Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование структурно-химических параметров тонких пленок, наностеклокерамики и многослойных нанографитов методами спектроскопии комбинационного рассеяния света

Диссертация: Исследование структурно-химических параметров тонких пленок, наностеклокерамики и многослойных нанографитов методами спектроскопии комбинационного рассеяния света
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью диссертационной работы являлось исследование термоиндуцированных структурно-химических измененийв проводящих пленках NiSi и пьезоэлектрических пленках (Bbo.92Sro.o8)(Zro.65Tio.35)03 нанометровой, толщины, выяснение закономерностей образования наноразмерных аморфных икристаллических неоднородностей в цинковоалюмосиликатных наностеклокерамиках, легированных ионами кобальта, при вторичной… Читать ещё >

Содержание

  • СПИСОК УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
  • ВВЕДЕНИЕ ¦
  • ГЛАВА1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СПЕКТРОСКОПИИ КОМБИНАЦИОННОЕ (c)"РАССЕЯНИЯ СВЕТА (КР>
    • 1. 1. Нерезонансное комбинационное рассеяние света
    • 1. 2. Резонансное комбинационное рассеяние света
    • 1. 3. Особенности спектроскопии- микро-КР
    • 1. 4. Особенности спектроскопии микро-КР при исследовании наноструктур
    • 1. 4. 1 Низкочастотное КР !, 22'
      • 1. 4. 2. Двойной связанный резонанс в комбинационном рассеянии наноструктурированных углеродных материалов
  • ГЛАВА 2. СПЕКТРОСКОПИЯ МИКРО-КР ИНДУЦИРОВАННЫХ ТЕМПЕРАТУРОЙ СТРУКТУРНЫХ ИЗМЕНЕНИЙ В ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ
    • 2. 1. Структурно-химические переходы в проводящих пленках<�№ 8г
      • 2. 1. 1. Приготовление образцов пленок силицидов никеля
      • 2. 1. 2. Предварительная характеризация образцов силицидов никеля
      • 2. 1. 3. Структурные изменения в проводящих пленках силицидов никеля: спектроскопия микро-комбинационного рассеяния света
    • 2. 2. Структурно-фазовью переходь1впьезоэле1сгриг1ескихпленках РЗгТ
      • 2. 2. 1. Приготовление образцовР82Т пленок
      • 2. 2. 2. Предварительная характеризация образцов силицидов никеля
      • 2. 2. 3. Структурные переходы в пьезоэлектрических пленках PSZT: спектроскопия микро-комбинационного рассеяния света
  • ГЛАВА 3. СПЕКТРОСКОПИЯ КР ТИТАНОСОДЕРЖАЩИХ ЦИНКОВОВОАЛЮМОСИЛИКАТНЫХ СИТАЛЛОВ, ЛЕГИРО-ВАННЫХ ИОНАМИ КОБАЛЬТА
    • 3. 1. Основные сведения о структурных особенностях наностеклокерамик (ситаллов)
    • 3. 2. Особенности структуры и оптические свойства титаносодержащих цинковоалюмосиликатных ситталлах, легированных СоО
    • 3. 3. Приготовление образцов ситаллов и их предварительная характеризация
    • 3. 4. Исследование структурно-химических превращений в ЦАС стеклах, легированных кобальтом, методами спектроскопии КР
      • 3. 4. 1. Спектроскопия микро-комбинационного рассеяния света
      • 3. 4. 2. Спектроскопия низкочастотного комбинационного рассеяния света
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ СЛОИСТЫХ НАНОГРАФИТОВ МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ МИКРО-КР
    • 4. 1. Структурные особенности частиц многослойных нанографитов
    • 4. 2. Приготовление образцов многослойных нанографитов и их характеризация
    • 4. 3. Исследование структурных особенностей частиц многослойных нанографитов методом спектроскопии микро-КР

Исследование структурно-химических параметров тонких пленок, наностеклокерамики и многослойных нанографитов методами спектроскопии комбинационного рассеяния света (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Создание нового поколениям элементной базы< электроники и фотоники с качественно улучшенными функциональными и экономическими • параметрамиосновывается в большой степени на использовании различных наноразмерных и наноструктурированных материалов с требуемыми свойствами. Среди таких материалов можно отметить тонкие пленки, наностеклокерамики и углеродные наночастицы.

