Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-технологические принципы создания тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов

Диссертация: Физико-технологические принципы создания тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Личный вклад соискателя. В работах, опубликованных в соавторстве после защиты кандидатской диссертации, а именно: в работах личный вклад соискателя состоит в формулировке идей, разработке конструкций и технологий изготовления изделий, а также в составлении формул и описаний изобретенийв работах соискателем написаны разделы, посвященные конструктивным и технологическим проблемам изготовления… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Анализ современного состояния и тенденций развития вакуумных автоэлектронных микроприборов
    • 1. 1. Существующие конструктивно-технологические принципы создания автоэмиссионных катодов
    • 1. 2. Вакуумные автоэлектронные микроприборы
    • 1. 3. Автоэмиссионные наноструктуры
      • 1. 3. 1. Автоэмиссионные матрицы из нанопроводов
      • 1. 3. 2. Углеродно-нанотрубчатые автоэмиссионные матрицы
  • Цели и задачи исследования
  • Глава 2. Физико-технологические принципы создания наноструктурных автоэмиссионных матриц на основе тонких пленок вентильных металлов
    • 2. 1. Физико-химические основы создания автоэмиссионных матриц
    • 2. 2. Микрогеометрия и стехиометрия оксидно-титановых матриц наноэмиттеров
      • 2. 2. 1. Методика проведения эксперимента
      • 2. 2. 2. Результаты электронной микроскопии
      • 2. 2. 3. Результаты оже-электронной спектроскопии
    • 2. 3. Вольт-амперные характеристики наноструктурных автоэмиссионных матриц
  • Глава 3. Интегральная технология создания тонкоплёночных наноструктурных автоэлектронных микроприборов
    • 3. 1. Технология изготовления автоэлектронных микротриодов
    • 3. 2. Базовые процессы анодного окисления тонкоплёночных структур вентильных металлов
      • 3. 2. 1. Выбор оптимального режима процесса плотного анодирования алюминия
      • 3. 2. 2. Процессы локального сквозного анодного окисления тонкоплёночных структур вентильных металлов
    • 3. 3. Электрофизические характеристики изоляционных компонентов автоэлектронных микроприборов
      • 3. 3. 1. Оборудование и методика проведения испытаний
      • 3. 3. 2. Методика изготовления тестовых структур и результаты испытаний
    • 3. 4. Система межсоединений для наноструктурных автоэлектронных микроприборов
      • 3. 4. 1. Технология изготовления
      • 3. 4. 2. Электрофизические характеристики
      • 3. 4. 3. Устойчивость к электромиграции
  • Глава 4. Физические основы моделирования и расчёта характеристик наноструктурных автоэлектронных микроприборов
    • 4. 1. Постановка задачи
    • 4. 2. Математическое описание основных физических процессов
    • 4. 3. Обсуждение полученных уравнений
    • 4. 4. Алгоритм анализа и расчета характеристик автоэмиссионных структур и микроприборов
  • Глава 5. Характеристики тонкоплёночных наноструктурных автоэлектронных микроприборов
    • 5. 1. Диодные структуры
    • 5. 2. Катодно-сеточные элементы
    • 5. 3. Триодные структуры
      • 5. 3. 1. Вольт-амперные характеристики
      • 5. 3. 2. Дифференциальные параметры
      • 5. 3. 3. Требования к вакууму
      • 5. 3. 4. Быстродействие
      • 5. 3. 5. Степень интеграции

Физико-технологические принципы создания тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Одним из важных направлений современной электроники является вакуумная микрои наноэлектроника. Главным преимуществом вакуумных автоэлектронных микроприборов (АЭМП) перед полупроводниковыми приборами является их высокая стойкость к воздействию температуры и радиации. Эта устойчивость обусловлена самой природой автоэлектронной эмиссии, лежащей в основе работы данных приборов. Кроме этого, для АЭМП ожидается сверхвысокое быстродействие, поскольку баллистический перенос электронов от катода к аноду обеспечивается за очень короткое время пролёта — менее одной пикосекунды. Общей тенденцией развития вакуумной микроэлектроники, ставшей особенно заметной в последние годы, является постоянная разработка новейших конструкций и технологий изготовления все более низковольтных и миниатюрных автоэлектронных приборов. В традиционно изготавливаемых вакуумных автоэлектронных микроприборах, независимо от того, состоят ли их катоды из металлических или кремниевых острий, это обеспечивается за счет дальнейшего уменьшения радиусов эмиттирующих острий и диаметров отверстий в управляющем электроде. Оба эти фактора способствуют снижению значений минимально необходимого напряжения на управляющем электроде для обеспечения автоэлектронной эмиссии. Анализ современного состояния вакуумных автоэлектронных микроприборов показал, что физико-технологические принципы их создания, использующие методы субмикронной литографии для изготовления конструктивно входящих в них автоэмиссионных матриц, достигли своего физического предела. Достигнутый минимальный уровень рабочих напряжений для этих приборов составляет ~ 40 — 50 В. Одним из наиболее перспективных путей создания автоэлектронных микроприборов с точки зрения повышения их надежности, снижения рабочих напряжений вплоть до значений, сравнимых с полупроводниковыми приборами, а также снижения их себестоимости является разработка нелитографических технологий формирования автоэмиссионных конструкций, базирующихся на физических процессах самоорганизации структур на наноуровне. В качестве физического процесса, который естественным образом за счет самоорганизации структуры создает диэлектрический слой с регулярной матрицей цилиндрических нао ноканалов, плотность упаковки которых может варьироваться от 10 до.

12 2.

10 см", является процесс пористого анодирования алюминия.

Известные к настоящему времени работы по разработке методов создания матриц наноэмиттеров на основе нанопористого анодного оксида алюминия (АОА) носят экспериментальный характер и продемонстрировали лишь возможность получения из них автоэмиссионных токов при пороговых напряжениях от 20 до 80 В. Полученные электрические и эмиссионные характеристики этих матриц показали, что существующие методы пока еще не позволяют создавать в едином технологическом цикле наноструктурную эмиттерную матрицу, жестко связанную с экстрактором с требуемой междуэлектродной изоляцией и воспроизводимой микрогеометрией. Достигнутые к настоящему времени результаты указывают на отсутствие концепции создания в едином технологическом цикле на основе нанопористого анодного оксида алюминия надежных и с воспроизводимыми геометрическими, электрическими и эмиссионными характеристиками наноструктурных автоэмиссионных матриц (АЭМ), катодно-сеточных и триодных микроструктур, что не позволяет приблизиться к прогнозируемому для наноструктурных автоэлектронных микроприборов уровню рабочих напряжений в единицы Вольт.

Таким образом, в теоретическом, экспериментальном и практическом аспекте важным и актуальным является проведение работы, направленной на решение вышеуказанных проблем.

Целью работы является разработка физико-технологических принципов создания тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов на основе нанопористого анодного оксида алюминия. Достижение этой цели требовало решения следующих задач:

1.Разработка принципиально новых физико-технологических принципов создания на основе тонкопленочных структур вентильных металлов автоэмиссионных матриц с воспроизводимыми геометрическими, электрофизическими и вольт-амперными характеристиками.

2.Исследование геометрических параметров, элементного состава и эмиссионных свойств создаваемого нового класса матриц наноэмиттеров.

3.Разработка физико-технологических принципов создания на основе нано-пористого анодного оксида алюминия принципиально нового класса микроприборов — тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микротриодов.

4.Разработка технологии изготовления системы межсоединений тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов для обеспечения возможности создания на их основе в едином технологическом цикле цифровых логических элементов и микросистем.

5.Теоретический анализ физики процессов, происходящих в наноструктурных автоэлектронных микроприборах и разработка физических принципов моделирования и расчета их характеристик.

6.Моделирование и расчет характеристик тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов, включая диодные, катодно-сеточные и триодные структуры.

Методы исследования. В процессе изучения проблем, сформулированных в диссертационной работе, и решении поставленных задач использовались современные методы экспериментальной физики для исследования микрои наноструктур, а именно: сканирующая электронная и атомно-силовая микроскопия, оже-электронная и инфракрасная спектроскопия, современные измерительные приборы и аппаратура. В работе также были использованы методы математического моделирования, математической физики, граничных элементов и вычислительных экспериментов.

