Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Магнитооптический эллипсометрический комплекс для получения и исследования наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии

Диссертация: Магнитооптический эллипсометрический комплекс для получения и исследования наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработано оригинальное программное обеспечение, позволяющее управлять процессом роста наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии. Алгоритмы основаны на решении обратной задачи эллипсометрии в реальном времени. Программа анализирует эволюцию эллипсометрических углов j/ и А, вычисляет оптические параметры структуры, скорость роста и передает управляющие команды в блок управления… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЭЛЛИПС ОМЕТРИЯ И МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ КЕРРА: ТЕОРИЯ, МЕТОДЫ, ПРИЛОЖЕНИЯ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Основное уравнение эллипсометрии. Прямая и обратная задачи
    • 1. 2. Поверхностный магнитооптический эффект Керра
  • §-1.3.Структурные схемы эллипсометров и магнитометров
  • Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКАЯ МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР
    • 2. 1. Описание экспериментальной установки
    • 2. 2. Контроль качества подготовки подложек с помощью ex situ спектральной эллипсометрии
    • 2. 3. Исследование начальных стадий роста пленок Fe и Si на подложках монокристаллического кремния
    • 2. 4. Определения показателя поглощения пленок кремния
    • 2. 5. Решение обратной задачи эллипсометрии для систем (Fe/Si Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА КЕРРА
  • §-ЗЛ. Структурная схема и описание работы
    • 3. 2. Блок перемагничивания образца
    • 3. 3. Интерпретация экспериментальных данных
    • 3. 4. Исследование двухслойных систем Оу (1.х)№х/№
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ПРОГРАМНО — АППАРАТНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ РОСТА И ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ
    • 4. 1. Интерпретация эволюции эллипсометрических параметров в реальном времени в процессе роста структур {^е/ 5/)п
    • 4. 2. Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии
      • 4. 2. 1. Аппаратная часть системы управления испарителями
      • 4. 2. 2. Программная часть системы управления испарителями
    • 4. 3. Программный эллипсометрический комплекс
  • Выводы к главе 4
  • РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И
  • ВЫВОДЫ

Магнитооптический эллипсометрический комплекс для получения и исследования наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время весьма актуален вопрос исследования свойств поверхностей тонких пленок, которые имеют достаточно большую перспективу использования в устройствах наноэлектроники. Однако, измерение параметров пленок нанометровых толщин имеет свою специфику. В частности, при получении наноструктур в условиях сверхвысокого вакуума, встает проблема контроля их свойств in situ непосредственно в процессе изготовления — исследование таких структур ex situ на воздухе зачастую невозможно, в связи с высокой химической активностью многих материалов, используемых в данной области. Здесь большое преимущество имеют оптические методы, т.к. не оказывают влияния на исследуемый образец и имеют определенную гибкость при использовании in situ непосредственно в сверхвысоковакуумной камере. В частности, известен метод эллипсометрии, основанный на анализе изменения поляризации света при отражении от исследуемого образца. Известен также метод магнитооптического эффекта Керра (МОКЕ). У обоих методов схожи оптические схемы измерений, а по набору измеряемых параметров они взаимно дополняют друг друга. Метод эллипсометрии используется для измерения оптических постоянных преломления и поглощения материала, а также для измерения толщин тонких пленок. Метод МОКЕ применяется для изучения магнитных свойств материала. Оба метода удовлетворяют нас, т.к. являются неразрушающими, не изменяющими свойства материала и обладающие достаточной чувствительностью. В этой связи достаточно привлекательной выглядит идея создания установки, объединяющей в себе метод эллипсометрии и МОКЕ.

Настоящее диссертационное исследование посвящено реализации такой установки, а также разработке методики управления технологическим процессом молекулярно-лучевой эпитаксии через обратную связь эллипсометр — блок управления испарителей. Диссертация состоит из четырех глав.

В первой главе проведен литературный и теоретический обзор методов эллипсометрии и магнитооптического эффекта Керра. Приведены различные схемы реализации эллипсометров и магнитометров.

Во второй главе разработана оригинальная методика исследования свойств структур (Fe/Si)n методом эллипсометрии. Исследованы однослойные пленки Fe, Si, а также многослойные структуры Fe/Si.

В третьей главе описана установка, позволяющая проводить измерения магнитооптического эффекта Керра in situ, т. е. непосредственно в вакуумной камере во время напыления.

В четвертой главе предложен программно-аппаратный комплекс, позволяющий получать структуры с заданными свойствами. Управление основано на корректировке технологических режимов в реальном времени по эллипсометрическим измерениям получаемых пленок.

РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

1. На базе лазерного эллипсометра ЛЭФ-757 создана новая установка, позволяющая кроме традиционных эллипсометрических углов |/ и, А также измерять in situ поверхностный магнитооптический эффект Керра. Таким образом, реализована возможность полной оптической и магнитооптической характеризации образца непосредственно в вакуумной камере в процессе напыления.

2. Разработан новый блок управления нагревом в установке молекулярно — лучевой эпитаксии «Ангара», позволяющий проводить нагрев испарителей, а также подложек по заданному закону и поддерживать температуру на заданном уровне.

3. Разработано оригинальное программное обеспечение, позволяющее управлять процессом роста наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии. Алгоритмы основаны на решении обратной задачи эллипсометрии в реальном времени. Программа анализирует эволюцию эллипсометрических углов j/ и А, вычисляет оптические параметры структуры, скорость роста и передает управляющие команды в блок управления испарителями.

4. Предложена новая эллипсометрическая методика исследования наноструктур (Fe/Si)n. Впервые осуществлено in situ измерение толщин слоев Fe и Si при росте наноструктур Fe/Si. Выявлен островковый рост Fe и Si на подложке Si и определен радиус островка.

5. В качестве апробации нового комплекса методом термического испарения в вакууме были получены наноструктуры (Fe/Si)n с п=1-г-5, однослойные пленки Fe, Ni, Dy с толщинами 0,5-^50 nm, а также пленки сплава Dy (iX)Nix. Показано, что при толщине Fe 0,5 nm, что соответствует двум атомным слоям, имеется ферромагнитное упорядочение при Т=300 К. Пленки 0у (1х)№х впервые исследованы непосредственно в сверхвысоковакуумной камере в процессе напыления с помощью поверхностного меридионального эффекта Керра. Было показано возникновение ферромагнитного упорядочения в пленках Ву (1х)№х/№ при х > 0.05, при комнатной температуре.

Автор выражает глубокую признательность и благодарность своему научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору Овчинникову Сергею Геннадьевичу за предложенную тему, внимание, поддержку и помощь в работе. За помощь в проведении эксперимента выражаю признательность Худякову Алексею Евгеньевичу, Варнакову Сергею Николаевичу и Заблуде Владимиру Николаевичу. Особую благодарность выражаю Швецу Василию Александровичу за ценные методические указания и консультации. За помощь в интерпретации магнитооптических измерений выражаю благодарность Эдельман Ирине Самсоновне. Благодарю за помощь всех сотрудников лаборатории ФМЯ Института физики СО РАН и лаборатории эллипсометрии Института физики полупроводников СО РАН.

