Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование процессов формирования специфических нитевидных кристаллов, предназначенных для микроэлектроники и приборостроения

Диссертация: Исследование процессов формирования специфических нитевидных кристаллов, предназначенных для микроэлектроники и приборостроения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные положения и результаты работы докладывались на XVII Петербургских чтениях по проблемам прочности (Санкт-Петербург, 2007) — III Международной школе «Физическое материаловедение» Наноматериалы технического и медицинского назначения (Самара — Тольятти — Ульяновск — Казань, 2007) — V Международной научной конференции «Прочность и разрушение материалов и конструкций… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Состояние вопроса и постановка задач диссертационного исследования
    • 1. 1. Обзор литературы и патентные исследования по нитевидным кристаллам
      • 1. 1. 1. Методы получения и механизмы роста нитевидных кристаллов
      • 1. 1. 2. Свойства и методы исследования свойств нитевидных кристаллов, возможные области их применения
    • 1. 2. Обзор исследовательских работ по нитевидным пентагональным кристаллам полученных методом электроосаждения металла
    • 1. 3. Дисклинационный подход к описанию механизмов нитевидных пентагональных кристаллов
      • 1. 3. 1. Дефекты дисклинационного типа в деформированных металлах
      • 1. 3. 2. Дисклинационные модели роста в процессе электрокристаллизации пентагональных нитевидных кристаллов
    • 1. 4. Постановка задач диссертационного исследования
  • Глава II. Методы получения и исследования нитевидных пентагональных кристаллов электролитического происхождения
    • 2. 1. Методика получения нитевидных кристаллов с пентагональной симметрией путем электроосаждения металла из раствора электролита
      • 2. 1. 1. Методика получения подложек с дефектами 95 дисклинационного типа
      • 2. 1. 2. Подбор оптимальных условий роста 98 нитевидных пентагональных кристаллов на дефектах дисклинационного типа при электрокристаллизации
    • 2. 2. Методы исследования структуры нитевидных пентагональных кристаллов
      • 2. 2. 1. Просвечивающая электронная микроскопия
      • 2. 2. 2. Сканирующая электронная микроскопия
      • 2. 2. 3. Сканирующая туннельная и атомно-силовая 113 микроскопия
      • 2. 2. 4. Металлография
      • 2. 2. 5. Электронография, метод обратного рассеяния 127 электронов
  • Глава III. Особенности роста в процессе электрокристаллизации пентагональных микротрубок и
    • 3. 1. Исследование процесса формирования микротрубки из 133 пентагонального стержня, разработка модели ее роста
    • 3. 2. Разработка модели формирования усов из 154 пентагональных стержней при электрокристаллизации металла
  • Выводы к главе III
  • Глава IV. Спирально-дисклинационные модели формирования пентагональных пирамид на дефектах дисклинационного типа
    • 4. 1. Дефекты дисклинационного типа как места роста 162 нитевидных пентагональных кристаллов в процессе электроосаждения меди
      • 4. 1. 1. Дислокационно-дисклинационные структуры 164 формирующиеся при электрокристаллизации меди и виды дефектов дисклинационного типа имеющих ростовое происхождение
      • 4. 1. 2. Выбор подложек для получения в процессе 191 электроосаждения нитевидных пентагональных кристаллов в виде пентагональных пирамид
    • 4. 2. Исследование механизма роста пентагональных пирамид 198 на дефектах дисклинационного типа, разработка моделей их формирования в процессе электрокристаллизации металла
  • Выводы к главе IV

Исследование процессов формирования специфических нитевидных кристаллов, предназначенных для микроэлектроники и приборостроения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последние десятилетия наиболее перспективными и востребованными в микроэлектронике и приборостроении стали нитевидные кристаллы, обладающие уникальными физико-химическими свойствами.

Среди них особый научный и практический интерес вызывают нитевидные пентагональные кристаллы (НПК) полученные методом электроосаждения металла. Их специфика состоит в том, что при малых размерах, нитевидности и пентагональной огранке они являются металлическими монокристаллами, имеют квазикристаллическую структуру с симметрией пятого порядка, содержат дисклинации, в них затруднено трансляционное скольжение дислокаций, они одновременно обладают высокой прочностью, твердостью и упругостью. Такие кристаллы имеют необычную электропроводность, в частности, один и тот же кристалл из металла может быть проводником и полупроводником. В НПК в виде стержней технологически легко сформировать полость, а микротрубку можно преобразовать в специфический нанообъект, имеющий даже при микроразмерах высокую долю поверхностных атомов и обладающий наносвойствами.

Специфическая структура НПК и необычные их свойства открывают широкие возможности их применения в микроэлектронике и приборостроении. В частности, высокая прочность, упругость, твердость, повторяемость геометрической формы, высокая частота собственных изгибных колебаний и малый радиус острия пентагональных усов позволяет использовать их в качестве металлических зондов для сканирующей зондовой микроскопии.

На основе пентагональных микротрубок могут быть созданы принципиально новые сенсоры, датчики, волноводы, выращены полые микропровода и композиционная микропроволока. Единичные образцы таких перспективных изделий методом проб и ошибок уже созданы и апробированы. Однако, технологии массового получения металлических НПК и выращивания из них микроизделий, имеющих определенные размеры, геометрическую форму и заданные свойства, до сих пор не существует. И главная проблема в том, что до сих пор не исследованы процессы формирования НПК, не разработаны физические и математические модели их роста, не существует физических основ создания НПК с заданными характеристиками.

Поэтому исследование процессов формирования НПК со специфической структурой, определенной формы и размеров и разработка физических моделей управляемого роста является актуальной задачей, решение которой приведет к развитию новых методов измерений, созданию принципиально новых приборов и устройств на основе металлических нитевидных пентагональных кристаллов.

В качестве метода получения НПК в работе предлагается использовать метод электроосаждения металла из раствора электролита. Его преимущества заключаются в том, что наряду со сравнительно простой технологией получения кристаллов, низкой себестоимостью, возможностью автоматизации и варьирования структурой и размерами получаемых объектов, он также позволяет управлять через технологические параметры процессами образования и роста кристаллов. В качестве объекта исследования были выбраны совершенно не исследованные пентагональные нитевидные кристаллы в виде трубок, усов и пирамид на основе наиболее востребованной в микроэлектронике меди.

Все выше изложенное обусловило наш интерес к проблеме и послужило основанием для формулирования цели и задач диссертационного исследования.

Целью настоящей работы является исследование механизмов формирования НПК в виде пирамид, трубок и усов в процессе электрокристализации меди, разработка моделей их образования и управляемого роста. Выявление возможностей применения таких объектов в микроэлектронике и приборостроении.

