Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Рентгеновские методы дифракции, рефлектометрии и фазового контраста в исследовании приповерхностных слоев

Диссертация: Рентгеновские методы дифракции, рефлектометрии и фазового контраста в исследовании приповерхностных слоев
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Автор благодарен член-корреспонденту РАН А. М. Асхабову за поддержку работы, профессору В. А. Бушуеву за научные консультации и помощь на всех этапах выполнения работы, профессору В. И. Пунегову за научные консультации по вопросам теории рассеяния рентгеновского излучения в реальных кристаллах и обсуждение результатов. Автор также признателен А. А. Ломову за помощь в приобретении… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ, РЕФЛЕКТОМЕТРИИ, ФАЗОВОГО КОНТРАСТА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия
    • 1. 3. Метод интегральных характеристик
    • 1. 4. Особенности формирования кривых трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
    • 1. 5. Влияние мозаичности образцов и дисперсии излучения на кривые трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
    • 1. 6. Диффузия в кристаллах
    • 1. 7. Рентгеновская диагностика ионной имплантации и отжига
    • 1. 8. Структурные изменения, происходящие в полупроводниковых монокристаллах при лазерным облучении
    • 1. 9. Интегральные и дифференциальные кривые рентгеновской рефлектометрии
    • 1. 10. Фазоконтрастные изображения
    • 1. 11. Исследования структуры и состава нефтяных дисперсных систем

Рентгеновские методы дифракции, рефлектометрии и фазового контраста в исследовании приповерхностных слоев (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

• i I.

2.2. Изучение зависимости изменения структуры кремния от времени термической диффузии бора. 100.

2.3. Рентгенодифрактометрические исследования импульсной лазерной диффузии бора. 109.

2.4. Секундная лазерная диффузия алюминия в кремний. 120.

2.5. Изменение решетки кремния в процессе непрерывной лазерной диффузии индия. 134.

2.6. Заключеие. 142.

ГЛАВА 3. РЕНТГЕНОДИФРАКТОМЕТРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ ИОННОГО И МИЛЛИСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ОБЛУ.

ЧЕНИЯ. 144.

3.1.

Введение

144.

3.2. Рентгенодифракционные исследования зависимости профилей деформации и аморфизации приповерхностных слоев монокристаллов кремния от дозы имплантации ионов бора 145.

3.3. Влияние изохронного отжига на структуру кристаллов кремния, облученных ионами бора. 163.

3.4. Исследование влияния лазерного отжига на структуру приповерхностных слоев кремния имплантированных ионами.

• бора. 175.

3.5. Дефекты генерируемые лазерными импульсами миллисекундной длительности. 191.

3.6. Зависимость кристаллической структуры от количества лазерных импульсов. 195 j 3.7.

Заключение

200 I.

ГЛАВА 4. РЕНТГЕНОВСКАЯ РЕФЛЕКТОМЕТРИЯ ПОВЕРХНОСТИ.

КРЕМНИЯ И ПЛЕНОК НА НЕЙ. 203.

4.1.

Введение

203.

4.2. Рефлектометрия пленок бора, полученных лазерным напылением на кремниевые подложки. 207.

4.3. Рентгеновская рефлектометрия напыленных лазером фулле-реносодержащих углеродных пленок. 217.

4.4. Исследование окисной пленки на поверхности кремния. 223.

4.5. Трансформация поверхности кремния при лазерном облучении. 229.

4.6.

Заключение

234.

ГЛАВА 5. ФАЗОКОНТРАСТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ. 235.

5.1.

Введение

235.

5.2. Рентгеновский фазовый контраст воздушного шнура, нагретого лазерным пучком. 240.

5.3. Фазоконтрастные исследования полиэтиленового капилляра с парафином. 251.

5.4. Рентгеновские фазоконтрастные исследования растворения кристаллов Nacl. 256.

5.5.

Заключение

263.

ГЛАВА 6. РЕНТГЕНОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НЕФТЯНЫХ ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ. 266.

6.1.

Введение

266.

6.2. Рентгеновская малоугловая диагностика изменения размера сложных структурных единиц нефтяной дисперсной системы в процессе воздействия миллисекундного лазерного излучения. 267.

6.3 Рентгеновская рефлектометрия нефтяных дисперсных систем. 271.

6.4. Фазоконтрастные исследования нефтяных дисперсных сис.

• тем. 275.

6.5.

Заключение

279.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ. 280.

ЛИТЕРАТУРА

283 п.

Краткая аннотация. Диссертация посвящена экспериментальному исследованию закономерностей влияния структурных искажений приповерхностных слоев монокристаллов кремния, вызванных ионной имплантацией, диффузионными процессами и лазерными импульсными воздействиями, на интенсивность рассеяния рентгеновских лучей в условиях динамической дифракцииразработке новых рефлектометрических методов определения параметров пленок на поверхностиразработке фазоконтрастных методов изучения макроструктуры аморфных материалов.

В диссертации экспериментально изучено влияние профиля деформации и дефектов на динамическую дифракцию рентгеновских лучей. Исследована зависимость трехкристальных кривых от вида и степени структурных искажений. Установлены факторы, влияющие на рассеяние рентгеновских лучей вблизи полного внешнего отражения (ПВО) пленками, напыленными миллисекундными лазерными импульсами. Найдены дифракционные условия, позволяющие решить задачу фазоконтрастных изображений слабо поглощающих материалов.

Полученные данные развивают представление о влиянии факторов, присущих реальным объектам, на дифракционные, рефлектометрические и фазоконтрастные явления, а также создают основу для расширения функциональных возможностей и создания новых методов изучения структуры кристаллических материалов, их поверхности и макроструктуры слабо поглощающих объектов.

Актуальность темы

и основные задачи исследований. Современные материалы, особенно полупроводниковые, создаются в процессе сложной технологической обработки. Физические характеристики материалов в значительной степени определяются структурой, поэтому решить задачу создания материалов с заданными свойствами помогают методы, надежно регистрирующие такие структурные изменения, как толщина деформированного слоя, профиль деформации, тип дефектов, их размер и концентрацию. Наиболее надежные и технически простые методы определения структуры кристаллических материалов основаны на анализе дифракционного рассеяния рентгеновских лучей [1−6]. Согласно динамической теории рассеяния, даже незначительное изменение структуры приводит к заметному угловому перераспределению интенсивности прошедшей и дифрагированной волн [7−12]. Экспериментально зарегистрировать это стало возможно после создания двухи трехкристальных рентгеновских дифрактометров.

Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия дает возможность исследовать дефекты кристаллической решетки. Рассеяние рентгеновских лучей дефектами получило название диффузного. Выделить диффузное рассеяние позволяет трехкристальная схема дифракции [13−18]. Анализ дифракционного отражения рентгеновских лучей кристаллами позволяет также исследовать крупномасштабный рельеф поверхности и динамически рассеивающие блоки.

Технология создания полупроводниковых приборов широко использует нанесение различными способами пленок на подложки. Поверхность пленок и особенно подложек сильно влияет на электрические свойства приборов. Геометрические и физические свойства поверхности позволяют определять методы рентгеновской рефлектометрии, основанные на измерении отражательной способности рентгеновских лучей поверхностью материала вблизи критического угла ПВО. Угловой диапазон измерений в этих методах составляет десятки угловых минут, а полуширина падающего на образец излучения измеряется угловыми секундами. Данные условия съемки накладывают жесткие требования к аппаратуре, поэтому наибольшее распространение получили рефлектометры, созданные на базе высокоразрешающих дифрактометров.

Создание высокоразрешающих дифрактометров способствовало развитию методов, основанных на преломлении рентгеновских лучей. Явление преломления рентгеновских лучей долгое время не использовалось вследствие малости углов преломления (единицы и десятые доли угловых секунд). Возможность регистрации таких углов преломления появилась с развитием техники высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Метод, позволяющий необычайно сильно увеличить контраст слабо поглощающих материалов за счет сочетания явлений преломления и дифракции рентгеновских лучей, получил название рентгеновского фазового контраста. Фазоконтраст-ные исследования открывают широкие возможности для определении внутренней макроструктуры слабо поглощающих объектов, особенно, в области медицины.

Кроме медико-биологических аморфных объектов, вызывают большой интерес и нефтяные дисперсные системы. Высокоразрешающие схемы рентгеновской дифракции позволяют комплексно изучить их структуру методами малоуглового рассеяния, рефлектометрии и фазового контраста. Исследование нефтяных дисперсных систем окажет помощь в познании процесса образования их и создания высокотехнологических методов переработки.

Из выше изложенного следует, что настоящая работа посвящена актуальной проблеме.

Цель работы состояла в развитие комплексной методики экспериментального исследования высокоразрешающими рентгеновскими дифракционными методами деформации и дефектов в приповерхностных слоях монокристаллов, определении рефлектометрическими методами геометрических и физических свойств поверхности, изучении фазоконтрастными методами границ слабо поглощающих материалов, в том числе:

1. Рентгенодифракционные исследования зависимости изменения структуры кремния от условий диффузии примеси вызванной лазерным облучением. Сравнение кристаллических структур, легированных лазерной технологией, с имплантированными ионами и полученными термической диффузией примеси.

2. Определение геометрических свойств поверхности монокристаллов кремния и пленок на ней, полученных лазерным напылением и термическим окислением.