Проводящие и пьезоэлектрические пленки нанометровой толщины являются одним из ключевых элементов интегральных микроэлектронных и микроэлектромеханических чипов. Первые используются в качестве интерконнекторов, вторые могут служить в качестве датчиков давления и положения, а также для позиционирования объектовс нанометровой точностью. В частности, тонкие проводящие слои моносилицида никеля (N181) начинают широко использовать в комплиментарных МОП структурах в качестве электрода или контактного слоя, поскольку они характеризуются уникально низким удельным сопротивлением и низким контактным сопротивлением как на п-, так и на р-легированном кремнии. Известно, однако, что существует другое соединение никеля с кремнием — N1281, имеющее высокое удельное сопротивление, которое может образовываться в процессе термического формирования пленки N181 или других компонент МОП структуры, существенно ухудшая проводимость. Выяснение деталей этого процесса, включая температуры перехода N1281 в N181 на различных кремниевых подложках, является актуальной задачей. Близкая проблема, связанная-с возможным^наличием индуцированного температурой фазового перехода (точка Кюри), имеет место для поликристаллических тонких пленок состава (РЬ0.928го.о8)(2го.65Т1о.з5)Оз, которые характеризуются очень высоким пьезоэлектрическим откликом и весьма перспективны для использования в микроэлектромеханических системах. Однако и в этом случае структурно-физические особенности, данных пленок при их термической обработке детально не исследованы.

Цинковоашомосиликатные наностеклокерамические материалы I ситаллы), легированные кобальтом, идеально подходят для использованиям качестве1 пассивных^ затворов для эрбиевых лазеров, излучающих на 1,54 мкм, которые широко-применяются для оптической-связи, в оптической дальнометрии и в других областях фотоники. Функциональные оптические параметры наностеклокерамик в большой степени определяются процессом образования наноразмерных неоднородностей и, в дальнейшем, нанокристаллов объеме материала во время его вторичной термообработки, а также наличием различных легирующих примесей. Поэтому для" целенаправленного синтеза стеклокерамик с заданными свойствами необходима информация об их структурно-химических параметрах и о влиянии на них условийвторичной термообработки и концентрации легирующих примесей, например, ионов кобальта.

Углеродные наночастицы различного типа вызывают в настоящее время* большой интерес как с точки зрения фундаментальной физики, так’и в связи с перспективностью их приложений в нанофотонике. В частности, для создания детекторов1 электромагнитного излучения могут быть использованы многослойные (луковичные) нанографиты с размерами1 в< несколько нанометров. В этой связи большой интерес представляет исследование структурно-физических параметров нанографитов и их зависимостей от условий синтеза и последующего отжига;

———Для-решения перечисленных выше задач наиболее адекватным является использование различных методов спектроскопии комбинационного рассеяния света, включая резонансное и низкочастотное комбинационное рассеяние, которые позволяют получить информацию о химическом составе, структуре и напряжениях в наноструктурированных объектах различного типаа> также о размерах нанонеоднородностей с пространственным разрешением вплоть до дифракционного предела.

Целью диссертационной работы являлось исследование термоиндуцированных структурно-химических измененийв проводящих пленках NiSi и пьезоэлектрических пленках (Bbo.92Sro.o8)(Zro.65Tio.35)03 нанометровой, толщины, выяснение закономерностей образования наноразмерных аморфных икристаллических неоднородностей в цинковоалюмосиликатных наностеклокерамиках, легированных ионами кобальта, при вторичной термообработке, а также определение структурных особенностей многослойных частиц нанографита и их изменений при отжиге методами спектроскопии комбинационного рассеяния света, включая микрокомбинационное и низкочастотное комбинационное рассеяния света.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

• в результате анализа спектров микро-комбинационного рассеяния света определены температуры образования тонких пленок NI2Si и перехода N^Si—>NiSi в слоистой структуре Ni/Si на кремниевых подложках различной ориентации и типа легирования. Показано, что эти температуры зависят от ориентации кремниевой подложки, но не зависят от типа легирования;

• продемонстрировано влияние температуры формирования пьезоэлектрических пленок (Pbo.92Sro.o8)(Zro.65Tio.35)03 на параметры структурного перехода в пленках с потерей пьезоэлектрических свойств. Определено, — чтодляпленок, — нанесенных при Т=750 °С, — переход начинается при температуре 285 °C, а для пленок, нанесенных при комнатной температуре, переход отсутствует в диапазоне температур до 350 °C;

• в результате сравнительного анализа спектров микро-комбинационного и низкочастотного комбинационного рассеяния света цинковоалюмосиликатных наностеклокерамических материалов с добавками, ионов? кобальта на различных стадиях термообработки определенадинамика фазового распада стекол на аморфные и нанокристаллические фазыа также определен? химический!- составь фаз и размер аморфных нанонеоднородностей — зародышей! образования кристаллической’фазы-:. ,.

