что снижает достоверность получаемых результатов. Попытки использования этих решений в универсальной автоматической системе контроля и диагностики (АСКД) приводят к неоправданному усложнению системы.

В то же время число фундаментальных исследований, посвященных задаче внутрисхемного диагностирования, сравнительно невелико [62, 70, 128, 137, 180, 258], и они не отражают последние достижения в областях внутрисхемной диагностики и информационно-измерительной техники.

Цель работы состоит в развитии методологической и теоретической основы проектирования средств внутрисхемного измерения параметров, контроля и диагностики цепей электронной аппаратуры.

Для достижения поставленной цели решаются следующие основные задачи:

— развитие и исследование методов измерения и допускового контроля параметров линейных двухполюсных электрических цепей (ДЭЦ), в том числе в составе многополюсного объекта;

— разработка и исследование методов измерения параметров полупроводниковых структур, представляемых нелинейными многоэлементными ДЭЦ;

— разработка и исследование методов измерения параметров и 8 диагностики транзисторов и интегральных схем в составе электронной аппаратуры;

— разработка и внедрение в промышленность средств внутрисхемного поэлементного контроля электронной аппаратуры.

Методы исследований. Результаты исследований, включенные в диссертацию, базируются на теории электрических цепей, теории автоматического регулирования, теории чувствительности, теории функций комплексного переменного, методах функционального анализа, методах аппроксимации временных рядов, методах операционного исчисления, матричных методах, численных методах анализа и методах компьютерного моделирования. В работе также использован опыт, накопленный в результате разработки, изготовления и внедрения средств внутрисхемного измерения, контроля и диагностики при выполнении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в Пензенском государственном университете и НИИ «Кон-трольприбор» г. Пенза.

Научная новизна. 1. Разработана обобщенная модель процесса оценки параметров ДЭЦ. На ее основе проведена классификация способов проведения важнейших операций и выбраны перспективные для внутрисхемного измерения и контроля методы.

2. Предложены, разработаны и исследованы методы и средства допускового контроля иммитанса ДЭЦ, в том числе в составе многополюсных электрических цепей (МЭЦ), позволяющие минимизировать и полностью исключить методическую погрешность, вызванную несовпадением области допустимых значений параметров иммитанса и области, оцениваемой по параметрам выходного сигнала измерительной схемы. 9.

3. Предложены, разработаны и исследованы методы измерения иммитанса, основанные на цифровой обработке сигналов. Выработаны рекомендации по выбору методов и соотношений в измерительной схеме, оптимальных по критерию минимума погрешности в заданном диапазоне измерения.

4. Предложено применить для измерения иммитанса метод цифрового спектрального оценивания Прони и проведена путем имитационного моделирования количественная оценка метрологических характеристик в зависимости от уровня случайных и квазидетермини-рованных помех.

5. Показана перспективность применения этого метода для уменьшения погрешнбстей и времени измерения за счет оценки иммитанса во время переходного процесса, не дожидаясь его окончания. Наиболее эффективно применение метода для измерения иммитанса ДЭЦ в процессе функционирования объекта и при измерении частотных характеристик параметров иммитанса.

6. На основе анализа параметров транзисторов обоснован выбор токов переходов закрытого транзистора и его коэффициента усиления в качестве критериев исправности транзистора при внутрисхемном контроле. Предложены, разработаны и исследованы методы и средства их измерения.

7. Разработаны методы и средства измерения токов интегральных схем в составе аппаратуры. Впервые предложены и исследованы методы и средства диагностики и измерения коэффициента усиления интегральных операционных усилителей, установленных на платах РЭА.

8. Предложены, разработаны и исследованы преобразователи.

10 для измерения на синусоидальном токе параметров нелинейных многоэлементных ДЭЦ тестовых полупроводниковых структур.

9. Обоснована в результате анализа методик измерения электрофизических параметров измерительная модель МДП-конденсатора. На ее базе впервые реализована возможность определения малосигнальных параметров полупроводниковых структур в едином цикле измерения на несинусоидальном сигнале с широким спектром.

Практическая ценность. 1. Созданы основы методики инженерного проектирования и исследования преобразователей для поэлементного диагностирования электронной аппаратуры. Даны практические рекомендации по построению измерительных подсистем АСКД, выбору типов и режимов работы измерительных преобразователей.

2. Разработаны преобразователи для поэлементного диагностирования РЭА, в том числе впервые для диагностирования интегральных операционных усилителей на платах.

3. Теория, разработанные методы и основы инженерного проектирования послужили базой для создания ряда приборов и систем для контроля и диагностики РЭА, гибридных и интегральных МС в процессе производства, а также для практического решения ряда технически близких задач. Результаты разработки, испытаний и внедрения аппаратуры подтвердили Полученные теоретические результаты.

4. Разработанные методы и методики внедрены в учебный процесс преподавания дисциплин «Техническая диагностика», «Автоматизация производственных процессов», «Радиотехнические системы», а также использованы в процессе выполнения курсовых и дипломных.

11 проектов.

Реализация в промышленности. В результате проведенных исследований разработана и внедрена следующая аппаратура:

— приборы автоматического допускового контроля радиоэлек «тронной аппаратуры серии ПАКД разработаны по заказу Министерства радиопромышленности СССР. Документация на них передана для освоения серийного производства;

— тестеры для внутрисхемного контроля транзисторов и интегральных операционных усилителей и преобразователи для измерения на несинусоидальном токе C-V и 1/C-F характеристик МДП-структур внедрены в НИИ «Контрольприбор» г. Пенза (ранееВНИТЙ прибор, Пензенский филиал МНПО «Темп»);

— прибор для измерения времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках внедрен в Государственном научно-исследовательском и проектном институте редкометаллической промышленности Гиредмет, г. Москва.

Теоретические положения и практические результаты работы использованы в ряде приборов и систем контроля и диагностики, освоенных опытным производством НИИ «Контрольприбор». По заказам более чем шестидесяти предприятий выпущено и внедрено более двухсот единиц аппаратуры. Средства контроля подобного функционального назначения в нашей стране не выпускались и в промышленности были освоены впервые. В том числе:

— тестеры для внутрисхемного контроля сборки радиоэлектронной аппаратуры и гибридных интегральных схем АМЦ 155, RC элементов АМЦ 15 201, транзисторов АМЦ 15 202, интегральных операционных усилителей АМЦ 15 203;

— микропроцессорная система внутрисхемного контроля АМЦ15 204;

— характериографы для измерения и регистрации вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур АМЦ 153, АМЦ1530, АМЦ1531, АМЦ15 303, АМЦ15 310;

— системы для измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур АМЦ1532, АМЦ1533, АМЦ15 300.

Разработанные методы измерения и измерительные преобразователи использованы также для решения ряда технически близких задач. Методы измерения иммитанса в составе МЭЦ с недоступным полюсом применены в кулонометрическом толщиномере гальванопокрытий АМЦ1521, освоенном опытным производством НИИ «Кон-трольприбор», а также в централизованном пульте индикации температуры и влажности в сушильных камерах, внедренном на ЗАО «Стройдеталь-СМ» г. Пенза. Цифровой метод обработки сигналов использован для измерения индуктивности датчиков в системе контроля межвальцевых зазоров в мельничном комплексе, внедренной в ОАО «Пензтексти льмаш».

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на ряде Международных, Всесоюзных, Всероссийских, отраслевых и межотраслевых симпозиумов, семинаров и конференций, а также на ежегодных научно-технических конференциях Пензенского государственного университета.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 139 работ, в том числе 1 монография- 1 обзор по межотраслевой тематике- 6 учебных пособий, рекомендованных Министерством образования и УМО для студентов вузов- 52 авторских свидетельства.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав, основных результатов и выводов по работе, библиографического списка из 279 наименований и приложения. Общий объем работы — 345 страницы. Библиографический список и приложение выполнены на 64 страницах.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Разработаны теория, методы построения и основы инженерного проектирования измерительных преобразователей для контроля и диагностики электрических цепей при производстве РЭА.