В связи с поставленной, целью в работе решались следующие задачи:

1. Изучить влияние дефектов подложкии технологических параметров электроосаждения меди на процесс формирования НПК;

2. Экспериментально исследовать механизм и разработать модель роста пентагональных пирамид;

3. Исследовать процесс формирования пентагональных микротрубок и разработать модель их роста;

4: Исследовать процесс и разработать модель формирования усов;

5. На основании разработанных моделей наметить пути создания НПК с заданными характеристиками.

Научная новизна. В работе получены следующие новые результаты:

• установлено, что местом роста пентагональных пирамид на подложках являются дефекты дисклинационного типа: трещины, стыки зерен, оборванные субграницы, частичные дисклинации;

• теоретически обоснована и экспериментально подтверждена новая спирально-дисклинационная модель образования нитевидных пентагональных пирамид на дефектах дисклинационного типа;

• предложена модель и впервые экспериментально подтверждена идея* образования и роста пентагональных микротрубок из стрежней в процессе электроосаждения;

• разработана физическая и математическая модель формирования усов;

• разработаны способы изготовления. специфических нанообъектов из микротрубок.

Теоретическая значимость:

• разработанный спирально-дисклинационный механизм формирования НПК является существенным вкладом в развитие теории роста реальных кристаллов с дефектами;

• разработана теория роста усов;

• экспериментальные результаты по исследованию нитевидных пентагональных кристаллов, полученные в работе, стали неопровержимым доказательством справедливости дисклинационных представлений разработанных такими теоретиками как И. В. Владимиров, А. В. Лихачев, В. В. Рыбин, А. Е. Романов, В. И. Перевезенцев и др.

Практическая значимость:

• получены образцы НПК и выращены из них микроизделия, которые могут быть использованы при создании принципиально новых приборов и устройств;

• полученные результаты и высказанные идеи являются теоретической основой технологии непосредственного выращивания готовых микроизделий из пентагональных микротрубок в виде полого пентагонального микропровода, композиционной микропроволоки, волноводов и др.;

• исследованные явления и процессы, полученные результаты дают возможность уже сейчас получать специфические нанообъекты из металлических микротрубок;

• проведенные исследования являются теоретической основой технологии выращивании металлических зондов и кантилеверов для сканирующей зондовой микроскопии.

Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментальных исследований особенностей роста в процессе электроосаждения медных НПК в виде пирамид, усов и трубок.

2. Физическая и математическая модель формирования усов.

3. Физическая модель формирования пентагональных микротрубок из пентагональных стрежней в процессе электроосаждения металла.

4. Спирально-дисклинационные модели образования нитевидных пентагональных пирамид на дефектах дисклинационного типа: оборванной сильно разориентированной субгранице, трещине, клиновидной вставке из двойниковых прослоек, стыке границ зерен и в центре пентагонального кристалла. 5. Способ изготовления специфических нанобъектов из пентагональных микротрубок и выращивания из них микроизделий с заданными характеристиками.

Достоверность. Достоверность экспериментальной части работы основана на применении современных научно-обоснованных методик и методов исследования, использовании современного исследовательского оборудования, привлечении взаимодополняющих методов исследования. Достоверность теоретических положений и выводов подтверждается хорошим совпадением теоретических расчетов с экспериментальными результатами, а также апробированностью результатов исследований на международных конференциях.

Личный вклад автора. Личный вклад автора состоит в получении объектов, разработке метода получения исследования нитевидных кристаллов, проведении экспериментов, обработке результатов исследований, в выдвижении и обсуждении новых идей, оформлении патента, участии в выставке, подготовке статей и докладов.

Апробация работы. Основные положения и результаты работы докладывались на XVII Петербургских чтениях по проблемам прочности (Санкт-Петербург, 2007) — III Международной школе «Физическое материаловедение» Наноматериалы технического и медицинского назначения (Самара — Тольятти — Ульяновск — Казань, 2007) — V Международной научной конференции «Прочность и разрушение материалов и конструкций» (Оренбург, 2008) — 47 Международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Нижний Новгород, 2008) — III Международной научно-практической конференции «Материалы в автомобилестроении» (Тольятти, 2008) — VII Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем» (Белгород, 2008) — научных семинарах кафедры «Общая и теоретическая физика» Тольяттинского государственного университета.

Работа выполнена в рамках приоритетного направления развития науки, технологии и техники РФ «Индустрия наносистем и материалы» при поддержке:

• Федерального агентства по науке и инновациям, госконтракт № 02.513.11.3084;

• Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 08−02−99 034.

Автор является исполнителем проектов.

Публикации. Результаты исследований по теме диссертации опубликованы в 13 печатных работах, в том числе 4 в изданиях, рекомендованных ВАК.

Структура и объём работы. Диссертация изложена на 234 страницах основного текста и состоит из введения, 4 глав, основных результатов и выводов и библиографического списка (238 наименований). Работа содержит 123 рисунка и 6 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. В работе методом электроосаждения меди, при малой плотности тока и низких перенапряжениях на катоде были получены специфические нитевидные микрокристаллы в виде стержней, усов, трубок и пирамид, с необычными свойствами. Установлено, что все НПК растут вдоль направления <110>, имеют квазикристаллическую структуру, обладают осями симметрии пятого порядка, содержат частичную семиградусную дисклинацию и двойниковые границы раздела структурных элементов.

2. Показано, что из пентагональных стержней растущих в потенциостатических условиях, при достижении ими критического диаметра (2-Змкм) формируются микротрубки. Установлено, что основную роль в процессе преобразования пентагонального стержня в трубку играет механизм зарождения и выхода из стержня дислокационных петель вычитания под действием поля напряжений от дисклинации. Предложена модель роста микротрубок и способ выращивания из микротрубок специфических нанообъектов.

3. Показано, что из пентагонального стержня, в гальваностатических условиях, возможен выброс усов — как способ релаксации упругой энергии. Разработана физическая и математическая модель формирования усов на пентагональных кристаллах, показано, что их рост происходит по механизму непосредственного встраивания атомов в решетку и диффузии адатомов к торцу растущего, под действием поля напряжений от дисклинации.