Связь работы с научными программами. Тематика данной работы включена в «Межведомственный перечень приоритетных направлений развития науки и техники, критических технологий, реализуемых в ракетнокосмической промышленности в интересах создания перспективных космических средств различного целевого назначения на 2001;2005 годы» в части п. 1.5.4 «Технологии создания тонкопленочных приборов вакуумной элек.

19 троники терагерцового диапазона (10 Гц) на основе наноструктурных автоэлектронных матриц". В рамках этой программы был выполнен ряд НИР, научным руководителем и основным исполнителем которых являлся автор, в частности: — НИР ГАЛС «Исследование и разработка конструкционно-технологических решений создания тонкопленочных вакуумных интегральных схем для радиопередающих средств бортовых комплексов перспективных К, А с длительным сроком активного существования 10. 15 и более лет», 2001;2003 г. г.;

— НИР КВАНТ «Разработка и экспериментальная отработка комплекса базовых конструкторско-технологических и схемотехнических решений по созданию температурнои радиационностойких узлов бортовой аппаратуры на основе устройств вакуумной микроэлектроники для космических аппаратов нового поколения», 2004;2005 г. г. (Гос. per. №-У86 378).

Научная новизна результатов диссертации заключается в том, что в работе созданы, последовательно развиты и апробированы принципиально новые физико-технологические основы изготовления тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов. При этом:

1. Впервые предложен нелитографический метод создания наноструктурных автоэмиссионных матриц, использующий принцип самоорганизации системы на наноуровне в процессе многостадийного сквозного пористого анодирования слоя алюминия, расположенного на подслое вентильного тугоплавкого металла, с обоснованием критериев выбора этого металла.

2. Впервые экспериментально исследованы геометрические параметры, элементный состав и эмиссионные характеристики полученного нового класса матриц наноэмиттеров, формируемых из встроенных в основания окисных ячеек пористого АОА наноразмерных столбиковых выступов из анодного оксида титана, и показано, что им присущ полевой характер эмиссии, описываемый уравнением Фаулера-Нордгейма.

3. Впервые разработаны физико-технологические принципы создания на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов нового класса микроприборов — тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микротриодов и систем их межсоединений, а также исследованы электрофизические характеристики их изоляционных и проводниковых компонентов.

4. Впервые разработаны физические принципы моделирования и расчета характеристик тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов.

5.Впервые осуществлен расчет характеристик тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов (диодов, катодно-сеточных элементов, триодов), создаваемых на основе нанопористого анодного оксида алюминия с установлением взаимосвязи с их микрои наногеометрией.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций, сформулированных в диссертации, обеспечивается:

— результатами экспериментальных исследований с применением современных методов экспериментальной физики и оборудования для изучения микрои наноструктур;

— корректностью математической постановки и решения рассматриваемых задач с учетом использования для математического описания физических процессов, происходящих в наноструктурных автоэлектронных микроприборах, исходных фундаментальных уравнений Фаулера-Нордгейма, Максвелла и системы уравнений гидродинамики;

— экспериментальным подтверждением определяющих расчетных характеристик, полученных в результате разработанной процедуры моделирования и расчета параметров наноструктурных автоэлектронных микроприборов.

Практическая значимость полученных результатов заключается в том, что они составляют научную основу и дают практические рекомендации по созданию принципиально нового класса приборов — тонкопленочных наност-руктурных автоэлектронных микроприборов. В частности:

1. Разработанный метод создания наноструктурных автоэмиссионных матриц позволил без использования процессов субмикронной литографии создать автоэмиссионные структуры с плотностью упаковки 3,74−1010 см «2 и диаметром наноканала в вентиле порядка 20 нм. Для таких автоэмиссионных структур напряжение включения составляло порядка 2,7 В, (что весьма близко к рабочим напряжениям полупроводниковых приборов), а соответствующая этому напряжению плотность эмиссионного тока составляла порядка 0,5 мА/мм. Таким образом, была впервые продемонстрирована возможность получения автоэлектронной эмиссии при рабочих напряжения в единицы вольт.

2. Разработанные физико-технологические принципы позволяют на основе формируемых матриц наноэмиттеров, встроенных в нанопористый анодный оксид алюминия, создавать в едином технологическом цикле надежные, с воспроизводимыми геометрическими, электрическими и эмиссионными характеристиками наноструктурные автоэлектронные микроприборы (диоды, катодно-сеточные элементы, триоды) с рабочими напряжениями на уровне единиц вольт. Для таких микроприборов рабочее напряжение на аноде составляет 4+5 В, что значительно меньше, чем значение первого ионизационного потенциала Un для молекул, присутствующих в атмосфере остаточного газа микроприбора, в результате этого ионная бомбардировка и катодное распыление эмиттерных нановыступов становятся в принципе невозможными, что тем самым устраняет одну из главных причин нестабильности автоэлектронной эмиссии и устраняет необходимость обеспечения и поддержания в них высокого вакуума.

3. Разработанные физические основы моделирования характеристик наноструктурных автоэлектронных микроприборов позволяют еще на этапе проектирования прогнозировать влияние их конструкционно-геометрических параметров на ожидаемые характеристики.

4. Разработанные физико-технологические принципы создания тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов и систем их межсоединений являются первоосновой для создания нового поколения цифровых и аналоговых микросистем сверхвысокой степени интеграции и быстродействия, совместимых по напряжению питания с полупроводниковыми интегральными схемами и отличающихся повышенной надёжностью, радиационной и тепловой стойкостью. Это обеспечит качественно новый уровень тактико-технических характеристик создаваемой микроэлектронной аппаратуры.

Положения, выносимые на защиту.

1.Физико-технологические принципы создания наноструктурных автоэмиссионных матриц на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов.

2. Результаты экспериментального исследования геометрических параметров, элементного состава и вольт-амперных характеристик полученного нового класса оксидно-титановых матриц наноэмиттеров.

3.Физико-технологические принципы создания на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов нового класса микроприборовтонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микротриодов и систем их межсоединений.

4.Выбранные оптимальные режимы процессов формирования изоляционных компонентов автоэлектронных микроприборов и систем их межсоединений, а также результаты исследования их электрофизических характеристик.

5.Разработанные основы процедуры моделирования и расчета характеристик тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов.

6.Расчетные и экспериментальные характеристики тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов (диодов, катодно-сеточных элементов, триодов) с установленной взаимосвязью с их микрои наногеомет-рией.

Личный вклад соискателя. В работах, опубликованных в соавторстве после защиты кандидатской диссертации, а именно: в работах [44,180,194,228] личный вклад соискателя состоит в формулировке идей, разработке конструкций и технологий изготовления изделий, а также в составлении формул и описаний изобретенийв работах [109,120] соискателем написаны разделы, посвященные конструктивным и технологическим проблемам изготовления автоэлектронных эмиттеров, квантово-размерных структур и приборов на их основев работах [156,157,166,167] личный вклад соискателя состоит в разработке физико-технологических принципов создания нового класса матриц наноэмиттеров, их изготовлении, участии в исследовании их геометрических параметров и стехиометрического состава, обсуждении результатов и формулировке выводовв работах [158,168,169,170] лично соискателем созданы наноструктурные автоэмиссионные матрицы и тестовые приборы на их основе, исследованы их электрофизические и вольт-амперные характеристики, принято участие в изучении структуры электрического поля в автоэмиссионных ячейках и исследовании их эмиссионных свойств, а также в обсуждении полученных результатов и формулировке выводовв работе [175] соискатель разработал метод решения рассматриваемой задачи, получил аналитические выражения, с помощью которых провёл расчет распределения толщин осаждаемых пленокв работах [182,185,196] соискателем осуществлена постановка задач, обоснованы методы исследований, принято участие в экспериментальных исследованиях, обсуждении результатов и формулировке выводовв работах [187,188] соискателем разработаны и изготовлены тестовые структуры для оценки электрофизических характеристик изоляционных компонентов автоэлектронных микроприборов, принято участие в исследовании влияния ионизирующего гамма-излучения на их электрофизические параметры, обсуждении полученных результатов и формулировке выводовв работах [197,198] соискателем разработана конструкция и технология изготовления систем межсоединений для наноструктурных автоэлектронных микроприборов, а также исследованы их основные электрофизические параметрыв работах [206,207,209,210,213,214,215,216,217,219,225] личный вклад соискателя состоит в постановке задач, разработке методов и подходов для решения рассмотренных задач, участии в аналитических и экспериментальных исследованиях, анализе и обсуждении полученных результатов, формулировке выводовмонография [229] написана лично соискателем при общей редакции научного консультанта — заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., профессора В. Ф. Кравченко.