2. Рассмотрены вопросы организации измерительной подсистемы АСКД. Показано, что системы со сравнением контролируемых величин с нормами в цифровом виде обладают информационной избыточностью по сравнению с аналоговыми. Однако применение средств цифровой техники и методов цифровой обработки информации существенно упрощает построение АСКД и повышает их универсальность.

3. Предложена обобщенная модель процесса измерения параметров ДЭЦ и проведена классификация способов проведения важнейших операций, позволившая установить взаимосвязь существенных свойств элементов обобщенной модели, метрологических характеристик, методов измерения и областей их применения. Выявлены перспективные направления развития методов измерения параметров иммитанса, базирующиеся на цифровой обработке мгновенных значений выходного сигнала пассивной измерительной схемы.

4. На основе теории чувствительности разработана методика анализа способов измерительного преобразования иммитанса. С использованием понятия комплексной погрешности измерения иммитанса предложены способы задания погрешности, обеспечивающие сопоставимость результатов оценки параметров Z в различных системах координат.

5. Предложены и исследованы методы и средства допускового контроля иммитанса, позволяющие минимизировать и полностью исключить методическую погрешность, вызванную несовпадением области допустимых значений параметров Z и области, оцениваемой по параметрам выходного сигнала ИС.

6. Предложены и исследованы цифровые методы обработки сигналов при измерении иммитанса в пассивной измерительной схеме. Получены аналитические соотношения, номограммы и графики, позволяющие оценить влияние погрешностей измерения параметров напряжений на погрешности измерения Z. Показано, что для большинства задач наиболее рационально измерение Z по активной и реактивной составляющим падения напряжения на калиброванном резисторе. При повышенных требованиях к метрологическим характеристикам могут быть составлены адаптивные измерительные алгоритмы с окончательным выбором по результатам предварительного измерения параметров напряжений, по которым производится расчет.

7. Разработана методика имитационного моделирования, позволившая проанализировать погрешности измерения параметров напряжения в зависимости от уровня случайных и квазидетерминиро-ванных помех. Показано7 что минимальные значения погрешностей обеспечивает применение процедуры наименьших квадратов для аппроксимации временного ряда отсчетов комплексными экспоненциальными функциями.

8. Разработаны и исследованы измерительные преобразователи иммитанса ветвей МЭЦ с шунтирующими ветвями, использующие метод эквипотенциального разделения ветвей, и методы контроля МЭЦ с недоступной точкой соединения элементов.

9. Обоснован выбор токов закрытых переходов и коэффициента усилёния для диагностирования исправности транзисторов, установленных на платах. Предложены, разработаны и исследованы преобразователи для их оценки.

10. Предложены, разработаны и исследованы методы контроля токов потребления микросхем в составе объекта диагностики. Впервые разработаны преобразователи для контроля на платах наиболее распространенного класса аналоговых микросхем — операционных усилителей — по значениям напряжений на выводах контролируемого усилителя и по коэффициенту усиления.

11. Проведен анализ методик измерения электрофизических параметров тестовых полупроводниковых структур. Обоснована измерительная модель МДП-конденсатора и на ее основе разработаны принципы построения измерительных преобразователей параметров полупроводниковых структур с использованием синусоидальных и импульсных тестовых воздействий, отличающихся широким диапазоном соотношения значений параметров структуры. Автором впервые предложена и обоснована возможность определения малосигнальных параметров МДП-конденсатора в едином цикле измерения на несинусоидальном сигнале с широким спектром.

12. Теория, разработанные методы и основы инженерного проектирования послужили базой для создания ряда приборов и систем контроля и диагностики плат РЭА, гибридных и интегральных схем, а также для практического решения технически близких задач. Результаты разработки, испытаний и внедрения аппаратуры подтвердили полученные теоретические результаты. Разработанные методы и методики внедрены в учебный процесс преподавания ряда дисциплин в Пензенском государственном университете.

13. Предложено перспективное направление развития средств.

277 измерения иммитанса, использующее метод цифрового спектрального оценивания Прони. Метод позволяет определять параметры иммитанса уже во время переходного процесса, возникающего при подключении иммитанса к измерительной схеме. Наиболее эффективно применение метода для измерения частотной функции параметров иммитанса и для измерения иммитанса цепей под рабочим напряжением.

14. Произведена оценка погрешностей измерения в зависимости от уровня случайных и квазидетерминированных помех. Предложено для повышения помехоустойчивости использовать априорную информацию о сигнале. В этом случае возможно проведение измерения в условиях действия мощных шумовых помех, соизмеримых с полезным сигналом.

ПЕРЕЧЕНЬ ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

АВ — аналоговый узел вычитания напряжений.

АСКД — автоматические системы контроля и диагностики.

АСС — астатическая следящая система.

АС — аналоговый сумматор напряжений.

АЦП — аналого-цифровой преобразователь.

БВП — блок выбора предела измерения.

Г — генератор

ГИ — генератор импульсов.

ДК — двухпороговый компаратор

ДН — делитель напряжения.

ДУ — дифференциальный усилитель.

ДЭЦ — двухполюсная электрическая цепь.

Д — детектор

ЖМ — ждущий мультивибратор ЗН — задатчик норм.

ЗУ — цифровое запоминающее устройство.

ИВ — источник воздействия.

ИМ — индикатор максимума сигнала.

Индиндикатор

Инт — интегратор напряжения.

ИО — измеритель отношения напряжений.

ИПЧ — источник напряжения переменной частоты.

ИП — измеритель периода сигнала.

ИС — измерительная схема.

ИТ — измеритель тока.

К — коммутатор JIC — логическая схема.

МВА — модуль ввода-вывода аналоговых сигналов.

МДП — металл-диэлектрик-полупроводник.

МНК — метод наименьших квадратов.

МС — микросхема.

МУ — масштабирующий усилитель.

МЭЦ — многополюсная электрическая цепь.

НИ — нуль-индикатор

ОД — объект диагностики.

ОЗУ — оперативное запоминающее устройство.

ОУ — операционный усилитель.

ОШ — общая шина.

ПАКД — прибор автоматического допускового контроля.

ПД — пиковый детектор

ПЗУ — постоянное запоминающее устройство.

ПН — повторитель напряжения.

ППА — преобразователь пассивной величины в активную.

ППВ — преобразователь постоянной времени.

ППС — преобразователь параметр — унифицированный сигнал.

ПС — проверочная схема.

ПУ — программирующее устройство.

П — переключатель.

РВ — реле времени.

РИВ — регулируемый источник напряжения воздействия.

РЭА — радиоэлектронная аппаратура СВТ — средства вычислительной техники СВХ — схема выборки и хранения напряжений СП — схема совпадения СТ — счетчик.

УВП — узел выбора предела.

УВЧ — усилитель высокой частоты.

УВ — усилитель-выпрямитель.

УДК — узел двухпороговых компараторов.

УДН — управляемый делитель напряжения.

УК — устройство контактирования.

УО — усилитель-ограничитель.

УП — унифицирующий преобразователь.

УС — узел сравнения.

УСА — узел сравнения амплитуд.

УСП — узел сравнения полярностей сигналов.

УФВ — управляемый фазовращатель.

УФН — узел фиксации неисправностей.

У — усилитель.

ФВ — фазовращатель.

ФНИ — фазовый нуль-индикатор

ФНЧ — фильтр низкой частоты.

ФОС — формирователь опорных сигналов.

ФП — фазовый переключатель.