Работа выполнена в рамках программ ОФН 2.4.2 «Спинтроника», комплексного интеграционного проекта СО РАН № 3.5, а также гранта РФФИ 07−03−320.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.В., Свиташев К. К. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1979. — 423 с.
  2. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматгиз, 1982. — 621 с.
  3. Fujiwara Н. Spectroscopic Ellipsometry. Principles and Application. -Wiley, 2007. 369 p.
  4. P., Башара H. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.-583 с.
  5. В.А., Рыхлицкий С. В. Метод эллипсометрии в науке и технике // Автометрия. 1997. -№ 1. — С. 5−21.
  6. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1983. — V. 27. — № 2. — P. 985−1010.
  7. Vina L., Cardona M. Optical properties of ultraheavily doped germanium: Theory and experiment // Phys. Rev. B. — 1986. — V. 34. № 4. -P.2586−2598.
  8. Vina L., Cardona M. Effect of heavy doping on the optical properties and the band structure of silicon // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. — № 12. — P. 6739−6751.
  9. De Sande J.C.G., Afonso C.N., Escudero J.L. et al. Optical properties of laser-deposited a-Ge films: a comparison with sputtered and e-beam-deposited films // Appl. Opt. 1992. — V. 31. — № 28. — P. 6133- 6138.
  10. Aspnes D.E., Studna A.A., Kinsborn E. Dielectric properties of heavily doped crystalline and amorphous silicon from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. — № 2. — P. 768−780.
  11. Suto K., Adachi S. Optical properties of ZnTe // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73,-№ 2.-P. 926−931.
  12. Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R. A. Bhat R. Optical properties of
  13. AlxGaixAs // J. Appl. Phys. 1986. — V. 60. — № 2. — P. 754−767.
  14. Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. Ellipsometric studies of electronic interband transition in CdxHgixTe // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. -№ 12. — P. 6752−6760.
  15. Arvin H., Aspnes D.E. Nondestructive analysis of CdxHgixTe (x=0.00, 0.20, 0.29, and 1.00) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac. Sei. Technol. A. 1984. -V. 2. -№ 3. -P.1316.
  16. Burkhard H., Dinges H. W., Kuphal E. Optical properties of In (.xGaxPi. yAsy, InP, GaAs, and GaP determined by ellipsometry // J. Appl. Phys. -1982.-V. 53.-P. 655−662.
  17. Biswas D., Lee H., Salvador A. et. al. Characterization of InxGaixP/GaAs grown by gas source molecular-beam epitaxy (0.35 < x < 0.60) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac.Sei. Technol B. 1992. — V. 10. — № 2. -P. 962.
  18. Meyer F., Bootsma G. A. Ellipsometric investigation of chemisorption of clean silicon (111) and (100) surfaces // Surf. Sei. 1969. — V.16. — P. 221−233.
  19. Aliev. V.S., Kruchinin V. N., Baklanov M. R. Adsorption of molecular fluorine on the Si (100) surface: an ellipsometric study // Surf. Sei. 1996. — V. 347.-P. 97−104.
  20. Kruchinin V. N., Repinsky S.M., Shklyaev A.A. Monosilane adsorption and initial growth stages of silicon layers on the (100) and oxidized silicon surfaces // Surf. Sei. 1992. — V.275. — P. 433−442.
  21. Almeida L.A., Johnson J.N., Benson J.D. et al. Automated compositional control of HgixCdxTe during MBE using in situ spectroscopic ellipsometry // J. of Electronic Materials. V.27. — № 6. — P. 500−503.
  22. Butler S.W., Stefani J., Sullivan m. et al. Intelligent model-based control system employing in situ ellipsometry // J. Vac. Sei. Technol. A. 1994. V. 12.- № 4.-P. 1984.
  23. Duncan W.M., Henck S.A., Kuehne J. W. et al. High-speed spectral ellipsometry for in situ diagnostics and process control // J. Vac. Sei. Technol B. 1994. — V. 12. — № 4. — P. 2779
  24. Aspnes D.E. New developments in spectroellipsometry: the challenge of surface // Thin. Sol. Films. 1993. — V. 233. — P. 1−8.
  25. Kircher J., Gopalan S., Cardona M. Optical properties of the Y-Ba cuprates: mainly a band structure point of view // Spectroscopic Ellipsometry: Proc. Of the 1st Int. Conf. Paris, France, Jan. 11−14, 1993. — P. 522.
  26. Kircher J., Cardona M., Zibold A. et al. Optical investigation of room-temperature chain ordering in YBa2Cu307// Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. -№ 13.- P. 9684−9688.
  27. Brink D.J., Lee M. E. Ellipsometry of diffractive insect reflectors // Appl. Opt. 1996. — V. 35. — № 12. — P. 1950−1955.
  28. Moog E.R., Bader S.D., Montano P.A. et al. Search for ferromagnetism in ultrathin epitaxial films: Cr/Au (100), Cr/Cu (100), and Fe/Cu (100) // Superlattices and Microstructures. 1987. — V. 3. — № 4. — P. 435−443.