Апробация работы. Основные положения и результаты проведенных исследований были представлены и обсуждены на следующих научных конференциях:

1. 3-я Международная научно-техническая конференция «Современная технология гибридных интегральных микросхем, включая элементы сверхпроводниковой электроники» (Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Нарочь, сентябрь 1994).

2. International Conference «Nanomeeting-95» (Minsk, Belarus, 1995, May 15−19).

3.11th International Vacuum Microelectronics Conference (IVMC'98), (The Grove.

Park Inn, Asheville, NC USA, 1998, July 19−24). 4.2nd International Symposium on Electrochemical Microsystem Technologies, Tokyo, Japan, 1998, September 24−28.

5. 12th International Vacuum Microelectronics Conference (IVMC'99), (Darmstadt, Germany, 1999, July 6−9).

6. 13th International Vacuum Microelectronics Conference (IVMC 2000), (Guangzhou, China, 2000, August 14−17).

7. 2nd European Field Emission Workshop (Segovia, Spain, 2000, September 25−29).

8. 14th International Vacuum Microelectronics Conference (IVMC 2001), (University of California, Davis, California, USA, 2001, August 12−16).

9. 15th International Vacuum Microelectronics Conference & 48th International Field Emission Symposium (IVMC 2002), (Lyon, France, 2002, July 7−11).

10. Fourth IEEE International Vacuum Electron Sources Conference (IVESC'02), (Saratov, Russia, 2002, July 15−19).

11. 2nd VDE World Microtechnologies Congress (MICRO.tec 2003), (Munich, Germany, 2003, October 13−15).

12. The 4-th International Conference «Porous Semiconductors — Science and Technology», (Cullera-Valencia, Spain, 2004, March 14−19).

13. 17th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC 2004), (Cambridge, Massachusetts USA, 2004, July 11−16).

14. The 8th World Multi-Conference on Systemics, Cybernetics and Informatics (SCI 2004), (Orlando, Florida, USA, 2004, July 18−21).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 37 научных работах (в том числе одной монографии и пяти изобретениях), которые перечислены в списке литературы.

Объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и содержит 232 страницы текста, в том числе 64 рисунка, 10 таблиц, список литературы насчитывает 229 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные научные и практические результаты диссертационной работы состоят в следующем.

Впервые разработаны физико-технологические принципы создания наноструктурных автоэмиссионных матриц на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов.

Впервые определены критерии выбора вентильных металлов для использования их в качестве исходного материала для автоэмиттеров в тонкопленочных наноструктурных автоэмиссионных матрицах на основе нанопори-стого анодного оксида алюминия и показано, что в качестве таких материалов могут быть использованы вентильные тугоплавкие металлы следующего ряда: вольфрам, ниобий и титан.

Впервые экспериментально исследованы геометрические параметры, элементный состав и эмиссионные характеристики полученного нового класса матриц наноэмиттеров, формируемых из встроенных в основания окисных ячеек пористого АОА наноразмерных столбиковых выступов из анодного оксида титана (типового представителя вентильных тугоплавких металлов, отнесенных к классу эмиттерных материалов), и показано, что им присущ полевой характер эмиссии, описываемый уравнением Фаулера-Нордгейма.

Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения посредством разработанного метода без использования процессов субмикронной литографии наноструктурных автоэмиссионных матриц с плотностью упаковки наноэмиттеров 3,74−1010 см" 2 и диаметром наноканала в вентиле порядка 20 нм, установлена взаимосвязь геометрических параметров наноструктурных автоэмиссионных матриц с технологическими режимами их формирования.

Впервые экспериментально получена автоэлектронная эмиссия из матриц наноэмиттеров в составе двухэлектродного наноструктурного прибора, сформированного на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов, при рабочих напряжениях в единицы вольт.

Впервые разработана интегральная технология изготовления тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микротриодов и систем межсоединений на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов, а также исследованы и выбраны оптимальные режимы новых базовых технологических операций, используемых при их создании.

Экспериментально исследованы основные электрофизические параметры изоляционных компонентов (межкомпонентной изоляции катодного слоя, изоляционных карманов, межкомпонентной изоляции анодного слоя, междуэлектродных диэлектрических слоев катод-сетка и сетка-анод) тонкопленочных автоэлектронных микротриодов, а также систем их межсоединений и показано, что они обладают высокой электрической добротностью и полностью удовлетворяют всем современным требованиям вакуумной микрои наноэлектроники к аналогичным параметрам.

Проведена экспериментальная оценка влияния ионизирующего гамма-излучения на электрофизические характеристики изоляционных компонентов создаваемых тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов, которая показала, что при достижении дозой излучения значений 10 рад электрофизические параметры изменяются в пределах 3 — 5% от своих начальных значений.

Впервые проведен теоретический анализ физических процессов, происходящих в тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборах, на основании которых разработаны физические основы моделирования и расчета их характеристик.

Впервые проведены теоретические и экспериментальные исследования по определению оптимальной конструкции и наногеометрии тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов, показано, что для их эффективной работы не требуется высокой степени вакуума.

Впервые осуществлено моделирование и расчет характеристик тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов, проведена экспериментальная проверка адекватности этих расчетов, а также дана оценка их быстродействия и достигаемой степени интеграции.