ФЧД — фазочувствительный детектор

Показать весь текст

Список литературы

  1. A, С, 1 626 221 СССР, Устройство ДЛЯ измерения коэффициентаусиления аналоговых микросхем / JI.B. Каменев, А. И. Мартяшин, Н. В. Морозов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1991. № 5.
  2. А. с. 1 536 981 СССР. Устройство для контроля транзисторов в схеме / JI.B. Каменев, JI.B. Орлова, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1990. № 2.
  3. А. с. 1 474 845 СССР. Преобразователь напряжения в интервал времени / В. И. Андреев, В. А. Казаков, Б. В. Цыпин, Э. К. Шахов // Открытия. Изобретения, 1989. № 15.
  4. А. с. 1 433 207 СССР. Устройство для измерения C-G-Vхарактеристик МДП-структур / Ю. С. Гаевский, А. И. Мартяшин, В. Ф. Рыжов, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин, А. А. Чумаков // Открытия. Изобретения, 1988.-№ 39.
  5. А. с. 1 426 253 СССР. Устройство для измерения коэффициента усиления по току транзисторов / В. А. Казаков, А. И. Мартяшин, JI.B. Орлова, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин, А. А. Чумаков // Открытия. Изобретения, 1988. № 35.
  6. А. с. 1 352 405 СССР. Устройство для определения параметров многоэлементных двухполюсных цепей / А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1987. — № 42.
  7. А. с. 1 279 373 СССР. Устройство для измерения коэффициента усиления по току транзисторов / А. Н. Андреев, В. А. Казаков, А. И. Мартяшин, JI.B. Орлова, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1986.-№ 47.
  8. А. с. 1 269 060 СССР. Устройство для регистрации вольтфарадных характеристик / JI.B. Каменев, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин, А. А. Чумаков, С. В. Шварев // Открытия. Изобретения, 1986. № 41.
  9. А. с. 12 332 029 СССР. Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках / Н. И. Лукичева, А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, Н. Н. Соловьев, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1986. № 18.
  10. А. с. 1 212 171 СССР. Устройство для измерения электрофизических параметров МДП-структур / Е. Д. Абросимов, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1986. № 6.
  11. А. с. 1 167 530 СССР. Измеритель параметров комплексного сопротивления. / A.M. Павлов // Открытия. Изобретения, 1985. № 26.
  12. А. с. 1 122 983 СССР. Устройство для измерения коэффициента усиления по току транзисторов / В. А. Казаков, JI.B. Орлова, К. Н. Спирин, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения.1984.-№ 41.
  13. А. с. 1 120 365 СССР. Масштабный усилитель / А. А. Булютин, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский, // Открытия. Изобретения, 1984. № 39.
  14. А. с. 1 114 993 СССР. Устройство для контроля тока потребления интегральных схем / В. А. Казаков, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1984. № 35.
  15. А. с. 1 093 991 СССР. Измеритель параметров пассивных двухполюсников / А. А. Булютин, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1984. № 19.
  16. А. с. 1 087 922 СССР. Преобразователь параметров пассивных двухполюсников / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский //
  17. Открытия. Изобретения, 1984. № 15.
  18. А. с. 1 064 247 СССР. Устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках / Е. Д. Абросимов, Т. П. Лукичева, А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, А. А. Соловьев, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1983. № 48.
  19. А. с. 1 033 984 СССР. Преобразователь параметров трехэлементных двухполюсников / А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1983. № 29.
  20. А. с. 1 027 655 СССР. Устройство для контроля интегральных операционных усилителей / В. А. Казаков, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1983, № 25,
  21. А. с. 1 026 095 СССР. Измеритель электрофизических параметров МДП-структур / Ю. С. Гаевский, А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1983. № 24.
  22. А. с. 1 000 946 СССР. Устройство для измерения C--Vхарактеристик / Ю. С. Гаевский, А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1983. № 14.
  23. А. с. 960 662 СССР. Преобразователь параметров трехэлементных двухполюсников в напряжение / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1982. № 14.
  24. А. с. 94 883 СССР. Компенсационное устройство для измерения заземления опор линий электропередач с заземляющим тросом / А. И. Королев // Открытия. Изобретения, 1953. № 11.
  25. А. с. 945 831 СССР. Устройство для контроля интегральных операционных усилителей / А. А. Богородицкий, Л. Д. Гарин, В. А. Казаков, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1982. —14.
  26. А. с. 924 617 СССР. Преобразователь параметров пассивных двухполюсников / Е. Д. Абросимов, А. И. Мартяшин, В. Ф. Рыжов, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1982. № 16.
  27. А. с. 920 582 СССР. Устройство для измерения электрофизических параметров МДП-структур / А. И. Мартяшин, В. Ф. Рыжов, В. И. Рябинин, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1982. № 14.
  28. А. с. 905 885 СССР. Устройство для измерения электрофизических параметров МДП-структур / А. И. Мартяшин, А. А. Мельников, В. Ф. Рыжов, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1982. № 6.
  29. А. с. 898 611 СССР. Преобразователь параметров трехэлементных двухполюсных цепей в код / А. И. Мартяшин, А. В. Светлов, Б. В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1982. № 2.
  30. А. с. 824 635 СССР. Измеритель электрофизических параметров МДП-структур / А. И. Мартяшин, А. В. Светлов Б.В. Цыпин, В. М. Чайковский // Открытия. Изобретения, 1982. № 16.
  31. А. с. 797 356 СССР. Устройство для измерения электрофизических параметров МДП-структур / JI.B. Каменев, Н. В. Морозов, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1981. — № 2.
  32. А. с. 779 938 СССР. Устройство для контроля вмонтированных транзисторов / В. К. Задорожный, Б. Я. Лихтциндер, В. Т. Шпилевой, // Открытия. Изобретения, 1980. -№ 42.
  33. А. с. 769 310 СССР. Способ калибровки электрохимических толщиномеров / Н. И, Давыдов, А. И. Капитонов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1980. № 37.286
  34. А. с. 763 821 СССР. Устройство для регистрации вольт-фарадных характеристик / В. Г. Путилов, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1980. № 34.
  35. А. с. 732 764 СССР. Устройство контроля сопротивления объекта, поляризуемого постоянным напряжением / Н. А. Ермолаев, А. И. Капитонов, МИ. Лернер, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1980. № 17.
  36. А. с. 714 877 СССР. Кулонометрический толщиномер покрытий / Н. И. Давыдов, А. И. Капитонов, Б. В. Цыпин, Н. И. Чернышов // Открытия. Изобретения, 1980. -№ 5.
  37. А. с. 658 508 СССР. Устройство для регистрации вольт-фарадных характеристик / С. Ш. Балтянский, B.C. Зверева, Е. Н. Кузнецов, С. А. Лях, А. Г. Рыжевский, С. М. Фельдберг, Б. В. Цыпин, К. Н. Чернецов // Открытия. Изобретения, 1979. № 15.
  38. А. с. 615 431 СССР. Устройство для измерения крутизны полевого транзистора / Е. А. Маслов, Д. А. Ефремов // Открытия. Изобретения, 1978.-№ 26.
  39. А. с. 534 702 СССР. Устройство для измерения сопротивления резисторов / А. И. Капитонов, В. Ф. Рыжов, Б. В. Цыпин // Открытия. Изобретения, 1976. № 41.