• анализ спектров микро-комбинационного рассеяния света многослойных нанографитов подтвердил их многослойную структуру, показал^ присутствие в ней аморфного углерода и наличие краевых дефектов. Показано, что увеличение времени термообработки нанографитов приводит к упорядочению их структуры".

Практическая значимость работы заключается в том, что.

• для структуры Ni/Si определены температуры образования Ni2Si и структурного перехода Ni2Si—>NiSi. Показано, что, значениятемператур зависят от ориентации кремниевой подложки и не зависят от типа легирования. Это позволяет определить условия функционирования тонких пленок NiSi в качестве проводящего слоя при: производстве МОП-структур на различных подложках;

• определены температурные условия сохраненияпьезоэлектрических, свойств тонкими^ пленками (Pbo.92Sro.o8)(Zro.65Tio.3s)03, что определяет технические условия производства и функционирования микроэлектромеханических систем на их основе;

-• установленные— закономерности —динамики—фазового распада— ситаллизирующихся стекол на наноразмерные аморфные и кристаллические фазы в зависимости от концентрацииионов кобальта позволяют оптимизировать условия создания пассивных затворов для эрбиевых лазеров;

• показано, что отжиг нанографитов позволяет манипулировать структурными параметраминаночастиц.

Hat защиту выносятся' следующие основные результаты иг положения:

1. Притермообработке пленки Ni, нанесенной на (100) Si-подложку, температура образования фазы Ni2Si составляет 250 °C, а температура перехода NiiSi—"NiSi — 290 °C. При термообработке пленки Ni, нанесенной на (100) Si-подложку, эти температуры-равны соответственно 275 °C и 300 °C. Тип легирования подложки не влияет на температуру образования Ni2Si и NiSi, тогда как ее ориентациятакое влияние оказывает.

2. Для тонких пьезоэлектрических PSZT пленок, нанесенных при комнатной температуре, трансформация ромбоэдрической структуры^ кубическую с потерей пьезоэлектрических свойств не происходит вплоть до температуры 350 °C. Для PSZT пленок, нанесенных при температуре 750 °C, структурный переход от ромбоэдрической структуры к кубической начинается при температуре более 285 °C.

3. Наличие ионов Со ускоряет фазовый распад исходных стекол на аморфные фазы на начальных стадиях термообработки. Основной аморфной фазой, выпадающей при фазовом распаде стекол, являются цинковоалюмосиликатные неоднородности^ которые служат центрами образования нанокристаллов цинковоалюмосиликатной шпинелиганита. Количество ганита уменьшается при введении. 0.5% СоО, однако дальнейшее увеличение концентрации ионов кобальта не влияет на количество выпадающей кристаллической фазы.

4. Частицы нанографита, полученные путем отжига детонационных наноалмазов, имеют многослойную луковичную структуру, в которой присутствуют области структурного разупорядочения в виде аморфного углерода и краевых дефектов. Отжиг нанографитов при температуре 1600 °C приводит к упорядочению их структуры.

Апробация работы.

Основные положения и результаты диссертации докладывались на следующих конференциях: IV Международный оптический конгресс «Оптика — XXI век» (Санкт-Петербурга, 2006 г.), V Международная конференция молодых ученых и специалистов «Оптика — 2007» (Санкт-Петербург, 2007 г.), V Всероссийская межвузовская конференция молодых ученых (Санкт-Петербург, 2008 г.), AFM forum and workshop, Intel conference (Дублин, Ирландия, 2009 г.), 33-rd Annual Symposium of Microscopical Society of Ireland (Дублин, Ирландия, 2009 г.), 14th International Conference «Laser Optics 2010» (Санкт-Петербург, 2010 г.), The 4th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (Сучжоу, Китай, 2010 г.), VII Всероссийская межвузовская конференция молодых ученых (Санкт-Петербурга, 2010 г.).

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы изложены в 7-ми публикациях в рецензируемых журналах [Al, А2, A3, A4] и сборниках трудов конференций [А5, А6, А7].