4. Установлено, что пентагональные пирамиды в процессе электроосаждения меди образуются и растут на дефектах подложки: трещинах, стыках зерен, оборванных субграницах, на плоских пентагональных кристаллах. Показано, что пирамиды состоят из многоатомных ступеней роста (террас), скоординированных по направлению <110>. Разработана спирально-дисклинационная модель, корректно описывающая рост пентагональных пирамид на дефектах дисклинационного типа находящихся в подложках 5. Проведенные исследования, полученные результаты, разработанные модели роста НПК, позволяют, варьируя режимы электролиза, меняя тип подложки целенаправленно выращивать нитевидные кристаллы определенной формы, размеров, с заданными характеристиками. Создавать из них нанообъекты и готовые микроизделия с необходимыми свойствами для микроэлектроники и приборостроения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. В., Нитевидные кристаллы М., 1969.
  2. Монокристальные волокна и армированные ими материалы, пер. с англ., М., 1973.В. Н. Грибков, К. И. Портной.
  3. Haraguchi К., Katsuyama Т., Hiruma К. J. Appl. Phys. 75, 8, 4220 (1994)
  4. Hiruma К., Yazawa М., Katsuyama Т., Ogawa К., Haraguchi К., Koguchi М., Kakibayashi Н. J. Appl. Phys. 77, 2, 447 (1995).
  5. Duan X., Wang J., Lieber C.M. Appl. Phys. Lett. 76, 9, 1116 (2000).
  6. Persson M.P., Xu H.Q. Appl. Phys. Lett. 81, 7, 1309 (2002).
  7. Gudiksen M.S., Lauhon L.J., Wang J., Smith D.C., Lieber C.M. Nature 415, 6872,617(2002).
  8. В.Г., Сибирев Н. В. Рост нанометровых нитевидных кристаллов по обощенному механизму «пар-жидкость-кристалл» // Письма в ПЖК, 2006, том 32, вып. 5. С. 1−7.
  9. В.В. Выращивание нитевидных и пластинчатых кристаллов, А N молекулярно-пучковой эпитаксией с учетом жидкой фазы // Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып. 18, С. 55−63.
  10. Wenzhong Wang, Congkang Xu, a Xiaoshu Wang / Preparation of Sn02 nanoroda by annealing Sn02 powder in NaCl flux/ journal of chemistry 9th March (2002)
  11. Wei Zhu, Wenzhong Wang / Fabrication of ordered Sn02 nanotube arrays via a template route / Materials Chemistry and Physics 99 (2006) P. 127−130.
  12. Xu C., Xu G., Liu Y., Zhao X., Wang G., Scr. Mater.46 (2002) 789.
  13. Ma X.L., Li Y., Zhu Y.L. Chemistry Physics Lett.376 (2003) 794.
  14. Pan Z.W., Dai Z. R., Wang Z. L., Science 291 (2001) 1947.16. http://www.nanometer.ru/2007/04/07/dioksidolova.html
  15. H.B., Карповича Н. Ф., Палажченко В. И., Пугачевский М. А. Получение нитевидных монокристаллов вольфрама // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. V Международная конференция. Кисловодск-Ставрополь: Сев.Кав.ГТУ, 2005. с. 368.
  16. А.Х., Асваров А. Ш., Ахмедов А. К., Барышников В. Г., Теруков Е. И. Газофазный синтез структур ZnO // Письма В ЖТФ, 2002, том 28, вып. 22, С. 59−63.
  17. С.И., Елисеев А. А., Федоров А. А. Выращивание кристаллов сульфидов лантана и неодима из газовой фазы // Изд-во «Наука», Сб. «Рост кристаллов» т. 10., 1972., С. 225−229.
  18. Л.И., Макарова Н. И., Струкова Е. П., Харионовский Ю. С., Юдин С. Г. Выращивание некоторых полупроводниковых кристаллов методом транспортных реакций // Изд-во «Наука», Сб. «Рост кристаллов» т. 10., 1972., С. 231−234.
  19. Устойчивый рост кристаллов./Татарченко В.А. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. — 240 с.
  20. Iijima S. Nature (London) 354 56 (1991).
  21. А.В. Углеродные нанотрубки Обзоры актуальных проблем // Успехи физических наук, том 167, № 9, 1997, С. 945−971.
  22. В.А., Турин И. В., Колосенко В. В., Ксенофонтов В. А., Мазилова Т. И., Михайловский И. М., Буколов А. Н. Прочность углеродных волокон, полученных каталитическим газофазным осаждением // Письма В ЖТФ, 2007, том 33, вып. 12, С. 83−88.
  23. П.Б., Федоров А. С., Чернозатонский Л. А. Структура и свойства нанотрубок ВеО // Физика твердого тела, 2006, том 48, вып 2, С. 373−376.
  24. В.В., Будько В. Г., Гусев А. А., Шевцова Т.Н. Модели углеродных микротрубок и распределение электронной плотности в них
  25. ФТТ. 2006., том. 48., вып. 2., С. 368−372.
  26. Tenne R., Zettl А.К., In: Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure, Properties, and Applications / End M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Ph. Avouris. Topics in Appl. Phys. Vol. 80. Springe, Berlin (2001). P. 55.
  27. Zhang P., Crespi V.H. Phys. Rev. Lett. 89, 5 (2002).
  28. Zhenhui Kang, Enbo Wang, Min Jiang, Suoyuan Lian «Convenient Controllable-Synthesis of SilverlD, 2D nanocrystals.
  29. E., Бостанов В., Витанов Т. Электрокристаллизация и механизм электролитического осаждения серебра // Изд-во „Наука“, Сб. „Рост кристаллов“ т. 10., 1972., С. 230−250.
  30. Ujjal К. Gautam, Gautam Gundiah and G.U. Kulkarni. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of Se and Те nanorods.// Solid State Communications. Volume 136, Issue 3, 2005, P. 169−172.
  31. Oswald H. R., Reiler A., Schmalle H. W., Dubler F. Structure of copper (II) hydroxide Cu (OH)2 // Acta Crystallographica. Section C: Crystal Structure Communications. 1990. — Vol. 46. — P. 2279 — 2284.
  32. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий, Т. А. Кузнецова Влияние условий гальванического осаждения в травленных каналах трековых мембран на морфологию и кристалличность медных нанопроволок // Перспективные материалы, 2007., № 5., С. 5−12.
  33. Wang Jisen, Yang Jinkai, Sun Jinquan and Bao Ying. Synthesis of copper oxide nanomaterials and the growth mechanism of copper oxide nanorods.// Materals & Design. Vol. 25, Issue 7, 2004.- P. 625−629.