3. Изучение макроструктуры материалов, слабо поглощающих рентгеновское излучение.

Научная новизна определяется совокупностью результатов, сформулированных в заключении диссертации. Новые основные результаты работы состоят в следующем:

1. Впервые проведены рентгенодифракционные исследования лазерной диффузии примеси из пленок в монокристаллические кремниевые подложки.

2. На основе рентгенодифракционных данных проведено сравнение зависимости измениеня структуры приповерхностных слоев монокристаллов кремния от методов легирования: ионной имплантации, лазерной и термической диффузии.

3. Предложен простой метод оценки плотности дислокационных петель на основе анализа кривых трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.

4. Впервые рентгеновскими интегральными и дифференциальными рефлектометрическими методами определена зависимость геометрических характеристик пленок бора от условий миллисекундного лазерного напыления.

5. Рентгеновскими рефлектометрическими методами исследованы пленки, полученные лазерным напылением природных углеводородных материалов, содержащих фуллерены.

6. Впервые рентгеновскими рефлектометрическими методами изучено лазерное испарение окисной пленки с поверхности кремния.

7. Впервые измерена температура воздуха внутри лазерного шнура методом фазового контраста.

8. Проведены фазоконтрастные исследования капилляров в зависимости от геометрического расположения в них слабо поглощающих аморфных веществ. Изучено локальное изменение плотности растворов в процессе растворения кристаллов.

9. Впервые исследована трансформация сложных структурных единиц нефтяных дисперсных систем в процессе миллисекундного лазерного облучения.

10. Рентгеновскими рефлектометрическими методами изучено изменение геометрических свойств поверхности высокопарафинистых нефтяных систем с течением времени.

11. Впервые фазоконтрастными методами изучена зависимость состояния высокопарафинистых нефтяных систем от температуры.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Проведение высокоразрешающих рентгеновских дифракционных исследований деформации и дефектов в приповерхностной области монокристаллов кремния, вызванных твердофазной лазерной диффузией. Изучение влияния миллисекундных лазерных импульсов на структуру кремния с примесью. Методика получения параметров стартового приближения при подгонке расчетных кривых 9−29 к экспериментальным, примененная для исследования деформированной структуры. В основе методики лежит использование интенсивности главных пиков на кривых трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.

2. Определение, рефлектометрическими методами зависимости шероховатости пленок от условий лазерного напыления в режиме свободной генерации. Использование рентгеновской рефлектометрии для контроля за качеством тугоплавких материалов напыляемых миллисекундными лазерными импульсами.

3. Рефлектометрические исследования границы между окисной пленкой и кремниевой подложкой. Изучение возможности удаления окисной пленки с поверхности кремния путем миллисекундного лазерного облучения.

4. Развитие фазоконтрастных методов исследования границ слабопо-глощающих капилляров и обнаружения органических соединений на их стенках. Разработка методики определения температуры воздуха внутри лазерного луча и локального изменения плотности растворов в процессе растворения кристаллов.

5. Экспериментальные исследования рентгеновскими методами влияния лазерных и термических воздействий на структуру высокопарафинистых нефтяных дисперсных систем. Использование импульсных лазеров для изменения размера сложных структурных единиц.

Научная и практическая значимость.

1. Результаты исследований структуры приповерхностных слоев кристаллов, легированных ионной имплантацией, лазерной и термической диффузией, могут быть использованы в технологии создания полупроводниковых материалов с заданными свойствами.

2. Экспериментально полученные данные по миллисекундному лазерному напылению окажут помощь в решении задачи получения пленок высокого качества для рентгенооптических систем.

3. Фазоконтрастные исследования демонстрируют возможность изучения медико-биологических объектов, а также процессов происходящих в газах и жидкостях.

4. Исследование структуры нефтяных дисперсных систем и влияния на них лазерного излучения может оказать помощь в понимании природы их образования и технологии уменьшения вязкости высокопарафинистой нефти.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: International meeting «Interference phenomena in X-ray scattering» (Moscow, 1995), 3-th International meeting «Х-ray topography and high resolution diffraction» (Palermo, 1996), 30-th International Geological Congres (China, 1996), II международный семинар «Минералогия и жизнь: биоминеральные взаимодействия» (Сыктывкар, 1996), I национальная конференция по применению рентгеновского и синхротронного излучений, нейтронов и электронов, РСНЭ-97 (Дубна, 1997), II Уральское кристаллографическое совещание «Кристалло-графия-98» (Сыктывкар, 1998), International meeting ХТОР 98 (Durham, Great Britain, 1998), XVIII European crystallographic meeting (Praha, 1998), II национальная конференция по применению рентгеновского и синхротронного излучений, нейтронов и электронов, РСНЭ-99 (Москва, 1999), III Международный семинар «Минералогия и жизнь: биоминеральные гомологии» (Сыктывкар. 2000), III национальная конференция по применению рентгеновского и синхротронного излучений, нейтронов и электронов, РСНЭ-2001 (Москва, 2001), Международный научный семинар «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, 2002), совещание «Рентгеновская опти-ка-2003» (Нижний Новгород, 2003), международная конференция «Углерод: минералогия, геохимия и космохимия» (Сыктывкар, 2003), IV национальная конференция по применению рентгеновского и синхротронного излучений, нейтронов и электронов, РСНЭ-03 (Москва, 2003), Международный научный семинар «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)» (Великий Новгород, 2004).

Личный вклад автора. В диссертацию вошли результаты исследований проведенных автором в Сыктывкарском государственном университете. Автором поставлены научные задачи, выбраны пути их решения и предложены методы экспериментальных исследований. Все вошедшие в диссертацию оригинальные экспериментальные результаты получены самим автором.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и основных результатов. Общий объем диссертации составляет 317 машинописных страниц, включая 224 страницы основного текста, 54 рисунка и 4 таблицы, список цитируемой литературы из 322 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.

В диссертации экспериментально изучены закономерности динамической дифракции рентгеновских лучей на кристаллах кремния содержащих искажения решетки в виде деформации и дефектов. Структура решетки менялась в процессе ионной имплантации, термической и лазерной диффузии, а также термического и лазерного отжига. Установлена зависимость типа дефектов, их концентрации и размера от параметров перечисленных условий воздействия на структуру кремния.

Методами рентгеновской рефлектометрии исследована зависимость шероховатости пленок и их толщины от условий напыления миллисекунд-ными лазерными импульсами. Приведено изменение шероховатости поверхности монокристаллов кремния при лазерном испарении окисной пленки и лазерном облучении чистой поверхности.

Полученные результаты фазоконтрастных исследований открывают широкие возможности в исследовании слабо поглощающих объектов. Фазо-контрастные методы позволяют исследовать границы углеводородных материалов, а также определять ряд физических характеристик воздушных областей.

Проведенные комплексные рентгеновские исследования нефтяных дисперсных систем показали новые возможности методов, использующих высокоразрешающие схемы дифракции.

Полученные данные развивают представление о механизмах дифракции рентгеновских лучей в неидеальных кристаллах, а также создают основу для расширения функциональных возможностей существующих и создания новых методов, использующих высокоразрешающие схемы дифракции.

Наиболее существенными результатами работы являются следующие:

1. Впервые рентгенодифрактометрическими методами исследована диффузия примеси, стимулируемая лазерными импульсами. Обнаружена зависимость профиля деформации кристаллической решетки от длительности лазерных импульсов. Предложена методика определения размеров и плотности дислокационных петель.

2. Экспериментально установлено, что для корректного рентгенодиф-рактометрического определения параметров диффузионных и ион-но-имплантированных слоев следует использовать интенсивность главных пиков трехкристальных кривых.

3. Экспериментально показано образование динамически рассеивающих блоков мозаики в монокристаллах, при миллисекундном лазерном облучении. Предложена методика определения размера блоков. Исследована возможность последовательного сочетания термического отжига, ионно-имплантированных кристаллов, с миллисе-кундным лазерным облучением.

4. Рентгенорефлектометрическими методами установлена зависимость шероховатости и толщины пленок от геометрии напыления милли-секундными лазерными импульсами. Приведена методика определения среднеквадратичной высоты шероховатости и длины корреляции путем сравнения экспериментальных дифференциальных кривых рентгеновской рефлектометрии с расчетными. Методика основана на том, что зеркальный пик зависит только от среднеквадратичной высоты шероховатости, а пик Юнеды зависит, как от среднеквадратичной высоты шероховатости, так и длины корреляции.

5. Исследовано удаление окисной пленки с поверхности кремния, путем облучения миллисекундными лазерными импульсами. Построен профиль плотности на границе окисной пленки с кремниевой подложкой.

6. Фазоконтрастым методом изучена возможность локализации органический соединений на стенках слабо поглощающих капилляров. Установлен новый дистанционный метод определения температуры воздуха внутри лазерного луча и изменения плотности раствора вблизи растворяемого кристалла.

7. Впервые зафиксировано изменение размера сложных структурных единиц нефтяных дисперсных систем при миллисекундным облучение рубиновым лазером. Рентгенорефлектометрическими и фазо-контрастными методами исследовано изменение поверхности высо-копарафинистых нефтяных дисперсных систем в процессе релаксации, после термического выведения их из состояния равновесия.