  29. Bader S.D. Surface magneto-optic Kerr effect // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 1991. — V.100. — P. 440−454.
  30. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr effects // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1990. — V.89. — P. 107−128.
  31. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr rotation and ellipticity for Sand P-polarized light. // Phys. Rev. Lett. 1990. — V.43. — P. 6423−6450.
  32. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr effects // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1990. — V.88. — P. 261−290.
  33. А. В. Оптические свойства металлов. M: Физматгиз, 1961. — 464 с.
  34. Bader S.D. Qiu Z.Q. Surface magneto-optic Kerr effect (SMOKE) // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 1999. — V.200. — P. 664−678.
  35. Falicov L.M., Pierce D.T., Bader S.D., Gronsky R. SMOKE system. //
  36. Mater. Res. 1990. — V5. — P. 1299−1306.
  37. Bader S.D. SMOKE experiment. Experimental approaches // Proc. IEEE. -1990.-V.78.- P. 909−912.
  38. Ballentine C.A., Fink R.L., Araya-Pochet J. Erskine J.L. Vacuum magnet // Apple. Phys. 1989. — V.49. -P.677−685.
  39. Qian J.P., Wang G.C. Magnetic materials // Journal of Vacuum Sci. Technology. 1990. — V.8. — P.27−40.
  40. Edelman I.S., Kim P.D., Turpanov I.A., Morozova T.P., Betenkova A.Ja., Zabluda V.N., Bondarenko G.M. Kerr rotation and magnetic circular dichroism in Co/Si02 multilayers. 11 J. Magn. Mater. 1996. — V 109. — P. 1.
  41. Montano P.A., Fernando G.W., Cooper B.R. et al. Ferromagnetic and nonmagnetic phase of Fe on Cu. // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.59. -P.l 041−1050.
  42. Liu C., Moog E.R., Bader S.D. Magneto-optical properties of Fe films // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.60. — P. 2422−2436.
  43. Liu C., Bader S.D. The growth of Fe on Pd (100) // J. Appl. Phys. 1990. -V.67.-P. 57−58.
  44. Liu C., Bader S.D. The growth of Fe on Ru (0001) // Phys. Rev. Lett. 1990. -V.41.-P. 553.
  45. United States Patent № 5 311 285, Measuring method for ellipsometric parameter and ellipsometer / Oshige Т., Yamada Т., Kazama A.- published 10.05.1994.
  46. Пат. 2 302 623 Российская Федерация, Эллипсометр / Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Швец В.А.- опубл. 10.07.2007, Бюл. № 19.
  47. Krafft C.S., R.M. Josephs and D.S. Crompton. Magneto-optical Kerr effect hysteresis loop measurements on particulate recording media // IEEE Transaction on Magnetics. 1986. — V. MAG-22. — N. 5. — p. 662−664.
  48. United States Patent № 4 922 200, Apparatus for measuring hysteresis loop of magnetic film / Jackson L.D., Hills В., Moms D., Nagi T.J.- published0105.1990
  49. United States Patent № № 4 816 761, Apparatus for measuring the hysteresis loop of hard magnetic films on large magnetic recording disk / Josephs R.M.- published 28.03.1989
  50. Wrona J., Stobiecki Т., Rak R., et al. Kerr magnetometer based on a differential amplifier // Phys. stat. sol. (a). 2003. — V. 196. — № 1. — P. 161−164.
  51. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ./ Под ред. JL Ченга, К Плога, — М: Мир, 1989 584 с.
  52. В.П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. Новосибирск, 2000. — 331с.
  53. Г. С., Волков Н. В., Кононов В. П. Влияние оптического излучения на магнитный резонанс в трехслойных пленках Fe/Si/Fe // Письма в ЖЭТФ.- 1998.-Т. 68.-№ 4, — С. 287−291.
  54. Техническое описание и инструкция по экслплуатации быстродействующего лазерного эллипсометра ЛЭФ-751М. -Новосибирск, 2002. 50 с.
  55. Техническое описание и инструкция по эксплуатации установки «Ангара». Новосибирск, 1986. — 72 с.
  56. Shvets V. A, Chikichev S.I., Pridachin D.N. et al. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces // Thin solid Films. 1998.-V. 313−314.-P.561−564.
  57. H.B., Патрин Г. С., Петраковский Г. А. и др. Магнитосопротивление туннельного типа в структуре
  58. E11O0.7PbO0.3MnO, (монокристалл)/Те (пленка) // Письма в ЖТФ. 2003. — Т.29. — № 5. С.54−60.
  59. Е. Г., Кононов В. П., Попел В. М., Тепляков У. И., Худяков А. Е. Модернизация установки молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара» для получения пленок и структур магнитных материалов // ПТЭ. — 1997.-№ 2.- С. 141.
  60. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochem. Soc.: Electrochemical science and technology. 1986. — V. 133. — № 4. — P. 666−671.
  61. JI., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. -М: Мир, 1989.-344 с. 60.http://isp.nsc.ru
  62. Aspnes D.E., J.B. Theeten, F. Hottier. Investigation of effective-medium models of microscopic surface roughness by spectroscopic ellipsometry // Phys. Rev. B. 1979. — V. 20. — № 8. — P. 3292−3304.