  40. А. с. 490 362 СССР. Измеритель параметров двухполюсных цепей / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, Ю. К. Чапчиков, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1978. № 23.
  41. А. с. 482 113 СССР. Преобразователь параметров элементов звездообразных электрических цепей с недоступной точкой в напряжение / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин //
  42. Открытия. Изобретения, 1975. № 31.
  43. А. с. 460 017 СССР. Преобразователь параметров комплексных сопротивлений звездообразного многополюсника в напряжение / А. И. Мартяшин, JI. B, Орлова, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1979. № 43.
  44. А. с. 432 504 СССР. Устройство для автоматического допуско-вого контроля параметров комплексных сопротивлений / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1974. № 22.
  45. А. с. 425 120 СССР. Преобразователь параметров многополюсников в частотно-временные сигналы / В. М. Шляндин, А. И. Мартяшин, JI.B. Орлова, А. Е. Морозов // Открытия. Изобретения, 1974. -№ 29.
  46. А. с. 424 176 СССР. Функциональный преобразователь /А.И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1974. № 14.
  47. А. с. 411 390 СССР. Устройство для автоматического допуско-вого контроля параметров комплексных сопротивлений / А. И. Мартяшин, В. И. Рябинин, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1974. № 2.
  48. А. с. 400 000 СССР. Бестрансформаторный двухтактный сЬазовый детектор / А. И. Мартяшин, В. И. Рябинин, Б. В. Цыпин, Ю.К. Чап-чиков, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1973.-№ 39.
  49. А. с. 390 472 СССР. Преобразователь параметров комплексных сопротивлений, образующих замкнутую цепь, в электрические сигналы. / И. Д. Калита, А. И. Мартяшин, JI. B, Орлова, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1973. № 30.
  50. А. с. 365 663 СССР. Устройство для автоматического допускс-вого контроля параметров комплексных сопротивлений / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1973. — № 6.
  51. А. с. 359 618 СССР. Способ контроля параметров комплексных сопротивлений / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, С. М. Фельдберг, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1972. № 35.
  52. А. с. 308 387 СССР. Устройство для измерения сопротивлений резисторов, образующих замкнутую цепь / Ю. Л. Нуров, А.Н. Пиорун-ский, Б. Е. Федоров, В. В. Черенков // Открытия. Изобретения, 1971. -№ 21.
  53. А. с. 295 094 СССР. Устройство для автоматического допуско-вого контроля исправности полупроводниковых триодов в электрических схемах / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1971. № 7.
  54. А. с. 282 752 СССР. Устройство для допускового контроля сопротивления электрических цепей / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1970. № 30.
  55. А. с. 278 230 СССР. Устройство для автоматического допуско289вого контроля параметров радиоэлектронного оборудования / В. А. Ежков, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1970. № 25.
  56. А. с. 277 417 СССР. Устройство для автоматического допуско-вого контроля параметров сложных электрических цепей / А.А. Ж?.-даев, А. И. Мартяшин, А. Ф. Прокунцев, Б. В. Цыпин, Г. Н. Чернецов, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1970. № 24.
  57. А. с. 259 498 СССР. Амплитудно-дифференциальный нуль-орган / А. Ф. Прокунцев, А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1970. № 2.
  58. А. с. 256 392 СССР. Устройство для автоматического допуско-вого контроля параметров сложных электрических цепей и напряжений / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Открытия. Изобретения, 1969. № 34.
  59. А. с. 171 184 СССР. Устройство для измерения отношения двух сопротивлений сетки электроинтегратора, сходящихся в одной точке / В. Ф. Ремнев // Открытия. Изобретения, 1965. № 10.
  60. Автоматизированное оборудование для измерения характеристик прецизионных резисторов / Б. В. Цыпин, Л. С. Ганопольский, Е. Н. Кузнецов, Ю. В. Шишков // Электронная промышленность, 1991. -№ 4.290
  61. Автоматический контроль радиоэлектронного и электротехнического оборудования / Под общ. ред. В. М. Шляндина и А.И. Мар-тяшина. М.: Энергия, 1872.
  62. Ю.Р. Измеритель-анализатор параметров комплексных сопротивлений на основе персональной ЭВМ /Ю.Р. Агамалов, Д. А. Бобышев, В. Ю. Кнеллер // Измерительная техника, 1996. № 6.
  63. А.Г. Применение прецизионных аналоговых ИС / А. Г. Алексеенко, Е. А. Коломбет, Г. И. Стародуб. М.: Радио и связь, 1981.
  64. Т. Введение в многомерный статистический анализ: Пер. с англ. М.: Физматгиз, 1962.
  65. А.Н. Способы включения многополюсной электрической цепи в измерительную схему. // Измерительная техника, 1999. -№ 8.
  66. Аппаратный контроль дискретной аппаратуры / А. В. Горин, Б. В. Бодин, JI.A. Кладенюк, В. И. Козлов, С. В. Шариков // Тр. Моск. гос. ун-та леса. М., 2000. — № 307.
  67. B.JI. Испытание и исследование полупроводниковых приборов / B.JI. Аронов, Я. А. Федотов. М.: Высшая школа, 1975.
  68. Арш Э. И. Автогенераторные методы и средства измерений. -М.: Машиностроение, 1979.
  69. Н.П. Микропроцессорные системы поэлементного диагностирования РЭА / Н. П. Байда, И. В. Кузьмин, В. Т. Шпилевой. -М.: Радио и связь, 1987.291
  70. С. Ш. Измерение параметров физических объектов на основе идентификации и синтеза электрических моделей. -Пенза: Гос. ун-т, 2000.
  71. В. А. Измерение параметров энергетического оборудования под рабочим напряжением // Информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. науч. тр.- Пенза: Гос. ун-т, 2000. Вып, 25.
  72. JI.A. Линейные электрические цепи. М.: Высшая школа, 1974.
  73. Л.А. Теоретические основы электротехники. М.: Высшая школа, 1964.
  74. Богородицкий, А А. Комплекс аппаратуры для типового технологического процесса контроля при производстве РЭА // Приборы и системы управления, 1985. -№ 6.
  75. А.С. Развитие операций контроля в радиоэлектронике и вопросы их точности // Радиотехника, 1995. № 4−5.
  76. Л.П. Исследование методов и средств преобразования параметров объектов, представляемых многоэлементными двухполюсниками: Автореферат дис.. канд. техн. наук. -М., 1980.
  77. С.М. Расчет схем для измерения диэлектрических потерь//Электричество, 1930.- № 17−18.
  78. В.В. Матрицы и вычисления / В. В. Воеводин, Ю. А. Кузнецов. М.: Наука, 1984.
  79. Л.И. Аналоговые операционные преобразователи для измерительных приборов и систем. М.: Энергоатомиздат, 1983.
  80. Л.И. Измерительные преобразователи переменного напряжения в постоянное. М.: Советское радио, 1977.
  81. Л.И. Линейные электрические преобразователи для измерительных приборов и систем. М.: Сов. радио, 1971.
  82. Н.Г. Информационно-измерительная техника / Н. Г. Вострокнутов, Н. И. Евтихиев. М.: Высшая школа, 1977.
  83. Высокочувствительный компаратор / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Приборы и системы управления, 1973. -№ 6.
  84. К. Теория чувствительности и допусков электронных цепей: Пер. с англ. / Под ред. Ю. Л. Хотунцева. М.: Сов. Радио, 1973.
  85. А.П. Проверка транзисторов без выпайки их из схемы: Информационно-справочный листок, 1968. -№ 17 308.
  86. И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Сов. Радио, 1977.
  87. ГОСТ 23.0.891−83. Микросхемы интегральные. Методы измерения коэффициента усиления операционных усилителей: М., Изд-во стандартов, 1983.