Автор благодарен член-корреспонденту РАН А. М. Асхабову за поддержку работы, профессору В. А. Бушуеву за научные консультации и помощь на всех этапах выполнения работы, профессору В. И. Пунегову за научные консультации по вопросам теории рассеяния рентгеновского излучения в реальных кристаллах и обсуждение результатов. Автор также признателен А. А. Ломову за помощь в приобретении высокоразрешающего рентгеновского дифракционного оборудования, всем преподавателям и сотрудникам физического факультета Сыктывкарского государственного университета за помощь и сотрудничество.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. — М.: ИЛ, 1950. 567 с.
  2. В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. -М.: МГУ, 1978.278 с.
  3. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.: Наука, 1982. 392с.
  4. A.M., Александров П. А., Имамов Р. И. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989. 152 с.
  5. В.А., Кютт Р. Н., Хапачев Ю. П. Физические принципы рентгено-дифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок. Нальчик.: К-Б университет, 1996. 180 с.
  6. Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. СПб.: Наука, 2002. 274 с.
  7. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion//Acta Cryst. 1962. V.15.№ 12. P. 1311−1312.
  8. Taupin D. Theorie dynamique de la diffraction des rayons X par les cristaux de-formes // Bull. Soc. Franc. Miner. Crist. 1964. V.87. № 3. P. 469−511.
  9. Под ред. A.M. Елистратова. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. 351 с.
  10. Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin L.M. Strain profils in Ion-doped silicon obtained from X-ray rocking curves // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V. 60. № 2. P. 381−389.
  11. B.A. Статистическая динамическая теория дифракции рентгеновских лучей в несовершенных кристаллах с учетом углового распределения интенсивностей // Кристаллография. 1989. Т. 34. В.2. С. 279−287.
  12. Pavlov К.М., Punegov V.I. The equatios of statistics dinamical theory of X-ray diffraction for deformed crystals // Acta Cryst. 1998. V. A54. № 1. P.214−218.
  13. P.H. Идентификация поверхностных и объемных дефектов по интенсивности диффузного рассеяния // ЖТФ. 1987. Т. 37. В. 11. С. 178−180.
  14. А.А., Казимиров А. Ю., Завьялова А. А. Влияние длины волны на формирование спектров в трехкристальной рентгеновской дифрактометрии почти совершенных кристаллов // Кристаллография. 1984. Т. 29. В. 1. С. 177 178.
  15. И.Л. Рентгеновская дифракционная топография.: Этапы и тенденции развития // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. № 4. С. 3−18.
  16. Pavlov К., Jamieson I., Jakovidis G., Petrakov A., Punegov V. Sulphur-passivated GaAs investigation using high resolution x-ray diffractometry. // Surface Review and Letters. 2003. V.10. № 2&3. P.533−536.
  17. P.H., Ратников B.B. Наблюдение динамических эффектов в диффузном рассеянии при Лауэ-дифракции рентгеновских лучей //Металлофизика. 1985. Т. 7. № 1. С. 36−41.
  18. П.А., Афанасьев A.M., Мелконян М. К. Теория рассеяния рентгеновских лучей кристаллом с дефектами поверхности //Кристаллография. 1981. Т. 26. В. 6. С. 1275−1281.
  19. А.Г. Модель мозаичного кристалла с динамически рассеивающими блоками//Кристаллография. 1991. Т. 36. В. 5. С. 1102−1108.
  20. Nemiroff М., Speriosu V.S. X-ray study of low-temperature annealed arsenic-implanted silicon//J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 10. P. 3735−3738.
  21. B.A. Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем //ФТТ. 1989. Т. 31. В. 11. С. 70−78.
  22. Iida A., Kohra К. Separate measurements of dynamical and kinematical X-ray difractions from silicon crystals with a triple crystal diffractometer // Phys. Stat. Sol. (a), 1979. V. 51. № 2. P. 533−542.
  23. А.Ю., Ковальчук M.B., Кон В.Г. Усиление псевдопика в спектрах трехкристальной рентгеновской дифрактометрии за счет теплового диффузного рассеяния // Кристаллография. 1987. Т. 32. В. 6. С. 1360−1364.
  24. А.А., Шитов Н. В., Бушуев В. А., Баранов А. И. Структурный фазовый переход в приповерхностном слое монокристаллов дейтеросульфата цезия // Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 55. В. 5. С.297−300.
  25. Iida A. Applications of X-ray triple crystal diffractometry to studies on the diffusion-induced defects in silicon crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1979. V. 54. № 2. P. 701−706.
  26. B.B., Сорокин Л. М. Экспериментальное наблюдение динамических эффектов при диффузном рассеянии рентгеновских лучей // ФТТ. 1984. Т. 26. В. 11. С.3445−3447.
  27. Dederichs Р.Н. Diffuse scattering from defect clusters near Bragg reflections. //Phys. Rev. B. 1971. V. 4. № 4. P. 1041−1050.
  28. Dederichs P.H. Dynamical scattering theory for crystals with point defects
  29. Phys. Stat. Sol. (a). 1967. V. 23. № 1. P. 377−386.
  30. M.A. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев: Наук, думка, 1983. 407 с.
  31. Dederichs Р.Н. Effect of defect clustering on anomalous X-ray transmission //Phys. Rev. B. 1970. V. l.№ 4. P. 1306−1317.
  32. Dederichs P.H. The theory of diffuse X-ray scattering and application to the study of point defects and heir clusters // J. Phys. F. 1973. V. 3. № 2. P. 471−496.
  33. Э.К., Бублик B.T., Постолов В.Г. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей микродефектами в кремнии, полученном по методу Чохральского
  34. ФТТ. 1985. Т. 27. В. 4. С. 1246−1248.
  35. Э.К., Ратников В. В., Сорокин Л. М. Исследование дефектов распада в кристаллах германия, легированных мышьяком, методом трехкристаль-ного спектрометра//ФТТ. 1981. Т. 23. В. 6. С. 1626−1629.
  36. Э.К., Ратников В. В., Сорокин Л. М. Распределение диффузного рассеяния в близи брэгговских отражений и его особенности при дифракции рентгеновских лучей монокристаллами Ge с примесью As // ФТТ. 1984. Т. 26.1. В.7. С. 2155−2158.
  37. Э.К., Ратников В. В., Мосина Г. Н. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на дефектах в монокристаллах германий-литий // ФТТ. 1986. Т. 28. В. 12. С. 3734−3736.
  38. П.А., Афанасьев A.M. Диффузные пики от объемных дефектов в методе трехкристального рентгеновского спектрометра //Кристаллография. 1984. Т. 29. В. 5. С. 1019−1021.
  39. Р.Н. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристаллах с дислокациями //Кристаллография. 1988. Т. 33. № 4. С. 827−830.
  40. Н.М. Интегральные характеристики дифракции рентгеновских лучей в монокристаллах с хаотическим распределением дислокаций //Металлофизика. 1986. Т. 8. № 1. С. 48−53.
  41. А.А., Бушуев В. А., Караванский В. А. Исследование шероховатостей поверхности и границ раздела пористого кремния высокоразрешающими рентгеновскими методами // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 5. С. 915 920.
  42. A.M., Kovalchuk M.V., Kovev E.K., Kohn V.G. // Phys. st. sol. (a). 1977. V. 42. № 1. P. 415−422.
  43. Kohn V.G., Kovalchuk M.V., Imamov R.M., Lobanovich E.F. The method of integral characteristics in diffraction studies of the surface layers of single crystals //Phys. st. sol. (a). 1981. V. 64. № 2. P. 435−442.
  44. В.А., Петраков А. П. Исследование влияния лазерного отжига на структуру приповерхностных слоев ионно-имплантированного кремния методом рентгеновской дифрактометрии // ФТТ. 1993. Т. 35. № 2. С. 355−364.
  45. В.А., Петраков А. П. Особенности формирования спектров трехкристальной рентгеновской дифрактометрии. Методические указания. -Сыктывкар: ИПО СыктГУ. 1997. 18 с.
  46. В.А., Петраков А. П. Влияние мозаичности на спектры трехкристальной рентгеновской дифрактометрии. Монография. Ультрадисперсное состояние минерального вещества. Сыктывкар: Геопринт. 2000. С. 147−159.
  47. А.П. Диффузионное и ионное легирование полупроводников. Методические указания. Сыктывкар: СыктГУ. 1998. 19 с.
  48. П. Диффузия в твердых телах. М.: Металлургия. 1966. 227 с.
  49. Шоу Д. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир. 1975. 684 с.
  50. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. 1990. 216 с.
  51. Ф.Ф., Новиков А. П., Соловьёв B.C., Ширяев С. Ю. Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии. Минск.: БГУ, 1990. 319 с.