Результаты работы использовались в ГОУ ВПО СПбГУ ИТМО при выполнении проектов РНП.2.1.1.1075 (2006;2008 гг) и РНП 2.1.1/1880 (20 092 010 гг.) аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы».

Личный вклад автора.

Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы.

Общаяпостановка цели? и задач исследованийв рамках диссертационной] работы проведена' автором: совместно с научным руководителем работы Барановым А. ВПодготовка кпубликации полученных результатов? проводиласьсовместно? с: соавторами-, причем вкладдиссертанта был определяющийструктура диссертации1.

Диссертация^ состоит из введения, 4-х глав, заключения и, списка используемых источников.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате анализа спектров микро-комбинационного рассеяния света определены, температуры образования, тонких пленок NiiSi и структурного перехода* Ni2Si—"NiSi в слоистош структуре Ni/Si' на кремниевых подложках различной* ориентации^ и типа легирования. Показано, что значения температур зависят от ориентации кремниевой подложки и не зависят от типа легирования. Это позволяет определить условия функционирования тонких пленок NiSi в качестве проводящего слоя при производстве КМОП-структур на кремниевых подложках различной ориентации и типа легирования.

Продемонстрировано влияние температуры формирования* тонких пьезоэлектрических PSZT пленок состава (Pbo.92Sro.o8)(Zro.6sTio.35)03 на параметры структурного перехода в пленках с потерей пьезоэлектрических свойств. Определено, что для пленок, нанесенных при Т=750 °С, переход начинается при температуре 285 °C, а для пленок, нанесенных при комнатной температуре, переход отсутствует в диапазоне температур до 350 °C. Таким образом, определены температурные условия сохранения пьезоэлектрических свойств тонкими пленками (Pb0 92Sr0 o8)(Zr0 65Tio.35)03, что определяет технические условия производства и функционирования микроэлектромеханических систем на их основе.

В результате сравнительного анализа спектров микрокомбинационного и низкочастотного комбинационного рассеяния света цинковоалюмосиликатных наностеклокерамических материалов с добавками — ионов кобальта на различных стадиях термообработки определена динамика фазового распада стекол на аморфные и нанокристаллические фазы, определен химический состав фаз и размер аморфных нанонеоднородностей зародышей образования кристаллической фазы. Установленные закономерности динамики фазового распада ситаллизирующихся стекол на наноразмерные аморфные и кристаллические фазы в зависимости от концентрации ионов кобальта позволяют оптимизировать условия создания пассивных затворов для эрбиевых лазеров.

Анализ спектров микро-комбинационного рассеяния света многослойных нанографитов подтвердил их многослойную структуру, показал присутствие в ней аморфного углерода и наличие краевых дефектов. Показано, что увеличение времени термообработки нанографитов приводит к упорядочению их структуры, что открывает возможности манипулирования структурными параметрами частиц нанографитов.

В заключение выражаю свою благодарность научному руководителю доктору физ.-мат. наук Александру Васильевичу Баранову, а также моим соавторам кандидату физ.-мат. наук Татьяне Сергеевне Перовой, доктору физ.-мат. наук Ольге Сергеевне Дымшиц, кандидату физ.-мат. наук Марине Яковлевне Центер и кандидату физ.-мат. наук Владимиру Юрьевичу, Осипову за их ценную помощь при планировании экспериментов и обсуждении результатов, а также всех своих коллег за поддержку, понимание и сотрудничество.

ПУБЛИЬСАЦИИШШМАШЕВИАЛАМ ДИССЕРТАЦИИ? Alt М. Bhaskaran, S. SriramТ: Si Perova-V. ErmakovG. JThorogoodК. T. Short,&bdquo-А: S-Holland* Insitomicro-Ramamanalysis andOfcray di^ silicide thimfilms omsiliconMicron- 40- 89−93 (2009) — ,.

A2. IAlekseeva, O. Dymshits, V. Ermakov, A. Zhilin, V. Petrov, Ml Tsenter, Raman spectroscopy quantifying the composition of stuffed f3-quartz derivative phases in lithium aluminosilicate glass-ceramics, Journal ofNoncrystalline: Solids, 354, 4932−4939 (2008).

A3. В. А. Ермаков, M. Я. Ценгер, О. С. Дымшиц, А. В. Баранов, Исследование распада в титаносодержащих цинковоалюмосиликатных наноструктурированных стеклах, легированных СоО, методом спектроскопии комбинационного рассеяния светаНаучно-технический • вестник СПбГУ ИТМО, 58, 76−86 (2008).