  34. Huixin He, Nongjian J. Tao. „Electrochemical Fabrication of Metal Nanowires“ Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Volume X: Pages (1−18).
  35. К.М.Горбунова, А. И. Жукова. Осциллографическое исследование потенциала катода при росте нитевидного кристалла серебра.//Журнал физической химии. Т. xxii, вып.9, 1948.-С. 1097−1099.
  36. К.М.Горбунова, А. И. Жукова. Закономерности кристаллизации тонкихнитей серебра.// Журнал физической химии. Т. XXIII, вып.5, 1949.-С. 605−615.
  37. В.В. Скорчеллетти. Теоретическая электрохимия. Изд-во Химия, 1974, с. 567.
  38. Современные композиционные материалы, под ред. JI. Браутмана и Р. Крока, пер. с англ., М., 1970.
  39. А., Высокопрочные материалы, пер. с англ., М., 1976.
  40. Е.И. Гиваргизов Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М., Наука, 1977 304с.
  41. Наполнители для современных композиционных материалов, пер. с англ., М., 1981.
  42. В. Г. Материалы будущего. О нитевидных кристаллах металлов, М., 1989.
  43. С. Winkler // Chem. Zeitung. 1888.-Vol. 12.-P. 721.
  44. V. Kohlschutter // Kolloid Zeits. 1930. — Vol. 50. — P. 1., H. Kohlschtitter // Zeits. Electrochemic. — 1932. — Vol. 38. — P. 345.
  45. W. O. Ostwald // Kolloid Zeits. 1943. — Vol. 102. — P. 35.
  46. H. K. Hardy // Progress in Metall Physiks 1956. — Vol. 6.
  47. Э. M. Надгорный, Ю. А. Осипьян, M. Д. Перкас, В. M. Розенберг Нитевидные кристаллы с прочностью, близкой к теоретической. // Успехи Физических Наук. 1959. — Т. LXVII, вып. 4. — С. 625 — 662.
  48. R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 4. P. 89.
  49. K.Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77(2), 447 (1995).
  50. D.N. Mcllroy, A. Alkhateeb, D. Zhang, D.E. Aston, A.C. Marcy, M.G. Norton. J. Phys.: Condens. Matter, 16, R 415 (2004).
  51. Michael H. Huang, Samuel Mao, Henning Feick et al. // Science. 2001. Vol. 292. P. 1897−1899.
  52. Гиваргизов Е. И Управляемый рост нитевидных кристаллов и создание монокристаллических вискерных зондов // Кристаллография, — 2006,216 т.51 № 5, С. 947−953.
  53. Е.И Гиваргизов, Костюк Ю. Г. Управляемое выращивание ориентированных систем нитевидных кристаллов // Изд-во „Наука“, Сб. „Рост кристаллов“ т. 10., 1972., С. 242−249.
  54. G. W. Sears //Acta Met. 1955.- Vol. З.-Р. 361.
  55. JI.H. Как растут кристаллы в растворе // Соросовский образовательный журнал, № 3, 1996 С. 1−6.
  56. Y.S., Reynolds D. С. // Appl. Phys. 1967. Vol. 38. № 2 P. 756−760.
  57. Ram Bilas Sharma//J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. № 4. P. 1866−1867.
  58. Sharma S.D., Subhash Kashyap // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. № 13. p. 5302−5304.
  59. Е.И. Гиваргизов Кристаллические вискеры и наноострия № 11, 2003.
  60. А.А. Тонких, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, И. П. Сошников, В. М. Устинов. ФТП, 38 (10), 1256 (2004).
  61. A.Y. Cho, J.R. Arthur. Progr. Sol. St. Chem., 10, 157 (1975).
  62. H.B., Карповича Н. Ф., Палажченко В. И., Пугачевский М. А. Получение нитевидных монокристаллов вольфрама // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. V Международная конференция. Кисловодск-Ставрополь: Сев. Кав. ГТУ, 2005. с. 368.
  63. Ю.А., Кушнир И. П. Некоторые исследования структуры и свойств нитевидных микрокристаллов меди и железа // Сб. „Дислокации в кристаллах и вопросы прочности“, изд. АН СССР, 1961.
  64. Осипьян Ю. А Получение и исследование механических свойств нитевидных кристаллов меди и железа „Проблемы металловедения и физики металлов“, Сб. трудов Ин-та металлофизики ЦНИИЧМ, N 8, М.,"Металлургия», 1964 с. 12.
  65. Электропроводность одномерных наноструктур из золота («Природа», 1999, N 4)(Nature. 1998. V.395. N 6704. Р.780 — 785 (Великобритания)).
  66. К Haraguchi, Т. Katsuyama, К. Hiruma, К. Ogawa J. Appl. Phys Lett., 60, 745 (1992).
  67. С.З. Бокштейн Волокнистые композиционные материалы // М.: «МИР», 1967, 284 с.
  68. Hermann С. Die Symmetriegruppen der amorphen und mesomorphen Phasen // Zeitschrift fur Kristallographie. 1931. -V. 79. — P. 186.
  69. R. L. Segall. Unusual Twinning in Annealed Copper // Journal of Metals. -1957.-Vol. 9.-P. 50.
  70. MelmedA. J., Hay ward D. O. On the Occurrence of Fivefold Rotational Symmetry in Metal Whiskers // Journal of Chemical Physics. — 1959. -Vol. 31.-P. 545−546.
  71. M. A. Gedwill, C. J. Altstetter, С. M. Wayman External Symmetry of Cobalt Particles Produced by Hydrogen Reduction of CoBr2 // Journal of Applied Physics. 1964. — Vol. 35, Iss. 7. — P. 2266 — 2267.
  72. Schwoebel R. L. Condensation of gold on gold single crystals // Surface Science. 1964. — Vol. 2. — P. 356 — 366.
  73. R. W. De Blois Ferromagnetic Domains in Thin Single-Crystal Nickel Platelets // Journal of Applied Physics. 1965. — Vol. 36, Iss. 5. — P. 1647 -1658.
  74. T. Hayashi, T. Ohno, S. Yatsuya, R. Uyeda, в работе Jpn. J. Appl.Phys. 16 (1977) 705.
  75. B.C. Smith, P.L. Gai Proceedings of the Eighth European Congress Electron Microsc., Programme Comm. 8. European Congress EM, Budapest, 1984, Vol. 2, p. 1151.
  76. U., Westmacott К. H. // Science. 1986. — Vol. 233. — P. 875.
  77. T.N. Millers, A.A. Kuzjukevics Prog. Cryst. Growth Charact. 16 (1988) 367.
  78. A.E. Romanov, I.A. Polonsky, V.G. Gryaznov, S.A.Nepijko, T. Junghanns, N.I. Vitrykhovski J. Crystal Growth 129 (1993) 691.
  79. M. Arita, N. Suzuki, I. Nishida J. Crystal Growth 132 (1993) 71.