  52. В.Е. Твёрдофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Минск.: Наука и техника, 1992. 248 с.
  53. А.П., Голубев Е. А. Рентгенодифрактометрические исследования изменений структуры приповерхностных слоев кремния в процессе лазерной диффузии бора // ФТТ. 1998. Т. 40. № 1. С. 156−160.
  54. А.П., Шилов С. В., Зайнуллин Г. Г. Рентгенодифрактометриче-ские исследования зависимости изменения структуры кремния от времени термической диффузии бора // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 6. С. 10 971 101.
  55. А.П., Голубев Е. А. Рентгеновская рефлектометрия фуллерено-содержащих углеродных пленок // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. № 9. С. 15−16.
  56. Parratt L.G. Surface studies of solids by total reflection of X-rays // Phys. Rev. 1954. V. 95. P. 359−369.
  57. Fukuhara A., Takano Y. Asymmetra X-ray Bragg reflexion and shallow strain distribution in silicon single crystals // J. Appl. Crystallogr. 1978. V. 10. № 10. P. 287−290.
  58. Fukuhara A., Takano Y. Deyermination of strain distribution from x-ray Bragg reflexion by silicon single crystals // Acta Crystallogr. 1977. V. A33. № 1. P. 137 142.
  59. Holy V., Kubena J. X-ray rocking curves on inhomogeneous surface layers on Si single crystals // Czech. J. Phys. B. 1979. V. 29. № 10. P. 1161−1172.
  60. O.B., Кютт P.H., Алкснис Г. Г. Деформация решетки в слоях кремния, высоколегированных фосфором // ФТТ. 1980. Т. 22. В. 10. С. 28 922 896.
  61. И.Н. Изменение периода кристаллической решетки кремния, вызываемые диффузией бора, мышьяка и сурьмы // ДАН СССР. 1975. Т. 221. № 2. С. 332−334.
  62. П.В., Баранов А. С. Дефекты, возникающие в кремнии при селективном легировании. В кн.: Труды второго всесоюзного совещания по диффузии в полупроводники. Горький. 1969. С. 99−107.
  63. В.Т., Хохлов А. Ф., Павлов П. В., Зорин Е. И. Влияние радиационных дефектов на диффузию примеси в кремний // ФТТ. 1977. Т. 11. В. 10. С.1871−1873.
  64. Young R.T., Narayan J. Laser annealing of diffusion-induced imperfections in silicon //Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. № 1. P. 14−17.
  65. Batterman B.W. X-ray integrated intensity of germanium effect of dislocations and chemical imparities // J.Appl. Phys. 1959. V. 30. № 4. P. 508−513.
  66. Patel J.R., Wagner R.S., Moss S. X-ray investigation of the perfection of silicon // Acta Metallyrg. 1968. V. 10. № 9. P. 759−764.
  67. А.П., Тихонов H.A. Изменение субструктуры кристаллов граната при лазерном облучении. Межвузовский сб. «Химия и физика твёрдого тела». Деп. НИИТЭХИУШ1161. хп-Д83. 1983. с. 52−57.
  68. В.И., Павлов A.M. Лазерная имплантация примесей в кремний // ФТП. 1983. Т. 17. В. 5. С. 854−858.
  69. В.И., Павлов A.M., Агеев А. П., Аронов А. Ш. Электрические и фотоэлектрические свойства лазерно-имплантированных структур // ФТП. 1986. Т. 20. В. 12. С. 2140−2144.
  70. С.Г. Модификация полупроводников лазерными импульсами мил-лисекундного и секундного диапазонов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1989 Т. 53. №З.С.417−423.
  71. В.И., Павлов A.M., Леваднюк Э. Н., Михайлов В. И. Состояние ла-зерно-имплантированного кремния на границе Si-Al // ФТП. 1991. Т. 25. В. 12. С. 124−127.
  72. Petrakov A.P. X-ray diffractometri study of laser diffusion of A1 in Si. Abstracts. Int. meeting. Interference phenomena in X-ray scattering. Moscow. 1995. P. 26.
  73. Petrakov A.P. X-ray diagnosis of laser diffusion of alluminium intu silicon. -Abstracts. 3-th Int. meeting. X-ray topography and high resolution diffraction. Palermo. 1996. P. 125.
  74. А.П., Бушуев B.A., Рентгенодифрактометрическая диагностика лазерной диффузии алюминия в кремний. В кн.: Тезисы национальной конференции по применению рентгеновского и синхротронного излучений, нейтронов и электронов. Дубна. 1997. С. 379.
  75. Petrakov A.P. X-ray Diagnosis of Laser Diffusion of Copper into Silicon. Int. meeting. XTOP 98, Durham, Great Britan. 1998 r. P. 54.
  76. В.А., Петраков А. П. Рентгенодифрактометрическая диагностика лазерной диффузии алюминия в кремний // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 5. С. 28−37
  77. А.П. Рентгеновская высокоразрешающая дифрактометрия лазерной диффузии примеси в кремний. В кн.: Тезисы III национальной конференции по применению рентгеновского и синхротронного излучений, нейтронов и электронов. Москва. 2001. С. 259.
  78. А.П. Рентгенодифрактометрическая диагностика лазерной диффузии индия в кремний // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. №. 8 С. 49−52.
  79. Антонов C. JL, Мананенков А. А., Михайлова Г. Н. и др. Селективное лазерное легирование кремния. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1991. № 5. С. 151−153.
  80. Narayan J., Young R.T., Wood R.F. P-n junction formation in boron deposited silicon by laser-induced diffusion // Appl.Phys.Lett. 1979. V. 33. № 4. P. 338−340.
  81. A.K., Фистуль В. И. Миграция примесей в арсениде галлия при лазерной имплантации. В кн.: Свойства легированных полупроводниковых материалов. Ин-т металлургии. 1990. С. 120−124.
  82. V.Holy, J.Kubena. X-ray rocking curves on inhomogeneous surface layers on Si single crystals. II Implanted layers // Czech. J. Phys. 1982. V. В 32. № 7. P. 750−766.
  83. А.П. Физика ядра и элементарных частиц. Методические указания. -Сыктывкар: СыктГУ. 1997. 15 с.
  84. В.А., Петраков А. П. Рентгеновская дифрактометрия изменений структуры приповерхностных слоёв ионноимплантированного кремния после импульсного лазерного отжига // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 8. С. 77−81.
  85. А.П., Тихонов Н.А.Рентгеновская дифрактометрия имплантированных бором монокристаллов кремния (низкие дозы). В кн.: Вторая годичная сессия Учёного Совета Сыкт.ГУ. Секция физика и электроника. 1995. С. 3−5.
  86. А.П., Тихонов Н. А. Рентгеновская дифрактометрия имплантированных бором монокристаллов кремния (средние дозы). В кн.: Вторая годичная сессия Учёного Совета Сыкт.ГУ. Секция физика и электроника. 1995. С.5−7.
  87. Petrakov А.Р., Tikhonov N.A., Shilov S.V., Shirocov A.V. Double-and triple-cristal X-ray diffractometry of boron-doped thermally annealed silicon monocrystals. Abstracts. Int. meeting. Interference phenomena in X-ray scattering. Moscow. 1995. P. 32.
  88. B.A., Петраков А. П. Влияние изохронного отжига на структуру кристаллов кремния, облучённых ионами бора // Кристаллография. 1995. Т. 40. № 6. С. 1050- 1055.
  89. Petrakov A.P.X-ray studies of boron implanted silicon crystals after laser recristallisation. Abstracts. 30-th International Geological Congres. China. 1996. P. 458.
  90. А.П., Тихонов Н. А., Шилов С. В. Анализ структурных нарушений имплантированных бором монокристаллов кремния по результатам двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии // ЖТФ. 1998. Т. 68. № 6. С. 91−96.
  91. В.Е., Ковальчук М. В., Ковьев Э.К, Палапис В. Е. Дифракция рентгеновских лучей на кристаллах кремния, облученных ионами бора //Кристаллография. 1977. Т. 22. В. 1. С. 144−148.
  92. Speriosu V.S., Glass Н.В., Kobagashi Т. X-ray determination of strain and damage distributions in ion-implanted layers // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. № 9. P. 539−542.
  93. P.H. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристаллах кремния легированных ионами бора // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1. В. 18. С. 839−843.
  94. B.C. Некоторые физические аспекты ионной имплантации // УФН. 1985. С.329−357.
  95. И.Н. Деформация кристаллической решетки кремния, вызванная, бомбардировкой ионами бора и кислорода // ДАН СССР. 1975. Т. 225. № 3. С.621−623.
  96. Zaumseil P., Winter U., Galler R. X-ray triple-crystal diffractometer investigation of arsenic implanted silicon after pulsed laser irradiation // Cryst. Res. Technol. 1984. V. 19. № 5. P. 633−641.
  97. В.Н., Суходрева И. М., Черюканова Л. Д. Профили деформации в имплантированных слоях арсенида галлия // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1983. № 4. С. 9094.
  98. Servidori М., Cembali F. Accuracy in X ray rocking-curve anulysis as a neas-sury requerement for revealing vacancies and interstitial in regcower silicon layers amorphized by ion implantation//J. Appl. Cryst. 1988. V. 21. № 2. P. 176−181.