Впервые разработаны физико-технологические принципы создания нового класса микроприборов — тонкопленочных наноструктурных автоэлектронных микроприборов, на основе которых становится возможным создание нового поколения цифровых и аналоговых микросистем сверхвысокой степени интеграции и быстродействия, с рабочими напряжениями сопоставимыми с полупроводниковыми интегральными схемами и отличающихся повышенной надёжностью, радиационной и тепловой стойкостью.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Brodie 1. Keynote address to the First International Vacuum Microelectronics Conference, June 1988: Pathways to vacuum microelectronics // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989.
  2. V. 36, № 11. P. 2637−2640.
  3. Skidmore K. The comeback of the vacuum tube: Will semiconductor versions supplement transistors? // Semiconductor International. 1988. V. 11, № 9. P. 15−17.
  4. Cole B.O. Everything old is new again // Electronics. 1989. V. 62, № 12. P. 74−77.
  5. Grandke T. Vakuum-Mikroelectronik: Nostalgie oder Technologie der Zukunft? // Physics Bl. 1989. V. 45, № 10. P. 410−411.
  6. Yokoo K.l. Vacuum microelectronics // Journal Vacuum Society Japan. 1989. V. 32, № 2. P. 6367.
  7. Cade N.A., Lee R.A. Vacuum microelectronics // GEC Journal of Research. 1990. V. 7, № 3. P.129−138.
  8. Itoh I. Fabrication of micron-size vacuum triodes with Si field emitters // Densi gidzutsu sogo kenkudze iho. 1989. V. 53, № 10. P. 1171−1182.
  9. Liao F. Vacuum microelectronics // Acta Electronica Sinica. 1991. V. 19, № 3. P. 89−96.
  10. Lee R.A. Return of the vacuum valve // Electron and Wireless World. 1989. V. 1639. P. 443−447.
  11. Gray H.F. Vacuum microelectronics 1996: Where we are and where we are going // 9th International Vacuum Microelectronics Conference. — St. Petersburg. 1996. — P. 1−3.
  12. Brodie I. Vacuum microelectronics — the next ten years // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea. 1997. — P. 1−6.
  13. Shoulders K.R. Microelectronics using electron beam activated machining techniques // Advances in Computers. 1961. V. 2. P. 135−239.
  14. K.P. Комплексные системы на микроминиатюрных электровакуумных приборах // Микроэлектроника и большие системы / Под ред. В. Г. Толстова — М.: Мир. 1967. —1. С.119−144.
  15. Spindt С.А. A thin-film field-emission cathode // Journal of Applied Physics. 1968. V. 39, № 7. P.3504−3505.
  16. Spindt C.A., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E.R. Physical Properties of Thin-Film Field Emission Cathodes // Journal of Applied Physics. 1976. V. 47, № 12. P. 5248−5263.
  17. Spindt C.A. Field emission cathode array development for high-current-density applications // Applications of Surface Science. 1983. V. 16. P. 268−276.
  18. Forman R. Evaluation of the emission capabilities of Spindt-type field emitting cathodes // Applications of Surface Science. 1983. V. 16. P. 277−291.
  19. Cochran J.K., Chapman A.T., Feeney R.K., Hill D.N. Review of field emitter array cathodes // International Electron Devices Meeting. — Washington D.C., 1980. — P. 462−466.
  20. Stewart D., Wilson P. Recent developments in broad area field emission cold cathodes // Vacuum. 1980. V. 30, № 11/12. P. 527−532.
  21. Dohler G., Rengan A., Scafuri F. Integrated grid technology // International Electron Devices Meeting. — Washington D.C., 1980. — P. 475−478.
  22. Noer R.J. Electron field emission from broad-area electrodes // Applied Physics. A. 1982. V. 28. P. 1−24.
  23. Yamabe M., Furukawa Y., Inagaki T. Electron emission from <100> ЬаВб cathodes with large cone angles and flat tips // Journal of Vacuum Science and Technology A. 1984. V. 2(3).1. P.1361−1364.
  24. Mitchell R.E., Mitchell J.B.A., McGowan J.W. Studies of a thin-film field-emission cathode for use in merged electron-ion beam experiments // Journal of Physics. E: Scientific Instruments. 1985. V. 18, № 12. P. 1031−1036.
  25. Dayton J.A., Kosmahl H.G. Ultra small electron beam amplifiers // International Electron Devices Meeting. — 1986. — P. 780−783.
  26. Van Gorkom G.G.P., Hoeberechts A.M.E. An efficient silicon cold cathode for high current densities // Phillips Journal of Research. 1986. V. 41, № 4. P. 343−384.
  27. Niedermann P., Sankarraman N., Noer R.J., Fisher D. Field emission from broad-area niobium cathodes: Effects of high-temperature treatment // Journal of Applied Physics 1986. V. 59(3).1. P. 892−901.
  28. Araki H., Hanawa T. Electron emission from electroformed carbon films // Vacuum. 1988. V. 38, № 1. P. 31−35.
  29. Shoulders K.R., Heynick L.N. Needle-type electron source // United States Patent № 3 453 478, U.S. CI. 313−309, Int. CI. H01J 1/02, 17/04,61/06, July 1. 1969.
  30. Spindt C.A., Shoulders K.R., Heynick L.N. Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures // United States Patent № 3 789 471, Int. CI. H01J 9/02, Feb. 5,1974.
  31. Charles D. Cold emission electron discharge device // United States Patent № 3 308 330, U.S. CI. 313−310, Mar. 7,1967.
  32. Levine J.D. Field emitting device and method of making same // United States Patent № 3 921 022, Int. CI. H01J 1/02, Nov. 18,1975.
  33. Hagood J.W. et al. Method of producing a field effect control device // United States Patent № 3 840 955, Int. CI. HOI J 9/02, Oct. 15, 1974.
  34. Nishida J., Ohhara T. High field-emission cathodes and methods for preparing the cathodes // United States Patent № 3 678 325, Int. CI. H01J 1/14, HOI J 19/06- HOIK 1/04, July 18,1972.
  35. Cochran J.K. et al. Method of producing low voltage field emission cathode structure // United States Patent № 4 253 221, Int. CI. H01J 9/02, H01J 9/12, Mar. 3, 1981.
  36. Greene R.F., Gray H.F. P-N junction controlled field emitter array cathode // United States Patent № 4 513 308, Int. CI. HO 1L 29/06- H01L 29/34- H01L 27/12, Apr. 23,1985.
  37. Villalobos H.F. Polycrystalline diamond emitter // United States Patent № 4 164 680, Int. CI. H01J 1/16- H91J 1/14, Aug. 14,1979.
  38. Christensen A.O. Field emission device // United States Patent № 4 663 559, Int.CI. H01J 1/16- H01J 19/10, May 5, 1987.
  39. Fulmer Research Institute Limited. Field emitters incorporating directionally solidified eutectics containing refractory metal carbides // UK Patent № 1583 030, Int. CI. H01J 1/30,13 Sept, 1976.
  40. Kaneko A., Kanno Т., Tomii K., Kitagawa M., Hirao T. Wedge-shaped field emitter arrays for flat display // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2395−2397.
  41. B.B. Автоэлектронный катод// Авт. свид. СССР № 376 826, М. Кл. H01J 1/30 от 05.04.1973.
  42. В.Н., Савченко В. П., Павлов В. Г., Комяк Н. И., Рабинович А. А. Способ изготовления автоэмиссионных приборов // Авт. свид. СССР № 4 252 396, М. Кл. H01J 1/30, H01J 35/06 от 25.04.1974.
  43. В.А. Способ изготовления электродной системы с автоэмиттером // Авт. свид. СССР № 641 537. М. Кл. НО 1J 9/02, Н01J 1/30 от 05.01.1979.
  44. В.А., Сокол В. А., Татаренко Н. И. Электровакуумный прибор // Авт. свид. СССР № 713 386. МКИ H01J 21/10 от 05.10.1979.
  45. М.С., Жуков В. М., Лупехин С. М., Фурсей Г. Н. Способ возбуждения автоэлектронной эмиссии // Авт. свид. СССР № 1 054 846. М. Кл. H01J 1/30 от 15.11.83.
  46. .И., Михайловский И. М. Способ получения эмиссии с автоэмиссионных катодов // Авт. свид. СССР № 1 164 806А, М. Кл. H01J 9/02 от 30.06.85.
  47. В.Э., Егоров Н. В., Фурсей Г. Н. Способ получения автоэлектронной эмиссии.-Авт. свид. СССР № 1 038 980. М. Кл. H01J 9/02, H01J 1/30 от 30.08.1983.
  48. В.М., Паутов Д. М., Полежаев С. А. Способ формирования эмитирующей поверхности автоэлектронного острийного катода // Авт. свид. СССР № 1 075 326. М. Кл. НО 1J 9/02 от 23.02.1984.