  80. Z.L. Wang, M.B. Mohamed, S. Link, M.A. El-Sayed. Crystallographic facets and shapes of gold nanorods of different aspect ratios.//Surface Science 440 (1999).-P. L809-L814.
  81. I. Lisiecki, A. Filankembo, H. Sack-Kongehl, K. Weiss, M.- P. Pileni, J. Urban. Structural investigations of copper nanorods by high-resolution // ТЕМ PHYSICAL REVIEW В 15 FEBRUARY 2000,-1 VOLUME 61, NUMBER 7.
  82. H. Hofmeister, S.A. Nepijko, D.N. Ievle, W. Schulze, G. Ertl Composition and lattice structure of fivefold twinned nanorods of silver // Journal of Crystal Growth 234 (2002) 773−781.
  83. J.C. Gonzalez, V. Rodrigues, J. Bettini, L.G.C. Rego, A.R.Rocha, P.Z. Coura, S.O. Dantas, F. Sato, D.S.Galvao, D.Ugarte. Indication of unusual pentagonal structures in atomic-size Cu nanowires // Phys. Rev. Lett. 93, 126 103 (2004).
  84. Y. Gaoa, L. Songa, P. Jianga, L.F. Liua, X.Q. Yana, Z.P. Zhou «Silver nanowires with five-fold symmetric cross-section» Journal of Crystal Growth 276 (2005) 606−612.
  85. C. Digard, M. Maurin, J. Robert // Met. Corros. Ind. 51 (1976) 255.
  86. P.M. Rigano, C. Mayer, T.Chierchie. Structural investigation of the initial stages of copper electrodeposition on polycrystalline and single crystal palladium electrodes.//Electrochemica Acta .Vol.35, No 7, 1990.-P.1189−1194.
  87. А. А., Воленко А. П. Пентагональные кристаллы меди, многообразие форм их роста и особенности внутреннего строения // Физика твёрдого тела. 2005. — Том 47, вып. 2. — С. 339 — 344.
  88. Yasnikov I. S., Dovzhenko О. A., Vikarchuk A. A. Growth shapes of copper electrolytic crystals with pentagonal symmetry // Тезисы докладов XV Петербургских чтений по проблемам прочности. — Санкт-Петербург, 2005.-С. 57−58.
  89. Е.И., Чернов А. А. // Кристаллография. 1973. Т.18. С.147−149.
  90. Jian Donga, Wanci Shen, Feiyu Kang, Brue Tatarchuk. Whiskers with apex angle 135° growing by a disclination growth mechanism // Journal of Crystal Growth 245, 2002.-P. 77−83.
  91. S. Amelinckx, W. Luyten, T. Krekels, G. V. Tendeloo, J. V. Landuyt, J. Crystal Growth 121. 1992.-P. 543.
  92. D. D. Double, A. Hellawel, Acta Metall. 22. 1974.-P.481.
  93. A.B. Покропивный, В. В. Покропивный. Дислокационный механизм формирования нанотрубок. //Письма в журнал Технической Физики, 2003, том 29, вып.12,с.21.
  94. А.А., Воленко А. П., Ясников И. С. Дефекты и структуры, формирующиеся при электрокристаллизации ГЦК металлов. СПб.: Политехника, 2004. С. 59−63.
  95. Дж., Демьянович А. Механизм электроосаждения металлов. Современные аспекты электрохимии. М: Мир, 1967.-С.259−391.
  96. Milchev A., Stoyanov S., Kaischev R. Atomistic theory of electrolytic nucleation. I. II. Thin Solid Films, 1974. -V. 22. — P. 255−274.
  97. Markov I., Kashchiev D. The role of active centers in the kinetics of new phase formation. -J. Ciystal Growth, 1972. -V.13/14.-P.131−134.
  98. P., Тошев С., Марков. Процессы образования новой фазы при электролитическом осаждении металлов. Изд. отд. хим. наук. Болг. АН, 1969. кн. З.-С. 467−477.
  99. К. М., Данков П. Д. Кристаллохимическая теория реального роста кристаллов при электролизе Успехи химии, 1948. т. 17.-С. 710 732.
  100. К. М., Данков П. Д. Природа и распределение активных мест электрокристаллизации.- В кн.: Труды 3-го совещания по электрохимии. М.: АН СССР, 1953.-С.222−236.
  101. Markov I., Kashchiev D. The effect of substrate inhomogenity on the kinetics of heterogeneous nucleation from vapour.-This Solid Films, 1973.-V. 15. -P.181−189.
  102. B.B., Джюве А. П., Матулис Ю. Ю. О зависимости начальных стадий электрокристаллизации меди от плотности тока. В сб.: Структура и механические свойства электрокристаллических покрытий. Тольятти, 1979.-С. 19−23.
  103. В.В. Характер механизма электрокристаллизации меди в зависимости от условий электролиза- Дис. канд. хим. наук. Вильнюс, 1982.-186с.
  104. Kashchiev D. Nucleation at time-dependent supersaturation. Surface Sci., 1969.-V.22.-P.319−324.
  105. С., Милчев А., Попов К., Марков И. Электролитическая нуклеация серебра в водных растворах и расплавленных солях. Докл. Болг. АН, 1969. Т.22.-С.1413−1416.
  106. В.В., Житник В. П., Лошкарев Ю. М. Факторы, определяющие число зародышей при электрокристаллизации меди на графитовом электроде. Электрохимия, 1979. Т.15.-С.1035−1041.
  107. В.А., Барабошкин А. Н. «Формирование трехмерного электродного осадка» // Электрохимия, 1994. Т. 30. С. 227−229.
  108. Markov I., Stoycheva. Saturation nucleus density in the electrodes. Experimental. This Solid Films, 1976.-V.35.-P.21−35.
  109. Markov I. Saturation nucleus density in the electrodeposition of metals onto inert electrodes. I. Theory. Thin Solid Films, 1976.-V. 35.-P.11−20.
  110. Ю.М., Данилов А. И. Зарождение и начальные стадии роста электролитических осадков меди. В кн.: Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции по электрохимии. М. 1982.-С.286−287.
  111. А. П., Ясулайтене В. В., Матулис Ю. Ю. Некоторые особенности начальных стадий электрокристаллизации меди из сернокислых растворов. В кн., Исследования в областиэлектроосаждения металлов. Вильнюс.: Минтае, 1977.-С. 5−10.
  112. Markov I. Initial stages of electrolytic growth of thin metal films. In: Extended Abstracts 28-th Meeting I. S. E. Varna, 1977.-V. 1.- P. 138−147.
  113. Markov I., Kashchiev D. Nucleation on active centers. General theory. J. Cryst. Growth, 1972.-V. 16.-P.170−176.
  114. Ю.Д. Перекрытие диффузионных зон при росте кристаллических зародышей в процессе электрохимического осаждения // Электрохимия, 2003. J. 39. № 3. С. 352−354.