  99. Zaumseil P. On the increased sensitivity of X-ray rocking curve measurments by triple-crystal diffractometry // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V. 91. № 1. P. K31-K33.
  100. Zaumseil P., Winter U. Characterization of boron implanted silicon by X-ray triple crystal diffractometry // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. V. 120. № 1. P. 67−75.
  101. А.Ю., Ковальчук M.B., Кон В.Г. О возможностях методов двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии в исследовании структуры разупорядоченных поверхностных слоев монокристаллов // Металлофизика. 1987. Т. 9. № 4. С. 54−58.
  102. А.Ю., Ковальчук М. В., Чуховский Ф. Н. Высокоразрешающая трехкристальная рентгеновская дифрактометрия // Кристаллография. 1987. Т. 32.B.3.C. 776−778.
  103. Zaumseil P., Winter U., Cembali, et. al. Determination of dislocation loop size and density in ion implanted and annealed silicon by simulation of triple crystal X-ray rocking curve // Phys. Stat. Sol. (a). 1987. V. 100. № 1. P. 95−104.
  104. Cembali F., Servidori M., Zani A. Double crystal X ray diffraction analysis of low-temperature ion implanted silicon // Solid-State Electrons. 1985. V.28. № 9. P. 933−943.
  105. Hu S.M. Defects in silicon substrates // J. Vac. Sci. Technol. 1977. V. 14. № l.P. 17−31.
  106. Patel J.R. X-ray diffuse scattering from silicon centaming oxygen clasters // J. Appl. Cryst. 1977. V. 14. № 1. P. 17−31.
  107. Bertolotti M., Vitali G, Rimini E., Foti G. Structure transitions in amorphous silicon under laser irradiation // J.Appl.Phys. 1979. V. 50. № 1. P. 259−265.
  108. A.B., Качурин Г. А., Нидаев E.B., Смирнов Jl.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука. 1982. 208 с.
  109. Г. А., Нидаев Е. В. Лазерный отжиг точечных дефектов в кремнии и арсениде галлия // ФТП. 1980. Т. 14. В. 3. С. 424−427.
  110. Л.Н., Нидаев Е. В., Васильев А. Л. Дефекты в приповерхностном слое кремния, образующиеся при импульсном лазерном облучении // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 9. С. 838−842.
  111. В.А., Ивлев Г. Д., Жидков В. В. Малевич В.Л. Пирометрическое измерение температуры кремния при наносекундном лазерном отжиге // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 10. С. 594−842.
  112. Battugl G., Detta Месс G., Deigo A.V. et. al Two stage laser annealing of lattice disorder on phosphorus implanted silicon // Phys.Stat.Sol. (a) 1978. V. 49. № 1.P. 347−352.
  113. Г. А., Нидаев E.B. О диффузии примеси при лазерном отжиге имплантированных слоев// ФТП. 1976. Т. 10. В. 1. С. 139−140.
  114. Berc P., Campasono S.U., Foti G., Rimini E. Arsenit diffusion in silicon melted by high-power nanosecond laser pulsing // Appl.Phys.Lett. 1978. V. 33. № 2. P. 137−140.
  115. Young R.T., White C.W., Clark G.J. et.al. Laser annealing of boron implanted silicon//Appl.Phys.Lett. 1978. V. 32. № 3. P. 139−141.
  116. Г. А., Нидаев E.B. Об эффективности отжига имплантированных слоев миллисекундными лазерными импульсами // ФТП. 1977. Т. 11. В. 10. С. 2012−2014.
  117. А.Х., Герасименко Н. Н., Двуреченский А. В. и др. Распределение внедренной в кремний примеси после лазерного отжига // ФТП. 1976. Т. 10. В. 1.С. 141−143.
  118. Larson B.C., Barhorst J.F. X-ray study of lattice strain in boron implanted laser annealed silicon//J.Appl.Phys. 1980. V. 51. № 6. P. 3181−3185.
  119. Larson B.C., White C.W., Appleton B.R. Unidirectional contruction in boron -implanted laser annealed silicon // Appl.Phys.Lett. 1978. V. 32. № 12. P. 801−805.
  120. Servidori M., Dal Monte C., Zani R. Double crystal x-ray analysis of phosphorus precipitation in supersaturated Si-P solid solutions // Phys.Stat.Sol. (a). 1983. V. 80. № l.P. 277−285.
  121. Servidori M., Zani R., Garulli G. Residual lattice disorder in self-implanted silicon after pulsed laser irradiation // Phys.Stat.Sol. (a). 1982. V. 70. № 2. P. 681 701.
  122. .И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1961. 462 с.
  123. Дж. Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир. 1974. 468 с.
  124. В.И., Кашкаров П. К. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1990. № 2. С. 77−85.
  125. С.Г., Пляцко Г. В., Мойса., Паливода И. П. Сплавление полупроводников с помощью лазерного излучения и формирование гетеропереходов //ФТП. 1980. Т. 14. В. 7. С. 1430−1432.
  126. В.Д., Манойло М. А., Матвийчук А. С., и др. Ионизационно-стимулированная перестройка дефектов в кремнии // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 22. С. 2017−2021.
  127. Ю.П., Янущкевич В. А. Накопление дефектов в полупроводниковых материалах при лазерном воздействии // ФТП. 1980. Т. 14. В. 3. С. 534−538.
  128. А.В., Пристрем A.M., Данилович Н. И., Лабунов В. А. Локальное плавление кремния лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1987. № 12. С. 89−96.
  129. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., Южанин А. Г. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов // Укр.физ.журн. 1987. Т. 32. № 7. С. 10 791 083.
  130. Collis A.G., Weber Н.С., Bailey P. A device for laser beam diffusion and homogenisation //J.Phys. E. 1979. V. 12. № 8. P. 688−689.
  131. В.В. Неустойчивость температуры при однородном нагреве полупроводников импульсным длинноволновым излучением // ФТТ. 1984. Т. 26.В.7. С. 2230−2231.
  132. А.И., Рембеза С. И., Логинов В. А. Поверхностное плавление кремния при импульсном нагреве // Поверхность. Рентгеновские, синхро-тронные и нейтронные исследования. 1990. № 9. С. 47−52.
  133. А.И., Рембеза С. И., Логинов В. А. Влияние дефектов поверхности на особенности локального плавления кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1989. № 9. С. 149−151.
  134. Я.В., Хайбуллин И. В., Баязатов P.M. и др. Анизотропное локальное плавление монокристаллического кремния импульсами некогерентного света // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1989. № 11. С. 61−69.
  135. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., и др. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // ДАН УССР. Сер.А. 1987. № 5. С. 61−65.
  136. С.А., Данилович Н. И., Демчук А. В. и др. Динамика перекристаллизации кремниевых слоев импульсным лазерным излучением миллисе-кундной длительности // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1988. № 1. С. 115−123.
  137. В.П., Дорофеев И. А., Имас Я. А. Образование периодических структур на поверхности кремния под действием импульсного неодимового лазера миллисекундной длительности // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. № 1. С. 15−20.
  138. В.П., Имас Я. А., Либенсон М. Н. и др. Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1985. Т.49. № 6. С. 12 361 239.
  139. В.И., Сумбатов А. А. Кристаллизационно-деформациннно-тепловая неустойчивость и образование упорядоченных структур при лазерной кристаллизации // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1988. № 7. С. 122−131.
  140. И.А., Базикуца П. В., Масленников В. Л. и др. Периодический микрорельеф на поверхности Ge и теплофизические механизмы его образования // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1985. Т. 49. № 6. С. 1224−1228.
  141. А.В., Лабунов В. А. Перекристаллизация кремниевых слоев с неоднородным рельефом поверхности лазерным излучением наносекундной длительности // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1990. № 6. С. 87−92.
  142. А.А., Лукошкин В. А., Гриин В. А., Яковлев Д. Г. Термокапиляр-ные явления и образование рельефа поверхности под воздействием пикосе-кундных лазерных импульсов // ЖТФ. 1988. Т. 58. В. 5. С. 908−914.
  143. Г. Д., Баязитов P.M., Гайдук П. И. и др. Модифицирование имплантированных слоев кремния моноимпульсным воздействием лазерногоизлучения // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1990. № 1. С. 65−71.
  144. Г. В., Кияк С. Г., Гафийчук В. В., Нарольский А. Ф. Кинетика процессов нагрева полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения // Укр.физ.журн. 1985. Т. 30. С. 260−263.
  145. В.В., Кияк С. Г., Савицкий Г. В. Динамика нагрева, плавления и перекристаллизации полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1985. Т. 49. № 4. С. 769−772.