  49. В.А., Васичев Б. Н., Рыбаков IO.J1. Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией//Авт. свид. СССР№ 1 069 029А, М. Кл. H01J 1/30 от 23.01.1984.
  50. Д.М., Ткаченко В. А., Федоров В. Н., Горбачевский Е. В. Многоострийный холодный катод//Авт. свид. СССР№ 1 019 518. М.Кл. H01J 1/30от23.05.1983.
  51. В.А., Курочкин А. Н. Автоэлектронный эмиттер // Авт. свид. СССР № 1 078 492. М.Кл.НОи 1/30 от 07.03.1984.
  52. Галанский B. JL, Мотошкин В. В. Способ изготовления холодного катода// Авт. свид. СССР № 700 882. М. Кл. H01J 9/02- H01J 1/30 от 30.11.1979.
  53. С.В. Способ работы точечного автоэлектронного катода // Авт. свид. СССР № 1 238 614. М. Кл. H01J 1/30 от 28.12.1981.
  54. А.А., Фурсей Г. Н., Вентова И. Д., Лебедев А. Д., Валуйский С. А. Автоэлектронный эмиттер типа «гребенка» // Авт. свид. СССР № 342 241. М. Кл. H01J 1/30 от 14.06.1972.
  55. В.В., Гайлес В. М., Домахина A.M., Сименштейн JI.C. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэлектронным катодом // Авт. свид. СССР № 609 144. М. Кл. H01J9/02 от 30.05.1978.
  56. А.И., Мостовский А. А., Пустыльник И. А., Саксеев Д. А., Титова Л. П., Энден Н. М. Исследование автофотоэмиссии одноострийных и многоострийных кремниевых катодов // Известия Академии наук СССР: серия физическая. 1976, Т. 40, № 8. С. 1575−1580.
  57. Р.З., Ратникова Е. К. Полевая электронная эмиссия из полупроводниковых многоострийных катодов // Известия Академии наук СССР: серия физическая. 1988. Т. 52, № 8. С. 1518−1521.
  58. В.Г., Данильчук В. Л. Полевая эмиссия из Si и GaAs лезвийных катодов // Известия Академии наук СССР: серия физическая. 1988. Т. 52, № 8. С. 1522−1525.
  59. А.Ф., Кулишова Г. Г., Старовойтова Л. Н. Особенности низкополевой электронной эмиссии // Известия Академии наук СССР: серия физическая. 1988. Т. 52, № 8. С. 1530— 1533.
  60. Н.П., Шуппе Г. И. Автоэмиссионная способность катодных нитей, выращенных при разряде в парах W(CO)6 // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28. Вып. 1. С. 197−199.
  61. Ф.Г., Миглей Д. Ф., Смыслов В. В. Автоэмиссионные катоды из микропровода в стеклянной изоляции Н Приборы и техника эксперимента. 1987. № 1. С. 205−206.
  62. .В., Селиверстов В. А., Шаховской А. Г., Шешин Е. П. Автоэлектронная эмиссия стеклоуглеродного волокна // Радиотехника и электроника. 1987. Вып. 2, С. 395 400.
  63. Ненакаливаемые катоды / Под ред. М. И. Елинсона. — М.: Сов. радио. 1974.
  64. .Ф., Шешин Е. П., Щука А. А. Приборы и устройства электронной техники на основе автокатодов // Зарубежная электронная техника. 1979. № 2. С. 3−43.
  65. .Ф., Рыбаков Ю. Л., Шешин Е. П., Щука А. А. Автоэлектронные катоды и приборы на их основе // Обзор по электронной технике: сер. 4.1981. Вып. 4(814). С. 2−58.
  66. Fowler R.H., Nordheim L.W. Electron emission in intense electric fields // Proc. Roy. Soc. London A. 1928. V. 119. P. 173−181.
  67. Nordheim L.W. The effect of the image force on the emission and reflection of electrons by metals // Proc. Roy. Soc. London A. 1928. V. 121, P. 626−639.
  68. Brodie I. Physical consideration in vacuum microelectronic devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. V. 36, № 11. P. 2641−2644.
  69. Spindt C.A., Holland C.E., Rosengreen A., Brodie I. Field emitter arrays for vacuum microelectronics // IEEE Trans. Electron. Dev. 1991. V. 38, № 10. P. 2355−2363.
  70. Holland C.E., Rosengreen A., Spindt C.A. A study of field emission microtriodes // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2368−2372.
  71. Hunt C.E., Trujillo J.T., Orvis W.J. Structure and electrical characteristics of silicon field-emission microelectronic devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2309−2313.
  72. Д.В., Баскин Jl.M., Фурсей Г. Н. Кинетика импульсного нагрева острийных автокатодов реальной геометрии эмиссионным током высокой плотности // Журнал технической физики (ЖТФ). 1989. Т. 59, Вып. 5, С. 60−68.
  73. Ю.В., Баздырев В. Н., Борисов В. А., Жуков В. М. Предельные плотности тока автоэмиссии в поле СВЧ// Радиотехника и электроника. 1986. Т. 31, Вып. 6, С. 1193−1195.
  74. Dyke W.P., Trolan J.K., Dolan W.W., Barnes G. The field emitter: fabrication, electron microscopy, and electric field calculations // Journal of Applied Physics. 1953. V. 24, № 5.1. P.570−576.
  75. Forbes R.G. Field emission: New theory for the derivation of emission area from a Fowler-Nordheim plot // Journal of Vacuum Science & Technology B, 1999. V. 17(2). P. 526−532.
  76. А.Д. Модель острия автоэмиссионного катода // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28, Вып. 7, С. 1371−1377.
  77. А.Ф., Аникин В. М., Денисов В. И. Статистический анализ рельефов, образованных системами моноориентированных нитевидных кристаллов и каталитических глобул // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. № 1. С. 145−147.
  78. Anikin V.M., Goloubentsev A.F. Statistical models of fluctuation phenomena in field emission // Solid-State Electronics. 2001. № 45. P. 865−869.
  79. Marcus R.B., Chin K.K., Yuan Y., Wang H., Carr W.N. Simulation and design of field emitters // IEEE Transactions on Electron Devices. 1990. V. 37, № 6. P. 1545−1550.
  80. .П., Стеценко Б. В. О соотношении между полем у вершины полупроводникового автоэмиттера и напряжением //Журнал технической физики. 1980. Т. 50, Вып. 10, С. 2136— 2140.
  81. Gipson G.S. An improved empirical formula for the electric field near the surface of field emitters // Jornal of Applied Physics. 1980. V. 51(7), P. 3884−3889.
  82. Tagawa M., Takenobu S., Ohmae N., Umeno M. Electric field distribution of electron emitter surfaces // Applied Physics Letters. 1987. V. 50, № 9. P. 545−546.
  83. M. Влияние микрогеометрии поверхности на эмиссионные параметры металлических эмиттеров // Радиотехника и электроника. 1988. Т. 33, Вып. 2. С. 371−379.
  84. .В., Макуха В. И. Рыбаков Ю.Л., Шаров В. Б., Шешин Е. П. Влияние шероховатости поверхности автокатодов на их эмиссионные характеристики // Радиотехника и электроника. 1987. Т. 32, Вып. 12. С. 2606−2610.
  85. А.А. К оценке эффективного коэффициента усиления электрического поля на микронеоднородностях поверхности катода вакуумного промежутка // Известия высших учебных заведений: Физика. 1989. Т. 32, № 4. С. 103−105.
  86. В.А., Ярославский В. Н. О зависимости коэффициента Р катодных микровыступов от ширины междуэлектродного промежутка // Журнал технической физики. 1982. Т. 52, Вып. 2, С. 278−282.
  87. Djubua B.C., Chubun N.N. Emission properties of Spind-type cold cathodes with different emission cone material // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2314— 2316.
  88. Green R., Gray H., Campisi G. Vacuum integrated circuits // International Electron Devices Meeting. — 1985. — P. 172−174.
  89. Gray H.F., Campisi G, J., Green R.F. A vacuum field transistor using silicon field emitter arrays // International Electron Devices Meeting. — 1986. — P. 776−778.
  90. Gray H.F., Campisi G.J. A silicon field emitter array planar vacuum FET fabricated with microfabrication techniques // Material Research Society Symposia Proceedings. V. 76, Science and Technology of Microfabrication. — 1987. — P. 25−30.
  91. Gray H.F., Shaw J.L. High frequency FEAs for RF Power Applications // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea, 1997. — P. 220−225.
  92. Harvey R.J., Lee R.A., Miller A.J., Wigmore J.K. Aspects of Field Emission from Silicon Diode Arrays // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2323−2328.