  63. D.E. Aspnes. Microstructural information from optical properties in semiconductor technology // SPIE. 1981. — Optical Characterization Techniques for Semiconductor Technology. — Vol. 276.
  64. Г. В. Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ пленок, слоев и покрытий. Препринт ИФСО-16Ф. — Красноярск, 1974. -40 с.
  65. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара». Новосибирск, ИФП С ОРАН, 1986.
  66. С.Н., Лепешев А. А., Овчинников С. Г. и др. Автоматизация технологического оборудования для получения многослойных структур в сверхвысоком вакууме // ПТЭ. — 2004. — № 6. С. 125.
  67. А.С. Автоматическое регулирование. М.: Высшая школа, 1986. -351 с.
  68. С.Н., Паршин А.С, Овчинников С. Г. и др. Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных пленок Fe/Si, 98полученных термическим испарением в сверхвысоком вакууме // Письма в ЖТФ. 2005. — Т. 31. — № 22. — С. 1−8.
  69. Дж. Г., Финк К. Д. Численные методы. Использование Matlab. -М.: Вильяме, 2001.-713 с.
  70. А. М., Клиначёв Н. В., Мазуров. В. М. Теоретические основы построения эффективных АСУ ТП // http://model.exponenta.ru/autoreg.ziphttp://model.exponenta.ru/auto reg. html
  71. Д.Г. Измерители-регуляторы температуры.http ://icm-tec .сот/
  72. Ким Д. П. Теория автоматического управления. М: Физматлит, 2003.- 288 с.
  73. Ч. Харбор Р. Системы управления с обратной связью. -М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. 616 с.
  74. В. А. Попов Е.П. Теория систем автоматического управления. — СПб: Профессия, 2003. — 752 с.
  75. С.Н., Bartolome J., Sese J. и др. Размерные эффекты и намагниченность многослойных пленочных наноструктур (Fe/Si)n // ФТТ. 2007. — Т. 49. -№.8, — С. 1401.
  76. В.А., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В. Анализ статической схемы эллипсометрических измерений // Оптика и спектр. 2004. -Т.97. — № 3.-С. 514−525.
  77. Л. И. Контроллер шагового двигателя. http://radiotech.by.ru/Shematic PCB/Avtomatika/step motor. htm
  78. Choi B.-Ch., Folsch S., Farle M. et al. Correlation of the magnetic properties with structure and morphology in ultrathin Fe films grown on Cu (311)// Phys. Rev. B. 1997. — V. 56. -№ 6. -P. 3271.
  79. C.H., Паршин A.C., Овчинников С. Г. и др. Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных пленок
  80. С.Н., Косырев H.H. Система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара» // Сборник тезисов десятой всероссийской научной конфер. студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-10». Москва, 2004. — С. 1036.
  81. С.Н., Косырев H.H. Получение однослойных и многослойных пленочных структур Fe и Si в сверхвысоком вакууме // Тез. докл. VII Всерос. науч. конф. «Решетневские чтения». Красноярск, 2003. — С 114−115.
  82. H.H., Варнаков С. Н. Метод эллипсометрии в технологии получения тонких пленок Fe и Si // Сборник тезисов девятой всероссийской научной конфер. студентов-физиков и молодых ученых. «ВНКСФ-9». Красноярск, 2003. — С. 590−591.
  83. С.Н., Косырев Н. Н. Исследование процесса роста тонких слоев кремния in situ методом эллипсометрии // Труды межвузовской научной конференция «Молодежь и наука — третье тысячелетие». — Красноярск, 2003. С. 317.
  84. Н.Н., Варнаков С. Н. Исследование тонких пленок Fe методом эллипсометрии // Сборник тезисов десятой всероссийской научной конфер. Студентов-Физиков и молодых ученых «ВНКСФ-10». -Москва, 2004. С. 191−192
  85. H.H., Варнаков C.H., Овчинников С. Г., Худяков А. Е. Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии // Материалы всероссийского совещания «Кремний 2006». — Красноярск, 2006. — С. 112
  86. Kosyrev N.N., Kolechin V.A., Zabluda V.N., Hudyakov A.E., Edelman I.S. and Ovchinnikov S.G. In situ SMOKE Measurements in ultrahigh vacuum by ellipsometry // Euro-Asian symposium «Magnetism on a nanoscale». -Kazan, 2007.-P. 264
  87. Н.Н., Овчинников С. Г. Ферромагнетизм при комнатной температуре в двухслойной структуре Dy(i.X)Nix/Ni: магнитооптические измерения in situ // Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т. 88. — № 2. — С. 152−154.
  88. С.Н., Комогорцев С. В., Bartolome J., Sese S., Овчинников С. Г., Паршин А. С., Косырев Н. Н. Изменение намагниченности мультислойных наноструктур Fe/Si в процессе синтеза и постростового нагрева // ФММ. 2008. — Т. 106. — № 1. — С. 54−58
  89. Edelman I., Ovchinnikov S., Markov V., Kosyrev N., Seredkin V.,. Khudjakov A, Bondarenko G., Kesler V. Room-temperature ferromagnetism in Dy films doped with Ni // Physica B. 2008. — V. 403. — № 18. — P. 3295−3301.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?