А4. УС Y. Osipov, А. V. Baranov, V. A. Ermakov, Т. В. Makarova, L. F. ChungongА. В Shames, К. Takai, Т. Enoki, .Y. KaburagiМ: EndoA. Y. Vulr, Raman characterization and’UV opticali absorption studies of surface plasmon resonance in multishell nanographite, Diamond and Related-Materials, 20, 205−209(2011).

A5. Петров В. И., Алексеева И. П., Дымшиц О: С., Ермаков В. А., Жилин А. А., Центер М. Я., Состав и структура нанокристаллов матрицы в литиевоалюмосиликатных ситаллах с добавками Zr02, Труды IV Международной конференции «Фундаментальные проблемы, оптики», Санкт-Петербург, 16−20 октября 2006, под ред. проф: В. Г. Беспалова, проф. С. А.

Козлова, СПб.? Издательский aom .<>, 36−37 (2006).

А6. В. А. Ермаков, А. ВБаранов, Т. С. Перова, В. Мельников, A. HollandМикро-рамановская спектроскопия структурных превращений в тонких пленках NiSi n PSZT, Труды четвертой международной конференциимолодых ученых и специалистов «0птика-2007», Санкт-Петербург, 15−19 октября 2007, под ред. проф. В. Г. Беспалова, проф. С. А. Козлова, СПб: СПбГУ ИТМО, 208 (2007).

А7. V.Yu. Osipov, A.V. Baranov, У.А. Ermakov, T.L. Makarova, L.F. Chungong, A.I. Shames, K. Takai, T. Enoki, Y. Kaburagi, M. Endo, A.Ya. Vul'. Raman characterization and UV optical absorption studies of surface plasmon resonance in nanographite. Proc. 4th Int. Conf. on New Diamond and Nano Carbons, May 16−20, 2010, Suzhou, China. P. 298−299 (2010).