  146. В.В., Кияк С. Г., Пляцко Г. В. Неустойчивость фронта кристаллизации при лазерной эпитаксии полупроводников // Укр.физ. журн. 1984. Т. 29. С. 1066−1070.
  147. С.Г., Пляцко Г. В., Мойса М. И., Паливода И. П. Сплавление полупроводников с помощью лазерного излучения и формирование гетеропереходов // ФТП. 1980. Т. 14. В. 7. С. 1090−1095.
  148. Г. А., Ловягин Р. Н., Нидаев Е. В., Романов С. И. Эпитаксиальная кристаллизация слоев GaP на Si наносекундными лазерными импульсами // ФТП. 1980. Т. 14. В. 3. С. 460−463.
  149. К.К., Дмитриев А. Г. Эволюция барьерного контакта GaAsNi в омический при воздействии лазерного излучения // ФТП. 1990. Т. 24. В. И. С. 2024−2028.
  150. Т.А., Винцену С. В., Любченко В. Е., Юневич Е. О. Формирование омических контактов в тонкопленочной структуре (Au-Ge)/GaAs под многократным воздействием лазерных импульсов // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. № 1.С. 15−20.
  151. B.C., Кекелидзе., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники.-М.: Наука. 1988. 191 с.
  152. Н.Г., Дмитриев А. Г., Уханов Ю. И. Краевое поглощение GaAs, модифицированного лазерным излучением // ФТП. 1991. Т. 25. В. 1.С. 168−169.
  153. Г. В., Савицкий В. Г., Луцив Р. В. и др. Инверсия типа проводимости в сплавах n-Cd х Hg i.x Те при воздействии импульсного лазерного излучения // ДАН УССР. Сер.А. 1978. В. 7. С. 645−647.
  154. К.Д., Пляцко Г. В., Орлецкий В. В. и др. Особенности взаимодействия мощного лазерного излучения с твердым раствором Pbo.83Sno.17Te // Укр.физ.журн. 1976. Т. 21. № 4. С. 531−534.
  155. Ю.Г., Билинский Ю. М., Барисова С. С., Кияк С. Г. Воздействие импульсного лазерного излучения на свойства нитевидных кристаллов ZnTe //Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 4. С. 570−572.
  156. С.Г., Савицкий Г. В. Формирование р-п переходов на p-Ge милли-секундными импульсами лазерного излучения // ФТП. 1984. Т. 18. В. 11. С. 1958−1962.
  157. С.Г. Изменение физических свойств и структуры полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // Изв. АН СССР. 1982. Т. 46. № 6. С. 1090−1096.
  158. И.Ф., Лисаченко А. А. Закономерности лазерной десорбции кислорода с оксидных полупроводников и диэлектриков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1989. № 7. С. 150−152.
  159. В.Н., Марков В. П., Петраков А. П., Тихонов Н. А. Лазерный отжиг галенита и магнетита. В кн.: Труды Коми филиала АН СССР 1985. В. 51. С. 32−39.
  160. М.А., Борисова С. Ф., Степанов С. А. Исследования поверхности методом полного отражения излучения рентгеновского диапазона // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1985. № 4. С. 5−26.
  161. С.В. К определению толщины пленочных покрытий методом рентгеновской рефлектометрии // ПТЭ. 1994. № 1. С.203−207.
  162. В.А., Елисеенко Л. Г., Достовалов В. Н. Роль промежуточных прослоек в рентгеновской интерференции от тонких слоев // Оптика и спектроскопия. 1982. Т. 53. В. 3. С. 546−548.
  163. Sinha S.K., Sirota Е.В., Garoff S., Stanley H.B. X-ray and neutron scattering from rough surfaces // Phys.Rev.B. 1988. V. 38. № 4. P. 2297−2311.
  164. Holy V., Baumbach T. Nonspecular x-ray reflection from rough multilayers //Phys.Rev.B. 1994. V. 49. № 15. P. 10 668−10 676.
  165. Darhuber A.A., Schittenhelm P., Holy V., Stangl J., Bauer G., Abstreitre G. High-resolution x-ray diffraction from multilayered self-assembled Ge dots // Phys.Rev. B. 1997. V. 55. № 23. P. 15 652−15 663.
  166. A.B. Рентгеновская оптика поверхности // УФН. 1985. Т. 145. В. 1.С. 113−136.
  167. Э.К., Матвеев Ю. А. Наблюдение поверхностных волн в условиях полного внешнего отражения рентгеновских лучей // ФТТ. 1981. Т. 23. В. 2. С. 587−589.
  168. П.В., Ковьев Э. К., Чуховский Ф. Н., Дегтярев Ю. Л. Малоугловое рассеяние при отражении рентгеновских лучей от поверхности твердого тела // ФТТ. 1983. Т. 25. В. 4. С. 1211−1214.
  169. Л.А., Сотникова Т. Д., Анохин С. Б., Тайбин Б. З. О полном внешнем отражении рентгеновских лучей от шероховатой поверхности // Оптика и спектроскопия. 1979. Т. 46. В. 3. С. 593−598.
  170. Л.А., Анохин С. Б. Интерпретация кривых полного внешнего отражения рентгеновских лучей от поверхности напыленных в вакууме металлических пленок // Оптика и спектроскопия. 1980. Т. 48. В. 3. С. 574−577.
  171. .М., Синайский В. М., Сиденко В. И. Об эффекте аномального отражения рентгеновских лучей // ФТТ. 1972. Т. 14. В. 2. С. 409−412.
  172. С.Р., Саркисов Э. Р. Наблюдение не зеркальной компоненты в сверхмалоугловом рентгеновском рассеянии от гладкой поверхности и тонкой пленки // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 16. С. 87−90.
  173. Е.О., Благовещенская Т. А. Эффект Ионеды в области ультрамягкого рентгеновского излучения // ФТТ. 1991. Т. 33. № 8. С. 2321−2325.
  174. Ю.М., Дехер Г. Сборка мультислойных упорядоченных пленок посредством чередующейся адсорбции противоположно заряженных макромолекул // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 4. С. 696−716.
  175. И.И., Коновалов О. В., Фейгин Л. А., Щедрин Б. М., Янусова Л. Г. Обработка данных рефлектометрического эксперимента в пакете программ REFLAN // Кристаллография. 1999. Т. 44. № 2. С. 347−355.
  176. О.В., Самойленко И. И., Фейгин Л. А., Щедрин Б. М., Янусова Л. Г. Статистическое обоснование параметризации модели в рефлектометрии // Кристаллография. 1999. Т. 44. № 2. С. 356−360.
  177. P.JI., Степина Н. Д., Беляев В. В., Хургин Ю. И. Рентгеновское рефлектометрнческое исследование самоорганизации упорядоченных пленок лизоцима//Кристаллография. 1996. Т. 41. № 1.С. 156−161.
  178. В.В., Толстихина А. Л., Степина Н. Д., Кающина Р. Л. Строение упорядоченных полиэлектролитных пленок по данным атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии // Кристаллография. 1998. Т. 43. № 1.С. 134−138.
  179. В.В., Валиев К. А., Имамов P.M. Сравнительные измерения шероховатости подложек рентгеновских зеркал методами рентгеновской рефлектометрии и сканирующей зондовой микроскопии // Кристаллография. 1997. Т. 42. № 4. С. 747−754.
  180. Cowley R.A., Ryan T.W. X-ray scattering studies of thin films and surfaces: thermal oxides on silicon // J.Phys. D: Appl.Phys. 1987. V.20. № 1. P.61−68.
  181. Weber W., Lengeler B. Diffuse scattering of hard x rays from rough surface. // Phys.Rev. B. 1992. № 12. P. 7953−7956.
  182. Nigam A.N. Origin of anomalous surface reflection of X rays // Phys.Rev. 1965. № 4A. P. 1189−1191.
  183. Warren B.E., Clarke J.S. Interpretation of the anomalous surface reflection of X rays // J.Appl.Phys. 1965. V. 36. № 5. P. 324−325.
  184. Matsushita Т., Ishikawa Т., Kohra K. High-resolution measurements of angle-resolved X-ray scattering from optically flat mirrors // J.Appl.Cryst. 1984. V. 17. № 4. P. 257−264.
  185. Braslau A., Deutsch M., Pershan P. S., Weiss A.H. Surface roughness of water measured by X-ray reflectivity // Phys.Rev.Let. 1985. V. 54 № 2. P. 114−117.
  186. Pershan P. S., Braslau A., Weiss A.H. Smectic layering at the free surface of liquid crystals in the nematic phase: X-ray reflectivity // Phys.Rev. 1987. V. 35. № 11 A. P. 4800−4813.
  187. A., Pershan P. S., Swislow G., Оско B.M., Als-Nielsen J. Capillary waves on the surface of simple liquid measured by x-ray reflectivity // Phys.Rev. 1988. V. 38. № 5A. P. 2457−2470.
  188. Kawamoto E.H., Lee S., Pershan P. S., Deutsch M., Maskil N., Оско B.M. X-ray reflectivity study of the surface of liquid gallium // Phys.Rev. 1993. V. 47. № 11B.P. 6847−6850.
  189. A.B., Зорев H.H., Кожевников И. В., Сагитов С. И., Турьян-ский А.Г. О рассеянии рентгеновского излучения слабошероховатыми поверхностями //ЖЭТФ. 1988. Т.94. В.8. С. 203−216.
  190. Helgesen G., Doon Gibbs, Baddorf А.Р., Zehner D.M., Mochrie S.G.J. X-ray reflectivity study of the Cu (110) surface // Phys.Rev. 1993. V. 48. № 20B. P. 15 320−15 325.
  191. Wilkins S.W., Gureyev Т.Е., Gao D., Pogany A., Stevenson A.W. Phase-contrast imaging using polychromatic hard X-rays // Nature. 1996. V. 384. P. 335 338.
  192. B.A., Ингал B.H., Беляевская E.A. Волновая теория рентгеновской фазоконтрастной интроскопии // Кристаллография. 1998. Т. 43. № 4. С. 586−595.
  193. З.И., Сюняев Р. З., Сафиева Р. З. Нефтяные дисперсные системы. -М.: Химия. 1990. 226 с.