  115. В.В., Коваленко B.C., Житник В. П., Лошкарев Ю. М. Кинетика нестационарного зародышеобразования в гальваностатическом режиме электролиза. — Электрохимия, 1983. т. 19. вып.7.- С.887−893.
  116. В.В., Житник В. П., Лошкарев Ю. М. Число кристаллитов при потенциостатическом электроосождении меди. В сб.: Структура и механические свойства электролитических покрытий. — Тольятти, 1979.-С.-79−82.
  117. Ю.Д. Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов. М.: Янус-К, 1997.-384 с.
  118. ., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности. В кн.: Элементарные процессы роста кристаллов. ИЛ, 1959.-С. 11−109.
  119. Ю.М. Образование дефектов кристаллической решетки в электроосажденных металлах. Итоги науки и техники. Электрохимия. -М.: ВИНИТИ, 1979.-t.15.-C.3−61.
  120. Ю.Д. Роль электрохимических факторов и адсорбции примесей в формировании структуры электролитических осадков. Авторефер. дис. д.х.н.-М., 1981.-37 с.
  121. .Н. Электрохимия металлов и адсорбция. -М: Наука, 1966.
  122. К.М., Ивановская Т. В. Толщина слоев роста на грани кристаллов по данным микроинтерферометрических измерений. ЖФХ, 1948. т.21. вып.9-С. 1039−1043.
  123. Gryaznov V. G., Heidenreich J., Kaprelov A. M., Nepijko S. A., Romanov A. E., Urban J. Pentagonal symmetry and disclinations in small particles // Crystal Research and Technology. 1999. — Vol. 34, № 9. -P. 1091 — 1119.
  124. В.Г., Капрелов A.M., Романов А. Е. Пентагональная симметрия и дисклинации в малых частицах // Дисклинации и ротационная деформация твердых тел. Под ред. В. И. Владимирова. Л., Изд-во ФТИ, 1988, с. 47—83.
  125. Romanov А.Е., Vladimirov V.I. Disclinations in Crystalline Solids // Dislocations in Solids. Ed. F.R.N.Nabarro. Amsterdam, North-Holland, 1992, Vol. 9, p. 191—402.
  126. J.D. Eshelby. In: Dislocations in Solids / Ed. by F.R.N. Nabarro. North-Holland, Amsterdam (1979). Vol. 1. P. 167.
  127. J. Lothe. In: Elastic Strain Fields and Dislocation Mobility / Ed. by V.L. Indenbom, J. Lothe. Elsevier (1992). P. 329.
  128. A.Yu. Belov. In: Elastic Strain Fields and Dislocation Mobility / Ed. by V.L. Indenbom, J. Lothe. Elsevier (1992). P. 391.
  129. V.G. Gryaznov, I.A. Polonsky, A.E. Romanov, L.I. Trusov. Phys. Rev. В 44, 1,42 (1991).
  130. В.И., Романов А. Е. Дисклинации в кристаллах. // Ленинград: Наука, 1986. 224 с.
  131. В.И. Владимиров, А. Л. Колесникова, А. Е. Романов. ФММ 60, 6, 1106 (1985).
  132. R. De Witt Partial disclinations // Journal of Physics C: Solid State Physics. -1972.-Vol. 5.-P. 529−534.
  133. A.JI. Колесникова, A.E. Романов О релаксации напряжений в пентагональных нитевидных кристаллах // Письма в ЖТФ, 2007, том 33, вып. 20. С. 73−79.
  134. V.G., Kaprelov A.M., Romanov A.E., Polonskii I.A. // Phys. Stat.Sol. (b). 1991. V. 167. P. 441.
  135. А.Л., Романов A.E. // ФТТ. 2003. Т. 45. В. 9. С. 1626.
  136. А.Е., Polonsky I.A., Grysnov V.G., Nepijko S.A., Junghanns Т., Vitrykhovski N.V. //J. Cryst. Growth. 1993. V. 129. P. 691.
  137. И.С., Викарчук A.A // ФТТ. 2006. Т. 48. В. 8. С. 1352.
  138. Экспериментальное исследование и теоретическое описание дисклинаций // Под ред. Владимирова В. И. Л.: Изд-во. ФТИ, 1984.222 с.
  139. Теоретическое и экспериментальное исследование дисклинаций // Под ред. Владимирова В. И. Л.: Изд-во. ФТИ, 1986.- 224 с.
  140. В. В. Большие пластические деформации и разрушение металлов. М.: Металлургия, 1986. 224 с.
  141. Н. И., Дэвис Э. А. Электронные процессы в некристаллических веществах. 2. М.: Мир, 1982. — 683 с.
  142. А. А. В сб: Некоторые вопросы физики пластичности. М: из-во АН СССР, 1960. 75 с.
  143. В. И. Физическая теория прочности и пластичности. Л. изд-во ЛПИ, 1973. ч. 1. 183 с.
  144. Дисклинации и ротационная деформация твердых тел. Под ред. Владимирова. Л.: ФТИ, 1986. 224 с.
  145. В. И. Коллективные эффекты в ансамблях дефектов. Вопросы теории дефектов в кристаллах. — Л.: Наука, 1987. С.43−57.
  146. А.А., Воленко А. П., Юрченкова С.А. Дефекты дисклинационного типа в структуре электроосажденных ГЦК
  147. A.JI. Колесникова, А. Е. Романов Петлевые дислокации и дисклинации в методе виртуальных дефектов Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 9. С.1626−1635.
  148. А.Г. Шейнерман, М. Ю. Гуткин Упругие поля винтовой супердислокации с полым ядром (трубки), перпендикулярной свободной поверхности кристалла Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 9. С. 1614−1620.
  149. А. Варма. Рост кристаллов и дислокации. ИЛ, М. (1958).216 с.
  150. J. Newey. Compound Semiconductor, July 2002 (http:/www.compoundsemiconductor.net/magazine/article/8/7/2/l).
  151. W. Qian, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. J. Cryst. Growth 151, 396 (1995).
  152. W. Qian, G.S. Rohrer, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 67,16, 2284(1995).
  153. E. Yalcheva, T. Paskova, P.O.A. Persson, B. Monemar. Phys.Stat. Sol. (a) 194, 2, 532 (2002).
  154. F.C. Frank. Acta Crystallogr. 4, 497 (1951). 32. P. Pirouz. Phil. Mag. A78, 3, 727(1998).
  155. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, W. Swider, J. Washburn. MRS Proc. 449,417(1997).
  156. M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett. 75, 6, 784 (1999).
  157. N. Ohtani, T. Fujimoto, M. Katsuno, T. Aigo, H. Yashiro. In: Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials (ICSCRM 2001), Tsukuba, Japan (2001). P. 192.
  158. T.S.Argunova, M.Yu.Gutkin, J.H.Je, H.S.Kang, Y. Hwu, W.-L. Tsai, G. Margaritondo. J. Mater. Res. 17, 10, 2705 (2002).