  88. ГОСТ 23 564–79. Техническая диагностика. Показатели диагностирования. -М., Изд-во стандартов, 1979.
  89. Ф.В. Автоматические мосты переменного тока.
  90. Новосибирск: РИО сибирского отделения АН (СССР), 1964.
  91. Ф.В. Об определении погрешностей измерения комплексных сопротивлений / Ф. В. Гриневич, К. Б. Карандеев // ВНИИМ. Тр. ин-тов Комитета стандартов, мер и измерительных приборов. М., Л.: Стандартгиз, 1962. — Вып. 57 (117).
  92. И. Измерение параметров транзисторов с помощью схем на ОУ // Электроника, 1972. № 5.
  93. B.C. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л.: Энергоатомиздат, 1988.
  94. Н.С. Диагностика и контроль качества изделий цифровой микроэлектроники / Н. С. Данилин, Ю. Л. Нуров. М.: Высшая школа, 1991.
  95. В.А. Вычисление параметров периодических составляющих дискретных данных с ограниченным интервалом наблюдения // Измерительная техника, 1999. № 2.
  96. .В. Радиотехнические измерения / Б. В. Дворяшин, Л. И. Кузнецов. М.: Советское радио, 1978.
  97. С. Введение в теорию систем / С. Директор, Р. Ро-рер.-М.: Мир, 1974.
  98. И.Р. Повышение точности измерения параметров двухполюсников / И. Р. Добровинский, Л. Н. Бондаренко, А. В. Блинов // Измерительная техника, 2002. № 2.
  99. И.Р. Проектирование ИИС для измерения параметров электрических цепей / И. Р. Добровинский, Е. А. Ломтев. -М.: Энергоатомиздат, 1997.
  100. И. Операционные усилители: Пер. с англ. М.: Мир, 2 941 982.
  101. В.Г. Исследование емкости и проводимости МДП-структур в широком частотном диапазоне: Автореферат дис.. канд. техн. наук. Новосибирск, 1977.
  102. ЮЗ.Зелях Э. В. Основы общей теории линейных электрических схем.-М.: АН СССР, 1951.104.3и С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. / Под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984.
  103. Индустриальные компьютерные системы: Каталог фирмы ICOS, 1999.
  104. Информационно-структурные принципы совершенствования средств измерений / Ю. М. Крысин, М. Ю. Михеев, И. Ю. Семочкина, Б. В. Чувыкин. Пенза: Пенз. гос. ун-т, 1999.
  105. Исследование и разработка методов и средств контроля сборки плат: Отчет по НИР № ГР 02.818.003 / Пенз. политехи, ин-т (ППИ) — Научн. рук-ль А. И. Мартяшин, отв. исп-ль Б. В. Цыпин. Псиза, 1981.
  106. О.Казаков В. А Разработка и исследование измерительных преобразователей для внутрисхемного контроля активных элементов: Автореферат дис. канд. техн. наук. Пенза: Политехи, ин-т, 1987.
  107. Ш. Казаков В. А. Определение параметров двухполюсников по значениям дискретных отсчетов выходного напряжения измерительной схемы / В. А. Казаков, А. Н. Андреев, А. В. Светлов // Измерительная техника, 1999.- № 8.
  108. К.Б. Мостовые методы измерений. Киев: Гос-техиздат УССР, 1953.
  109. ИЗ.Киншт М. В. Диагностика электрических цепей / М. В. Киншт, Г. Н. Герасимова, М. А. Кац. М.: Энергоатомиздат, 1983.
  110. В.Ю. Средства измерений параметров цепей переменного тока: тенденции развития и актуальные задачи // Приборы и системы управления, 1998. № 10.
  111. В.Ю. Автоматические измерители комплексных величин с координатным уравновешиванием / В. Ю. Кнеллер, Ю.Р. Ага-малов, А. А. Десова. М.: Энергия, 1975.
  112. В.Ю. Определение параметров многоэлементных двухполюсников / В. Ю. Кнеллер, Л. П. Боровских М.: Энергоатомиздат, 1986.
  113. В.Ю. Средства измерения на основе персональных ЭВМ / В. Ю. Кнеллер, А. М. Павлов // Измерения, контроль, автоматизация. М.: ЦНИИТЭИ приборостроения, 1988. — № 3.
  114. В.М. Контроль в технологии микроэлектроники / В. М. Колешко, П. П. Гойденко, Буйко Л. Д. Минск: Наука и техника, 1979.
  115. А.А. Электрические схемы уравновешивания. М.: Энергия, 1976.
  116. Г. Справочник по математике (для научных работников и инженеров): Пер. с англ. / Г. Корн, Т. Корн. Под ред. И.Г. Арамано-вича. М.: Наука, 1973.
  117. В.И. Разработка и исследование универсальных преобразователей параметров многоэлементных двухполюсных электрических цепей в унифицированные сигналы: Автореферат дне.. канд. техн. наук. Пенза, Политехи, ин-т, 1987.
  118. С.К. Измерительные преобразователи параметров комплексных сопротивлений и проводимостей с использованием ме-андровых сигналов // Приборы и системы управления, 1999. № 2.
  119. С.К. Разработка и исследование методов и средств измерения параметров сложных электрических цепей: Автореферат дне.. канд. техн. наук. Пенза, Политехи, ин-т, 1981.
  120. .Я. Использование обобщенных измерительных цепей сравнения для контроля параметров сеточных моделей / Б. Я. Лихтциндер, B.C. Екатеринин // Изв. вузов. Приборостроение, 1971.-№ 2.
  121. .Я. Многомерные измерительные устройства / Б. Я. Лихтциндер, С. М. Широков. М.: Энергия, 1978.
  122. В.Н. Цифровые измерительные мосты. М.: Энергия, 1976.
  123. Марпл.-мл. С. Л. Цифровой спектральный анализ и его приложения: Пер. с англ. -М.: Мир, 1990.297
  124. А.И. Преобразователи параметров многоэлементных электрических цепей / А. И. Мартяшин, JI.B. Орлова, В.М. Шлян-дин. М.: Энергоиздат, 1981.
  125. А.И. Преобразователи электрических параметров для систем контроля и измерения / А. И. Мартяшин, Э. К. Шахов, В. М. Шляндин. — М.: Энергия, 1976.
  126. А.И. Разработка и исследование приборов автоматического допускового контроля параметров электрических цепей: Автореферат дис.. канд. техн. наук. Куйбышев: Политехи, институт, 1967.
  127. A.M. Способ измерения параметров сигналов в условиях сложных помех / A.M. Метальников, P.M. Печерская, А. В. Шакурский // Информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Гос. ун-т, 2000. — Вып.24.
  128. Моделирование систем управления техническими объектами на базе микроэвм: Метод, указания к лаб. раб / А. В. Дунюшкин, Б. В. Цыпин, Д. А. Широков, А. А. Маров. Пенза: Гос. ун-т, 2001.
  129. В.Т. Многосвязные системы автоматического регулирования. М., Энергия, 1970.
  130. И.Ф. Параметры и предельные режимы работы транзисторов / И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов. М.: Сов. радио, 1971.
  131. П.В. Основы информационной теории измерительных устройств. JL, Энергия, 1968.
  132. Оптимизация поиска неисправностей при технической диагностике оборудования: Учеб. пособие / Б. В. Цыпин, Ю. М. Крысин,
  133. А. Г. Схиртладзе, В. А. Скрябин. Пенза: Гос. ун-т, 2002.
  134. JI.B. Разработка и исследование преобразователей параметров многополюсных электрических цепей: Автореферат дис.. канд. техн. наук. Пенза: Политехи, ин-т, 1979.
  135. Основы инвариантного преобразования параметров электрических цепей / А. И. Мартяшин, K.JI. Куликовский, С. К. Куроедов, Л. В. Орлова, -М, — Энергоатоиздат, 1990,
  136. Основы технической диагностики. Т.1. Модели объектов, методы и алгоритмы диагноза / Под ред. П. П. Пархоменко. М.: Энергия, 1976.
  137. Р. Прикладной анализ временных рядов: Пер. с англ. / Р. Отнес, Л. Эноксон- М.: Мир, 1982.
  138. Очков В.Ф. Mathcad 7 Pro для студентов и инженеров. М.: КомпьютерПресс, 1998.
  139. Патент № 3 348 145 США. Erath L.W. Apparatus for testing and measuring a.c. parameters of active element connected in circuit.
  140. Патент 3 927 368 США. Method of breaking electric networks for measurement of parameters of network components / Romuald Zielonko, Jerzu Hoja, Henryk Wojciechwski.
  141. Патент 4472 Япония. Способ измерения сопротивлений / Ка-задзава, Такато, Кодояси, Тору.