Показать весь текст

Список литературы

  1. , М.М. Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов. М.: Наука, 1969.
  2. Myers, A.B., Mathies, R.A., Resonance Raman Intensities: A Probe of Excited-State Structure and Dynamics. In Biological Application of Raman Spectroscopy, ed. T.G. Spiro. Vol. 2. New York: Wiley & Sons, 1987, 1−58.
  3. Fedorov, A.V., Baranov, A.V., Inoue, K., Exciton-phonon coupling in semiconductor quantum dots: Resonant Raman scattering // Physical Review B, 1997, 56(12), p. 7491−7502.
  4. Menendez-Proupin, E., Cabo-Bisset, N., Resonance Raman scattering in semiconductor quantum dots: Adiabatic versus time-dependent perturbation theory // Physical Review B, 2002, 66(8), p. 85 317.
  5. Mougin, J., Rosman, N., Lucazeau, G., et al., In situ Raman monitoring of chromium oxide scale growth for stress determination // J. Raman Spectrosc., 2001, 32(9), p. 739−744.
  6. Shiang, J.J., Risbud, S.H., Alivisatos, A.P., Resonance Raman studies of the ground and lowest electronic excited state in CdS nanocrystals. // J. Chem. Phys., 1993, 98, p. 8432−8443.
  7. Klein, M.C., Hache, F., Ricard, D., et al., Size dependence of electron-phonon coupling in semiconductor nanospheres: The case of CdSe. // Physical Review B, 1990, 42, p. 11 123−11 132.
  8. Scamarcio, G., Spognolo, V., Ventruti, G., et al., Size dependence of electron-LO-phonon coupling in semiconductor nanocrystals. // Physical Review- B,~1996,53, p. R10489-R10492.
  9. , A.B., Федоров, A.B., Оптика квантовых точек. В Оптика наноструктур. Под ред. A.B. Федорова. СПб.: Недра, 181−274.
  10. Lamb, Н. On the Vibrations of an Elastic Sphere. // Proceedings of the London Mathematical Society, 1881, sl-13(l), p. 189−212.
  11. Tamura, A., Higeta, R., Ichinokawa, T., Lattice vibrations and specific heat of a small particle. //Journal'of Physics G: SolidtState Physics, 1982- 15(24)-. pi 4975−4991.
  12. Duval, E., Boukenter, A.,.Ghampagnon, B-, Vibration Eigenmodes-andiSizer ofMicrocrystallitesirr Glass: Observation by Very-Eow-FrequencyiRaman-Scattering. // Physical Review Letters, 1986, 56(19), p.2052−2055i
  13. Baranov, A-V., Bekhterev, A.N., Bobovich- Y.S., et ali, First- andisecond-order Raman scattering from finite-size crystals of graphite. // Optics and Spectroscopy, 1987, 62(5), p. 1036−1042.
  14. Thomsen, C., Reich, S., Double Resonant Raman Scattering. in Graphite. // Physical Review Letters, 2000, 85(24), p. 5214−5217.
  15. Morimoto, T., Ohguro, T., Momose, H.S., et al. Self-aligned nickel-mono-silicide technology for high-speed deep submicrometer logic CMOS ULSI. // IEEE Trans. Electron Devices, 1995, 42, p. 915−922.
  16. Cafra, B., Alberti. A., Ottaviano. L., el al., Thermal stability of nickel silicide on silicon on insulator (SOI) material. // Materials Science andiEngineering B, 2004,114−115, p. 228−231.
  17. Lauwers, A., Kittl, J.A., Van Dal, M.J.H., et al., Ni based silicides for 45 nm CMOS and beyond: //Materials Science and Engineering B, 2004, 114−115, p. 2941.
  18. Powder Diffraction Pattern Files, International- Centre for Diffraction Data (ICDD, formerly the Joint Committee for Powder Diffraction Studies), Newtown Square, PA 19 073, Card 04−0802.
  19. Powder Diffraction Pattern Files, International Centre for Diffraction Data (ICDD, formerly the Joint Committee for Powder Diffraction Studies), Newtown Square, PA 19 073, Card 80−2283.
  20. Donthu, S.K., Chi, D.Z., Tripathy, S., et al., Micro-Raman spectroscopic investigation of NiSi films, formed on BF"2, B+ and non-implanted (100)Si substrates. // Applied Physics A: Materials Science Processing, 2004, 79(3), p. 637−642.
  21. Hayes, W., Loudon, R. Scattering of Light by Crystals. New York: Wiley, 1978.
  22. Sasaki, T., Nishibe, S., Harima, H., et al. Raman Study of Low-Temperature Formation of Nickel Silicide Layers. In Advanced Thermal Processing of Semiconductors. 2006. Kyoto.
  23. Xu, Y. Ferroelectric Materials and Their Applications. Amsterdam: North-Holland, 1991.
  24. Jaffe, B., Cook, W.R., Jaff, H., Piezoelectric Ceramics. New York: Academic Press, 1971.
  25. Zheng, H., Reaney, I.M., Lee, W.E., et al., Effects of octahedral tilting on the piezoelectric properties of strontium/barium/niobium-doped soft lead zirconatetitanate ceramics. // Journal of the American Ceramic Society, 2002, 85(9), p. 2337−2344.