  159. M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman. Phys. Stat. Sol. (b) 231, 2, 356 (2002).
  160. В.А., Хайров Р. Ю. Введение в теорию дисклинаций. Л.: Изд-во Ленингр. Ун-та, 1975.- 183 с. i <
  161. A.JI. Колесникова, A.E. Романов. Препринт ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР № 1019. Л. (1986).62 с.
  162. A.L. Kolesnikova, V. Klemm, P. Klimanek, A.E. Romanov.Phys. Stat. Sol. (a) 191,2, 467(2002). 8−10.
  163. Э.П. Прямолинейная дислокация в анизотропной полосе // ПМТФ, 1966, N 3, с. 90—96.
  164. А.А., Тяпунина Н. А., Зиненкова Г. М., Бушуева Г. В. Физика кристаллов с дефектами. М., Изд-во МГУ, 1986, 240 с.
  165. А.Л., Приемский Н. Д., Романов А. Е. Клиновые прямолинейные дисклинации в упругой изотропной пластине. Препринт ФТИ N 869, Л., 1984, 43 с.
  166. А.Л., Романов А. Е. Круговые дислокационно-дисклинационные петли и их применение к решению граничных задач теории дефектов. Препринт ФТИИ 1019, Л., 1986, 62 с.
  167. М.Ю., Романов А. Е. Краевые дислокации в тонких неоднородных пластинах. Препринт ФТИЫ 1407, Л., 1989, 64 с.
  168. Gutkin M.Yu., Romanov А.Е. Straight edge dislocations in a thin two-phase plate. I. Elastic stress fields // Phys. stat. sol. (a), 1991, Vol. 125, N 1, p. 107—125.
  169. Gryaznov V.G., Trusov L.I. Size effect in micromechanics of nanocrystals // Progress in Material Science, 1993, Vol. 37, N 4, p. 290—400.
  170. Romanov A.E., Vladimirov V.I. Disclinations in Crystalline Solids // Dislocations in Solids. Ed. F.R.N.Nabarro. Amsterdam, North-Holland, 1992, Vol. 9, p. 191—402.
  171. Gryaznov V.G., Polonsky I.A., Romanov A.E., Trusov L.I. Size effects ofdislocation stability in nanocrystals // Phys. Rev. B, 1991, Vol. 44, N1, p. 42—46.
  172. N. Louat. Nature 196, 4859, 1081 (1962.
  173. M.J. Marcinkowski. Phys. Stat. Sol. (a) 63, 1, 401 (1983). 13. K. Jagannadham, MJ. Marcinkowski. J. Mater. Sci. 15,2, 709 (1980).металлов//Электрохимия, 1991.- Т.27, вып.5.- С.589−596.
  174. А.А. Структуры, формирующиеся при электрокристаллизации ГЦК-металлов и их эволюция в температурных и силовых полях: Автореф. дисс. д-ра физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 1999 г. — 37 с.
  175. А. А. Викарчук, А. П. Воленко, М. Н. Тюрьков, О. А. Довженко Многообразие форм роста пентагональных кристаллов при электрокристаллизации меди // Вестник Самарского Государственного технического университета 2004. — № 27. — С. 111−114.
  176. А.П. «Физические основы формирования кристаллов с дисклинационными дефектами и пентагональной симметрией в процессе электрокристаллизации меди» // Дис. на соиск. уч. ст. д.ф.-м.н. Самара, 2004. 287 с.
  177. М.Н. «Особенности строения и механизмы роста пентагональных частиц и кисталлов при электрокристаллизации ГЦК-металлов» // Автореф. на соиск. уч. ст. к.т.н. Тольятти, 2007. 27 с.
  178. А. А. Викарчук, А. П. Воленко, А. Ю. Крылов, И. С. Ясников Дисклинационная модель формирования кристаллов с пятерной симметрией при электроосаждении ГЦК-металлов // Машиностроитель -2003.-№ 7.-С. 30−34.
  179. А. А. Викарчук, А. П. Воленко, И. С. Ясников Кластерно-дисклинационный механизм формирования кристаллов в электролитических покрытиях // Техника машиностроения 2003. — № 3 (43).-С. 29−33.
  180. А. А., Воленко А. П., Гамбург Ю. Д., Бондаренко С. А. О дисклинационной природе пентагональных кристаллов, формирующихся при электрокристаллизации меди // Электрохимия -2004. Т. 40, № 2. — С. 207 — 214.
  181. А. А. Викарчук, И. С. Ясников Особенности массо- и теплообмена в микро- и наночастицах, формирующихся при электрокристаллизации меди // Физика твёрдого тела. 2006. — т. 48, вып. 3. — С. 536 — 539.
  182. О.А. «Структура и механизмы формирования нитевидных пентагональных кристаллов при электрокристаллизации меди» // Дис. на соиск. уч. ст. к.ф.-м.н. Самара, 2006. 192 с.
  183. И.С. Структурообразование в малых частицах и микрокристаллах с пентагональной симметрией, формирующихся при электрокристаллизации металлов // Дис. на соиск. уч. ст. д.ф.-м.н. Тольятти, 2007.
  184. Данилов, Алексей Иванович Природа активных центров, кинетика и механизм начальных стадий электрокристаллизации меди: Дис. д-рахим. наук: 02.00.04 Москва, 2002 417 с.
  185. Г. А. Гальванопластика.М.: Машиностроение, 1987. 288 с.
  186. А.А. Викарчук, И. С. Ясников Структурообразование в наночастицах и микрокристаллах с пентагональной симметрией, формирующихся при электрокристаллизации металлов. Тольятти: ТГУ, 2006. — 206 е.: ил.
  187. В.В., Жуковский И. М. Дисклинационный механизм образования микротрещин// ФТТ, 1978, т. 20, № 6, с. 1829−1835.
  188. Я. С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. // Москва: Металлургия, 1982. 632 с.
  189. Л. Д. Современные методы исследования структуры деформированных кристаллов. // Москва: Металлургия, 1975. 320 с.
  190. ХейденрайхР. Основы просвечивающей электронной микроскопии. // Москва: Мир, 1966. 472 с.
  191. Л. М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении // Москва: Металлургия, 1973. 583 с.
  192. Электронномикроскопическое изображение дислокаций и дефектов упаковки // Под редакцией Косевича В. М. и Палатника Л. С. Москва: Наука, 1976.-223 с.
  193. Д., Ньюберн Д и др. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ В двух книгах. // Москва: Мир, 1984. -303 с.
  194. Практическая растровая электронная микроскопия // Под редакцией Д. Гоулдстэйна, X. Яковица Москва: Мир. 1978. — 231 с.- Микроанализ и растровая электронная микроскопия // Под редакцией Ф. Морис — Москва: Металлургия, 1988. — 406 с.