  142. Патент 63 165 ПНР. Vklad do pomiaru rezystencji jednego z299elementow zamknietego i obwodu eleknryoznego / Kwiatkowski Stanislaw, Vlikovska Ursula, Walter Jan.
  143. Патент 63 491 ПНР. Vklad do pomiaru rezystencji jednego z elementow zamknietego i obwodu eleknryoznego / Kwiatkowski Stanislaw, Vlikovska Ursula, Walter Jan.
  144. Передовые технологии автоматизации: Каталог фирмы «Pro Soft», 1999.
  145. А.С. Прибор для проверки исправности транзисторов, включенных в электрическую схему: Техническая информация № 123. Минск: ГК СМ БССР по координации НИР, 1963.
  146. А.П. Проверка транзисторов в схемах // Автоматика, телемеханика и связь, 1980. № 10.
  147. Прибор для измерения и регистрации C-G-V характеристик полупроводниковых структур / Б.В., Цыпин, В. Г. Путилов, В.И. Ряби-нин, В. Ф. Рыжов, С. М. Фельдберг, С.Ш., Балтянский, Е. Н. Кузнецов, С. А. Лях // Приборы и системы управления, 1980. № 1.
  148. Приборы автоматического контроля серии ПАКД / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, Л. В. Орлова, В. М. Шляндин // Материалы НТС по автоматизации контроля параметров сложных электрических цепей радиоэлектронного оборудования. Пенза, 1972.
  149. Приборы автоматического контроля серии ПАКД / Л. В. Орлова, А.И., Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Автоматизация контроля параметров радиоэлектронного оборудования: Материалы НТС.-Пенза, 1972.
  150. В.И. Информационные характеристики средств измерения и контроля / В. И. Рабинович, М.П. Цапенко- М.: Энергия, 3 001 968.
  151. Радиотехнические системы. Обнаружение сигналов на фоне помех / Н. Б. Джазовский, А. Х. Зябиров, В. А. Казаков, Б. В. Цыпин, П. П. Чураков. Пенза: Гос. ун-т, 2000.
  152. Раздельное преобразование комплексных сопротивлений / Е. Е. Добров, И. Г. Татаринцев, В. Н. Чорноус, Г. А. Штамбергер. -Львов: Вища школа, 1985.
  153. Разработка методов и средств контроля толщин гальванопокрытий: Отчет по НИР № ГР 2.472.449.570 / Всесоюзн. научн. иссл. технол. ин-т приборостроения (ВНИТИПрибор) — Научн. рук-ль. МИ. Лернер, отв. исп-ль Б. В. Цыпин. Пенза: ВНИТИПрибор, 1975.
  154. Разработка методов контроля узлов РЭА и исследование измерительных преобразователей параметров ЭРЭ: Отчет по НИР № 86 052 / Пенз. политехи, ин-т (ППИ) — Научн. рук-ль Б. В. Цыпин. Пенза, 1987.
  155. Разработка, изготовление и исследование измерителя C-G-V характеристик на несинусоидальном токе: Отчет по НИР № 80.025.148. / Пенз. политехи, ин-т (ППИ) — Научн. рук-ль Б. В. Цыпин. -Пенза, 1982.
  156. В.Ф. Прибор для проверки сетки сопротивлений электроинтегратора // Изв. вузов. Приборостроение, 1966. № 8.
  157. А.А. Автоматическая система для определения структуры и значений параметров электрических цепей с реактивными элементами / А. А. Ромашов, Ю. И. Арефьев, О. А. Цыганов // Приборы и системы управления, 1998. № 12.
  158. П.И. Один компьютер вся измерительная лаборато301рия. Осциллографы / П. И. Руднев, С. Н. Шиляев // Приборы и системы управления, 1999. № 2.
  159. П.И. Один компьютер вся измерительная лаборатория. Спектроанализаторы / П. И. Руднев, С. Н. Шиляев // Приборы и системы управления, 1999. — № 2.
  160. А.В. Измерительные преобразователи параметров многоэлементных двухполюсных электрических цепей: Автореф. дисс. доктора техн. наук. Пенза: Гос. ун-т, 1999.
  161. А.В. Принципы построения преобразователей параметров многоэлементных двухполюсных электрических цепей. Пенза: Гос. ун-т, 1999.
  162. А.Г. Метрология: Уч. пособие для вузов / А. Г. Сергеев, В. В. Крохин. М.: Логос, 2000.
  163. В.П. Методы анализа электрических схем с многополюсными элементами. Киев: АН УССР, 1958.
  164. Системный мультиметр / Б. В. Цыпин, В. В. Бурметьев, В. Д. Блинов, А. А. Мельников, М. К. Смирнов // Состояние элементной базы, технологии производства и контроля изделий электронной техники: Тезисы докл. семинара. Пенза, 1991.
  165. Снижение погрешности контроля параметров электрических цепей / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, B.C. Чурбанов, В. М. Шляндин // Автоматизация и метрологическое обеспечение технологии производства в приборостроении: Сб. тр. НПО «Темп». М., 1975. — Вып. 1.
  166. Справочник по теоретическим основам радиоэлектроники / Под ред. Б. Х. Кривицкова. М.: Энергия, 1977.
  167. В.Д. Основные направления работ по автоматизации измерений и контроля в электронной промышленности / В. Д Степанов, Ю. П. Юсов, Е. А. Ягушенко // Электронная техника. Сер. Управление качеством, стандарты, метрология, 1991. Вып. 4 (146).
  168. З.В. Электрохимический импеданс. М.: Наука, 1991.
  169. Н.В. Автоматизация испытаний радиоэлектронного оборудования. -М.: Сов. радио, 1959.
  170. Технические средства диагностирования: Справочник / Под ред. В. В. Клюева. -М.: Машиностроение, 1989.
  171. Торну ев Ю. В. Электрический импеданс биологических тканей. М.: ВЗПИ, 1990.
  172. Трансформаторные измерительные мосты / Под ред. К.Б. Ка-рандеева. М.: Энергия, 1970.
  173. В.И. Использование операционных усилителей для измерения сопротивлений герметизированных схем // Электронике (США), 1971.-№ 21.
  174. А.А. Теория уравновешивания и методы синтеза мостов переменного тока для измерения параметров трех-, четырех- и многоэлементных двухполюсников: Автореф. дис.. доктора техн. наук. Ульяновск, 1995.
  175. Устройства сбора, обработки и ввода в ПЭВМ аналоговой и цифровой информации: Каталог ЗАО «Руднев Шиляев», 1999.
  176. В.П. Технология и средства анализа отказов восстанавливаемых электронных изделий приборостроения. — Пенза: Гос. ун-т, 2001.
  177. Н.В. Биоимпедансная томография: Обзорная ин303формация. Сер. ТС-10, Приборы, средства автоматизации и системы управления. Медицинские приборы, оборудование и инструменты. -М.: ВНИИМТ, 1989. Вып. 5.
  178. С.М. Исследование и разработка методов и средств измерения параметров МДП-структур: Дис.. канд. техн. наук. -Пенза: Политехи, ин-т, 1980.
  179. С.М. Совершенствование методов и средств контроля параметров пассивных комплексных величин путем использования априорной информации: Дис.. канд. техн. наук. -Ленинград: ЛЭТИ, 1975.
  180. .Д. Принципы построения преобразователей импеданса на основе применения структурных способов: Автореф. дис.. доктора техн. наук. Ульяновск, 1997.
  181. Н.Н. Определение параметров двухполюсных цепей по интегральным характеристикам переходного процесса / Н. Н. Хрисанов, Д. Б. Фролагин // Методы и средства измерения в системах контроля и управления: материалы Всероссийской НТК. Пенза, 2001.
  182. .В. Анализ критериев для диагностики исправности операционных усилителей на платах / Б. В. Цыпин, В.А. Казаков- Приборы и системы управления. М., 1987. — Деп. ВИНИТИ 26.02.87, № 1454.
  183. .В. Виртуальное измерение параметров импеданса // Информационно-измерительная техника: Тр. ун-та. Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Гос. ун-т, 2000. — Вып. 25.
  184. .В. Виртуальное измерение параметров синусоидальных сигналов /Б.В. Цыпин, Е. Ю. Полубабкин // Вестник ДИТУД. Димитровград: ин-т технологии управления и дизайна, 2000. — № 35.
  185. .В. Возможности виртуальных приборов для измерения параметров цепей переменного тока / Б. В. Цыпин, Сун Шуай // Надежность и качество: Труды международного симпозиума. Пенза: Гос. ун-т, 2002.