  26. Souza Filho, A.G., Lima, K.C.V., Ayala, A.P., et al., Raman scattering study of the PbZri. xTixC>3 system: Rhombohedral-monoclinic-tetragOnal phase transitions. // Physical Review B, 2002, 66(13), p. 132 107.
  27. Brya, W.J. Polarized Raman Scattering in Transparent Polycrystalline Solids. // Physical Review Letters, 1971, 26(18), p. 1114−1118.
  28. Burns, G., Scott, B.A., Raman Spectra of Polycrystalline Solids- Application to the PbTiixZrx03-System. //Physical Review Letters, 1970, 25(17), p. 11 911 194.
  29. Costa, C.E.F., Pontes, F.M., Souza, A.G., et al., Influence of strontium concentration on the structural, morphological, and electrical properties of lead zirconate titanate thin films. // Applied Physics A: Materials Science, 2004, 79(3), p. 593−597.
  30. Pontes, F.M., Leal, S.H., Pizani, P. S., et al., Structural phas ее volution of strontium-doped lead titanate thin films prepared by the soft chemical technique. // J. Mater. Res., 2003,18(3), p. 659−663.
  31. , П.П. Аморфные вещества. Москва: Изд. АН СССР, 1952.
  32. , В.Н. Начальные стадии кристаллизации стекол и образование ситаллов. Стеклообразное состояние. Москва: Изд. АН СССР, 1 1963.
  33. Malyarevich, A.M., Denisov, I.A., Yolk, Y.V., et al., Nanosized glass-ceramics doped with transition metal ions: nonlinear spectroscopy and possible laser applications. // Journal of Alloys and Compounds, 2002, 341(1−2), p. 247 250. s '
  34. , A.M., Юмашев, K.B., Твердотельные и просветляющиеся среды. Минск: БИТУ, 2008.
  35. Denisov, I.A., Volk, Y.V., Malyarevich, A.M., et al., Linear and nonlinear optical properties of cobalt-doped zinc aluminum glass ceramics. // Journal of Applied Physics, 2003, 93(7), p. 3827−3831.
  36. Kang, U., Dymshits, O.S., Zhilin, A.A., et al., Structural states of Co (II) in (3-eucryptite-based glass-ceramics nucleated with ZrC>2. // Journal of Non-Crystalline Solids, 1996, 204(2), p. 151−157.
  37. Johnson, L.F., Dietz, R.E., Guggenheim, H.J. Spontaneous and stimulated emission from Co2+ ions in MgF2 and ZnF2. // Applied Physics Letters, 1964, 5(2), p. 21−22.
  38. Pappalardo, R., Wood, D.L., Linares, J.R.C. Optical Absorption Study of
  39. Co-Doped Oxide Systems. П // The Journal of Chemical Physics, 1961, 35(6), p.2041−2059.
  40. БобовичЯ.С. Спектроскопические исследования состояниям координации ¡-титана внекоторых стеклообразных телах. // Оптика и спектроскопия,-1963,14(5), с. 647−653:
  41. McMillan, P.F. Structural studies of silicate glasses and melts-applications and limitations of Raman spectroscopy. // Amer. Mineral., 1984, 69- p. 622−644.
  42. Dymshits, O.S., Zhilin, A.A., Petrov, V.I., et al., Raman Spectroscopic Study of Phase Transformations in Titanium-Containing Lithium Aluminosilicate Glasses. // Glass Physics and Chemistry, 1998, 24(2), p. 114−138.
  43. Chuvaeva, T.I., Dymshits, O.S., Petrov, V. E, et al., Low-frequency Raman scattering of magnesium aluminosilicate glasses and, glass-ceramics. // Journal of Non-Crystalline Solids, 2001, 282(2−3), p. 306−316.
  44. , Б.Г., Денисов, B.H., Маврин, Б.Н. и др. // Оптика и спектроскопия, 1979, 47(23).
  45. Henderson, G.S., Fleet, М.Е., The structure of Ti silicate glasses by micro-Raman spectroscopy. // The Canadian Mineralogist, 1995, 33, p: 399−408.
  46. , В.Г., Соколов, В.О., Колташев, В.В.и др. // Фотон-Экспресс, 2004, 6, р. 28−40.
  47. , А.И. Колебательные спектры и строение силикатов. Л.: Наука, 1968.
  48. Champagnon, В., Andrianasolo, В., Duval, Е., Size determination of semiconductornanocrystallites in glasses by low frequency^inelastic scattering (LOFIS). // Materials Science and Engineering B, 1991, 9(4), p. 417−420.
  49. Tuinstra, F., Koenig, J.L. Raman Spectrum of Graphite. // The Journal of Chemical Physics, 1970, 53(3), p. 1126−1130.
  50. Cancado,.G. Raman spectroscopy of nanographites. PhD Thesis. Universidade Federal de Minas Gerais, Brasil. 2006
  51. Cancado, L.G., Pimenta, M.A., Neves, B.R.A., et al. Influence of the Atomic Structure on the Raman Spectra of Graphite Edges. // PhysicaLReview Letters, 2004, 93(24), p. 247 401.
  52. Tsu, R., Gonzalez H, J., Hernandez C, I. Observation of splitting of the E2g mode and two-phonon spectrum in graphites. // Solid State Communications, 1978, 27(5), p. 507−510.
  53. Mernagh, T.P., Cooney, R.P., Johnson, R.A. Ramanspectra of Graphon carbon black. // Carbon, 1984, 22(1), p. 39−42.