  93. McGruer N.E., Warner K., Singhal P., Gu J.J., Chan Ch. Oxidationsharpened gated field emitter array process // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2389−2391.
  94. Marcus R.B., Ravi T.S., Gmitter Т., Busta H.H., Niccum J.T., Chin K.K. Atomically sharp silicon and metal field emitters // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10.1. P. 2289−2293.
  95. Branston D.W., Stephani D. Field emission from metal-coated silicon tips // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2329−2333.
  96. Adler E.A., Bardai Z., Forman R., Goebel D.M., Longo R.T., Sokolich M. Demonstration of low-voltage field emission // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 23 042 308.
  97. Kitano M., Shimawaki H., Mimura H., Yokoo K. Emission characteristic of Si-FEA with junction FET // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea. 1997. —1. P. 38.
  98. Kanemaru S., Ozawa K., Hirano Т., Itoh J. MOSFET-structured Si field emitter tip // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea, 1997. — P. 34−37.
  99. Underwood R., Kapolnek D., Keller S., Keller В., DenBaars S., Mishura U. GaN FEA diode with integrated anode // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea, 1997. —P. 132−136
  100. Orvis W.J., McConaghy C.F., Ciarlo D.R., Yee J.H., Нее E.W. Modeling and fabricating micro-cavity integrated vacuum tubes // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. V. 36, № 11.1. P.2651−2658.
  101. Zimmerman S., Babie W.T. A fabrication method for the integration of vacuum microelectronic devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2294−2303.
  102. Kanemaru S., Itoh J. Fabrication and characterization of lateral field-emitter triodes // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. V. 38, № 10. P. 2334−2336.
  103. Kosmahl H.G. A wide-bandwidth high-gain small-size distributed amplifier with field-emission triodes (FETRODEs) for the 10 to 300 GHz frequency range // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. V. 36, № 11. P. 2728−2737.
  104. Gulyaev Y.V., Sinitsyn N.I. Super-miniaturization of low-power vacuum microwave devices. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. V. 36, № 11. P. 2742−2743.
  105. Spindt C.A., Holland C.E., Schwoebel P.R., Brodie I. Field-emitter-array development for microwave applications (part 1) // 9th International vacuum microelectronics conference. — St.-Petersburg, 1996. — P. 638−639.
  106. Spindt C.A., Hollad C.E., Schwoebel P.R., Brodie I. Field-emitter-array development for microwave applications (part 2) // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea, 1997. — P. 200−203.
  107. B.A., Соколов Д. В., Трубецков Д. И. Электронные СВЧ-приборы с электростатическим управлением и модуляцией эмиссии // Радиотехника и электроника. 1990. Т. 35, Вып. 11. С. 2241−2258.
  108. Н.И., Петров А. С. Вакуумная микроэлектроника: реальность и перспективы // Успехи современной радиоэлектроники. 1998. № 7. С. 10−31.
  109. Talin А.А., Dean К.А., Jaskie J.E. Field emission displays: a critical review // Solid-State Electronics. 2001. № 45. P. 963−976.
  110. JI.M., Кантонистов A.A., Радченко И. Н., Черных JI.M., Фурсей Г. Н., Широчин JI.A. Пролетные эффекты при автоэлектронной и взрывной эмиссии в быстропеременных электрических полях//Журнал технической физики. 1987. Т. 57, Вып. 7. С. 1365−1371.
  111. Huebner Н., Roehm Е. Generating pico-second electron pulses with microwave field emission // Optik. 1988. V. 78, № 4. P. 173−182.
  112. Todokoro H., Saitou N., Yamamoto S. Role of ion bombardment in field emission current instability//Japanese Journal of Applied Physics. 1982. V. 21. P. 1513−1516.
  113. В.А., Невровский В. А. Исследование характера нестабильности автоэлектронной эмиссии с острийных катодов // Радиотехника и электроника. 1983. Вып. 6. С. 1163−1168.
  114. Р.И., Дранова Ж. И., Кулько В. Б., Лазарев Б. Г., Лазарева Л. С., Михайловский И. М. Об устойчивости игольчатых автоэмиггеров к ионной бомбардировке // Журнал технической физики. 1976. Т. 46, Вып. 9. С. 1901−1904.
  115. Chubun N.N., Chakhovskoi A.G., Hunt С.Е., Hajra M. Fabrication and characterization of singly addressable arrays of polysilicon field-emission cathodes // Solid-State Electronics. 2001. V. 45. P. 1003−1007.
  116. D.G., Schattenburg M., Smith H.I., Akintunde I. 100-nm aperture field emitter arrays for low voltage applications // International Electron Devices Meeting. — 1998. — P. 855−858.
  117. Takmura H., Yoshiki M., Furutake N., Tomihari Y., Okamoto A., Miyano S. Si field emitter array with 90 nm-diameter gate holes // International Electron Devices Meeting. — 1998. —1. P.859−862.
  118. Driskill-Smith A.A.G., Hasko D.G., Ahmed H. Nanoscale field emission structures for ultra-low voltage operation at atmospheric pressure // Applied Physics Letters. 1997. V. 71, № 21.1. P. 3159−3161.
  119. В.И., Петров A.C., Татаренко Н. И. Информационная микроволновая электроника // Микроэлектроника. 1997. Т. 26, № 4. С. 243−265.
  120. Keller F., Hunter M.S., Robinson D.L. Structural features of oxide coatings on aluminum // Journal of Electrochemical Society. 1953. V. 100, № 9. P. 411−419.
  121. O’Sullivan J.P., Wood G.C. The morphology and mechanism of formation of porous anodic films on aluminium // Proceedings of Royal Society, London A. 1970. V. 317. P. 511−643.
  122. Thompson G.E. Porous anodic alumina: fabrication, characterization and applications // Thin Solid Films. 1997. V. 297. P. 192−201.
  123. Н.И. Способ изготовления тонкопленочного вакуумного микроприбора // Патент СССР № 1 729 243. МКИ HOI J 21/10 от 22.12.1991.
  124. Li A.P., Muller F., Birner A., Nielsh K., Gosele U. Hexagonal pore arrays with a 50−420 nm interpore distance formed by self-organization in anodic alumina // Journal of Applied Physics.1998. V. 84, № 11. P. 6023−6026.
  125. Masuda H., Nakao M., Tamamura Т., Asoh H. Fabrication of ordered nanostructure based on anodic porous alumina // The SPIE Conference on Micromachining and Microfabrication Process Technology IV. — SPIE Vol. 3511,1998. — P. 74−81.
  126. Li A.P., Muller F., Birner A., Nielsh K., Gosele U. Fabrication and microstructuring of hexagonally ordered two-dimensional nanopore arrays in anodic alumina // Advanced Materials.1999. V. 11, № 6. P. 483187.
  127. Crouse D., Lo Y.H., Miller A.E., Crouse M. Self-ordered pore structure of anodized aluminum on silicon and pattern transfer // Applied Physics Letters. 2000. V. 76, № 1. P. 49−51.
  128. Ba L., Li W.S. Influence of anodizing conditions on the odered pore formation in anodic alumina // Journal of Physics D: Applied Physics. 2000. V. 33. P. 2527−2531.
  129. Asoh H., Nishio K., Nakao M., Tamamura Т., Masuda H. Conditions for fabrication of ideally ordered anodic porous alumina using pretextured A1 // Journal of The Electrochemical Society. 2001. V. 148(4), P. B152-B156.
  130. Masuda H., Yotsuya M., Asano M., Nishio K., Nakao M., Yokoo A., Tamamura T. Self-repair of ordered pattern of nanometer dimensions based on self-compensation properties of anodic porous alumina//Applied Physics Letters. 2001. V. 78, № 6. P. 826−828.
  131. Liu C.Y., Datta A., Wang Y.L. Ordered anodic alumina nanochannels on focused-ion-beam-prepattened aluminum surfaces //Applied Physics Letters. 2001. V. 78, № 1. P. 120−122.
  132. Cai A., Zhang H., Hua H., Zhang Z. Direct formation of self-assembled nanoporous aluminium oxide on Si02 and Si substrates //Nanotechnology. 2002. V. 13. P. 627−630.
  133. Xu W.L., Zheng M.J., Wu S., Shen W.Z. Effects of high temperature annealing on structural and optical properties of highly ordered porous alumina membranes // Applied Physics Letters. 2004. V. 85, № 19. P. 4364−4366.