  194. Ю.М., Америк Ю. Б. Рентгенографическое исследование нефтей и нефтяных компонентов // Нефтехимия. 1993. Т. 33. № 4. С. 352−358.
  195. А.П. Рентгенодифракционные исследования приповерхностных слоев совершенных и имплантированных бором монокристаллов кремния, подвергнутых миллисекундному лазерному облучению: Диссертация канд. физ.-мат. наук. Москва. 1993. 134 с.
  196. А.П. Автоматизация рентгеновских двух- и трёхкристальных дифрактометров на базе вычислительных комплексов. В кн.: Тезисы II республиканской конференции молодых учёных по разработке и внедрению средств автоматизации. Сыктывкар. 1988. С. 30−31.
  197. A.M., Зайнуллин Г. Г., Петраков А. П., Иевлев А. А. Исследование процессов кристаллизации в гелях. Труды Коми филиала АН СССР 1984. В. 46. С. 14−37.
  198. Г. Н., Пунегов В. И., Шилов С. В., Петраков А. П. Исследование структурных характеристик кристаллов флюорита методами рентгеновской дифрактометрии и топографии // Зав.лаб. Диаг.матер. 2000. Т. 66. № 11. С. 26−28.
  199. А.А., Беляев А. А., Петраков А. П. Антраксолит из Визейских известняков сланцевой зоны Пай-Хоя. В кн.: Тезисы Всесоюзного минералогического семинара «Конденсированное некристаллическое состояние вещества земной коры».Сыктывкар. 1989. С. 29.
  200. А.А., Беляев А. А., Петраков А. П. Минералогия твёрдого органического вещества Пайхойской провинции. В кн.: Тезисы II регионального совещания «Минералогия Урала». Миасс. 1990. Т. 1. С. 154−157.
  201. А.А., Беляев А. А., Янулова JI.A., Петраков А. П. Флюорит из фосфоритовых конкреций Пай-Хоя. В кн.: Тезисы II регионального совещания «Минералогия Урала». Миасс. 1990. Т. 1. С. 158−160.
  202. А.А., Беляев А. А., Филиппов В. Н., Петраков А. П. Два структурных типа антраксолитов Пайхойской провинции. В кн.: Сб. научны трудов КНЦ УрО АН СССР. 1990. С. 62.
  203. A.A., Беляев A.A., Янулова JI.A., Петраков А. П. Флюорит-компонент фосфоритовых конкреций Пай-Хоя // Минералогический журнал. 1991. Т. 13. № 2. С. 70−73.
  204. Ievlev A.A., Belyaev A.A., Petrakov А.Р., Ber M.N. Structural characteristics of different forms of natural organic matter of Pai-Khoi province, Yuger-sky pe-minsula. Abstract. 29-th Int. Geol. Congress. Kyoto. Japan. 1992. V. 3. of 3. P. 824
  205. Belyaev A.A., Ievlev A.A., Yanulova L.A., Petrakov A.P. Fluorite formation as result of ordering of fluorapatite at paleotemperature lithogenic alterations, Pai-Khoy province. Abstract. 29-th Int. Geol. Congress. Kyoto. Japan. 1992. V. 3. of 3. P. 824
  206. M.B., Ковьев Э. К., Пинскер З. Г. Рентгеновский трехкри-стальный спектрометр и прецизионное определение параметра решетки //Кристаллография. 1975. Т. 20. № 1. С. 142−452.
  207. Servidori M., Zani A., Garulli G. Servidori M., Zani R., Garulli G. Residual lattice disorder in self-implanted silicon after pulsed laser irradiation // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V. 70. № 2. P. 691−701.
  208. B.A., Петраков А. П. Рентгенодифракционные исследования зависимости профилей деформации и аморфизации приповерхностных слоев монокристаллов кремния от дозы имплантации ионов бора // Кристаллография. 1995. Т. 40. № 6. С. 1043−1049.
  209. А. П., Бушуев В. А. Рентгенодифракционные исследования точечных дефектов, образующихся в монокристаллах кремния при импульсном лазерном воздействии // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. № 19. С. 92−96.
  210. W.R.Runyan. Silikon Semiconductor Technology. New York: McGraw-Hill. 1965. P. 344.
  211. B.C. Диффузия и напряжения. M.: Энергоатомиздат, 1984. 184 с.
  212. Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. 296 с.
  213. Ломов А. А, Бушуев В. А., Караванский В. А. Исследование шероховатостей поверхности и границ раздела пористого кремния высокоразрешающими рентгеновскими методами // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 5. С. 915 920.
  214. Speriosu V.S. Kinematical X-ray diffraction in nonaniform crystalline films strain and damage distributions in an implanted garnets // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. № 10. P. 6094−6103
  215. A.M., Фанченко C.C. // ДАН СССР. 1986. Т. 287. № 6. С. 1395- .
  216. А.В., Степанов А. А. Вычислительная диагностика полупроводниковых кристаллов // ДАН СССР. 1987. Т. 292. № 1. С. 60−63.
  217. П.В., Чуховский Ф. Н. Восстановление фазы рентгеновской волны, дифрагированной на слоистой монокристаллической структуре //ДАН СССР. 1989. Т. 309. № 1.С. 105−109.
  218. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск.: БГУ, 1980. 352 с.
  219. Runyan W.R. Silicon semiconductor technology. New York: McGraw-Hill, 1965. P. 1306.
  220. A.M., Ковальчук M.B., Лобанович Э. Ф. и др. Трехкристаль-ная рентгеновская дифрактометрия в исследовании тонких нарушенных слоев//Кристаллография. 1981. Т. 26. В. 1. С. 28−35.
  221. А.П., Бушуев В. А. Рентгенодифракционные исследования точечных дефектов, образующихся в монокристаллах кремния при импульсном лазерном воздействии // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 19. С. 92−96.
  222. Yoing R.T., White C.W., Clark G.J. et. al. Laser annealing of boron-implanted silicon// Appl.Phys.Lett. 1978. V. 32. № 3. P. 139−141.
  223. Cemballi F., Servidori M., Gabilli E., Fotti R. Effect of diffuse scattering on the profile determination by derible crystal X-ray diffraction // Phys.Stat.Sol. (a). 1987. V. 87. № l.P. 229−233.
  224. Г. А., Нидаев E.B. Лазерный отжиг точечных дефектов в кремнии и арсениде галлия // ФТП. 1980. Т. 14. В. 3. С. 424−427.
  225. A.M., Демчук А. В., Данилович Н. И. О локальном зарождении расплавленной фазы при импульсном лазерном отжиге кремния // ЖТФ. 1986. Т. 56. № 6. С. 1220−1224.
  226. В.А., Ивлев Г. Д., Жидков В. В., Малевич В. Л. Пирометрическое измерение температуры кремния при наносекундном лазерном отжиге //Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 10. С. 594−598.
  227. McGoldin J.O. Atom movements occuring at solid metal semiconductor interfaces // J. Vac. Sci. Technol. 1974. V. 11. № 6. P. 990−995.
  228. М.А., Рябошапка К. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей кристаллом, содержащим хаотически распределенные дислокации // ФММ. 1963. Т. 15. С. 18−31.
  229. И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы // ФТП. 1985. Т. 19. В. 4. С. 569 591.
  230. В.П., Петраков А. П., Тихонов Н. А., Четвериков Д.Е Влияние импульсного миллисекундного лазерного излучения на структуру приповерхностного слоя. Деп. ВИНИТИ. 1990. № 3037-В90. 21 с.
  231. А.П., Марков В. П., Тихонов Н. А., Четвериков Д.Е Рентгеновская дифрактометрия нарушенных лазерным излучением монокристаллов кремния // ЖТФ. 1992. Т. 62. В. 12. С.50−59.
  232. Marcov V.P., Petrakov А.Р., Punegov V.I., Tichonov N.A. Diffuse-scattering on double-cristal rocing-curves of laser induced silicon cristals. Abstracts. IV-National conf. Laser-90. Bulgaria. 1990. P. 96−97.
  233. Punegov V.I., Petrakov А.Р., Tichonov N.A. X-ray diffraction on laser disturbed near-surface crystal layers // Phys. Stat.Sol. (a). 1990. V. 122. № 2. P. 449−458.
  234. А.П., Тихонов Н. А. Структура и свойства материалов, подвергнутых лазерной обработке (обзор). Деп. ВИНИТИ. 1992. № 1072-В92. 22 с.
  235. А.П., Тихонов Н. А. Двух- и трёхкристальная дифрактометрия монокристаллов кремния, подвергнутых миллисекундному лазерному воздействию. Деп. ВИНИТИ. 1992. № 1071-В92. 31 с.
  236. Guentert O.G. Study of anomalous surface reflection of X rays // J.Appl.Phys. 1965. V. 36. № 4. P. 1361−1366.
  237. Yoneda Y. Anomalous surface reflection of X rays // Phys.Rev. 1963. V. 131. № 5. P. 359−369.
  238. Bindell J.B., Wainfan N. The non-specular scattering of X-rays from thin films // J.Appl.Phys. 1970. V. 3. № 6. P. 503−516.
  239. B.A., Петраков А. П. Рентгеновская рефлектометрия пленок бора, полученных лазерным напылением на кремниевые подложки. В кн.: Доклады II национальной конференции РСНЭ. Дубна. 1997. Т. 2, С. 188−193.
  240. Christensen F.E. High resolution X-ray scattering studies of substrates and multilayers // Revue Phys.Appl. 1988. V. 23. P. 1701−1710.
  241. B.M., Сиденко В. И. Рентгеновская рефлектометрия // ПТЭ. 1974. № 6. С. 5−13.
  242. С.В. Сверхтонкие пленки твердых тел и многослойные структуры: метод получения, исследования, применения // УФН. 1985. Т. 146. В. 2. С. 343−346.