  195. Р. 3. Валиев, А. Н. Вергазов, В. Ю. Гецман Кристаллографический анализ межкристаллитных границ в практике электронной микроскопии. Москва: Наука, 1991. — 232 с.
  196. Ю.И. Наноматериалы и нанотехнологии // Справочник. Инж. журн. Приложение. 2006. — N 1. — С. 1−24.
  197. Р. 3. Бахтизин Сканирующая туннельная микроскопия (Соросовский образовательный журнал, том 6, № 11, 2000 г.
  198. US Pat RE37, 299 (Reissued Pat. No. 5,144,833).
  199. J. Appl. Phys. 61, 4723 (1987).
  200. Appl. Phys. Lett. 53, 2400 (1988).
  201. Phys. Rev. Lett. 57, 2403 (1986).
  202. И.С., Викарчук A.A., Воленко А. П. Термодинамические аспекты эволюции дислокационной структуры при электроосаждении ГЦК-металлов // Материаловедение, 2003.- № 1(70).- С. 10−15.
  203. А.А., Воленко А. П., Крылов, Ясников И.С. Дисклинационная модель формирования кристаллов с пятерной симметрией при электроосаждении ГЦК-металлов // Машиностроитель 2003. — № 7. -С.30−34.
  204. И.М., Золотаревский Н. Ю., Рыбин В. В. Оборванная граница как дефект дисклинационного типа. Дисклинации, дислокационное экспериментальное исследование и теоретическое описание. JL, 1982. С.104−117.
  205. М.Ю., Овидько И. А. Дефекты и механизмы пластичности в наноструктурированных и некристаллических материалах // Санкт-Петербург, 2001 г., с. 178.
  206. А.А. Викарчук, А. П. Воленко, В. В. Окулов, И. С. Ясников Дислокационно-дисклинационные структуры, формирующиеся при электрокристаллизации ГЦК-металлов //Материаловедение, 2002.- № 11(68).- С.47−53.
  207. А.А., Воленко А. П., Ясников И. С. Иерархия структур, формирующихся при электрокристаллизации ГЦК-металлов // Конденсированные среды и межфазные границы, 2002.- Т.4, № 3.- С. 215−224.
  208. Yasnikov I.S., Vikarchuk A.A., Volenko A.P., Vinogradov A.Yu. Thermodynamic aspects of structural evolution during electroplating of metals// Annales de Chimie Science des Materiaux, 2003, vol. 28. P. 117 125.
  209. Терминология, используемая для описания дислокационной и кристаллической структуры. Под ред. В. И. Владимирова: Препринт.-Свердловск, УНЦ АН СССР, 1974.- 16 с.
  210. Н.А., Козлов Э. В. Природа субструктурного упрочнения // Изв. Вузов. Физика.- 1982.-№ 8.-С.З-14.
  211. М.А. Прочность сплавов. Ч. 1. Дефекты решетки. М.: МИСиС, 1999. 384с.- 4.2. Деформация.-М.: МИСиС, 1997.527с.
  212. К. Структура и рост электролитических покрытий //' Физика тонких пленок. / Пер. с анг. М.:Мир, 1970, т.4, С. 228−302.
  213. В.В., Ковенский И. М. Образование дислокаций в электролитических осадках //Электрохимия, 1981, т. 17, № 11, С. 16 801 686.
  214. С.И. Случайные поля внутренних напряжений, создаваемые дефектами кристаллической структуры //Коллективные деформационные процессы и локальные деформации. /Под ред. Немошкаленко В. В. Киев: Наук, думка, 1989. С. 167−195.
  215. В.И., Романов. Движение диполя частичных дислокаций при пластическом деформировании //ФТТ, 1987, т.20, № 10, С.3114−3116.
  216. В.Е., Лихачев В. А., Гриняев Ю. В. Структурные уровни деформации твердых тел. Новосибирск: Наука, 1985. 229 с.
  217. Микроанализ и растровая электронная микроскопия // Под ред. Ф. Морис/Пер. с фр. М.: Металлургия, 1988. — 406 с.
  218. И.С., Викарчук А. А., Довженко О. А. К вопросу о механизмах роста нитевидных кристаллов в процессе электроосаждения меди // Материаловедение 2005. — № 10(101). — С.28−32.
  219. И.С., Викарчук А. А., Довженко О. А., Денисова Д. А., Цыбускина И. И. Образование и формирование полости в пентагональных микротрубках в процессе их эволюции кристаллизации меди // Материаловедение, 2007 № 3(118). С. 47−51.
  220. С.С., Добаткин С. В. Капуткина JI.M. Рекристаллизация металлов и сплавов. М.: МИСиС. 2005. 432с.
  221. Д.Ж. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме. //Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970., т.4, С. 167−227.
  222. .Я., Кузнецова Р. И. Исследование пористости электролитических осадков, ее влияние на долговечность. //ФТТ, 1961, т. З, С.1475−1479.
  223. И. С. Ясников, А. А. Викарчук Образование полостей в икосаэдрических частиц, формирующиеся при электрокристаллизации меди//Письма в ЖТФ 2007, т. 33, вып. 19.-С. 24−31.
  224. И. С. Ясников, А. А. Викарчук Эволюция образования и роста полости в пентагональных кристаллах электролитического происхождения // Физика твёрдого тела. 2006. — т. 48, вып. 8. — С. 1352 — 1357.
  225. А. Л., Михайлин А. И., Романов А. Е. // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции «Моделирование роста кристаллов». — Рига, Латвийский государственный университет, 1987. С. 146.
  226. V. G. Gryaznov, А. М. Kaprelov, А. Е. Romanov, I. A. Polonskii Channels of Relaxation of Elastic Stresses in Pentagonal Nanoparticles // Physica Status Solidi b 1991. — Vol. 167. — P. 441 — 450.
  227. Коллективные деформационные процессы и деформации // Лихачев В. А., Рыбин В. Е. и др. Киев. Науч. 1989. 320с.
  228. И. Р. Введение в термодинамику необратимых процессов // Ижевск: Регулярная и хаотическая динамика, 2001. 160 с.
  229. А.А., Грызунова Н. Н. Спирально-дисклинационный механизм формирования нитевидных пентгональных кристаллов в процессе электрокристаллизации // Журнал «Материаловедение», 2008, № 6, С.7−13.
  230. Н.Н., Викарчук А. А., Дорогов М. В. Особенности образования и роста металлических пентагональных нитевидных кристаллов на дефектах дисклинационного типа // Известия Самарского научного центра РАН. 2008. Выпуск 6. С.50−56.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?