  134. Myung N.V., Lim J., Fleurial J.P., Yun M., West W., Choi D. Alumina nanotemplate fabrication on silicon substrate //Nanotechnology. 2004. V. 15. P. 833−838.
  135. Govyadinov A.N., Zakhvitcevich S.A. Field emitter arrays based on natural selforganized porous anodic alumina // 10th International Vacuum Microelectronics Conference. — Kyongju, Korea 1997. —P. 735−737.
  136. Zakhvitcevich S., Govyadinov A. Nanodimensional field emitter arrays based on porous anodic alumina // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. 1997. P. 297−300.
  137. Holland E.R., Harrison M.T., Huang M., Wilshaw P.R. Nonlithographic technique for the production of large area high density gridded field emission sources // Journal of Vacuum Science & Technology B. 1999. Vol. 17(2). P. 580−582.
  138. Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. // М.: Издательство МФТИ-Физматкнига. 2001.
  139. Э.Г. Методы получения углеродных нанотрубок // Успехи химии. 2000. Т. 69, № 1. С. 41−59.
  140. Murakami Н., Hirakawa М., Tanaka С., Yamakawa Н. Field emission from well-aligned, patterned, carbon nanotube emitters // Applied Physics Letters. 2000. V. 76, № 13. P. 1776−1778.
  141. Hsieh C.T., Chen J.M., Kuo R.R., Huang Y.H. Fabrication of well-aligned carbon nanofiber array and its gaseous-phase adsorption behavior // Applied Physics Letters. 2004. V. 84, № 7.1. P. 1186−1188.
  142. Sue J.S., Lee J.S. Highly ordered two-dimensional carbon nanotube arrays // Applied Physics Letters. 1999. V. 75, № 14. P. 2047−2049.
  143. Iwasaki Т., Motoi Т., Den T. Multiwalled carbon nanotubes growth in anodic alumina nanoholes //Applied Physics Letters. 1999. V. 75, № 14. P. 2044−2046.
  144. Jang W.Y., Kulkarni N.N., Shih C.K., Yao Z. Electrical characterization of individual carbon nanotubes grown in nanoporous anodic alumina templates // Applied Physics Letters. 2004.1. V. 84, № 7. P. 1177−1179.
  145. Gunter В., Gohl A., Muller G., Engstler J., Schneider J.J. Field emission of carbon nanotubes embedded in a dielectric matrix // 2nd Europen Field Emission Workshop. — Seqovia, Spain, 2000. —P. 211−212.
  146. Davydov D.N., Sattari P.A., AlMawlawi D., Osika A., Haslett T.L., Moskovits M. Field emitters based on porous aluminum oxide templates // Journal of Applied Physics. 1999. V. 86, № 7.1. P. 3983−3987.
  147. Tsai S.H., Chao C.W., Lee C.L., Liu X.W., Lin I.N., Shih H.C. Formation and field-emission of carbon nanofiber films on metallic nanowire arrays // Electrochemical and Solid-State Letters. 1999. № 2(5). P. 247−250.
  148. Юнг Jl. Анодные оксидные пленки / Пер. с английского под ред. Закгейма Л. И. и Одынца Л. Л —Л.: Энергия. 1967.
  149. Дель Ока С.Дж., Пулфури Д. Л., Янг Л. Анодные окисные пленки // Физика тонких пленок, Т. 6 / Под общей ред. М. Х. Франкомба, Р. У. Гофмана. — М.: Мир, 1973. — С. 7−96.
  150. Dell’Oca C.J., Fleming P.J. Initial stages of oxide growth and pore initiation in the porous anodization of aluminum // Journal of Electrochemical Society: Solid-State Science and Technology. 1976. V. 123, № 10. P. 1487−1493.
  151. Hoar T.P., Yaholom J. The initiation of pores in anodic oxide films formed on aluminum in acid solutions//Journal of Electrochemical Society. 1963. V. 110, № 6. P. 614−621.
  152. Н.Д., Тюкина M.H., Заливалов Ф. П. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов. — М. — 1968.
  153. Tatarenko N.I., Mozalev A.M. Study and Application of Titanium Oxide Arrays of Field-Emission Nanostructures Formed by Anodizing Technique // 2nd International Symposium on Electrochemical Microsystem Technologies.'—Tokyo, Japan, 1998, C-49. — P. 150.
  154. Tatarenko N.I., Mozalev A.M. Geometric Parameters of a Nanoscale Field Emission Array Formed by Self-Organization in Anodic Porous Alumina // 13th International Vacuum Microelectronics Conference. — Guangzhou, China, 2000. — P. 71−72.
  155. Tatarenko N.I., Blyablin A.A., Suetin N.V. Field Emission Nanostructures Formed by Self-Organization in Anodic Porous Alumina // 12th International Vacuum Microelectronics Conference. — Darmstadt, Germany, 1999. — P. 136−137.
  156. .В. Материалы для автоэлектронных катодов // Электронная техника: Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1981. Вып. 6(89). С. 3−9.
  157. .В., Кузнецов В. А. Исследование, механической прочности пленочных автокатодов из хрома // Журнал технической физики. 1972. Т. 42, Вып. 5. С. 1093−1095.
  158. М. Автоэлектронная эмиссия и автоионизация // Автоионная микроскопия. Под ред. Дж. Рена, С. Ранганатана. — М.: Мир. 1971. — С. 18.
  159. В.А., Паутов Д. М., Комяк Н. И., Иванов С. А. Автоэмиттеры из нитридов тугоплавких металлов//Журнал технической физики. 1983. Т. 53, № 10. С. 2081−2087.
  160. П. Отклонения от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. — М.: Мир. 1975. — 396 с.
  161. Л.А., Малиненко В. П., Фофанов А. Д., Яковлева Н. М. Структурные превращения на границе металл-аморфный окисел // Анодные окисные пленки. — Петрозаводск: Межвузовский сборник, 1978. — С. 44−58.
  162. B.C., Подчерняева И. А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. Справочник. — М.: Атомиздат. 1975.
  163. В.Ф., Мозалев A.M., Татаренко Н. И., Ласточкина В. А. Исследование состава периодических наноразмерных столбиковых структур анодного оксида титана методом ИК спектрометрии // Журнал прикладной спектроскопии. 1998. Т. 65, № 2. С. 200−204.
  164. Tatarenko N.I., Mozalev A.M. Geometry and Element Composition of a Nanoscale Field Emission Array Formed by Self-Organization in Porous Anodic Aluminum Oxide // Solid-State Electronics. 2001. Vol. 45. P. 1009−1016.
  165. Tatarenko N.I., Solntsev V.A., Rodionov A.N. Novel Nanoscale Field Emission Structures: Fabrication Technology, Experimental, and Calculated Characteristics // Journal of Vacuum Science & Technology B, 1999. V. 17(2). P. 647−654.
  166. Solntsev V.A., Rodionov A.N. Investigation of electric field at the cathode with fractal structure of the surface // Solid-State Electronics. 2001. № 45. P. 853−856.
  167. В.Ф. Лекции по теории атомарных функций и некоторым их приложениям. — М.: Радиотехника, 2003.
  168. Ю.В., Баздырев В. Н., Дубовой Л. В. Характеристики автоэмиссионных графитовых катодов в СВЧ модуляторе тока // Журнал технической физики. 1983. Т. 53, № 6. С. 1217−1220.
  169. Edgcombe С.J., Valdre U. The enhancement factor and the characterization of amorphous carbon field emitters // Solid-State Electronics. 2001. № 45. P. 857−863.
  170. B.A., Татаренко Н. И., Стешенко П. П. Расчет толщины конденсата на рельефных поверхностях планетарно вращающихся подложек // Электронная техника: сер. Технология, организация производства и оборудование. 1980. Вып. 6(103). С. 43−47.
  171. Liang J., Chik Н., Yin A., Xu J. Two-dimensional lateral superlattices of nanostructures: nonlithographic formation by anodic membrane template // Journal of Applied Physics. 2002.1. V. 91,№ 4. P. 2544−2545.
  172. В.А., Курмашев В. И., Раткевич Л. М. Исследование электрических режимов получения анодных оксидных пленок алюминия // Электронная техника: сер. Материалы. 1977. Вып. 5. С. 94−102.
  173. Григоришин HJL, Кухновец В. Н. Электрическая прочность тонких диэлектрических слоев, сформированных в различных электролитах // Материалы Всесоюзного симпозиума по ненакаливаемым катодам. — Томск, 1977. — С. 54−56.
  174. Bottom V.E. A new method of aligning frequency of aluminum-coated quartz resonators // United States Patent № 4 130 771. Int. CI. H01L 41/22, December 19,1978.