  243. Bushuev V.A., Petrakov А.Р. Reflectometry of Boron Lauers, Received by Laser Sputtering on Silicon Substrates. Abstracts international meeting of the XTOP 98, Durham, Great Britan. 1998 r. P. 42.
  244. А.Д., Битюрин Ю. А., Гапонов C.B., Гудков А. А., Лучин В. И. Процессы в эрозионной плазме при лазерном вакуумном напылении пленок.
  245. Характеристики эрозионной лазерной плазмы на стадии инерциального разлета // ЖТФ. 1982. Т. 52. В. 8. С. 1584−1589.
  246. А.Д., Битюрин Ю. А., Гапонов С. В., Гудков А. А., Лучин В. И. Процессы в эрозионной плазме при лазерном вакуумном напылении пленок.1. Взаимодействие продуктов лазерной эрозии с поверхностью твердого тела // ЖТФ. 1982. Т. 52. В. 8. С. 1590−1596.
  247. С.В., Гудков А. А., Лускин Б. М., Лучин В. И., Салащенко Н. Н. Образование полупроводниковых пленок из рассеянной нагретым экраном эрозионной лазерной плазмы // ЖТФ. 1981. Т. 51. В. 5. С. 1000−1004.
  248. С.В., Гудков А. А., Фраерман А. А. Процессы в эрозионной плазме при лазерном вакуумном напылении пленок. III. Конденсация в газовых потоках при лазерном испарении материалов // ЖТФ. 1982. Т. 52. В. 9. С. 1843−1848.
  249. В.Г., Осадин Б. А. Влияние условий фокусировки на морфологию поверхности пленок, получаемых с помощью ОКГ // ЖТФ. 1974. T.XLIV. В. 2. С. 442−446.
  250. С.И., Лкьянчук Б. С., Лучес А. Динамика трехмерного расширения пара при импульсном лазерном испарении // ЖЭТФ. 1995. Т. 108. В. 1(7). С. 240−257.
  251. Ф.В., Кириченко Н. А., Лукьянчук Б. С. Термохимическое действие лазерного излучения //УФН. 1982. Т. 138. В. 1. Р. 45−94.
  252. Kroto H.W., Heath J.R., O’Brien S.C., Curl R.F., Smalley R.E. C60: Buck-minsterfiillerene// Nature. 1985. V. 318. № 6042. P. 162−163.
  253. Бахтизин P.3., Хашицуме Т., Вонг Щ.- Д., Сакурай Т. Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников // УФН. 1997. Т. 167. № 3. С. 289−307.
  254. Haddon R.C., Hebard A.F., Rosseinsky M.J., et. all. Conducting films Сбо and C70 by alkali-metafdoping //Nature. 1991. V. 350. № 6316. P. 320 322.
  255. C.B., Лускин Б. М., Салащенко H.H. Сверхрешетки с неориентированными барьерными слоями // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 33. В. 10. С. 533 537.
  256. С.В., Гусев С. А., Платонов Ю. Я., Салащенко Н. Н. Искусственные многослойные отражающие и селективные элементы для мягкого рентгеновского излучения. 1. Выбор пар материалов и расчет многослойных зеркал // ЖТФ. 1984. Т. 54. В. 4. С. 747−754.
  257. С.В., Лускин Б. М., Нестеров Б. А., Салащенко Н. Н. Морфологические особенности и струк тура пленок, конденсированных из лазерной плазмы//ФТТ. 1977. Т. 19. В. 10. С. 2964−2967.
  258. А.А., Пахомов А. В., Черняева Г. А. Фрактальная размерность агрегатов, образующихся при лазерном испарении металлов // ДАН СССР. 1987. Т. 292. № 1.С. 86−88.
  259. Buseck Peter R., Tsipursky Semeon J., Hettich R. Fullerenes from the geological environment // Science. 1992. V. 257. P. 215−217.
  260. О.И., Теруков Е. И., Пфаундер H. Фуллерены в шунгите // ФТТ. 1994. Т. 36. № 10. С. 3169−3171.
  261. А.П. Рентгеновская рефлектометрия углеродной пленки нанесенной на кремниевую подложку в процессе лазерного облучения шунгита. -В кн.: Материалы второго Уральского кристаллографического совещания Кристаллография-98. Сыктывкар. 1998. С. 25.
  262. А. П., Кряжев А. А. Восстановление микрогеометрии поверхности по данным рентгеновской рефлектометрии (обобщающая статья). // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2003. Т.69. № 8. С. 26−31.
  263. А.П. Метод рентгеновской рефлектометрии и его применение для исследования лазерного испарения окисной пленки с поверхности кремния // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 4. С. 129−134.
  264. В.А., Ткалич А. К., Шилыитейн С. Ш. Рефракционный контраст в рентгеновской интроскопии //ЖТФ. 1991. Т. 61. № 11. С. 197−201.
  265. Ingal V.N., Beliaevskaya Е.А. X-ray plane-wave topography observation of the phase contrast from a non-crystalline object // J. Phys. D. 1995. V. 28. № 10. P. 2314−2317.
  266. Davis T.J., Gureyev Т.Е., Gao D., Stevenson A.W., Wilkins S.W. X-ray image contrast from a simple phase object // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 74. № 16. P. 3173−3176.
  267. B.A., Ингал B.H., Беляевская Е. А. Динамическая теория формирования изображения некристаллических объектов в методе фазодисперси-онной интроскопии // Кристаллография. 1996. Т. 41. № 5. С. 808−813.
  268. Bushuev V.A., Beliaevskaya Е.А., Ingal V.N. Wave-optical description of X-ray phase contrast images of weakly absorbing non-crystalline objects // Nuovo Cimento D. 1997. V. 19. № 2−4. P. 513−520.
  269. Ingal V.N., Beliaevskaya E.A. Phase dispersion radiography of biological objects // Physica Medica. 1996. V. 12. № 2. P. 75−81.
  270. С.Ш., Подурец K.M., Соменков B.A., Манушкин А. А. Рентгеновская рефракционная интроскопия биологических объектов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996. № 3−4. С. 231−241.
  271. Forster Е., Goetz К., Zaumseil P. Double crystal diffractometry for the characterization of targets for laser fusion experiments // Kristall und Technik. 1980. V. 15. № 8. P. 937−945.
  272. Gao D., Davis T.J., Wilkins S.W. X-ray phase-contrast imaging study of voids and fibres in a polimer matrix // Aust. J. Phys. 1995. V. 48. № 1. P. 103−111.
  273. B.A., Петраков А. П. Рентгеновский фазовый контраст воздушного шнура, нагретого лазерным пучком // Кристаллография. 2001. Т. 46. № 2. С. 209−214.
  274. Bonse U., Hart М. An X-ray interferometer with long separated interfering beam paths // Appl. Phys. Lett. 1965. V. 7. № 1. P. 99−100.
  275. Snigirev A., Snigireva I., Kohn V., Kuznetsov S., Schelokov I. On the possibilities of x-ray phase contrast microimaging by coherent high-energy synchrotron radiation // Rev. Sci. Instrum. 1995. V. 66. № 12. P. 5486−5492.
  276. B.H., Беляевская E.A. Метод фазодисперсионной интроскопии // ЖТФ. 1997. Т. 67. № 1. С. 68−77.
  277. Davis T.J., Gao D., Gureyev Т.Е., Stevenson A.W., Wilkins S.W. Phase-contrast imaging of weakly absorbing materials using hard X-rays // Nature. Letters. 1995. V. 373. № 16. P. 595−598.
  278. Gureyev Т.Е., Wilkins S.W. Regimes of X-ray phase-contrast imaging with perfect crystals //Nuovo Cimento. 1997. V. 19 D. № 2−4. P. 545−552.
  279. А.П. Рентгеновский метод фазового контраста и демонстрация применения его для исследования кровеносных сосудов на модельном объекте //ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 5. С. 84−89.
  280. В.А., Петраков А. П. Рентгеновские фазоконтрастные изображения слабопоглощаящих объектов. Монография. Микро- и нанодисперсные структуры минерального вещества. Коми НЦ УрО РАН 1999. С. 171−175.
  281. А. П., Кряжев А. А. Рентгеновские фазоконтрастные исследования растворения кристаллов Nacl //ЖТФ. 2004. Т.74. В.10. С.134−136.
  282. Д.И., Фейгин JI.A. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние. — М.: Наука. 1986. 280 с.
  283. А.П. Рентгеновская малоугловая диагностика изменения размера сложных структурных единиц нефтяной дисперсионой системы под воздействием миллисекундного лазерного излучения // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 3. С. 31−33.
  284. А.П. Рентгеновские рефлектометрические исследования нефтяных дисперсных систем. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2003. № 12. С.75−77.
  285. Кузнецов О. А, Ефимов С. А. Применение ультразвука в нефтянной промышленности. М.: Недра, 1983. 286 С.
  286. Ф.В., Кириченко Н. А., Лукьянчук Б. С. Термохимическое действие лазерного излучения // УФН. 1982. Т. 138. В 1. С. 45−94.
  287. М.А., Трибельский М. И. Роль химических реакций в лазерном разрушении прозрачных полимеров//ЖЭТФ. 1978. Т.74. В. 1. С. 194 201.
  288. А.П. Рентгеновские фазоконтрастные исследования слабо поглощающих объектов. — Материалы совещания «Рентгеновская оптика-2003». Нижний Новгород. 2003. С.330−332.
  289. В.А., Коне А. Влияние переходного приповерхностного слоя на фазоконтрастные изображения некристаллических объектов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. № 10. С. 512.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?