  186. .В. Диагностика интегральных операционных усилителей, установленных на платах / Б. В. Цыпин, Н. К. Юрков // Измерительная техника, 2002. № 2.
  187. .В. Измерение импеданса в системах с ЭВМ // Методы, средства и технология получения и обработки измерительной информации: Материалы международной НТК «Измерения 2000». -Пенза, 2000.
  188. .В. Измерение импедансов методом двух фазометров // Информационно-измерительная техника: Тр. ун-та. Межвуз. сб.науч. тр. Пенза: Гос. ун-т, 2002. — Вып. 26.
  189. .В. Измерение импедансов системами с ЭВМ. -Пенза: Гос. ун-т, 2001.
  190. .В. Измерение комплексных сопротивлений, виртуальными приборами // Датчики и системы, 2001. № 5.
  191. .В. Измерение малосигнальных параметров нелинейных цепей переменного тока // Надежность и качество: Труды международного симпозиума. Пенза: Гос. ун-т, 2002.
  192. .В. Измерение параметров гармонических колебаний с помощью персонального компьютера // Машиностроитель, 2001.-№ 8.
  193. .В. Измерение параметров тонального сигнала на фоне сложных помех / Н. В. Мясникова, Б. В. Цыпин, Е. Ю. Полубабкин // Методы и средства измерения в системах контроля и управления: Материалы Всероссийской НТК. Пенза, 2001.
  194. .В. Измерение параметров трехэлементных резонансных двухполюсников // Цифровая информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. тр. Пенза: Политехи, ин-т, 1981.-Вып. 11.
  195. .В. Измерение равновесных вольт-фарадных характеристик на тестовом сигнале типа «Меандр» // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. М., 1986. — Вып. 3 (119).
  196. .В. Исследование и разработка универсальных приборов для контроля параметров электрических цепей: Дис.. канд. техн. наук. -Ленинград: ЛЭТИ, 1974.
  197. .В. Исследование и разработка универсальных приборов для контроля параметров электрических цепей: Автореферат дис.. канд. техн. наук. Ленинград: ЛЭТИ, 1974.
  198. .В. К вопросу построения приборов автоматического контроля / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Информационно-измерительная техника: Уч. записки Пенз. политехи, ин-та. -Пенза, 1971.
  199. .В. Классификация и перспективы развития методов измерения параметров двухполюсных электрических цепей // Надежность и качество: Труды международного симпозиума. — Пенза: Гос. ун-т, 2001.
  200. .В. Компаратор с импульсным опросом / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Приборы и системы управления, 1971. № 12.
  201. .В. Контроль исправности операционных усилителей в составе гибридной интегральной схемы /Б.В. Цыпин, В. А. Казаков // Техника средств связи. Сер. ТПО. Одесса, 1983. — Вып. З
  202. .В. Контроль исправности транзисторов и интегральных схем на платах / Б. В. Цыпин, В. А. Казаков // Повышение эффективности автоматизированных средств восприятия и обработки информации: Материалы НТК. Пенза: Политехи, ин-т, 1986.
  203. .В. Контроль транзисторов в схемах / А.И. Мартя307шин, Б. В. Цыпин // Автоматический контроль радиоэлектронного и электротехнического оборудования / Под общ. ред. В. М Шляндина и А. И. Мартяшина. -М.: Энергия, 1972.
  204. .В. Методы диагностики и измерительные преобразователи для приборов и систем контроля узлов электронной аппаратуры / А. И. Мартяшин, Б В. Цыпин. Пенза: Политехи, ин-т, 1989.
  205. Цыпин Б. В, Методы поиска неисправностей при диагностике машин и приборов: Учебное пособие для вузов. Пенза: Гос. ун-т, 1997.
  206. .В. Методы поэлементного контроля электронных схем: Обзорная информация. Сер. ТС-5, Приборы, средства автоматизации и системы управления / А. И. Мартяшин, JI.B. Орлова, Б. В. Цыпин. М: ЦНИИТЭИ приборостроения, 1983. — Вып. 1.
  207. .В. Некоторые вопросы контроля многополюсников / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. тр. Пенза: Политехи, ик-т, 1973.-Вып. 1−2.
  208. .В. О контроле исправности транзисторов в схемах / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Приборы и системы управления, 1973. № 9.
  209. .В. О контроле радиоэлементов, установленных на308плату / А.И., Мартяшин, JI.B. Орлова, Б. В. Цыпин // Методы и средства контроля и диагностики РЭА и ЭВА: Материалы всесоюзного НТС. Пенза: Политехи, ин-т, 1982.
  210. .В. О построении систем допускового контроля // Надежность и контроль качества, № 11.- М., 1982.
  211. .В. О преобразовании параметров многоэлементных двухполюсников одного класса / Б. В. Цыпин, А. В. Светлов // Цифровая информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. тр. Пенза: Политехи. ин-т7 1983.—Вып. 13.
  212. .В. О принципах аппаратурного задания множества исправных состояний контролируемых цепей / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Известия ВУЗов. Приборостроение, 1975. № 1.
  213. .В. Об одной возможности построения преобразователя «код фазовый сдвиг» // Информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. тр. — Пенза: Политехи, ин-т, 1974. — Вып. 3.
  214. .В. Оснащение вузов измерительной аппаратурой в309современных экономических условиях (вариант решения проблемы) // Университетское образование: Сборник материалов V Международной научно-методической конференции. Ч. 1. — Пенза: Гос. ун-т, 2001.
  215. .В. Повышение точности автоматизированных систем контроля концентрации носителей заряда в МДП-структурах / Б. В. Цыпин, В. Ф. Рыжов // Автоматизация измерений: Межвуз. сб. научн. тр. Рязань, радиотехнический ин-т, 1982.
  216. .В. Прибор автоматического контроля типа ПАКД-2 / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин // Автоматический контроль радиоэлектронного и электротехнического оборудования / Под общ. ред. В. М Шляндина и А. И. Мартяшина. М.: Энергия, 1972.
  217. .В. Прибор для измерения и регистрации вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур /Б.В. Цыпин, В. И. Близнин, В. И. Рябинин // Приборы и системы управления, 1978. № 8.310
  218. .В. Прибор для измерения и регистрации вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур: Информ. листок № 243−76 / Б .В. Цыпин, В. И. Близнин, В. И. Рябинин, М. М. Клопов.-Пенза: ЦНТИ, 1976.
  219. .В. Расширение функций контроллера в автоматизированных системах // Машиностроитель, 2002. № 3.
  220. .В. Рациональная организация многоканальных информационно-измерительных систем // Вестник ДИТУД.- Димитров-град: ин-т технологии управления и дизайна, 1999 г. № 2
  221. .В. Рациональное построение структур систем до-пускового контроля // Методы и средства контроля и диагностики РЭА и ЭВА: Материалы всесоюзного НТС Пенза: Политехи, ин-т, 1982.
  222. .В. Систематизация моделей объектов, представляемых электрическими схемами / В. А. Ермолаев, В. Б. Алмаметов, Б. В. Цыпин // Надежность и качество: Труды международного симпозиума. Пенза: Гос. ун-т, 2001.
  223. .В. Сопоставительная оценка погрешности измерения комплексного сопротивления // Измерительная техника, 2002. -№ 3.311
  224. .В. Тестер для контроля сборки радиоэлектронной аппаратуры и гибридных интегральных схем / Б. В. Цыпин, В.И. Ря-бинин, JI.C. Ганопольский // Приборы и системы управления, 1978. -№ 1.
  225. .В. Тестер для настройки и ремонта транзисторной аппаратуры: Информ. листок № 96−77 /Б.В. Цыпин, В. И. Близнин, В. И. Рябинин, JI.C. Ганопольский. Пенза: ЦНТИ, 1977.
  226. .В. Толщиномер покрытий кулонометрический: Информ. листок № 175−79 / Б. В. Цыпин, А. А. Капитонов, В. В. Жуков, Б. И. Кулагин. Пенза: ЦНТИ, 1979.