  54. Nemanich, R.J., Solin, S.A. First- and second-order Raman scattering from finite-size crystals of graphite. // Physical Review B, 1979, 20(2), p. 392−401.
  55. Vidano, R.P., Fischbach, D.B., Willis, L.J., et al., Observation of Raman band shifting with excitation wavelength for carbons and graphites. // Solid State Communications, 1981, 39(2), p. 341−344.
  56. Osipov, V.Y., Enoki, T., Takai, K., et al., Magnetic and high resolution TEM studies of nanographite derived from nanodiamond. // Carbon, 2006, 44(7), p. 1225−1234.
  57. Andersson, O.E., Prasad, B.L.V., Sato, H., et al., Structure and electronic properties of graphite nanopartides. // Physical Review B, 1998, 58(24), p. 16 387.
  58. Tomita, S., Fujii, M., Hayashi, S., Optical extinction properties of carbon onions prepared from diamond nanoparticles. // Physical Review B, 2002, 66(24), p. 245 424.
  59. Chhowalla, M., Wang, H., Sano, N., et al., Carbon Onions: Carriers of the 217.5 nm Interstellar Absorption Feature. // Physical Review Letters, 2003, 90(15),-p. 155 504.
  60. Tomita, S., Fujii, M., Hayashi, S. Defective carbon onions in interstellar space as the origin of the optical extinction bump at 217.5 nanometers. // Astrophysical journal, 2004, 609(1), p. 220−224.
  61. Heer, W.A.D-, Ugarte, D. Carbon onions produced by heat treatment of carbon soot and their relation to the 217.5 nm interstellar absorption feature. // Chemical Physics Letters. 1993, 207, p. 480−486.
  62. Pascoli, G., Leclercq, J: Some Theoretical! Considerations about theOrigin ofi the 220 NM Interstellar Hump. // Astrophysics and Space Science, 1996, 235, p.. 233−243. .
  63. Roy, D., Chhowalla, M., Wang, II., et al., Characterisation of carbon nano-onions using Raman spectroscopy. // Chemical Physics Letters, 2003- 373(1−2), p. 52−56.
  64. Tan, P., Hu, C., Dong, J., et al., Polarization properties, high-order Raman spectra, and frequency asymmetry between Stokes and anti-Stokes scattering of Raman modes in a graphite whisker. // Physical. Review B, 2001, 64(21), p. 214 301.
  65. Lespade, P., Al-Jishi, R., Dresselhaus, M.S. Model for Raman-scattering from incompletely graphit ized carbons. // Carbon, 1982, 20(5), p. 427−431.
  66. Saito, R., Jorio, A., Souza Filho, A.G., et al., Dispersive Raman spectra observed in graphite and single wall: carbon nanotubes. // Physica B: Condensed Matter, 2002, 323(1−4), p. 100−106.
  67. Kawashima, Y., Katagiri, G. Observation of the out-of-plane mode in the Raman scattering from the graphite edge plane. // Physical Review B- 1999, 59(1), p. 62−64.
  68. Gompf, F., Renker, B., Schober, H., et al., Inelastic neutron scattering results on pure and doped fullerenes. // Journal of Superconductivity, 1994, 7(3), p. 643—645.---------'------------------------------------: —
  69. Matthews, M.J., Pimenta, M.A., Dresselhaus, G., et al., Origin of dispersive effects of the Raman D band in carbon materials. // Physical Review B, 1999- 59(10), p. R6585-R6588.
  70. Pimenta, M.A., Dresselhaus, G., Dresselhaus, M.S., et al., Studying disorder in graphite-based systems by Raman spectroscopy. // Physical Chemistry Chemical Physics, 2007, 9(11), p. 1276−1290.
  71. Ferrari, A.C., Robertson, J. Origin of the 1150 cm"1 Raman «mode in nanocrystalline diamond. // Physical Review B, 2001, 63(12), p. 121 405.
  72. Cuesta, A., Dhamelincourt, P., Laureyns, J., et al., Raman microprobe studies on carbon materials. // Carbon, 1994, 32(8), p. 1523−1532.
  73. Jawhari, T., Roid, A., Casado, J. Raman spectroscopic characterization of some commercially available carbon black materials. // Carbon, 1995, 33(11), p. 1561 -1565.
  74. Koskinen, P., Malola, S., Hakkinen, H. Evidence for graphene edges beyond zigzag and armchair. // Physical Review B, 2009, 80(7), p. 73 401.
  75. Dallas, T.E.J. Structural phases of disordered carbon materials. PhD Thesis, Texas Tech. University, 1996.
  76. Zerda, T.W., Xu, W., Yang, H., et al., The effects of heating and cooling rates on the structure of carbon black particles. // Rubber Chemistry and Technology, 1998, 71(1), p. 26−37.
  77. Ferrari, A.C., Meyer, J.C., Scardaci, V., et al., Raman Spectrum of Graphene and Graphene Layers. // Physical Review Letters, 2006, 97(18), p. 187 401.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?