  175. B.A., Татаренко Н. И., Воробьева А. И. Способ создания многоуровневой металлизации // Авт. свид. СССР № 786 737. МКИ, НО 1L 23/52- H01L 21/28 от 07.08.1980.
  176. В.А., Сокол В. А., Татаренко Н. И., Можухов А. А. Электрохимическая ячейка для анодирования металлических пленок на диэлектрических подложках // Авт. свид. СССР669 767. МКИ C25D 17/06 от 28.02.1979.
  177. Н.И., Андрюшенко Т. Н. Влияние условий анодирования на микроструктуру пористых анодных окисных пленок алюминия // Защита металлов. 1984. № 3. С. 499−501.
  178. В.А., Данилович Н. И., Уксусов А. С., Минайчев В. Е. Современные магнетронные распылительные устройства// Зарубежная электронная техника. 1982. № 10. С. 3−62.
  179. Podell J. F, Whelton R.M. Use of anodized aluminum as electrical insulation and scratch protection for semiconductor devices // United States Patent № 3 723 258. Int. CI. BOlk 2/02- C23b 5/46, 5/48, March 27,1973.
  180. В.Ф., Аржанков С. И., Татаренко Н. И., Горох Г. Г., Ласточкина В. А. Методика подготовки анодных оксидных пленок алюминия для спектроскопических и структурных исследований // Заводская лаборатория. 1986. Т. 52, № 8. С. 52−53.
  181. С.И., Сурганов В. Ф., Татаренко Н. И., Ласточкина В. А., Горох Г. Г. Электролит для анодирования алюминия и его сплавов // Авт. свид. СССР № 1 272 762 от 22.07.1986.
  182. Ю.А., Скоробогатов П. К., Татаренко Н. И. Перспективы использования вакуумных микроэлектронных приборов в радиационностойкой аппаратуре // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость». 2001. Вып. 4. С. 155−156.
  183. Рез И.С., Поплавко Ю. М. Диэлектрики-основные свойства и применения в электронике. — М.: Радио и связь, 1989.
  184. В.М. Кулаков, Е. А. Ладыгин, В. И. Шаховцов и др. // Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е. А. Ладыгина. — М.: Сов. Радио, 1980.
  185. В.А., Точицкий Э. И., Татаренко Н. И. Способ формирования окисной пленки // Авт. свид. СССР № 555 683. МКИ C25D 11/02 от 27.12.1976.
  186. В.А., Сокол В. А., Татаренко Н. И., Можухов А. А. Способ создания двухслойной планарной металлизации //Авт. свид. СССР № 593 598. МКИ HOIL 21/28 от 21.10.1977.
  187. В.А., Татаренко Н. И. Способ формирования межслойной изоляции // Авт. свид. СССР № 711 954. МКИ, НО 1L 21/31 от 28.09.1979.
  188. Н.И., Панченко Е. Н. Способ создания многоуровневой коммутации // Авт. свид. СССР № 1 208 974. МКИ HOIL 21/28 от 01.10.1985.
  189. В.А., Сокол В. А., Данилович Н. И., Можухов А. А., Татаренко Н. И. Устройство для измерения сопротивления металлической пленки на рабочей подложке в процессе ее формирования // Авт. свид. СССР № 611 496. МКИ G01R 27/00 от 21.02.1978.
  190. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. The Interconnection System for Fabricating Digital Logic Elements Based on Nanostructural Field Emission Triodes // 2nd VDE World Microtechnologies Congress MICRO.tec. — Munich, Germany, 2003. — P. 485−490.
  191. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. The Interconnection System ob 1С on The Basis of Valve Metals and Their Anodic Oxides // 4th International Conference Porous Semiconductors-Science and Technology. — Cullera-Valencia, Spain, 2004. — P. 332−333.
  192. Технология толстых и тонких пленок / Под ред. А. Рейзмана, К. Роуза. — М.: 1972. — С. 34−45.
  193. В.В., Никольская Т. И. Электродинамика и распространение радиоволн. — М.: Наука, 1989.
  194. А.Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. — М.: МГУ, 1999.
  195. Ф., Доуэрти Дж. Электродинамика частиц и плазмы / Пер. с англ, — М.: Мир, 1996.
  196. В.Ф., Басараб М. А. Булева алгебра и методы аппроксимации в краевых задачах электродинамики. — М.: Физматлит, 2004.
  197. В.Ф., Рвачев B.JI. Алгебра логики, атомарные функции и вейвлеты в физических приложениях. — М.: Физматлит, 2006.
  198. П., Баттерфилд Р. Метод граничных элементов в прикладных науках / Пер. с англ. — М.: Мир, 1984.
  199. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. Physical Considerations of Operating and Characteristics Modeling of Nanostructural Field Emission Devices // 17th International Vacuum Nanoelectronics Conference. — Cambridge, Massachusetts USA, 2004, — P. 61−62.
  200. Н.И., Воробьев А. Ю. Физические основы моделирования характеристик наноструктурных автоэлектронных микроприборов // Электромагнитные волны и электронные системы. 2005. Т. 10, № 8. С. 59−68.
  201. П.Г., Марков Е.П. Delphi — среда визуального программирования. — СПб.: BHV, 1996.
  202. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. Modeling and calculation of nanostructural field emission diode characteristics // 14th International Vacuum Microelectronics Conference. — Davis, California, USA, 2001. —P. 81−82.
  203. P.T. Плоские индикаторы, способные конкурировать с ЭЛТ // Электроника. 1986. Т. 59, № 12. С. 5−6.
  204. К. Большие планы Станфордского научно-исследовательского института по разработке миниатюрных холодных катодов // Электроника. 1986. Т. 59, № 12. С. 6−7.
  205. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. Modeling and fabrication of micro-cavity gated nanostructural emitter arrays // Fourth IEEE International Vacuum Electron Sources Conference. — Saratov, Russia, 2002. —P. 179−181.
  206. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. Modeling and calculation of nanostructural field emission triode characteristics // 14th International Vacuum Microelectronics Conference. — Davis, California, USA, 2001, —P. 85−86.
  207. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. A Study of a Nanostructural Field Emission Triode // 15th International Vacuum Microelectronics Conference. — Lyon, France, 2002. — Pm 02.
  208. Н.И., Воробьев А. Ю. Вольт-амперные характеристики и дифференциальные параметры наноструктурных автоэлектронных микроприборов // Электромагнитные волны и электронные системы. 2005. Т. 10, № 9. С. 68−74.
  209. В.Н. Электронные приборы. — М.: Энергия, 1977.
  210. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. Nanostructural Field Emission Triodes as Active Components for a New Generation of Microsystems // 2nd VDE World Microtechnologies Congress MICRO.tec. — Munich, Germany, 2003. — P. 267−272.
  211. .В. Стабильность электронной эмиссии и срок службы некоторых вариантов автокатодов // Журнал технической физики. 1973. Т. XLIII, Вып. 11. С. 2441−2447.
  212. .В. Проблема стабильности автоэлектронной эмиссии и некоторые пути ее решения // Электронная техника: сер. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 9(321). С. 3−9.
  213. .В., Макуха В. И., Шешин Е. П. Стабильность эмиссии и долговечность некоторых вариантов автокатодов // Радиотехника и электроника. 1983. Вып. 8, С. 16 491 652.
  214. Д., Далчар Т. Современные методы исследования поверхности. — М.: Мир, 1989.
  215. Tatarenko N. I, Vorobyev A.Y. Nanostructunal Field Emission Triodes for High Operation Speed Microsystems // The 8th World Multi-Conference on Systemics, Cybernetics and Informatics. — Orlando, Florida, USA, V. VII, 2004. — P. 317−321.
  216. ТатаренкоН.И. Степень интеграции и быстродействие наноструктурных автоэлектронных микротриодов // Успехи современной радиоэлектроники. 2005. № 9. С. 3−10.
  217. Derra S. Can lithography go to the extreme? // Semiconductor Research, R&D Magazine, July 2001. P. 12−16.
  218. Н.И., Семенов А. И. Способ изготовления интегральной микросхемы // Авт. свид. СССР № 1 635 820. МКИ H01L 21/28 от 15.11.1990.
  219. Н.И., Кравченко В. Ф. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе. — М.: Физматлит, 2006.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?