  227. .В. Улучшение характеристик аппаратуры для измерения параметров цепей переменного тока на основе метода спектрального оценивания Прони // Датчики и системы, 2002. № 4.
  228. .В. Устройство для автоматического допускового контроля / А. И. Мартяшин, Б. В. Цыпин, В. М. Шляндин // Обмен опытом в радиопромышленности: Сб. НИИЭИР. М., 1971. — № 8.
  229. В.М. Измерители параметров МДП-структур на несинусоидальном сигнале: Дис.. канд. техн. наук. Пенза: Гос. техн. ун-т7 1996.
  230. Т.М. Электрическая спектроскопия гетерогенных систем. Киев: Наук, думка, 1977.
  231. В.И. Разработка и исследование принципов инвариантного преобразования и измерительных преобразователей выходных величин параметрических датчиков в унифицированные сигналы: Автореферат дис.. канд. техн. наук. Пенза: Политехи, ин-т, 1978.
  232. П.П. Инвариантные измерители параметров катушек индуктивности / П. П. Чураков, Б. Л. Свистунов. Пенза: Гос. ун-т, 1998.
  233. П.П. Синтез и обработка сигналов в устройствах измерения параметров электрических цепей: Автореф. дис.. доктора техн. наук. Пенза: Гос. ун-т, 1998.
  234. Э.К. О классификации преобразователей информации // Информационно-измерительная техника: Тр. Ун-та. Межвуз. сб. науч. тр. Пенза: Гос. ун-т, 2000. — Вып. 25.
  235. В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. М.: Сов. радио, 1979.
  236. В.Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. М.: Радио и связь, 1987.
  237. В.М. Автоматизация контроля электрических цепей / В. М. Шляндин, К. Н. Чернецов. М.: Энергия, 1966.
  238. Г. А. Систематизация методов и средств измерьний параметров многоэлементных двухполюсников / Г. А. Штамбер-гер, В. Г Плотников. Метрология, 1986. — № 10.
  239. Шуп Т. Е. Прикладные численные методы в физике и технике: Пер. с англ. М.: Высшая школа, 1990.
  240. Электрические измерения неэлектрических величин / Под ред. П. В. Новицкого. -JI.: Энергия, 1975.
  241. Bioelectrical Impedance Analyses in Body Composition Measurement. NIH Technol Assess Statement, 1994. — December, 12−14.
  242. Gielen G. Optimal fault detection for analog circuits under manufacturing tolerances / G. Gielen, Z. Wang, W. Sansen // Electron, lott., 1996.-№ 1.
  243. Hotkiss I. The Roles In-circuit and Functional Broad Test in the Manufacturing Process // Electron. Packag. and Prod, 1979. V.19, № 1.
  244. Householder A.S. On Prony’s Method of Fitting Exponential Decay Curves and Multiple-Hit Survival Curves. Oak Ridge National Laboratory Report ORNL-455. Oak Ridge: Tenn, 1950. — February.
  245. Kumaresan R. Estimation the Parameters of Exponentially Damped Sinusoids and Pole-Zero Modeling in Noise / R. Kumaresan, D.W. Tufts // IEEE Trans. Account. Speech Signal Process., 1982. Vol. ASSP-30, December.
  246. Lavoie Stephen D. Automated testing. // Electronic word, 1962.6.
  247. Lehovec K. Impedance of Semiconductor-Metal-Capacitors / K. Lehovec, A. Slobodskoy // Sol. St. Electron, 1964. Vol. 7, № 1.
  248. Nachmanson R.S. Unter-suchung der Metall-Isolator-Halbleiter struktur (MIS) innerhalb eines groden Frequensbereiche / R.S.
  249. Nachmanson, W. G. Jerkov, Dobrowoiski // Nachrichtentecnik 22, 1972. -№ 2.
  250. Nicollian E.N. MOS Physics and Technology / E.N. Nicollian, J. R Brews. New York: Wiley, 1982.
  251. Paymond D. In-Circuit Testing: Special Consideration for CMOS // IEEE Test Conf, 1979.
  252. Penver G.B. An in-circuit transistor tester. // Instrument practice., 1963.-T17.
  253. Shaiter T. R. In-circuit transistor leakage current testing / T. R. Shaiter, H.R. Hegner, A.T. Ashby// IEEE Trans. Instrum. and Measure, 1992.-№ 2,3.
  254. Terman L.M. An Investigation of Surface State at a Silicon / Silicon Oxide Interface Employing Metal-Oxide-Silicon Diodes // Sol. St. Electron., 1962. Vol. 5, № 285.
  255. Trick T. Calculation of Parameter Values from Node Voltage Measurements / T. Trick, W. Mayeda, A. Sakla И IEEE Transactions on Circuit and Systems, 1979. Vol. 26, № 7.
  256. Trivett D. H. Modified Prony Method Approach to Echo-Reduction Measurement / D. H Trivett., A. Z. Robinson // J. Account. Soc. Am., 1981. Vol. 70, October.
  257. Van Blaricum M.L. Technique for Extracting the Poles and Residues of a System Directly from Ins Transient Response / M.L. Van Blaricum, R.A. Mittra // IEEE Trans. Antennas Propag., 1975. Vol. Ap-23, November.
  258. Variyam Pramodchandran N. Specification-driven test generation for analog circuit / N. Variyam Pramodchandran, Abhijit. Chatterjee //315
  259. EE Trans. Comput. Aid. Des, Integr. Circuits and Syst., 2000. № 10.
  260. Web: http://www.prosoft.m.
  261. Web: http://www.rudshel.ru.3X1.
  262. ЗАКАЗЧИК ОАО «Пензтекстильмаш» рес 440 061, ул. Каракозова 338 624 г. Пенза ИНН 5 834 009 874 -чет 40 702 810 548 000 112 640,). счет 30 101 810 000 000 000 000, 4К 45 655 635
  263. К хоздоговору № 01/48 от 01 июня 2001 г.
  264. Разработка системы контроля (наименование научно-технической продукции и этапа работ) ап2. Корректировка образца по результатам испытаний и окончательная сдача газчику. Завершение работы.
  265. Договорная цена составляет 35 тыс. (тридцать пять тысяч) руб.
  266. Ранее опроцентовано по этапу № 1 17 тыс. 500 руб. (семнадцать тысяч тьсот) руб.
  267. Работа выполнена без аванса, надбавка (скидка) к договорной цене не едусмотрена.
  268. Следует к перечислению по настоящему акту 17 тыс. 500 руб. (семнадцать • сяч пятьсот) руб. боту сдал: ¦ ИСПОЛНИТЕЛЯ ПГУ д.т.н., проф.1. П. 1. В. И- Волчихин-litаучный руководитель проф. $д. экономист НИСа
  269. Работу принял: От ЗАКАЗЧИКАген. диДОктор ОАО Пензтекстильмаш"1. Р.Х. Усманов)1. Б. В. Цыпин Т.А. Соколоваминистерство высшего и среднего специального образования рсфср
  270. ПЕНЗЕНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
  271. АКТ О ПРИЕМЕ ЗАКОНЧЕННОЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЫсостав председателя? лк№ин А. Вч ~ зам. директора института «Гиредмеа
  272. РИО Г1Г1И. 07.07 80 г. Заказ 549. Тираж 3000.324
  273. СПРАВКА о внедрении научных результатов
  274. Результаты, полученные в этих работах, использованы на протяжении 1982−93 годов в >щих приборах и системах, изготовленных и внедренных нашим предприятием:
  275. МИНИСТЕРСТВО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ, СРЕДСТВ АВТОМАТИЗАЦИИ и uiat», УПРАВЛЕНИЯ1. СОЮЗТЕХНОПРИБОР
  276. ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ ВННТНПРИБОР МНПО «ТЕМП"1. ПЕНЗЕНСКИЙ ФИЛИАЛ440 049 г. Пенза, 49 а/я № 183, >. Мира. ГЛ> расчетный счет № 26 301 в Же нодоро.кн.
  277. Те л. 6-J6-S2 Телетайп графит 816 it niiii Госб’шк-) !. Пензы1. СПРАВКАо внедрении изобретений Пензенского политехнического института в 1980 году.
  278. B.М.Шляндина, с экономическим эффектом 7Д тыс. руб.
  279. Измерители Aiv? ty I5JI вольт-фарадных характеристик МДП-структур, в которых использовано авторское свидетельство № 658 508 «Устройство для регистрации вольт-фарадных характеристик» авторов
  280. C.М.Балтянского, В. В, Зверевой, Е. Н. Кузнецова, С. Е. Ляха, А.Г.Рыжев-ского, С.М.ельдберга, Б. В. Цыпина, К. В. Чернецова, с общим экономическим эффектом 105,6 тыс. руб.
  281. Зам. директора по научной работе1. Зав. ПП01. Зав. патентным отд р-м
  282. А. А. БСГОРОДИЦКИЙ/ /А.Ы. ГЕРАСИНА/1. Н.С.САМ0ЙЛИК0ВА/
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?